JP2010225781A - 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄膜トランジスタ100は、図1に示すように、基板11と、ゲート電極112と、ゲート絶縁膜113と、半導体層(チャンネル領域)114と、エッチングストッパ膜115と、高濃度不純物含有アモルファスシリコン層116,117と、ドレイン電極118と、ソース電極119と、低濃度不純物含有半導体層120,121を備える。微結晶シリコンを用いたチャンネル領域114と、高濃度不純物含有アモルファスシリコン層116及び/又は高濃度不純物含有アモルファスシリコン層117との間に低不純物濃度半導体層120,121を設けることにより、良好にリーク電流を抑制することができる。
【選択図】図1
Description
真性微結晶シリコンから形成され、チャンネル領域として機能する半導体層と、
前記半導体層の一方の面側のソース領域及びドレイン領域にそれぞれ設けられた高濃度不純物含有アモルファスシリコン層と、
前記高濃度不純物含有アモルファスシリコン層上にそれぞれ設けられたソース電極、ドレイン電極と、
前記半導体層と、前記ドレイン領域の高濃度不純物含有アモルファスシリコン層及び前記ソース領域の高濃度不純物含有アモルファスシリコン層の少なくともいずれか一方との間に、前記高濃度不純物含有アモルファスシリコン層の不純物濃度より低い不純物濃度である低濃度不純物含有半導体層、又は不純物が添加されていない不純物無添加半導体層を備えることを特徴とする。
真性微結晶シリコンから形成される半導体層上の一方の面側のソース領域及びドレイン領域にそれぞれ高濃度不純物含有アモルファスシリコン層を形成する高濃度不純物含有アモルファスシリコン層形成工程と、
前記半導体層と、前記ドレイン領域の高濃度不純物含有アモルファスシリコン層及び前記ソース領域の高濃度不純物含有アモルファスシリコン層の少なくともいずれか一方との間に、前記高濃度不純物含有アモルファスシリコン層の不純物濃度より低い不純物濃度である低濃度不純物含有半導体層、又は不純物が添加されていない不純物無添加半導体層を形成する低濃度不純物含有半導体層形成工程を備えることを特徴とする。
以上から、発光装置10が製造される。
また、上述した各実施形態では、逆スタガ型トランジスタであったが、コプラナ型トランジスタであってもよい。
Claims (5)
- 真性微結晶シリコンから形成され、チャンネル領域として機能する半導体層と、
前記半導体層の一方の面側のソース領域及びドレイン領域にそれぞれ設けられた高濃度不純物含有アモルファスシリコン層と、
前記高濃度不純物含有アモルファスシリコン層上にそれぞれ設けられたソース電極、ドレイン電極と、
前記半導体層と、前記ドレイン領域の高濃度不純物含有アモルファスシリコン層及び前記ソース領域の高濃度不純物含有アモルファスシリコン層の少なくともいずれか一方との間に、前記高濃度不純物含有アモルファスシリコン層の不純物濃度より低い不純物濃度である低濃度不純物含有半導体層、又は不純物が添加されていない不純物無添加半導体層を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記低濃度不純物含有半導体層は、アモルファスシリコンであることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 真性微結晶シリコンから形成される半導体層上の一方の面側のソース領域及びドレイン領域にそれぞれ高濃度不純物含有アモルファスシリコン層を形成する高濃度不純物含有アモルファスシリコン層形成工程と、
前記半導体層と、前記ドレイン領域の高濃度不純物含有アモルファスシリコン層及び前記ソース領域の高濃度不純物含有アモルファスシリコン層の少なくともいずれか一方との間に、前記高濃度不純物含有アモルファスシリコン層の不純物濃度より低い不純物濃度である低濃度不純物含有半導体層、又は不純物が添加されていない不純物無添加半導体層を形成する低濃度不純物含有半導体層形成工程を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記高濃度不純物含有アモルファスシリコン層、前記低濃度不純物含有半導体層及び前記半導体層は、同じレジストマスクにより順次パターニングされることを特徴とする請求項3に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記高濃度不純物含有アモルファスシリコン層上にそれぞれソース電極、ドレイン電極が設けられ、前記ソース電極、ドレイン電極、前記高濃度不純物含有アモルファスシリコン層、前記低濃度不純物含有半導体層及び前記半導体層は、同じレジストマスクにより順次パターニングされることを特徴とする請求項3に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
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