TW202013715A - 顯示面板及其製作方法、顯示裝置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 93
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 69
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 2
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 208000037805 labour Diseases 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
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Abstract
本發明屬於有機發光技術領域,公開了一種顯示面板及其製作方法、顯示裝置。其中,一種顯示面板,包括:基板、設置在基板上的圖元限定層、以及位於基板和圖元限定層之間的電極層;圖元限定層內具有與電極層相對設置的通孔,通孔貫穿圖元限定層、並落在電極層上;電極層包括堆疊設置的第一透明導電層和遮光導電層,在沿電極層的堆疊方向上,第一透明導電層在基板上的正投影面積大於遮光導電層在基板上的正投影面積。
Description
本發明屬於有機發光技術領域,特別是關於一種顯示面板及其製作方法、顯示裝置。
隨著發光技術的不斷發展,發光面板的應用越來越廣泛,OLED(Organic Light Emitting Diode,即有機發光二極體)發光器件以其回應速度快、色彩絢麗、輕薄方便等優點成為顯示面板行業的後起之秀。隨著顯示面板與螢幕下指紋識別等功能的結合使用,要求顯示面板的透光率足夠大,為了增大顯示面板的透光率,需要減小不透明的電極的面積。
現有技術中減小不透明的電極的面積後,容易導致顯示面板異常發光。
本發明實施例提供了一種顯示面板及其製作方法、顯示裝置,實現提升透光率的同時,減小出現異常發光可能性的目的。
為解決上述技術問題,本發明的實施例提供了一種顯示面板,包括:基板、設置在該基板上的圖元限定層、以及位於該基板和該圖元限 定層之間的電極層;該圖元限定層內具有與該電極層相對設置的通孔,該通孔貫穿該圖元限定層、並落在該電極層上;該電極層包括堆疊設置的第一透明導電層和遮光導電層,在沿該電極層的堆疊方向上,該第一透明導電層在該基板上的正投影面積大於該遮光導電層在該基板上的正投影面積。
本發明的實施例還提供了一種顯示裝置,包括如上述的顯示面板。
本發明的實施例還提供了一種顯示面板的製作方法,包括以下步驟:提供基板;在該基板上形成電極層;在該電極層上形成圖元限定層,該圖元限定層內具有與該電極層相對設置的通孔,該通孔貫穿該圖元限定層、並落在該電極層上;其中,該在該基板上形成電極層,具體為,在該基板上堆疊形成第一透明導電層和遮光導電層,在沿該電極層的堆疊方向上,該第一透明導電層在該基板上的正投影面積大於該遮光導電層在該基板上的正投影面積。
本發明實施例中,電極層由第一透明導電層和遮光導電層堆疊形成,且在沿電極層的堆疊方向上,第一透明導電層在該基板上的正投影面積大於遮光導電層在該基板上的正投影面積;因此,在與現有技術具有相同的透光率的條件下,本發明實施例中的電極層整體面積更大,使得通孔在與電極層配合設置時,更大面積的電極層可以保證通孔更不容易落在電極層以外的位置,從而減小出現異常發光可能性。
另外,在沿該電極層的堆疊方向上,該遮光導電層在該基板上的正投影位於該第一透明導電層在該基板上的正投影內部;或者,在沿 該電極層的堆疊方向上,該遮光導電層在該基板上的正投影與該第一透明導電層在該基板上的正投影部分重合。在沿電極層的堆疊方向上,遮光導電層在基板上的正投影位於第一透明導電層在基板上的正投影內部,即遮光導電層整體設置在第一透明導電層的表面上,增大第一透明導電層與遮光導電層的接觸面積,使得第一透明導電層可以對遮光導電層起到更好的保護作用;或者,在沿電極層的堆疊方向上,遮光導電層在基板上的正投影與第一透明導電層在基板上的正投影部分重合,從而進一步的增大電極層在沿電極層的堆疊方向上的面積,進一步的減小出現異常發光可能性。
另外,該第一透明導電層夾設於該基板和該遮光導電層之間。遮光導電層通過第一透明導電層與基板連接,可以有效的增大各個部件之間結合的牢固程度,提升顯示面板的可靠性。
另外,該遮光導電層夾設於該基板和該第一透明導電層之間。遮光導電層夾設於基板和第一透明導電層之間,第一透明導電層可以對遮光導電層起到保護作用,防止遮光導電層被氧化。
另外,該電極層還包括第二透明導電層,該遮光導電層夾設於該第一透明導電層和該第二透明導電層之間。遮光導電層夾設於第一透明導電層和第二透明導電層之間,既可以有效的增大各個部件之間結合的牢固程度,提升顯示面板的可靠性;又可以對遮光導電層起到保護作用,防止遮光導電層被氧化。
S701~S703、S801~S803‧‧‧步驟
10‧‧‧基板
10a‧‧‧中間絕緣層
10b‧‧‧填充層
10c‧‧‧電容下極板
10d‧‧‧電容上極板
11‧‧‧襯底
12‧‧‧阻隔層
13‧‧‧緩衝層
14‧‧‧溝道
15‧‧‧第一柵極絕緣層
16‧‧‧柵極
17‧‧‧源極
18‧‧‧漏極
19‧‧‧第二柵極絕緣層
20‧‧‧圖元限定層
21‧‧‧通孔
30‧‧‧電極層
31‧‧‧第一透明導電層
32‧‧‧遮光導電層
33‧‧‧第二透明導電層
331‧‧‧第一光刻膠區域
332‧‧‧第二光刻膠區域
333‧‧‧無光膠區域
40‧‧‧光刻膠層
50‧‧‧半透光掩範本
51‧‧‧全透光區域
52‧‧‧半透光區域
53‧‧‧不透光區域
圖1是本發明實施例所提供的顯示面板的結構示意圖;
圖2是本發明實施例所提供的顯示面板沿第一電極板堆疊方向、在基板上的正投影示意圖;
圖3是在圖2所提供的顯示面板中改變遮光導電層的位置後,顯示面板在第一電極板堆疊方向、在基板上的正投影示意圖;
圖4是在圖1所提供的顯示面板中增加第二透明導電層後的結構示意圖;
圖5是在圖4所提供的顯示面板中改變第二透明導電層形狀後的結構示意圖;
圖6是在圖4所提供的顯示面板中改變第二透明導電層形狀後的結構示意圖;
圖7是本發明實施例所提供的顯示面板的製備方法的程式流程圖;
圖8是在圖7所提供的顯示面板的製備方法中增加第二透明導電層後的程式流程圖;
圖9至圖13為本發明實施例所提供的顯示面板的製造方法中各步驟對應的結構示意圖。
為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明的各實施例進行清楚、完整的描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出進步性勞動的前 提下所獲得的其他實施例,都屬於本發明保護的範圍。
現有技術中的OLED顯示器件存在減小不透明的電極的面積後,容易導致顯示面板異常發光的問題。經申請人研究發現,出現這種問題的原因在於,現有技術中的OLED顯示器件通常在圖元限定層上設置有通孔,而為了保證正常發光,現有技術中的通孔需要落在不透明的電極上,而隨著不透明的電極的減小,由於工藝誤差的存在,會出現通孔不完全落在電極上的情況,此時就會出現顯示異常的問題。
本發明的實施例提供一種顯示面板,如圖1所示,包括:基板10、設置在基板10上的圖元限定層20、以及位於基板10和圖元限定層20之間的電極層30。其中,圖元限定層20包括與電極層30相對設置的通孔21,通孔21貫穿圖元限定層20、並落在電極層30上;電極層30包括堆疊設置的第一透明導電層31和遮光導電層32,在沿電極層30的堆疊方向上,第一透明導電層31在基板上的正投影面積大於遮光導電層32在基板上的正投影面積。
電極層30由第一透明導電層31和遮光導電層32堆疊形成,第一導電層31的透光率大於遮光導電層32的透光率,且沿在電極層30的堆疊方向上,第一透明導電層31在基板上的正投影面積大於遮光導電層32在基板上的正投影面積;因此,在與現有技術中具有相同的透光率、即不透明的部分的面積相同的條件下,本發明實施例中的電極層30在沿電極層30堆疊方向上的整體面積更大,更大面積的電極層30使得通孔21在與電極層30配合設置時,更不容易落在電極層30以外的位置,從而減小顯示面板出現異常發光可能性。
如圖2所示,在沿電極層30的堆疊方向上,遮光導電層32在基板10上的正投影位於第一透明導電層31在基板10上的正投影內部。即遮光導電層32與第一透明導電層31貼合的面積至少為遮光導電層32在基板10上的正投影面積,使得第一透明導電層31與遮光導電層32的接觸面積較大,第一透明導電層31可以對遮光導電層32起到更好的保護作用。
遮光導電層32在基板10上的正投影位於第一透明導電層31在基板10上的正投影內部,僅為本實施例中第一透明導電層31和遮光導電層32設置狀態的一種具體的舉例說明,如圖3所示,在沿電極層30的堆疊方向上,也可以是遮光導電層32在基板10上的正投影與第一透明導電層31在基板10上的正投影部分重合。在沿電極層30的堆疊方向上,遮光導電層32在基板10上的正投影與第一透明導電層31在基板10上的正投影部分重合,使得電極層30整體的面積較之第一透明導電層31的面積更大,從而進一步的增大電極層30整體的面積,進一步的減小出現異常發光可能性。
第一透明導電層31的材料為ITO或IZO,遮光導電層32的材料為金屬或石墨,其中,金屬可以為銀,鉛等。第一透明導電層31的材料為ITO或IZO僅為本實施例中第一透明導電層31的材料的具體的舉例說明,並不構成限定,在本發明的其他實施例中,第一透明導電層31也可以是具有透明和導電兩個性質的其他材料,如ZnO基TCO等,在此不進行一一列舉。此外,遮光導電層32的材料為金屬或石墨同樣僅為本實施例中遮光導電層32的材料的具體的舉例說明,並不構成限定,在本發明的其他實施例中,遮光導電層32也可以是具有遮光和導電兩個性質的其他材料,如 不透明的導電塑膠等,在此不進行一一列舉,具體可以根據實際需要進行靈活的選用。
第一透明導電層31夾設於基板10和遮光導電層32之間。遮光導電層32位於第一透明導電層31朝向基板10的表面。由於金屬等材料的遮光導電層32與基板10之間的結合性較差,在本實施例中,將ITO或IZO材料的第一透明導電層31夾設於基板10和遮光導電層32之間,可以使得顯示面板中各層之間的結合更加牢固,提升顯示面板的可靠性。
上述將第一透明導電層31夾設於基板10和遮光導電層32之間僅為本實施例中第一透明導電層31、基板10以及遮光導電層32三者之間位置關係的一種舉例說明,並不構成限定,在本發明的其他實施例中,也可以是遮光導電層32夾設於基板10和第一透明導電層31之間。將金屬或石墨等材料的遮光導電層32夾設於基板10和第一透明導電層31之間,使得第一透明導電層31可以對遮光導電層32起到保護作用,防止遮光導電層32被氧化。
通孔21落在電極層30上。設置通孔21落在電極層30上,可以徹底的消除顯示面板出現發光異常的可能性。為了防止由於技術誤差導致實際製作的通孔21落在電極層30以外的區域,在本實施例中設計通孔21與電極層30位置關係時,預先在電極層30的邊緣設置誤差預留區域,即將電極層30靠近邊緣的部分設置為誤差預留區域,設計通孔21與電極層30的位置關係時,不將通孔21的位置設置到誤差預留區域上。
誤差預留區域為與電極層30邊緣距離小於2微米的區域。上述僅為本實施例中對誤差預留區域的一種具體的舉例說明,在本發明的 其他實施例中,誤差預留區域也可以是其他的尺寸,具體可以根據實際需要進行靈活的設定。
通孔21的側壁至少部分落在第一透明導電層31上。通孔21的側壁至少部分落在第一透明導電層31上僅為本實施例中一種具體的位置的舉例說明,並不構成限定。在本發明的其他實施例中,通孔21的側壁也可以是不落在第一透明導電層31上,而落在電極層30的其他部分,如全部落在遮光導電層32上,在此不進行一一列舉。在本實施例中,電極層30為陽極層。
基板10依次包括襯底11、位於襯底11上方的阻隔層12、位於阻隔層12上方的緩衝層13、位於緩衝層13上方的溝道14、覆蓋溝道14的第一柵極絕緣層15、設置於第一柵極絕緣層15上方的柵極16和貫穿第一柵極絕緣層15的源極17和漏極18、位於第一柵極絕緣層15上方且覆蓋柵極16的第二柵極絕緣層19、覆蓋第二柵極絕緣層19的中間絕緣層10a、覆蓋中間絕緣層10a的填充層10b、位於第一柵極絕緣層15和第二柵極絕緣層19之間的電容下極板10c、以及位於中間絕緣層10a和第二柵極絕緣層19之間的電容上極板10d。
電極層30設置在填充層10b上、並穿過填充層10b與漏極18電連接;
填充層10b的材料為聚乳酸。填充層10b的材料為聚乳酸僅為本實施例中的一種具體的舉例說明,在本發明的其它實施例中,填充層10b也可以是其它材料,如聚乙烯等,在此不進行一一列舉,具體可以根據實際需要進行靈活的設置。
本發明實施例還提供一種顯示面板,與前述實施例大致相同,同樣包括基板10、設置在基板10上的圖元限定層20、以及位於基板10和圖元限定層20之間的電極層30。其中,圖元限定層20包括與電極層30相對設置的通孔21,通孔21貫穿圖元限定層20、並落在電極層30上;主要區別之處在於:本實施例中,如圖4所示,電極層30除包括第一透明導電層31和遮光導電層32之外,還包括第二透明導電層33。第二透明導電層33的材料為ITO或IZO。第二透明導電層33的材料為ITO或IZO僅為本實施例中第二透明導電層33的材料的具體的舉例說明,並不構成限定,在本發明的其他實施例中,第二透明導電層33也可以是具有透明和導電兩個性質的其他材料,如ZnO基TCO等,在此不進行一一列舉。
第一透明導電層31夾設於遮光導電層32與基板10之間,遮光導電層32夾設於第一透明導電層31和第二透明導電層33之間。遮光導電層32位於第一透明導電層31朝向第二透明導電層33的表面,遮光導電層32位於第二透明導電層33朝向該第一透明導電層31的表面。
本發明實施例所提供的顯示面板在保留前述實施例所提供的顯示面板的全部技術效果的同時,還設置電極層30包括第二透明導電層33且遮光導電層32夾設於第一透明導電層31和第二透明導電層33之間。既可以有效的增大各個部件之間結合的牢固程度,提升顯示面板的可靠性;又可以對遮光導電層32起到保護作用,防止遮光導電層32被氧化。
通孔21的側壁至少部分落在第一透明導電層31上。通孔21的側壁至少部分落在第一透明導電層31上僅為本實施例中一種具體的位置的舉例說明,並不構成限定。在本發明的其他實施例中,通孔21的側壁 也可以是不落在第一透明導電層31上,而落在電極層30的其他部分,如全部落在第二透明導電層33上或全部落在遮光導電層上;或者通孔21的側壁也可以是至少部分落在遮光導電層32上;或者通孔21的側壁也可以是至少部分落在第二透明導電層33上,在此不進行一一列舉。
在沿電極層30的堆疊方向上,第二透明導電層33的面積與遮光導電層32的面積相等。第二透明導電層33的面積與遮光導電層32的面積相等僅為本實施例中的一種具體的應用舉例,並不構成限定,在本發明的其它實施例中,如圖5所示,第二透明導電層33的面積也可以是大於遮光導電層32的面積,即使第二透明導電層33完全覆蓋遮光導電層32的上表面和側表面,或者是如圖6所示,第二透明導電層33的面積也可以是小於遮光導電層32的面積,即露出遮光導電層32的部分上表面。
第一透明導電層31和第二透明導電層33的厚度均為大於或等於8奈米且小於或等於15奈米。第一透明導電層31與第二透明導電層33的厚度可以相同也可以不同。
第一透明導電層31與第二透明導電層33的厚度均為10奈米。
遮光導電層32的厚度大於或等於80奈米且小於或等於120奈米。
遮光導電層32的厚度為100奈米。
本發明實施例提供一種顯示器件,包括本發明其他實施例所提供的顯示面板。
本發明實施例所提供的顯示器件包括如本發明其他實施例 所提供的顯示面板,因此,本實施例所提供的顯示器件具有本發明其它實施例所提供的顯示面板的全部技術效果,在此不進行贅述。
本發明實施例提供一種顯示面板的製作方法,如圖7所示,包括以下步驟:
步驟S701:提供基板。
步驟S702:在基板上形成電極層,電極層包括堆疊形成的第一透明導電層和遮光導電層。
在基板上堆疊形成第一透明導電層和遮光導電層作為電極層,在電極層的堆疊方向上,第一透明導電層的投影面積大於遮光導電層的投影面積。
步驟S703:在電極層上形成圖元限定層。
圖元限定層內具有與電極層相對設置的通孔,通孔貫穿圖元限定層、並落在電極層上。通孔落在電極層上,即通孔的側壁全部落在電極層上。
為了防止由於技術誤差導致實際製作的通孔的邊緣落在電極層以外的區域,在本實施例中設計通孔的位置時,預設通孔的位置為遠離電極層邊緣預設距離的區域。
預設距離小於3微米。預設距離為2微米。預設距離為2微米僅為本實施例中的一種具體的舉例說明,並不構成限定,在本發明的其他實施例中,預設距離也可以是其它值,在此不進行一一列舉,具體可以根據實際需要進行靈活的設定。
本實施例為與前述實施例相對應的顯示面板的製作方法實 施例,本實施例可與前述實施例互相配合實施。前述實施例中提到的相關技術細節在本實施例中依然有效,為了減少重複,這裡不再贅述。相應地,本實施例中提到的相關技術細節也可應用在前述實施例中。
本發明實施例所提供的顯示面板的製作方法所製備的顯示面板增大陽極面積,且增大那部分陽極面積為透明的ITO或IZO薄膜,其對螢幕的光透過率幾乎無影響,從根本上防止圖元限定層無法完全包住陽極的效果,從而達到極大地增加了圖元限定層包邊陽極工藝餘量,有效的降低了圖元限定層和陽極對位精度的要求,簡化了工藝步驟。
本發明實施例提供一種顯示面板的製作方法,如圖8所示,包括以下步驟:
步驟S801:提供基板。
步驟S802:在基板上形成電極層,電極層包括堆疊形成的第一透明導電層、遮光導電層和第二透明導電層。
在基板上形成電極層,具體包括以下步驟:
如圖9所示,在基板上形成第一透明導電層31,在第一透明導電層31上形成覆蓋第一透明導電層31的遮光導電層32,在遮光導電層32上形成覆蓋遮光導電層32的第二透明導電層33,在第二透明導電層33上形成覆蓋第二透明導電層33的光刻膠層40。
如圖10所示,圖形化光刻膠層,在第二透明導電層33上形成相互並列的第一光刻膠區域331、第二光刻膠區域332以及無光刻膠區域333。
使用半透光掩範本50經過曝光和顯影工藝圖形化光刻膠層, 半透光掩範本50包括全透光區域51、半透光區域52和不透光區域53,半透光區域52的透明度大於不透光區域53的透明度且小於全透光區域51的透明度,第一光刻膠區域331形成於不透光區域53下方、第二光刻膠區域332形成於半透光區域52下方、無光刻膠區域333形成於全透光區域51下方。
其中,第二光刻膠區域332表面的光刻膠層厚度小於第一光刻膠區域331表面的光刻膠層厚度。
如圖11所示,去除該無光刻膠區域的第一透明導電層31、遮光導電層32以及第二透明導電層33。
第一透明導電層31和第二透明導電層33使用草酸類刻蝕液進行刻蝕;遮光導電層32使用HNO3、CH3COOH、H3PO4混酸刻蝕液進行刻蝕。
如圖12所示,去除該第二光刻膠區域332表面的光刻膠層。
通過乾法Ashing工藝使用SF6+O2氣體進行反應,去除第一光刻膠區域332表面的光刻膠層。此外,第二光刻膠區域333表面的光刻膠層40同樣發生反應並減少,導致第二光刻膠區域333表面的光刻膠層40厚度減小。
如圖13所示,去除第二光刻膠區域的遮光導電層32以及第二透明導電層33,並去除第一光刻膠區域331表面的光刻膠層。
在本步驟中通過兩步濕法刻蝕去除無光刻膠層遮擋的第二透明導電層和遮光導電層。
第二透明導電層33使用草酸類刻蝕液進行刻蝕;遮光導電 層32使用HNO3、CH3COOH、H3PO4混酸刻蝕液進行刻蝕。
通過乾法Ashing工藝去除該第二光刻膠區域表面的光刻膠層。
步驟S803:在電極層上形成圖元限定層。
由於本實施例中的步驟S801和步驟S803與前述實施例中的步驟S701和步驟S703大致形同,具體可以參照前述實施例的具體內容,在此不再進行贅述。
不難發現,本實施例為與前述實施例相對應的顯示面板的製作方法實施例,本實施例可與前述實施例互相配合實施。前述實施例中提到的相關技術細節在本實施例中依然有效,為了減少重複,這裡不再贅述。相應地,本實施例中提到的相關技術細節也可應用在前述實施例中。
與現有技術相比,本發明實施例所提供的顯示面板的製作方法所製備的顯示面板通過提出一種全新的陽極光罩掩範本的手段或方案,達到了增大陽極面積,且增大那部分陽極面積為透明的ITO或IZO薄膜,其對螢幕的光透過率幾乎無影響,從根本上防止圖元限定層無法完全包住陽極的效果。以滿足螢幕下指紋識別技術在顯示面板產品中廣泛使用的工藝極限需求,而無需增加額外光罩。
本領域的普通技術人員可以理解,上述各實施例是實現本發明的具體實施例,而在實際應用中,可以在形式上和細節上對其作各種改變,而不偏離本發明的精神和範圍。
10‧‧‧基板
20‧‧‧圖元限定層
21‧‧‧通孔
30‧‧‧電極層
31‧‧‧第一透明導電層
32‧‧‧遮光導電層
Claims (10)
- 一種顯示面板,其特徵在於,包括:基板、設置在該基板上的圖元限定層、以及位於該基板和該圖元限定層之間的電極層;該圖元限定層內具有與該電極層相對設置的通孔,該通孔貫穿該圖元限定層、並落在該電極層上;該電極層包括堆疊設置的第一透明導電層和遮光導電層,在沿該電極層的堆疊方向上,該第一透明導電層在該基板上的正投影面積大於該遮光導電層在該基板上的正投影面積。
- 如請求項1所述的顯示面板,其中,在沿該電極層的堆疊方向上,該遮光導電層在該基板上的正投影位於該第一透明導電層在該基板上的正投影內部;或者,在沿該電極層的堆疊方向上,該遮光導電層在該基板上的正投影與該第一透明導電層在該基板上的正投影部分重合。
- 如請求項1所述的顯示面板,其中,該遮光導電層夾設於該基板和該第一透明導電層之間。
- 如請求項1所述的顯示面板,其中,該第一透明導電層夾設於該基板和該遮光導電層之間;優選的,該電極層還包括第二透明導電層,該遮光導電層夾設於該第一透明導電層和該第二透明導電層之間。
- 如請求項4所述的顯示面板,其中,該通孔的側壁至少部分落在該第一透明導電層上、或者該通孔的側壁至少部分落在該遮光導電層上、或者該通孔的側壁至少部分落在該第二透明導電層上。
- 一種顯示裝置,其特徵在於,包括如請求項1至5中任一項所述的顯示 面板。
- 一種顯示面板的製作方法,其特徵在於,包括以下步驟:提供基板;在該基板上形成電極層;在該電極層上形成圖元限定層,該圖元限定層內具有與該電極層相對設置的通孔,該通孔貫穿該圖元限定層、並落在該電極層上;其中,該在該基板上形成電極層,具體為,在該基板上堆疊形成第一透明導電層和遮光導電層,在沿該電極層的堆疊方向上,該第一透明導電層在該基板上的正投影面積大於該遮光導電層在該基板上的正投影面積。
- 如請求項7所述的顯示面板製作方法,其中,該在該基板上形成電極層,還包括,在該遮光導電層遠離該第一透明導電層的表面形成第二透明導電層。
- 如請求項8所述的顯示面板製作方法,其中,該在該基板上形成電極層,具體包括:S1:在該基板上形成第一透明導電層,在該第一透明導電層上形成遮光導電層、在該遮光導電層上形成第二透明導電層、在該第二透明導電層上形成光刻膠層;S2:圖形化該光刻膠層,在該第二透明導電層上形成第一光刻膠區域、第二光刻膠區域以及無光刻膠區域,其中,該第二光刻膠區域表面的光刻膠層厚度小於該第一光刻膠區域表面的光刻膠層厚度;S3:去除該無光刻膠區域的該第一透明導電層、該遮光導電層以及該第二透明導電層;S4:去除該第二光刻膠區域表面的光刻膠層;S5:去除該第二光刻膠區域的該遮光導電層以及該第二透明導電層;S6:去除該第一光刻膠區域表面的光刻膠層。
- 如請求項9所述的顯示面板製作方法,其中,該圖形化該光刻膠層,在該第二透明導電層上形成第一光刻膠區域、第二光刻膠區域以及無光刻膠區域,具體包括:利用掩膜板圖形化該光刻膠層;其中,該掩膜板包括全透光區域、半透光區域和不透光區域,該半透光區域的透明度大於該不透光區域的透明度且小於該全透光區域的透明度,該無光刻膠區域形成於該全透光區域下方、該第二光刻膠區域形成於該半透光區域下方、該第一光刻膠區域形成於該不透光區域下方。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910458204.2A CN110165079B (zh) | 2019-05-29 | 2019-05-29 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN201910458204.2 | 2019-05-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202013715A true TW202013715A (zh) | 2020-04-01 |
TWI720704B TWI720704B (zh) | 2021-03-01 |
Family
ID=67630073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108143105A TWI720704B (zh) | 2019-05-29 | 2019-11-27 | 顯示面板及其製作方法、顯示裝置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210280816A1 (zh) |
EP (1) | EP3876297A4 (zh) |
JP (1) | JP7197704B2 (zh) |
KR (1) | KR102547608B1 (zh) |
CN (1) | CN110165079B (zh) |
TW (1) | TWI720704B (zh) |
WO (1) | WO2020238071A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110165079B (zh) * | 2019-05-29 | 2020-08-25 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4497881B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-07-07 | 三洋電機株式会社 | 有機el素子および有機elパネル |
KR100714011B1 (ko) * | 2005-11-30 | 2007-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그 제조방법 |
KR100796618B1 (ko) | 2007-01-04 | 2008-01-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
US20100051973A1 (en) * | 2008-08-28 | 2010-03-04 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device |
JP5411469B2 (ja) | 2008-08-28 | 2014-02-12 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器、発光装置の製造方法 |
CN102668706B (zh) * | 2009-11-17 | 2015-03-25 | 联合创新技术有限公司 | 有机el显示器 |
JP2014078536A (ja) | 2010-03-15 | 2014-05-01 | Pioneer Electronic Corp | 有機el装置 |
WO2011114424A1 (ja) | 2010-03-15 | 2011-09-22 | パイオニア株式会社 | 有機elパネル及びその製造方法 |
CN103474448A (zh) | 2013-08-30 | 2013-12-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光器件及显示装置 |
KR102148935B1 (ko) * | 2013-11-21 | 2020-08-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2015138612A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
JP6204209B2 (ja) | 2014-01-27 | 2017-09-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
KR102313362B1 (ko) * | 2014-12-02 | 2021-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
JP2016149191A (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
JP6517597B2 (ja) * | 2015-06-10 | 2019-05-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN105552249B (zh) * | 2016-03-16 | 2017-11-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN106531768A (zh) * | 2016-12-07 | 2017-03-22 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及其制备方法 |
WO2018173465A1 (ja) | 2017-03-21 | 2018-09-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光素子、表示装置、および電子機器 |
CN107706209B (zh) * | 2017-08-09 | 2019-06-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机电致发光显示面板及其制作方法 |
CN109742114B (zh) * | 2019-01-08 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板制作方法及显示背板、显示装置 |
CN110165079B (zh) * | 2019-05-29 | 2020-08-25 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
-
2019
- 2019-05-29 CN CN201910458204.2A patent/CN110165079B/zh active Active
- 2019-11-15 KR KR1020217017597A patent/KR102547608B1/ko active IP Right Grant
- 2019-11-15 WO PCT/CN2019/119000 patent/WO2020238071A1/zh unknown
- 2019-11-15 JP JP2021534680A patent/JP7197704B2/ja active Active
- 2019-11-15 EP EP19931277.8A patent/EP3876297A4/en active Pending
- 2019-11-27 TW TW108143105A patent/TWI720704B/zh active
-
2021
- 2021-05-26 US US17/330,676 patent/US20210280816A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7197704B2 (ja) | 2022-12-27 |
CN110165079A (zh) | 2019-08-23 |
KR20210078562A (ko) | 2021-06-28 |
WO2020238071A1 (zh) | 2020-12-03 |
US20210280816A1 (en) | 2021-09-09 |
EP3876297A4 (en) | 2022-01-12 |
KR102547608B1 (ko) | 2023-06-26 |
TWI720704B (zh) | 2021-03-01 |
EP3876297A1 (en) | 2021-09-08 |
CN110165079B (zh) | 2020-08-25 |
JP2022514563A (ja) | 2022-02-14 |
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