KR102262772B1 - 유기전계발광표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 측면에 따른 유기전계발광표시장치는 기판; 기판 상에 위치하고, 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 정의되며, 투명부 및 발광부를 포함하는 복수의 화소; 상기 발광부에 위치하고, 엑티브층, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 발광부와 중첩되며, 상기 발광부에 연결되어 전원 전압을 공급하는 전원 라인; 상기 발광부에 위치하고 상기 전원 라인과 중첩되는 제 1 스토리지 전극 및 제 2 스토리지 전극;을 포함하고, 상기 제 1 스토리지 전극은 상기 전원 라인 및 상기 제 2 스토리지 전극과 정전용량을 생성하는 것을 특징으로 한다.

Description

유기전계발광표시장치{Organic Light Emitting Display}
본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 능동형 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
정보화 사회의 발전이 가속화되면서 평판표시장치(Flat Panel Display)의 비중이 점차 증가하고 있다. 그 중 액정표시장치(liquid crystal display, LCD)가 시장 점유율에 있어서 압도적이지만, 별도의 광원이 필요한 점과 시야각에 따라 색이 변하는 문제, 소비전력이 높다는 이유로, 액정표시장치 대비 경량박형화가 가능하고 소비전력이 낮은 유기전계발광표시장치(OLED; Organic Light Emitting Display)가 차세대 평판표시장치로 주목을 받고 있다. 유기전계발광표시장치는 시야각 및 대조비 등이 우수하고, 경량 및 박형이 가능하며 휘는 성질의 기판에 적용하기 수월한 점 및 자체발광소자로써 별도의 광원이 필요없다는 점에서 각각 플렉서블 디스플레이(flexible display) 및 투명 디스플레이(transparent display) 등 차세대 평판표시장치에 적용하기가 액정표시장치보다 수월한 장점이 있다.
특히 투명 디스플레이의 경우, 디스플레이를 감상하면서 유기전계발광표시장치의 배면에 있는 배경까지 볼 수 있도록 하기 위하여 35~40% 정도의 투과율을 달성하는 것이 중요한 점으로 부각되고 있으나, 현재 박막 트랜지스터 등 유기발광소자를 구동시키는 구동 소자의 면적이 상대적으로 커 투과율을 향상시키기 어려운 문제점이 있다.
도 1은 종래의 투명 유기전계발광표시장치의 한 화소를 도시한 평면도이며, 도 2는 도 1의 a-a′를 자른 절단면을 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 투명 유기전계발광표시장치는 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)으로 정의된 화소(PX)를 포함한다. 화소(PX) 내부는 발광부(EA) 및 투명부(TA)를 포함하며, 발광부(EA)에 구동 소자를 포함하고 있다. 도 1에서 발광부(EA) 및 투명부(TA)가 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 및 발광부(EA) 내부의 구동 소자 중 가장 큰 면적을 차지하는 것이 스토리지 전극부인데 스토리지 전극부는 복수의 스토리지 전극(110, 120)을 포함하며, 복수의 스토리지 전극(110, 120)은 일정한 간격을 두고 서로 마주보며 정전용량을 생성한다. 정전용량은 스토리지 전극(110, 120) 각각의 면적에 비례하고 스토리지 전극(110, 120) 간의 간격에 반비례한다. 따라서, 스토리지 전극(110, 120)의 면적이 클수록, 스토리지 전극(110, 120) 간의 간격이 작을수록 더 큰 정전용량 생성이 가능하다.
상기 정전용량은 화소(PX)에서 유기발광소자(미도시)가 한 프레임 동안 발광을 유지시켜주기 위해 꼭 필요하며, 충분한 정전용량을 생성해야 한 프레임 동안 발광이 유지되는 것을 확보할 수 있게 된다. 그러나 충분한 정전용량 생성을 위해 스토리지 전극(110, 120)의 면적을 늘리게 되면, 상대적으로 투명부(TA)의 면적이 줄어들게 되어 35~40% 정도의 투과율을 달성하기 어려운 문제점이 있다.
또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 스토리지 전극(110, 120)이 한 쌍밖에 없어 정전용량을 생성하기에 한계가 있을 수 밖에 없다.
또한, 일반적인 하부발광방식의 유기전계발광표시장치의 경우에는, 스토리지 전극의 면적이 늘어나는 경우, 구동 소자의 면적이 늘어나 발광부의 면적이 줄어들게 된다. 이 경우, 발광 효율이 떨어지고 동일한 발광 효율을 내기 위해 더 많은 소비 전력이 요구되며, 이는 유기발광소자의 수명을 약화시키는 문제점이 될 수 있다. 상부발광방식의 유기전계발광표시장치의 경우에는 스토리지 전극의 면적이 늘어나더라도 직접적으로 발광부의 면적에 영향을 미치지 않으나, 고해상도를 구현하기 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 투과부 또는 발광부의 면적을 증가시킬 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것을 그 기술적 과제로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 유기전계발광표시장치는 기판; 기판 상에 위치하고, 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 정의되며, 투명부 및 발광부를 포함하는 복수의 화소; 상기 발광부에 위치하고, 엑티브층, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 발광부와 중첩되며, 상기 발광부에 연결되어 전원 전압을 공급하는 전원 라인; 상기 발광부에 위치하고 상기 전원 라인과 중첩되는 제 1 스토리지 전극 및 제 2 스토리지 전극;을 포함하고, 상기 제 1 스토리지 전극은 상기 전원 라인 및 상기 제 2 스토리지 전극과 정전용량을 생성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 전원 라인을 이용하여 정전용량을 생성하여, 종래보다 더 작은 면적으로 정전용량을 생성함으로써, 발광부의 면적을 증가시킬 수 있으며 특히, 투명 유기전계발광표시장치의 경우, 발광부 또는 투과부의 면적을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 전원 라인을 이용하여 정전용량을 생성하여, 종래보다 더 작은 면적으로 정전용량을 생성함으로써, 화소의 면적을 줄여 고해상도 디스플레이를 구현할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 유기전계발광표시장치의 한 화소를 도시한 평면도;
도 2는 도 1의 a-a′를 자른 절단면을 도시한 단면도;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 한 화소를 도시한 평면도;
도 4는 도 3의 b-b′를 자른 절단면을 도시한 단면도; 및
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 한 화소를 도시한 평면도.
이하, 첨부되는 도면들을 참고하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 한 화소를 도시한 평면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는, 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)에 의해 정의되는 복수의 화소(PX)를 포함한다. 또한, 화소(PX)는 발광부(EA) 및 투명부(TA)를 포함하며, 발광부(EA)는 투명부(TA)에 둘러싸일 수 있다. 도 3에서는 발광부(EA)가 화소(PX)의 한쪽 측면에 치우쳐져 있으며, 그 나머지 영역에 투명부(TA)가 위치하고 있다. 이는 발광부(EA) 및 투명부(TA) 배치의 일례이며, 다양한 배치가 가능하다. 그러나, 발광부(EA)는 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 및 전원 라인(VL)과 연결되어 신호를 공급받아야 하기 때문에, 발광부(EA)가 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 중첩되거나 혹은 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 바로 인접하는 영역에 위치하는 것이 구동 측면, 발광부(EA)의 면적을 줄이는 측면 또는 투명부(TA)의 면적을 증가시키기는 측면에서 효과적일 수 있다. 따라서, 발광부(EA)는 투명부(TA)에 의해 둘러싸일 수 있다.
전원 라인(VL)은 발광부(EA)와 중첩되는 것이 특징이며, 전원 라인(VL)은 발광부(EA)에 연결되어 전원 전압을 공급한다. 전원 라인(VL)은 발광부(EA) 내부에 위치하는 제 1 스토리지 전극(310)과 중첩되어 정전용량을 생성할 수 있다. 전원 라인(VL)에는 전원 전압이 흐르며, 고전위 전압(Vdd)일 수 있다. 또한, 제 1 스토리지 전극(310)은 일례로 데이터 라인(DL)으로부터 데이터 전압을 공급받을 수 있다. 따라서, 전원 라인(VL)과 제 1 스토리지 전극(310)은 고전위 전압(Vdd)과 데이터 전압의 전압차에 따른 정전용량의 생성이 가능하다. 그러나, 이에 제한되지 않고, 화소의 설계에 따라 다른 전압을 공급받아 정전용량을 생성할 수 있다.
그리고, 전원 라인(VL)은 도 3에 도시된 바와 같이 화소(PX)의 상하부 방향으로 긴(long) 형태이기 때문에, 제 1 스토리지 전극(310)도 상기 전원 라인(VL)과 동일 혹은 유사한 형태를 가지는 경우, 전원 라인(VL)과 중첩되는 면적이 커지기 때문에, 제 1 스토리지 전극(310)도 화소(PX)의 상하부 방향으로 긴 형태로 형성될 수 있다.
또한, 제 1 스토리지 전극(310)이 화소(PX)의 상하부 방향으로 긴 형태이기 때문에, 제 1 스토리지 전극(310)를 포함하는 발광부(EA)의 형태도 화소(PX)의 상하부 방향으로 긴 형태로 형성되어야 발광부(EA)의 면적을 줄이는 측면이나 투명부(TA)의 면적을 증가시키는 측면에서 효과적일 수 있다.
한편, 제 2 스토리지 전극(320)도 발광부(EA) 내부에 위치하며, 제 1 스토리지 전극(310)와 중첩되어 정전용량을 생성할 수 있다. 제 2 스토리지 전극(320)의 형태도 제 1 스토리지 전극(310)의 형태와 마찬가지로 화소(PX)의 상하부 방향으로 긴 형태로 형성될 수 있다. 일례로, 제 1 스토리지 전극(310)은 데이터 라인(DL)으로부터 데이터 전압을 공급받으며, 제 2 스토리지 전극(320)은 전원 전압을 공급받을 수 있으며, 전원 라인(VL)과 동일하게 고전위 전압(Vdd)을 공급받을 수 있다. 따라서, 제 1 스토리지 전극(310)과 제 2 스토리지 전극(320)은 고전위 전압(Vdd)과 데이터 전압의 전압차에 따른 정전용량의 생성이 가능하다. 그러나, 이에 제한되지 않고, 화소의 설계에 따라 다른 전압을 공급받아 정전용량을 생성할 수 있다.
구동 소자(330)는 유기발광소자(미도시)를 구동하는 회로부(미도시)를 포함하며, 제 1 스토리지 전극(310) 및 제 2 스토리지 전극(320)을 제외한 영역에 위치할 수 있다. 실제로 제 1 스토리지 전극(310) 및 제 2 스토리지 전극(320)도 그 역할 상 구동 소자(330)에 포함될 수 있지만, 본 발명에서는 구동 소자(330)와 정전용량을 생성하는 제 1 스토리지 전극(310) 및 제 2 스토리지 전극(320)를 구분하여 설명하도록 하겠다.
구동 소자(330)는 대표적으로 박막 트랜지스터(미도시)를 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터(미도시)는 복수개일 수 있으며, 스위칭 박막 트랜지스터(미도시) 및 구동 박막 트랜지스터(미도시)를 포함할 수 있다. 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 연결되는 스위칭 박막 트랜지스터(미도시)로부터 데이터 전압이 구동 박막 트랜지스터(미도시)로 전달되며, 최종적으로 구동 박막 트랜지스터(미도시)로부터 전원 전압이 유기발광소자(미도시)의 일단으로 전달되어 유기발광소자(미도시)를 구동시킬 수 있다. 여기서 전원 전압은 고전위 전압(Vdd)일 수 있으며, 저전위 전압(Vss)는 유기발광소자(미도시)의 타단에 전달될 수 있다.
박막 트랜지스터(미도시)는 복수의 도전부재(미도시)를 포함할 수 있으며, 상기 복수의 도전부재(미도시)은 엑티브층(미도시), 게이트 전극(미도시), 소스 전극(미도시), 드레인 전극(미도시)을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터(미도시), 제 1 스토리지 전극(310) 및 제 2 스토리지 전극(320)는 중첩되지 않으므로, 상기 복수의 도전층(미도시)은 제 1 스토리지 전극(310) 및 제 2 스토리지 전극(320)와 동일한 층에 위치할 수 있다. 즉, 하나의 도전층을 도포한 후 패터닝을 통해 복수의 도전부재(미도시), 제 1 스토리지 전극(310) 및 제 2 스토리지 전극(320)을 동시에 형성할 수 있다. 이는 박막 트랜지스터(미도시)의 방식에 따라 다양해질 수 있다.
예를 들어, 박막 트랜지스터(미도시)의 엑티브층(미도시)이 LTPS(Low Temperature Poly Silicon)인 경우, 박막 트랜지스터(미도시)는 탑 게이트(top gate) 방식이기 때문에, 엑티브층(미도시) 및 게이트 전극(미도시)이 순차적으로 적층되고, 엑티브층(미도시)과 연결되는 소스 전극(미도시) 및 드레인 전극(미도시)이 동일 층 상에 위치하게 된다. 여기서, 전원 라인(VL)이 소스 전극(미도시) 및 드레인 전극(미도시)과 동일 층 상에 위치하는 경우, 제 1 스토리지 전극(310)은 게이트 전극(미도시)과 동일 층 상에 위치할 수 있고, 제 2 스토리지 전극(320)은 엑티브층(미도시)과 동일 층 상에 위치할 수 있다. 즉, 전원 라인(VL)은 소스 전극(미도시) 및 드레인 전극(미도시)과 동시에 형성되고, 제 1 스토리지 전극(310)은 게이트 전극(미도시)과 동시에 형성될 수 있고, 제 2 스토리지 전극(320)은 엑티브층(미도시)과 동시에 형성될 수 있다.
그 밖에 바텀 게이트(bottom gate) 방식 및 더블 게이트(double gate) 방식 등 다양한 박막 트랜지스터(미도시)의 방식 및 적층 구조에 따라 전원 라인(VL), 제 1 스토리지 전극(310) 및 제 2 스토리지 전극(320)은 구동 소자(330)를 구성하는 다양한 도전부재(미도시)와 동일 층 상에 위치할 수 있다.
상기와 같이 본 발명은 정전용량을 삼중구조로 생성하여 충분한 정전용량의 확보가 가능할 수 있으며, 구동에 필수적으로 존재해야 하는 전원 라인(VL)을 이용하여 정전용량을 생성할 수 있으므로, 발광부(EA) 혹은 투명부(TA)의 면적을 증가시켜 발광 효율 또는 투과율을 향상시킬 수 있다. 또는 발광부(EA)의 면적을 그대로 유지한 채 화소(PX)의 면적을 줄일 수 있어, 고해상도를 구현할 수 있는 장점이 있다.
상기 내용은 도 4에 도시되어 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 스토리지 전극(310)을 중심으로 상부에 전원 라인(VL)이 위치하며, 하부에 제 2 스토리지 전극(320)이 위치한다. 제 1 스토리지 전극(310), 전원 라인(VL) 및 제 2 스토리지 전극(320)은 서로 중첩되며, 정전용량을 생성한다.
한편, 화소(PX)는 박막 트랜지스터(미도시)와 연결되는 유기발광소자(미도시)를 더 포함할 수 있다. 도 3에 도시된 실시예는 상부발광방식의 유기전계발광표시장치를 도시하고 있으므로, 제 1 스토리지 전극(310), 제 2 스토리지 전극(320) 및 구동 소자(330)의 상부에 위치할 수 있으며, 발광부(EA)의 대부분의 영역을 차지할 수 있다. 즉, 발광 면적이 발광부(EA)와 동일하거나 다소 작을 수 있다.
유기발광소자(미도시)는 박막 트랜지스터(미도시)에 연결되는 화소 전극(미도시), 화소 전극(미도시) 상에 위치하는 유기 발광층(미도시), 유기 발광층(미도시) 상에 위치하고, 저전위 전압(Vss)을 공급받는 공통 전극(미도시)을 포함할 수 있다.
상부발광방식의 유기전계발광표시장치에서, 공통 전극(미도시)이 저전위 전압(Vss)에 연결되는 캐소드 전극일 경우, 공통 전극(미도시)은 일함수(work function)가 낮은 금속으로 형성되어야 하기 때문에 빛을 출사시키기 위해 반투명 박막의 형태로 형성될 수밖에 없다. 이 경우, 공통 전극(미도시)은 저전위 전압(Vss) 일단에서만 공급받기 때문에, 특히 대형 유기전계발광표시장치일 경우, 공통 전극(미도시)의 중앙부에서 저항의 급격한 증가로 인한 전압 강하 현상이 발생할 수 있으며, 이를 방지하고자 발광부(EA)에 공통 전극(미도시)과 연결되는 보조 전극(미도시)을 더 포함할 수 있다.
보조 전극(미도시)는 공통 전극(미도시)과 마찬가지로 저전위 전압(Vss)을 공급받아 이를 공통 전극(미도시)에 전달하여 전압 강하 현상을 방지할 수 있다. 이와 동시에 보조 전극(미도시)도 구동 상 문제가 되지 않는 범위 내에서, 전원 라인(VL), 제 1 스토리지 전극(310) 및 제 2 스토리지 전극(320) 중 어느 하나와 중첩되어 여분의 정전용량을 생성하도록 설계될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 한 화소를 도시한 평면도이다. 본 실시예는 도 3에 도시된 실시예와 다르게 데이터 라인(DL)과 전원 라인(VL)의 간격이 훨씬 좁게 설계되어 있다. 본 발명에서는 발광부(EA)가 화소(PX)의 상하부 방향으로 긴 형태로 도시되어 있으므로, 도 5에서는 데이터 라인(DL)과 전원 라인(VL)의 간격은 화소(PX)의 단변 길이보다 더 작게 도시되어 있다.
전원 라인(VL)은 데이터 라인(DL)과 동일한 방향으로 배치되어 있다. 종래의 유기전계발광표시장치의 경우에도 화소(PX)를 정의하는 데이터 라인(DL)과 인접하여 동일한 방향으로 전원 라인(VL)을 배치하거나, 데이터 라인(DL)과 전원 라인(VL)이 교번적으로 배열되어 하나의 데이터 라인(DL)이 인접한 두 화소(PX)에 데이터 전압을 공급하고 마찬가지로 하나의 전원 라인(VL)이 인접한 두 화소(PX)에 전원 전압을 공급할 수 있다.
그러나, 본 발명에서는 투명 유기전계발광표시장치에서 한 화소(PX)의 발광부(EA)가 투명부(TA)에 둘러싸여 있기 때문에, 데이터 라인(DL)과 전원 라인(VL)이 발광부(EA)의 두 장변 방향을 따라 배열될 수 있다. 또한, 도 5의 실시예에서는 특히, 투명부(TA)에서 전원 라인(VL)이 데이터 라인(DL)과 최대한 인접 배치됨으로써, 전원 라인(VL)이 투명부(TA)의 중앙부에 배치되는 것보다 투과율이 향상될 수 있다. 이는, 투과도가 떨어지는 전원 라인(VL)이나 데이터 라인(DL)을 한 곳에 모아 배치함으로써, 투과율 향상을 유도할 수 있는 것이다.
여기서, 데이터 라인(DL)과 전원 라인(VL)은 서로 신호 간섭이 발생하는 것을 방지하거나, 쇼트(short) 발생을 방지할 수 있는 거리만큼 이격되어 배치되어야 한다. 전원 라인(VL)은 투명부(TA)에서 데이터 라인(DL)과 인접하여 배치될 수 있으며, 발광부(EA)에서는 회로부(미도시)의 설계에 따라 배치 형태가 다양해질 수 있다.
즉, 투과도가 떨어지는 전원 라인(VL)이나 데이터 라인(DL)을 한 곳에 모아 배치함으로써, 투과율을 향상시키거나 있으며, 유기발광소자(미도시)와 박막 트랜지스터(미도시)를 연결하는 컨택홀을 가장자리에 형성할 수 있어, 발광부(EA)의 면적도 다소 증가될 수 있는 장점이 있다.
상기와 같이, 전원 라인(VL)을 이용하여 정전용량을 생성하여, 종래보다 더 작은 면적으로 정전용량을 생성함으로써, 발광부(EA)의 면적을 증가시킬 수 있으며 특히, 투명 유기전계발광표시장치의 경우, 발광부(EA) 또는 투명부(TA)의 면적을 증가시킬 수 있다. 또한, 종래보다 더 작은 면적으로 정전용량을 생성함으로써, 화소(PX)의 면적을 줄여 고해상도 디스플레이를 구현할 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
310: 제 1 스토리지 전극 320: 제 2 스토리지 전극
330: 구동 소자 PX: 화소
TA: 투명부 EA: 발광부
VL: 전원 라인 DL: 데이터 라인
GL: 게이트 라인

Claims (12)

  1. 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 정의되며, 투명부 및 발광부를 포함하는 복수의 화소;
    상기 발광부에 위치하고, 엑티브층, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
    상기 투명부 및 상기 발광부와 중첩하며, 상기 발광부에 연결되어 전원 전압을 공급하는 전원 라인;
    상기 발광부에 위치하고 상기 전원 라인과 중첩하는 제 1 스토리지 전극 및 제 2 스토리지 전극;을 포함하고,
    상기 제 1 스토리지 전극은 상기 전원 라인 및 상기 제 2 스토리지 전극과 정전용량을 생성하고,
    상기 제 1 스토리지 전극과 중첩하는 상기 전원 라인의 폭은 상기 투명부와 중첩하는 상기 전원 라인의 폭과 동일하고,
    상기 투명부는 상기 발광부를 둘러싸고,
    상기 데이터 라인은 상기 전원 라인과 동일한 방향으로 배치되고,
    상기 데이터 라인과 상기 전원 라인의 이격된 간격은 상기 발광부의 단변의 길이보다 작고,
    상기 박막 트랜지스터는 상기 전원 라인과 인접 화소의 상기 데이터 라인 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 스토리지 전극은 상기 데이터 라인으로부터 데이터 전압을 공급받고,
    상기 전원 라인과 상기 제 1 스토리지 전극은 상기 전원 전압과 상기 데이터 전압의 전압차에 의해 정전용량을 생성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 스토리지 전극은 상기 전원 라인으로부터 전원 전압을 공급받고,
    상기 제 2 스토리지 전극과 상기 제 1 스토리지 전극은 상기 전원 전압과 상기 데이터 전압의 전압차에 의해 정전용량을 생성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 스토리지 전극 및 상기 제 2 스토리지 전극은 각각 상기 엑티브층, 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 적어도 하나와 동일한 층상에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 전원 전압은 고전위 전압(Vdd)인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터에 연결되는 유기발광소자를 더 포함하고,
    상기 유기발광소자는,
    상기 박막 트랜지스터에 연결되는 화소 전극;
    상기 화소 전극 상에 위치하는 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 상에 위치하는 공통 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 공통 전극은 저전위 전압(Vss)를 공급 받는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 발광부에 위치하고 상기 공통 전극에 연결되는 보조 전극을 더 포함하고,
    상기 보조 전극은 저전위 전압(Vss)을 공급받는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 보조 전극은 상기 전원 라인, 상기 제 1 스토리지 전극 및 상기 제 2 스토리지 전극 중 적어도 하나와 정전 용량을 생성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.

  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 스토리지 전극의 양변은 상기 전원 라인의 양측부 외부로 노출되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
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