JP2005141213A - 表示装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜にスルーホールを形成し、前記スルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、前記配線上にパッシベーション膜を形成し、前記パッシベーション膜上に接して第2の絶縁膜をスピンコート法で形成し、前記第2の絶縁膜上に画素電極を形成することにより、上記課題は解決される。
【選択図】 図9
Description
Claims (40)
- 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜にスルーホールを形成し、
前記スルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記配線上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上に接して第2の絶縁膜をスピンコート法で形成し、
前記第2の絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜にスルーホールを形成し、
前記スルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記第1の絶縁膜及び前記配線を覆ってパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上に接して第2の絶縁膜をスピンコート法で形成し、
前記第2の絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜にスルーホールを形成し、
前記スルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に接して形成し、
前記配線上に接してパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上に接して第2の絶縁膜をスピンコート法で形成し、
前記第2の絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜に第1のスルーホールを形成し、
前記第1のスルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記配線上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上に接して第2の絶縁膜をスピンコート法で形成し、
前記パッシベーション膜及び前記第2の絶縁膜に第2のスルーホールを形成し、
前記第2のスルーホールを介して前記配線と接続する画素電極を前記第2の絶縁膜上に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜に第1のスルーホールを形成し、
前記第1のスルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記配線上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上に接して第2の絶縁膜をスピンコート法で形成し、
前記パッシベーション膜及び前記第2の絶縁膜に第2のスルーホールを形成し、
前記第2のスルーホールを介して前記配線と接続する画素電極を前記第2の絶縁膜上に形成し、
前記画素電極上にEL層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜に第1のスルーホールを形成し、
前記第1のスルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記配線上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上に接して第2の絶縁膜をスピンコート法で形成し、
前記パッシベーション膜及び前記第2の絶縁膜に第2のスルーホールを形成し、
前記第2のスルーホールを介して前記配線と接続する画素電極を前記第2の絶縁膜上に形成し、
前記画素電極及び前記第2の絶縁膜上に、前記画素電極上の一部に開口を有する第3の絶縁膜を形成し、
前記画素電極及び前記第3の絶縁膜上にEL層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜にスルーホールを形成し、
前記スルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記配線上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上に接してシロキサン構造を含む第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜にスルーホールを形成し、
前記スルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記第1の絶縁膜及び前記配線を覆ってパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上に接してシロキサン構造を含む第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜にスルーホールを形成し、
前記スルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に接して形成し、
前記配線上に接してパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上に接してシロキサン構造を含む第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜に第1のスルーホールを形成し、
前記第1のスルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記配線上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上に接してシロキサン構造を含む第2の絶縁膜を形成し、
前記パッシベーション膜及び前記第2の絶縁膜に第2のスルーホールを形成し、
前記第2のスルーホールを介して前記配線と接続する画素電極を前記第2の絶縁膜上に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜に第1のスルーホールを形成し、
前記第1のスルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記配線上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上に接してシロキサン構造を含む第2の絶縁膜を形成し、
前記パッシベーション膜及び前記第2の絶縁膜に第2のスルーホールを形成し、
前記第2のスルーホールを介して前記配線と接続する画素電極を前記第2の絶縁膜上に形成し、
前記画素電極上にEL層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜に第1のスルーホールを形成し、
前記第1のスルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記配線上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上に接してシロキサン構造を含む第2の絶縁膜を形成し、
前記パッシベーション膜及び前記第2の絶縁膜に第2のスルーホールを形成し、
前記第2のスルーホールを介して前記配線と接続する画素電極を前記第2の絶縁膜上に形成し、
前記画素電極及び前記第2の絶縁膜上に、前記画素電極上の一部に開口を有する第3の絶縁膜を形成し、
前記画素電極及び前記第3の絶縁膜上にEL層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜にスルーホールを形成し、
前記スルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記配線上に、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に接して第3の絶縁膜をスピンコート法で形成し、
前記第3の絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜にスルーホールを形成し、
前記スルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記第1の絶縁膜及び前記配線を覆って、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に接して第3の絶縁膜をスピンコート法で形成し、
前記第3の絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜にスルーホールを形成し、
前記スルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に接して形成し、
前記配線上に接して、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に接して第3の絶縁膜をスピンコート法で形成し、
前記第3の絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜に第1のスルーホールを形成し、
前記第1のスルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記配線上に、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に接して第3の絶縁膜をスピンコート法で形成し、
前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜に第2のスルーホールを形成し、
前記第2のスルーホールを介して前記配線と接続する画素電極を前記第3の絶縁膜上に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜に第1のスルーホールを形成し、
前記第1のスルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記配線上に、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に接して第3の絶縁膜をスピンコート法で形成し、
前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜に第2のスルーホールを形成し、
前記第2のスルーホールを介して前記配線と接続する画素電極を前記第3の絶縁膜上に形成し、
前記画素電極上にEL層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜に第1のスルーホールを形成し、
前記第1のスルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記配線上に、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に接して第3の絶縁膜をスピンコート法で形成し、
前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜に第2のスルーホールを形成し、
前記第2のスルーホールを介して前記配線と接続する画素電極を前記第3の絶縁膜上に形成し、
前記画素電極及び前記第3の絶縁膜上に、前記画素電極上の一部に開口を有する第4の絶縁膜を形成し、
前記画素電極及び前記第4の絶縁膜上にEL層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜にスルーホールを形成し、
前記スルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記配線上に、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に接してシロキサン構造を含む第3の絶縁膜を形成し、
前記第3の絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜にスルーホールを形成し、
前記スルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記第1の絶縁膜及び前記配線を覆って、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に接してシロキサン構造を含む第3の絶縁膜を形成し、
前記第3の絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜にスルーホールを形成し、
前記スルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に接して形成し、
前記配線上に接して、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に接してシロキサン構造を含む第3の絶縁膜を形成し、
前記第3の絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜に第1のスルーホールを形成し、
前記第1のスルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記配線上に、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に接してシロキサン構造を含む第3の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜に第2のスルーホールを形成し、
前記第2のスルーホールを介して前記配線と接続する画素電極を前記第3の絶縁膜上に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜に第1のスルーホールを形成し、
前記第1のスルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記配線上に、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に接してシロキサン構造を含む第3の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜に第2のスルーホールを形成し、
前記第2のスルーホールを介して前記配線と接続する画素電極を前記第3の絶縁膜上に形成し、
前記画素電極上にEL層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜に第1のスルーホールを形成し、
前記第1のスルーホールを介して前記半導体膜と接続する配線を前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記配線上に、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に接してシロキサン構造を含む第3の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜に第2のスルーホールを形成し、
前記第2のスルーホールを介して前記配線と接続する画素電極を前記第3の絶縁膜上に形成し、
前記画素電極及び前記第3の絶縁膜上に、前記画素電極上の一部に開口を有する第4の絶縁膜を形成し、
前記画素電極及び前記第4の絶縁膜上にEL層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至6のいずれか一項において、
前記第2の絶縁膜は無機SOG材料からなることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至6のいずれか一項において、
前記第2の絶縁膜を形成した後であって、前記画素電極を形成する前に、
前記第2の絶縁膜上に接してさらに絶縁膜をスピンコート法で形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項7乃至12のいずれか一項において、
前記第2の絶縁膜を形成した後であって、前記画素電極を形成する前に、
前記第2の絶縁膜上に接してさらにシロキサン構造を有する絶縁膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項13乃至18のいずれか一項において、
前記第3の絶縁膜は無機SOG材料からなることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項13乃至18のいずれか一項において、
前記第3の絶縁膜を形成した後であって、前記画素電極を形成する前に、
前記第3の絶縁膜上に接してさらに絶縁膜をスピンコート法で形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項19乃至24のいずれか一項において、
前記第3の絶縁膜を形成した後であって、前記画素電極を形成する前に、
前記第3の絶縁膜上に接してさらにシロキサン構造を有する絶縁膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至12、25、26及び27のいずれか一項において、
前記パッシベーション膜の膜厚を、50〜500nmとすることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至12、25、26及び27のいずれか一項において、
前記パッシベーション膜の膜厚を、200〜300nmとすることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至12、25、26、27、31及び32のいずれか一項において、
前記第2の絶縁膜の膜厚を、0.1μm以上1.5μm未満とすることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項13乃至24、28、29及び30のいずれか一項において、
前記第2の絶縁膜の膜厚を、50〜500nmとすることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項13乃至24、28、29及び30のいずれか一項において、
前記第2の絶縁膜の膜厚を、200〜300nmとすることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項13乃至24、28、29、30、34及び35のいずれか一項において、
前記第2の絶縁膜の膜厚を、0.1μm以上1.5μm未満とすることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至36のいずれか一項において、
前記配線をスパッタ法により形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至37のいずれか一項において、
前記配線を、少なくともアルミニウム膜を含む膜で形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至37のいずれか一項において、
前記配線を、第1のチタン膜、アルミニウム膜、第2のチタン膜からなる3層構造の積層膜で形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至39のいずれか一項において、
前記画素電極は、酸化物導電膜であることを特徴とする表示装置の作製方法。
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