JP2009054603A - 有機電界発光パネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 画素毎に個別にパターン化された下部個別電極52と、上部電極54との間に、少なくとも有機発光材料を含む有機層60を備える有機EL素子50が、基板の上方に複数形成されたアクティブマトリクス型有機ELパネルであり、下部個別電極52の周辺端部を覆って端部カバー絶縁層(32a)が形成され、該端部カバー絶縁層より外周側に端部カバー絶縁層よりも厚く、かつ有機層形成用の蒸着マスクを支持する上層絶縁層を形成する。有機層60を、端部カバー絶縁層(32a)と下部個別電極52の境よりも外側まで形成し、かつ上層絶縁層(32b)の形成領域の内側で終端するように画素毎に個別にパターン化する。これにより、マスクを上層絶縁層で支持して位置決めする際、有機層がマスクと接触して損傷したりダストが発生することを防止する。
【選択図】 図2
Description
接触させた状態で蒸着マスクの位置を微調整する。発光層形成時には、既に、陽極及び平坦化絶縁膜を覆って少なくとも正孔輸送層が形成されており、発光層形成用に用いられる蒸着マスクの位置合わせに際しては、この正孔輸送層を蒸着マスクが擦ることとなる。
有機層を形成する。
また、有機層形成時のマスクの位置決め時に、下部個別電極の端部を覆う端部カバー絶縁層の外側に形成された上層絶縁層によって該マスクを支持でき、また有機層が蒸着マスクと接触することが防止されており、マスクとの接触により機械的強度の低い有機層が剥離したり、ダストが発生したりすることを確実に防止することができる。
保持される。第2TFT20のゲート電極には、上記第1TFT10を介して供給されたデータ信号に応じた電圧が供給され、第2TFT20は、その電圧値に応じた電流を電源ラインVLから有機EL素子50に供給する。このような動作により、各画素ごとにデータ信号に応じた輝度で有機EL素子50が発光し、所望のイメージが表示される。
図2は、上述のようなアクティブマトリクス型の有機ELパネルの要部を示す断面図である。具体的には、ガラス基板10上に形成された第2TFT20と、このTFT20に陽極52が接続された有機EL素子50を示している。また、図3は、アクティブマトリクス型の有機ELパネルの1画素における発光領域の概略レイアウトを示している。
52の露出表面を覆うように有機層60を積層する。有機層60は、ここでは、陽極52側から順に正孔注入層62、正孔輸送層64、発光層66、電子輸送層68が積層されている。
(i)ITOなどからなる陽極52:60nm〜200nm程度、
(ii)銅フタロシアニン(CuPc)、CFx等からなる正孔注入層62:0.5nm程度、
(iii)NPB(N, N'-di (naphthalene-1-yl)- N, N'- diphenyl-benzidine)な
どからなる正孔輸送層64:150nm〜200nm、
(iv)RGB毎に異なる材料又はその組み合わせからなる有機発光層66:それぞれ15nm〜35nm、
(v)Alq(アルミキノリノール錯体)等からなる電子輸送層68:35nm
程度、
(vi)LiF(電子注入層)とAlの積層構造からなる陰極54:LiF層0.5nm〜1.0nm程度、Al層300nm〜400nm程度である。
図5は、実施形態2に係る有機ELパネルの画素部の要部断面を示す概略図である。上記実施形態1と相違する点は、下部個別電極が陽極である場合に、有機層60のうち、最も下層に形成される正孔注入層62についてだけは、基板全面、即ちマスク支持部32bのマスク支持面にも形成されていることである。もちろん、有機層60の他の層は全て実施形態1と同様な画素毎の個別パターンでマスク支持部32bの支持面の内側で終端している。
せずに基板全面に形成し、機械的強度が低くまた1nmよりも厚い、正孔輸送層64/発光層66/電子輸送層68について、いずれも、マスク支持部32bのマスク支持面上に形成されないよう画素毎の個別パターンとしている。
Claims (7)
- 下部個別電極と上部電極との間に少なくとも有機発光材料を含む有機層を備える有機電界発光素子が、基板の上方に複数形成される有機電界発光パネルの製造方法であって、
前記基板上に前記下部個別電極を画素毎に形成し、
前記下部個別電極上に絶縁材料を積層し、
前記絶縁材料をパターン化することによって、前記下部個別電極の周辺端部を覆う端部カバー絶縁層と、該端部カバー絶縁層よりも外周側に設けられ該端部カバー絶縁層よりも厚い上層絶縁層とを形成し、
前記有機層を、前記端部カバー絶縁層と前記下部個別電極との境よりも外側であって、前記上層絶縁層の形成領域の内側で終端するように画素毎に形成し、
前記上部電極を、前記有機層を覆うように形成することを特徴とする有機電界発光パネルの製造方法。 - 請求項1に記載の有機電界発光パネルの製造方法において、
前記有機層は、正孔注入層及び有機発光層を少なくとも含み、
前記正孔注入層を、前記上層絶縁層の形成領域の内側で終端するように形成し、
前記有機発光層を、前記正孔注入層よりも上部電極側に、且つ前記上層絶縁層の形成領域の内側で終端するように形成することを特徴とする有機電界発光パネルの製造方法。 - 下部個別電極と上部電極との間に有機層として少なくとも正孔注入層と有機発光層とを備える有機電界発光素子が、基板の上方に複数形成される有機電界発光パネルの製造方法であって、
前記基板上に前記下部個別電極を画素毎に形成し、
前記下部個別電極上に絶縁材料を積層し、
前記絶縁材料をパターン化することによって、前記下部個別電極の周辺端部を覆う端部カバー絶縁層と、該端部カバー絶縁層よりも外周側に設けられ該端部カバー絶縁層よりも厚い上層絶縁層とを形成し、
前記正孔注入層を、前記下部個別電極、前記端部カバー絶縁層及び前記上層絶縁層を覆って形成し、
前記有機発光層を、前記正孔注入層よりも上部電極側に、且つ前記下部個別電極との境よりも外側であって前記上層絶縁層の形成領域の内側で終端するように画素毎に形成し、
前記上部電極を、前記正孔注入層及び前記有機発光層を覆うように形成することを特徴とする有機電界発光パネルの製造方法。 - 請求項2または請求項3に記載の有機電界発光パネルの製造方法において、
電荷輸送層を、前記正孔注入層と前記有機発光層との層間、及び前記有機発光層と前記上部電極との層間のいずれか又は両方に、前記端部カバー絶縁層と前記下部個別電極との境よりも外側であって前記上層絶縁層の形成領域の内側で終端するように画素毎に形成することを特徴とする有機電界発光パネルの製造方法。 - 請求項1〜請求項4のいずれか一つに記載の有機電界発光パネルの製造方法において、
前記絶縁材料を多段階露光またはグレートーン露光することによって、前記端部カバー絶縁層と前記上層絶縁層とを形成することを特徴とする有機電界発光パネルの製造方法。 - 請求項1〜請求項5のいずれか一つに記載の有機電界発光パネルの製造方法において、
前記有機層は複数の有機層からなり、前記複数の有機層の各層の大きさを、下層よりも上層が小さくなるように形成することを特徴とする有機電界発光パネルの製造方法。 - 請求項1〜請求項6のいずれか一つに記載の有機電界発光パネルの製造方法において、
前記有機層を形成するためのマスクを前記上層絶縁層の上面で支持し、前記有機層を形成することを特徴とする有機電界発光パネルの製造方法。
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