JP3705242B2 - 有機el素子の作製システム - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 claims description 14
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 10
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 22
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CNEKKZXYBHKSDC-UHFFFAOYSA-N ethyl acetate;propane-1,2-diol Chemical compound CC(O)CO.CCOC(C)=O CNEKKZXYBHKSDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 oxonium compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCGDWIWUQDHQLK-UHFFFAOYSA-N 2-morpholin-4-yl-5-nitrobenzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1N1CCOCC1 PCGDWIWUQDHQLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNGYZEMWVAWWOB-VAWYXSNFSA-N 5-[[4-anilino-6-[bis(2-hydroxyethyl)amino]-1,3,5-triazin-2-yl]amino]-2-[(e)-2-[4-[[4-anilino-6-[bis(2-hydroxyethyl)amino]-1,3,5-triazin-2-yl]amino]-2-sulfophenyl]ethenyl]benzenesulfonic acid Chemical compound N=1C(NC=2C=C(C(\C=C\C=3C(=CC(NC=4N=C(N=C(NC=5C=CC=CC=5)N=4)N(CCO)CCO)=CC=3)S(O)(=O)=O)=CC=2)S(O)(=O)=O)=NC(N(CCO)CCO)=NC=1NC1=CC=CC=C1 CNGYZEMWVAWWOB-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N chembl402140 Chemical compound Cl.C1=2C=C(C)C(NCC)=CC=2OC2=C\C(=N/CC)C(C)=CC2=C1C1=CC=CC=C1C(=O)OCC VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は有機EL素子の作製方法およびシステムに関するものであり、特にパッシブマトリクス駆動有機EL素子の陰極分離方法およびシステムに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下有機EL素子)は、各種フラットパネルディスプレイへの応用が盛んに検討されてきている。有機EL素子は、基板上に少なくとも陽極、有機EL発光層および陰極を積層した構造を有する。有機EL素子をパッシブマトリクス駆動する場合、陽極および陰極は互いに直交する方向に延びるラインパターンに形成されることが一般的である。
【0003】
ラインパターンを有する陰極を形成する際には、半導体の分野において通常用いられているウェットプロセスを用いることができない。なぜなら、エッチャントが有機EL発光層を侵してその機能を低下させるからである。そこで従来は、図1に示すように、最初に基板51上にラインパターンを有する下部陽極52を形成し、下部陽極52上に逆テーパー形状の絶縁隔壁55を形成し、その後に有機EL発光層53および陰極54を積層してラインパターン(下部陽極52と直交する方向に延びる)を有する陰極を形成する方法が用いられている。
【0004】
ラインパターンを有する陰極の別の作製方法は、作製するラインパターンに対応する開口部を有するメタルマスクを用いて、スパッタないし蒸着法により電極材料を積層して陰極を形成することである。
【0005】
また、特開2000−68054号公報においては、樹脂製ワイヤをマスクとして用いる電極の形成法が提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、絶縁隔壁を用いる方法においては、有機EL発光層および陰極の製膜前に絶縁隔壁をあらかじめ形成しておく必要があり、メタルマスクを用いる方法に比較して工程が増えてしまう。一方、メタルマスクを用いる方法において高精細に分離した陰極を作製する場合には、メタルマスクを薄くする必要があり、蒸着時の輻射熱による撓みでラインパターンのボケが発生したり、メタルマスク自身の強度が低下するという問題点を有する。さらに、樹脂製ワイヤを用いる方法において高精細に分離した陰極を作製する場合には、樹脂製ワイヤを細くする必要があり、蒸着時の輻射熱による撓みでラインパターンのボケが発生したり、樹脂ワイヤ自身の強度が低下するという問題点を有する。
【0007】
したがって、より少ない工程数で、高精細に分離した陰極を作製することができる方法が強く求められている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、耐熱性金属のワイヤをマスクとして用いることにより、高精細に分離した陰極を、より少ない工程数かつ高品質で作製できるシステムを開発した。
【0009】
本発明の実施形態である、基板上に陽極、有機EL発光層および陰極を積層することにより有機EL素子を作製するシステムは、陽極および有機EL発光層を形成された基板を保持する基板ホルダと、陰極材料の供給源と、マスクとして複数本の耐熱性金属のワイヤを前記基板ホルダと前記供給源との間に送り出すためのマスク送出手段と、該マスクを巻き取るためのマスク巻取ロールとを具えたことを特徴とする。
【0010】
前記耐熱性金属は、タングステン、タンタルおよびモリブデンからなる群から選択してもよい。また、前記供給源は、蒸着源またはスパッタターゲットであることができる。さらに、2本の前記耐熱性金属ワイヤを接触させたものを前記マスクとして用いてもよい。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の作製システムにおいて用いられる有機EL素子の作製方法は、基板上にラインパターンを有する陽極を形成する工程と、陽極を形成した前記基板上に有機EL発光層を形成する工程と、マスクとして複数本の耐熱性金属のワイヤを用いて、有機EL発光層上に前記陽極のラインパターンと直交する方向に延びるラインパターンを有する陰極を形成する工程とを具えたことを特徴とする。以下、図2を参照して本方法を説明する。
【0013】
基板1上に設けられる下部陽極2は、適切な間隔を有するラインパターン状に形成され、ホール注入性を向上させるために仕事関数の大きい材料が用いられる。そのような材料として、ITOまたはIZOのような透明導電性酸化物を用いることができる。また、有機EL発光層からの発光を透明陰極側から取り出すために、下部陽極が有機EL発光層からの光を反射することが好ましい。下部陽極に対する反射性の付与は、例えば透明導電性酸化物の下に反射性金属層(例えばAlなど)を設けることにより実現することができる。
【0014】
下部陽極2が形成されている基板の方向に光を取り出すボトムエミッション方式では下部の陽極が透明であることが必須である。この場合には、透明導電性酸化物のみを用いて下部陽極を形成することが好ましい。
【0015】
前記下部陽極2の上に、有機EL発光層3が設けられる。有機EL発光層3は、有機発光材料を含む有機発光層を少なくとも具備し、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層または電子注入層を設けることができる。以下に、例示的な有機EL発光層の構成を示す(明瞭性のため、両電極を含めて示す)。
(1)陽極/有機発光層/陰極
(2)陽極/正孔注入層/有機発光層/陰極
(3)陽極/有機発光層/電子注入層/陰極
(4)陽極/正孔注入層/有機発光層/電子注入層/陰極
(5)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子注入層/陰極
【0016】
有機EL発光層3を構成する各層の材料としては、公知のものが使用される。例えば、有機発光層として青色から青緑色の発光を得るためには、例えばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などが好ましく使用される。
【0017】
上記の有機EL発光層3の上に、下部陽極2のラインパターンと直交する方向に延びるラインパターンを有する上部陰極4を形成する。図2(a)は有機EL発光層3の上に複数本のワイヤ5を配置した状態を示し、図2(b)は上部陰極4を形成した状態を示す。トップエミッション方式の素子を形成する場合には、有機EL発光層3からの発光に対して陰極が透明である必要がある。透明な陰極としては、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、カリウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、またはこれらのフッ化物等からなる電子注入性の金属、その他の金属との合金や化合物の極薄膜(10nm以下)を用いて電子注入性を付与し、その上に、ITOまたはIZOなどの透明導電膜を形成する構成とすることが好ましい。
【0018】
ボトムエミッション方式における上部陰極4は、有機EL発光層3からの発光を反射させるために反射性を有することが求められる。上部陰極は、前述の電子注入性の金属、合金または化合物のような材料で形成することができる。あるいはまた、それら材料の上に反射性金属層を設けて反射性を向上させてもよい。
【0019】
本発明においては、複数本の耐熱性金属のワイヤ5をマスクとする蒸着法またはスパッタ法により陰極を形成する。本発明におけるマスクとして利用できる耐熱性金属は、タングステン、タンタルまたはモリブデンを含む。また、必要に応じてこれらの合金を用いてもよい。所定の陰極間隔を実現できる太さを有する耐熱性金属ワイヤ5をマスクとして使用できるが、好ましくは15μm〜60μm、より好ましくは30μmの太さのワイヤを用いることができる。該ワイヤは、円形、楕円形、矩形、台形など任意の断面形状を有することが可能である。好ましくは円形断面を有するワイヤが用いられる。
【0020】
本発明において用いられる耐熱性金属は、高張力(5〜20N)を印加することが可能であるため、複数本のワイヤを配列する場合に正確に所定の間隔を保つことが可能である。また、ポリマー樹脂や他の金属類と比較して熱膨張率が1桁小さいので、陰極の形成(蒸着ないしスパッタ法による)中に輻射熱が印加された場合であっても、歪みが発生することがなく、所定の間隔を維持することができる。
【0021】
さらに、ワイヤ5をマスクとして用いる場合、該ワイヤ上にも陰極材料が堆積するので、所定の回数を使用した後にワイヤをクリーニングする必要がある。本発明の耐熱性合金を用いる場合には、減圧下で加熱することによって陰極材料を除去することが可能である。化学薬品を用いる必要がないので、工程の簡略化および廃棄物の削減が可能となる。
【0022】
マスクとなる複数本の耐熱性合金のワイヤは、互いに所定の間隔をあけて直線状に配列されるように、張力を付与される。張力を付与する手段としては任意のものを利用することができるが、例えば型枠に複数本のワイヤを固定してもよいし、複数本のワイヤをローラに取り付け、そのローラのトルクによって張力を付与してもよい。
【0023】
本発明の方法において、陰極をスパッタ法で形成する場合、陰極材料の組成制御を容易に行うことが可能となる。しかしながら、スパッタ粒子はさまざまな方向の運動量を有するために、円形断面のワイヤをマスクとして用いる場合、ワイヤの円形断面を回り込んで陰極が形成されて、隣接する陰極ラインパターン間の所定の間隔が維持されない恐れがある。その場合には、図3に示すように、複数組の接触した2本のワイヤをマスクとして用いることが有効である。図3(a)のように有機EL発光層上に複数組のワイヤを配置し、スパッタ法により陰極材料を堆積させることにより、少なくともワイヤの太さrの間隔をあけてラインパターンの陰極を形成することが可能となる(図3(b)参照)。接触した2本のワイヤをマスクとして用いる場合にも所定の陰極間隔を実現できる太さを有する耐熱性金属ワイヤ5をマスクとして使用できるが、好ましくは15μm〜50μm、より好ましくは30μmの太さのワイヤを用いることができる。
【0024】
本発明の実施形態は、基板上に陽極、有機EL発光層および陰極を積層することにより有機EL素子を作製するシステムであって、陽極および有機EL発光層を形成された基板を保持する基板ホルダと、陰極材料の供給源と、マスクとして複数本の耐熱性金属のワイヤを前記基板ホルダと前記供給源との間に送り出すためのマスク送出手段と、該マスクを巻き取るためのマスク巻取ロールとを具えた有機EL素子の作製システムである。
【0025】
本発明の有機EL素子の作製システムの一例を図4に示す。図4(a)は正面図であり、図4(b)は供給源18の側から見た上面図である。該システムは、基板11を保持する基板ホルダ12(基板保持手段)と、陰極材料を供給する供給源18と、前記基板保持手段と前記供給源との間に複数の耐熱性金属のワイヤ13から形成されるマスクを送り出すワイヤ送出ロール14(マスク送出手段)と、該ワイヤを巻き取るワイヤ巻取ロール15(マスク巻取手段)とを有する。さらに、図4の構成においては、複数本の耐熱性金属のワイヤ13を所定の間隔に維持するためのガイド機構16および17を有する。
【0026】
トップエミッション方式の有機EL素子を作製する場合、基板11は、下部陽極2および有機EL発光層3をあらかじめ形成された基板1である。また、ボトムエミッション形式の有機EL素子を作製する場合には、基板11は、少なくとも蛍光色変換のための色変換フィルター層、下部陽極および有機EL発光層を積層した基板である。
【0027】
基板ホルダ12は、基板11を保持し、陰極材料の供給源18に対して適切な位置に配置される。基板11の保持は、機械的クランプにより行われる。基板ホルダ12は、基板11と複数本の耐熱性金属ワイヤ13からなるマスクとを密着させるために、アクチュエータ19を含む上下移動機構を有してもよい。さらに、基板ホルダ12は基板周辺部への不要な陰極材料の堆積を防ぐための周辺部マスク(不図示)を有してもよい。
【0028】
マスク送出手段は、複数本の耐熱性金属ワイヤ13を、送出方向と交差する方向に所定の間隔をはなして平行に整列させて送り出すことができ、かつ該ワイヤに適切な張力を与えることができる、当該技術において知られている任意の手段であってもよい。好ましくは複数本のワイヤを巻き付けたワイヤ送出ロール14である。回転機構(モータ、ステップモータなど)に該ロールを取り付け、ワイヤを所定量送り出し、かつワイヤに張力を与えるための駆動ロールとしてもよい。あるいはまた、ワイヤ巻取ロール15が回転機構が取り付けられて駆動ロールとして機能する場合には、ワイヤ送出ロール14は、ワイヤに張力を与えるために摩擦力などを用いる回転抑制手段を取り付けた従動ロールであってもよい。また、ワイヤ送出ロール14は、その表面に複数本の耐熱性金属ワイヤ13のそれぞれを収容する溝を設けたプーリー状のものであってもよい。
【0029】
マスク巻取手段は、所定の間隔をはなして整列させて送り出された複数本の耐熱性金属ワイヤ13を巻き取ることができ、かつ該ワイヤに適切な張力を与えることができる、当該技術において知られている任意の手段であってもよい。好ましくは複数本のワイヤを巻き付けられるワイヤ巻取ロール15である。回転機構(モータ、ステップモータなど)に該ロールを取り付け、ワイヤを所定量巻き取り、かつワイヤに張力を与えるための駆動ロールとしてもよい。あるいはまた、ワイヤ送出ロール14が回転機構が取り付けられて駆動ロールとして機能する場合には、ワイヤ巻取ロール15は、低トルクの巻取用モータおよびワイヤに張力を与えるために摩擦力などを用いる回転抑制手段を取り付けた従動ロールであってもよい。また、ワイヤ巻取ロール15は、その表面に複数本の耐熱性金属ワイヤ13のそれぞれを収容する溝を設けたプーリー状のものであってもよい。
【0030】
ワイヤ送出ロール14およびワイヤ巻取ロール15は、位置を固定されたロールであってもよいし、またはワイヤ13からなるマスクを基板に密着させるために上下移動可能に設置されていてもよい。
【0031】
複数本の耐熱性金属ワイヤ13を所定の間隔を離して整列させるために、マスク送出手段とは別にガイド16および17を用いてもよい。例えば、ガイド16および17は、複数本のワイヤ13を、所定の間隔で設けられた凹部を通すような当該技術において知られている構成を採ることが可能である。ガイド16および17は、所定位置に固定的に配設されていてもよい。あるいはまた、ワイヤ送出ロール14およびワイヤ巻取ロール15が上下移動可能に設置される場合には、それに対応して上下移動可能に設置されることが好ましい。さらに、ガイド16および17に対して、所定の間隔で設けられた凸部を有するワイヤ押さえ(不図示)を付与し、ワイヤ13を固定してもよい。この構成に加えて、ガイド16および17を左右方向に移動可能に設置して、ガイド16および17ならびにワイヤ押さえに挟持されたワイヤに張力を印加することもできる。
【0032】
上記のワイヤ送出ロール14、ワイヤ巻取ロール15、ならびにガイド16および17は、複数組の接触した2本のワイヤを所定の間隔を離して整列させ、かつ該ワイヤに張力を与えるための構成を採ることができる。
【0033】
陰極材料の供給源18は、当該技術において知られている、抵抗加熱、電子ビーム加熱、アーク放電またはレーザ加熱を用いる蒸着源、あるいはスパッタターゲットのようなスパッタ源であってもよい。スパッタ法を用いる場合、供給源18とワイヤ13からなるマスクとの間にコリメータ(不図示)を配置して、基板面に垂直入射する運動量成分のスパッタ粒子を多くするようにしてもよい。複数の材料が積層された陰極を形成する場合、供給源18は、複数の蒸発源またはスパッタ源から構成されてもよい。
【0034】
前述のように、ワイヤをマスクとして用いる場合、ワイヤ上にも陰極材料が堆積するので、所定の回数使用した後に交換およびクリーニングを行う必要がある。本発明の有機EL素子の作製システムでは、所定の回数の作製を行った後に、マスク送出手段から所定量のワイヤを送出し、対応する量をマスク巻取手段により巻き取る動作を行い、新たなワイヤをマスクとして用いることが可能となる。このことにより、マスクの交換およびクリーニングの必要回数を減少させ、システムのダウンタイムを減少させることにより、より高いスループットを得ることができる。さらに、本発明においては耐熱性金属ワイヤ13をマスクとして用いているので、別の真空槽中でワイヤを加熱することによりクリーニングをすることができる。したがって、クリーニングに化学薬品を用いる必要がなく、工程の簡略化および廃棄物の減少に有効である。
【0035】
本発明の方法により、多数の有機EL発光素子をマトリクス上に配列したELディスプレイを作製することができる。該ELディスプレイは、基板とは反対側に光を取り出すトップエミッション方式を採ってもよいし、あるいは基板の側に光を取り出すボトムエミッション方式を採ってもよい。
【0036】
トップエミッション方式の有機ELディスプレイの一例を図5に示す。基板21の上に、下部陽極22、有機発光層23および上部透明陰極24からなる有機EL素子が形成される。この際、下部電極22および有機発光層23を設けた基板21に対して、本発明の方法を用いて上部透明電極24を形成する。下部陽極22および上部透明電極24は、互いに直交するラインパターンに形成される。一方、透明基板32の上に、所望される色変換フィルター層を形成する。図5においては、青色、緑色および赤色の色変換フィルター層が形成されており、青色変換フィルター層は青色カラーフィルター層26Bから構成され、および緑色および赤色変換フィルター層は、それぞれカラーフィルター層26Gおよび26Rと色変換層27Gおよび27Rとの積層体で構成されている。また、各色変換フィルター層の間にはブラックマスク33が形成されている。次に、それら色変換フィルター層およびブラックマスク33上に保護層28を形成し、さらに上記の層を覆うようにパッシベーション層29が形成して、色変換フィルターが得られる。次に有機EL素子と色変換フィルターとを、それらの間に充填剤層30を形成しながら位置合わせをして貼り合わせ、最後に周辺部分を封止樹脂31を用いて封止して、有機ELディスプレイが得られる。
【0037】
ボトムエミッション方式の有機ELディスプレイの一例を図6に示す。透明基板32の上に、所望される色変換フィルター層を形成する。本実施態様においても、青色(26B)、緑色(26G,27G)および赤色(26R,27R)の色変換フィルター層が形成されており、その構成はトップエミッション方式の場合と同等である。また、各色変換フィルター層の間にはブラックマスク33が形成されている。次に、それら色変換フィルター層およびブラックマスク33上に保護層28を形成し、さらに上記の層を覆うようにパッシベーション層29が形成する。そして、その上に透明電極34、有機発光層23および上部電極35からなる有機EL素子を形成する。この際、有機発光層23以下までの層を設けた透明基板21に対して、本発明の方法を用いて上部透明電極35を形成する。透明電極34および上部電極35は、互いに直交するラインパターンに形成される。最後に、充填剤30、封止樹脂31および封止基板36を用いて全体を封止して有機ELディスプレイが得られる。
【0038】
【実施例】
(実施例1)
ガラス基板1の上に、幅300μm、間隔30μmのラインパターンを有し、厚さ300nmのAlおよび厚さ200nmのIZO(InZnO)からなる下部陽極2を形成した。Alは有機発光層からの発光を反射して効率よく光を放出することおよび電気抵抗を低減することに有効である。また、仕事関数の大きい材料であるIZOは、有機EL発光層に対してホールを効率よく注入することに有用である。
【0039】
前記下部陽極2を形成した基板1を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を真空を破らずに順次成膜して有機EL発光層3を形成した。成膜に際して真空槽内圧を1×10−4Paまで減圧した。正孔注入層は銅フタロシアニン(CuPc)を100nm積層した。正孔輸送層は4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)を20nm積層した。有機発光層は4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)を30nm積層した。電子注入層はアルミニウムトリス(8−キノリノラート)(Alq)を20nm積層した。
【0040】
次に、下部陽極2および有機EL発光層3を形成した基板11を、有機EL素子作製システムの基板ホルダ12に取り付けた、該システムは、真空槽内にアクチュエータ19に取り付けられた基板ホルダ12、複数本のタングステンワイヤ13(直径60μm)、該ワイヤを送出するワイヤ送出ロール14、ワイヤ巻取ロール15、ガイド16および17、ならびに蒸着源およびスパッタ源18を具えたものである。複数本のワイヤ13を、ガイド16および17により間隔300μmを有して、下部陽極2のラインパターンと直交する方向に平行に整列させた。また、該ワイヤに、ワイヤ送出ロール14およびワイヤ巻取ロール15により10Nの張力を印加した。
【0041】
次に、アクチュエータ19により基板ホルダ12を移動させて、基板11をワイヤ13からなるマスクに密着させ、真空槽内圧を1×10−4Paまで減圧した。蒸着源よりMg/Agを供給し、膜厚2nmのMg/Ag層を積層させた。そしてスパッタ源よりIZOを供給して、膜厚200nmのIZO層を形成し、幅300μm、間隔30μmのラインパターンを有する透明陰極4を形成した。その後に、アクチュエータ19により基板ホルダ12をワイヤ13から離して取り付け位置に移動させ、透明陰極4を形成した基板11を取り出した。
【0042】
なお、複数本のワイヤ13からなるマスクは、透明陰極の形成を20回おこなうごとに、送出および巻取を行った。
【0043】
一方、透明(ガラス)基板上に青色フィルター材料(富士ハントエレクトロニクステクノロジー製:カラーモザイクCB−7001)をスピンコート法にて塗布後、フォトリソグラフ法によりパターニングを実施し,膜厚10μmのラインパターンとした。
【0044】
同様のカラーフィルター材料系で赤、緑のカラーフィルター層6Gおよび6Rを上記透明基板上にスピンコート法にて塗布後,フォトリソグラフ法によりパターニングを実施し、膜厚1.5μmのラインパターンとした。
【0045】
緑色蛍光色素としてクマリン6(0.7重量部)を溶剤のプロピレングリコールモノエチルアセテート(PGMEA)120重量部へ溶解させた。光重合性樹脂の「V259PA/P5」(商品名、新日鐵化成工業株式会社)100重量部を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布溶液を、透明基板上の緑色カラーフィルター層上にスピンコート法を用いて塗布し、フォトリソグラフ法により、パターニングを実施し、膜厚10μmのラインパターンとした。
【0046】
赤色蛍光色素としてクマリン6(0.6重量部)、ローダミン6G(0.3重量部)、ベーシックバイオレット11(0.3重量部)を溶剤のプロピレングリコールモノエチルアセテート(PGMEA)120重量部へ溶解させた。光重合性樹脂の「V259PA/P5」(商品名、新日鐵化成工業株式会社)100重量部を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布溶液を、基板の赤色カラーフィルター層上に、スピンコート法を用いて塗布し、フォトリソグラフ法により、パターニングを実施し、膜厚10μmのラインパターンとした。
【0047】
各色の色変換フィルター層の間に、ブラックマスク(厚さ1.5μm)を形成した。熱伝導率の高いブラックマスクとして、色変換フィルター層壁面に、まず格子状のパターン形成が可能なマスクを用いたスパッタ法にて膜厚500nmの酸化クロム層を形成した。次いで、同様のマスクを用い、スパッタ法にて、SiN膜を、R,G,Bの各サブピクセルの周辺に、同膜厚になるように形成した。画素のピッチは0.3×0.3mmで、各色のサブピクセルの形状は、0.1×0.3mmである。
【0048】
色変換フィルター層の上面に、ZPN1100(日本ZEON製)を、色変換フィルター層表面からの厚さが3μmになるようにスピンコート法にて塗布し、保護層を形成した。そして、パッシベーション層9として、スパッタ法にてSiONx膜を300nm堆積させ、色変換フィルター基板を得た。
【0049】
こうして得られた下部陽極、有機EL発光層および上部透明陰極を形成した基板と色変換フィルター基板とをUV硬化型の封止樹脂11で貼り合わせて、有機ELディスプレイを得た。このとき、両基板の間の空間にはシリコーンゲル等の材料を充填剤層10として充填した。
【0050】
(実施例2)
複数本のワイヤ13(太さ60μm)に代えて、2本のタングステンワイヤ(太さ30μm)を接触させた複数の組を用いたことを除いて、実施例1を繰り返した。形成された上部陰極4は、幅300μm、間隔30μmのラインパターンを有した。
【0051】
(実施例3)
実施例1においてマスクとして用いたタングステンワイヤ13をシステムから取り外した。該ワイヤを別の真空槽中に配置し、真空槽を10−4Paに減圧し、そして1100℃に加熱することにより、該ワイヤ上に積層した陰極材料のクリーニングを行った。クリーニングを実施したタングステンワイヤを、再び本発明のシステムに取り付けてマスクとして用いることができた。
【0052】
【発明の効果】
本発明のように耐熱性金属ワイヤをマスクとして用いる場合、ワイヤに高張力を印加することが可能であるため、複数本のワイヤを配列する場合に正確に所定の間隔を保つことが可能である。また、ポリマー樹脂や他の金属類と比較して輻射熱が印加されても、歪みが発生することがなく、所定の形状の分離された電極を形成することが可能である。さらに、該ワイヤ上に堆積した陰極材料を減圧下で加熱することによって除去することができるので、化学薬品によるクリーニングの必要の排除が、工程の簡略化および廃棄物の削減が可能となる。
【0053】
さらに、本発明の有機EL素子の作製システムにおいては、所定の回数の作製を行った後に、マスク送出手段から所定量のワイヤを送出し、対応する量をマスク巻取手段により巻き取る動作を行い、新たなワイヤをマスクとして用いることが可能となる。このことにより、マスクの交換およびクリーニングの必要回数を減少させ、システムのダウンタイムを減少させることにより、より高いスループットを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の絶縁隔壁を用いる有機EL素子の作製方法を示す概略図である。
【図2】複数本の耐熱性金属ワイヤをマスクとして用いる有機EL素子の作製方法を示す概略図である。(a)は有機EL発光層の上に複数本の耐熱性金属ワイヤを配置した状態を示す図であり、(b)は上部陰極を形成した状態を示す図である。
【図3】複数組の接触した2本の耐熱性金属ワイヤをマスクとして用いる有機EL素子の作製システムを示す概略図である。(a)は有機EL発光層の上に複数組の接触した2本の耐熱性金属ワイヤを配置した状態を示す図であり、(b)は上部陰極を形成した状態を示す図である。
【図4】耐熱性金属ワイヤをマスクとして用いる有機EL素子の作製システムを示す概略図であり、(a)は正面図であり、(b)は上面図である。
【図5】本発明の方法により作成されるトップエミッション方式の有機ELディスプレイを示す概略図である。
【図6】本発明の方法により作成されるボトムエミッション方式の有機ELディスプレイを示す概略図である。
【符号の説明】
1、21,51 基板
2、22、52 下部陽極
3、13、53 有機EL発光層
4、14、54 上部陰極
5 ワイヤ
11 基板
12 基板ホルダ
13 ワイヤ
14 ワイヤ送出ロール
15 ワイヤ巻取ロール
16、17 ガイド
18 供給源
19 アクチュエータ
26R、26G、26B カラーフィルター層(赤色、緑色、青色)
27R、27G 色変換層(赤色、緑色)
28 保護層
29 パッシベーション層
30 充填剤層
31 封止樹脂
32 透明基板
33 ブラックマスク
34 透明電極
35 上部電極
36 封止基板
Claims (4)
- 基板上に陽極、有機EL発光層および陰極を積層することにより有機EL素子を作製するシステムにおいて、
陽極および有機EL発光層を形成された基板を保持する基板ホルダと、
陰極材料の供給源と、
マスクとして複数本の耐熱性金属のワイヤを前記基板ホルダと前記供給源との間に送り出すためのマスク送出手段と、
該マスクを巻き取るためのマスク巻取ロールと
を具えたことを特徴とする有機EL素子の作製システム。 - 前記耐熱性金属は、タングステン、タンタルおよびモリブデンからなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の作製システム。
- 前記供給源は、蒸着源またはスパッタターゲットであることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の作製システム。
- 前記マスク送出手段は、複数組の2本の前記耐熱性金属ワイヤを接触させたものを送出することを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の作製システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002161963A JP3705242B2 (ja) | 2002-06-03 | 2002-06-03 | 有機el素子の作製システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002161963A JP3705242B2 (ja) | 2002-06-03 | 2002-06-03 | 有機el素子の作製システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004014146A JP2004014146A (ja) | 2004-01-15 |
JP3705242B2 true JP3705242B2 (ja) | 2005-10-12 |
Family
ID=30430873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002161963A Expired - Fee Related JP3705242B2 (ja) | 2002-06-03 | 2002-06-03 | 有機el素子の作製システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3705242B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011021622A1 (ja) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | パターン薄膜形成方法 |
KR101407209B1 (ko) | 2010-10-07 | 2014-06-16 | 포항공과대학교 산학협력단 | 미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 미세 채널 트랜지스터 및 미세 채널 발광트랜지스터의 형성방법 |
US8628620B2 (en) | 2011-01-07 | 2014-01-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition device and vapor deposition method |
JP6010621B2 (ja) | 2011-08-09 | 2016-10-19 | カティーバ, インコーポレイテッド | 下向き印刷装置および方法 |
US9120344B2 (en) | 2011-08-09 | 2015-09-01 | Kateeva, Inc. | Apparatus and method for control of print gap |
-
2002
- 2002-06-03 JP JP2002161963A patent/JP3705242B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004014146A (ja) | 2004-01-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050407 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080805 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110805 Year of fee payment: 6 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110805 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110805 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120805 Year of fee payment: 7 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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