JP2008166258A - 有機電界発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、基板と;前記基板上に位置する第1電極と;前記第1電極上に位置し且つ開口部及び非開口部を有する画素定義膜と;前記画素定義膜の非開口部に位置する多数のボール状スペーサと;前記第1電極の上部に位置し且つ発光層を含む有機膜層と;前記有機膜層の上部に位置する第2電極と;を備える有機電界発光表示装置を提供する。また、本発明は、基板を用意し;前記基板の上部に第1電極を形成し;前記第1電極の上部に画素定義膜を形成し;前記画素定義膜の上部にボール状スペーサを塗布し;第1電極の一部を露出させ発光領域を定義する開口部を形成し;前記第1電極の上部に位置し且つ発光層を含む有機膜層を形成し;前記有機膜層の上部に第2電極を形成する;ことを含む有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
【選択図】図4e
Description
図1を参照すれば、マスク1を用いて有機電界発光表示装置の薄膜、すなわち発光層を含む有機膜層を蒸着するためには、真空チャンバー2に設置された薄膜蒸着容器(crucible)3と対応する側にマスクに結合されたフレーム4を設置し、フレーム4の上部に薄膜などが形成される対象物5を装着する。そして、対象物5の上部には、フレーム4に支持されたマスク1を薄膜などが形成される対象物5に密着させるためのマグネットユニット6を駆動させて、前記マスク1を前記薄膜などが形成される対象物5に密着する。この状態で、前記薄膜蒸着容器3を作動することによって、薄膜蒸着容器3に装着された物質が前記対象物5に蒸着される。
図3に示されたように、1つの単位画素には、スイッチングトランジスタTr1、駆動トランジスタTr2、キャパシタ40、及び有機発光ダイオード50が形成され、信号によって光が放出される。また、ゲートライン10とデータライン20及び電源供給ライン30が各素子に連結される。
210 バッファ層
220a ソース領域
220b ドレイン領域
221 チャネル領域
230 ゲート絶縁膜
231 ゲート電極
240 層間絶縁膜
150a ソース電極
150b ドレイン電極
260 無機膜
270 有機膜
280 第1電極
281 画素定義膜
290 スペーサディスペンサ
290a ボール状スペーサ
291 有機膜層
292 第2電極
Claims (23)
- 基板と、
前記基板上に位置する第1電極と、
前記第1電極上に位置し、且つ開口部及び非開口部を有する画素定義膜と、
前記画素定義膜の非開口部に位置する多数のボール状スペーサと、
前記第1電極の上部に位置し、且つ発光層を含む有機膜層と、
前記有機膜層の上部に位置する第2電極と、を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記画素定義膜は、ポリアクリル系樹脂(polyacrylates resin)、エポキシ樹脂(epoxy resin)、フェノール樹脂(phenolic resin)、ポリアミド系樹脂(polyamides resin)、ポリイミド系樹脂(polyimides resin)、不飽和ポリエステル系樹脂(unsaturated polyesters resin)、ポリフェニレン系樹脂(poly(phenylenethers) resin)、ポリフェニレンスルファイド系樹脂(poly(phenylenesulfides) resin)及びベンゾシクロブテン(benzocyclobutene;BCB)よりなる群から選択された1つの物質で形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1電極は、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、TO(Tin Oxide)及びZnO(Zinc Oxide)よりなる群から選択される1つの物質からなり、前記第2電極は、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg及びこれらの合金よりなる群から選択されるいずれか1つの物質からなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1電極は、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及びこれらの化合物よりなる群から選択されるいずれか1つの物質で反射膜を形成した後、前記反射膜の上部に、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、TO(Tin Oxide)及びZnO(Zinc Oxide)よりなる群から選択される1つの物質からなる透明電極を形成した積層構造となっており、前記第2電極は、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg及びMg合金よりなる群から選択される1つの物質からなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第2電極は、5乃至30nmの厚さであることを特徴とする請求項4に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記基板上にソース/ドレイン領域を有する半導体層と、前記半導体層に電気的に連結されるソース/ドレイン電極を有する薄膜トランジスタとをさらに備え、
前記ソース/ドレイン電極のいずれか1つは、前記第1電極に連結されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。 - 基板と、
前記基板上にソース/ドレイン領域を有する半導体層、及び前記半導体層に電気的に連結されるソース/ドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、
前記ソース/ドレイン電極のいずれか1つに連結され、且つ下部電極層、反射電極層及び上部電極層の積層構造からなる第1電極と、
前記第1電極上に位置し、且つ開口部及び非開口部を有する画素定義膜と、
前記画素定義膜の非開口部に位置する多数のボール状スペーサと、
前記第1電極の上部に位置し、且つ発光層を含む有機膜層と、
前記有機膜層の上部に位置する第2電極と、を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記画素定義膜は、ポリアクリル系樹脂(polyacrylates resin)、エポキシ樹脂(epoxy resin)、フェノール樹脂(phenolic resin)、ポリアミド系樹脂(polyamides resin)、ポリイミド系樹脂(polyimides resin)、不飽和ポリエステル系樹脂(unsaturated polyesters resin)、ポリフェニレン系樹脂(poly(phenylenethers) resin)、ポリフェニレンスルファイド系樹脂(poly(phenylenesulfides) resin)及びベンゾシクロブテン(benzocyclobutene、BCB)よりなる群から選択された1つの物質で形成されることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記下部電極層は、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、TO(Tin Oxide)及びZnO(Zinc Oxide)よりなる群から選択される1つの物質からなることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記反射電極層は、Al、Al合金、Ag及びAg合金よりなる群から選択される1つの物質からなることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記上部電極層は、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、TO(Tin Oxide)及びZnO(Zinc Oxide)よりなる群から選択される1つの物質からなることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記下部電極層は、50〜100Åの厚さを有することを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記反射電極層は、900〜2000Åの厚さを有することを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記上部電極層は、50〜100Åの厚さを有することを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置。
- 基板を用意し、
前記基板の上部に第1電極を形成し、
前記第1電極の上部に画素定義膜を形成し、
前記画素定義膜の上部に多数のボール状スペーサを塗布し、
前記画素定義膜上に第1電極の一部を露出させ且つ発光領域を定義する開口部を形成し、
前記第1電極の上部に位置し且つ発光層を含む有機膜層を形成し、
前記有機膜層の上部に第2電極を形成することを備えることを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記画素定義膜を形成した後に、画素定義膜上に開口部を形成するために画素定義膜を露光する工程をさらに備えることを特徴とする請求項15に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記画素定義膜を露光する工程は、シャドウマスクを用いることを特徴とする請求項16に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記シャドウマスクは、前記画素定義膜が陽性(positive)材料物質である場合には、開口部として予定される部分が透過領域であり、開口部以外の領域が遮断領域であることを特徴とする請求項17に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記シャドウマスクは、前記画素定義膜が陰性(negative)材料物質である場合には、開口部として予定される部分が遮断領域であり、開口部以外の領域が透過領域であることを特徴とする請求項17に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記ボール状スペーサを塗布した後に、ボール状スペーサを含む基板をベークする工程をさらに備えることを特徴とする請求項15に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記有機膜層を形成することは、蒸着用マスクを用いることを特徴とする請求項15に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記スペーサを塗布することは、スペーサディスペンサを用いることを特徴とする請求項15に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記基板上にソース/ドレイン領域を有する半導体層と、前記半導体層に電気的に連結されるソース/ドレイン電極を有する薄膜トランジスタとをさらに形成し、
前記ソース/ドレイン電極のいずれか1つは、前記第1電極に連結されることを特徴とする請求項15に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
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---|---|---|---|
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---|---|
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---|---|---|---|
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009182320A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
WO2012046280A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネルとその製造方法、および有機el表示装置 |
JP2017102462A (ja) * | 2016-12-22 | 2017-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
KR20180128112A (ko) * | 2017-05-22 | 2018-12-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20210078562A (ko) * | 2019-05-29 | 2021-06-28 | 쿤산 고-비젼녹스 옵토-일렉트로닉스 씨오., 엘티디. | 디스플레이 패널, 그 제조 방법, 및 디스플레이 장치 |
JP7446793B2 (ja) | 2018-12-05 | 2024-03-11 | 三星ディスプレイ株式會社 | 有機電界発光素子及び有機電界発光素子用多環化合物 |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050112456A (ko) * | 2004-05-25 | 2005-11-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR101142996B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-05-08 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
KR100796618B1 (ko) | 2007-01-04 | 2008-01-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR101310917B1 (ko) * | 2008-07-17 | 2013-09-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 |
KR101427857B1 (ko) * | 2008-08-01 | 2014-08-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101739127B1 (ko) * | 2008-08-19 | 2017-05-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
KR101305377B1 (ko) * | 2009-06-16 | 2013-09-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 상부발광 방식 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 |
US9185772B2 (en) * | 2009-07-28 | 2015-11-10 | Pioneer Corporation | Light-emitting element and display device |
US8247253B2 (en) | 2009-08-11 | 2012-08-21 | Pixart Imaging Inc. | MEMS package structure and method for fabricating the same |
TWI396242B (zh) | 2009-08-11 | 2013-05-11 | Pixart Imaging Inc | 微電子裝置、微電子裝置的製造方法、微機電封裝結構及其封裝方法 |
KR101097330B1 (ko) | 2010-01-19 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조 하는 방법 |
KR101699911B1 (ko) * | 2010-04-05 | 2017-01-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN102275862B (zh) * | 2010-06-11 | 2014-10-01 | 原相科技股份有限公司 | 微机电封装结构及其制造方法 |
KR101784994B1 (ko) * | 2011-03-31 | 2017-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101849577B1 (ko) * | 2011-09-16 | 2018-04-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 |
KR101900954B1 (ko) * | 2012-01-19 | 2018-09-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
KR101801913B1 (ko) | 2012-03-23 | 2017-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
KR101982073B1 (ko) * | 2012-10-12 | 2019-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 유기 발광 표시 장치 |
KR20140085050A (ko) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN103839974B (zh) * | 2014-03-12 | 2016-05-25 | 四川虹视显示技术有限公司 | Woled、woled制作方法及woled驱动方法 |
US9508778B2 (en) * | 2014-04-25 | 2016-11-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
CN104882463A (zh) * | 2015-05-06 | 2015-09-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled背板结构 |
CN105118836B (zh) * | 2015-07-29 | 2019-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 具有导电平坦层的阵列基板及其制备方法 |
CN105355646B (zh) * | 2015-11-13 | 2019-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN105679796A (zh) * | 2016-01-20 | 2016-06-15 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 显示面板及制备方法 |
CN108231824B (zh) * | 2016-12-16 | 2024-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
CN106782308B (zh) * | 2017-02-10 | 2020-05-01 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种具有温度补偿功能的有机发光电路结构 |
CN107394056B (zh) * | 2017-07-25 | 2019-04-30 | 南京迈智芯微光电科技有限公司 | 一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺 |
CN108155217A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-12 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 有机电致发光显示装置及其制备方法 |
US11997863B2 (en) * | 2018-11-20 | 2024-05-28 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Display device, method for manufacturing display device, and electronic device |
US10950809B2 (en) * | 2018-12-21 | 2021-03-16 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible display panel having a photoresist supporting element |
CN111969121B (zh) * | 2019-05-20 | 2024-06-25 | 乐金显示有限公司 | 发光显示装置 |
US11043650B2 (en) * | 2019-05-28 | 2021-06-22 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and display device |
TWI721736B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-03-11 | 友達光電股份有限公司 | 半導體基板 |
CN111430571A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-07-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板 |
CN112038357A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-04 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示装置及制备方法 |
KR20220033650A (ko) * | 2020-09-09 | 2022-03-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반사 전극 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR20220045756A (ko) * | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001006879A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Toray Ind Inc | 有機電界発光装置 |
JP2001195008A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-07-19 | Sony Corp | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2002208484A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Tohoku Pioneer Corp | 有機elディスプレイ及びその製造方法 |
JP2002367781A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Sony Corp | 成膜装置および成膜方法 |
JP2003059671A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sony Corp | 表示素子及びその製造方法 |
JP2003257650A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子およびマスク |
JP2003347041A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-12-05 | Casio Comput Co Ltd | 発光パネル及びその製造方法 |
JP2004031262A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
JP2005011793A (ja) * | 2003-05-29 | 2005-01-13 | Sony Corp | 積層構造の製造方法および積層構造、表示素子ならびに表示装置 |
JP2005505114A (ja) * | 1999-12-17 | 2005-02-17 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電子装置のカプセル化のための方法 |
JP2005510035A (ja) * | 2001-11-20 | 2005-04-14 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電子デバイスの封止 |
JP2006126817A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2822882B2 (ja) | 1994-03-30 | 1998-11-11 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JPH10162952A (ja) | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Sharp Corp | 薄膜elパネル及びその製造方法 |
EP1240808B1 (en) * | 1999-12-17 | 2003-05-21 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Encapsulation for organic led device |
TW589915B (en) * | 2002-05-24 | 2004-06-01 | Sanyo Electric Co | Electroluminescence display device |
JP2004047458A (ja) | 2002-05-24 | 2004-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2004192935A (ja) | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
US7026658B2 (en) * | 2003-03-13 | 2006-04-11 | Samsung Sdi, Co., Ltd. | Electrical conductors in an electroluminescent display device |
KR100544133B1 (ko) * | 2003-09-25 | 2006-01-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 능동구동형 평판표시장치 |
JP4489472B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2010-06-23 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
US7753751B2 (en) | 2004-09-29 | 2010-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating the display device |
KR100685410B1 (ko) * | 2004-10-27 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100683695B1 (ko) | 2004-11-11 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
US7459850B2 (en) * | 2005-06-22 | 2008-12-02 | Eastman Kodak Company | OLED device having spacers |
KR100718152B1 (ko) | 2006-02-11 | 2007-05-14 | 삼성전자주식회사 | 유기발광다이오드 및 그 제조방법 |
JP2007242591A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
KR100793546B1 (ko) | 2007-01-03 | 2008-01-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100796618B1 (ko) | 2007-01-04 | 2008-01-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
-
2007
- 2007-01-04 KR KR1020070001027A patent/KR100796618B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-10-18 JP JP2007271736A patent/JP5026221B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-14 TW TW096148038A patent/TWI371855B/zh not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-01-03 US US12/006,666 patent/US7834547B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-01-04 EP EP08250034A patent/EP1942526A3/en not_active Withdrawn
- 2008-01-04 CN CN2008100015069A patent/CN101217185B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001006879A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Toray Ind Inc | 有機電界発光装置 |
JP2001195008A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-07-19 | Sony Corp | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2005505114A (ja) * | 1999-12-17 | 2005-02-17 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電子装置のカプセル化のための方法 |
JP2002208484A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Tohoku Pioneer Corp | 有機elディスプレイ及びその製造方法 |
JP2002367781A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Sony Corp | 成膜装置および成膜方法 |
JP2003059671A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sony Corp | 表示素子及びその製造方法 |
JP2005510035A (ja) * | 2001-11-20 | 2005-04-14 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電子デバイスの封止 |
JP2003257650A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子およびマスク |
JP2003347041A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-12-05 | Casio Comput Co Ltd | 発光パネル及びその製造方法 |
JP2004031262A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
JP2005011793A (ja) * | 2003-05-29 | 2005-01-13 | Sony Corp | 積層構造の製造方法および積層構造、表示素子ならびに表示装置 |
JP2006126817A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009182320A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
WO2012046280A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネルとその製造方法、および有機el表示装置 |
JP2017102462A (ja) * | 2016-12-22 | 2017-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
KR20180128112A (ko) * | 2017-05-22 | 2018-12-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102293372B1 (ko) | 2017-05-22 | 2021-08-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
JP7446793B2 (ja) | 2018-12-05 | 2024-03-11 | 三星ディスプレイ株式會社 | 有機電界発光素子及び有機電界発光素子用多環化合物 |
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