CN102902111B - 形成透明电极以及制造液晶显示装置的阵列基板的方法 - Google Patents
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Abstract
公开了形成透明电极以及制造液晶显示装置的阵列基板的方法。所述形成透明电极的方法包括：在基底上形成第一透明导电材料层；对所述第一透明导电材料层进行等离子体工艺，以使所述第一透明导电材料层的上部变为半透明；在所述第一透明导电材料层上形成第二透明导电材料层；将所述第二透明导电材料层和所述第一透明导电材料层构图；以及将被构图的所述第二透明导电材料层和被构图的所述第一透明导电材料层退火，以使所述第一透明导电材料层的上部变为透明。
Description
本申请要求2011年7月27日提交的韩国专利申请No.10-2011-0074423的优先权，在此援引该专利申请作为参考。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)装置，尤其涉及一种形成透明电极以及制造LCD装置的阵列基板的方法，该方法能防止在构图工艺中由卡盘反射的光导致的问题。
背景技术
由于高对比度以及适于显示运动图像的特性，使用光学各向异性和偏振特性显示图像的LCD装置广泛应用于笔记本电脑、显示器、TV等。
LCD装置包括具有第一基板、第二基板和液晶层的液晶面板。第一和第二基板彼此相对，液晶层夹在它们之间。通过液晶面板中产生的电场改变液晶层中液晶分子的排列，从而控制光透射率。
在扭曲向列(TN)模式LCD装置中，液晶分子由像素电极与公共电极之间的垂直电场驱动，具有出色的透射率和开口率特性。令人遗憾的是，因为LCD装置使用垂直电场，所以该装置具有较差的视角。
可使用共平面切换(IPS)模式LCD装置解决上述缺陷。图1是现有技术的IPS模式LCD装置的液晶面板的示意性剖面图。参照图1，液晶面板包括彼此相对的第一和第二基板1和3以及两基板之间的液晶层5。
在第一基板1上，形成有像素电极21和公共电极25。液晶层5的液晶分子由像素电极和公共电极21和25之间产生的水平电场L驱动。因为液晶分子由第一基板1上的像素电极和公共电极21和25之间的水平电场L驱动，所以IPS模式LCD装置具有宽视角。
使用光刻工艺制造LCD装置，所述光刻工艺包括：形成光敏材料层的步骤、曝光步骤、显影步骤、以及蚀刻步骤。光刻工艺可称作掩模工艺。在曝光步骤中，使用具有用于透光的部分和用于阻挡光的其它部分的曝光掩模和照射光的曝光装置。
在光刻工艺中，在基板上形成目标材料层，并在目标材料层上形成光刻胶(PR)层作为光敏材料层。将其上形成有目标材料层和PR层的基板转移到曝光装置。在曝光装置中，在基板上方设置曝光掩模并将曝光掩模对准。然后，PR层通过曝光掩模暴露至光。在该情形中，为了防止在曝光步骤过程中基板与掩模之间的未对准问题，基板被定位在卡盘上并由卡盘固定。
另一方面，在透明导电材料的光刻工艺中导致一些问题。例如，当通过光刻工艺构图透明导电材料时，临界尺寸存在偏差。就是说，由光刻工艺获得的像素电极或公共电极的宽度小于像素电极或公共电极的所需宽度，从而像素电极或公共电极的宽度不均匀。像素电极和公共电极之间的电场变得不同，从而产生看起来像是图像上的污点的问题。
发明内容
因此，本发明涉及一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的形成透明电极和制造LCD装置的阵列基板的方法。
本发明的一个目的是提供一种形成具有均匀尺寸的透明电极的方法。
本发明的另一个目的是提供一种制造具有均匀尺寸和改善的开口率的阵列基板的方法。
在下面的描述中将列出本发明的其它特征和优点，这些特征和优点的一部分从下面的描述将是显而易见的，或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，如在此具体和概括描述的，一种形成透明电极的方法包括：在基底上形成第一透明导电材料层；对所述第一透明导电材料层进行等离子体工艺，以使所述第一透明导电材料层的上部变为半透明；在所述第一透明导电材料层上形成第二透明导电材料层；将所述第二透明导电材料层和所述第一透明导电材料层构图；以及将被构图的所述第二透明导电材料层和被构图的所述第一透明导电材料层退火，以使所述第一透明导电材料层的上部变为透明。
在另一个方面中，一种制造液晶显示装置的阵列基板的方法，包括：在基板上形成栅极线；在所述基板上形成数据线，所述数据线与所述栅极线交叉以限定像素区域；在所述像素区域中形成与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管；在其上形成有所述栅极线、所述数据线和所述薄膜晶体管的所述基板上形成第一透明导电材料层；用氢气对所述第一透明导电材料层进行等离子体工艺，以使所述第一透明导电材料层的上部变为半透明；在所述第一透明导电材料层上形成第二透明导电材料层；将所述第二透明导电材料层和所述第一透明导电材料层构图，以在所述像素区域中形成与所述薄膜晶体管连接的像素电极；以及将所述像素电极退火，以使所述上部变为透明。
应当理解，前面的一般性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
给本发明提供进一步理解并组成说明书一部分的附图图解了本发明的实施方式并与说明书一起用于说明本发明的原理。
图1是现有技术的IPS模式LCD装置的剖面图；
图2是根据本发明的LCD装置的阵列基板的剖面图；
图3A到3L是图解根据本发明制造IPS模式LCD装置的阵列基板的方法的剖面图；
图4是图解在根据本发明的制造方法中，透明导电材料层的透射率的曲线图。
具体实施方式
现在详细描述优选的实施方式，附图中图解了这些实施方式的一些例子。
图2是根据本发明的LCD装置的阵列基板的剖面图。本发明的构图方法和制造方法可用于包括诸如像素电极和公共电极的透明导电材料图案的任何装置。之后，将用IPS模式LCD装置的阵列基板解释本发明的构图方法和制造方法。
参照图2，IPS模式LCD装置的阵列基板包括基板101、栅极线(未示出)、数据线(未示出)、公共线(未示出)、薄膜晶体管(TFT)Tr、公共电极112和像素电极114。
公共线与栅极线平行并隔开。数据线与栅极线交叉以限定像素区域P。TFTTr位于栅极线和数据线的交叉部分。其中形成有TFT Tr的区域定义为开关区域TrA。TFT Tr与栅极线和数据线连接并包括栅极电极111、半导体层115、源极电极117和漏极电极119。栅极电极111与栅极线连接，在栅极电极111上形成栅极绝缘层113。半导体层115形成在栅极绝缘层113上并对应于栅极电极111。半导体层115包括本征非晶硅的有源层115a和掺杂杂质的非晶硅的欧姆接触层115b。源极电极117与数据线连接。源极和漏极电极117和119形成在半导体层115上并彼此隔开。
在TFT Tr上形成具有暴露漏极电极119的漏极接触孔的钝化层118。
在钝化层118上形成公共电极112和像素电极114。公共电极112与公共线连接，像素电极114通过漏极接触孔与TFT Tr的漏极电极119连接。公共电极112和像素电极114彼此交替布置，从而在它们之间产生水平电场。因为IPS模式LCD装置的液晶层的液晶分子由基板101上的公共电极112和像素电极114之间的水平电场驱动，所以IPS模式LCD装置具有宽视角。
为了改善开口率，公共电极112和像素电极114中的至少一个由透明导电材料形成。图2显示了公共电极112和像素电极114均由透明导电材料形成。特别是，公共电极112和像素电极114中的至少一个包括双层结构。
在形成下方透明导电材料层之后，用氢(H2)气对所述下方透明导电材料层进行等离子体工艺，从而所述下方透明导电材料层丧失透明特性。在由等离子体工艺处理过的所述下方透明导电材料层上形成上方透明导电材料层，并将所述上方透明导电材料层和所述下方透明导电材料层构图，以形成公共电极112和像素电极114。然后，将由等离子体工艺处理过的所述下方透明导电材料层退火，以恢复透明特性。
在现有技术的用于透明导电层的构图工艺中，产生诸如临界尺寸偏差的一些问题。在光刻工艺的曝光步骤中，用于曝光光敏材料层的光在卡盘上反射，从而光敏材料层的不希望的部分也被曝光。因此，获得具有非理想尺寸的用于像素电极或公共电极的透明导电材料图案。
然而，在本发明中，尽管公共电极112和像素电极114由透明导电材料形成，但因为下方透明导电材料层在光刻工艺之前丧失透明特性并在光刻工艺之后恢复透明特性，所以消除了上述问题。就是说，因为下方透明导电材料层通过等离子体工艺丧失了透明特性，所以用于曝光光敏材料层，例如PR层的光不在卡盘上反射，因此不会曝光光敏材料层的不希望的部分。
此外，由于等离子体工艺，下方透明导电材料层具有浮纹顶表面，因此透明导电材料层的顶表面很容易受外部冲击而被损害。就是说，在等离子体工艺之后，在下方透明导电材料层的顶表面上很容易产生诸如划痕的损害。然而，在本发明中，在等离子体工艺之后并在其他工艺之前，通过在等离子体工艺处理过的下方透明导电材料层上形成上方透明导电材料层而防止了上述问题。
将参照图3A到3L更详细地解释制造阵列基板的方法。
图3A到3L是图解根据本发明制造IPS模式LCD装置的阵列基板的方法的剖面图。为解释方便，在像素区域P中定义其中形成有TFT的开关区域TrA。
如图3A中所示，通过沉积诸如钼(Mo)、铝(Al)、Al合金、铜(Cu)和Cu合金的低电阻金属材料，在例如基板101的基底上形成第一金属层(未示出)。通过第一掩模工艺将第一金属层构图，所述第一掩模工艺包括在第一金属层上形成PR层的步骤、使用曝光掩模曝光PR层的步骤、显影被曝光的PR层以形成PR图案的步骤、使用PR图案作为蚀刻掩模蚀刻第一金属层的步骤、以及剥离PR图案以形成开关区域中的栅极电极111、栅极线(未示出)和公共线(未示出)的步骤。
图3A显示了单层的栅极电极111。可选择地，可沉积至少两层低电阻金属材料并将其构图，以形成至少两层结构的栅极电极111。
接着，如图3B中所示，通过沉积诸如氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料，在其上形成有栅极电极111、栅极线(未示出)和公共线(未示出)的基板101上形成栅极绝缘层113。
通过沉积本征非晶硅和掺杂杂质的非晶硅，在栅极绝缘层113上顺序形成本征非晶硅层114a和掺杂杂质的非晶硅层114b。通过沉积诸如Cu、Cu合金、Al、Al合金或Mo的低电阻金属材料，在掺杂杂质的非晶硅层114b上进一步形成第二金属层116。
接着，如图3C中所示，对第二金属层116(图3B)、掺杂杂质的非晶硅层114b(图3B)和本征非晶硅层114a(图3B)进行第二掩模工艺，以形成源极电极117、漏极电极119、数据线(未示出)、欧姆接触层115b和有源层115a。如上所述，数据线与栅极线交叉以限定像素区域P。使用源极电极117和漏极电极119作为蚀刻掩模移除欧姆接触层115b的与栅极电极111对应的部分，以暴露出栅极电极111上方的有源层115a。
图3B和3C中所示的第二掩模工艺称作半色调掩模工艺。可选择地，可通过不同的掩模工艺形成半导体层、源极电极和漏极电极。
栅极电极111、栅极绝缘层113、包括有源层115a和欧姆接触层115b的半导体层115、源极电极117和漏极电极119组成TFT Tr。
接着，如图3D中所示，通过沉积无机绝缘材料，例如氧化硅或氮化硅，或者涂布有机绝缘材料，例如苯并环丁烯(BCB)或光学压克力，在其上形成有TFT Tr的基板111上形成钝化层118。
接着，如图3E中所示，通过第三掩模工艺将钝化层118构图，以形成暴露漏极电极119的漏极接触孔116a。同时，在除开关区域之外的像素区域中将钝化层118以及钝化层118下方的栅极绝缘层113构图，以形成暴露公共线的公共线接触孔(未示出)。
接着，如图3F中所示，通过沉积第一透明导电材料，在钝化层118上形成第一透明导电材料层210。第一透明导电材料是包括铟和氧的材料。例如，第一透明导电材料可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锡锌(ITZO)之一。
接着，如图3G中所示，将其上形成有第一透明导电材料层210(图3F)的基板101放置在能进行等离子体工艺的腔室(未示出)中。在该腔室中用氢气(H2)对第一透明导电材料层210进行等离子体工艺。
在该情形中，在具有大约80到120mTorr真空度的腔室中进行所述等离子体工艺，其中给所述腔室施加大约800到1000W的功率，并且氢气以大约80到100标准立方厘米/分钟(sccm)的速率流进腔室中大约40到100秒。
当第一透明导电材料层210经过上述等离子体工艺时，第一透明导电材料层210界面处的氧被氢取代。就是说，发生还原反应。通过该还原反应，第一透明导电材料层210界面处的铟恢复为黑色，从而第一透明导电材料层210的上部具有半透明特性。就是说，第一透明导电材料层210的上部丧失了透明特性。结果，第一透明导电材料层210变为包括下方透明部210a和上方半透明部210b的层。
一般来说，第一透明导电材料层210具有大约92％到95％的透射率。然而，在等离子体工艺之后，包括上方半透明部210b和下方透明部210a的第一透明导电材料层210具有大约50％到70％的透射率。
接着，如图3H中所示，通过沉积第二透明导电材料，在经过等离子体工艺的第一透明导电材料层210上形成第二透明导电材料层220。例如，第二透明导电材料可以是ITO、IZO、IGZO和ITZO之一。
通过等离子体工艺，第一透明导电材料层210的上方半透明部210b具有很容易受外部冲击而被损害的浮纹顶表面。就是说，在上方半透明部210b的顶表面上很容易产生诸如划痕的损害。然而，通过形成第二透明导电材料层220，上方半透明部210b的顶表面被保护而免于外部冲击。此外，第二透明导电材料层220保护上方半透明部210b的顶表面在掩模工艺过程中免于被损害。
接着，如图3I中所示，通过涂布PR材料，在第二透明导电材料层220上形成PR层150，并在PR层150上方设置包括阻挡部R和与阻挡部R交替的透射部T的曝光掩模，阻挡部R对应于基板的其中将要形成公共电极和像素电极的区域。
PR层150通过曝光掩模曝光。在该情形中，为防止曝光掩模与基板101之间的未对准，通过卡盘(未示出)支撑并固定基板101。当光通过曝光掩模M照射到PR层150以与PR材料反应时，光照射到第二透明导电材料层220和经过等离子体工艺的第一透明导电材料层210。然而，由于第一透明导电材料层210的上方半透明部210b，仅大约50％到70％的光透过第一透明导电材料层210。因此，与具有大约92％到95％透射率的透明层相比，在本发明中减小了由卡盘反射的光的量。
此外，由卡盘反射的光穿过第一透明导电材料层210的上方半透明部210b，从而相对于透明导电层而言，在由卡盘反射之后照射到PR层150的光量减小了大约40％。而且，由于第二透明导电材料层220，由卡盘反射并照射到PR层150的光量进一步减小。该光量不会对PR层150起作用，从而防止了将PR层150的不希望的部分曝光的问题。
就是说，由于第一透明导电材料层210在经过等离子体工艺之后具有较低的透射率，由卡盘反射并照射到PR层150的光量减小，该光量不会对PR层150起作用。
因此，如图3J中所示，当显影曝光的PR层150时，只有PR层150的与曝光掩模M的透射部T对应的部分被显影并随后被移除，从而形成PR图案150a。
然后，使用PR图案150a作为蚀刻掩模蚀刻第二透明导电材料层220(图3I)和第一透明导电材料层210(图3I)，以在PR图案150a下面形成公共电极112和像素电极114。像素电极114通过漏极接触孔116a(图3E)与漏极电极119连接，公共电极112通过公共线接触孔与公共线连接。
接着，如图3K中所示，通过剥离工艺移除公共电极112和像素电极114的PR图案150a(图3J)。如上所述，上方半透明部210b对外部冲击、蚀刻工艺的蚀刻剂以及剥离工艺的剥离溶液非常脆弱。然而，因为第二透明导电材料层220形成在第一透明导电材料层210上并覆盖第一透明导电材料层210的上方半透明部210b，所以可保护上方半透明部210b免于剥离溶液或蚀刻剂。就是说，因为上方半透明部210b具有较低的抗化学特性，所以蚀刻剂或剥离溶液对上方半透明部造成损害。结果，上方半透明部被过蚀刻，且具有临界尺寸偏差。然而，由于形成在上方半透明部210b上的第二透明导电材料层220，防止了上述问题。
接着，如图3L中所示，将其上形成有公共电极112和像素电极114的基板101置于诸如热炉的加热装置(未示出)中，在大约200到300℃的温度下对基板101进行30到300分钟的退火工艺。所述退火工艺可在大气环境下进行。
通过上述退火工艺，热量和氧被提供到公共电极112和像素电极114中，从而第一透明导电材料层210(图3K)的上方半透明部210b(图3K)中的氢被氧取代。就是说，通过退火工艺，在第一透明导电材料层210的上方半透明部210b中产生氧化反应，从而第一透明导电材料层210的上方半透明部210b恢复透明特性。结果，公共电极112和像素电极114的每个都具有第一透明导电材料层210和第二透明导电材料层220的双层结构。
在本发明中，尽管公共电极112和像素电极114的每个都由透明导电材料层形成，但可防止由于卡盘的光反射导致的现有技术中的问题。此外，所述阵列基板具有与现有技术的阵列基板大致相同的开口率。
此外，因为第二透明导电材料层220覆盖第一透明导电材料层210的上方半透明部210b，所以可防止在蚀刻工艺和剥离工艺中对上方半透明部210b的损害。
此外，尽管通过等离子体工艺，第一透明导电材料层210的表面电阻增加，但通过退火工艺，所述表面电阻降低。就是说，没有增加表面电阻。
此外，上方半透明部210b通过退火工艺恢复透明特性，所述阵列基板具有与现有技术的阵列基板大致相同的亮度。
图4是图解在根据本发明的制造方法中，透明导电材料层的透射率的曲线图。
在图4中，“实例1”是大约500埃厚的单层透明导电材料层的曲线，“实例2”是经过等离子体工艺的大约500埃厚的单层透明导电材料层的曲线。“实例3”是在等离子体工艺之后经过退火工艺的大约500埃厚的单层透明导电材料层的曲线，“实例4”是经过等离子体工艺的大约400埃的第一透明导电材料层以及形成在第一透明导电材料层上的大约100埃的第二透明导电材料层的双层结构的曲线。“实例5”是在等离子体工艺之后经过退火工艺的大约400埃的第一透明导电材料层以及形成在第一透明导电材料层上的大约100埃的第二透明导电材料层的双层结构的曲线。在“实例5”中，在大约230℃的温度下退火工艺进行大约30分钟。
如图4中所示，在“实例2”和“实例4”中经过等离子体工艺的透明导电材料层具有相对低的透射率。因此，当进行等离子体工艺时，可以理解防止了由卡盘反射的光导致的问题。
在“实例3”和“实例5”中在等离子体工艺之后经过退火工艺的透明导电材料层具有比“实例2”和“实例4”中的透明导电材料层高的透射率。尤其是，“实例3”和“实例5”中的透明导电材料层具有比“实例1”中的透明导电材料层高的透射率。
此外，因为“实例4”具有低于“实例2”的透射率，所以通过在经过等离子体工艺的第一透明导电材料层上形成第二透明导电材料层，有效防止了由卡盘反射的光导致的问题。
而且，经过退火工艺的“实例5”具有比经过退火工艺的“实例3”高的透射率。
因此，在本发明中，可防止由卡盘反射的光导致的问题，且所述阵列基板具有与现有技术的阵列基板大致相同或更高的透射率。
如上所述，在本发明实施方式的阵列基板中，通过对第一透明导电材料层进行等离子体工艺并在第一透明导电材料层上形成第二透明导电材料层，防止了由卡盘反射的光导致的问题。此外，在将经过等离子体工艺的第一透明导电材料层和形成在第一透明导电材料层上的第二透明导电材料层构图之后，进行退火工艺，从而经过等离子处理的第一透明导电材料层恢复透明特性。结果，阵列基板具有改善的透射率。
在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明中可进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求及其等价物范围内的本发明的修改和变化。
Claims (17)
1.一种形成透明电极的方法，包括：
在基底上形成第一透明导电材料层；
用氢气对所述第一透明导电材料层进行等离子体工艺，以使所述第一透明导电材料层的上部变为半透明；
在所述第一透明导电材料层上形成第二透明导电材料层；
将所述第二透明导电材料层和所述第一透明导电材料层构图；以及
将被构图的所述第二透明导电材料层和被构图的所述第一透明导电材料层退火，以使所述第一透明导电材料层的上部变为透明。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一透明导电材料层包括铟和氧。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一透明导电材料层由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌和氧化铟锡锌之一形成。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述退火的步骤在200到300℃的温度下进行30到300分钟。
5.根据权利要求1所述的方法，其中进行所述等离子体工艺的步骤通过以80至100标准立方厘米/分钟(sccm)的速率使氢气流动40到100秒来进行。
6.根据权利要求1所述的方法，其中进行所述等离子体工艺的步骤在具有80到120mTorr真空度的腔室中进行。
7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第二透明导电材料层和所述第一透明导电材料层构图的步骤包括：
在所述第二透明导电材料层上形成光刻胶层；
使用曝光掩模曝光所述光刻胶层；
显影所述曝光的光刻胶层，以形成光刻胶图案；
使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述第二透明导电材料层和所述第一透明导电材料层；以及
剥离所述光刻胶图案，以形成公共电极和像素电极。
8.一种制造液晶显示装置的阵列基板的方法，包括：
在基板上形成栅极线；
在所述基板上形成数据线，所述数据线与所述栅极线交叉以限定像素区域；
在所述像素区域中形成与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管；
在其上形成有所述栅极线、所述数据线和所述薄膜晶体管的所述基板上形成第一透明导电材料层；
用氢气对所述第一透明导电材料层进行等离子体工艺，以使所述第一透明导电材料层的上部变为半透明；
在所述第一透明导电材料层上形成第二透明导电材料层；
将所述第二透明导电材料层和所述第一透明导电材料层构图，以在所述像素区域中形成与所述薄膜晶体管连接的像素电极；以及
将所述像素电极退火，以使所述上部变为透明。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一透明导电材料层包括铟和氧。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一透明导电材料层由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锡锌(ITZO)之一形成。
11.根据权利要求8所述的方法，其中所述退火的步骤在200到300℃的温度下进行30到300分钟。
12.根据权利要求8所述的方法，其中进行所述等离子体工艺的步骤通过以80至100标准立方厘米/分钟(sccm)的速率使氢气流动40到100秒来进行。
13.根据权利要求8所述的方法，其中进行所述等离子体工艺的步骤在具有80到120mTorr真空度的腔室中进行。
14.根据权利要求8所述的方法，其中将所述第二透明导电材料层和所述第一透明导电材料层构图的步骤包括：
在所述第二透明导电材料层上形成光刻胶层；
使用曝光掩模曝光所述光刻胶层；
显影所述曝光的光刻胶层，以形成光刻胶图案；
使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述第二透明导电材料层和所述第一透明导电材料层；以及
剥离所述光刻胶图案。
15.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述栅极线的步骤还形成公共线，其中在将所述第二透明导电材料层和所述第一透明导电材料层构图的步骤中还在所述像素区域中形成公共电极，其中所述公共电极与所述像素电极交替布置并与所述公共线连接。
16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括在其上形成有所述薄膜晶体管和所述公共线的所述基板上形成钝化层，所述钝化层包括暴露一部分薄膜晶体管的第一接触孔和暴露一部分公共线的第二接触孔，其中所述像素电极和所述公共电极设置在所述钝化层上并分别通过所述第一接触孔和所述第二接触孔与所述一部分薄膜晶体管和所述一部分公共线连接。
17.根据权利要求8所述的方法，进一步包括在其上形成有所述薄膜晶体管的所述基板上形成钝化层，所述钝化层包括暴露一部分薄膜晶体管的接触孔，其中所述像素电极设置在所述钝化层上并通过所述接触孔与所述一部分薄膜晶体管连接。
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