EA031170B1 - Способ предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах - Google Patents
Способ предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах Download PDFInfo
- Publication number
- EA031170B1 EA031170B1 EA201690385A EA201690385A EA031170B1 EA 031170 B1 EA031170 B1 EA 031170B1 EA 201690385 A EA201690385 A EA 201690385A EA 201690385 A EA201690385 A EA 201690385A EA 031170 B1 EA031170 B1 EA 031170B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- layer
- metal wires
- organic
- short circuit
- width
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 75
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 37
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [Sn+4].[O-2].[In+3] GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/341—Short-circuit prevention
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Предложен способ предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах. Способ включает в себя формирование неорганического слоя на подложке; формирование металлического слоя, содержащего два металлических провода, на неорганическом слое; формирование органического слоя на двух металлических проводах; формирование слоя оксида индия-олова на органическом слое; нанесение покрытия фоторезистивного слоя; выполнение этапа экспонирования фоторезистивного слоя с помощью фотошаблона, имеющего прозрачную область, непрозрачный материал, расположенный в прозрачной области, при этом ширина непрозрачного материала меньше ширины прозрачной области; выполнение этапа проявления фоторезистивного слоя и выполнение этапа травления для удаления части слоя оксида индия-олова и части органического слоя. Настоящее изобретение может предотвратить короткое замыкание между металлическими проводами.
Description
Настоящее изобретение может предотвратить короткое замыкание между металлическими проводами.
Предпосылки создания изобретения
1. Область техники, к которой относится изобретение.
Настоящее изобретение в общем относится к области дисплеев на органических светодиодах и, в частности, к способу предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах.
2. Описание известного уровня техники.
Дисплей на органических светодиодах (OLED) обладает такими преимуществами, как самосвечение, уменьшенное энергопотребление и широкий угол обзора, и таким образом дисплей на органических светодиодах считается дисплеем с высоким потенциалом будущих разработок.
Рассмотрим фиг. 1 и 2. На фиг. 1 изображен вид сверху некоторых элементов традиционного дисплея на органических светодиодах. На фиг. 2 изображен вид в поперечном сечении вдоль линии AA' на фиг. 1.
В процессе изготовления дисплея на органических светодиодах, вначале на подложке (не изображена) изготавливается множество тонкопленочных транзисторов, которые служат в качестве переключающих элементов, и затем изготавливаются органические светодиоды, которые служат в качестве светоизлучающих элементов.
Изготовление тонкопленочных транзисторов и светодиодов включает следующие этапы. Вначале на подложке (не изображена) формируют затворный слой (не изображен) и полупроводниковый слой (не изображен). Затем формируют неорганический слой 100 и на неорганическом слое 100 формируют металлический слой. Металлический слой содержит металлические провода 102 и 104 для передачи независимых сигналов по отдельности, т.е. для передачи разных сигналов. На металлических проводах 102 и 104 формируют органический слой 106. На органическом слое 106 формируют слой 108 оксида индияолова (ITO). Слой 108 оксида индия-олова используется в качестве анода органического светодиода. Наконец, на слое 108 оксида индия-олова формируют светоизлучающий слой (не изображен) и катод (не изображен).
Тем не менее, в процессе изготовления дисплея на органических светодиодах, фоторезистивный слой (не изображен) формируют на слое 108 оксида индия-олова после размещения слоя 108 оксида индия-олова. В ходе этапа экспонирования верхняя часть органического слоя 106 маскирует нижнюю часть слоя 108 оксида индия-олова, потому что органический слой 106 слишком толстый. Соответственно, свет не может облучать нижнюю часть слоя 106 оксида индия-олова. Другими словами, органический слой 106 создает эффект затенения. В результате, после осуществления этапа травления и удаления фоторезистивного слоя (не изображен) остается часть слоя 108 оксида индия-олова, как показано на фиг. 2, так что возникает короткое замыкание между металлическими проводами 102 и 104.
Следовательно, существует потребность в решении проблемы возникновения короткого замыкания между металлическими проводами 102 и 104 из-за того, что остается часть слоя 108 оксида индия-олова.
Краткое изложение сущности изобретения
Цель настоящего изобретения заключается в предоставлении способа предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах, способного решить проблему возникновения короткого замыкания между металлическими проводами из-за того, что остается слой оксида индия-олова.
Для решения вышеупомянутой проблемы способ предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах, предоставленный настоящим изобретением, включает формирование неорганического слоя на подложке;
формирование металлического слоя на неорганическом слое, при этом металлический слой содержит по меньшей мере два металлических провода;
формирование органического слоя на двух металлических проводах металлического слоя;
формирование слоя оксида индия-олова на органическом слое;
нанесение покрытия фоторезистивного слоя;
выполнение этапа экспонирования фоторезистивного слоя с помощью фотошаблона, при этом фотошаблон имеет прозрачную область, соответствующую положению между двумя металлическими проводами, непрозрачный материал, расположенный в прозрачной области, при этом ширина прозрачной области фотошаблона является разрешающей способностью фотошаблона, и ширина непрозрачного материала меньше ширины прозрачной области фотошаблона;
выполнение этапа проявления фоторезистивного слоя и выполнение этапа травления для удаления части слоя оксида индия-олова и части органического слоя.
После этапа выполнения этапа травления для удаления части слоя оксида индия-олова и части органического слоя, способ предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах согласно настоящему изобретению дополнительно включает этап удаления оставшейся части фоторезистивного слоя.
В способе предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на
- 1 031170 органических светодиодах согласно настоящему изобретению ширина непрозрачного материала составляет менее 2 мкм.
В способе предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах согласно настоящему изобретению ширина непрозрачного материала предпочтительно составляет от 1 до 2 мкм.
В способе предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах согласно настоящему изобретению два металлических провода используются в качестве истоков.
В способе предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах согласно настоящему изобретению два металлических провода используются в качестве стоков.
В способе предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах согласно настоящему изобретению органический слой, по меньшей мере, покрывает часть двух металлических проводов.
В способе предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах согласно настоящему изобретению два металлических провода сформированы методом жидкостного травления.
Для решения вышеупомянутой проблемы способ предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах, предоставленный настоящим изобретением, включает формирование неорганического слоя на подложке;
формирование металлического слоя на неорганическом слое, при этом металлический слой содержит по меньшей мере два металлических провода;
формирование органического слоя на двух металлических проводах металлического слоя;
формирование слоя оксида индия-олова на органическом слое;
нанесение покрытия фоторезистивного слоя;
выполнение этапа экспонирования фоторезистивного слоя с помощью фотошаблона, при этом фотошаблон имеет прозрачную область, соответствующую положению между двумя металлическими проводами, непрозрачный материал, расположенный в прозрачной области, при этом ширина непрозрачного материала меньше ширины прозрачной области фотошаблона;
выполнение этапа проявления фоторезистивного слоя и выполнение этапа травления для удаления части слоя оксида индия-олова и части органического слоя.
После этапа выполнения этапа травления для удаления части слоя оксида индия-олова и части органического слоя, способ предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах согласно настоящему изобретению дополнительно включает этап удаления оставшейся части фоторезистивного слоя.
В способе предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах согласно настоящему изобретению ширина непрозрачного материала составляет менее 2 мкм.
В способе предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах согласно настоящему изобретению ширина непрозрачного материала предпочтительно составляет от 1 до 2 мкм.
В способе предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах согласно настоящему изобретению два металлических провода используются в качестве истоков.
В способе предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах согласно настоящему изобретению два металлических провода используются в качестве стоков.
В способе предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах согласно настоящему изобретению органический слой, по меньшей мере, покрывает часть двух металлических проводов.
В способе предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах согласно настоящему изобретению два металлических провода сформированы методом жидкостного травления.
По сравнению с известным уровнем техники, благодаря размещению непрозрачного материала, ширина которого меньше ширины прозрачной области, способ предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах согласно настоящему изобретению способен уменьшать толщину органического слоя после осуществления этапа травления. В результате, можно полностью удалить слой оксида индия-олова и можно предотвратить короткое замыкание между металлическими проводами.
Для лучшего понимания вышеупомянутого содержания настоящего изобретения предпочтительные
- 2 031170 варианты осуществления изображены в соответствии с прилагаемыми фигурами для дальнейшего пояснения.
Краткое описание графических материалов
На фиг. 1 изображен вид сверху некоторых элементов традиционного дисплея на органических светодиодах;
на фиг. 2 изображен вид в поперечном сечении вдоль линии AA' на фиг. 1;
на фиг. 3 изображена блок-схема способа предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах согласно варианту осуществления настоящего изобретения;
на фиг. 4 изображен вид сверху некоторых элементов дисплея на органических светодиодах согласно варианту осуществления настоящего изобретения;
на фиг. 5 изображен вид сверху после реализации способа согласно настоящему изобретению на фиг. 4;
на фиг. 6 изображен вид в поперечном сечении вдоль линии BB' на фиг. 5.
Подробное описание изобретения
Следующие описания соответствующих вариантов осуществления представляют собой определенные варианты осуществления, которые могут быть реализованы для наглядной демонстрации настоящего изобретения со ссылкой на прилагаемые фигуры. Например, термины вверх, вниз, передний, задний, левый, правый, внутренний, внешний, боковой и так далее являются лишь указаниями направления применительно к прилагаемым фигурам. Следовательно, термины, указывающие направление, применяются для пояснения и толкования настоящего изобретения, но не для его ограничения.
Рассмотрим фиг. 3-6. На фиг. 3 изображена блок-схема способа предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах согласно варианту осуществления настоящего изобретения. На фиг. 4 изображен вид сверху некоторых элементов дисплея на органических светодиодах согласно варианту осуществления настоящего изобретения. На фиг. 5 изображен вид сверху после реализации способа согласно настоящему изобретению на фиг. 4. На фиг. 6 изображен вид в поперечном сечении вдоль линии BB' на фиг. 5.
На этапе S300 предоставляют подложку 410.
На этапе S302 на подложке 410 формируют затворный слой (не изображен) и полупроводниковый слой (не изображен).
Следует отметить, что, поскольку способы формирования затворного слоя (не изображен) и полупроводникового слоя (не изображен) аналогичны способам известного уровня техники и не являются ключевыми пунктами настоящего изобретения, они не изображены на фиг. 4-6.
На этапе S304 на подложке 410 формируют неорганический слой 400. Следует отметить, что область неорганического слоя 400, сформированного на подложке 410, отличается от области затворного слоя (не изображен) и полупроводникового слоя (не изображен), сформированных на подложке 410.
На этапе 306 на неорганическом слое 400 формируют металлический слой и металлический слой содержит по меньшей мере два металлических провода 402 и 404, служащих в качестве истоков или стоков. Металлические провода 402 и 404 соответственно используются для передачи независимых сигналов, т.е. для передачи разных сигналов.
Например, но не ограничиваясь данным примером, два металлических провода 402 и 404 сформированы методом жидкостного травления.
На этапе S308 на металлических проводах 402 и 404 металлического слоя формируют органический слой 406. Органический слой 406, по меньшей мере, покрывает часть металлического провода 402 и часть металлического провода 404. Органический слой 406 и неорганический слой 400 используются в качестве изолирующих слоев и обладают плоской функцией для улучшения качества изготовления органического светодиода в следующем процессе.
На этапе S310 на органическом слое 406 формируют слой 408 оксида индия-олова (ITO). Слой 408 оксида индия-олова используется в качестве анода органического светодиода.
Следует отметить, что местоположение светодиода формируется в светоизлучающей области (не изображена) подложки 410, и на фиг. 4 и 5 изображена область тонкопленочного транзистора. Требуется, чтобы слой 408 оксида индия-олова (используемый в качестве анода светодиода) был сформирован лишь в светоизлучающей области (не изображена), и не требуется, чтобы слой 408 оксида индия-олова был сформирован в области тонкопленочного транзистора. Соответственно, требуется удалить слой 408 оксида индия-олова в области тонкопленочного транзистора.
Этап S310 дополнительно включает следующий этап: нанесение покрытия фоторезистивного слоя (не изображен).
На этапе S312 выполняют этап экспонирования фоторезистивного слоя (не изображен) с помощью фотошаблона (не изображен). Фотошаблон (не изображен) имеет прозрачную область C, соответствующую положению между металлическими проводами 402 и 404. Непрозрачный материал 420 размещают в прозрачной области C. Ширина W1 непрозрачного материала 420 меньше ширины W2 прозрачной области C фотошаблона (не изображен). Ширина W2 прозрачной области C является разрешающей способностью фотошаблона (не изображен), т.е. разрешающей способностью экспонирующего устройства.
- 3 031170 ностью фотошаблона (не изображен), т.е. разрешающей способностью экспонирующего устройства. Прозрачная область C и непрозрачный материал 420 соответствуют части неорганического слоя 400 и части органического слоя 406.
Например, в экспонирующем устройстве Canon Kabushiki Kaisha разрешающая способность составляет 2,5 мкм (микрометра). Соответственно, ширину W1 непрозрачного материала 420 необходимо проектировать в диапазоне от 0 мкм до 2 мкм. После экспериментальной проверки ширина W1 непрозрачного материала 420 предпочтительно составляет от 1 до 2 мкм.
На этапе S314 выполняют этап проявления фоторезистивного слоя (не изображен).
На этапе S316 выполняют этап травления для удаления части слоя 408 оксида индия-олова и части органического слоя 406. Поскольку ширина W1 непрозрачного материала 420 меньше ширины W2 прозрачной области C, органический слой 406, соответствующий области между прозрачной областью C и непрозрачным материалом 420, удаляется после этапа травления. Удаленная часть изображена в виде области, ограниченной пунктирной линией, на фиг. 6. Органический слой 406, соответствующий области непрозрачной области 420, не удаляется.
Как изображено на фиг. 6, поскольку толщина органического слоя 406 на границе между органическим слоем 406 и неорганическим слоем 400 уменьшилась (то есть, область, ограниченная пунктирной линией, удалена), эффект затенения органического слоя 406 не возникает. Свет может облучать слой 408 оксида индия-олова и таким образом слой 408 оксида индия-олова может быть полностью удален. На границе между неорганическим слоем 400 и органическим слоем 406 не остается оксида 408 индияолова, благодаря чему предотвращается короткое замыкание между металлическими проводами 402 и 404 на фиг. 4.
На этапе S318 удаляют оставшуюся часть фоторезистивного слоя.
На этапе S320 последовательно формируют светоизлучающий слой (не изображен) и катод (не изображен) на слое оксида индия-олова в светоизлучающей области (не изображен) для завершения изготовления органического светодиода.
Следует отметить, что, поскольку способы формирования светоизлучающего слоя (не изображен) и катода (не изображен) не являются ключевыми пунктами настоящего изобретения, они не изображены на фиг. 4-6.
Благодаря размещению непрозрачного материала 420, ширина W1 которого меньше ширины W2 прозрачной области C (этап S314), настоящее изобретение способно уменьшить толщину органического слоя 406, как изображено на фиг. 6, после осуществления этапа травления для удаления части слоя 408 оксида индия-олова и части органического слоя 406 (этап S320). В результате, можно полностью удалить слой 408 оксида индия-олова и можно предотвратить короткое замыкание между металлическими проводами 402 и 404.
Специалисту в данной области будет понятно, что вышеизложенные предпочтительные варианты осуществления настоящего изобретения являются иллюстративными, но не ограничивающими настоящее изобретение. Предполагается, что они охватывают различные модификации и подобные конструкции, лежащие в пределах объема и идеи прилагаемой формулы изобретения, объему которой должно быть предоставлено наиболее широкое толкование с тем, чтобы охватывать все подобные модификации и подобные структуры.
Claims (8)
- ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ1. Способ изготовления дисплея на органических светодиодах, включающий формирование неорганического слоя на подложке;формирование по меньшей мере двух металлических дорожек на неорганическом слое; формирование органического слоя на указанных двух металлических дорожках;формирование слоя оксида индия-олова на органическом слое;нанесение покрытия фоторезистивного слоя;выполнение этапа экспонирования фоторезистивного слоя с помощью фотошаблона так, чтобы обеспечить облучение светом в области между двумя металлическими дорожками;выполнение этапа проявления фоторезистивного слоя и выполнение этапа травления для удаления части слоя оксида индия-олова и части органического слоя.
- 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что фотошаблон имеет прозрачную область, соответствующую положению между двумя металлическими дорожками, непрозрачный материал, расположенный в прозрачной области, при этом фотошаблон выбирается так, чтобы его разрешающая способность была равна расстоянию между двумя отдельными дорожками, и ширина непрозрачного материала меньше ширины прозрачной области фотошаблона.
- 3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что дополнительно включает этап удаления оставшейся части фоторезистивного слоя после этапа выполнения этапа травления для удаления части слоя оксида индия-олова и части органического слоя.- 4 031170
- 4. Способ по п.2, отличающийся тем, что ширина непрозрачного материала составляет менее 2 мкм.
- 5. Способ по п.4, отличающийся тем, что ширина непрозрачного материала предпочтительно составляет от 1 до 2 мкм.
- 6. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что две металлические дорожки служат в качестве истоков.
- 7. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что две металлические дорожки служат в качестве стоков.
- 8. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что две металлические дорожки сформированы методом жидкостного травления.(Известный уровень техники) (Известный уровень техники)- 5 031170Фиг. 3Фиг. 4- 6 031170О
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310361689.6A CN103426820B (zh) | 2013-08-19 | 2013-08-19 | 避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法 |
| PCT/CN2013/088056 WO2015024321A1 (zh) | 2013-08-19 | 2013-11-28 | 避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA201690385A1 EA201690385A1 (ru) | 2016-07-29 |
| EA031170B1 true EA031170B1 (ru) | 2018-11-30 |
| EA031170B9 EA031170B9 (ru) | 2019-03-29 |
Family
ID=49651372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA201690385A EA031170B9 (ru) | 2013-08-19 | 2013-11-28 | Способ предотвращения короткого замыкания между металлическими дорожками в дисплее на органических светодиодах |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9076992B2 (ru) |
| JP (1) | JP6096390B2 (ru) |
| KR (1) | KR101790104B1 (ru) |
| CN (1) | CN103426820B (ru) |
| EA (1) | EA031170B9 (ru) |
| GB (1) | GB2534055B (ru) |
| WO (1) | WO2015024321A1 (ru) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103441099B (zh) * | 2013-08-19 | 2015-04-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法 |
| CN104868224B (zh) * | 2014-02-21 | 2018-07-06 | 联想(北京)有限公司 | 一种电子设备 |
| CN108701719A (zh) * | 2016-02-22 | 2018-10-23 | 夏普株式会社 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 |
| JP7220320B2 (ja) * | 2017-10-30 | 2023-02-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
| CN111430435B (zh) * | 2020-04-15 | 2022-12-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置以及显示面板的制造方法 |
| CN112635493B (zh) * | 2020-12-21 | 2022-09-20 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板的制备方法、显示面板和显示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070159080A1 (en) * | 2002-11-22 | 2007-07-12 | Luxell Technologies, Inc. | Transparent-cathode for top-emission organic light-emitting diodes |
| CN102034935A (zh) * | 2010-09-27 | 2011-04-27 | 南京邮电大学 | 高对比度顶发光型有机发光二极管 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3305235B2 (ja) * | 1997-07-01 | 2002-07-22 | 松下電器産業株式会社 | アクティブ素子アレイ基板 |
| JP2001109395A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| KR100413668B1 (ko) * | 2001-03-29 | 2003-12-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
| JP4869497B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2012-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| TW548862B (en) * | 2002-05-30 | 2003-08-21 | Au Optronics Corp | Method of preventing anode of active matrix organic light emitting diode from breaking |
| JP2004030977A (ja) | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Samsung Nec Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光素子の製造方法 |
| KR100858802B1 (ko) * | 2002-07-31 | 2008-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 발광 소자의 제조방법 |
| JP4193170B2 (ja) | 2003-01-09 | 2008-12-10 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 表示素子の欠陥修復方法 |
| JP4741177B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2011-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
| KR100903101B1 (ko) * | 2005-02-07 | 2009-06-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP5235269B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2013-07-10 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 画像表示装置およびその製造方法 |
| US20080258138A1 (en) * | 2007-04-23 | 2008-10-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and fabricating method thereof, and flat panel display with the same |
| JP2008309985A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ用フォトマスク及びそれを用いたカラーフィルタの製造方法 |
| JP2009110793A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Kyocera Corp | 画像表示装置の製造方法およびそれに用いる露光マスク |
| JP5046915B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2012-10-10 | 京セラ株式会社 | 表示装置用基板、表示装置、及び表示装置用基板の製造方法 |
| JP5565047B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-08-06 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| KR101212225B1 (ko) * | 2010-05-06 | 2012-12-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2012235310A (ja) | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Sony Corp | 信号処理装置および方法、プログラム、並びにデータ記録媒体 |
| KR20140007688A (ko) * | 2012-07-10 | 2014-01-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 쇼트 불량 리페어 방법, 상기 리페어 방법에 의해 제조된 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
| CN102751312B (zh) * | 2012-07-27 | 2015-10-28 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种oled显示器及其制造方法 |
-
2013
- 2013-08-19 CN CN201310361689.6A patent/CN103426820B/zh active Active
- 2013-11-28 US US14/129,992 patent/US9076992B2/en active Active
- 2013-11-28 KR KR1020167004497A patent/KR101790104B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-28 WO PCT/CN2013/088056 patent/WO2015024321A1/zh active Application Filing
- 2013-11-28 JP JP2016532197A patent/JP6096390B2/ja active Active
- 2013-11-28 EA EA201690385A patent/EA031170B9/ru not_active IP Right Cessation
- 2013-11-28 GB GB1603702.0A patent/GB2534055B/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070159080A1 (en) * | 2002-11-22 | 2007-07-12 | Luxell Technologies, Inc. | Transparent-cathode for top-emission organic light-emitting diodes |
| CN102034935A (zh) * | 2010-09-27 | 2011-04-27 | 南京邮电大学 | 高对比度顶发光型有机发光二极管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103426820B (zh) | 2015-04-22 |
| KR101790104B1 (ko) | 2017-10-25 |
| GB2534055B (en) | 2019-01-02 |
| US20150140714A1 (en) | 2015-05-21 |
| EA031170B9 (ru) | 2019-03-29 |
| CN103426820A (zh) | 2013-12-04 |
| US9076992B2 (en) | 2015-07-07 |
| JP2016527692A (ja) | 2016-09-08 |
| JP6096390B2 (ja) | 2017-03-15 |
| GB2534055A (en) | 2016-07-13 |
| EA201690385A1 (ru) | 2016-07-29 |
| GB201603702D0 (en) | 2016-04-20 |
| KR20160034381A (ko) | 2016-03-29 |
| WO2015024321A1 (zh) | 2015-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102508708B1 (ko) | 디스플레이 패널 및 그 제조방법 | |
| US11302822B2 (en) | Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and fabrication method thereof | |
| EA031170B1 (ru) | Способ предотвращения короткого замыкания между металлическими проводами в дисплее на органических светодиодах | |
| WO2018149142A1 (zh) | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板 | |
| US11133366B2 (en) | Array substrate and method of manufacturing the same, and display device | |
| US10109654B2 (en) | Manufacturing method of display substrate, display substrate and display device | |
| CN102902111B (zh) | 形成透明电极以及制造液晶显示装置的阵列基板的方法 | |
| CN202473925U (zh) | 一种顶栅型tft阵列基板及显示装置 | |
| US10243010B2 (en) | Semiconductor substrate and display device | |
| WO2016090886A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法和显示面板 | |
| EP2757589A2 (en) | Methods for fabricating a thin film transistor and an array substrate | |
| CN103165529A (zh) | 一种阵列基板的制备方法 | |
| US20150140728A1 (en) | Method for avoiding short circuit of metal circuits in oled display device | |
| CN104157608B (zh) | Tft基板的制作方法及其结构 | |
| JP2016225593A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| KR20100133170A (ko) | 2개의 포토 마스크를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
| CN101625492B (zh) | 薄膜晶体管阵列基板制造方法 | |
| CN210403734U (zh) | 一种显示基板、显示装置 | |
| CN210607260U (zh) | 一种显示基板、显示装置 | |
| CN103647028A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| US9383608B2 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof | |
| CN103050441B (zh) | 氧化物薄膜晶体管制程方法 | |
| CN113964191B (zh) | 氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 | |
| EA031169B1 (ru) | Способ изготовления дисплея на органических светодиодах | |
| TWI417966B (zh) | 畫素結構的製作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TH4A | Publication of the corrected specification to eurasian patent | ||
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ BY KZ KG TJ TM |