JP2008015293A - 有機el表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上1に半導体層3と半導体層を覆うゲート絶縁膜4とゲート電極5によって、TFTを形成し。TFTを覆って層間絶縁膜6を形成し、層間絶縁膜6上に形成された多層膜からなるSD配線71、72、73、74のうちの下層部分72、71を有機EL層9の下部電極とし、前記TFTと前記SD配線を覆うパッシベーション膜8に画素を分離するバンクの役割を持たせる。SD配線の最上層74を化学的に安定な金属酸化膜とし、このSD層をそのまま端子部に用いる。一方、有機EL層の下部電極としてはSD配線の上層を除去して、SD配線のうちのAl−Si合金72を使用する。これによって、有機ELの性能を保ち、かつ信頼性を保ったまま、工程短縮による原価低減をすることができる。
【選択図】図4
Description
(2)前記SD配線は複数の層からなり、最上層は透明導電膜で形成されていることを特徴とする(1)に記載の有機EL表示装置。
(3)前記SD配線の最上層となる透明導電膜はITO、IZO、WO3、またはMoO3であることを特徴とする(2)に記載の有機EL表示装置
(4)前記SD配線は複数の層からなり、最上層はTiまたはTiNで形成されていることを特徴とする(1)に記載の有機EL表示装置。
(5)前記SD配線の前記半導体層と接する層はMo、W、Ta、Tiまたはこれらのひとつの金属を有する合金であることを特徴とする(1)に記載の有機EL表示装置。
(6)前記SD配線の光を反射する金属または金属合金の層はAlまたはAl―Siの合金であることを特徴とする(1)に記載の有機EL表示装置。
(8)前記ゲート電極は、Mo、W、Ta、Tiまたはこれらのひとつの金属を有する合金であることを特徴とする(7)に記載の有機EL表示装置。
(9)前記ゲート電極は複数の層からなり、最上層はTi、TiN、ITO、IZOのいずれかで形成されていることを特徴とする(7)に記載の有機EL表示装置。
(11)前記SD配線の最上層はITO、IZO、WO3、またはMoO3で形成され、ITO、IZO、WO3、またはMoO3は前記有機EL層の下部電極を構成しないことを特徴とする(10)に記載の有機EL表示装置。
(12)前記SD配線は複数の層からなり、最上層はTiまたはTiNで形成されていることを特徴とする(10)に記載の有機EL表示装置。
(13)前記SD配線の前記半導体層と接する層はMo、W、Ta、Tiまたはこれらのひとつの金属を有する合金であることを特徴とする(10)に記載の有機EL表示装置。
(14)前記SD配線の光を反射する金属または金属合金の層はAlまたはAl―Siの合金であることを特徴とする(10)に記載の有機EL表示装置。
手段(2)によれば、手段(1)の効果に加え、端子部の最上層は化学的に安定な透明導電膜で形成されているので、端子部の信頼性を保つことができる。
手段(3)によれば、手段(1)の効果に加え、端子部の最上層は、化学的に安定で、容易に入手可能な、ITO、IZO、WO3、またはMoO3を用いるので、端子部の信頼性を保つとともに、製造コストを抑制できる。
手段(4)によれば、手段(1)の効果に加え、端子部の最上層は化学的に安定な、TiまたはTiNで形成されているので、端子部の信頼性を保つことができる。
手段(5)によれば、手段(1)の効果に加え、SD配線が半導体層と接する面は半導体層の汚染をしない金属であるため、TFTの動作を安定化できる。
手段(6)によれば、手段(1)の効果に加え、SD配線の反射金属として、AlまたはAl−Si合金等を使用するので、配線としては電気抵抗が小さく、有機EL層の下部電極としては反射率の高い金属を使用することができ、有機EL表示装置として高い性能を発揮できる。
手段(8)によれば、手段(1)の効果に加え、ゲート電極は高融点の金属であり、TFTの他の層を汚染することが無い。また、ゲート端子の金属として使用しても安定である。
手段(9)によれば、手段(1)の効果に加え、端子部の最上層は化学的に安定なTi、TiN、ITO、IZOのいずれかで形成されているので、端子部の信頼性を保つことができる。
手段(11)によれば、手段(10)の効果に加え、端子部の最上層は化学的に安定な金属酸化物を使用するので、端子部の安定性を向上することができる。
手段(12)によれば、手段(10)の効果に加え、端子部の最上層は化学的に安定なTiまたはTiNを使用するので、端子部の安定性を向上することができる。
手段(13)によれば、手段(10)の効果に加え、SD配線が半導体層と接する面は半導体層を汚染しない金属であるため、TFTの動作を安定化できる。
手段(14)によれば、手段(10)の効果に加え、SD配線の反射金属として、AlまたはAl−Si合金を使用するので、配線としては電気抵抗が小さく、有機EL層の下部電極としては反射率の高い金属を使用することができ、有機EL表示装置として高い性能を発揮できる。
手段(15)によれば、手段(10)の効果に加え、有機EL層の下部電極として、陰極として優れた特性と持つAlまたはAl−Si合金層等を使用するので、有機EL表示装置として高い性能を発揮できる。
Claims (15)
- 陽極となる上部電極と陰極となる下部電極との間に有機EL層が形成され、前記有機EL層に電流を流すことによる発光を利用する有機EL表示装置であって、基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極を有するTFTが形成され、前記TFTを覆って、層間絶縁膜が形成され、SD配線は前記TFTの半導体層と接続するとともに、前記層間絶縁膜上に延在して前記有機EL層の前記下部電極となり、前記SD配線は光を反射する金属または金属合金の層を含み、前記上部電極は透明電極からなり、前期基板上には前記TFT、前記上部電極と接続する端子部が形成され、前記端子部は前記SD配線と同じ層で形成されていることを特徴とする有機EL表示装置。
- 前記SD配線は複数の層からなり、最上層は透明導電膜で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記SD配線の最上層の透明導電膜はITO、IZO、WO3、またはMoO3であることを特徴とする請求項2に記載の有機EL表示装置。
- 前記SD配線は複数の層からなり、最上層はTiまたはTiNで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記SD配線の前記半導体層と接する層はMo、W、Ta、Tiまたはこれらのひとつの金属を有する合金であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記SD配線の光を反射する金属または金属合金の層はAl、またはAlとSiもしくはCuとの合金、または、Alとランタノイド系元素との合金、またはAgであることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 陽極となる上部電極と陰極となる下部電極との間に有機EL層が形成され、前記有機EL層に電流を流すことによる発光を利用する有機EL表示装置であって、基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極を有するTFTが形成され、前記TFTを覆って、層間絶縁膜が形成され、SD配線は前記TFTの半導体層と接続するとともに、前記層間絶縁膜上に延在して前記有機EL層の前記下部電極となり、前記SD配線は光を反射する金属または金属合金の層を含み、前記上部電極は透明電極からなり、前期基板上には前記TFT、前記上部電極と接続する端子部が形成され、前記端子部は前記ゲート電極と同じ層で形成されていることを特徴とする有機EL表示装置。
- 前記ゲート電極は、Mo、W、Ta、Tiまたはこれらのひとつの金属を有する合金であることを特徴とする請求項7に記載の有機EL表示装置。
- 前記ゲート電極は複数の層からなり、最上層はTi、TiN、ITO、IZOのいずれかで形成されていることを特徴とする請求項7に記載の有機EL表示装置。
- 上部電極と下部電極との間に有機EL層が形成され、前記有機EL層に電流を流すことによる発光を利用する有機EL表示装置であって、基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極を有するTFTが形成され、前記TFTを覆って層間絶縁膜が形成され、複数の層から形成されるSD配線は前記TFTの半導体層と接続し、前記SD配線の複数の層のうちの一部は前記層間絶縁膜上に延在して前記有機EL層の前記下部電極となり、前記SD配線は光を反射する金属または金属合金の層を含み、前記上部電極は透明電極からなり、前期基板上には前記TFT、前記上部電極と接続する端子部が形成され、前記端子部は前記SD配線と同じ層で形成されていることを特徴とする有機EL表示装置。
- 前記SD配線の最上層はITO、IZO、WO3、またはMoO3で形成され、ITO、IZO、WO3、またはMoO3は前記有機EL層の下部電極を構成しないことを特徴とする請求項10に記載の有機EL表示装置。
- 前記SD配線は複数の層からなり、最上層はTiまたはTiNで形成されていることを特徴とする請求項10に記載の有機EL表示装置。
- 前記SD配線の前記半導体層と接する層はMo、W、Ta、Tiまたはこれらのひとつの金属を有する合金であることを特徴とする請求項10に記載の有機EL表示装置。
- 前記SD配線の光を反射する金属または金属合金の層はAl、またはAlとSiもしくはCuとの合金、または、Alとランタノイド系元素との合金、またはAgであることを特徴とする請求項10に記載の有機EL表示装置。
- 前記SD配線のうち、前記有機EL層と接して下部電極となる層はAl、またはAlとSiもしくはCuとの合金、または、Alとランタノイド系元素との合金、またはAgであることを特徴とする請求項10に記載の有機EL表示装置。
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