JP2004030977A - 有機電界発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に所定パターンの第１、２電極及び、発光層が形成される有機電界発光素子の製造方法において、透明基板１０上に電極材料膜及び第１フォトレジスト膜を順次積層させて第１フォトマスクを利用して露光、現像及びエッチングして所定パターンの第１電極１１を形成する第１次第１電極形成段階と、所定パターンの第１電極が埋立てられるように第２フォトレジスト膜２２を形成して、第２フォトマスク２３を利用して露光、現像及びエッチングすることによって露出された透明基板上に残っている残留物を除去する第２次第１電極形成段階とを含む。これにより、第１フォトマスクよりスロットのピッチＰ２が狭い第２フォトマスクでもう一回露光、現像及びエッチングすることによって、金属残留物を除去して画素間及び電極端子間の短絡を防止できる。
【選択図】 図１Ｅ
【解決手段】透明基板上に所定パターンの第１、２電極及び、発光層が形成される有機電界発光素子の製造方法において、透明基板１０上に電極材料膜及び第１フォトレジスト膜を順次積層させて第１フォトマスクを利用して露光、現像及びエッチングして所定パターンの第１電極１１を形成する第１次第１電極形成段階と、所定パターンの第１電極が埋立てられるように第２フォトレジスト膜２２を形成して、第２フォトマスク２３を利用して露光、現像及びエッチングすることによって露出された透明基板上に残っている残留物を除去する第２次第１電極形成段階とを含む。これにより、第１フォトマスクよりスロットのピッチＰ２が狭い第２フォトマスクでもう一回露光、現像及びエッチングすることによって、金属残留物を除去して画素間及び電極端子間の短絡を防止できる。
【選択図】 図１Ｅ
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機電界発光素子の製造方法に係り、より詳細にはフォトマスクに基づく金属残留物を除去して画素間の短絡を防止する有機電界発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電界発光素子は能動発光型表示素子であって、視野角が広くてコントラストに優れただけでなく応答速度が速いために次世代表示素子として注目されている。
【０００３】
このような電界発光素子は発光層を形成する物質によって無機電界発光素子と有機電界発光素子とに区分されるが、有機電界発光素子は無機電界発光素子に比べて輝度、応答速度などの特性に優れ、カラーディスプレイできる長所を有している。
【０００４】
このような有機電界発光素子は、透明な絶縁基板上に所定パターンで形成された第１電極と、この第１電極が形成された絶縁基板上に真空蒸着法により形成された有機発光層と、上記有機発光層の上面に形成されて上記第１電極と交差する方向に形成されるカソード電極層の第２電極とを含む。
【０００５】
このような有機電界発光素子を製作するにあたって、第１電極間の短絡を防止するために隔壁を形成する技術が特開平１１−３１７２８８号に開示されている。しかし、このような発明もフォトマスクについた異物に基づく第１電極間の短絡を解消できない。
【０００６】
これを詳細に説明すれば、有機電界発光素子を製作するにおいて、上記第１電極はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）よりなるが、このＩＴＯのパターニングはフォトリソグラフィー法を使用して塩化第２鉄を含むエッチング液のうち湿式エッチング法によりパターン化する。しかし、フォトマスクを使用してＩＴＯ膜をパターニングすれば上記フォトマスクについた異物やフォトレジスト膜の残留物により有機電界発光素子の透明基板のパネル表示部に金属残留物が生じる。このような金属残留物は画像不良の原因になる恐れがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記問題を解決するために本発明は、フォトマスクに基づく金属残留物を除去して画素間の短絡を防止する有機電界発光素子の製造方法を提供することにその目的がある。
【０００８】
本発明の他の目的は、電極を外部電源に接続する電極端子間の空間も２回エッチングすることによって電極端子間の短絡も防止する有機電界発光素子の製造方法を提供することにその目的がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記のような目的を達成するための本発明の有機電界発光素子の製造方法は、透明基板上に所定パターンの第１、第２電極が形成されて、上記第１、第２電極間に有機発光層が形成される有機電界発光素子の製造方法において、第１電極形成段階は透明基板上に電極材料膜及び第１フォトレジスト膜を順次積層させて第１フォトマスクを利用して露光、現像及びエッチングして所定パターンの第１電極を形成する第１次第１電極形成段階と、所定パターンの第１電極が埋立てられるように第２フォトレジスト膜を形成して、第２フォトマスクを利用して露光、現像及びエッチングすることによって露出された透明基板上に残っている残留物を除去する第２次第１電極形成段階とを含むことを特徴とする。フォトマスクの使用順は、第２フォトマスクを先に使用して露光、現像及びエッチングしてから、第１フォトマスクを使用して露光、現像及びエッチングしても同じ効果が得られる。
【００１０】
また、上記第２フォトマスクは上記第１フォトマスクよりスロットのピッチを狭く形成することを特徴とする。
【００１１】
また、上記第２フォトマスクのスロットのピッチは上記第１フォトマスクのスロットのピッチより３ないし１０００μｍ程度狭く形成することを特徴とする。
【００１２】
また、上記第１、第２フォトマスクには上記第１電極を外部電源と接続させる第１電極端子のパターンがさらに形成されたことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明による望ましい実施形態を詳細に説明する。
【００１４】
図３を参照すれば、有機電界発光素子は透明基板１０、第１電極１１、有機発光層１５及び第２電極１６の順に積層される。上記透明基板１０としては透明性を有する素材、例えば、ガラス、石英、有機高分子化合物などが適当である。また、第１電極１１は仕事関数が４ｅＶ以上で大きい誘電性透明材料が望ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯなどが該当する。上記第１電極１１は上記透明材料を蒸着したりあるいはスパッタリングすることによって基板上に薄膜で形成する。上記有機発光層１５は正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の順に下から積層され、公知のいろいろな物質を利用できる。上記有機発光層１５の上面には所定パターンの第２電極が形成される。
【００１５】
このような有機電界発光素子の製造方法のうち上記第１電極１１の形成時に残っている残留物１４を除去する方法を図１Ａないし図１Ｆに示した。
【００１６】
図１Ａないし図１Ｃは第１次第１電極形成段階を示した図面であり、図１Ｄないし図１Ｆは第２次第１電極形成段階を示した図面である。
【００１７】
上記第１次第１電極形成段階はまず図１Ａに示したように、透明基板１０上に電極材料膜１１及び第１フォトレジスト膜１２を順次積層させる。そして、図１Ｂに示したように、所定パターンの第１フォトマスク１３を利用して露光及び現像する。この場合に上記第１フォトマスク１３についた異物１が上記第１フォトレジスト膜１２や電極材料膜１１の上面に落ちてつく。このような異物により上記露光及び現像工程が妨害されて後述する第１フォトレジスト膜と結合して容易にエッチングされずに残留物１４が形成される。
【００１８】
そして、図１Ｃに示したように、上記第１フォトレジスト膜１２をエッチングバッファ膜としてエッチングすることによって所定パターンの第１電極１１を形成する。しかし、上記第１フォトレジスト膜１２がすべてエッチングされずに一部が残って上述した残留物１４が生じる。
【００１９】
上記第１フォトマスク１３に基づく異物及び第１フォトレジスト膜１２による残留物１４を除去するための第２次第１電極形成段階は、まず、図１Ｄに示したように上記所定パターンの第１電極１１が埋立てられるように第２フォトレジスト膜２２を形成する。そして、図１Ｅに示したように、所定パターンの第２フォトマスク２３を利用して露光及び現像する。そして、図１Ｆに示したように、上記第２フォトレジスト膜２２をエッチングバッファ膜としてエッチングすることによって露出された透明基板１０上に残っている残留物１４を除去する。すなわち、第１フォトマスク１３を利用した露光、現像及びエッチング工程でエッチングされていない残留物１４を再びエッチングして除去する。図２には透明基板１０上に第１電極１１が形成された状態を示している。
【００２０】
この場合に上記第２フォトマスク２３のスロットのピッチＰ２は上記第１フォトマスク１３のスロットのピッチＰ１より狭く形成することが望ましい。これは第１フォトマスク１３の整列位置と第２フォトマスク２３の整列位置との間に公差が生じる場合に上記第１電極１１の所定パターンが細くなって短絡が生じることを防止する。
【００２１】
上記第２フォトマスク２３は上記第１フォトマスク１３のスロットのピッチＰ１より３ないし１０００μｍ程度狭く形成することが望ましい。
【００２２】
一方、図６Ｂに示したように、上記第１電極１１を外部電源と接続させる第１電極端子２５が上記透明基板１０の縁部に沿って形成される。上記第１電極端子２５は金属導電膜で形成される。
【００２３】
上記第１電極端子２５の形成段階を図面を利用して詳細に説明する。図４に示したように、上面に電極材料膜１１及び金属導電膜２５が積層された透明基板１０を備える。上記のように透明基板１０の準備が完了すれば、上記透明基板１０の上面に形成された金属導電膜２５を加工して透明基板１０の縁部に第１電極端子２５を形成する。これはフォトリソグラフィー法を利用して形成する（図５Ａ、図５Ｂ）。上記のように第１電極端子２５の形成が完了すれば、透明基板１０上に露出された電極材料膜１１を第１フォトマスクを利用して露光、現像及びエッチングすることによって上記第１電極端子２５と各々接続される所定パターンの第１電極１１を形成する（図６Ａ、図６Ｂ）。この場合に上記第１フォトマスクには第１電極端子２５の所定パターンがさらに形成される。そして、第２フォトマスクを利用して露光、現像及びエッチングすることによって第２次第１電極形成段階を実施する。上記第２フォトマスクにも第１電極端子２５の所定パターンがさらに形成される。したがって、上記第２次第１電極形成段階で上記第１電極端子２５間の空間２６も２回エッチングされ、上記第１電極端子間の空間２６に存在する残留物による短絡を防止できる。
【００２４】
本明細書では本発明を限定された実施形態を中心に説明したが、本発明の範囲内で多様な実施形態が可能である。したがって本発明の真の保護範囲は特許請求の範囲によって決まらねばならない。
【００２５】
【発明の効果】
上記のような構成を有する本発明による有機電界発光素子の製造方法は、第１フォトマスクよりスロットのピッチが狭い第２フォトマスクでもう一回露光、現像及びエッチングすることによって第１フォトマスクに基づく金属残留物を除去して画素間の短絡を防止できる利点がある。
【００２６】
また、電極を外部電源に接続する電極端子間の空間を第１フォトマスクよりスロットのピッチが狭い第２フォトマスクでもう一回エッチングすることによって電極端子間の短絡も防止できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】本発明の一実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示す図面である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示す図面である。
【図１Ｃ】本発明の一実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示す図面である。
【図１Ｄ】本発明の一実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示す図面である。
【図１Ｅ】本発明の一実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示す図面である。
【図１Ｆ】本発明の一実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示す図面である。
【図２】透明基板上に第１電極が形成されたことを示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態による有機電界発光素子の断面図である。
【図４】第１電極端子及び第１電極の製造方法を示す図面である。
【図５Ａ】第１電極端子及び第１電極の製造方法を示す図面である。
【図５Ｂ】第１電極端子及び第１電極の製造方法を示す図面である。
【図６Ａ】第１電極端子及び第１電極の製造方法を示す図面である。
【図６Ｂ】第１電極端子及び第１電極の製造方法を示す図面である。
【符号の説明】
１０ 透明基板
１１ 第１電極
１２ 第１フォトレジスト膜
１３ 第１フォトマスク
１４ 残留物
２２ 第２フォトレジスト膜
２３ 第２フォトマスク
２５ 第１電極端子
【発明の属する技術分野】
本発明は有機電界発光素子の製造方法に係り、より詳細にはフォトマスクに基づく金属残留物を除去して画素間の短絡を防止する有機電界発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電界発光素子は能動発光型表示素子であって、視野角が広くてコントラストに優れただけでなく応答速度が速いために次世代表示素子として注目されている。
【０００３】
このような電界発光素子は発光層を形成する物質によって無機電界発光素子と有機電界発光素子とに区分されるが、有機電界発光素子は無機電界発光素子に比べて輝度、応答速度などの特性に優れ、カラーディスプレイできる長所を有している。
【０００４】
このような有機電界発光素子は、透明な絶縁基板上に所定パターンで形成された第１電極と、この第１電極が形成された絶縁基板上に真空蒸着法により形成された有機発光層と、上記有機発光層の上面に形成されて上記第１電極と交差する方向に形成されるカソード電極層の第２電極とを含む。
【０００５】
このような有機電界発光素子を製作するにあたって、第１電極間の短絡を防止するために隔壁を形成する技術が特開平１１−３１７２８８号に開示されている。しかし、このような発明もフォトマスクについた異物に基づく第１電極間の短絡を解消できない。
【０００６】
これを詳細に説明すれば、有機電界発光素子を製作するにおいて、上記第１電極はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）よりなるが、このＩＴＯのパターニングはフォトリソグラフィー法を使用して塩化第２鉄を含むエッチング液のうち湿式エッチング法によりパターン化する。しかし、フォトマスクを使用してＩＴＯ膜をパターニングすれば上記フォトマスクについた異物やフォトレジスト膜の残留物により有機電界発光素子の透明基板のパネル表示部に金属残留物が生じる。このような金属残留物は画像不良の原因になる恐れがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記問題を解決するために本発明は、フォトマスクに基づく金属残留物を除去して画素間の短絡を防止する有機電界発光素子の製造方法を提供することにその目的がある。
【０００８】
本発明の他の目的は、電極を外部電源に接続する電極端子間の空間も２回エッチングすることによって電極端子間の短絡も防止する有機電界発光素子の製造方法を提供することにその目的がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記のような目的を達成するための本発明の有機電界発光素子の製造方法は、透明基板上に所定パターンの第１、第２電極が形成されて、上記第１、第２電極間に有機発光層が形成される有機電界発光素子の製造方法において、第１電極形成段階は透明基板上に電極材料膜及び第１フォトレジスト膜を順次積層させて第１フォトマスクを利用して露光、現像及びエッチングして所定パターンの第１電極を形成する第１次第１電極形成段階と、所定パターンの第１電極が埋立てられるように第２フォトレジスト膜を形成して、第２フォトマスクを利用して露光、現像及びエッチングすることによって露出された透明基板上に残っている残留物を除去する第２次第１電極形成段階とを含むことを特徴とする。フォトマスクの使用順は、第２フォトマスクを先に使用して露光、現像及びエッチングしてから、第１フォトマスクを使用して露光、現像及びエッチングしても同じ効果が得られる。
【００１０】
また、上記第２フォトマスクは上記第１フォトマスクよりスロットのピッチを狭く形成することを特徴とする。
【００１１】
また、上記第２フォトマスクのスロットのピッチは上記第１フォトマスクのスロットのピッチより３ないし１０００μｍ程度狭く形成することを特徴とする。
【００１２】
また、上記第１、第２フォトマスクには上記第１電極を外部電源と接続させる第１電極端子のパターンがさらに形成されたことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明による望ましい実施形態を詳細に説明する。
【００１４】
図３を参照すれば、有機電界発光素子は透明基板１０、第１電極１１、有機発光層１５及び第２電極１６の順に積層される。上記透明基板１０としては透明性を有する素材、例えば、ガラス、石英、有機高分子化合物などが適当である。また、第１電極１１は仕事関数が４ｅＶ以上で大きい誘電性透明材料が望ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯなどが該当する。上記第１電極１１は上記透明材料を蒸着したりあるいはスパッタリングすることによって基板上に薄膜で形成する。上記有機発光層１５は正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の順に下から積層され、公知のいろいろな物質を利用できる。上記有機発光層１５の上面には所定パターンの第２電極が形成される。
【００１５】
このような有機電界発光素子の製造方法のうち上記第１電極１１の形成時に残っている残留物１４を除去する方法を図１Ａないし図１Ｆに示した。
【００１６】
図１Ａないし図１Ｃは第１次第１電極形成段階を示した図面であり、図１Ｄないし図１Ｆは第２次第１電極形成段階を示した図面である。
【００１７】
上記第１次第１電極形成段階はまず図１Ａに示したように、透明基板１０上に電極材料膜１１及び第１フォトレジスト膜１２を順次積層させる。そして、図１Ｂに示したように、所定パターンの第１フォトマスク１３を利用して露光及び現像する。この場合に上記第１フォトマスク１３についた異物１が上記第１フォトレジスト膜１２や電極材料膜１１の上面に落ちてつく。このような異物により上記露光及び現像工程が妨害されて後述する第１フォトレジスト膜と結合して容易にエッチングされずに残留物１４が形成される。
【００１８】
そして、図１Ｃに示したように、上記第１フォトレジスト膜１２をエッチングバッファ膜としてエッチングすることによって所定パターンの第１電極１１を形成する。しかし、上記第１フォトレジスト膜１２がすべてエッチングされずに一部が残って上述した残留物１４が生じる。
【００１９】
上記第１フォトマスク１３に基づく異物及び第１フォトレジスト膜１２による残留物１４を除去するための第２次第１電極形成段階は、まず、図１Ｄに示したように上記所定パターンの第１電極１１が埋立てられるように第２フォトレジスト膜２２を形成する。そして、図１Ｅに示したように、所定パターンの第２フォトマスク２３を利用して露光及び現像する。そして、図１Ｆに示したように、上記第２フォトレジスト膜２２をエッチングバッファ膜としてエッチングすることによって露出された透明基板１０上に残っている残留物１４を除去する。すなわち、第１フォトマスク１３を利用した露光、現像及びエッチング工程でエッチングされていない残留物１４を再びエッチングして除去する。図２には透明基板１０上に第１電極１１が形成された状態を示している。
【００２０】
この場合に上記第２フォトマスク２３のスロットのピッチＰ２は上記第１フォトマスク１３のスロットのピッチＰ１より狭く形成することが望ましい。これは第１フォトマスク１３の整列位置と第２フォトマスク２３の整列位置との間に公差が生じる場合に上記第１電極１１の所定パターンが細くなって短絡が生じることを防止する。
【００２１】
上記第２フォトマスク２３は上記第１フォトマスク１３のスロットのピッチＰ１より３ないし１０００μｍ程度狭く形成することが望ましい。
【００２２】
一方、図６Ｂに示したように、上記第１電極１１を外部電源と接続させる第１電極端子２５が上記透明基板１０の縁部に沿って形成される。上記第１電極端子２５は金属導電膜で形成される。
【００２３】
上記第１電極端子２５の形成段階を図面を利用して詳細に説明する。図４に示したように、上面に電極材料膜１１及び金属導電膜２５が積層された透明基板１０を備える。上記のように透明基板１０の準備が完了すれば、上記透明基板１０の上面に形成された金属導電膜２５を加工して透明基板１０の縁部に第１電極端子２５を形成する。これはフォトリソグラフィー法を利用して形成する（図５Ａ、図５Ｂ）。上記のように第１電極端子２５の形成が完了すれば、透明基板１０上に露出された電極材料膜１１を第１フォトマスクを利用して露光、現像及びエッチングすることによって上記第１電極端子２５と各々接続される所定パターンの第１電極１１を形成する（図６Ａ、図６Ｂ）。この場合に上記第１フォトマスクには第１電極端子２５の所定パターンがさらに形成される。そして、第２フォトマスクを利用して露光、現像及びエッチングすることによって第２次第１電極形成段階を実施する。上記第２フォトマスクにも第１電極端子２５の所定パターンがさらに形成される。したがって、上記第２次第１電極形成段階で上記第１電極端子２５間の空間２６も２回エッチングされ、上記第１電極端子間の空間２６に存在する残留物による短絡を防止できる。
【００２４】
本明細書では本発明を限定された実施形態を中心に説明したが、本発明の範囲内で多様な実施形態が可能である。したがって本発明の真の保護範囲は特許請求の範囲によって決まらねばならない。
【００２５】
【発明の効果】
上記のような構成を有する本発明による有機電界発光素子の製造方法は、第１フォトマスクよりスロットのピッチが狭い第２フォトマスクでもう一回露光、現像及びエッチングすることによって第１フォトマスクに基づく金属残留物を除去して画素間の短絡を防止できる利点がある。
【００２６】
また、電極を外部電源に接続する電極端子間の空間を第１フォトマスクよりスロットのピッチが狭い第２フォトマスクでもう一回エッチングすることによって電極端子間の短絡も防止できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】本発明の一実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示す図面である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示す図面である。
【図１Ｃ】本発明の一実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示す図面である。
【図１Ｄ】本発明の一実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示す図面である。
【図１Ｅ】本発明の一実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示す図面である。
【図１Ｆ】本発明の一実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示す図面である。
【図２】透明基板上に第１電極が形成されたことを示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態による有機電界発光素子の断面図である。
【図４】第１電極端子及び第１電極の製造方法を示す図面である。
【図５Ａ】第１電極端子及び第１電極の製造方法を示す図面である。
【図５Ｂ】第１電極端子及び第１電極の製造方法を示す図面である。
【図６Ａ】第１電極端子及び第１電極の製造方法を示す図面である。
【図６Ｂ】第１電極端子及び第１電極の製造方法を示す図面である。
【符号の説明】
１０ 透明基板
１１ 第１電極
１２ 第１フォトレジスト膜
１３ 第１フォトマスク
１４ 残留物
２２ 第２フォトレジスト膜
２３ 第２フォトマスク
２５ 第１電極端子
Claims (5)
- 透明基板上に所定パターンの第１、第２電極が形成され、上記第１、第２電極間に有機発光層が形成される有機電界発光素子の製造方法において、
上記第１電極形成段階は、
透明基板上に電極材料膜及び第１フォトレジスト膜を順次積層させて、第１フォトマスクを利用して露光、現像及びエッチングして所定パターンの第１電極を形成する第１次第１電極形成段階と、
上記所定パターンの第１電極が埋立てられるように第２フォトレジスト膜を形成し、第２フォトマスクを利用して露光、現像及びエッチングすることによって露出された透明基板上に残っている残留物を除去する第２次第１電極形成段階とを含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 上記第２フォトマスクを先に使用して露光、現像及びエッチングしてから、上記第１フォトマスクを使用して露光、現像及びエッチングすることによって、露出された透明基板上に残っている残留物を除去する第２次第１電極形成段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 上記第２フォトマスクは上記第１フォトマスクよりスロットのピッチを狭く形成することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 上記第２フォトマスクのスロットのピッチは上記第１フォトマスクのスロットのピッチより３ないし１０００μｍ程度狭く形成することを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 上記第１、第２フォトマスクには上記第１電極を外部電源と接続させる第１電極端子のパターンがさらに形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008167383A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-07-17 | S-Cera Co Ltd | 圧電共振子を有する圧電共振装置の形成方法 |
| KR101790104B1 (ko) | 2013-08-19 | 2017-10-25 | 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 유기발광 표시장치의 금속 배선들 간 단락 방지 방법 |
-
2002
- 2002-06-21 JP JP2002181693A patent/JP2004030977A/ja active Pending
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| KR101790104B1 (ko) | 2013-08-19 | 2017-10-25 | 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 유기발광 표시장치의 금속 배선들 간 단락 방지 방법 |
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