JPH1124108A - 薄膜トランジスタ型液晶表示素子とその製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタ型液晶表示素子とその製造方法Info
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- JPH1124108A JPH1124108A JP10821398A JP10821398A JPH1124108A JP H1124108 A JPH1124108 A JP H1124108A JP 10821398 A JP10821398 A JP 10821398A JP 10821398 A JP10821398 A JP 10821398A JP H1124108 A JPH1124108 A JP H1124108A
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- G02F1/1343—Electrodes
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造工数を減少させることにより、製造コス
トを削減することができる液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 第１基板と、前記第１基板に対向する第
２基板と、前記第１基板の対向面の一部分に形成された
スイッチング素子と、前記スイッチング素子の形成され
た前記第１基板の対向面全面に形成されたカラーフィル
タ層と、前記第１基板の対向面の他部分上に位置する前
記カラーフィルタ層上部に形成され前記スイッチング素
子と電気的に連結される第１電極と、前記第２基板の対
向面のうち前記スイッチング素子に該当する部分に形成
されたブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクス
の形成された前記第２基板の対向面全面に形成された第
２電極とを備える構成とする。
トを削減することができる液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 第１基板と、前記第１基板に対向する第
２基板と、前記第１基板の対向面の一部分に形成された
スイッチング素子と、前記スイッチング素子の形成され
た前記第１基板の対向面全面に形成されたカラーフィル
タ層と、前記第１基板の対向面の他部分上に位置する前
記カラーフィルタ層上部に形成され前記スイッチング素
子と電気的に連結される第１電極と、前記第２基板の対
向面のうち前記スイッチング素子に該当する部分に形成
されたブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクス
の形成された前記第２基板の対向面全面に形成された第
２電極とを備える構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子の技術
に係り、特に色調が向上し、工程が単純な薄膜トランジ
スタ型液晶表示素子とその製造方法に関する。
に係り、特に色調が向上し、工程が単純な薄膜トランジ
スタ型液晶表示素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に薄膜トランジスタ型液晶表示素子
(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display) は、
下部基板、下部基板上に形成されたスイッチング素子の
薄膜トランジスタ、下部基板と対向する上部基板、上部
基板上に形成された赤，緑及び青のカラーフィルタ層、
及び二つの基板により限定されたキャビティに封入され
た液晶を備える。
(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display) は、
下部基板、下部基板上に形成されたスイッチング素子の
薄膜トランジスタ、下部基板と対向する上部基板、上部
基板上に形成された赤，緑及び青のカラーフィルタ層、
及び二つの基板により限定されたキャビティに封入され
た液晶を備える。
【０００３】図９は従来の一般的な薄膜トランジスタ型
液晶表示素子の横断面図を示す。下部基板１上部の一部
分には、画素を駆動するスイッチング素子の逆スタガー
型薄膜トランジスタ１５が配置され、他部分には画素電
極８が配置される。画素電極８はＩＴＯで構成される。
薄膜トランジスタ１５の上部には、薄膜トランジスタを
保護するためのパッシベーション層９が位置する。薄膜
トランジスタ１５は、ゲート２ａ，ソース７ａ及びドレ
イン７ｂを備える。ゲート２ａと同一平面に配置された
ストレージ電極２ｂと画素電極８との間には絶縁層３が
介され、これら三要素はキャパシタ１７を形成する。
液晶表示素子の横断面図を示す。下部基板１上部の一部
分には、画素を駆動するスイッチング素子の逆スタガー
型薄膜トランジスタ１５が配置され、他部分には画素電
極８が配置される。画素電極８はＩＴＯで構成される。
薄膜トランジスタ１５の上部には、薄膜トランジスタを
保護するためのパッシベーション層９が位置する。薄膜
トランジスタ１５は、ゲート２ａ，ソース７ａ及びドレ
イン７ｂを備える。ゲート２ａと同一平面に配置された
ストレージ電極２ｂと画素電極８との間には絶縁層３が
介され、これら三要素はキャパシタ１７を形成する。
【０００４】上部基板１１の所定部分には液晶表示素子
のクロストークを防止するブラックマトリクス１２が配
置される。このブラックマトリクス１２は、薄膜トラン
ジスタ１５とキャパシタ１７に該当する部分に配置され
る。上部基板１１の表面のうち、即ち、画素電極に該当
する部分には、赤，緑及び青のカラーフィルタ層１３が
配列される。ブラックマトリクス１２及びカラーフィル
タ層１３上部の全面には共通電極１４が配列される。こ
の共通電極１４はＩＴＯで構成される。一方、参照番号
４は活性層、参照番号５はエッチストッパ、参照番号６
はオーミック抵抗接触層を示す。
のクロストークを防止するブラックマトリクス１２が配
置される。このブラックマトリクス１２は、薄膜トラン
ジスタ１５とキャパシタ１７に該当する部分に配置され
る。上部基板１１の表面のうち、即ち、画素電極に該当
する部分には、赤，緑及び青のカラーフィルタ層１３が
配列される。ブラックマトリクス１２及びカラーフィル
タ層１３上部の全面には共通電極１４が配列される。こ
の共通電極１４はＩＴＯで構成される。一方、参照番号
４は活性層、参照番号５はエッチストッパ、参照番号６
はオーミック抵抗接触層を示す。
【０００５】このような薄膜トランジスタ型液晶表示素
子を製造するためには、いずれかの一工程ラインで、下
部基板１の一部分に薄膜トランジスタ１５を形成し、薄
膜トランジスタの形成工程のうち、ソース７ａ及びドレ
イン７ｂを形成する以前に、下部基板１の他部分に画素
電極８が形成される。次に薄膜トランジスタ１５を保護
するパッシベーション層９を形成する。一方、他の工程
ラインでは、上部基板１１のうち、薄膜トランジスタ１
５及びキャパシタ１７に該当する部分のみにブラックマ
トリクス１２を形成する。次に画素電極８に該当する部
分にカラーフィルタ層１３を形成する。これらのブラッ
クマトリクス１２とカラーフィルタ層１３が形成された
結果物全面に共通電極１４を形成する。
子を製造するためには、いずれかの一工程ラインで、下
部基板１の一部分に薄膜トランジスタ１５を形成し、薄
膜トランジスタの形成工程のうち、ソース７ａ及びドレ
イン７ｂを形成する以前に、下部基板１の他部分に画素
電極８が形成される。次に薄膜トランジスタ１５を保護
するパッシベーション層９を形成する。一方、他の工程
ラインでは、上部基板１１のうち、薄膜トランジスタ１
５及びキャパシタ１７に該当する部分のみにブラックマ
トリクス１２を形成する。次に画素電極８に該当する部
分にカラーフィルタ層１３を形成する。これらのブラッ
クマトリクス１２とカラーフィルタ層１３が形成された
結果物全面に共通電極１４を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した製造方法によ
れば、下部基板１に形成された薄膜トランジスタ１５を
保護するためのパッシベーション層９の形成工程がカラ
ーフィルタ層１３の形成工程と別に行われる。従って、
液晶表示素子の製造工程が複雑である。
れば、下部基板１に形成された薄膜トランジスタ１５を
保護するためのパッシベーション層９の形成工程がカラ
ーフィルタ層１３の形成工程と別に行われる。従って、
液晶表示素子の製造工程が複雑である。
【０００７】また、下部基板１に薄膜トランジスタ１５
及びパッシベーション層９を形成する工程ラインと、上
部基板１１にカラーフィルタ層１３を形成する工程ライ
ンとがそれぞれに要求される。ところが、一つのライン
を加えるには設備投資コストが非常に高くなる。
及びパッシベーション層９を形成する工程ラインと、上
部基板１１にカラーフィルタ層１３を形成する工程ライ
ンとがそれぞれに要求される。ところが、一つのライン
を加えるには設備投資コストが非常に高くなる。
【０００８】本発明は以上のような問題点に基づいてな
されたものであり、液晶表示素子の製造工程を単純化す
ることにある。
されたものであり、液晶表示素子の製造工程を単純化す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子
は、第１基板と、第１基板の対向面の一部分に形成され
たスイッチング素子と、スイッチング素子の形成された
第１基板の対向面全面に形成されたカラーフィルタ層
と、第１基板の他部分上に位置するカラーフィルタ層上
部に形成されスイッチング素子と電気的に連結される第
１電極とを備える。一方、液晶表示素子は、第１基板に
対向する第２基板と、第２基板の対向面のうち、スイッ
チング素子に該当する部分に形成されたブラックマトリ
クスと、ブラックマトリクスの備わった第２基板の対向
面全面に形成された第２電極とを備える。ここで、カラ
ーフィルタ層のうちスイッチング素子上部に形成された
部分はスイッチング素子の保護層の役割をする。
は、第１基板と、第１基板の対向面の一部分に形成され
たスイッチング素子と、スイッチング素子の形成された
第１基板の対向面全面に形成されたカラーフィルタ層
と、第１基板の他部分上に位置するカラーフィルタ層上
部に形成されスイッチング素子と電気的に連結される第
１電極とを備える。一方、液晶表示素子は、第１基板に
対向する第２基板と、第２基板の対向面のうち、スイッ
チング素子に該当する部分に形成されたブラックマトリ
クスと、ブラックマトリクスの備わった第２基板の対向
面全面に形成された第２電極とを備える。ここで、カラ
ーフィルタ層のうちスイッチング素子上部に形成された
部分はスイッチング素子の保護層の役割をする。
【００１０】また本発明の液晶表示素子の製造方法は、
まず第１基板及び第２基板を準備する。前記第１基板の
対向面の一部分にスイッチング素子を形成する。スイッ
チング素子の形成された第１基板の対向面全面にカラー
フィルタ層を形成する。カラーフィルタ層を形成した
後、カラーフィルタ層の所定部分にコンタクトホールを
形成しスイッチング素子の一部分を露出させる。スイッ
チング素子と第１電極とを電気的に連結するため、コン
タクトホールを含んでカラーフィルタ層上部の所定部分
に第１電極を形成する。一方、第２基板の対向面のう
ち、スイッチング素子に該当する部分にブラックマトリ
クスを形成し、このブラックマトリクスの形成された第
２基板の対向面全面に第２電極を形成する。ここで、カ
ラーフィルタ層のうちスイッチング素子上部に形成され
た部分はスイッチング素子の保護層の役割をする。
まず第１基板及び第２基板を準備する。前記第１基板の
対向面の一部分にスイッチング素子を形成する。スイッ
チング素子の形成された第１基板の対向面全面にカラー
フィルタ層を形成する。カラーフィルタ層を形成した
後、カラーフィルタ層の所定部分にコンタクトホールを
形成しスイッチング素子の一部分を露出させる。スイッ
チング素子と第１電極とを電気的に連結するため、コン
タクトホールを含んでカラーフィルタ層上部の所定部分
に第１電極を形成する。一方、第２基板の対向面のう
ち、スイッチング素子に該当する部分にブラックマトリ
クスを形成し、このブラックマトリクスの形成された第
２基板の対向面全面に第２電極を形成する。ここで、カ
ラーフィルタ層のうちスイッチング素子上部に形成され
た部分はスイッチング素子の保護層の役割をする。
【００１１】具体的な例として、第１電極は画素電極、
第２電極は共通電極であり、第１基板は下部基板、第２
基板は上部基板である。また、スイッチング素子はエッ
チストッパを有する逆スタガー型薄膜トランジスタであ
る。カラーフィルタ層の厚さは約１乃至３μｍである。
第２電極は共通電極であり、第１基板は下部基板、第２
基板は上部基板である。また、スイッチング素子はエッ
チストッパを有する逆スタガー型薄膜トランジスタであ
る。カラーフィルタ層の厚さは約１乃至３μｍである。
【００１２】スイッチング素子の保護層を形成するため
のパッシベーション工程がカラーフィルタ形成工程と同
時に行われるので、従来の技術に比べ工数が減って液晶
表示素子の製造工程が単純である。また、スイッチング
素子とカラーフィルタ層が同一生産ラインで形成される
ので、カラーフィルタ層を形成するための別の工程ライ
ンが要求されない。従って、ライン設備投資コストを減
らすことができる。
のパッシベーション工程がカラーフィルタ形成工程と同
時に行われるので、従来の技術に比べ工数が減って液晶
表示素子の製造工程が単純である。また、スイッチング
素子とカラーフィルタ層が同一生産ラインで形成される
ので、カラーフィルタ層を形成するための別の工程ライ
ンが要求されない。従って、ライン設備投資コストを減
らすことができる。
【００１３】一方、カラーフィルタ層が下部基板に形成
されバックライトから入射された光がカラーフィルタを
通過した後に液晶層を通過するので、液晶表示素子の色
調が向上する。
されバックライトから入射された光がカラーフィルタを
通過した後に液晶層を通過するので、液晶表示素子の色
調が向上する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の一実施の形態を詳細に説明する。
の一実施の形態を詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明により製造された薄膜トラン
ジスタ型液晶表示素子を示す。下部基板２１上部の一部
分には、スイッチング素子であるエッチストッパを有す
る逆スタガー型薄膜トランジスタ３０が配置される。薄
膜トランジスタのゲート２２ａと同一平面には、ゲート
２２ａから隔たったストレージ電極２２ｂが配置され
る。
ジスタ型液晶表示素子を示す。下部基板２１上部の一部
分には、スイッチング素子であるエッチストッパを有す
る逆スタガー型薄膜トランジスタ３０が配置される。薄
膜トランジスタのゲート２２ａと同一平面には、ゲート
２２ａから隔たったストレージ電極２２ｂが配置され
る。
【００１６】この薄膜トランジスタ３０が形成された下
部基板２１全面には、カラーフィルタ層２８ａ，２８ｂ
が配置される。薄膜トランジスタ３０を覆うカラーフィ
ルタ層２８ｂは、図９のパッシベーション層９に対応す
るもので、外部の汚染源から薄膜トランジスタ３０を保
護する。カラーフィルタ層２８ａ，２８ｂはコンタクト
ホール２９ａ，２９ｂを備え、薄膜トランジスタ３０の
ドレイン２７ｂとストレージ電極２２ｂ上部の絶縁層２
３を露出させる。
部基板２１全面には、カラーフィルタ層２８ａ，２８ｂ
が配置される。薄膜トランジスタ３０を覆うカラーフィ
ルタ層２８ｂは、図９のパッシベーション層９に対応す
るもので、外部の汚染源から薄膜トランジスタ３０を保
護する。カラーフィルタ層２８ａ，２８ｂはコンタクト
ホール２９ａ，２９ｂを備え、薄膜トランジスタ３０の
ドレイン２７ｂとストレージ電極２２ｂ上部の絶縁層２
３を露出させる。
【００１７】画素電極３１がコンタクトホール２９ａ，
２９ｂを含んでカラーフィルタ層２８ａの上部に配置さ
れる。画素電極３１はＩＴＯで構成される。コンタクト
ホール２９ｂの底面に形成された画素電極，ストレージ
電極２２ｂ及び絶縁層２３はキャパシタを形成する。
２９ｂを含んでカラーフィルタ層２８ａの上部に配置さ
れる。画素電極３１はＩＴＯで構成される。コンタクト
ホール２９ｂの底面に形成された画素電極，ストレージ
電極２２ｂ及び絶縁層２３はキャパシタを形成する。
【００１８】一方、参照番号２４は薄膜トランジスタ３
０の活性層，参照番号２５はエッチストッパ，参照番号
２６はオーミック抵抗接触層，参照番号２７ａはソース
を示す。
０の活性層，参照番号２５はエッチストッパ，参照番号
２６はオーミック抵抗接触層，参照番号２７ａはソース
を示す。
【００１９】上部基板４１上部のうち薄膜トランジスタ
３０、及びキャパシタの該当する部分にブラックマトリ
クス４２が配置される。ブラックマトリクス４２の備わ
った上部基板４１の全面に共通電極４３が配置され、こ
の共通電極４３はＩＴＯで構成される。
３０、及びキャパシタの該当する部分にブラックマトリ
クス４２が配置される。ブラックマトリクス４２の備わ
った上部基板４１の全面に共通電極４３が配置され、こ
の共通電極４３はＩＴＯで構成される。
【００２０】図２乃至図７を参照して、下部基板に薄膜
トランジスタ，カラーフィルタ層及び画素電極を形成す
る過程を説明する。
トランジスタ，カラーフィルタ層及び画素電極を形成す
る過程を説明する。
【００２１】図２で、下部基板２１を準備する。この下
部基板２１全面にスパッタを使用して、ＭｏＴａ、Ｍｏ
Ｗ及びＣｒ中のいずれか一つの金属を約２０００乃至３
０００Åに蒸着し、通常のフォトリソグラフィー方法で
金属層をパターニングし、ゲート２２ａとストレージ電
極２２ｂを形成する。
部基板２１全面にスパッタを使用して、ＭｏＴａ、Ｍｏ
Ｗ及びＣｒ中のいずれか一つの金属を約２０００乃至３
０００Åに蒸着し、通常のフォトリソグラフィー方法で
金属層をパターニングし、ゲート２２ａとストレージ電
極２２ｂを形成する。
【００２２】図３で、ゲート２２ａ及びストレージ電極
２２ｂの形成された下部基板２１全面に、ＰＥＣＶＤで
約３０００Åの絶縁層２３、約５０００Åの非晶質珪素
層２４ａ及び２０００Åの窒化珪素層を連続的に形成す
る。次に、エッチストッパマスク（図示せず）を使用し
窒化珪素層をパターニングしてエッチストッパ２５を形
成する。
２２ｂの形成された下部基板２１全面に、ＰＥＣＶＤで
約３０００Åの絶縁層２３、約５０００Åの非晶質珪素
層２４ａ及び２０００Åの窒化珪素層を連続的に形成す
る。次に、エッチストッパマスク（図示せず）を使用し
窒化珪素層をパターニングしてエッチストッパ２５を形
成する。
【００２３】図４で、オーミック抵抗接触層を形成する
ため、エッチストッパを備えた下部基板２１全面に、不
純物が、例えば燐がドープされた非晶質珪素層を蒸着す
る。薄膜トランジスタの領域を限定するため、不純物が
ドープされた非晶質珪素層と非晶質珪素層２４ａをパタ
ーニングし、オーミック抵抗接触層２６と活性層２４を
それぞれ形成する。次に、図示していないが、薄膜トラ
ンジスタを駆動させるための外部電源を供給するパッド
を形成する。
ため、エッチストッパを備えた下部基板２１全面に、不
純物が、例えば燐がドープされた非晶質珪素層を蒸着す
る。薄膜トランジスタの領域を限定するため、不純物が
ドープされた非晶質珪素層と非晶質珪素層２４ａをパタ
ーニングし、オーミック抵抗接触層２６と活性層２４を
それぞれ形成する。次に、図示していないが、薄膜トラ
ンジスタを駆動させるための外部電源を供給するパッド
を形成する。
【００２４】次いで図５で、下部基板２１全面に、ソー
ス及びドレイン用金属を蒸着しパターニングすることで
ソース２７ａ及びドレイン２７ｂを形成し、薄膜トラン
ジスタ３０を完成する。
ス及びドレイン用金属を蒸着しパターニングすることで
ソース２７ａ及びドレイン２７ｂを形成し、薄膜トラン
ジスタ３０を完成する。
【００２５】図６で、薄膜トランジスタ３０の形成され
た下部基板２１全面に赤色フィルタ用樹脂を塗布し、赤
色フィルタ用樹脂の所定部分をエッチングしてコンタク
トホール２９ａ，２９ｂを形成する。第１コンタクトホ
ール２９ａは薄膜トランジスタ３０のドレイン２７ｂを
露出させ、第２コンタクトホール２９ｂはストレージ電
極２２ｂ上部の絶縁層２３を露出させる。赤色フィルタ
用樹脂層のうち薄膜トランジスタ３０上部に形成された
層２８ｂは、図１のパッシベーション層９に該当するも
のであって、薄膜トランジスタ３０を保護する。
た下部基板２１全面に赤色フィルタ用樹脂を塗布し、赤
色フィルタ用樹脂の所定部分をエッチングしてコンタク
トホール２９ａ，２９ｂを形成する。第１コンタクトホ
ール２９ａは薄膜トランジスタ３０のドレイン２７ｂを
露出させ、第２コンタクトホール２９ｂはストレージ電
極２２ｂ上部の絶縁層２３を露出させる。赤色フィルタ
用樹脂層のうち薄膜トランジスタ３０上部に形成された
層２８ｂは、図１のパッシベーション層９に該当するも
のであって、薄膜トランジスタ３０を保護する。
【００２６】一方、薄膜トランジスタ３０とストレージ
電極２２ｂとの間に配置された赤色のカラーフィルタ用
樹脂層２８ａは、通常の赤色フィルタ層の役割をする。
赤色のカラーフィルタ用樹脂層２８ａ，２８ｂは約１乃
至３μｍの感光膜である。緑色フィルタ及び青色フィル
タの形成に関する説明に、赤色フィルタの形成の説明が
適用されることは当業者に自明である。
電極２２ｂとの間に配置された赤色のカラーフィルタ用
樹脂層２８ａは、通常の赤色フィルタ層の役割をする。
赤色のカラーフィルタ用樹脂層２８ａ，２８ｂは約１乃
至３μｍの感光膜である。緑色フィルタ及び青色フィル
タの形成に関する説明に、赤色フィルタの形成の説明が
適用されることは当業者に自明である。
【００２７】図７で、第１コンタクトホール２９ａ及び
第２コンタクトホール２９ｂを含んで赤色のカラーフィ
ルタ用樹脂層２８ａの全面に画素電極３１を形成する。
この画素電極３１はＩＴＯで構成される。第２コンタク
トホール２９ｂに形成された画素電極３１，ストレージ
電極２２ｂ及び絶縁層２３はキャパシタを形成する。
第２コンタクトホール２９ｂを含んで赤色のカラーフィ
ルタ用樹脂層２８ａの全面に画素電極３１を形成する。
この画素電極３１はＩＴＯで構成される。第２コンタク
トホール２９ｂに形成された画素電極３１，ストレージ
電極２２ｂ及び絶縁層２３はキャパシタを形成する。
【００２８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は上部基板にブ
ラックマトリクスと共通電極を形成する工程を示す。図
８（ａ）で、上部基板４１全面に約２０００Åのクロム
を蒸着しパターニングし、上部基板のうち下部基板の薄
膜トランジスタ及びキャパシタに該当する部分にブラッ
クマトリクス４２を形成する。図８（ｂ）で、ブラック
マトリクス４２の備わった上部基板４１全面に共通電極
４３を形成する。共通電極はＩＴＯで構成される。
ラックマトリクスと共通電極を形成する工程を示す。図
８（ａ）で、上部基板４１全面に約２０００Åのクロム
を蒸着しパターニングし、上部基板のうち下部基板の薄
膜トランジスタ及びキャパシタに該当する部分にブラッ
クマトリクス４２を形成する。図８（ｂ）で、ブラック
マトリクス４２の備わった上部基板４１全面に共通電極
４３を形成する。共通電極はＩＴＯで構成される。
【００２９】なお、本発明では、スイッチング素子とし
てエッチストッパを有する逆スタガー型薄膜トランジス
タのみを開示したが、本発明はこれに限定されることな
く、本発明はエッチバックを有する逆スタガー型薄膜ト
ランジスタ，スタガー型薄膜トランジスタ，コプラナー
型薄膜トランジスタまたは自己整列型薄膜トランジスタ
などを使用する液晶表示素子にも用いられる。
てエッチストッパを有する逆スタガー型薄膜トランジス
タのみを開示したが、本発明はこれに限定されることな
く、本発明はエッチバックを有する逆スタガー型薄膜ト
ランジスタ，スタガー型薄膜トランジスタ，コプラナー
型薄膜トランジスタまたは自己整列型薄膜トランジスタ
などを使用する液晶表示素子にも用いられる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、薄膜トラ
ンジスタ３０の形成された下部基板２１全面にカラーフ
ィルタ用樹脂層が塗布され、薄膜トランジスタを覆うカ
ラーフィルタ用樹脂層２８ｂは、薄膜トランジスタ３０
の保護層の役割をし、画素電極３１の形成される部分に
配置されたカラーフィルタ用樹脂層２８ａは通常のカラ
ーフィルタ層の役割をする。即ち、カラーフィルタ層の
形成工程とパッシベーション工程が同時に行われる。従
って、液晶表示素子の工数が減少して製造工程を単純化
させることができる。
ンジスタ３０の形成された下部基板２１全面にカラーフ
ィルタ用樹脂層が塗布され、薄膜トランジスタを覆うカ
ラーフィルタ用樹脂層２８ｂは、薄膜トランジスタ３０
の保護層の役割をし、画素電極３１の形成される部分に
配置されたカラーフィルタ用樹脂層２８ａは通常のカラ
ーフィルタ層の役割をする。即ち、カラーフィルタ層の
形成工程とパッシベーション工程が同時に行われる。従
って、液晶表示素子の工数が減少して製造工程を単純化
させることができる。
【００３１】また、下部基板に薄膜トランジスタとカラ
ーフィルタ層が形成されるので、カラーフィルタ層の形
成のための別のラインが要求されなく、ライン設備投資
コストを低くすることができる。
ーフィルタ層が形成されるので、カラーフィルタ層の形
成のための別のラインが要求されなく、ライン設備投資
コストを低くすることができる。
【００３２】一方、バックライトから入射された光がカ
ラーフィルタ層を通過した後に液晶層を通過するので、
色調が向上する。
ラーフィルタ層を通過した後に液晶層を通過するので、
色調が向上する。
【図１】本発明に基づいて製造された薄膜トランジスタ
型液晶表示素子の横断面図である。
型液晶表示素子の横断面図である。
【図２】図１に示す液晶表示素子の下部基板の構造物の
製造工程を示す横断面図である。
製造工程を示す横断面図である。
【図３】図２に示す液晶表示素子の上部基板の構造物の
製造工程を示す横断面図である。
製造工程を示す横断面図である。
【図４】図２に示す液晶表示素子の上部基板の構造物の
製造工程を示す横断面図である。
製造工程を示す横断面図である。
【図５】図２に示す液晶表示素子の上部基板の構造物の
製造工程を示す横断面図である。
製造工程を示す横断面図である。
【図６】図２に示す液晶表示素子の上部基板の構造物の
製造工程を示す横断面図である。
製造工程を示す横断面図である。
【図７】図２に示す液晶表示素子の上部基板の構造物の
製造工程を示す横断面図である。
製造工程を示す横断面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、図２に示す液晶表示素子
の上部基板の構造物の製造工程を示す横断面図である。
の上部基板の構造物の製造工程を示す横断面図である。
【図９】従来の技術により製造された薄膜トランジスタ
型液晶表示素子の横断面図である。
型液晶表示素子の横断面図である。
２１ 下部基板 ２８ａ，２８ｂ カラーフィルタ層 ３０ 薄膜トランジスタ ３１ 画素電極 ４１ 上部基板 ４２ ブラックマトリクス ４３ 共通電極
Claims (14)
- 【請求項１】 第１基板と、 前記第１基板に対向する第２基板と、 前記第１基板の対向面の一部分に形成されたスイッチン
グ素子と、 前記スイッチング素子の形成された前記第１基板の対向
面全面に形成されたカラーフィルタ層と、 前記第１基板の対向面の他部分上に位置する前記カラー
フィルタ層上部に形成され前記スイッチング素子と電気
的に連結される第１電極と、 前記第２基板の対向面のうち前記スイッチング素子に該
当する部分に形成されたブラックマトリクスと、 前記ブラックマトリクスの形成された前記第２基板の対
向面全面に形成された第２電極とを備えることを特徴と
する薄膜トランジスタ型液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記第１電極は画素電極，前記第２電極
は共通電極であり、前記第１基板は下部基板，前記第２
基板は上部基板であることを特徴とする請求項１記載の
薄膜トランジスタ型液晶表示素子。 - 【請求項３】 前記カラーフィルタ層のうち前記スイッ
チング素子上部に形成された部分は前記スイッチング素
子の保護層であることを特徴とする請求項１記載の薄膜
トランジスタ型液晶表示素子。 - 【請求項４】 前記スイッチング素子はエッチストッパ
を有する逆スタガー型薄膜トランジスタであることを特
徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素
子。 - 【請求項５】 前記カラーフィルタ層のうち前記スイッ
チング素子上部に形成された部分は前記スイッチング素
子の保護層であることを特徴とする請求項２記載の薄膜
トランジスタ型液晶表示素子。 - 【請求項６】 前記スイッチング素子はエッチストッパ
を有する逆スタガー型薄膜トランジスタであることを特
徴とする請求項２記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素
子。 - 【請求項７】 前記カラーフィルタ層は約１乃至３μｍ
の厚さを有することを特徴とする請求項１記載の薄膜ト
ランジスタ型液晶表示素子。 - 【請求項８】 第１基板及び第２基板を準備する工程
と、 前記第１基板の対向面の一部分にスイッチング素子を形
成する工程と、 前記スイッチング素子を備えた前記第１基板の対向面全
面にカラーフィルタ層を形成する工程と、 前記カラーフィルタ層の所定部分にコンタクトホールを
形成し前記スイッチング素子の一部分を露出させる工程
と、 前記コンタクトホールを含んで前記カラーフィルタ層上
部の所定部分に第１電極を形成し、前記スイッチング素
子と前記第１電極とを電気的に連結する工程と、 前記第２基板の対向面のうち前記スイッチング素子に該
当する部分にブラックマトリクスを形成する工程と、 前記ブラックマトリクスの備わった前記第２基板の対向
面全面に第２電極を形成する工程とを備えることを特徴
とする薄膜トランジスタ型液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記第１電極は画素電極，前記第２電極
は共通電極であり、前記第１基板は下部基板，前記第２
基板は上部基板であることを特徴とする請求項８記載の
薄膜トランジスタ型液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記カラーフィルタ層のうち前記スイ
ッチング素子上部に形成された部分は前記スイッチング
素子の保護層であることを特徴とする請求項８記載の薄
膜トランジスタ型液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項１１】 前記スイッチング素子はエッチストッ
パを有する逆スタガー型薄膜トランジスタであることを
特徴とする請求項８記載の薄膜トランジスタ型液晶表示
素子の製造方法。 - 【請求項１２】 前記カラーフィルタ層のうち前記スイ
ッチング素子上部に形成された部分は前記スイッチング
素子の保護層であることを特徴とする請求項９記載の薄
膜トランジスタ型液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項１３】 前記スイッチング素子はエッチストッ
パを有する逆スタガー型薄膜トランジスタであることを
特徴とする請求項９記載の薄膜トランジスタ型液晶表示
素子の製造方法。 - 【請求項１４】 前記カラーフィルタ層は約１乃至３μ
ｍの厚さを有することを特徴とする請求項８記載の薄膜
トランジスタ型液晶表示素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1997/P14495 | 1997-04-18 | ||
| KR1019970014495A KR100262402B1 (ko) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | 박막 트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1124108A true JPH1124108A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=19503254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10821398A Pending JPH1124108A (ja) | 1997-04-18 | 1998-04-17 | 薄膜トランジスタ型液晶表示素子とその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6191835B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1124108A (ja) |
| KR (1) | KR100262402B1 (ja) |
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