JP2008167383A - 圧電共振子を有する圧電共振装置の形成方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、圧電共振子の電気的特性を向上させるために性形体に与える製造工程の影響を最小化させることができるようにする圧電共振装置の形成方法を提供する。
【解決手段】圧電共振子を有する圧電共振装置の形成方法を提供する。この形成方法は成形体から目的する厚さの成形基板を確保して圧電共振子の電気的特性を向上させることができる方案を提示する。このために、２個の性形体を準備する。前記性形体に焼結及び研磨工程を順に遂行して成形基板をそれぞれ形成する。前記成形基板の互いに向い合う面及びその面に対向する面に内部基板電極パターン及び外部基板電極パターンを形成する。前記成形基板の互いに向い合う面に接着剤を形成する。前記成形基板を切断して圧電共振パターンを形成する。前記圧電共振パターンの両側部に連結電極をそれぞれ位置させて圧電共振子を形成する。
【選択図】図８

Description

本発明は圧電共振装置の形成方法に係り、詳細には、圧電共振子を有する圧電共振装置の形成方法に関する。
一般的に、圧電共振装置は圧電共振子を用いて多くの周波数を有する電磁波（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｗａｖｅ）から目的する周波数を有する弾性波（Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を得ることができる電子個別素子である。この時に、前記圧電共振子は前工程段階及び後工程段階を介して形成することができる。前記前工程段階は性形体間の互いに向い合う面に内部基板電極パターンを形成すること、及び性形体に焼結及び研磨工程を遂行させて成形基板を形成することを含む。前記性形体は圧電物質を用いて形成することができる。そして、前記後工程段階は成形基板間の互いに向い合う面に対向する面に外部基板電極パターンを形成すること、及び成形基板を切断することを含む。前記成形基板のそれぞれの厚さは圧電共振子に目的する周波数を有する弾性波を与えることができるようにする。
しかし、前記圧電共振子は目的する周波数を有する弾性波を圧電共振装置に示さないことがある。なぜなら、前記圧電共振子は性形体に焼結及び研磨工程を遂行する段階を介して形成されるからである。すなわち、前記性形体は焼結工程前それら間に内部基板電極パターンを有する。そして、前記性形体は焼結工程の間内部基板電極パターンと異なる熱膨脹係数を有して焼結される。したがって、前記焼結工程が遂行された後に、前記性形体は内部基板電極パターンと接触する部位及び内部基板電極パターン周囲で相異なる厚さを有することができる。また、前記性形体は研磨工程を介して物理的現象による重力の影響で内部基板電極パターンを間に置いて上部側及び下部側で相異なる厚さをそれぞれ有することができる。
前記圧電共振子の形成方法が韓国登録特許公報第１０−０３０７６７９に竹島哲夫によって開示された。前記韓国登録特許公報第１０−０３０７６７９によれば、複数個のグリーンシート（＝性形体）が用意される。前記グリーンシート上に導電性ペーストがそれぞれ形成される。前記グリーンシートを積層してそしてそのシートに焼成工程を遂行させて積層ベースが形成される。この時に、前記導電性ペーストは焼成工程後内部電極でそれぞれ形成される。前記積層ベースの選択された両側面に分極電極がそれぞれ形成される。前記分極電極を用いて積層ベースを分極させる。前記積層ベースを切断して積層体が形成される。前記積層体上に絶縁膜及び外部電極が形成される。前記外部電極、絶縁膜及び積層体を切断して圧電共振子を形成する。
しかし、前記圧電共振子の形成方法はグリーンシート間に導電性ペーストを介在させて焼成工程を介して内部電極を形成することを含む。この時に、前記グリーンシートは導電性ペーストと接触する部位及び導電性ペースト周辺で焼成工程を介して相異なる厚さを有することができる。そして、前記圧電共振子の形成方法は複雑な段階を介して形成されるため製造原価を高めることができる。
韓国登録特許公報 第１０−０３０７６７９
本発明が解決しようとする技術的課題は圧電共振子の電気的特性を向上させるために性形体に与える製造工程の影響を最小化させることができるようにする圧電共振装置の形成方法を提供することにある。
前記技術的課題を具現するために、本発明は圧電共振子を有する圧電共振装置の形成方法を提供する。
この形成方法の第１実施形態は２個の性形体を準備することを含む。前記性形体のそれぞれは６個の平面で囲まれた立体図形を形成する。前記性形体に焼結工程を遂行する。前記性形体に研磨工程を遂行して成形基板をそれぞれ形成する。前記成形基板間の互いに向い合う面及び前記面に対向する面に基板分極膜をそれぞれ形成する。前記基板分極膜を用いて前記成形基板を分極させる。前記基板分極膜を用いて前記成形基板上に内部基板電極パターン及び外部基板電極パターンを形成する。前記内部及び外部基板電極パターンは前記成形基板間の前記互いに向い合う面及び前記対向する面にそれぞれ形成する。前記成形基板間の前記互いに向い合う面に接着剤を形成する。前記成形基板を切断して少なくとも一つの圧電共振パターンを形成する。前記圧電共振パターンは接続接着パターン、絶縁接着パターン、共振パターン、外部共振電極パターン及び内部共振電極パターンを有する。前記外部及び内部共振電極パターンそして前記共振パターンは前記外部及び内部基板電極パターンそして前記成形基板にそれぞれ対応する。前記接続及び絶縁接着パターンは前記接着剤に対応する。前記圧電共振パターン上に位置するように前記内部共振電極パターン間及び前記外部共振電極パターン間に連結電極を有する圧電共振子を形成する。
前記形成方法の第２実施形態は２個以上であって偶数個の性形体を準備することを含む。前記性形体のそれぞれは６個の平面で囲まれた立体図形を形成する。前記性形体に焼結工程を遂行する。前記性形体に研磨工程を遂行して成形基板をそれぞれ形成する。前記成形基板間の互いに向い合う面及び前記面に対向する面に基板分極膜を形成する。前記基板分極膜を用いて前記成形基板を分極させる。前記成形基板から２個を選択して前記２個の成形基板上に内部基板電極パターン及び外部基板電極パターンを形成する。前記内部及び外部基板電極パターンは前記基板分極膜を用いて前記２個の成形基板間の前記互いに向い合う面及び前記対向する面にそれぞれ形成する。前記２個の成形基板間の前記互いに向い合う面に接着剤を形成する。前記２個の成形基板を切断して少なくとも一つの圧電共振パターンを形成する。前記圧電共振パターンは接続接着パターン、絶縁接着パターン、共振パターン、外部共振電極パターン及び内部共振電極パターンを有する。前記外部及び内部共振電極パターンそして前記共振パターンは前記外部及び内部基板電極パターンそして前記成形基板にそれぞれ対応する。前記接続及び絶縁接着パターンは前記接着剤に対応する。前記圧電共振パターン上に位置するように前記内部共振電極パターン間及び前記外部共振電極パターン間に連結電極を有する圧電共振子を形成する。前記成形基板のうち残りから２個を単位で反復的に選択して前記内部基板電極パターン及び外部基板電極パターンを形成すること、前記接着剤を形成すること、前記圧電共振パターンを形成すること、及び前記圧電共振子を形成することを順に実施する。
前記形成方法の第３実施形態は２個以上であって偶数個の性形体を準備することを含む。前記性形体のそれぞれは６個の平面で囲まれた立体図形を形成する。前記性形体に焼結工程を遂行する。前記性形体に研磨工程を遂行して成形基板をそれぞれ形成する。前記成形基板間の互いに向い合う面及び前記面に対向する面に基板分極膜を形成する。前記基板分極膜を用いて前記成形基板を分極させる。前記成形基板から２個を選択して前記２個の成形基板上に内部基板電極パターン及び外部基板電極パターンを形成する。前記内部及び外部基板電極パターンは前記基板分極膜を用いて前記２個の成形基板間の前記互いに向い合う面及び前記対向する面にそれぞれ形成する。前記２個の成形基板間の前記互いに向い合う面に接着剤を形成する。前記成形基板のうち残りから２個を単位で反復的に選択して前記内部及び外部基板電極パターンを形成すること、及び前記接着剤を形成することを順に遂行する。前記成形基板を切断して圧電共振パターンを形成する。前記圧電共振パターンのそれぞれは接続接着パターン、絶縁接着パターン、共振パターン、外部共振電極パターン及び内部共振電極パターンを有する。前記外部及び内部共振電極パターンそして前記共振パターンは前記外部及び内部基板電極パターンそして前記成形基板にそれぞれ対応する。前記接続及び絶縁接着パターンは前記接着剤に対応する。前記圧電共振パターンから一個を単位で反復的に選択して前記内部共振電極パターン間及び前記外部共振電極パターン間に位置するように前記１個の圧電共振パターン上に連結電極を有する圧電共振子を複数個形成する。
前記形成方法の第４実施形態は２個の性形体を準備することを含む。前記性形体のそれぞれは６個の平面で囲まれた立体図形を形成する。前記性形体に焼結工程を遂行する。前記性形体に研磨工程を遂行して成形基板をそれぞれ形成する。前記成形基板間の互いに向い合う面及びその面に対向する面に内部基板電極パターン及び外部基板電極パターンをそれぞれ形成する。前記外部及び内部基板電極パターンを用いて前記成形基板を分極させる。前記成形基板間の前記互いに向い合う面に接着剤を形成する。前記成形基板を切断して少なくとも一つの圧電共振パターンを形成する。前記圧電共振パターンは接続接着パターン、絶縁接着パターン、共振パターン、外部共振電極パターン及び内部共振電極パターンを有する。前記外部及び内部共振電極パターンそして前記共振パターンは前記外部及び内部基板電極パターンそして前記成形基板にそれぞれ対応する。前記接続及び絶縁接着パターンは前記接着剤に対応する。前記圧電共振パターン上に位置するように前記内部共振電極パターン間及び前記外部共振電極パターン間に連結電極を有する圧電共振子を形成する。
上述したように、本発明は圧電共振子を有する圧電共振装置の形成方法を提供する。これを介して、本発明は性形体に焼結及び研磨工程を先に遂行させて性形体に与える製造工程の影響を最小化して圧電共振子の電気的特性を向上させることができる。
以下、本発明の圧電共振子を有する圧電共振装置の形成方法は添付した図面を参照してさらに詳細に説明する。
図１ないし図７はそれぞれが本発明による圧電共振子の形成方法を説明する斜視図である。
図１を参照すると、２個の性形体２、４を準備する。前記性形体は成形塊（成形塊；図面に図示せず）から確保されることができる。すなわち、前記性形体２、４は当業者によく知られたプレス（Ｐｒｅｓｓ）、キャスティング（Ｃａｓｔｉｎｇ）または押出の技術を成形塊に遂行して形成することができる。前記性形体２、４のそれぞれは６個の平面で囲まれるように形成することができる。これとは異なるように、前記性形体２、４は２個以上であってそして偶数個で用意することができる。そして、前記成形塊は圧電物質（Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌ）を用いて形成することができる。この時に、前記成形塊は複数個の結晶で構成されることができる。
図１及び図２を参照すると、前記性形体２、４に焼結工程を遂行させる。前記焼結工程は性形体２、４に所定温度を加えて性形体２、４を硬化させる。前記焼結工程の所定温度は性形体２、４を硬化させることができるように当業者によく知られた温度範囲または図７の圧電共振子７０の電気的特性を向上させることができるように当業者によく知られた温度範囲内で適切な値を有することができる。続いて、前記焼結工程が遂行された後に、前記性形体２、４に研磨工程をそれぞれ遂行して成形基板６、８を図２のように形成する。
一方、性形体２、４が２個の場合に、前記成形基板６、８を形成することは本発明の第１及び４実施形態にしたがって前記性形体２、４を研磨装置内に二次元的に配列すること、及び前記性形体２、４に研磨工程を同時に遂行させることを含む。これとは異なるように、前記成形基板６、８を形成することは本発明の第１及び４実施形態にしたがって前記性形体２、４の中一つ（２または４）を研磨装置内に投入すること、前記一つ（２または４）に研磨工程を遂行させること、前記性形体２、４の中残り（４または２）を研磨装置内に投入してそして前記性形体２、４の中残り（４または２）に研磨工程を続いて遂行させることを含むことができる。これを介して、前記成形基板２、４は研磨工程を介して同一厚さを有するように形成することができる。
そして、２個以上であってそして偶数個の性形体が用意される場合に、本発明の第２及び３実施形態にしたがって、成形基板を形成することは前記性形体を研磨装置内に二次元的に配列すること、及び前記性形体に研磨工程を同時に遂行させることを含む。これとは異なるように、前記成形基板を形成することは前記性形体のうち選択された一つを研磨装置内に投入すること、前記選択された一つに研磨工程を遂行させること、前記性形体のうち残りから一個を単位で反復的に選択して研磨装置内に投入してそして前記研磨工程を遂行させることを順に実施することを含むことができる。これを介して、前記成形基板は研磨工程を介して同一厚さを有するように形成することができる。
図２及び図３を参照すると、前記成形基板６、８上に基板分極膜１２、１４を図３のように形成する。前記基板分極膜１２、１４は銀（Ａｇ）を含む導電物質を用いて形成することができる。前記基板分極膜１２、１４のそれぞれは少なくとも一つの導電膜を用いて形成することができる。２個の性形体２、４が用意される場合に、前記成形基板６、８は本発明の第１実施形態にしたがって基板分極膜１２、１４を用いて分極される。このために、前記成形基板６、８を分極させることは基板分極膜１２、１４に電気導線を直接接触させて成形基板６、８内結晶の分極軸を一列に整列することを含む。これとは異なるように、前記成形基板６、８を分極させることは基板分極膜１２、１４周辺に電界を形成させて成形基板６、８内結晶の分極軸を一列に整列することを含むことができる。
一方、２個以上であってそして偶数個の性形体が用意される場合に、本発明の第２及び３実施形態にしたがって、成形基板は基板分極膜を用いて分極される。この時に、前記成形基板を分極させることは基板分極膜に電気導線を直接接触させて成形基板内結晶の分極軸を一列に整列することを含む。これとは異なるように、前記成形基板を分極させることは基板分極膜周辺に電界を形成させて成形基板内結晶の分極軸を一列に整列することを含むことができる。したがって、本発明の第２及び３実施形態の基板分極膜は本発明の第１実施形態の基板分極膜１２、１４と同じ物質を用いて形成することができる。本発明の第２及び３実施形態の基板分極膜のそれぞれは少なくとも一つの導電膜を用いて形成することができる。本発明の第１ないし第３実施形態と異なるように、本発明の第４実施形態は成形基板６、８上に基板分極膜１２、１４を有しない。
図３及び図４を参照すると、前記成形基板６、８上に内部及び外部基板電極パターン１６、１８を本発明の第１実施形態にしたがって図４のように形成する。前記内部及び外部基板電極パターン１６、１８は成形基板６、８間の互いに向い合う面及びその面に対向する面にそれぞれ形成することができる。このために、２個の性形体２、４が用意される場合に、前記内部及び外部基板電極パターン１６、１８を形成することは前記基板分極膜１２、１４上にフォトレジストパターンを形成すること、前記フォトレジストパターン及び成形基板６、８をエッチングマスク及びエッチングバッファー膜でそれぞれ用いて基板分極膜１２、１４を除去すること、前記フォトレジストパターンを成形基板６、８から除去することを含む。この時に、前記フォトレジストパターンは内部基板電極パターン１６にそれぞれ対応するように形成することができる。
続いて、前記内部及び外部基板電極パターン１６、１８を形成することは前記基板分極膜１２、１４上に他のフォトレジストパターンを形成すること、前記他のフォトレジストパターン及び前記成形基板６、８をエッチングマスク及びエッチングバッファー膜で用いて基板分極膜１２、１４を除去すること、前記他のフォトレジストパターンを成形基板６、８から除去することをさらに含む。この時に、前記他のフォトレジストパターンは外部基板電極パターン１８にそれぞれ対応するように形成することができる。これを介して、前記外部基板電極パターン１８は内部基板電極パターン１６間に位置して内部基板電極パターン１６と重なるように形成することができる。これとは異なるように、前記外部基板電極パターン１８は内部基板電極パターン１６間に位置するように形成することができる。
再び図３及び図４を参照すると、２個以上であって偶数個の性形体が用意される場合に、本発明の第２及び３実施形態にしたがって、成形基板から２個を選択して本発明の第１実施形態と同じく前記２個の成形基板６、８上に内部基板電極パターン１６及び外部基板電極パターン１８を形成する。したがって、前記内部及び外部基板電極パターン１６、１８は基板分極膜１２、１４を用いて前記２個の成形基板６、８間の互いに向い合う面及びその面に対向する面にそれぞれ形成することができる。
一方、前記内部及び外部基板電極パターン１６、１８を形成することは前記基板分極膜１２、１４上にフォトレジストパターンを形成すること、前記フォトレジストパターン及び前記２個の成形基板６、８をエッチングマスク及びエッチングバッファー膜でそれぞれ用いて基板分極膜１２、１４を除去すること、前記フォトレジストパターンを前記２個の成形基板６、８から除去することを含む。この時に、前記フォトレジストパターンは内部基板電極パターン１６にそれぞれ対応するように形成することができる。
続いて、前記内部及び外部基板電極パターン１６、１８を形成することは前記基板分極膜１２、１４上に他のフォトレジストパターンを形成すること、前記他のフォトレジストパターン及び前記２個の成形基板６、８をエッチングマスク及びエッチングバッファー膜で用いて基板分極膜１２、１４を除去すること、前記他のフォトレジストパターンを前記２個の成形基板６、８から除去することをさらに含む。この時に、前記他のフォトレジストパターンは外部基板電極パターン１８にそれぞれ対応するように形成することができる。これを介して、前記外部基板電極パターン１８は内部基板電極パターン１６間に位置して内部基板電極パターン１６と重なるように形成することができる。これとは異なるように、前記外部基板電極パターン１８は内部基板電極パターン１６間に位置するように形成することができる。
再び図３及び図４を参照すると、本発明の第１ないし３実施形態と異なるように、２個の性形体２、４が用意される場合に、前記成形基板６、８間の互いに向い合う面及びその面に対向する面に内部基板電極パターン１６及び外部基板電極パターン１８を本発明の第４実施形態にしたがってそれぞれ形成する。このために、前記内部及び外部基板電極パターン１６、１８を形成することは前記成形基板６、８上に導電性ペーストパターンを形成すること、及び前記成形基板６、８上に他の導電性ペーストパターンを形成することを含む。そして、前記内部及び外部基板電極パターン１６、１８を形成することは前記成形基板６、８、導電性ペーストパターン及び他の導電性ペーストパターンに熱処理工程を遂行させることをさらに含む。前記導電性ペースト及び他の導電性ペーストは銀（Ａｇ）を含んだ導電物質を用いて形成することができる。
一方、前記導電性ペーストパターンは内部基板電極１６にそれぞれ対応するように形成することができる。前記他の導電性ペーストパターンは外部基板電極１８にそれぞれ対応するように形成することができる。また、前記外部基板電極パターン１８は内部基板電極パターン１６間に位置して内部基板電極パターン１６と重なるように形成することができる。これとは異なるように、前記外部基板電極パターン１８は内部基板電極パターン１６間に位置するように形成することができる。続いて、前記成形基板６、８を本発明の第４実施形態にしたがって外部及び内部基板電極パターン１６、１８を用いて分極させる。このために、前記成形基板６、８を分極させることは前記外部及び内部基板電極パターン１６、１８に電気導線を直接接触させて成形基板６、８内結晶の分極軸を一列に整列することを含む。これとは異なるように、前記成形基板６、８を分極させることは前記外部及び内部基板電極パターン１６、１８周辺に電界を形成させて成形基板６、８内結晶の分極軸を一列に整列することを含むことができる。
図４及び図５を参照すると、２個の性形体２、４が用意される場合に、前記成形基板６、８間の互いに向い合う面に本発明の第１及び４実施形態にしたがって接着剤２９を図５のように形成する。前記接着剤２９は接続接着膜２４及び絶縁接着膜２８を用いて形成する。前記絶縁接着膜２８は絶縁性物質を用いて形成することができる。前記接続接着膜２４は導電性物質を用いて形成することができる。この時に、前記接続接着膜２４は内部基板電極パターン１６と接触してそして前記絶縁接着膜２８は内部基板電極パターン１６間に位置して成形基板６、８と接触するように形成することができる。
これとは異なるように、２個以上であってそして偶数個の性形体が用意される場合に、本発明の第２及び３実施形態にしたがって、成形基板から２個を選択して前記２個の成形基板６、８間の前記互いに向い合う面に接着剤２９を形成する。前記接着剤２９は接続接着膜２４及び絶縁接着膜２８を用いて形成する。この時に、前記接続接着膜２４は内部基板電極パターン１６と接触してそして前記絶縁接着膜２８は内部基板電極パターン１６間に位置して成形基板６、８と接触するように形成することができる。
図５及び図６を参照すると、２個の性形体２、４が用意される場合に、前記成形基板６、８を切断して少なくとも一つの圧電共振パターン７０を本発明の第１及び４実施形態にしたがって図６のように形成する。前記成形基板６、８を切断することはダイシングソー（Ｄｉｃｉｎｇ Ｓａｗ）の技術を用いて遂行することができる。前記圧電共振パターン７０は外部共振電極パターン３４、３８、共振パターン４４、４８、内部共振電極パターン５４、５８、接続接着パターン６４及び絶縁接着パターン６８を有する。前記絶縁接着パターン６８は共振パターン４４、４８間に位置して接続接着パターン６４、そして外部及び内部共振電極パターン３４、３８、５４、及び５８と接触するように形成することができる。前記絶縁接着パターン６８は絶縁接着膜２８と対応する。前記接続接着パターン６４は内部共振電極パターン５４、５８間に位置するように形成することができる。前記接続接着パターン６４は接続接着膜２４と対応する。
前記内部共振電極パターン５４、５８は共振パターン４４、４８間の互いに向い合う面の一側に位置して互いに向い合うように形成することができる。前記外部共振電極パターン３４、３８は共振パターン４４、４８の互いに向い合う面の他の側と重なるように共振パターン４４、４８間の互いに向い合う面に対向する面に形成することができる。前記外部共振電極パターン３４、３８は内部共振電極パターン５４、５８と重なることができる。前記外部共振電極パターン３４、３８は内部共振電極パターン５４、５８と重ならないことがある。前記外部及び内部共振電極パターン３４、３８、５４及び５８は外部及び内部基板電極パターン１６、１８にそれぞれ対応する。
前記圧電共振パターン７０を形成することは前記内部及び外部基板電極パターン１６、１８間を切断線Ａ１−Ａ２、Ａ３−Ａ４、Ａ５−Ａ６、Ａ７−Ａ８、及びＡ９−Ａ１０に沿って経由してそして前記外部及び内部基板電極パターン１６、１８を横切る順序で切断線Ｂ１−Ｂ２に沿って図５のように成形基板６、８を切断することを含む。これとは異なるように、前記圧電共振パターン７０を形成することは前記外部及び内部基板電極パターン１６、１８を切断線Ｂ１−Ｂ２に沿って順序的に横切ってそして前記内部及び外部基板電極パターン１６、１８間を切断線Ａ１−Ａ２、Ａ３−Ａ４、Ａ５−Ａ６、Ａ７−Ａ８、及びＡ９−Ａ１０に沿って経由するように成形基板６、８を切断することを含むことができる。
再び図５及び図６を参照すると、２個以上であってそして偶数個の性形体が用意される場合に、本発明の第２実施形態にしたがって、前記成形基板から２個を選択して前記２個の成形基板６、８を切断して少なくとも一つの圧電共振パターン７０を形成する。前記２個の成形基板６、８を切断することはダイシングソーの技術を用いて遂行することができる。前記圧電共振パターン７０は外部共振電極パターン３４、３８、共振パターン４４、４８、内部共振電極パターン５４、５８、接続接着パターン６４及び絶縁接着パターン６８を有する。前記絶縁接着パターン６８は共振パターン４４、４８間に位置して接続接着パターン６４、外部及び内部共振電極パターン３４、３８、５４、及び５８と接触するように形成することができる。前記絶縁接着パターン６８は絶縁接着膜２８と対応する。前記接続接着パターン６４は内部共振電極パターン５４、５８間に位置するように形成することができる。前記接続接着パターン６４は接続接着膜２４と対応する。
前記内部共振電極パターン５４、５８は共振パターン４４、４８間の互いに向い合う面の一側に位置して互いに向い合うように形成することができる。前記外部共振電極パターン３４、３８は共振パターン４４、４８の互いに向い合う面の他の側と重なるように共振パターン４４、４８間の互いに向い合う面に対向する面に形成することができる。前記外部共振電極パターン３４、３８は内部共振電極パターン５４、５８と重なることができる。前記外部共振電極パターン３４、３８は内部共振電極パターン５４、５８と重ならないことがある。前記外部及び内部共振電極パターン３４、３８、５４及び５８は外部及び内部基板電極パターン１６、１８にそれぞれ対応する。
前記圧電共振パターン７０を形成することは前記内部及び外部基板電極パターン１６、１８間を切断線Ａ１−Ａ２、Ａ３−Ａ４、Ａ５−Ａ６、Ａ７−Ａ８、及びＡ９−Ａ１０に沿って経由してそして前記外部及び内部基板電極パターン１６、１８を横切る順序で切断線Ｂ１−Ｂ２に沿って図５のように成形基板６、８を切断することを含む。これとは異なるように、前記圧電共振パターン７０を形成することは前記外部及び内部基板電極パターン１６、１８を切断線Ｂ１−Ｂ２に沿って順序的に横切ってそして前記内部及び外部基板電極パターン１６、１８間を切断線Ａ１−Ａ２、Ａ３−Ａ４、Ａ５−Ａ６、Ａ７−Ａ８、及びＡ９−Ａ１０に沿って経由するように成形基板６、８を切断することを含むことができる。
再び図５及び図６を参照すると、２個以上であってそして偶数個の性形体が用意される場合に、本発明の第３実施形態にしたがって、成形基板のうち残りから２個を単位で反復的に選択して前記内部及び外部基板電極パターンを形成すること、及び前記接着剤を形成することを順に遂行する。これを介して、本発明の第３実施形態は２個ずつペアを組む成形基板を複数個で提供することができる。続いて、前記成形基板を切断して圧電共振パターンを形成する。前記成形基板を切断することはダイシングソーの技術を用いて遂行することができる。
前記圧電共振パターンのそれぞれは図６の圧電共振パターン７０と同一構造を有する。したがって、前記圧電共振パターンのそれぞれは外部共振電極パターン３４、３８、共振パターン４４、４８、内部共振電極パターン５４、５８、接続接着パターン６４及び絶縁接着パターン６８を有する。前記絶縁接着パターン６８は共振パターン４４、４８間に位置して接続接着パターン６４、外部及び内部共振電極パターン３４、３８、５４、及び５８と接触するように形成することができる。前記絶縁接着パターン６８は絶縁接着膜２８と対応する。前記接続接着パターン６４は内部共振電極パターン５４、５８間に位置するように形成することができる。前記接続接着パターン６４は接続接着膜２４と対応する。
前記内部共振電極パターン５４、５８は図６のように共振パターン４４、４８間の互いに向い合う面の一側に位置して互いに向い合うように形成することができる。前記外部共振電極パターン３４、３８は共振パターン４４、４８の互いに向い合う面の他の側と重なるように共振パターン４４、４８間の互いに向い合う面に対向する面に形成することができる。前記外部共振電極パターン３４、３８は内部共振電極パターン５４、５８と重なることができる。前記外部共振電極パターン３４、３８は内部共振電極パターン５４、５８と重ならないことがある。前記外部及び内部共振電極パターン３４、３８、５４及び５８は外部及び内部基板電極パターン１６、１８にそれぞれ対応する。
前記圧電共振パターンを形成することは図６のように前記内部及び外部基板電極パターン１６、１８間を切断線Ａ１−Ａ２、Ａ３−Ａ４、Ａ５−Ａ６、Ａ７−Ａ８、及びＡ９−Ａ１０に沿って経由してそして前記外部及び内部基板電極パターン１６、１８を横切る順序で切断線Ｂ１−Ｂ２に沿って成形基板を切断することを含む。これとは異なるように、前記圧電共振パターンを形成することは前記外部及び内部基板電極パターン１６、１８を切断線Ｂ１−Ｂ２に沿って順序的に横切ってそして前記内部及び外部基板電極パターン１６、１８間を切断線Ａ１−Ａ２、Ａ３−Ａ４、Ａ５−Ａ６、Ａ７−Ａ８、及びＡ９−Ａ１０に沿って経由するように成形基板を切断することを含むことができる。
図６及び図７を参照すると、２個の性形体２、４が用意される場合に、前記圧電共振パターン７０上に位置するように外部共振電極パターン３４、３８間及び内部共振電極パターン５４、５８間に連結電極７４、７８を有する圧電共振子８０を本発明の第１及び２実施形態にしたがって形成する。前記連結電極７４、７８のそれぞれは少なくとも一つの導電膜を用いて形成することができる。これを介して、前記連結電極７４、７８は外部共振電極パターン３４、３８、共振パターン４４、４８、内部共振電極パターン５４、５８、接続接着パターン６４及び絶縁接着パターン６８と接触できる。この時に、前記連結電極７４、７８は共振パターン４４、４８を間に置いて電気的に孤立される。前記連結電極７４、７８は圧電共振パターン７０の構造のため相異なる厚さを有するように形成することができる。前記連結電極７４、７８は同一厚さを有するように形成することもできる。
一方、２個以上であって偶数個の性形体が用意される場合に、本発明の第２実施形態は本発明の第１実施形態と同じく前記圧電共振パターン７０上に位置するように前記外部共振電極パターン３４、３８間及び前記内部共振電極パターン５４、５８間に連結電極７４、７８を有する圧電共振子８０を提供する。そして、前記成形基板のうち残りから２個を単位で反復的に選択して前記内部基板電極パターン１６及び外部基板電極パターン１８を形成すること、前記接着剤２９を形成すること、前記圧電共振パターン７０を形成すること、及び前記圧電共振子８０を形成することを順に実施する。また、本発明の第３実施形態は本発明の第１及び２実施形態と異なるように圧電共振パターンから一個を単位で反復的に選択して前記外部共振電極パターン３４、３８間及び前記内部共振電極パターン５４、５８間に位置するように前記１個の圧電共振パターン７０上に連結電極７４、７８を有する圧電共振子８０を複数個提供することができる。本発明の第２及び３実施形態にしたがって、前記連結電極７４、７８は圧電共振パターン７０の構造のため相異なる厚さを有するように形成することができる。前記連結電極７４、７８は同一厚さを有するように形成することもできる。
図８は図７の圧電共振子を有する積層型の圧電共振装置を見せてくれる断面図であって、そして図９は図７の圧電共振子を有するキャップ形の圧電共振装置を見せてくれる断面図である。
図７及び図８を参照すると、保護キャップ１１５及び共振ベース（Ｒｅｓｏｎａｎｔ Ｂａｓｅ；９４）そして圧電共振子８０を準備する。前記圧電共振子８０は本発明の第１ないし４実施形態のうち選択された一つにしたがって形成することができる。前記共振ベース９４はセラミック物質を用いて形成することができる。前記共振ベース９４は共振グルーブ９８を有する。前記共振ベース９４の共振グルーブ９８は互いに離隔する側壁ＳＷ１、ＳＷ２を有する。前記共振グルーブ９４の側壁ＳＷ１、ＳＷ２間に安着面（ＭＳ１；Ｍｏｕｎｔｉｎｇ Ｓｕｒｆａｃｅ １）が位置する。続いて、前記共振ベース９４上に保護接着膜１０５を形成する。前記保護接着膜１０５は共振グルーブ９８を囲むように共振ベース９４上に形成されることができる。前記保護接着膜１０５は絶縁性物質を用いて形成することができる。
前記共振ベース９４に圧電共振子８０を安着させる。この時に、前記圧電共振子８０は共振グルーブ９８の安着面（ＭＳ１）上に位置することができる。これを介して、前記圧電共振子８０は連結電極７４、７８を用いて共振ベース９４と電気的に接続することができる。そして、前記共振ベース９４上に保護キャップ１１５を形成する。前記保護キャップ１１５はセラミック物質を用いて形成することができる。この時に、前記保護キャップ１１５は保護接着膜１０５を用いて共振ベース９４上に付着することができる。これを介して、前記保護キャップ１１５は圧電共振子８０及び共振ベース９４と共に積層型の圧電共振装置１２０を形成することができる。
図７及び図９を参照すると、保護キャップ１４５及びプレートベース（Ｐｌａｔｅ Ｂａｓｅ；１２５）そして圧電共振子８０を準備する。前記圧電共振子８０は本発明の第１ないし４実施形態のうち選択された一つにしたがって形成することができる。前記プレートベース１２５はセラミック物質を用いて形成することができる。前記プレートベース１２５は安着面（ＭＳ２）を有する。続いて、前記プレートベース１２５上に圧電共振子８０を安着させる。この時に、前記圧電共振子８０はプレートベース１２５の安着面（ＭＳ２）上に位置することができる。これを介して、前記圧電共振子８０は連結電極７４、７８を用いてプレートベース１２５と電気的に接続することができる。
前記プレートベース１２５上に保護接着膜１３５を形成する。前記保護接着膜１３５は圧電共振子８０を囲むようにプレートベース１２５上に形成されることができる。前記保護接着膜１３５は絶縁性物質を用いて形成することができる。この時に、前記保護キャップ１４５は保護接着膜１３５を用いてプレートベース１２５上に付着することができる。これを介して、前記保護キャップ１４５は圧電共振子８０及びプレートベース１２５と共にキャップ形の圧電共振装置１５０を形成することができる。
本発明による圧電共振子の形成方法を説明する斜視図である。 本発明による圧電共振子の形成方法を説明する斜視図である。 本発明による圧電共振子の形成方法を説明する斜視図である。 本発明による圧電共振子の形成方法を説明する斜視図である。 本発明による圧電共振子の形成方法を説明する斜視図である。 本発明による圧電共振子の形成方法を説明する斜視図である。 本発明による圧電共振子の形成方法を説明する斜視図である。 図７の圧電共振子を有する積層型の圧電共振装置を見せてくれる断面図である。 図７の圧電共振子を有するキャップ形の圧電共振装置を見せてくれる断面図である。

Claims (60)

  1. ２個の性形体を準備するが、前記性形体のそれぞれは６個の平面で囲まれた立体図形を形成して、
    前記性形体に焼結工程を遂行して、
    前記性形体に研磨工程を遂行して成形基板をそれぞれ形成して、
    前記成形基板間の互いに向い合う面及び前記面に対向する面に基板分極膜をそれぞれ形成して、
    前記基板分極膜を用いて前記成形基板を分極させて、
    前記基板分極膜を用いて前記成形基板上に内部基板電極パターン及び外部基板電極パターンを形成するが、前記内部及び外部基板電極パターンは前記成形基板間の前記互いに向い合う面及び前記対向する面にそれぞれ形成して、
    前記成形基板間の前記互いに向い合う面に接着剤を形成して、
    前記成形基板を切断して少なくとも一つの圧電共振パターンを形成するが、前記圧電共振パターンは接続接着パターン、絶縁接着パターン、共振パターン、外部共振電極パターン及び内部共振電極パターンを有して、前記外部及び内部共振電極パターンそして前記共振パターンは前記外部及び内部基板電極パターンそして前記成形基板にそれぞれ対応して、前記接続及び絶縁接着パターンは前記接着剤に対応して、
    前記圧電共振パターン上に位置するように前記内部共振電極パターン間及び前記外部共振電極パターン間に連結電極を有する圧電共振子を形成することを含むことを特徴とする圧電共振装置の形成方法。
  2. 前記連結電極のそれぞれは少なくとも一つの導電膜を用いて形成することを特徴とする請求項１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  3. 前記圧電共振パターンを形成することは、
    前記内部及び外部基板電極パターン間を経由してそして前記外部及び内部基板電極パターンを横切る順序で前記成形基板を切断することを含むが、
    前記内部共振電極パターンは前記共振パターン間の互いに向い合う面の一側に位置して互いに向い合うように形成されて、前記外部共振電極パターンは前記共振パターン間の前記互いに向い合う面の他の側と重なるように前記共振パターン間の前記互いに向い合う面に対向する面に形成されて、前記絶縁接着パターンは共振パターン間に位置して接続接着パターンと接触するように形成されてそして前記接続接着パターンは前記内部共振電極パターン間に位置するように形成することを特徴とする請求項１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  4. 前記圧電共振パターンを形成することは、
    前記外部及び内部基板電極パターンを横切ってそして前記内部及び外部基板電極パターン間を経由する順序で前記成形基板を切断することを含むが、
    前記内部共振電極パターンは前記共振パターン間の互いに向い合う面の一側に位置して互いに向い合うように形成されて、前記外部共振電極パターンは前記共振パターン間の前記互いに向い合う面の他の側と重なるように前記共振パターン間の前記互いに向い合う面に対向する面に形成されて、前記絶縁接着パターンは共振パターン間に位置して接続接着パターンと接触するように形成されてそして前記接続接着パターンは前記内部共振電極パターン間に位置するように形成することを特徴とする請求項１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  5. 前記成形基板を切断することはダイシングソー（Ｄｉｃｉｎｇ Ｓａｗ）の技術を用いて遂行することを特徴とする請求項１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  6. 前記接着剤は絶縁接着膜及び接続接着膜を用いて形成するが、
    前記接続接着膜は前記内部基板電極パターンと接触してそして前記絶縁接着膜は前記内部基板電極パターン間に位置して前記成形基板と接触するように形成することを特徴とする請求項１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  7. 前記内部及び外部基板電極パターンを形成することは、
    前記基板分極膜上にフォトレジストパターンを形成するが、前記フォトレジストパターンは前記内部基板電極パターンにそれぞれ対応するように形成して、
    前記フォトレジストパターン及び前記成形基板をエッチングマスク及びエッチングバッファー膜でそれぞれ用いて前記基板分極膜を除去して、
    前記フォトレジストパターンを前記成形基板から除去して、
    前記基板分極膜上に他のフォトレジストパターンを形成するが、前記他のフォトレジストパターンは前記外部基板電極パターンにそれぞれ対応するように形成して、
    前記他のフォトレジストパターン及び前記成形基板をエッチングマスク及びエッチングバッファー膜で用いて前記基板分極膜を除去して、
    前記他のフォトレジストパターンを前記成形基板から除去することを含むことを特徴とする請求項１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  8. 前記外部基板電極パターンは前記内部基板電極パターン間に位置して前記内部基板電極パターンと重なるように形成することを特徴とする請求項１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  9. 前記外部基板電極パターンは前記内部基板電極パターン間に位置するように形成することを特徴とする請求項１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  10. 前記成形基板を分極させることは、
    前記基板分極膜に電気導線を直接接触させて前記成形基板内結晶の分極軸を一列に整列することを含むが、
    前記基板分極膜のそれぞれは少なくとも一つの導電膜を用いて形成することを特徴とする請求項１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  11. 前記成形基板を分極させることは、
    前記基板分極膜周辺に電界を形成させて前記成形基板内結晶の分極軸を一列に整列することを含むが、
    前記基板分極膜のそれぞれは少なくとも一つの導電膜を用いて形成することを特徴とする請求項１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  12. 前記成形基板を形成することは、
    前記性形体を研磨装置内に二次元的に配列して、及び
    前記性形体に研磨工程を同時に遂行させることを含むことを特徴とする請求項１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  13. 前記成形基板を形成することは、
    前記性形体のうち一つを研磨装置内に投入して、
    前記一つに研磨工程を遂行させて、
    前記性形体のうち残りを前記研磨装置内に投入して、及び
    前記性形体のうち前記残りに前記研磨工程を続いて遂行させることを含むことを特徴とする請求項１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  14. 前記成形基板は前記研磨工程を介して同一厚さを有するように形成することを特徴とする請求項１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  15. 前記性形体は圧電物質（Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌ）を用いて形成することを特徴とする請求項１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  16. ２個以上であって偶数個の性形体を準備するが、前記性形体のそれぞれは６個の平面で囲まれた立体図形を形成して、
    前記性形体に焼結工程を遂行して、
    前記性形体に研磨工程を遂行して成形基板をそれぞれ形成して、
    前記成形基板間の互いに向い合う面及び前記面に対向する面に基板分極膜を形成して、
    前記基板分極膜を用いて前記成形基板を分極させて、
    前記成形基板から２個を選択して前記２個の成形基板上に内部基板電極パターン及び外部基板電極パターンを形成するが、前記内部及び外部基板電極パターンは前記基板分極膜を用いて前記２個の成形基板間の前記互いに向い合う面及び前記対向する面にそれぞれ形成して、
    前記２個の成形基板間の前記互いに向い合う面に接着剤を形成して、
    前記２個の成形基板を切断して少なくとも一つの圧電共振パターンを形成するが、前記圧電共振パターンは接続接着パターン、絶縁接着パターン、共振パターン、外部共振電極パターン及び内部共振電極パターンを有して、前記外部及び内部共振電極パターンそして前記共振パターンは前記外部及び内部基板電極パターンそして前記成形基板にそれぞれ対応して、前記接続及び絶縁接着パターンは前記接着剤に対応して、
    前記圧電共振パターン上に位置するように前記内部共振電極パターン間及び前記外部共振電極パターン間に連結電極を有する圧電共振子を形成して、及び
    前記成形基板のうち残りから２個を単位で反復的に選択して前記内部基板電極パターン及び外部基板電極パターンを形成すること、前記接着剤を形成すること、前記圧電共振パターンを形成すること、及び前記圧電共振子を形成することを順に実施することを含むことを特徴とする圧電共振装置の形成方法。
  17. 前記連結電極、そして前記内部及び外部基板電極パターンは少なくとも一つの導電膜を用いて形成することを特徴とする請求項１６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  18. 前記圧電共振パターンを形成することは、
    前記内部及び外部基板電極パターン間を経由してそして前記外部及び内部基板電極パターンを横切る順序で前記成形基板を切断することを含むが、
    前記内部共振電極パターンは前記共振パターン間の互いに向い合う面の一側に位置して互いに向い合うように形成されて、前記外部共振電極パターンは前記共振パターン間の前記互いに向い合う面の他の側と重なるように前記共振パターン間の前記互いに向い合う面に対向する面に形成されて、前記絶縁接着パターンは共振パターン間に位置して接続接着パターンと接触するように形成されてそして前記接続接着パターンは前記内部共振電極パターン間に位置するように形成することを特徴とする請求項１６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  19. 前記圧電共振パターンを形成することは、
    前記外部及び内部基板電極パターンを横切ってそして前記内部及び外部基板電極パターン間を経由する順序で前記成形基板を切断することを含むが、
    前記内部共振電極パターンは前記共振パターン間の互いに向い合う面の一側に位置して互いに向い合うように形成されて、前記外部共振電極パターンは前記共振パターン間の前記互いに向い合う面の他の側と重なるように前記共振パターン間の前記互いに向い合う面に対向する面に形成されて、前記絶縁接着パターンは共振パターン間に位置して接続接着パターンと接触するように形成されてそして前記接続接着パターンは前記内部共振電極パターン間に位置するように形成することを特徴とする請求項１６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  20. 前記成形基板を切断することはダイシングソー（Ｄｉｃｉｎｇ Ｓａｗ）の技術を用いて遂行することを特徴とする請求項１６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  21. 前記接着剤は絶縁接着膜及び接続接着膜を用いて形成するが、
    前記接続接着膜は前記内部基板電極パターンと接触してそして前記絶縁接着膜は前記内部基板電極パターン間に位置して前記成形基板と接触するように形成することを特徴とする請求項１６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  22. 前記内部及び外部基板電極パターンを形成することは、
    前記基板分極膜上にフォトレジストパターンを形成するが、前記フォトレジストパターンは前記内部基板電極パターンにそれぞれ対応するように形成して、
    前記フォトレジストパターン及び前記２個の成形基板をエッチングマスク及びエッチングバッファー膜でそれぞれ用いて前記基板分極膜を除去して、
    前記フォトレジストパターンを前記２個の成形基板から除去して、
    前記基板分極膜上に他のフォトレジストパターンを形成するが、前記他のフォトレジストパターンは前記外部基板電極パターンにそれぞれ対応するように形成して、
    前記他のフォトレジストパターン及び前記２個の成形基板をエッチングマスク及びエッチングバッファー膜で用いて前記基板分極膜を除去して、
    前記他のフォトレジストパターンを前記２個の成形基板から除去することを含むことを特徴とする請求項１６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  23. 前記外部基板電極パターンは前記内部基板電極パターン間に位置して前記内部基板電極パターンと重なるように形成することを特徴とする請求項１６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  24. 前記外部基板電極パターンは前記内部基板電極パターン間に位置するように形成することを特徴とする請求項１６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  25. 前記成形基板を分極させることは、
    前記基板分極膜に電気導線を直接接触させて前記成形基板内結晶の分極軸を一列に整列することを含むが、
    前記基板分極膜のそれぞれは少なくとも一つの導電膜を用いて形成することを特徴とする請求項１６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  26. 前記成形基板を分極させることは、
    前記基板分極膜周辺に電界を形成させて前記成形基板内結晶の分極軸を一列に整列することを含むが、
    前記基板分極膜のそれぞれは少なくとも一つの導電膜を用いて形成することを特徴とする請求項１６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  27. 前記成形基板を形成することは、
    前記性形体を研磨装置内に二次元的に配列して、及び
    前記性形体に研磨工程を同時に遂行させることを含むことを特徴とする請求項１６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  28. 前記成形基板を形成することは、
    前記性形体のうち選択された一つを研磨装置内に投入して、
    前記選択された一つに研磨工程を遂行させて、及び
    前記性形体のうち残りから一個を単位で反復的に選択して前記研磨装置内に投入すること及び前記研磨工程を遂行させることを順に実施することを含むことを特徴とする請求項１６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  29. 前記成形基板は前記研磨工程を介して同一厚さを有するように形成することを特徴とする請求項１６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  30. 前記性形体は圧電物質（Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌ）を用いて形成することを特徴とする請求項１６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  31. ２個以上であって偶数個の性形体を準備するが、前記性形体のそれぞれは６個の平面で囲まれた立体図形を形成して、
    前記性形体に焼結工程を遂行して、
    前記性形体に研磨工程を遂行して成形基板をそれぞれ形成して、
    前記成形基板間の互いに向い合う面及び前記面に対向する面に基板分極膜を形成して、
    前記基板分極膜を用いて前記成形基板を分極させて、
    前記成形基板から２個を選択して前記２個の成形基板上に内部基板電極パターン及び外部基板電極パターンを形成するが、前記内部及び外部基板電極パターンは前記基板分極膜を用いて前記２個の成形基板間の前記互いに向い合う面及び前記対向する面にそれぞれ形成して、
    前記２個の成形基板間の前記互いに向い合う面に接着剤を形成して、
    前記成形基板のうち残りから２個を単位で反復的に選択して前記内部及び外部基板電極パターンを形成すること、及び前記接着剤を形成することを順に遂行して、
    前記成形基板を切断して圧電共振パターンを形成するが、前記圧電共振パターンのそれぞれは接続接着パターン、絶縁接着パターン、共振パターン、外部共振電極パターン及び内部共振電極パターンを有して、前記外部及び内部共振電極パターンそして前記共振パターンは前記外部及び内部基板電極パターンそして前記成形基板にそれぞれ対応して、前記接続及び絶縁接着パターンは前記接着剤に対応して、及び
    前記圧電共振パターンから一個を単位で反復的に選択して前記内部共振電極パターン間及び前記外部共振電極パターン間に位置するように前記１個の圧電共振パターン上に連結電極を有する圧電共振子を複数個形成することを含むことを特徴とする圧電共振装置の形成方法。
  32. 前記連結電極、そして前記内部及び外部基板電極パターンは少なくとも一つの導電膜を用いて形成することを特徴とする請求項３１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  33. 前記圧電共振パターンを形成することは、
    前記内部及び外部基板電極パターン間を経由してそして前記外部及び内部基板電極パターンを横切る順序で前記成形基板を切断することを含むが、
    前記内部共振電極パターンは前記共振パターン間の互いに向い合う面の一側に位置して互いに向い合うように形成されて、前記外部共振電極パターンは前記共振パターン間の前記互いに向い合う面の他の側と重なるように前記共振パターン間の前記互いに向い合う面に対向する面に形成されて、前記絶縁接着パターンは共振パターン間に位置して接続接着パターンと接触するように形成されてそして前記接続接着パターンは前記内部共振電極パターン間に位置するように形成することを特徴とする請求項３１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  34. 前記圧電共振パターンを形成することは、
    前記外部及び内部基板電極パターンを横切ってそして前記内部及び外部基板電極パターン間を経由する順序で前記成形基板を切断することを含むが、
    前記内部共振電極パターンは前記共振パターン間の互いに向い合う面の一側に位置して互いに向い合うように形成されて、前記外部共振電極パターンは前記共振パターン間の前記互いに向い合う面の他の側と重なるように前記共振パターン間の前記互いに向い合う面に対向する面に形成されて、前記絶縁接着パターンは共振パターン間に位置して接続接着パターンと接触するように形成されてそして前記接続接着パターンは前記内部共振電極パターン間に位置するように形成することを特徴とする請求項３１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  35. 前記成形基板を切断することはダイシングソー（Ｄｉｃｉｎｇ Ｓａｗ）の技術を用いて遂行することを特徴とする請求項３１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  36. 前記接着剤は絶縁接着膜及び接続接着膜を用いて形成するが、
    前記接続接着膜は前記内部基板電極パターンと接触してそして前記絶縁接着膜は前記内部基板電極パターン間に位置して前記成形基板と接触するように形成することを特徴とする請求項３１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  37. 前記内部及び外部基板電極パターンを形成することは、
    前記基板分極膜上にフォトレジストパターンを形成するが、前記フォトレジストパターンは前記内部基板電極パターンにそれぞれ対応するように形成して、
    前記フォトレジストパターン及び前記２個の成形基板をエッチングマスク及びエッチングバッファー膜でそれぞれ用いて前記基板分極膜を除去して、
    前記フォトレジストパターンを前記２個の成形基板から除去して、
    前記基板分極膜上に他のフォトレジストパターンを形成するが、前記他のフォトレジストパターンは前記外部基板電極パターンにそれぞれ対応するように形成して、
    前記他のフォトレジストパターン及び前記２個の成形基板をエッチングマスク及びエッチングバッファー膜で用いて前記基板分極膜を除去して、
    前記他のフォトレジストパターンを前記２個の成形基板から除去することを含むことを特徴とする請求項３１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  38. 前記外部基板電極パターンは前記内部基板電極パターン間に位置して前記内部基板電極パターンと重なるように形成することを特徴とする請求項３１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  39. 前記外部基板電極パターンは前記内部基板電極パターン間に位置するように形成することを特徴とする請求項３１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  40. 前記成形基板を分極させることは、
    前記基板分極膜に電気導線を直接接触させて前記成形基板内結晶の分極軸を一列に整列することを含むが、
    前記基板分極膜のそれぞれは少なくとも一つの導電膜を用いて形成することを特徴とする請求項３１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  41. 前記成形基板を分極させることは、
    前記基板分極膜周辺に電界を形成させて前記成形基板内結晶の分極軸を一列に整列することを含むが、
    前記基板分極膜のそれぞれは少なくとも一つの導電膜を用いて形成することを特徴とする請求項３１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  42. 前記成形基板を形成することは、
    前記性形体を研磨装置内に二次元的に配列して、及び
    前記性形体に研磨工程を同時に遂行させることを含むことを特徴とする請求項３１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  43. 前記成形基板を形成することは、
    前記性形体のうち選択された一つを研磨装置内に投入して、
    前記選択された一つに研磨工程を遂行させて、
    前記性形体のうち残りから一個を単位で反復的に選択して前記研磨装置内に投入すること及び前記研磨工程を遂行させることを順に実施することを含むことを特徴とする請求項３１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  44. 前記成形基板は前記研磨工程を介して同一厚さを有するように形成することを特徴とする請求項３１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  45. 前記性形体は圧電物質（Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌ）を用いて形成することを特徴とする請求項３１に記載の圧電共振装置の形成方法。
  46. ２個の性形体を準備するが、前記性形体のそれぞれは６個の平面で囲まれた立体図形を形成して、
    前記性形体に焼結工程を遂行して、
    前記性形体に研磨工程を遂行して成形基板をそれぞれ形成して、
    前記成形基板間の互いに向い合う面及びその面に対向する面に内部基板電極パターン及び外部基板電極パターンをそれぞれ形成して、
    前記外部及び内部基板電極パターンを用いて前記成形基板を分極させて、
    前記成形基板間の前記互いに向い合う面に接着剤を形成して、
    前記成形基板を切断して少なくとも一つの圧電共振パターンを形成するが、前記圧電共振パターンは接続接着パターン、絶縁接着パターン、共振パターン、外部共振電極パターン及び内部共振電極パターンを有して、前記外部及び内部共振電極パターンそして前記共振パターンは前記外部及び内部基板電極パターンそして前記成形基板にそれぞれ対応して、前記接続及び絶縁接着パターンは前記接着剤に対応して、及び
    前記圧電共振パターン上に位置するように前記内部共振電極パターン間及び前記外部共振電極パターン間に連結電極を有する圧電共振子を形成することを含むことを特徴とする圧電共振装置の形成方法。
  47. 前記連結電極のそれぞれは少なくとも一つの導電膜を用いて形成することを特徴とする請求項４６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  48. 前記圧電共振パターンを形成することは、
    前記内部及び外部基板電極パターン間を経由してそして前記外部及び内部基板電極パターンを横切る順序で前記成形基板を切断することを含むが、
    前記内部共振電極パターンは前記共振パターン間の互いに向い合う面の一側に位置して互いに向い合うように形成されて、前記外部共振電極パターンは前記共振パターン間の前記互いに向い合う面の他の側と重なるように前記共振パターン間の前記互いに向い合う面に対向する面に形成されて、前記絶縁接着パターンは共振パターン間に位置して接続接着パターンと接触するように形成されてそして前記接続接着パターンは前記内部共振電極パターン間に位置するように形成することを特徴とする請求項４６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  49. 前記圧電共振パターンを形成することは、
    前記外部及び内部基板電極パターンを横切ってそして前記内部及び外部基板電極パターン間を経由する順序で前記成形基板を切断することを含むが、
    前記内部共振電極パターンは前記共振パターン間の互いに向い合う面の一側に位置して互いに向い合うように形成されて、前記外部共振電極パターンは前記共振パターン間の前記互いに向い合う面の他の側と重なるように前記共振パターン間の前記互いに向い合う面に対向する面に形成されて、前記絶縁接着パターンは共振パターン間に位置して接続接着パターンと接触するように形成されてそして前記接続接着パターンは前記内部共振電極パターン間に位置するように形成することを特徴とする請求項４６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  50. 前記成形基板を切断することはダイシングソー（Ｄｉｃｉｎｇ Ｓａｗ）の技術を用いて遂行することを特徴とする請求項４６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  51. 前記接着剤は絶縁接着膜及び接続接着膜を用いて形成するが、
    前記接続接着膜は前記内部基板電極パターンと接触してそして前記絶縁接着膜は前記内部基板電極パターン間に位置して前記成形基板と接触するように形成することを特徴とする請求項４６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  52. 前記内部及び外部基板電極パターンを形成することは、
    前記成形基板上に導電性ペーストパターンを形成するが、前記導電性ペーストパターンは前記内部基板電極パターンにそれぞれ対応するように形成して、
    前記成形基板上に他の導電性ペーストパターンを形成するが、前記他の導電性ペーストパターンは前記外部基板電極にそれぞれ対応するように形成して、及び
    前記成形基板、前記導電性ペーストパターン及び前記他の導電性ペーストパターンに熱処理工程を遂行させることを含むことを特徴とする請求項４６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  53. 前記外部基板電極パターンは前記内部基板電極パターン間に位置して前記内部基板電極パターンと重なるように形成することを特徴とする請求項４６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  54. 前記外部基板電極パターンは前記内部基板電極パターン間に位置するように形成することを特徴とする請求項４６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  55. 前記成形基板を分極させることは、
    前記外部及び内部基板電極パターンに電気導線を直接接触させて前記成形基板内結晶の分極軸を一列に整列することを含むが、
    前記外部及び内部基板電極パターンのそれぞれは少なくとも一つの導電膜を用いて形成することを特徴とする請求項４６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  56. 前記成形基板を分極させることは、
    前記外部及び内部基板電極パターン周辺に電界を形成させて前記成形基板内結晶の分極軸を一列に整列することを含むが、
    前記外部及び内部基板電極パターンのそれぞれは少なくとも一つの導電膜を用いて形成することを特徴とする請求項４６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  57. 前記成形基板を形成することは、
    前記性形体を研磨装置内に二次元的に配列して、及び
    前記性形体に研磨工程を同時に遂行させることを含むことを特徴とする請求項４６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  58. 前記成形基板を形成することは、
    前記性形体のうち一つを研磨装置内に投入して、
    前記一つに研磨工程を遂行させて、
    前記性形体のうち残りを前記研磨装置内に投入して、及び
    前記性形体のうち前記残りに前記研磨工程を続いて遂行させることを含むことを特徴とする請求項４６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  59. 前記成形基板は前記研磨工程を介して同一厚さを有するように形成することを特徴とする請求項４６に記載の圧電共振装置の形成方法。
  60. 前記性形体は圧電物質（Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌ）を用いて形成することを特徴とする請求項４６に記載の圧電共振装置の形成方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10870607B2 (en) 2015-10-30 2020-12-22 Corning Incorporated Inorganic membrane filtration articles and methods thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677555A (ja) * 1992-08-27 1994-03-18 Murata Mfg Co Ltd 積層型圧電素子の製造方法
JPH11112260A (ja) * 1997-10-03 1999-04-23 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子の製造方法
JP2000183685A (ja) * 1998-12-18 2000-06-30 Murata Mfg Co Ltd 厚み縦圧電共振子及び圧電共振部品
JP2004030977A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Samsung Nec Mobile Display Co Ltd 有機電界発光素子の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11168338A (ja) 1997-10-01 1999-06-22 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子、圧電共振子の周波数調整方法および通信機器
JP3368214B2 (ja) 1997-10-01 2003-01-20 株式会社村田製作所 ラダーフィルタおよび通信機器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677555A (ja) * 1992-08-27 1994-03-18 Murata Mfg Co Ltd 積層型圧電素子の製造方法
JPH11112260A (ja) * 1997-10-03 1999-04-23 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子の製造方法
JP2000183685A (ja) * 1998-12-18 2000-06-30 Murata Mfg Co Ltd 厚み縦圧電共振子及び圧電共振部品
JP2004030977A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Samsung Nec Mobile Display Co Ltd 有機電界発光素子の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10870607B2 (en) 2015-10-30 2020-12-22 Corning Incorporated Inorganic membrane filtration articles and methods thereof

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