JP2003107445A - 液晶表示装置用基板およびその製造方法ならびにそれを用いた液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄膜化が図られるとともに製造工程の簡素化
が図られた液晶表示装置用基板およびその製造方法なら
びにそれを用いた液晶表示装置およびその製造方法を提
供することである。 【解決手段】 液晶表示装置の液晶表示素子の対向基板
１６の製造時には、まず透光性基板１上全体に透明導電
膜９を成膜し、次に、ＴＦＴアレイ基板１５のゲート電
極２上部に位置する透明導電膜９の領域を水素還元処理
することにより黒化させる。それにより、対向電極たる
透明導電膜９と一体化したブラックマトリクス１２を形
成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
（ＬＣＤ）等に利用される液晶表示装置用基板およびそ
の製造方法ならびにそれを用いた液晶表示装置およびそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、薄型化・軽量化・省電
力化が可能であるという長所を有するため、ノート型パ
ソコンや各種のモニター、テレビ、デジタルカメラ、携
帯電話等において広く利用されている。

【０００３】液晶表示装置としてはアクティブマトリク
ス方式のものが良く用いられており、このような液晶表
示装置は、互いに対向する一対の薄膜トランジスタアレ
イ基板と対向基板との間に液晶層が挟持されて構成され
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶表示装
置を利用した機器、特に携帯電話等においてはさらなる
薄型化が望まれており、このため、携帯電話等に用いら
れる液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタアレイ基
板や対向基板（以下、これらをまとめて液晶表示装置用
基板と呼ぶ）の膜厚をより薄くすることが望まれる。ま
た、液晶表示装置をより低コストでかつ効率よく製造す
るために、製造工程のさらなる簡素化が望まれる。

【０００５】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、薄膜化が図られるとともに製造工
程の簡素化が図られた液晶表示装置用基板およびその製
造方法ならびにそれを用いた液晶表示装置およびその製
造方法を提供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶表示装
置用基板は、液晶表示装置に用いられる透明電極を備え
た液晶表示装置用基板であって、前記透明電極を形成す
る際に用いる導電膜の所定領域に所定の処理を施すこと
により形成されたブラックマトリクスを備えたものであ
る（請求項１）。

【０００７】かかる構成においては、透明電極とブラッ
クマトリクスとが同一の導電膜から構成されているた
め、透明電極とブラックマトリクスとが別々に形成され
る従来の場合に比べて、液晶表示装置用基板の厚さを薄
くして高精細化を図ることが可能になる。また、このよ
うな液晶表示装置用基板の製造時においては、工程数を
削減し製造工程を簡素化することが可能となるため、製
造コストの低減化および製造効率の向上を図ることが可
能となる。

【０００８】前記透明電極を形成する際に用いる導電膜
が遮光性の導電膜であり、前記透明電極は、前記遮光性
の導電膜の所定領域を所定処理することにより前記所定
領域の導電膜を変質させて光透過性とした導電膜から構
成され、前記ブラックマトリクスは、前記処理が施され
ていない前記遮光性の導電膜から構成されてもよく（請
求項２）、あるいは、前記透明電極を形成する際に用い
る導電膜が光透過性の導電膜であり、前記ブラックマト
リクスは、前記透明導電膜の所定領域を所定処理するこ
とにより前記所定領域の導電膜を変質させて遮光性とし
た導電膜から構成されてもよい（請求項３）。

【０００９】かかる構成とすることにより、同一の導電
膜から構成される透明電極とブラックマトリクスとが形
成される。

【００１０】前記ブラックマトリクス上にさらに遮光膜
が形成されてもよい（請求項４）。かかる構成において
は、ブラックマトリクス上に遮光膜が積層されているた
め、遮光性をより高めることが可能となる。このような
液晶表示装置用基板を用いた液晶表示装置においては、
表示画面のコントラストの向上が図られる。

【００１１】前記液晶表示装置用基板は前記液晶表示装
置において対向基板として用いられ、前記透明電極が対
向電極であってもよい（請求項５）。

【００１２】かかる構成とすることにより、同一の導電
膜から構成される対向電極とブラックマトリクスとを有
する対向基板が得られる。このような対向基板において
は、請求項１において前述した効果が得られる。

【００１３】前記液晶表示装置用基板はドレイン電極、
ソース電極およびゲート電極を含む薄膜トランジスタが
形成されており前記液晶表示装置において薄膜トランジ
スタアレイ基板として用いられ、前記電極が画素電極で
あり、前記画素電極は前記薄膜トランジスタの前記ドレ
イン電極に接続したものであってもよい（請求項６）。

【００１４】かかる構成とすることにより、同一の導電
膜から構成される画素電極とブラックマトリクスとを有
する薄膜トランジスタアレイ基板が得られる。このよう
な薄膜トランジスタアレイ基板においては、請求項１に
おいて前述した効果が得られる。

【００１５】また、前記画素電極の一部または全部に反
射膜が形成されてもよく（請求項７）、前記反射膜がＡ
ｇ膜またはＡｇ合金膜から構成されてもよい（請求項
８）。かかる構成を有する液晶表示装置用基板を液晶表
示装置に用いることにより、半透過型または反射型液晶
表示装置が得られる。

【００１６】また、前記薄膜トランジスタが、絶縁性基
板上に前記ゲート電極、絶縁膜、半導体膜および不純物
がドーピングされた不純物ドープ半導体膜が順に積層さ
れるとともに前記不純物ドープ半導体膜を介して前記半
導体膜に接続する前記ソース電極および前記ドレイン電
極が形成されたボトムゲート型構造を有していてもよく
（請求項９）、前記半導体膜がｉ型アモルファスシリコ
ン膜から構成され、前記不純物ドープ半導体膜がｎ型不
純物がドーピングされたｎ型アモルファスシリコン膜か
ら構成されてもよい（請求項１０）。

【００１７】また、前記薄膜トランジスタが、絶縁性基
板上に遮光膜、絶縁膜、半導体膜および不純物がドーピ
ングされた不純物ドープ半導体膜が順に積層されるとと
もに前記不純物ドープ半導体膜を介して前記半導体膜に
接続する前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成
され前記半導体膜上に前記ゲート電極が形成されたトッ
プゲート型構造を有していてもよく（請求項１１）、前
記半導体膜がｉ型アモルファスシリコン膜から構成さ
れ、前記不純物ドープ半導体膜がｎ型不純物がドーピン
グされたｎ型アモルファスシリコン膜から構成されても
よい（請求項１２）。

【００１８】また、前記薄膜トランジスタが、絶縁性基
板上に少なくとも絶縁膜および半導体膜が積層されると
ともに前記半導体膜の所定領域に不純物がドーピングさ
れて不純物ドープ半導体膜が形成され前記不純物ドープ
半導体膜を介して前記半導体膜に接続する前記ソース電
極および前記ドレイン電極が形成されたトップゲート型
構造を有していてもよく（請求項１３）、前記半導体膜
がi型ポリシリコン膜から構成され、前記不純物ドープ
半導体膜がn型不純物がドーピングされたｎ型ポリシリ
コン膜から構成されてもよい（請求項１４）。

【００１９】以上のような構成によれば、ボトムゲート
型構造およびトップゲート型構造を有する薄膜トランジ
スタを備えた薄膜トランジスタアレイ基板において、請
求項１において前述した効果が得られる。

【００２０】本発明に係る液晶表示装置は、互いに対向
する一対の液晶表示装置用基板の間に液晶層が挟持され
てなる液晶表示装置であって、一方の前記液晶表示装置
用基板に請求項１記載の液晶表示装置用基板が用いられ
たものである（請求項１５）。

【００２１】かかる構成によれば、液晶表示装置用基板
において請求項１において前述した効果が得られるた
め、液晶表示装置全体の薄型化および高精細化が図られ
るとともに液晶表示装置の製造コストの低減化および製
造効率の向上が図られる。

【００２２】本発明に係る液晶表示装置用基板の製造方
法は、液晶表示装置に用いられる透明電極を備えた液晶
表示装置用基板の製造方法であって、前記透明電極を形
成する際に用いる導電膜の所定領域所定処理してブラッ
クマトリクスを形成するものである（請求項１６）。

【００２３】かかる構成においては、導電膜を処理する
ことにより透明電極を構成する導電膜と同一の導電膜か
ら構成されるブラックマトリクスを形成するため、透明
電極とブラックマトリクスとを別々に形成する場合に比
べて薄型化が図られた高精細な液晶表示装置用基板を製
造することが可能となるとともに、製造工程を簡素化し
工程数を削減することが可能となり製造コストの低減化
および製造効率の向上を図ることが可能となる。

【００２４】前記透明電極を形成する際に光透過性の導
電膜を形成し、前記光透過性の導電膜の所定領域を水素
還元処理して変質させて遮光性とすることにより前記ブ
ラックマトリクスを形成するとともに、前記水素還元処
理が施されていない前記光透過性の導電膜から構成され
る領域を前記透明電極としてもよく（請求項１７）、前
記水素還元処理が水素プラズマまたは水素イオンドーピ
ングによるものであってもよい（請求項１８）。また、
前記透明電極を形成する際に遮光性の導電膜を形成し、
前記遮光性の導電膜の所定領域を酸化処理して変質させ
て光透過性とすることにより透明電極を形成するととも
に、前記酸化処理が施されていない前記遮光性の導電膜
から構成される領域を前記ブラックマトリクスとしても
よく（請求項１９）、前記酸化処理が酸素プラズマによ
るものであってもよい（請求項２０）。

【００２５】かかる構成によれば、透明電極を構成する
導電膜と同一の導電膜から構成されるブラックマトリク
スを形成することが可能となる。

【００２６】前記ブラックマトリクス上にさらに遮光膜
を形成してもよい（請求項２１）。かかる構成において
は、ブラックマトリクス上に遮光膜を積層することによ
り、より遮光性を高めることが可能となる。このような
液晶表示装置用基板を液晶表示装置に用いた場合には、
液晶表示装置の画面においてコントラストの向上を図る
ことが可能となる。

【００２７】前記液晶表示装置用基板は前記液晶表示装
置において対向基板として用いられ、前記導電膜から構
成される電極が対向電極であってもよい（請求項２
２）。

【００２８】かかる構成においては、透明電極とブラッ
クマトリクスとが同一の導電膜から構成されてなる対向
基板を製造することが可能となり、この対向基板におい
て、請求項１６において前述した効果と同様の効果が得
られる。

【００２９】前記液晶表示装置用基板はドレイン電極、
ソース電極およびゲート電極を含む薄膜トランジスタが
形成されており前記液晶表示装置において薄膜トランジ
スタアレイ基板として用いられ、前記導電膜から構成さ
れる電極が前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極に
接続された画素電極であってもよい（請求項２３）。

【００３０】かかる構成においては、透明電極とブラッ
クマトリクスとが同一の導電膜から構成されてなる薄膜
トランジスタ基板を製造することが可能となり、この薄
膜トランジスタアレイ基板において、請求項１６におい
て前述した効果と同様の効果が得られる。

【００３１】絶縁性基板上に前記ゲート電極、絶縁膜、
半導体膜および不純物がドーピングされた不純物ドープ
半導体膜を順に積層してそれぞれ所定形状にパターニン
グするとともに前記不純物ドープ半導体膜を介して前記
半導体膜に接続する前記ソース電極および前記ドレイン
電極を形成することによりボトムゲート型構造を有する
薄膜トランジスタを形成し、さらに前記薄膜トランジス
タの前記ゲート電極のパターニングに用いたマスクを再
び用いて前記透明電極と前記ブラックマトリクス形成の
ための処理の際に用いるレジストを形成してもよい（請
求項２４）。

【００３２】かかる構成においては、薄膜トランジスタ
のゲート電極のパターニングに用いたマスクを再び用い
てレジストを形成するため、レジスト形成用のマスクを
新たに作る必要がなく製造工程を簡素化することが可能
となるとともに、ゲート電極に対応する位置に位置ずれ
を生じることなくかつ位置合わせマージンを必要とせず
に精度良く容易にブラックマトリクスを形成することが
可能となる。したがって、安定して高い歩留まりで高精
細な薄膜トランジスタアレイ基板を製造することが可能
となる。

【００３３】また、絶縁性基板上に前記ゲート電極、絶
縁膜、半導体膜および不純物がドーピングされた不純物
ドープ半導体膜を順に積層してそれぞれ所定形状にパタ
ーニングするとともに前記不純物ドープ半導体膜を介し
て前記半導体膜に接続する前記ソース電極および前記ド
レイン電極を形成することによりボトムゲート型構造を
有する薄膜トランジスタを形成し、さらに前記絶縁性基
板側から光を照射して前記薄膜トランジスタの前記ゲー
ト電極をマスクとして利用した裏面露光を行うことによ
り前記透明電極と前記ブラックマトリクス形成のための
処理の際に用いるレジストを形成してもよい（請求項２
５）。

【００３４】かかる構成においては、ゲート電極をマス
クとして利用した裏面露光を行うことによりレジストを
形成するため、レジスト形成用のマスクを新たに作る必
要がなく製造工程を簡素化することが可能となるととも
に、ゲート電極に対応する位置に位置ずれを生じること
なくかつ位置合わせマージンを必要とせずに精度良く容
易にブラックマトリクスを形成することが可能となる。
したがって、安定して高い歩留まりで高精細な薄膜トラ
ンジスタアレイ基板を製造することが可能となる。

【００３５】また、絶縁性基板上に遮光膜、絶縁膜、半
導体膜および不純物がドーピングされた不純物ドープ半
導体膜を形成してそれぞれ所定形状にパターニングする
とともに前記不純物ドープ半導体膜を介して前記半導体
膜に接続する前記ソース電極および前記ドレイン電極を
形成しさらに前記半導体膜上に前記ゲート電極を形成す
ることによりトップゲート型構造を有する薄膜トランジ
スタを形成し、さらに前記薄膜トランジスタの前記遮光
膜のパターニングに用いたマスクを再び用いて前記透明
電極と前記ブラックマトリクス形成のための処理の際に
用いるレジストを形成してもよい（請求項２６）。

【００３６】かかる構成においては、薄膜トランジスタ
の遮光膜のパターニングに用いたマスクを再び用いてレ
ジストを形成するため、レジスト形成用のマスクを新た
に作る必要がなく製造工程を簡素化することが可能とな
るとともに、前述の遮光膜上に形成されるゲート電極に
対応する位置に位置ずれを生じることなくかつ位置合わ
せマージンを必要とせずに精度良く容易にブラックマト
リクスを形成することが可能となる。したがって、安定
して高い歩留まりで高精細な薄膜トランジスタアレイ基
板を製造することが可能となる。

【００３７】また、絶縁性基板上に前記ゲート電極、絶
縁膜、半導体膜および不純物がドーピングされた不純物
ドープ半導体膜を形成してそれぞれ所定形状にパターニ
ングするとともに前記不純物ドープ半導体膜を介して前
記半導体膜に接続する前記ソース電極および前記ドレイ
ン電極を形成しさらに前記半導体膜上に前記ゲート電極
を形成することによりトップゲート型構造を有する薄膜
トランジスタを形成し、さらに前記絶縁性基板側から光
を照射して前記薄膜トランジスタの前記遮光膜をマスク
として利用した裏面露光を行うことにより前記透明電極
と前記ブラックマトリクス形成のための処理の際に用い
るレジストを形成してもよい（請求項２７）。

【００３８】かかる構成においては、遮光膜をマスクと
して利用した裏面露光を行うことによりレジストを形成
するため、レジスト形成用のマスクを新たに作る必要が
なく製造工程を簡素化することが可能となるとともに、
前述の遮光膜上に形成されるゲート電極に対応する位置
に位置ずれを生じることなくかつ位置合わせマージンを
必要とせずに精度良く容易にブラックマトリクスを形成
することが可能となる。したがって、安定して高い歩留
まりで高精細な薄膜トランジスタアレイ基板を製造する
ことが可能となる。

【００３９】前記画素電極の一部または全部に反射膜を
形成してもよく（請求項２８）、前記画素電極たる透明
電極を形成する際に用いる導電膜上にさらに反射膜を形
成するとともに前記反射膜上に前記レジストを形成し、
前記レジストを用いて前記導電膜の所定領域を所定処理
して前記透明電極および前記ブラックマトリクスを形成
するとともに前記反射膜をパターニングして前記透明電
極上に前記反射膜を形成してもよい（請求項２９）。

【００４０】かかる構成によれば、半透過型または反射
型の液晶表示装置用基板を製造することが可能となる。
このような液晶表示装置用基板を液晶表示装置に用いれ
ば、半透過型または反射型の液晶表示装置が得られる。

【００４１】本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、
互いに対向する一対の液晶表示装置用基板の間に液晶層
が挟持されてなる液晶表示装置の製造方法であって、一
方の前記液晶表示装置用基板が請求項１６記載の液晶表
示装置用基板の製造方法により製造されたものである
（請求項３０）。

【００４２】かかる構成においては、一方の前記液晶表
示装置用基板が請求項１６記載の製造方法により形成さ
れるため、前記液晶表示装置用基板の製造時には請求項
１６において前述した効果が得られる。このため、この
ような液晶表示装置用基板の製造方法を用いた液晶表示
装置の製造方法によれば、薄膜化および高精細化が図ら
れた液晶表示装置を製造することが可能となるととも
に、製造工程を簡素化して工程数を削減し製造コストの
低減化および製造効率の向上を図ることが可能となる。

【００４３】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明の
実施の形態を図面を参照しながら説明する。

【００４４】図１は本発明の実施の形態１に係る液晶表
示装置の構成を示すブロック図である。図１に示すよう
に、液晶表示装置４００は、液晶表示素子３００と、液
晶表示素子３００のソース線ＳＬおよびゲート線ＧＬを
通じて前記液晶表示素子３００を駆動するソース駆動回
路４０２およびゲート駆動回路４０３と、ソース駆動回
路４０２およびゲート駆動回路４０３を制御する信号処
理回路４０１とを有している。液晶表示素子３００で
は、互いに直交するゲート線ＧＬとソース線ＳＬとでマ
トリクス状に区画された領域が１つの画素３１を構成し
ており、よって、複数のゲート線ＧＬとソース線ＳＬと
が形成されてなる液晶表示素子３００は複数の画素３１
から構成されている。この場合、液晶表示素子３００を
構成する各画素３１にはスイッチング素子として薄膜ト
ランジスタ（以下、ＴＦＴ：Thin Film Transistorと呼
ぶ）が配設されている。すなわち、液晶表示装置４００
はアクティブマトリクス方式の表示装置である。

【００４５】このように構成された液晶表示装置４００
では、信号処理回路４０１の制御を受けてゲート駆動回
路４０３がゲート線ＧＬにゲート信号を入力すると、こ
のゲート信号により液晶表示素子３００の各画素のＴＦ
Ｔが順次オンされる。そして、これにタイミングをあわ
せて、ソース線ＳＬを通じて信号処理回路４０１の制御
を受けたソース駆動回路４０２から画像信号（ソース信
号）が順次各画素３１１に書き込まれる。それにより、
液晶表示素子３００を構成する後述の液晶層の液晶分子
が画像信号に応じて変調され、表示画面に前記画像信号
に応じた画像が表示される。

【００４６】次に、液晶表示装置４００を構成する液晶
表示素子３００の構成を説明する。

【００４７】図２は、図１の液晶表示装置の液晶表示素
子の構成を模式的に示す断面図である。本実施の形態の
液晶表示装置は、透過型液晶表示素子を備えた透過型の
液晶表示装置である。

【００４８】図２に示すように、本実施の形態の液晶表
示素子は、スペーサ２２を挟んで所定の間隔で対向する
ように配置された薄膜トランジスタアレイ基板（以下、
ＴＦＴアレイ基板と呼ぶ）１５と対向基板１６との間に
液晶層１７が挟持されてなる。

【００４９】ＴＦＴアレイ基板１５では、ガラス等の透
光性基板１上に金属膜からなるゲート電極２が形成さ
れ、このゲート電極２および透光性基板１を覆うように
ＳｉＮｘ膜等からなる絶縁膜３が形成されている。絶縁
膜３上には、ゲート電極２に対応する位置に、不純物が
ドーピングされていないｉ型アモルファスシリコンから
なる半導体膜４が形成され、この半導体膜４の互いに対
向する端部上におよびｎ型の不純物がドーピングされた
ｎ型アモルファスシリコンからなる不純物ドープ半導体
膜５，５が形成されている。この不純物ドープ半導体膜
５，５を覆うように金属膜からなるソース電極６ａおよ
びドレイン電極６ｂがそれぞれ形成されている。このソ
ース電極６ａおよびドレイン電極６ｂは、不純物ドープ
半導体膜５を介してそれぞれ半導体膜４に接続してい
る。このようにしてゲート電極２、ソース電極６ａおよ
びドレイン電極６ｂを備えたボトム型構造を有するＴＦ
Ｔ２０が形成されている。

【００５０】このＴＦＴ２０はＳｉＮｘ膜等からなるパ
ッシベーション膜７およびポリイミドからなるオーバー
コート膜８で順に覆われており、また、オーバーコート
膜８上には光透過性のＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜
からなり画素電極たる透明導電膜９が形成されている。
透明導電膜９は画素３１単位で区切られるように形成さ
れ、隣接する透明導電膜９同士は、その上に積層される
配向膜１０により各画素３１に対応して絶縁されてい
る。各々の透明導電膜９は、各画素３１ごとにおいてパ
ッシベーション膜７およびオーバーコート膜８に形成さ
れたコンタクトホール２１を介してＴＦＴ２０のドレイ
ン電極６ｂに接続されている。

【００５１】一方、対向基板１６では、透光性基板１上
に対向電極たる透明導電膜９が形成されており、この透
明導電膜９の前記ＴＦＴアレイ基板１５のゲート電極２
に対向する領域には透明導電膜９を構成するＩＴＯ膜を
黒化させて遮光性としたブラックマトリクス１２が形成
されている。ブラックマトリクス１２および透明導電膜
９上には、各画素３１に対応して赤、緑および青のカラ
ーフィルタ１１（Ｒ），１１(Ｇ），１１（Ｂ）が形成
され、その上にはオーバーコート膜８および配向膜１０
が順に積層されている。

【００５２】なお、図２においては、液晶表示素子３０
０の断面構造において、ＴＦＴアレイ基板１５に配設さ
れるゲート線およびソース線の図示を省略している。ゲ
ート線およびソース線上にも、ゲート電極２上と同様に
ブラックマトリクス１２が形成される。

【００５３】以上のような構成を有する本実施の形態の
液晶表示素子３００は、対向基板１６の透明導電膜９の
所定領域が黒化されることにより透明導電膜９と一体化
したブラックマトリクス１２が形成されているため、対
向基板において透明導電膜とは別にブラックマトリクス
が形成される従来の場合に比べて、後述するように製造
時における製造工程の数を減らすことが可能である。し
たがって、液晶表示素子３００においては、製造コスト
の低減化および製造効率の向上を図ることが可能とな
る。

【００５４】また、前述のように透明導電膜９とブラッ
クマトリクス１２とが一体化しているため、ブラックマ
トリクスが透明導電膜とは別に形成される従来の場合に
比べて、ブラックマトリクスの分だけ対向基板１６の厚
さを薄くすることが可能であり、その結果、液晶表示素
子３００、ひいては液晶表示装置４００の厚さを薄くし
て高精細化を図ることが可能となる。このように薄型化
が図られた液晶表示装置４００は、薄型化が要求される
携帯電話等に用いるのに有効である。また、前述のよう
に高精細化が図られかつ低コスト化が図られた液晶表示
装置４００を用いれば、大面積を有するディスプレイを
実現することが可能となる。

【００５５】上記のように、本実施の形態の液晶表示装
置４００は、液晶素子３００を構成する対向基板１６に
おいて、対向電極たる透明導電膜９と一体化してブラッ
クマトリクス１２が形成された点に特徴を有しており、
このような対向基板１６は、以下の製造方法により製造
される。

【００５６】図３は対向基板１６の製造方法を示すフロ
ーチャートであり、図４は対向基板１６の製造工程を模
式的に示す断面図である。

【００５７】図３のステップＳ１および図４（ａ）に示
すように、対向基板１６の製造時には、まず、透光性基
板１上に、透過率８０％以上の光透過性のＩＴＯ膜をス
パッタ法により成膜して透明導電膜９を形成する。そし
て、図３のステップＳ２および図４（ｂ）に示すよう
に、所定のパターンが形成されたマスク（図示せず）を
用いてフォトリソグラフィにより所定の領域に開口部２
３ａを有するネガレジスト２３を透明導電膜９上に形成
する。

【００５８】続いて、図３のステップＳ３および図４
（ｃ）に示すように、レジスト２３をマスクとして用い
て水素還元処理、具体的には水素プラズマまたは水素イ
オンドーピングを行い、開口部２３ａ下部領域の透明導
電膜９を構成するＩＴＯ膜を還元して黒化し遮光性のブ
ラックマトリクス１２を形成する。その後、レジスト２
３を除去する。

【００５９】なお、ブラックマトリクス１２において
は、光を遮断するとともに光の反射をできるだけ小さく
することが実用上重要である。例えば水素イオンドーピ
ングによりブラックマトリクス１２を形成する場合、ブ
ラックマトリクス１２の反射率は、例えば透明導電膜９
を構成するＩＴＯ膜にドーピングする水素イオンの量と
深さを調整することにより制御することが可能である。
通常は、光を８０％以上吸収して光を透過および反射し
ないようにブラックマトリクス１２の反射率を設定する
のが好ましい。

【００６０】また、上記の図３のステップＳ２および図
４（ｂ）のレジスト２３の形成工程において、例えばＴ
ＦＴアレイ基板１５のゲート電極２を形成する際に用い
たマスクをレジスト２３形成の際に再び利用すると、Ｔ
ＦＴ２０のゲート電極２上に位置のずれを生じることな
く精度よくかつ容易にブラックマトリクス１２を形成す
ることが可能となるとともに、ゲート電極２との位置合
わせマージンが不要となるためより高精細化が図られる
ので好ましい。

【００６１】次に、図３のステップＳ４、ステップＳ５
および図４（ｄ）に示すように、ブラックマトリクス１
２上および透明導電膜９上に赤、緑、青のカラーフィル
タ１１（Ｒ），１１（Ｇ），１１（Ｂ）を形成し、さら
にオーバーコート膜８を形成する。最後に、図３のステ
ップＳ６に示すように、オーバーコート膜８上に配向膜
１０を形成する。以上のようにして、対向電極たる透明
導電膜９と一体化してブラックマトリクス１２が形成さ
れてなる対向基板１６が得られる。

【００６２】ここで、上記の本実施の形態の対向基板１
６と比較を行うため、対向電極たる透明導電膜とは別に
ブラックマトリクスが形成されてなる従来の対向基板の
例について説明する。図５は従来の対向基板の製造方法
の例を示すフローチャートであり、図６は従来の対向基
板の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図６
において、図４と同一符号は、同一または相当する部分
を示す。

【００６３】図５のステップＳ’１および図６（ａ）に
示すように、この場合においては、まず透光性基板１の
全面にＣｒ膜やＣｒＯ₂膜等からなるブラックマトリク
ス形成用膜１２’ａをスパッタ成膜装置を用いて成膜す
る。そして、図５のステップＳ’２および図６（ｂ）に
示すようにフォトリソグラフィにより所定のパターンを
有するレジスト２３’をブラックマトリクス形成用膜１
２’ａ上に形成するとともに、図５のステップＳ’３お
よび図６（ｃ）に示すように、レジスト２３’で覆われ
ていない領域のブラックマトリクス形成用膜１２’ａを
エッチングにより除去し、エッチング後にレジスト２
３’を除去する。それにより、ブラックマトリクス１
２’を形成する。

【００６４】続いて、図５のステップＳ’４および図６
（ｄ）に示すように、透光性基板１上およびブラックマ
トリクス１２’上に赤、緑、青のカラーフィルタ１１
（Ｒ），１１（Ｇ），１１（Ｂ）を形成し、さらに図５
のステップＳ’５およびステップＳ’６に示すように、
オーバーコート膜８および透明導電膜９を順に成膜す
る。最後に、図５のステップＳ’７に示すように、透明
導電膜９上に配向膜１０を形成する。以上のようにし
て、透明導電膜９とブラックマトリクス１２’とが別々
に形成されてなる従来の対向基板が得られる。

【００６５】上記のように、透明導電膜９とブラックマ
トリクス１２’とが別々に形成されてなる従来の対向基
板は７つの工程（図５のステップＳ’１〜Ｓ’７）を経
て製造されるが、対向電極１６たる透明導電膜９と一体
化してブラックマトリクス１２が形成されてなる本実施
の形態の対向基板１６は、前述のように６つの工程（図
３のステップＳ１〜Ｓ６）を経て製造される。したがっ
て、本実施の形態の対向基板１６の製造時には、従来の
対向基板の製造時に比べて製造工程を減らすことが可能
となる。

【００６６】また、本実施の形態の対向基板１６の製造
時には、透明導電膜９を形成しその所定領域を加工する
ことによりブラックマトリクス１２を形成することか
ら、対向電極たる透明導電膜９とブラックマトリクス１
２とを一括して形成することが可能であるということが
できる。このように一括形成が可能であるため、従来の
対向基板の製造時のようにブラックマトリクス形成用膜
を成膜する（図３のステップＳ’１、図４（ａ））必要
がなく、よって、ブラックマトリクス形成用膜のための
スパッタ装置等の成膜装置が不要になるとともに製造工
程の簡素化が図られる。

【００６７】本実施の形態の変形例として、対向基板１
６のブラックマトリクス１２上にさらに金属膜等からな
る遮光膜が形成された構成も可能である。また、本実施
の形態の他の変形例として、ＴＦＴアレイ基板がトップ
ゲート型構造のＴＦＴを有する構成も可能である。ま
た、本実施の形態のさらに他の変形例として、半導体膜
および不純物ドープ半導体膜がポリシリコンからなる構
成も可能である。また、本実施の形態のさらに他の変形
例として、画素電極たるＴＦＴアレイ基板１５側の透明
導電膜９上の一部または全部の領域に光反射性の膜が形
成された構成も可能であり、この場合においては半透過
型または反射型液晶表示装置が得られる。 （実施の形態２）図７は本発明の実施の形態２に係る液
晶表示装置の液晶素子の構成を模式的に示す断面図であ
る。なお、図７において、図２と同一符号は、同一また
は相当する部分を示す。

【００６８】図７に示すように、本実施の形態の液晶表
示素子３００は、対向基板２６ではなくＴＦＴアレイ基
板２５にブラックマトリクス１２が形成されている。

【００６９】すなわち、ＴＦＴアレイ基板２５は、ゲー
ト電極２上部に位置する透明導電膜９の領域が黒化され
てブラックマトリクス１２が形成されこのブラックマト
リクス１２と画素電極たる透明電極９とが絶縁されてい
る点を除いて、図２の実施の形態１のＴＦＴアレイ基板
１５と同様の構造を有する。以下においては、このよう
に透明導電膜９の所定領域が黒化されることによりブラ
ックマトリクス１２が形成されることを、画素電極たる
透明導電膜９とブラックマトリクス１２とが一体化して
形成されているという。

【００７０】なお、図７においてはゲート電極２上のみ
にブラックマトリクス１２が形成されているが、実際の
液晶表示素子３００においては、ＴＦＴアレイ基板２５
の透光性基板１上にゲート線およびソース電極が形成さ
れこのゲート線およびソース線上にもブラックマトリク
ス１２が形成されている。

【００７１】また、対向基板２６は、透光性基板１上に
直接カラーフィルタ１１（Ｒ），１１（Ｇ），１１
（Ｂ）が形成されるとともに、ブラックマトリクス１２
が形成されていない透明導電膜９が対向電極としてオー
バーコート膜８上に形成された点を除いて、図２の実施
の形態１の対向基板１６と同様の構造を有している。

【００７２】以上のような構成を有する液晶表示素子を
備えた本実施の形態の液晶表示装置では、ＴＦＴアレイ
基板２５において画素電極たる透明導電膜９とブラック
マトリクス１２とが一体化して形成されているため、Ｔ
ＦＴアレイ基板において画素電極たる透明導電膜とは別
にブラックマトリクスが形成される従来の場合に比べ
て、後述するように製造時における製造工程の数を減ら
すことが可能である。また、この場合においては、後述
するように、ゲート電極２をマスクとして用いて裏面露
光を行うことによりブラックマトリクス形成用のレジス
トを形成することができるため、ブラックマトリクス形
成用のレジストを形成するためのマスクを形成する必要
がなく、よって、製造工程を簡素化することが可能にな
るとともに精度良くゲート電極２の位置に合わせてブラ
ックマトリクス１２を形成することが可能になる。した
がって、このような液晶表示装置においては、製造コス
トの低減化および製造効率の向上を図ることが可能にな
るとともに、安定して高い歩留まりで製造することが可
能となる。

【００７３】また、透明導電膜９とブラックマトリクス
１２とが一体化して形成されているため、ブラックマト
リクスが透明導電膜とは別に形成される従来の場合に比
べて、ブラックマトリクスの分だけＴＦＴアレイ基板２
５の厚さを薄くすることが可能であり、その結果、液晶
表示素子３００、ひいては液晶表示装置４００の厚さを
薄くして高精細化を図ることが可能となる。

【００７４】上記のように、本実施の形態の液晶表示装
置４００は、液晶素子３００を構成するＴＦＴアレイ基
板２５において、画素電極たる透明導電膜９とブラック
マトリクス１２とが一体化して形成された点に特徴を有
しており、このようなＴＦＴアレイ基板２５は、以下の
製造方法より作製される。

【００７５】図８はＴＦＴアレイ基板２５の製造方法を
示すフローチャートであり、図９および図１０はＴＦＴ
アレイ基板２５の製造工程を模式的に示す断面図であ
る。

【００７６】図８のステップＳ１１および図９（ａ）に
示すように、ＴＦＴアレイ基板２５の製造時には、ま
ず、透光性基板１上にボトムゲート型構造を有するＴＦ
Ｔ２０を形成する。以下に、ＴＦＴ２０の形成方法を簡
単に説明する。

【００７７】ＴＦＴ２０の形成時には、透光性基板１の
全面に厚さ３００ｎｍのＡｌ・Ｎｄ膜を成膜し、これを
所定の形状にパターニングしてゲート電極２を形成す
る。次に、ゲート電極２が形成された透光性基板１の表
面全体にＰＥＣＶＤ法（プラズマエンハンスト化学気相
成長法）により、厚さ３３０ｎｍのＳｉＮｘ膜からなる
絶縁膜３、厚さ２００ｎｍのｉ型アモルファスシリコン
膜からなる半導体膜４および厚さ５０ｎｍのｎ型不純物
ドープアモルファスシリコン膜からなる不純物ドープ半
導体膜５を連続して順次成膜した後、半導体膜４および
不純物ドープ半導体膜５を所定の形状にパターニングす
る。そして、不純物ドープ半導体膜５を覆うようにＴｉ
膜、Ａｌ膜およびＴｉ膜を順に成膜するとともに所定形
状にパターニングしてソース電極６ａおよびドレイン電
極６ｂを形成する。以上のようにしてＴＦＴ２０が形成
される。

【００７８】続いて、図８のステップＳ１２、ステップ
Ｓ１３および図９（ｂ）に示すように、絶縁膜３表面お
よびＴＦＴ２０表面を覆うようにパッシベーション膜７
を成膜して表面を平坦化するとともに（ステップＳ１
２）、絶縁膜３上にオーバーコート膜８を成膜する（ス
テップ１３）。そして、図８のステップＳ１４、ステッ
プＳ１５および図９（ｃ）に示すように、パッシベーシ
ョン膜７およびオーバーコート膜８にコンタクトホール
２１を形成し（ステップＳ１４）、さらに、オーバーコ
ート膜８上およびコンタクトホール２１内に透明導電膜
９を成膜する（ステップＳ１５）。

【００７９】次に、図８のステップＳ１６および図１０
（ｄ）に示すように、遮光性の金属膜からなるゲート電
極２をマスクとして用いて透光性基板１側から光を照射
して露光を行い（以下、このような露光を裏面露光とい
う）、所定の領域に開口部２３ａを有するネガレジスト
２３を透明導電膜９上に形成する。

【００８０】続いて、図８のステップＳ１７および図１
０（ｅ）に示すように、レジスト２３をマスクとして用
いて水素還元処理、具体的には水素プラズマまたは水素
イオンドーピングを行い、開口部２３ａ下部領域の透明
導電膜９を構成するＩＴＯ膜を還元して黒化し遮光性の
ブラックマトリクス１２を形成する。その後、レジスト
２３を除去する。

【００８１】次に、図８のステップＳ１８および図１０
（ｆ）に示すように、画素領域３１ａとＴＦＴ領域３１
ｂとから構成される各画素３１において、透明導電膜９
を画素領域３１ａおよびＴＦＴ領域３１ｂに応じて所定
の形状にパターニングし、各画素３１の画素領域３１ａ
に画素電極たる透明導電膜９を形成するとともに透明導
電膜９とブラックマトリクス１２とをそれぞれ分離して
絶縁する。

【００８２】最後に、図８のステップＳ１９に示すよう
に、画素電極たる透明導電膜９上、ブラックマトリクス
１２上およびオーバーコート膜８上に配向膜１０を形成
する。以上のようにして、画素電極たる透明導電膜９と
一体化してブラックマトリクス１２が形成されてなるＴ
ＦＴアレイ基板２５が得られる。

【００８３】ここで、上記の本実施の形態のＴＦＴアレ
イ基板２５と比較を行うため、図１１に示すように画素
電極たる透明導電膜９とは別にブラックマトリクス１２
が形成されてなる従来のＴＦＴアレイ基板を例に挙げて
説明する。この従来のＴＦＴアレイ基板は、パッシベー
ション膜７より上の構造が本実施の形態のＴＦＴアレイ
基板２５と異なる点を除いて、ＴＦＴアレイ基板２５と
同様の構造を有する。よって、図１１において、図７と
同一符号は、同一または相当する部分を示す。このよう
な従来のＴＦＴアレイ基板は、以下の方法により製造さ
れる。

【００８４】図１２は図１１に示す従来のＴＦＴアレイ
基板の製造方法の例を示すフローチャートである。図１
２のステップＳ’１１およびステップＳ’１２に示すよ
うに、図１１のＴＦＴアレイ基板の製造時には、上記の
本実施の形態のＴＦＴアレイ基板２５の製造時のステッ
プＳ１１およびステップ１２（図８）と同様の方法によ
りＴＦＴ２０を形成するとともに（ステップＳ’１
１）、パッシベーション膜７を成膜する（ステップＳ’
１２）。

【００８５】続いて、ステップＳ’１３に示すように、
この場合においては、前記パッシベーション膜７の全面
にＣｒ膜やＣｒＯ₂膜等からなるブラックマトリクス形
成用膜をスパッタ成膜装置を用いて成膜する。そして、
ステップＳ’１４に示すように、フォトリソグラフィに
より所定のパターンを有するレジストをブラックマトリ
クス形成用膜上に形成する。なお、この場合において
は、ブラックマトリクス形成用膜が遮光性であるため、
前述の本実施の形態の方法のようにゲート電極２を用い
た裏面露光によりレジストを形成することはできない。

【００８６】次に、ステップＳ’１５に示すように、レ
ジストで覆われていない領域のブラックマトリクス形成
用膜をエッチングにより除去してブラックマトリクス１
２’を形成し、その後にレジストを除去する。

【００８７】続いて、ステップＳ’１６に示すように、
パッシベーション膜７上およびブラックマトリクス１
２’上にオーバーコート膜８を形成して表面を平坦化
し、さらにステップＳ’１７に示すように、オーバーコ
ート膜８およびパッシベーション膜７にコンタクトホー
ル２１を形成する。さらに、ステップＳ’１８に示すよ
うに、オーバーコート膜８上およびコンタクトホール２
１内に画素電極たる透明導電膜９を形成するとともに、
ステップＳ’１９に示すように、各画素の画素領域に応
じて画素電極たる透明導電膜９を所定の形状にパターニ
ングして各画素の画素電極を分離して絶縁する。

【００８８】最後に、ステップＳ’２０に示すように、
オーバーコート膜８上および画素電極たる透明導電膜９
上に配向膜１０を形成する。以上のようにして、画素電
極たる透明導電膜９とブラックマトリクス１２’とが別
々に形成されてなる従来のＴＦＴアレイ基板が得られ
る。

【００８９】上記のように、画素電極たる透明導電膜９
とブラックマトリクス１２’とが別々に形成されてなる
従来のＴＦＴアレイ基板は１０の工程（図のステップ
Ｓ’１１〜Ｓ’２０）を経て製造されるが、画素電極た
る透明導電膜９とブラックマトリクス１２とが一体化し
て形成されてなる本実施の形態のＴＦＴアレイ基板２５
は、前述のように９つの工程（図８のステップＳ１１〜
Ｓ１９）を経て製造される。したがって、本実施の形態
のＴＦＴアレイ基板２５の製造時には、従来のＴＦＴア
レイ基板の製造時に比べて製造工程を減らすことが可能
となる。

【００９０】また、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板２
５の製造時には、ブラックマトリクス形成用のレジスト
を裏面露光により形成することが可能であるため、レジ
スト形成のためのマスクが不要になり製造工程の簡素化
が図られるとともに、ＴＦＴ２０のゲート電極２の上部
に対応する位置に位置ずれを生じることなくかつ位置合
わせマージンを必要とせずに精度良く容易にブラックマ
トリクス１２を形成することが可能となる。したがっ
て、安定して高い歩留まりで高精細なＴＦＴアレイ基板
２５を製造することが可能である。

【００９１】また、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板２
５の製造時には、透明導電膜９を形成しその所定領域を
加工することによりブラックマトリクス１２を形成する
ことから、画素電極たる透明導電膜９とブラックマトリ
クス１２とを一括して形成することが可能であるという
ことができる。このように画素電極たる透明導電膜９と
ブラックマトリクス１２との一括形成が可能であるた
め、従来のＴＦＴアレイ基板の製造時のようにブラック
マトリクス形成用膜を成膜する必要がなく、よって、ブ
ラックマトリクス形成用膜のためのスパッタ装置等の成
膜装置が不要になるとともに製造工程の簡素化が図られ
る。

【００９２】さらに、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板
２５は、画素電極たる透明導電膜９とブラックマトリク
ス１２とが一体化して形成されているため、パッシベー
ション膜７から配向膜１０までの厚さｔ₁（図７参照）
が従来のＴＦＴアレイ基板のパッシベーション膜７から
配向膜１０までの厚さｔ₂（図１１参照）に比べて薄く
なる。例えば、従来のＴＦＴアレイ基板のパッシベーシ
ョン膜７から配向膜１０までの厚さｔ₂が１〜２μｍで
あるのに対して、ＴＦＴアレイ基板２５におけるパッシ
ベーション膜７から配向膜１０までの厚さｔ₁は０．５
μｍ程度である。

【００９３】本実施の形態の変形例として、ＴＦＴアレ
イ基板２５のブラックマトリクス１２上に金属膜等から
なる遮光膜が形成された構成も可能である。また、本実
施の形態の他の変形例として、ＴＦＴアレイ基板がトッ
プゲート型構造のＴＦＴを有する構成も可能である。ま
た、本実施の形態のさらに他の変形例として、半導体膜
および不純物ドープ半導体膜がポリシリコンからなる構
成も可能である。また、本実施の形態のさらに他の変形
例として、画素電極たるＴＦＴアレイ基板２５の透明導
電膜９上の一部または全部の領域に光反射性の膜が形成
された構成も可能であり、この場合においては半透過型
または反射型液晶表示装置が得られる。 （実施の形態３）図１３は本発明の実施の形態３に係る
液晶表示装置の液晶表示素子の構成を模式的に示す断面
図である。なお、図１３において、図２と同一の符号
は、同一または相当する部分を示している。本実施の形
態の液晶表示装置は、透過型液晶表示素子を備えた透過
型の液晶表示装置であり、また、後述するように、カラ
ーフィルタがＴＦＴアレイ基板側に配設されたカラーフ
ィルタオンアレイ構造を有する。

【００９４】図１３に示すように、本実施の形態の液晶
表示素子は、スペーサ２２を挟んで所定の間隔で対向す
るように配置されたＴＦＴアレイ基板３５と対向基板３
６との間に液晶層１７が挟持されてなる。

【００９５】ＴＦＴアレイ基板３５では、実施の形態１
のＴＦＴアレイ基板１５と同様に透光性基板１上に絶縁
膜３が形成されかつボトムゲート型構造を有するＴＦＴ
２０が形成されており、さらに、この場合には、ＴＦＴ
２０表面および絶縁膜３表面がパッシベーション膜７で
覆われている。

【００９６】パッシベーション膜７上には、赤、緑、青
のカラーフィルタ１１（Ｒ），１１（Ｇ），１１（Ｂ）
およびオーバーコート膜８が順に積層されており、この
カラーフィルタ１１（Ｒ），１１（Ｇ），１１（Ｂ）お
よびオーバーコート膜８にはコンタクトホール２１が形
成されている。さらに、オーバーコート膜８上には所定
の形状にパターニングされた画素電極たる透明導電膜９
が形成されコンタクトホール２１を介してＴＦＴ２０の
ドレイン電極６ｂに接続されている。また、ゲート電極
２の上部に位置する透明導電膜９の領域が黒化されてブ
ラックマトリクス１２が形成されている。このブラック
マトリクス１２と透明導電膜９とは配向膜１０により絶
縁されている一方、対向基板３６では、透光性基板１上
に対向電極たる透明導電膜９および配向膜１０が順に積
層されている。

【００９７】以上のような構成を有する本実施の形態の
液晶表示素子は、ＴＦＴアレイ基板３５の透明導電膜９
の所定領域が黒化されて画素電極たる透明導電膜９と一
体化したブラックマトリクス１２が形成されているた
め、画素電極たる透明導電膜とは別にブラックマトリク
スが形成される従来の場合に比べて、後述するように製
造時における製造工程の数を減らすことが可能である。
したがって、製造コストの低減化および製造効率の向上
を図ることが可能となる。

【００９８】また、画素電極たる透明導電膜９とブラッ
クマトリクス１２とが一体化しているため、ブラックマ
トリクスが画素電極たる透明導電膜とは別に形成される
従来の場合に比べて、ＴＦＴアレイ基板３５の厚さを薄
くすることが可能であり、その結果、液晶表示素子３０
０、ひいては液晶表示装置４００の厚さを薄くして高精
細化を図ることが可能となる。

【００９９】上記のように、本実施の形態の液晶表示装
置４００は、液晶素子３００を構成するＴＦＴアレイ基
板３５において、画素電極たる透明導電膜９と一体化し
てブラックマトリクス１２が形成された点に特徴を有す
る。このようなＴＦＴアレイ基板３５は、以下の製造方
法により製造される。

【０１００】図１４はＴＦＴアレイ基板３５の製造方法
を示すフローチャートであり、図１５はＴＦＴアレイ基
板３５の製造工程を模式的に示す断面図である。

【０１０１】図１４のステップＳ３１および図１５
（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板３５の製造時に
は、まず、実施の形態２の図８のステップＳ１１および
図９(ａ）において前述した方法と同様の方法により透
光性基板１上にＴＦＴ２０を形成する。そして、このＴ
ＦＴ２０表面および絶縁膜３表面にパッシベーション膜
７を成膜する。

【０１０２】次に、図１４のステップＳ３２、ステップ
Ｓ３３および図１５（ｂ）に示すように、パッシベーシ
ョン膜７上に赤、緑、青のカラーフィルタ１１（Ｒ），
１１（Ｇ），１１（Ｂ）を形成するとともに（ステップ
Ｓ３２）、その上にオーバーコート膜８を成膜する（ス
テップＳ３３）。さらに、図１４のステップＳ３４、ス
テップＳ３５および図１５（ｃ）に示すように、パッシ
ベーション膜７、カラーフィルタ１１（Ｒ），１１
（Ｇ），１１（Ｂ）およびオーバーコート膜８にコンタ
クトホール２１を形成するとともに（ステップＳ３
４）、オーバーコート膜８上およびコンタクトホール２
１内に透明導電膜９を成膜する（ステップＳ３５）。

【０１０３】続いて、図１４のステップＳ３６および図
１６（ｄ）に示すように、前述のＴＦＴ２０の形成工程
においてゲート電極２のパターニングの際に用いたマス
ク（以下、これをゲート電極形成用マスクという）を再
度利用してフォトリソグラフィを行い、開口部３０ａを
有するレジスト３０をオーバーコート膜８上に形成す
る。そして、図１４のステップＳ３７および図１６
（ｅ）に示すように、レジスト３０をマスクとして用い
て水素還元処理、具体的には水素プラズマまたは水素イ
オンドーピングを行い、開口部３０ａ下部領域の透明導
電膜９を構成するＩＴＯ膜を黒化し遮光性のブラックマ
トリクス１２を形成する。その後、レジスト３０を除去
する。

【０１０４】次に、図１４のステップＳ３８および図１
６（ｆ）に示すように、実施の形態２の図８のステップ
Ｓ１７および図１０（ｆ）において前述した方法と同様
の方法により、透明導電膜９を画素領域３１ａおよびＴ
ＦＴ形成領域３１ｂに応じて所定の形状にパターニング
し、各画素３１の画素領域３１ａに画素電極たる透明導
電膜９形成するとともに透明導電膜９とブラックマトリ
クス１２とをそれぞれ分離して絶縁する。

【０１０５】最後に、図１４のステップＳ３９に示すよ
うに、画素電極たる透明導電膜９上、ブラックマトリク
ス１２上およびオーバーコート膜８上に配向膜１０を形
成する。以上のようにして、画素電極たる透明導電膜９
と一体化してブラックマトリクス１２が形成されてなる
ＴＦＴアレイ基板３５が得られる。

【０１０６】ここで、上記の本実施の形態のＴＦＴアレ
イ基板３５と比較を行うため、図１７に示すように画素
電極たる透明導電膜９とは別にブラックマトリクス１２
が形成されてなる従来のＴＦＴアレイ基板を例に挙げて
説明する。この従来のＴＦＴアレイ基板は、カラーフィ
ルタ１１（Ｒ），１１（Ｇ），１１（Ｂ）より上の構造
が本実施の形態のＴＦＴアレイ基板３５と異なる点を除
いて、ＴＦＴアレイ基板３５と同様の構造を有する。よ
って、図１７において、図１３と同一符号は、同一また
は相当する部分を示す。このような従来のＴＦＴアレイ
基板は、以下の方法により製造される。

【０１０７】図１８は図１７に示す従来のＴＦＴアレイ
基板の製造方法の例を示すフローチャートである。ステ
ップＳ’３１およびステップＳ’３２に示すように、図
１７のＴＦＴアレイ基板の製造時には、上記の本実施の
形態のＴＦＴアレイ基板３５の製造時のステップＳ３１
およびステップ３２（図１４）と同様の方法によりＴＦ
Ｔ２０を形成するとともに（ステップＳ’３１）、パッ
シベーション膜７を成膜する（ステップＳ’３２）。

【０１０８】続いて、ステップＳ’３３に示すように、
この場合においては、前記パッシベーション膜７の全面
にＣｒ膜やＣｒＯ₂膜等からなるブラックマトリクス形
成用膜を成膜する。そして、ステップＳ’３４に示すよ
うに、フォトリソグラフィにより所定のパターンを有す
るレジストをブラックマトリクス形成用膜上に形成する
とともに、ステップＳ’３５に示すように、レジストで
覆われいない領域のブラックマトリクス形成用膜をエッ
チングにより除去し、エッチング後にレジストを除去す
る。それにより、ブラックマトリクス１２’を形成す
る。

【０１０９】続いて、ステップＳ’３６に示すように、
パッシベーション膜７上およびブラックマトリクス１
２’上にオーバーコート膜８を形成して表面を平坦化す
るとともに、ステップＳ’３７に示すように、パッシベ
ーション膜７、カラーフィルタ１１（Ｒ），１１
（Ｇ），１１（Ｂ）およびオーバーコート膜８にコンタ
クトホール２１を形成する。さらに、ステップＳ’３８
に示すように、オーバーコート膜８上およびコンタクト
ホール２１内に画素電極たる透明導電膜９を形成すると
ともに、ステップＳ’３９に示すように、各画素の画素
領域に応じて透明導電膜９を所定の形状にパターニング
し、各画素の画素電極たる透明導電膜９を分離して絶縁
する。

【０１１０】最後に、図１８のステップＳ’４０に示す
ように、オーバーコート膜９上および画素電極たる透明
導電膜９上に配向膜１０を形成する。以上のようにし
て、画素電極たる透明導電膜９とブラックマトリクス１
２’とが別々に形成されてなる従来のＴＦＴアレイ基板
が得られる。

【０１１１】上記のように、画素電極たる透明導電膜９
とブラックマトリクス１２’とが別々に形成されてなる
従来のＴＦＴアレイ基板は１０の工程（図１８のステッ
プＳ’３１〜Ｓ’４０）を経て製造されるが、画素電極
たる透明導電膜９とブラックマトリクス１２とが一体化
して形成されてなる本実施の形態のＴＦＴアレイ基板３
５は、前述のように９つの工程（図１４のステップＳ３
１〜Ｓ３９）を経て製造される。したがって、本実施の
形態のＴＦＴアレイ基板３５の製造時には、従来のＴＦ
Ｔアレイ基板の製造時に比べて製造工程数を減らすこと
が可能となる。

【０１１２】また、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板３
５の製造時には、ブラックマトリクス１２の形成の際に
用いるマスクとしてゲート電極２を形成する際に用いた
マスクを再度利用するため、ＴＦＴ２０のゲート電極２
の上部に対応する位置に位置ずれを生じることなくかつ
位置合わせマージンを必要とせずに精度良く容易にブラ
ックマトリクス１２を形成することが可能となる。した
がって、安定して高い歩留まりで高精細なＴＦＴアレイ
基板３５を製造することが可能である。

【０１１３】本実施の形態のＴＦＴアレイ基板３５の製
造時には、透明導電膜９を形成しその所定領域を加工す
ることによりブラックマトリクス１２を形成することか
ら、画素電極たる透明導電膜９とブラックマトリクス１
２とを一括して形成することが可能であるということが
できる。このように一括形成が可能であるため、従来の
ＴＦＴアレイ基板の製造時のようにブラックマトリクス
形成用膜を成膜する必要がなく、よって、ブラックマト
リクス形成用膜のためのスパッタ装置等の成膜装置が不
要になるとともに製造工程の簡素化が図られる。

【０１１４】さらに、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板
３５は、画素電極たる透明導電膜９とブラックマトリク
ス１２とが一体化して形成されているため、オーバーコ
ート膜８から配向膜１０までの厚さｔ₃（図１３参照）
が従来のＴＦＴアレイ基板のオーバーコート膜８から配
向膜１０までの厚さｔ₄（図１７参照）に比べて薄くな
る。例えば、従来のＴＦＴアレイ基板のオーバーコート
膜８から配向膜１０までの厚さｔ₄が１〜２μｍである
のに対して、ＴＦＴアレイ基板３５におけるオーバーコ
ート膜８から配向膜１０までの厚さｔ₃は０．５μｍ程
度である。 （実施の形態４）本発明の第４の実施の形態に係る液晶
表示装置の液晶表示素子は半透過型の液晶表示素子であ
り、ＴＦＴアレイ基板の構造が実施の形態３のＴＦＴア
レイ基板３５と異なる点を除いて、図１３に示す実施の
形態３の液晶表示素子と同様の構造を有する。以下に、
本実施の形態の液晶表示素子の特徴であるＴＦＴアレイ
基板の構造について説明する。

【０１１５】図１９は、本実施の形態の液晶表示素子に
おいて用いられるＴＦＴアレイ基板の構造を模式的に示
す断面図である。図１９に示すように、本実施の形態に
おいて用いられるＴＦＴアレイ基板は、画素電極たる透
明導電膜９の所定領域に局所的にＡｇ膜やＡｇ合金膜等
の金属膜からなる反射膜１３が形成された点を除いて、
図１３の実施の形態３のＴＦＴアレイ基板３５と同様の
構造を有する。したがって、図１９において、図１３と
同一の符号は、同一または相当する部分を示す。このよ
うなＴＦＴアレイ基板は、以下のような方法より製造さ
れる。

【０１１６】図２０（ａ）〜図２１（ｆ）は、図１９に
示すＴＦＴアレイ基板の製造工程を模式的に示す断面図
である。図２０（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施の
形態のＴＦＴアレイ基板の製造時には、実施の形態３に
おいて前述した図１５（ａ）〜（ｃ）の工程と同様の工
程を実施して透光性基板１上に絶縁膜３、ＴＦＴ２０、
パッシベーション膜７、カラーフィルタ１１（Ｒ），１
１（Ｇ），１１（Ｂ）、オーバーコート膜８、透明導電
膜９およびコンタクトホール２１を形成する。そして、
さらにこの場合においては、透明導電膜９の表面全体に
反射膜１３を形成する。

【０１１７】続いて、図２１（ｄ）に示すように、反射
膜１３上に、実施の形態３の図１６（ｄ）において前述
した方法と同様の方法により開口部３０ａを有するレジ
スト３０を形成する。そして、図２１（ｅ）に示すよう
に、レジスト３０の開口部３０ａ下部に位置する透明導
電膜９の領域を実施の形態３の図１６（ｅ）において前
述した方法と同様の方法により黒化してレジスト１２を
形成する。その後、レジスト３０を除去する。

【０１１８】次に、図２１（ｆ）に示すように、所定の
パターンが形成されたマスク（図示せず）を用いてエッ
チングを行い、反射膜１３が各画素３１の画素領域３１
ａの所定領域に部分的に形成されるように反射膜１３の
パターニングを行うとともに、画素電極たる透明導電膜
９を実施の形態３の図１６（ｆ）において前述した方法
と同様の方法により所定形状にパターニングする。そし
て、最後に、画素電極たる透明導電膜９上、ブラックマ
トリクス１２上およびオーバーコート膜８上に配向膜１
０を形成する。

【０１１９】以上のようにして、画素電極たる透明導電
膜９上に部分的に反射膜１３が形成されてなる本実施の
形態のＴＦＴアレイ基板が得られる。このようなＴＦＴ
アレイ基板を液晶表示素子に用いることにより半透過型
液晶表示装置が得られる。半透過型液晶表示装置ではバ
ックライトの使用を低減することができるため、省エネ
化を図ることができる。

【０１２０】また、本実施の形態の変形例として、図２
２に示すように、ブラックマトリクス１２上にも反射膜
１３を形成した構成としてもよい。この場合において
は、遮光性のブラックマトリクス１２の上にさらに遮光
性の金属膜からなる反射膜１３が形成されるため、より
遮光性を高めることが可能となる。

【０１２１】さらに、本実施の形態の他の変形例とし
て、ＴＦＴアレイ基板の画素電極たる透明導電膜９の全
面に反射膜１３を形成した構成としてもよい。このよう
なＴＦＴアレイ基板を液晶表示素子に用いることによ
り、反射型液晶表示装置が得られる。 （実施の形態５）本発明の実施の形態５に係る液晶表示
装置の液晶表示素子は、画素電極たる透明導電膜と一体
化して形成されたブラックマトリクスを有するととも
に、トップゲート型のＴＦＴを備えたＴＦＴアレイ基板
を備えたものである。以下に、本実施の形態の実施例に
ついて説明する。 ［実施例１］図２３は本実施の形態の実施例１による液
晶表示装置の液晶表示素子の構造を模式的に示す断面図
である。図２３に示すように、本実施例の液晶表示素子
は、ＴＦＴアレイ基板４５の構造がＴＦＴアレイ基板３
５と異なる点を除いて、図１３に示す実施の形態３の液
晶表示素子と同様の構造を有する。したがって、図２３
において、図１３と同一の符号は、同一または相当する
部分を示す。

【０１２２】本実施例の特徴であるＴＦＴアレイ基板４
５は、トップゲート型構造のＴＦＴ２８が形成された点
で、ボトムゲート型構造のＴＦＴ２０が形成されたＴＦ
Ｔアレイ基板３５とは異なっており、それ以外の構造は
ＴＦＴアレイ基板３５と同様である。トップゲート型構
造のＴＦＴ２８は、ＴＦＴ２０におけるゲート金属膜２
の代わりにクロム等からなる遮光膜１４が形成されると
ともに、ソース電極６ａとドレイン電極６ｂとの間の凹
部底面のパッシベーション膜７上にゲート電極２が形成
されその表面がさらにパッシベーション膜７で覆われた
点でボトムゲート型構造のＴＦＴ２０とは構造が異な
る。このようなトップゲート型構造のＴＦＴ２８を備え
たＴＦＴアレイ基板４５の製造方法は、以下のようにし
てＴＦＴ２８を形成する点を除いて、図１４〜図１６に
示す実施の形態３のＴＦＴアレイ基板３５の製造方法と
同様である。

【０１２３】本実施例においては、透光性基板１の表面
全体に遮光膜１４を形成した後、所定のパターンが形成
されたマスクを用いて遮光膜１４を所定形状にパターニ
ングする。その後、実施の形態３の方法と同様の方法に
より、透光性基板１上および遮光膜１４上に絶縁膜３を
形成する。そして、不純物を含まないｉ型のアモルファ
スシリコンからなる半導体膜４およびｎ型の不純物がド
ーピングされたｎ型アモルファスシリコンからなる不純
物ドープ半導体膜５を連続して順次成膜し所定形状にパ
ターニングするとともに、不純物ドープ半導体膜５を覆
うようにソース電極６ａおよびドレイン電極６ｂを形成
する。そして、絶縁膜３表面、ソース電極６ａおよびド
レイン電極６ｂ表面、ならびにソース電極６ａとドレイ
ン電極６ｂとの間の凹部の底面および側面にパッシベー
ション膜７を形成する。さらに、この場合においては、
ソース電極６ａとドレイン電極６ｂとの間の凹部底面の
パッシベーション膜７上にゲート電極２を形成し、この
ゲート電極２表面をさらにパッシベーション膜７で覆
う。以上のようにして、トップゲート型構造を有するＴ
ＦＴ２８を形成する。

【０１２４】上記のようなトップゲート型構造を有する
ＴＦＴ２８を含むＴＦＴアレイ基板４５を備えた本実施
例の液晶表示装置においては、ボトムゲート型構造を有
するＴＦＴ２０を含むＴＦＴアレイ基板３５を備えた実
施の形態３の液晶表示装置と同様の効果が得られる。 ［実施例２］図２４は本実施の形態の実施例２による液
晶表示装置の液晶表示素子の構造を模式的に示す断面図
である。図２４に示すように、本実施例の液晶表示素子
は、ＴＦＴアレイ基板４６のＴＦＴ２９の構造が実施例
１のＴＦＴアレイ基板４５のＴＦＴ２８と異なる点を除
いて、実施例１の液晶表示素子と同様の構造を有する。
したがって、図２４において、図２３と同一の符号は、
同一または相当する部分を示す。

【０１２５】本実施例の特徴であるＴＦＴアレイ基板４
６のＴＦＴ２９は、実施例１のＴＦＴアレイ基板４５の
ＴＦＴ２８と同様にトップゲート型構造を有するが、実
施例１のＴＦＴ２８がｉ型のアモルファスシリコンから
なる半導体膜４およびｎ型の不純物がドーピングされた
ｎ型アモルファスシリコンからなる不純物ドープ半導体
膜５を構成要素として含むのに対して、本実施例のＴＦ
Ｔ２９は、不純物を含まないｉ型のポリシリコンからな
る半導体膜４ａおよびｎ型の不純物がドーピングされた
ｎ型ポリシリコンからなる不純物ドープ半導体膜５ａを
構成要素として含んでいる。このようなＴＦＴ２９を備
えたＴＦＴアレイ基板４６の製造方法は、以下のように
してＴＦＴ２９を形成する点を除いて、実施例１のＴＦ
Ｔアレイ基板４５の製造方法と同様である。

【０１２６】本実施例においては、実施例１の方法と同
様の方法により透光性基板１の所定領域に遮光膜１４を
形成するとともに絶縁膜３を形成する。そして、この場
合においては、透光性基板１上および遮光膜１４上にｉ
型のポリシリコンからなる半導体膜４ａを成膜して所定
形状にパターニングするとともに、半導体膜４ａの両端
部の領域に不純物をドーピングしてこの領域のポリシリ
コンをｎ型の不純物を含むｎ型ポリシリコンに改質し不
純物ドープ半導体膜５ａとする。さらに、この不純物ド
ープ半導体膜５ａを覆うようにソース電極６ａおよびド
レイン電極６ｂを形成するとともに、絶縁膜３表面、ソ
ース電極６ａおよびドレイン電極６ｂ表面、ならびにソ
ース電極６ａとドレイン電極６ｂとの間の凹部の底面お
よび側面にパッシベーション膜７を形成する。そして、
ソース電極６ａとドレイン電極６ｂとの間の凹部底面の
パッシベーション膜７上にゲート電極２を形成し、この
ゲート電極２表面をさらにパッシベーション膜７で覆
う。以上のようにして、トップゲート型構造を有するＴ
ＦＴ２９を形成する。

【０１２７】上記のようなトップゲート型構造を有しポ
リシリコンから構成される半導体膜４ａ，５ａを有する
ＴＦＴ２９を含むＴＦＴアレイ基板４６を備えた本実施
例の液晶表示装置においては、実施の形態３の液晶表示
装置と同様の効果が得られる。

【０１２８】なお、本実施の形態の変形例として、遮光
膜１４を形成しない構成も可能である。

【０１２９】上記の実施の形態１〜５においては、液晶
表示素子の各画素にＴＦＴが形成されてなるアクティブ
マトリクス方式の液晶表示装置について説明したが、本
発明をパッシブマトリクス方式の液晶表示装置に適用す
ることも可能である。

【０１３０】また、上記の実施の形態１〜５において
は、まず光透過性の透明導電膜を形成し、続いてその所
定領域を還元することによりブラックマトリクスを形成
する場合について説明したが、まず遮光性のＩＴＯ膜等
からなる遮光性導電膜を形成し、続いてブラックマトリ
クス形成領域を除く領域、すなわち画素電極や対向電極
に相当する領域を酸素プラズマ処理等により酸化処理し
て選択的に光透過性に変質させてもよい。

【０１３１】

【発明の効果】本発明は、以上に説明したような形態で
実施され、薄膜化が図られるとともに製造工程の簡素化
が図られた液晶表示装置用基板およびその製造方法なら
びにそれを用いた液晶表示装置およびその製造方法を提
供することが可能であるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る液晶表示装置の構成を示すブロッ
ク図である。

【図２】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の液
晶表示素子の構成を模式的に示す断面図である。

【図３】図２の液晶表示素子の対向基板の製造方法を示
すフロー図である。

【図４】図２の液晶表示素子の対向基板の製造工程を模
式的に示す断面図である。

【図５】従来の対向基板の製造方法を示すフロー図であ
る。

【図６】従来の対向基板の製造工程を模式的に示す断面
図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置
の液晶素子の構成を模式的に示す断面図である。

【図８】図７の液晶表示素子のＴＦＴアレイ基板の製造
方法を示すフロー図である。

【図９】図７の液晶表示素子のＴＦＴアレイ基板の製造
工程を模式的に示す断面図である。

【図１０】図７の液晶表示素子のＴＦＴアレイ基板の製
造工程を模式的に示す断面図である。

【図１１】従来のＴＦＴアレイ基板の構成を模式的に示
す断面図である。

【図１２】図１１のＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す
フロー図である。

【図１３】本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置の
液晶表示素子の構成を模式的に示す断面図である。

【図１４】図１３の液晶表示素子のＴＦＴアレイ基板の
製造方法を示すフロー図である。

【図１５】図１３の液晶表示素子のＴＦＴアレイ基板の
製造工程を模式的に示す断面図である。

【図１６】図１３の液晶表示素子のＴＦＴアレイ基板の
製造工程を模式的に示す断面図である。

【図１７】従来のＴＦＴアレイ基板の構成を模式的に示
す断面図である。

【図１８】図１７のＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す
フロー図である。

【図１９】本発明の実施の形態４に係る液晶表示装置の
液晶表示素子を構成するＴＦＴアレイ基板の構成を模式
的に示す断面図である。

【図２０】図１９のＴＦＴアレイ基板の製造工程を模式
的に示す断面図である。

【図２１】図１９のＴＦＴアレイ基板の製造工程を模式
的に示す断面図である。

【図２２】本発明の実施の形態４の変形例におけるＴＦ
Ｔアレイ基板の構成を模式的に示す断面図である。

【図２３】本発明の実施の形態５の実施例１における液
晶表示装置の液晶表示素子の構成を模式的に示す断面図
である。

【図２４】本発明の実施の形態５の実施例２における液
晶表示装置の液晶表示素子の構成を模式的に示す断面図
である。

【符号の説明】

１ 透光性基板 ２ ゲート電極 ３ 絶縁膜 ４，４ａ 半導体膜 ５，５ａ 不純物ドープ半導体膜 ６ａ ソース電極 ６ｂ ドレイン電極 ７ パッシベーション膜 ８ オーバーコート膜 ９ 透明導電膜 １０ 配向膜 １１ カラーフィルタ １２ ブラックマトリクス １３ 反射膜 １４ 遮光膜 １５，２５，３５，４５，４６ ＴＦＴアレイ基板 １６，２６，３６ 対向基板 １７ 液晶層 ２０，２８，２９ ＴＦＴ ２１ コンタクトホール ２２ スペーサ ２３，３０ レジスト ３１ 画素 ３１ａ 画素領域 ３１ｂ ＴＦＴ領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塩田 昭教 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H048 BA11 BB08 BB42 2H091 FA35Y FB08 FC27 FC28 GA03 GA13 LA11 LA12 2H092 HA04 HA05 JA24 JB52 JB54 KA04 KA05 KA07 KA10 MA13 MA42 NA27 PA09 5F110 AA16 BB01 BB02 CC01 CC02 CC07 DD02 EE06 EE07 FF03 GG02 GG13 GG15 GG24 GG35 GG45 HK03 HK04 HK09 HK16 HK21 HK22 HL07 NN03 NN24 NN27 NN44 NN45 NN46 NN52 NN72 QQ01 QQ19 QQ25 QQ26

Claims (30)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶表示装置に用いられる透明電極を備
   えた液晶表示装置用基板において、 前記透明電極を形成する際に用いる導電膜の所定領域に
   所定の処理を施すことにより形成されたブラックマトリ
   クスを備えたことを特徴とする液晶表示装置用基板。
2. 【請求項２】 前記透明電極を形成する際に用いる導電
   膜が遮光性の導電膜であり、前記透明電極は、前記遮光
   性の導電膜の所定領域を所定処理することにより前記所
   定領域の導電膜を変質させて光透過性とした導電膜から
   構成され、前記ブラックマトリクスは、前記処理が施さ
   れていない前記遮光性の導電膜から構成された請求項１
   記載の液晶表示装置用基板。
3. 【請求項３】 前記透明電極を形成する際に用いる導電
   膜が光透過性の導電膜であり、前記ブラックマトリクス
   は、前記透明導電膜の所定領域を所定処理することによ
   り前記光所定領域の導電膜を変質させて遮光性とした導
   電膜から構成された請求項１記載の液晶表示装置用基
   板。
4. 【請求項４】 前記ブラックマトリクス上にさらに遮光
   膜が形成された請求項１記載の液晶表示装置用基板。
5. 【請求項５】 前記液晶表示装置用基板は前記液晶表示
   装置において対向基板として用いられ、前記電極が対向
   電極である請求項１記載の液晶表示装置用基板。
6. 【請求項６】 前記液晶表示装置用基板はドレイン電
   極、ソース電極およびゲート電極を含む薄膜トランジス
   タが形成されており前記液晶表示装置において薄膜トラ
   ンジスタアレイ基板として用いられ、前記電極が画素電
   極であり、前記画素電極は前記薄膜トランジスタの前記
   ドレイン電極に接続した請求項１記載の液晶表示装置用
   基板。
7. 【請求項７】 前記画素電極の一部または全部に反射膜
   が形成された請求項６記載の液晶表示装置用基板。
8. 【請求項８】 前記反射膜がＡｇ膜またはＡｇ合金膜か
   ら構成された請求項７記載の液晶表示装置用基板。
9. 【請求項９】 前記薄膜トランジスタが、絶縁性基板上
   に前記ゲート電極、絶縁膜、半導体膜および不純物がド
   ーピングされた不純物ドープ半導体膜が順に積層される
   とともに前記不純物ドープ半導体膜を介して前記半導体
   膜に接続する前記ソース電極および前記ドレイン電極が
   形成されたボトムゲート型構造を有する請求項６記載の
   液晶表示装置用基板。
10. 【請求項１０】 前記半導体膜がｉ型アモルファスシリ
    コン膜から構成され、前記不純物ドープ半導体膜がｎ型
    不純物がドーピングされたｎ型アモルファスシリコン膜
    から構成された請求項９記載の液晶表示装置用基板。
11. 【請求項１１】 前記薄膜トランジスタが、絶縁性基板
    上に遮光膜、絶縁膜、半導体膜および不純物がドーピン
    グされた不純物ドープ半導体膜が順に積層されるととも
    に前記不純物ドープ半導体膜を介して前記半導体膜に接
    続する前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成さ
    れ前記半導体膜上に前記ゲート電極が形成されたトップ
    ゲート型構造を有する請求項６記載の液晶表示装置用基
    板。
12. 【請求項１２】 前記半導体膜がｉ型アモルファスシリ
    コン膜から構成され、前記不純物ドープ半導体膜がｎ型
    不純物がドーピングされたｎ型アモルファスシリコン膜
    から構成された請求項１１記載の液晶表示装置用基板。
13. 【請求項１３】 前記薄膜トランジスタが、絶縁性基板
    上に少なくとも絶縁膜および半導体膜が積層されるとと
    もに前記半導体膜の所定領域に不純物がドーピングされ
    て不純物ドープ半導体膜が形成され前記不純物ドープ半
    導体膜を介して前記半導体膜に接続する前記ソース電極
    および前記ドレイン電極が形成されたトップゲート型構
    造を有する請求項６記載の液晶表示装置用基板。
14. 【請求項１４】 前記半導体膜がi型ポリシリコン膜か
    ら構成され、前記不純物ドープ半導体膜がn型不純物が
    ドーピングされたｎ型ポリシリコン膜から構成された請
    求項１３記載の液晶表示装置用基板。
15. 【請求項１５】 互いに対向する一対の液晶表示装置用
    基板の間に液晶層が挟持されてなる液晶表示装置であっ
    て、 一方の前記液晶表示装置用基板に請求項１記載の液晶表
    示装置用基板が用いられたことを特徴とする液晶表示装
    置。
16. 【請求項１６】 液晶表示装置に用いられる透明電極を
    備えた液晶表示装置用基板の製造方法であって、 前記透明電極を形成する際に用いる導電膜の所定領域を
    所定処理してブラックマトリクスを形成することを特徴
    とする液晶表示装置用基板の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記透明電極を形成する際に光透過性
    の導電膜を形成し、前記光透過性の導電膜の所定領域を
    水素還元処理して変質させて遮光性とすることにより前
    記ブラックマトリクスを形成するとともに、前記水素還
    元処理が施されていない前記光透過性の導電膜から構成
    される領域を前記透明電極とする請求項１６記載の液晶
    表示装置用基板の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記水素還元処理が水素プラズマまた
    は水素イオンドーピングによるものである請求項１７記
    載の液晶表示装置用基板の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記透明電極を形成する際に遮光性の
    導電膜を形成し、前記遮光性の導電膜の所定領域を酸化
    処理して変質させて光透過性とすることにより透明電極
    を形成するとともに、前記酸化処理が施されていない前
    記遮光性の導電膜から構成される領域を前記ブラックマ
    トリクスとする請求項１６記載の液晶表示装置用基板の
    製造方法。
20. 【請求項２０】 前記酸化処理が酸素プラズマによるも
    のである請求項１９記載の液晶表示装置用基板の製造方
    法。
21. 【請求項２１】 前記ブラックマトリクス上にさらに遮
    光膜を形成する請求項１６記載の液晶表示装置用基板の
    製造方法。
22. 【請求項２２】 前記液晶表示装置用基板は前記液晶表
    示装置において対向基板として用いられ、前記導電膜か
    ら構成される電極が対向電極である請求項１６記載の液
    晶表示装置用基板の製造方法。
23. 【請求項２３】 前記液晶表示装置用基板はドレイン電
    極、ソース電極およびゲート電極を含む薄膜トランジス
    タが形成されており前記液晶表示装置において薄膜トラ
    ンジスタアレイ基板として用いられ、前記導電膜から構
    成される電極が前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電
    極に接続された画素電極である請求項１６記載の液晶表
    示装置用基板の製造方法。
24. 【請求項２４】 絶縁性基板上に前記ゲート電極、絶縁
    膜、半導体膜および不純物がドーピングされた不純物ド
    ープ半導体膜を順に積層してそれぞれ所定形状にパター
    ニングするとともに前記不純物ドープ半導体膜を介して
    前記半導体膜に接続する前記ソース電極および前記ドレ
    イン電極を形成することによりボトムゲート型構造を有
    する薄膜トランジスタを形成し、さらに前記薄膜トラン
    ジスタの前記ゲート電極のパターニングに用いたマスク
    を再び用いて前記透明電極と前記ブラックマトリクス形
    成のための処理の際に用いるレジストを形成する請求項
    ２３記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
25. 【請求項２５】 絶縁性基板上に前記ゲート電極、絶縁
    膜、半導体膜および不純物がドーピングされた不純物ド
    ープ半導体膜を順に積層してそれぞれ所定形状にパター
    ニングするとともに前記不純物ドープ半導体膜を介して
    前記半導体膜に接続する前記ソース電極および前記ドレ
    イン電極を形成することによりボトムゲート型構造を有
    する薄膜トランジスタを形成し、さらに前記絶縁性基板
    側から光を照射して前記薄膜トランジスタの前記ゲート
    電極をマスクとして利用した裏面露光を行うことにより
    前記透明電極と前記ブラックマトリクス形成のための処
    理の際に用いるレジストを形成する請求項２３記載の液
    晶表示装置用基板の製造方法。
26. 【請求項２６】 絶縁性基板上に遮光膜、絶縁膜、半導
    体膜および不純物がドーピングされた不純物ドープ半導
    体膜を形成してそれぞれ所定形状にパターニングすると
    ともに前記不純物ドープ半導体膜を介して前記半導体膜
    に接続する前記ソース電極および前記ドレイン電極を形
    成しさらに前記半導体膜上に前記ゲート電極を形成する
    ことによりトップゲート型構造を有する薄膜トランジス
    タを形成し、さらに前記薄膜トランジスタの前記遮光膜
    のパターニングに用いたマスクを再び用いて前記透明電
    極と前記ブラックマトリクス形成のための処理の際に用
    いるレジストを形成する請求項２３記載の液晶表示装置
    用基板の製造方法。
27. 【請求項２７】 絶縁性基板上に前記ゲート電極、絶縁
    膜、半導体膜および不純物がドーピングされた不純物ド
    ープ半導体膜を形成してそれぞれ所定形状にパターニン
    グするとともに前記不純物ドープ半導体膜を介して前記
    半導体膜に接続する前記ソース電極および前記ドレイン
    電極を形成しさらに前記半導体膜上に前記ゲート電極を
    形成することによりトップゲート型構造を有する薄膜ト
    ランジスタを形成し、さらに前記絶縁性基板側から光を
    照射して前記薄膜トランジスタの前記遮光膜をマスクと
    して利用した裏面露光を行うことにより前記透明電極と
    前記ブラックマトリクス形成のための処理の際に用いる
    レジストを形成する請求項２３記載の液晶表示装置用基
    板の製造方法。
28. 【請求項２８】 前記画素電極の一部または全部に反射
    膜を形成する請求項２３記載の液晶表示装置用基板の製
    造方法。
29. 【請求項２９】 前記画素電極たる透明電極を形成する
    際に用いる導電膜上にさらに反射膜を形成するとともに
    前記反射膜上に前記レジストを形成し、前記レジストを
    用いて前記導電膜の所定領域を所定処理して前記透明電
    極および前記ブラックマトリクスを形成するとともに前
    記反射膜をパターニングして前記透明電極上に前記反射
    膜を形成する請求項２４〜２７のいずれかに記載の液晶
    表示装置用基板の製造方法。
30. 【請求項３０】 互いに対向する一対の液晶表示装置用
    基板の間に液晶層が挟持されてなる液晶表示装置の製造
    方法であって、 一方の前記液晶表示装置用基板が請求項１６記載の液晶
    表示装置用基板の製造方法により製造されたことを特徴
    とする液晶表示装置の製造方法。