CN110010641B - 用于照明装置的有机发光二极管面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种用于照明装置的有机发光二极管面板及其制造方法。一种用于照明装置的OLED面板包括:基板;设置在基板上的辅助布线图案;第一电极,其设置在基板上的设置有辅助布线图案的地方并且具有平面化的上表面;钝化层,其设置在第一电极上并且至少设置在辅助布线图案上方的区域中;OLED发射结构,其设置在第一电极上;以及设置在OLED发射结构上的第二电极。在用于照明装置的OLED面板中,通过双辅助布线图案可以改善亮度均匀性,并且使第一电极的上表面平面化。因此,钝化层的面积减小,并且因此可以增加发光面积。
Description
技术领域
本公开内容总体上涉及照明的技术领域,更具体地,涉及一种用于照明装置的有机发光二极管(OLED)面板。
此外,本公开内容涉及一种制造用于照明装置的OLED面板的方法。
背景技术
荧光灯或白炽灯主要用作照明装置。对于白炽灯,显色指数高,但能源效率非常低。对于荧光灯,虽然能量效率高,但显色指数较低。此外,由于荧光灯含有水银,所以会出现环境问题。
近来,已经提出了基于发光二极管(LED)的照明装置。LED形成为诸如GaN的氮化物半导体的堆叠结构。LED在蓝色波长范围内具有最高的发射效率,并且发射效率朝具有最大发光效率的红色波长范围和绿色波长范围逐渐减小。因此,当通过组合红色发射二极管、绿色发射二极管和蓝色发射二极管来发射白光时,发射效率可能劣化。此外,当使用红色发射二极管、绿色发射二极管和蓝色发射二极管时,由于每个二极管的发射峰值的宽度较窄,因此显色特性可能劣化。
为了解决上述问题,代替组合红色发射二极管、绿色发射二极管和蓝色发射二极管,已经提出了通过组合蓝色发射二极管和黄色磷光体来输出白光的照明装置。因为仅使用具有相对高发射效率的蓝色发射二极管代替使用具有相对低发射效率的绿色发射二极管会更高效,并且对于其他颜色使用通过接收蓝光而发出黄光的磷光体物质,因此已经提出了如上配置的照明装置。
然而,在通过组合蓝色发射二极管和黄色磷光体而输出白光的照明装置中,用于发出黄光的磷光体物质具有差发射效率。因此,在改善照明装置的发射效率方面存在限制。
具体地,在基于氮化物半导体LED的照明装置的情况下,由于发光二极管产生的大量热量,因此在照明装置的后表面上设置散热装置。此外,可能在昂贵的蓝宝石基板用于氮化物半导体的高质量生长方面存在限制。
此外,在基于发光二极管的照明装置的情况下,存在包括用于生长氮化物半导体的外延生长、用于制造各个发光二极管芯片的芯片工艺、以及用于在电路板上安装单个发光二极管芯片的安装工艺的许多工艺。
发明内容
本公开内容的目的是提供一种用于照明装置的有机发光二极管(OLED)面板。
本公开内容的另一目的是提供一种制造OLED面板的方法。
本公开内容的目的不限于上述目的,并且本领域技术人员可以从以下描述中理解其他目的和优点。此外,容易理解的是,本公开内容的目的和优点可以通过所附权利要求及其组合中所记载的方法来实施。
根据本公开内容的一个方面,一种用于照明装置的有机发光二极管(OLED)面板包括:基板;设置在基板上的辅助布线图案;第一电极,其设置在基板上的设置有辅助布线图案的地方并且具有平面化的上表面;钝化层,其设置在第一电极上并且至少设置在辅助布线图案上方的区域中;OLED发射结构,其设置在第一电极上;以及设置在OLED发射结构上的第二电极。
根据本公开内容的另一个方面,一种用于照明装置的有机发光二极管(OLED)面板包括:具有阵列区域和焊盘区域的基板;设置在基板上的阵列区域和焊盘区域中的辅助布线图案;第一电极,其设置在基板上的阵列区域中的设置有辅助布线图案的地方;钝化层,其设置在辅助布线图案上;OLED发射结构,其设置在第一电极上;以及设置在OLED发射结构上的第二电极,其中,钝化层在焊盘区域中与辅助布线图案直接接触。
根据本公开内容的另一个方面,一种制造用于照明装置的有机发光二极管(OLED)面板的方法包括:在基板上设置辅助布线图案形成材料;通过蚀刻辅助布线图案形成材料形成辅助布线图案;通过涂覆方法在基板上的设置有辅助布线图案的地方设置第一电极,其中,第一电极具有平面化的上表面;在第一电极上设置钝化层,使得钝化层至少设置在辅助布线图案上方的区域中;在第一电极上设置OLED发射结构;以及在OLED发射结构上设置第二电极。
根据本公开内容的一个方面,根据实施方式的用于照明装置的OLED面板可以包括:基板、第一辅助布线图案、第二辅助布线图案、第一电极、钝化层、OLED发射结构、第二电极和封装层。
第一辅助布线图案可以设置在基板上,第二辅助布线图案可以设置在第一辅助布线图案上。第一电极可以设置在基板上的设置有第一辅助布线图案和第二辅助布线图案的地方并且可以具有平面化的上表面。钝化层可以设置在第一电极上,并且至少布置在设置有第一辅助布线图案的区域中。OLED发射结构可以设置在第一电极上的设置有钝化层的地方。第二电极可以设置在OLED发射结构上。封装层可以设置在第二电极上。
根据上述结构,根据本公开内容的用于照明装置的OLED面板包括双辅助布线图案。此外,第一电极的上表面被平面化。因此,由于双辅助布线图案,施加到第一电极的电压可以是整体均匀的。因此,可以改善亮度均匀性。此外,由于第一电极的上表面被平面化,所以第一电极上方的钝化层的面积可以减小,并且因此可以增加发光面积。
此外,第一辅助布线图案可以具有宽度朝其上侧减小的锥形形状的截面,并且第二辅助布线图案可以具有矩形形状的截面。第一辅助布线图案和第二辅助布线图案的堆叠结构可以提供结构稳定性。
在这种状态下,第一辅助布线图案可以包括金属材料,并且第二辅助布线图案可以包括透明导电氧化物材料。在透明导电氧化物(TCO)的情况下,激光热处理可以是可用的,并且未结晶化的TCO和金属可以通过使用包括草酸的蚀刻剂的一次湿法蚀刻来去除。
第一电极可以包括TCO材料、导电聚合物材料或导电碳基材料(conductivecarbon based material)。涂覆方法可以应用于电极材料。
根据本公开内容的另一方面,根据实施方式的制造用于照明装置的OLED面板的方法包括:在基板上设置第一辅助布线图案形成材料并且在第一辅助布线图案形成材料上设置第二辅助布线图案形成材料;通过蚀刻第二辅助布线图案形成材料和第一辅助布线图案形成材料,形成第一辅助布线图案和在第一辅助布线图案上的第二辅助布线图案;通过涂覆方法在基板上的设置有第一辅助布线图案和第二辅助布线图案的地方设置第一电极;在第一电极上设置钝化层,使得钝化层至少设置在第一辅助布线图案和第二辅助布线图案上方的区域中;在第一电极上的设置有钝化层的地方设置OLED发射结构;在OLED发射结构上设置第二电极;以及在第二电极上设置封装层。
通过上述过程,可以形成双重辅助布线图案,并且可以形成具有平面化上表面的第一电极。
在这种状态下,第一辅助布线图案形成材料可以是金属材料,并且第二辅助布线图案形成材料可以是未结晶化的TCO材料。在上述堆叠结构中,第一辅助布线图案和第二辅助布线图案可以通过稍后描述的激光热处理和蚀刻容易地形成。
当第一辅助布线图案形成材料是金属材料并且第二辅助布线图案形成材料是未结晶化的TCO材料时,设置第一辅助布线图案和第二辅助布线图案可以包括在未结晶化的TCO上设置具有开口的掩模,通过向未结晶化的TCO的设置有掩模的地方辐射激光束来使掩模的开口部分中的TCO结晶,去除掩模,以及蚀刻未结晶化的TCO和在未结晶化的TCO下的第一辅助布线图案形成材料。
未结晶化的TCO的一部分可以通过激光热处理结晶,并且未结晶化的TCO及其下面的金属可以通过使用包括草酸的蚀刻剂的湿蚀刻来去除。
此外,由于上述湿法蚀刻,第一辅助布线图案可以具有宽度朝其上侧减小的锥形形状的截面,并且第二辅助布线图案可以具有矩形形状的截面。
第一电极可以包括TCO材料、导电聚合物材料或导电碳基材料。上述材料可以是可以通过涂覆方法形成的电极材料。在这些材料中,TCO材料的电极可以通过溶胶-凝胶法形成,并且诸如PEDOT的导电聚合物材料的电极或诸如碳纳米管的导电碳材料的电极可以通过浆料涂覆和干燥工艺形成。
此外,根据涂覆方法,不使用掩模来形成第一电极,并且此外可以形成具有平面化的上表面的第一电极。当在平面化的上表面上形成钝化层时,可以以在基板上形成布线图案相同的形状形成钝化层,因此钝化层的面积可以减小。因此,可以增加发光面积。
附图说明
图1是根据本公开内容的用于照明装置的OLED面板的示意性平面图。
图2是沿图1的线I-I’截取的截面图。
图3是根据实施方式的沿图1的线I-I’截取的截面图。
图4是根据实施方式的沿图1的线II-II’截取的截面图。
图5A至图5G示出了根据本公开内容的制造用于照明装置的OLED面板的方法。
具体实施方式
在下文中,将参照附图详细描述根据本公开内容的用于照明装置的OLED面板及其制造方法。
诸如“第一”和“第二”的术语在本文中仅用于描述各种构成要素,但是构成要素不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个构成要素与另一个构成要素的目的。
此外,在本公开内容中,当构成要素被设置在另一构成要素“上方”或“上”时,构成要素可以仅通过其他构成要素中的至少一个例如,第三构成要素直接位于另一构成要素上,或以非接触方式在其他构成要素上方,或以接触方式在其他构成要素上方。
图1是根据本公开内容的用于照明装置的OLED面板的示意性平面图。图2是沿图1的线I-I’截取的截面图。
参照图1和图2,根据本公开内容的用于照明装置的OLED面板可以包括基板110、辅助布线图案120、第一电极130、钝化层140、OLED发射结构150、第二电极160和封装层170。
基板110可以是玻璃基板或聚合物基板。诸如SiO2或SiNx的缓冲层115可以形成在基板110上。当使用聚合物基板作为基板110时,由于聚合物基板的柔性特征的原因,可以通过卷对卷工艺(roll-to-roll process)来制造用于照明装置的OLED面板。
基板110可以包括阵列区域AA和焊盘区域PA。参照稍后描述的图3,阵列区域AA可以包括发光区域LA和布线区域MA。发光区域LA可以是其中第一电极(例如阳极电极)设置在OLED发射结构150之下并且第二电极(例如阴极电极)设置在OLED发射结构150上方的区域。
辅助布线图案120设置在基板110上。
辅助布线图案120起如下作用。第一电极130通常可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或氟掺杂锡氧化物(FTO)的透明导电氧化物(TCO)材料形成。TCO材料可以具有透射从OLED发射结构150发射的光的优点,并且还具有与金属相比具有非常高的电阻的缺点。因此,当制造用于照明装置的大尺寸OLED面板时,由于TCO的高电阻,所施加电压的分布在整个第一电极上是不规则的。这种不规则的电压分布可能使大尺寸照明装置的亮度均匀性劣化。
因此,辅助布线图案120由具有比TCO的电阻低的电阻的材料例如金属形成。因此,辅助布线图案120用于允许施加到与辅助布线图案120接触形成的第一电极130的电压的分布在第一电极130上完全均匀。
尽管辅助布线图案120可以具有网状形状,但是本公开内容不限于此。此外,尽管辅助布线图案120可以具有接近左右对称的形状,但是本公开内容不限于此。
辅助布线图案120可以具有宽度朝其上侧减小的锥形形状。因此,第一电极130可以稳定地设置在辅助布线图案120上。
第一电极130设置在设置有辅助布线图案120的基板110上,并连接至第一电极焊盘130a。第一电极130可以由诸如ITO的TCO材料形成,并且可以通过溅射工艺或涂覆工艺形成。
钝化层140设置在第一电极130上的至少设置有辅助布线图案120的区域中。当在OLED照明中,在第一电极130和第二电极160之间产生短路时,由于电流下降,不仅在短路部分中而且在整个面板中都可能发生亮度劣化。为了防止以上情况,钝化层140至少形成在辅助布线图案120的上方。
钝化层140可以由诸如基于聚酰亚胺的材料的有机材料或诸如氧化铝(Al2O3)或氮化硅(SiNx)的无机材料形成。详细地说,钝化材料可以包括诸如聚酰亚胺的有机材料,或诸如氧化铝或氮化硅的无机材料。钝化材料可以通过原子层沉积(ALD)方法或化学气相沉积(CVD)方法来沉积。
OLED发射结构150可以设置在第一电极130上的设置有钝化层140的地方。
OLED发射结构150可以包括有机发射层(EML)、用于向有机发射层提供空穴的空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)、以及用于向有机发射层提供电子的电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
第二电极160设置在OLED发射结构150上并连接至第二电极焊盘160a。第二电极160可以由诸如ITO的TCO材料或金属材料形成。
封装层170设置在第二电极160上并防止外部湿气或空气侵入。封装层170可以由诸如丙烯酸酯基化合物或环氧基化合物的有机材料、诸如陶瓷或金属的无机材料或有机/无机复合材料形成,并且可以形成为单层结构或多层结构。
尽管图2示出了仅在第二电极160上形成封装层170以改善防湿气侵入效果的示例,但是封装层170可以形成在形成于阵列区域中的每个元件120至160的表面上。
在封装层170上可以经由粘合层附加地设置阻挡膜或保护膜,阻挡膜和保护膜可以防止外部湿气或空气的侵入。保护膜可以是PET基材或金属箔。
以下描述第一电极焊盘130a和第二电极焊盘160a。
第一电极焊盘130a连接至第一电极130。第二电极焊盘160a连接至第二电极160。尽管图1示出了其中第二电极焊盘160a设置在焊盘区域PA的中心部分并且第一电极焊盘130a设置在第二电极焊盘160a的两侧的示例,但是电极焊盘的布置、尺寸和数目可以根据需要进行变化。
第一电极焊盘130a可以包括与辅助布线图案120相同的材料的下层和与第一电极130相同的材料的上层。下层可以与辅助布线图案120同时形成,并且可以直接连接至辅助布线图案120。上层可以与第一电极130同时形成。当下层直接连接至辅助布线图案120时,上层不需要直接连接至第一电极130。
此外,第二电极焊盘160a可以包括与辅助布线图案120相同材料的下层和与第二电极160相同材料的上层。在下层可以与辅助布线图案120同时形成的情况下,上层可以与第二电极160同时形成。
然而,在图2中所示的用于照明装置的OLED面板的情况下,第一电极130通过沉积方法形成并且具有与其下方的辅助布线图案120相对应的截面。因此,第一电极130的平面不是基本平坦的。
因此,形成在第一电极130上的钝化层140也具有与第一电极130的截面相对应的截面,并且因此钝化层140占据的面积相对较大。由于设置有钝化层140的部分主要位于与非发光区域相对应的布线区域MA中以增加发光区域LA的面积,所以钝化层140的面积减小。
图3是根据实施方式的沿图1的线I-I’截取的截面图。图4是根据实施方式的沿图1的线II-II’截取的截面图。
参照图3和图4,第一电极130具有平面化的上表面。因此,形成在第一电极130上的钝化层140可以具有与例如图2的辅助布线图案120相对应的截面形状。当将图3和图4中所示的钝化层140的截面与图2中所示的钝化层140的截面进行比较时,可以看出,图3和图4的钝化层140的面积比图2的钝化层140的面积小。
具有平坦上表面的第一电极130可以通过涂覆方法形成。稍后参照图5描述通过涂覆方法形成第一电极130的工艺。
此外,参照图4,在PA中,辅助布线图案120设置在基板110上,钝化层140设置在辅助布线图案120上并且与辅助布线图案120直接接触。另外,电极160布置在钝化层140上,并且封装层170设置在电极160上。
在图3和图4的示例中,第一电极130可以由TCO材料、导电聚合物材料或导电碳基材料形成。可以将溶液工艺,即溶胶-凝胶法或浆料涂覆法的涂覆法应用于电极材料。
此外,参照图3和图4,辅助布线图案120可以包括第一辅助布线图案120a和第二辅助布线图案120b。第一辅助布线图案120a可以由金属材料形成,并且第二辅助布线图案120b可以由TCO材料形成。第二辅助布线图案120b可以用作第一辅助布线图案120a的抗氧化部。在TCO的情况下,激光热处理是可用的,并且金属和未结晶化的TCO可以通过使用包括草酸的蚀刻剂的一次湿法蚀刻来去除。此外,在这种情况下,由于结晶TCO用作掩模,所以在蚀刻工艺中不需要单独的掩模。
当第一辅助布线图案120a由TCO材料形成并且第二辅助布线图案120b由金属材料形成时,通过激光热处理的TCO的结晶可能是困难的。
此外,第一辅助布线图案120a具有宽度朝其上侧减小的锥形形状的截面,并且第二辅助布线图案120b可以具有矩形的截面。第二辅助布线图案120b的近似矩形的截面形状可以由激光热处理产生,并且第一辅助布线图案120a的锥形截面形状可以由湿法蚀刻产生。如上所述的第一辅助布线图案120a和第二辅助布线图案120b的堆叠结构可以提供结构稳定性。
参考图5A至图5G描述根据本公开内容的制造用于照明装置的OLED面板的方法。
根据本公开内容的实施例,一种制造用于照明装置的有机发光二极管(OLED)面板的方法包括:在基板上设置辅助布线图案形成材料;通过蚀刻辅助布线图案形成材料形成辅助布线图案;通过涂覆方法在基板上的设置有辅助布线图案的地方设置第一电极,其中,第一电极具有平面化的上表面;在第一电极上设置钝化层,使得钝化层至少设置在辅助布线图案上方的区域中;在第一电极上设置OLED发射结构;以及在OLED发射结构上设置第二电极。
此外,根据本公开内容的实施例,辅助布线图案形成材料包括第一辅助布线图案形成材料和第二辅助布线图案形成材料,第一辅助布线图案形成材料包括金属材料,并且第二辅助布线图案形成材料包括未结晶化的透明导电氧化物材料,辅助布线图案包括第一辅助布线图案和第二辅助布线图案,并且形成辅助布线图案包括形成第一辅助布线图案和第二辅助布线图案,以及形成第一辅助布线图案和第二辅助布线图案包括:在未结晶化的透明导电氧化物上设置具有开口的掩模;通过向掩模辐射激光束来使掩模的开口部分中的未结晶化的透明导电氧化物结晶;去除掩模;以及蚀刻掩模中的不是开口部分的部分中的未结晶化的透明导电氧化物和在掩模的不是开口部分的所述部分中的所述未结晶化的透明导电氧化物下的第一辅助布线图案形成材料。
首先,在图5A所示的示例中,在基板110上设置第一辅助布线图案形成材料120a以形成第一辅助布线图案120a。第一辅助布线图案形成材料120a可以包括诸如Cu或Al的金属材料。当第一辅助布线图案形成材料120a是金属时,第一辅助布线图案120a可以由金属材料形成。因此,与第一辅助布线图案120a相同的引用用于第一辅助布线图案形成材料120a。
然后,在第一辅助布线图案形成材料120a上设置用于形成第二辅助布线图案120b的第二辅助布线图案形成材料121。第二辅助布线图案形成材料121可以是处于非结晶状态即处于非晶态的TCO材料。TCO可以包括ITO或FTO,本公开内容不限于此。
接下来,通过蚀刻第二辅助布线图案形成材料121和第一辅助布线图案形成材料120a,形成第一辅助布线图案120a和在第一辅助布线图案120a上的第二辅助布线图案120b。
在这种状态下,当第一辅助布线图案形成材料120a是金属并且第二辅助布线图案形成材料121是TCO材料时,可以执行图5B和图5C所示的工艺。在图5B和图5C中,作为第一辅助布线图案形成材料120a的金属被分配附图标记120a,并且作为第二辅助布线图案形成材料121的未结晶化的TCO被分配附图标记121。此外,与第二辅助布线图案120b相对应的结晶TCO被分配附图标记120b。
首先,在图5B所示的示例中,布置具有开口的掩模122,然后在其上辐射激光束。因此,在掩模122的开口下未结晶的TCO 121被局部加热并转化为结晶的TCO 120b。用于结晶未结晶化的TCO 121的激光束可以用约5J/cm2至10J/cm2的能量进行辐射。
然后,在图5C所示的示例中,去除掩模122,并且使用包括草酸的蚀刻剂蚀刻未结晶化的TCO 121和在其下的金属120a。在这种状态下,当诸如草酸或乙酸之类的蚀刻剂对所有未结晶化的TCO 121和金属120a具有蚀刻特性时,未结晶化的TCO 121和在其下的金属120a可以全部被蚀刻一次湿法蚀刻。
在激光结晶之后,首先使用对未结晶化的TCO具有蚀刻特性的蚀刻剂对未结晶化的TCO 121进行湿蚀刻,并且因此可以通过使用不同蚀刻剂的湿法蚀刻或者干法蚀刻来蚀刻根据未结晶化的TCO 121的蚀刻而暴露于在其下的金属120a。
作为激光热处理和湿法蚀刻的结果,第一辅助布线图案120a具有宽度朝其上侧减小的锥形形状的截面,并且第二辅助布线图案120b可以具有矩形形状的截面。
当使用激光热处理时,由于激光束的线性,结晶部分和未结晶部分大致形成垂直平面,所以结晶TCO材料的第二辅助布线图案120b的截面可以是近似的矩形形状。此外,由于以与使用结晶TCO即,第二辅助布线图案120b作为掩模进行湿法蚀刻的相同的方式执行在未结晶化TCO下的金属的蚀刻,所以第一辅助布线图案120a可以具有宽度朝其上侧减小的锥形形状。
接下来,在图5D所示的示例中,在基板110上的设置有第一辅助布线图案120a和第二辅助布线图案120b的地方设置第一电极130。
如示例中所示,第一电极130可以具有平面化的上表面。这可以通过以涂覆方法形成第一电极130来获得。
此外,第一电极130可以整个形成在阵列区域AA中,并且可以另外形成为与第一电极焊盘130a接触。
可以应用涂覆方法的电极材料可以包括TCO诸如ITO、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT),导电聚合物材料诸如聚吡咯(polypyrrole)、聚噻吩聚磺酰胺(polythiophenepolysulfonenitride),或导电碳基材料诸如碳纳米管(carbon nanotube)或石墨烯。
涂覆法是基于诸如溶胶-凝胶法或浆料涂覆法的溶液工艺进行涂覆的方法。在这些方法中,在溶胶-凝胶法的情况下,将前体溶胶涂覆在基板上并加热以转化成凝胶相,其可用于形成诸如ITO的TCO。此外,在浆料涂覆法的情况下,将包含电极材料、粘结剂和溶剂的浆料涂覆在基板上并干燥。
接下来,在图5E所示的示例中,在第一电极130上设置钝化层140。在这种状态下,钝化层140至少设置在第一辅助布线图案120a和第二辅助布线图案120b上方的区域中。此外,钝化层140可以通过包围第一电极130的一部分而另外地形成。这是为了允许第二电极160连接至第二电极焊盘160a。
然后,在图5F所示的示例中,在第一电极130上的设置有钝化层140的地方设置OLED发射结构150。OLED发射结构150的每一层可以通过真空沉积方法、沉积有机材料例如铜酞菁(CuPc)、N,N’-Di(萘-1-yl)-N,N’-二苯基联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)形成。
然后,在OLED发射结构150上设置第二电极160。第二电极160可以由金属或TCO材料形成。第二电极160可以整个形成在阵列区域AA中,并且可以进一步形成为与图1的第二电极焊盘160a接触。
在形成第二电极160之后,根据需要,可以通过向OLED发射结构150施加老化电压来进一步执行老化OLED发射结构150的工艺。
有机发光材料可能具有短寿命并且可能易受湿气或空气的影响,或者当高电压或高电流施加到有机发光材料时,装置可能被损坏。此外,由于第一电极130和第二电极160与OLED发射结构150之间的界面特性不好,所以装置的特性可能不稳定。此外,当形成第二电极160时,杂质聚集在OLED发射结构150中,并且因此有机材料的发光特性和颜色可能降低。为了解决这些问题,可以通过向OLED发射结构150施加高电压的老化电压来在短时间内对OLED发射结构150进行老化。在这种状态下,老化电压可以是比施加第一电极130和第二电极160的电压大的高电压。在另一个示例中,老化电压可以是施加到第一电极130和第二电极160的电压的反向电压。
然后,在图5G所示的示例中,在第二电极160上设置封装层170。封装层170可以由诸如丙烯酸酯化合物的有机材料、诸如陶瓷或金属的无机材料或有机/无机复合材料形成。
此外,根据需要,在封装层170上还可以形成保护膜或阻挡膜。
如上所述,根据本公开内容,根据本公开内容的用于照明装置的OLED面板包括双辅助布线图案,并且因此可以获得第一辅助布线图案的抗氧化效果。因此,可以将均匀的电压全部施加到第一电极,并且因此可以改善亮度均匀性。此外,根据本公开内容,可以通过涂覆方法形成第一电极,并且因此可以形成具有平面化的上表面的第一电极。因此,由于第一电极上方的钝化层的面积可能减小,所以发光面积可能增加。
在不脱离本公开内容的范围和精神的情况下,本发明构思所属领域的技术人员可以对以上所述本公开内容进行各种替换、改变和修改。因此,本公开内容不限于上述示例性实施方式和附图。
Claims (11)
1.一种用于照明装置的有机发光二极管OLED面板,所述OLED面板包括:
基板;
设置在所述基板上的辅助布线图案;
第一电极,其设置在所述基板上的设置有所述辅助布线图案的地方并且具有平面化的上表面;
钝化层,其设置在所述第一电极上并且至少设置在所述辅助布线图案上方的区域中;
OLED发射结构,其设置在所述第一电极上;
设置在所述OLED发射结构上的第二电极;
连接至所述第二电极的第二电极焊盘;以及
设置在所述第二电极上的封装层,
其中,所述钝化层通过包围所述第一电极的一部分而形成,以使所述第二电极连接至所述第二电极焊盘,
所述辅助布线图案包括第一辅助布线图案和第二辅助布线图案,所述第一辅助布线图案设置在所述基板上,并且所述第二辅助布线图案设置在所述第一辅助布线图案上,以及
所述封装层覆盖所述第一电极的一部分,并且在所述基板的焊盘区域中与所述第二辅助布线图案接触。
2.根据权利要求1所述的用于照明装置的OLED面板,其中,所述第一辅助布线图案具有宽度朝所述第二辅助布线图案减小的锥形形状的截面。
3.根据权利要求1所述的用于照明装置的OLED面板,其中,所述OLED面板还包括连接至所述第一电极的第一电极焊盘。
4.根据权利要求3所述的用于照明装置的OLED面板,其中,所述第一电极焊盘能够与所述第一电极同时形成,并且所述第二电极焊盘能够与所述第二电极同时形成。
5.根据权利要求3所述的用于照明装置的OLED面板,其中,所述第一电极焊盘与所述第一电极是相同材料,并且所述第二电极焊盘与所述第二电极是相同材料。
6.根据权利要求1所述的用于照明装置的OLED面板,其中,所述钝化层具有宽度朝所述第二电极减小的锥形形状的截面。
7.一种制造用于照明装置的有机发光二极管OLED面板的方法,所述方法包括:
在基板上设置辅助布线图案形成材料;
通过蚀刻所述辅助布线图案形成材料形成辅助布线图案;
通过涂覆方法在所述基板上的设置有所述辅助布线图案的地方设置第一电极,其中,所述第一电极具有平面化的上表面;
在所述第一电极上设置钝化层,使得所述钝化层至少设置在所述辅助布线图案上方的区域中;
在所述第一电极上设置OLED发射结构;
在所述OLED发射结构上设置第二电极;
设置连接至所述第二电极的第二电极焊盘;以及
在所述第二电极上设置封装层,
其中,所述钝化层通过包围所述第一电极的一部分而形成,以使所述第二电极连接至所述第二电极焊盘,
所述辅助布线图案包括第一辅助布线图案和第二辅助布线图案,所述第一辅助布线图案设置在所述基板上,并且所述第二辅助布线图案设置在所述第一辅助布线图案上,以及
所述封装层覆盖所述第一电极的一部分,并且在所述基板的焊盘区域中与所述第二辅助布线图案接触。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,
所述辅助布线图案形成材料包括第一辅助布线图案形成材料和第二辅助布线图案形成材料,
所述第一辅助布线图案形成材料包括金属材料,并且所述第二辅助布线图案形成材料包括未结晶化的透明导电氧化物材料,
形成所述辅助布线图案包括形成所述第一辅助布线图案和所述第二辅助布线图案,以及
形成所述第一辅助布线图案和所述第二辅助布线图案包括:
在未结晶化的透明导电氧化物上设置具有开口的掩模;
通过向所述掩模辐射激光束来使所述掩模的开口部分中的所述未结晶化的透明导电氧化物结晶;
去除所述掩模;以及
蚀刻所述掩模中的不是所述开口部分的部分中的所述未结晶化的透明导电氧化物和在所述掩模的不是所述开口部分的所述部分中的所述未结晶化的透明导电氧化物下的所述第一辅助布线图案形成材料。
9.一种用于照明装置的有机发光二极管OLED面板,所述OLED面板包括:
具有阵列区域和焊盘区域的基板;
设置在所述基板上的阵列区域和焊盘区域中的辅助布线图案;
第一电极,其设置在所述基板上的阵列区域中的设置有所述辅助布线图案的地方;
钝化层,其设置在所述辅助布线图案上;
OLED发射结构,其设置在所述第一电极上;
设置在所述OLED发射结构上的第二电极;
连接至所述第二电极的第二电极焊盘;以及
设置在所述第二电极上的封装层,
其中,所述钝化层通过包围所述第一电极的一部分而形成,以使所述第二电极连接至所述第二电极焊盘,
所述辅助布线图案包括第一辅助布线图案和第二辅助布线图案,所述第一辅助布线图案设置在所述基板上,并且所述第二辅助布线图案设置在所述第一辅助布线图案上,以及
所述封装层覆盖所述第一电极的一部分,并且在所述焊盘区域中与所述第二辅助布线图案接触。
10.根据权利要求9所述的用于照明装置的OLED面板,其中,所述第一辅助布线图案具有宽度朝所述第二辅助布线图案减小的锥形形状的截面。
11.根据权利要求9所述的用于照明装置的OLED面板,其中,所述钝化层具有宽度朝所述第二电极减小的锥形形状的截面。
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102423121B1 (ko) * | 2017-11-29 | 2022-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 조명 장치용 oled 패널 및 그 제조 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100936881B1 (ko) * | 2008-11-26 | 2010-01-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
TW201438306A (zh) * | 2013-03-21 | 2014-10-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 電致發光裝置之電極基板的製作方法以及電致發光裝置的製作方法 |
JP2015220089A (ja) * | 2014-05-16 | 2015-12-07 | パイオニア株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2016524304A (ja) * | 2013-07-19 | 2016-08-12 | エルジー・ケム・リミテッド | 電極積層体および有機発光素子 |
CN107342304A (zh) * | 2016-04-29 | 2017-11-10 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI256976B (en) * | 2000-08-04 | 2006-06-21 | Hannstar Display Corp | Method of patterning an ITO layer |
SG126714A1 (en) * | 2002-01-24 | 2006-11-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP2005183209A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Asahi Glass Co Ltd | 有機el表示装置及びその製造方法 |
KR101282397B1 (ko) * | 2004-12-07 | 2013-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 배선, 상기 배선을 포함하는 박막 트랜지스터표시판 및 그 제조 방법 |
KR100712111B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법 |
JP2009059666A (ja) | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電層付フィルムとフレキシブル機能性素子、およびそれらの製造方法 |
JPWO2011016086A1 (ja) | 2009-08-05 | 2013-01-10 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
WO2012014759A1 (en) | 2010-07-26 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device |
JP5421218B2 (ja) * | 2010-10-26 | 2014-02-19 | 出光興産株式会社 | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 |
TW201325307A (zh) * | 2011-12-07 | 2013-06-16 | Au Optronics Corp | 發光裝置 |
US9559333B2 (en) | 2012-08-21 | 2017-01-31 | Nec Lighting, Ltd. | Organic el lighting panel substrate, method for manufacturing organic el lighting panel substrate, organic el lighting panel, and organic el lighting device |
DE102012219712A1 (de) * | 2012-10-29 | 2014-04-30 | Tridonic Dresden Gmbh & Co. Kg | Leuchtmodul mit optimierter Kontaktierung |
CN104982092B (zh) * | 2013-02-07 | 2017-04-05 | 松下知识产权经营株式会社 | 有机电致发光元件以及照明装置 |
JP6159550B2 (ja) | 2013-03-29 | 2017-07-05 | 富士フイルム株式会社 | 導電膜の製造方法 |
CN111212505A (zh) * | 2013-05-21 | 2020-05-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 电子装置及照相机 |
KR20150006125A (ko) * | 2013-07-08 | 2015-01-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치의 제조 방법 |
WO2015173965A1 (ja) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
KR20160034457A (ko) * | 2014-09-19 | 2016-03-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN105702875B (zh) * | 2014-12-11 | 2018-04-27 | 财团法人工业技术研究院 | 发光元件、电极结构与其制作方法 |
JP2016192342A (ja) | 2015-03-31 | 2016-11-10 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
KR102642369B1 (ko) * | 2016-03-25 | 2024-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102595919B1 (ko) * | 2016-05-09 | 2023-10-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20190006835A (ko) | 2017-07-11 | 2019-01-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 |
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-
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- 2018-12-04 JP JP2018227261A patent/JP6751747B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100936881B1 (ko) * | 2008-11-26 | 2010-01-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
TW201438306A (zh) * | 2013-03-21 | 2014-10-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 電致發光裝置之電極基板的製作方法以及電致發光裝置的製作方法 |
JP2016524304A (ja) * | 2013-07-19 | 2016-08-12 | エルジー・ケム・リミテッド | 電極積層体および有機発光素子 |
JP2015220089A (ja) * | 2014-05-16 | 2015-12-07 | パイオニア株式会社 | 発光装置の製造方法 |
CN107342304A (zh) * | 2016-04-29 | 2017-11-10 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
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