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QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
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Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der
koreanischen Patentanmeldung Nummer 10-2017-0184455 , eingereicht am 29. Dezember 2017 beim koreanischen Büro für geistiges Eigentum.
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HINTERGRUND
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Bereich
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Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Anzeigevorrichtung und spezieller eine Anzeigevorrichtung, in der ein Photoberührungssensor angeordnet ist.
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Beschreibung des verwandten Standes der Technik
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mit seinem Eintritt in die Informationsära wurde ein Anzeigefeld, in dem visuell elektrische Informationssignale ausgedruckt werden, schnell entwickelt und in Reaktion darauf wurden verschiedene Anzeigevorrichtungen mit exzellenter Leistungsfähigkeit wie geringer Dicke, geringem Gewicht und geringem Energieverbrauch entwickelt. Beispiele für eine solche Anzeigevorrichtung weisen eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD) und eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung (OLED) auf.
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Seit kurzem wird in der Anzeigevorrichtung ein berührungsempfindlicher Bildschirm weitläufig eingesetzt, um es einem Benutzer zu ermöglichen, einfach, intuitiv und bequem Eingabeinformationen und -Befehle einzugeben, wobei ein normales Eingabeverfahren wie eine Taste, eine Tastatur oder eine Maus verlassen wird. In anderen Worten ist der berührungsempfindliche Bildschirm eines von Eingabevorrichtungen, die in einer Eingabe Anzeigevorrichtung installiert werden, sodass der Benutzer auf einen Berührungssensor in dem berührungsempfindlichen Bildschirm Druck ausübt, um eine vorgegebene Information einzugeben, während ihr die Bild Anzeigevorrichtung betrachtet.
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Der berührungsempfindliche Bildschirm wird in einen Zusatztyp, On-Cell-Typ und In-Cell-Typ gemäß seiner Struktur klassifiziert und unter ihnen wird eine Anzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Bildschirm (In-Cell-Typ) weithin verwendet, da die Anzeigevorrichtung mit geringer Dicke hergestellt werden kann und die Haltbarkeit verbessert werden kann.
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Als Berührungssensor einer Anzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Bildschirm werden hauptsächlich ein Photoberührungssensor, der eine Berührung gemäß einer Intensität von Licht erkennt, und ein Kapazitätsberührungssensor verwendet, der eine Berührung basierend auf einer Kapazitätsänderung erkennt.
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Speziell erkennt der Photoberührungssensor Berührungen durch einen Licht-Leckstrom eines Phototransistors, der durch eintreffendes Licht oder durch ein berührtes Objekt reflektiertes Licht erzeugt wird. Wenn der Photoberührungssensor in dem Anzeigepanel eingebettet ist müssen weiter eine Treibeleitung und eine Speicherleitung vorgesehen werden, um ein Treibesignal dem Photoberührungssensor zuzuführen. Deshalb gibt es ein Problem dahingehend, dass ein Aperturverhältnis einer Anzeigevorrichtung mit integriertem berührungsempfindlichen Bildschirm, das den Photoberührungssensor enthält, reduziert wird.
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ZUSAMMENFASSUNG
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Ein Ziel, das durch die vorliegende Offenbarung erreicht werden soll, ist es eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, in der eine Erfassungsgateleitung und eine Anzeigegateleitung, die einem Photoberührungssensor ein Gatesignal zuführen, kombiniert sind, um das Aperturverhaltnis der Anzeigevorrichtung zu verbessern.
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Ein anderes Ziel, das von der vorliegenden Offenbarung erreicht werden soll, ist es, eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, in der Photoberührungssensoren in jeder Gateleitung unter Berücksichtigung einer Kapazität verteilt sind, um die Sichtbarkeit der Anzeigevorrichtung zu verbessern.
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Ziele der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben erwähnten Ziele eingeschränkt und andere Ziele, die nicht oben erwähnt sind, können vom Fachmann aus der folgenden Beschreibung klarer verstanden werden.
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Verschiedene Ausführungsformen stellen eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 und eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 12 bereit. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben. Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine Anzeigevorrichtung eines Sensorpixeleinheit, die durch eine Mehrzahl von Pixeln gebildet ist, einen Photoberührungssensor, der in der Sensorpixeleinheit angeordnet ist, eine Ausleseleitung, die in einer zweiten Richtung angeordnet ist und ein Beruhrungserfassungssignal von dem Photoberührungssensor übermittelt, eine Sensordatenleitung, die in der zweiten Richtung angeordnet ist und dem Photoberührungssensor ein Sensordatensignal zuführt und eine Sensoranzeigegateleitung auf, die in einer ersten Richtung unterschiedlich von der zweiten Richtung angeordnet ist und dem Photoberührungssensor ein Sensorgatesignal zuführt und der Mehrzahl von Pixeln ein Anzeigegatesignal zuführt. Deshalb ist gemäß der Anzeigevorrichtung gemäß dem Aspekt der vorliegenden Offenbarung eine Sensorgateleitung, die dem Photoberührungssensor ein Sensorgatesignal zuführt und einigen Pixeln, die elektrisch damit verbunden sind, ein Anzeigegatesignal zuführt, so angeordnet, dass es nicht erforderlich ist, Leitungen vorzusehen, die separat das Sensorgatesignal und das Anzeigegatesignal übertragen, wodurch ein Aperturverhältnis der Anzeigevorrichtung reduziert wird.
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Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine Anzeigevorrichtung ein Anzeigepanel auf, dass eine Mehrzahl von Gateleitungen, die in einer ersten Richtung angeordnet sind, eine Mehrzahl von Datenleitungen, die in einer zweiten Richtung unterschiedlich von der ersten Richtung angeordnet sind und Photoberührungssensoren, die eine Berührung in Reaktion auf eine Lichtintensität erfassen, eine Berührungstreibeschaltung, die ein von jedem der Photoberührungssensoren ausgegebenes Berührungserfassungssignal empfängt und eine Ausleseleitung auf, die ein Berührungserfassungssignal, das von dem Anzeigepanel an die Berührungstreibeschaltung, in der ein Photosensor, der in einer Ausleseleitung, die eine N-te (N ist eine positive ganze Zahl)-Gateleitung von der Mehrzahl von Gateleitungen schneidet, angeordnet ist, in einer N+2-ten Gateleitung oder einer Gateleitung, die in einem Intervall von (N+2M) (M ist eine positive ganze Zahl) angeordnet ist, und einer Ausleseleitung, die die N+2M-te Gateleitung schneidet, angeordnet ist, übertragt. Deshalb sind in der Anzeigevorrichtung gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung die Photoberuhrungssensoren derart verteilt, dass sie unter Berücksichtigung einer Kapazität der Gateleitung angeordnet sind, sodass die Photoberührungssensoren nicht gleichmaßig angeordnet sind. Deshalb kann der Benutzer die Verschlechterung der Sichtbarkeit aufgrund des Aperturverhältnisses Unterschieds nicht erkennen.
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Andere detaillierte Gegenstände der Ausführungsformen sind in der ausführlichen Beschreibung und den Zeichnungen enthalten.
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Gemäß mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden eine Erfassungsgateleitung, die ein Gate verwendet und eine Anzeigegateleitungen, die ein Anzeigegatesignal einem Photoberührungssensor zuführt, kombiniert, sodass das Aperturverhaltnis der Anzeigevorrichtung mit eingebettetem Photosensor verbessert wird.
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Gemäß mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung werden Photoberührungssensoren in unterschiedlichen Gateleitungen unter Berücksichtigung einer Kapazität Cap für jede Gateleitung verteilt, sodass die Sichtbarkeit der Anzeigevorrichtung verbessert wird.
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Die Effekte gemäß der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben beispielhaft dargestellten Inhalte beschränkt und weitere verschiedene Effekte sind in der vorliegenden Offenbarung enthalten.
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Figurenliste
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Die obigen und andere Aspekte, Merkmale und andere Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung klarer verstanden, zusammen mit den beigefügten Zeichnungen genommen, in denen:
- 1 ein Blockdiagramm ist, das eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
- 2 ein äquivalentes Schaltungsdiagramm ist, das ein Beispiel von irgendeinem Sensorpixelblock, der in einem Anzeigepanel gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angeordnet ist, zeigt;
- 3 eine ebene Ansicht eines Sensorpixelblocks von 2 ist;
- 4 eine Querschnittsansicht genommen entlang der Linie I-I' in 3 ist;
- 5 eine Querschnittsansicht genommen entlang der Linie II-II' in 3 ist;
- 6 ein äquivalentes Schaltungsdiagramm ist, das ein Beispiel eines Anzeigepanels gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt
- 7 eine ebene Ansicht ist, die eine Teilstruktur von 6 zeigt;
- 8 eine Querschnittsansicht genommen entlang der Linie III-III' in 7 ist;
- 9 eine ebene Ansicht ist, die eine Anordnung von Photoberührungssensoren einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
- 10 eine ebene Ansicht ist, die ein wünschenswertes Beispiel einer Anordnung von Photoberührungssensoren einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt; und
- 11 eine ebene Ansicht ist, die ein anderes wünschenswertes Beispiel einer Anordnung von Photoberührungssensoren und einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORM
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Vorteile und Eigenschaften der vorliegenden Offenbarung und ein Verfahren zum Erreichen der Vorteile und Eigenschaften werden durch Bezug auf unten im Detail beschriebene beispielhafte Ausführungsformen zusammen mit den beigefügten Zeichnungen klar. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf die folgenden Ausführungsformen eingeschränkt, sondern kann in verschiedenen anderen Formen implementiert werden. Die Ausführungsformen werden nur als Beispiel bereitgestellt, sodass ein Fachmann die Offenbarungen der vorliegenden Erfindung und den Bereich der Erfindung vollständig verstehen kann. Deshalb wird die vorliegende Erfindung nur durch den Bereich der angehängten Ansprüche definiert.
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Die Formen, Größen, Verhältnisse, Winkel, Anzahlen und ähnliches, die in den beigefügten Zeichnungen zum Beschreiben der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dargestellt sind, sind nur Beispiele und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen im Allgemeinen durchgehend durch die Beschreibung gleiche Elemente. Ferner kann in der folgenden Beschreibung eine detaillierte Erklärung bekannter verwandter Technologien weggelassen werden, um unnötig den Gegenstand der vorliegenden Offenbarung zu verschleiern. Die Begriffe wie „enthalten“, „haben“ und „bestehen aus“, die hierin verwendet werden, sind im Allgemeinen dazu vorgesehen, dass sie es erlauben, das andere Komponenten hinzugefügt werden, wenn nicht die Begriffe mit dem Begriff „nur“ verwendet werden. Jegliche Bezüge auf den Singular können den Plural enthalten, wenn es nicht explizit anders gesagt ist.
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Komponenten werden so interpretiert, dass sie einen gewöhnlichen Fehlerbereich enthalten, selbst wenn es nicht explizit gesagt ist.
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Wenn das Positionsverhältnis zwischen2 Teilen unter Verwendung der Begriffe wie beispielsweise „auf“, „über“, „unter“ und „neben“ beschrieben wird können ein oder mehrere Teile zwischen den2 Teilen positioniert werden, wenn die Begriffe nicht mit dem Begriff „unmittelbar“ oder „direkt“ nicht verwendet wird.
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Wenn ein Element oder eine Schicht „auf“ einem anderen Element oder einer anderen Schicht angeordnet ist, kann eine andere Schicht oder ein anderes Element direkt auf dem anderen Element oder dazwischen angeordnet sein.
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Obwohl die Begriffe „erste/erster“, „zweite/zweiter“ und ähnliche zum Beschreiben verschiedener Komponenten verwendet werden, sind diese Komponenten nicht durch diese Begriffe eingeschränkt. Diese Begriffe werden nur dazu verwendet, eine Komponente von den anderen Komponenten zu unterscheiden. Deshalb kann eine erste Komponente, die unten erwähnt wird, eine zweite Komponente in einem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung sein.
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Gleiche Bezugszeichen bezeichnen im Allgemeinen durchgehend durch die Beschreibung gleiche Elemente.
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Eine Größe und eine Dicke jeder in der Zeichnung dargestellten Komponente werden zur Einfachheit der Beschreibung dargestellt und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die dargestellte Größe und die dargestellte Dicke der Komponente eingeschränkt.
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Die Merkmale verschiedener Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können teilweise oder insgesamt miteinander verbunden oder kombiniert werden und können auf technisch verschiedene Arten miteinander verzahnt und betrieben werden und die Ausführungsformen können unabhängig voneinander oder assoziiert miteinander ausgeführt werden.
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Beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wurden basierend auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung beschrieben, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Flüssigkristallanzeigevorrichtung eingeschränkt und kann auf alle Arten von Anzeigevorrichtungen, wie beispielsweise eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung angewendet werden.
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Im Folgenden wird die vorliegende Offenbarung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen erläutert.
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1 ist ein Blockdiagramm, dass eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
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Mit Bezug auf 1 weist eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Anzeigepanel 100, eine Gatetreibeschaltung 200, eine Datentreibeschaltung 300, eine Zeitsteuereinrichtung 400 und eine Berührungstreibeschaltung 500 auf.
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In dem Anzeigepanel 100 sind Gateleitungen GL1 bis GLn und gemeinsame Leitungen Cl1 bis CLo in einer ersten Richtung angeordnet und Datenleitungen DL1 bis DLm sind in einer zweiten Richtung angeordnet, die von der ersten Richtung unterschiedlich ist. Eine Mehrzahl von Pixeln P ist elektrisch mit den Gateleitungen GL1 bis GLn, Datenleitungen DL1 bis DLm und den gemeinsamen Leitungen Cl1 bis CLo verbunden und zeigt Bilder durch ein Pixeltreibesignal oder eine Pixeltreibeschaltung, die den Gateleitungen GL1 bis GLn, den Datenleitungen DL1 bis DLm und den gemeinsamen Leitungen Cl1 bis CLo zugeführt werden, an. Das Anzeigepanel 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist als Doppel-Rate-Treibe(DRD)-Struktur eingerichtet, in der ein paar von aneinander benachbarten Pixeln gemeinsam mit einer Datenleitung DL verbunden sind. Die DRD-Struktur ist eine Herangehensweise zum Implementieren derselben Auflösung, während die Anzahl von integrierten Datenschaltungen, die eine Datentreibeschaltung bilden, durch Verringern der Anzahl von Datenleitungen auf die Hälfte reduziert wird, anstatt die Anzahl von Gateleitungen zu verdoppeln, im Vergleich mit einem normalen Anzeigepanel. Wie oben beschrieben hat das Anzeigepanel gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine DRD-Struktur, sodass die Sensordatenleitung unter Verwendung eines Bereichs angeordnet ist, in dem Datenleitungen des Standes der Technik angeordnet sind, und der Photoberührungssensor in einem Bereich angeordnet ist, in dem zwei Gateleitungen derart angeordnet sind, dass sie zueinander benachbart sind. Deshalb kann im Vergleich mit der normalen Anzeigevorrichtung ein Photoberührungssensor PS bereitgestellt werden, der die Berührung erfasst, ohne das Aperturverhältnis zu verringern.
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Das Anzeigepanel 100 weist eine Mehrzahl von Pixeln P auf und zeigt Bilder basierend auf einer Graustufe, die von jedem Pixel P angezeigt wird, an. Jeder der Mehrzahl von Pixeln P weist eine Pixelelektrode, die durch ein Signal getrieben wird, dass durch die Gateleitungen GL1 bis GLn und die Datenleitungen DL1 bis DLm zugeführt wird, und eine gemeinsame Elektrode auf, die durch die gemeinsamen Leitungen Cl1 bis CLo getrieben wird. In jedem der Mehrzahl von Pixeln P werden Flüssigkristalle durch einen Spannungsunterschied zwischen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode zum Anzeigen von Bildern gekippt. Die in 1 dargestellte Mehrzahl von Pixeln P können Subpixel sein, die unterschiedliche Farben anzeigen, oder eine Mehrzahl von Subpixeln bildet eine Einheit zum Bilden eines Pixels. Beispielsweise können die Subpixel rot, grün und blau oder rot, grün, blau und weiß anzeigen.
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In dem Anzeigepanel 100 können eine Mehrzahl von Sensorpixeleinheiten SPU definiert sein. Die Sensorpixeleinheit SPU weist einen Photoberührungssensor PS auf, der die Berührung gemäß der Änderung eines Aus-Stroms erkennt, der gemäß der Intensität von Licht variiert. Genauer weist der Photoberührungssensor PS einen Sensortransistor und einen Sensorspeicher auf. Der Sensortransistor wird gemäß der Intensität von Licht eingeschaltet, sodass eine Spannung in den Sensorspeicher geladen wird und die geladene Spannung wird zu einer vorgegebenen Zeit an eine Ausleseleitung RL zum Erkennen einer Berührung ausgegeben. Eine solche Struktur der Mehrzahl von Sensorpixeleinheiten SPU wird genauer mit Bezug auf die folgenden Zeichnungen beschrieben.
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Die Gatetreibeschaltung 200 führt sequenziell den Gateleitungen GL1 bis GLn des Anzeigepanels 100 gemäß einem von der Zeitsteuereinrichtung 400 übertragene Gatetreibesteuersignal GCS Gatesignale zu. Die Gatetreibeschaltung 200 kann ein Schieberegister oder einen Pegelschieber enthalten. Die Gatetreibeschaltung 200 kann unabhängig von dem Anzeigepanel 100 angeordnet sein oder kann als ein Dünnfilmtyp in einem Nicht-Anzeige-Bereich, in dem der Pixel P des Anzeigepanels 100 nicht angeordnet ist, durch ein Gate-in-Panel(GIP)-Verfahren zur Zeit der Herstellung eines Substrats des Anzeigepanels 100 eingebettet werden.
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Die Datentreibeschaltung 300 erzeugt ein Abtastsignal durch ein von der Zeitsteuereinrichtung 400 übertragenes Datentreibesteuersignal DCS und ändert die Anzeigedaten in ein Datensignal DS durch Übernehmen der von der Zeitsteuereinrichtung 400 eingegebenen Bilddaten gemäß dem Abtastsignal und führt dann das Datensignal den Datenleitungen DL1 bis DLm in Reaktion auf ein Quellenausgabeaktivierungs(SOE)-Signal zu. Die Datentreibeschaltung 300 ist mit einem Bondingkontakt des Anzeigepanels 100 durch ein Chip-auf-Glas(COG)-Verfahren verbunden oder kann direkt auf dem Anzeigepanel 100 angeordnet sein. In manchen Fällen kann die Datentreibeschaltung 300 derart angeordnet sein, dass sie in dem Anzeigepanel 100 integriert ist. Ferner kann die Datentreibeschaltung 300 durch ein Chip-auf-Film (COF)-Verfahren implementiert werden.
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Die Zeitsteuereinrichtung 400 überträgt ein von einem Host-System empfangenes Eingabebildsignal RGB an die Datentreibeschaltung 300. Die Zeitsteuereinrichtung 400 erzeugt ein Zeitsteuersignal zum Steuern eines Betriebszeitablaufs der Gatetreibeschaltung 200 und der Datentreibeschaltung 300 unter Verwendung von Zeitsteuerungssignalen wie beispielsweise einem Taktsignal DCLK, einem horizontalen Synchronisationssignal Hsync, einem vertikalen Synchronisationssignal Vsync und einem Datenaktivierungssignal DE, die zusammen mit dem Eingangsbildsignal RGB empfangen werden. Die Zeitsteuerungseinrichtung 400 ist mit dem Zeitsteuersignal synchronisiert zum Erzeugen eines Steuersignals GCS der Gatetreibeschaltung 200 und eines Steuersignals DCS der Datentreibeschaltung 300.
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Die Zeitsteuereinrichtung 400 erzeugt ein Berührungstreibesignal zum Treiben des Photoberührungssensors PS zum Übertragen des Berührungstreibesignals an die Berührungstreibeschaltung 500. Ferner empfängt die Zeitsteuereinrichtung 400 das Berührungserfassungssignal von der Berührungstreibeschaltung 500 zum Berechnen von Berührungsinformation.
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Die Berührungstreibeschaltung 500 kann das von der Zeitsteuereinrichtung 400 übertragene Berührungstreibesignal dem Photoberührungssensor PS zuführen. Die Berührungstreibeschaltung 500 kann durch Empfangen des von dem Photoberührungssensor PS übertragenen Berührungserfassungsignals ermitteln, ob sie zu berühren ist.
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2 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm, das ein Beispiel von irgendeinem Sensorpixelblock, der in einem Anzeigepanel gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angeordnet ist, zeigt. 3 ist eine ebene Ansicht eines in Sensorpixelblocks von 2. 4 ist eine Querschnittsansicht, genommen entlang der Linie I-I' von 3. 5 ist eine Querschnittsansicht, genommen entlang der Linie II-II' von 3.
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Zunächst kann mit Bezug auf 2 eine Sensorpixeleinheit SPU des Anzeigepanels 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung einen Pixelbereich PA, in dem eine Mehrzahl von Pixeln P zum Anzeigen von Bildern angeordnet ist und einen Sensorbereich SA enthalten, in dem ein Photoberührungssensor PS zum Erfassen von Licht, das durch die Berührung reflektiert wird, und Erkennen der Berührung angeordnet ist.
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In dem Pixelbereich PA ist eine Mehrzahl von Pixeln P angeordnet und die Mehrzahl von Pixeln P kann rote, grüne und blaue Subpixel sein. Die Mehrzahl von Pixeln kann auf die DRD-Art angeordnet sein. Spezieller sind benachbarte Pixel von der Mehrzahl von Pixeln P, beispielsweise ein erster Pixel P1 und ein zweiter Pixel P2 mit der ersten Datenleitung DL1, die dieselbe Datenleitung ist, und mit unterschiedlichen Gateleitungen elektrisch verbunden, beispielsweise einer ersten Gateleitung GL1 bzw. einer zweiten Gateleitung GL zwei. In den Pixelbereich PA können eine erste gemeinsame Leitung Cl1 und eine zweite gemeinsame Leitung CL2, die in einer ersten Richtung angeordnet sind, die erste Gateleitung GL1 und die zweite Gateleitung GL2, die zwischen der ersten gemeinsamen Leitung Cl1 und der zweiten gemeinsamen Leitung CL2 angeordnet sind, die erste Datenleitung bis dritte Datenleitung DL1 bis DL3, die in einer zweiten Richtung unterschiedlich von der ersten Richtung angeordnet sind, eine Hilfsleitung AL, die zwischen der ersten Datenleitung DL1 und der zweiten Datenleitung DL2 in der zweiten Richtung angeordnet ist, eine Erfassungsdatenleitung SDL, die zwischen der zweiten Datenleitung DL2 und der dritten Datenleitung DL3 angeordnet ist, und eine Ausleseleitung RL, die derart angeordnet ist, dass sie der dritten Datenleitung DL3 benachbart ist, angeordnet sein. In diesem Fall erweitern die Leitungen, die in der zweiten Richtung angeordnet sind, den Sensorbereich SA. In diesem Fall ist die Erfassungsdatenleitung SDL eine Leitung, die ein Sensordatensignal überträgt, Das heißt ein Photoberührungssensortreibesignal an den Photoberührungssensor PS, der in dem Sensorbereich SA angeordnet ist.
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Mit Bezug auf 2 weist jeder der Mehrzahl von Pixeln P einen Pixeldünnfilmtransistor TPx, einen Pixelkondensator PClc und einen Pixelspeicherkondensator PCst, die parallel mit dem Pixeldünnfilmtransistor TPx verbunden sind, auf. Jeder Pixel P wird durch eine Pixelelektrode, die mit dem Pixeldünnfilmtransistor TPx verbunden ist, eine gemeinsame Elektrode, die die gemeinsame Spannung liefert und eine Flüssigkristallschicht gebildet, in der Flüssigkristalle durch ein vertikales elektrisches Feld oder ein horizontales elektrisches Feld durch die Pixelelektrode und die gemeinsame Elektrode gekippt werden. Der Pixeldünnfilmtransistor TPx speichert ein Datensignal, das der Datenleitung DL in Reaktion auf ein von der Gateleitung GL in den Pixelkondensator PCLc und den Pixelspeicherkondensator PCst zugeführtes Signal zugeführt wird. Wie oben beschrieben werden die Flüssigkristalle gemäß dem in den Pixelkondensator PCLc gespeicherten Datensignal getrieben und der Pixelspeicherkondensator PCst hält ein Datensignal von dem Pixelkondensator PCLc stabil aufrecht. In 2 ist, obwohl es beschrieben ist, dass das Anzeigepanel 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Flüssigkristall ist, das Anzeigepanel nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann das Anzeigepanel 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein organisches Licht-emittierendes Anzeigepanel sein. Wenn das Anzeigepanel 100 ein organisches Licht-imitieren des Anzeigepanels ist können eine mit dem Pixeldünnfilmtransistor TPx verbundene Anode, eine aus einem organischen Material gebildete Licht-emittierende Schicht und eine Katode enthalten sein.
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Mit Bezug auf 3 weist jeder Pixel einen offenen Bereich, in dem Bilder durch die Pixelelektrode PE und die gemeinsame Elektrode CE angezeigt werden, und einen nicht-offenen Bereich auf, in dem keine Bilder angezeigt werden und ein Treibeelement zum Treiben der Pixelelektrode PE und der gemeinsamen Elektrode CE des offenen Bereichs, beispielsweise der Pixeldünnfilmtransistor TPx angeordnet ist.
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In dem offenen Bereich sind die Pixelelektrode PE und die gemeinsame Elektrode CE angeordnet.
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Die Pixelelektrode PE bildet ein elektrisches Feld mit der gemeinsamen Elektrode CE und kippt die Flüssigkristallmoleküle der Flüssigkristallschicht durch das elektrische Feld, das wie oben beschrieben gebildet wird, um es dem Anzeigepanel 100 zu ermöglichen, Bilder anzuzeigen. Die Pixelelektrode PE weist eine Mehrzahl von Pixelastelektrodeneinheiten PEb, die in einer Linie mit demselben Intervall angeordnet sind, und eine Mehrzahl von Pixelstammelektrodeneinheiten PEc auf, die die Mehrzahl von Pixelastelektrodeneinheiten PEb verbindet. Die Pixelelektrode PE kann nicht nur in dem offenen Bereich angeordnet werden sondern sich auch erstrecken, sodass sie in dem nicht-offenen Bereich angeordnet ist.
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Die gemeinsame Elektrode CE weist eine Mehrzahl von gemeinsamen Astelektrodeneinheiten CEb, die in einer Linie mit demselben Intervall angeordnet ist, und eine Mehrzahl von gemeinsamen Stammelektrodeneinheiten CEc auf, die die Mehrzahl von gemeinsamen Astelektrodeneinheiten CEb verbindet. Die gemeinsamen Astelektrodeneinheiten CEb können abwechselnd mit der Mehrzahl von Pixelastelektrodeneinheiten PEb der Pixelelektrode PE angeordnet sein oder derart angeordnet sein, sodass sie der Datenleitung DL benachbart ist. Die gemeinsame Elektrode CE kann im Allgemeinen auf einer vorderen Oberfläche des Anzeigepanels 100 angeordnet sein.
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In dem nicht-offenen Bereich können eine Mehrzahl von Gateleitungen GL3 und GL4, eine Mehrzahl von Datenleitungen Dl2 und DL3, eine Hilfsleitung AL, eine Erfassungsdatenleitung SDL (hierin auch bezeichnet als Erfassungssensorleitung SDL), eine Ausleseleitung RL, ein Pixeldünnfilmtransistor TPx, eine Erfassungsspeicherleitung SSL (hierin auch bezeichnet als Sensorspeicherleitung SSL), eine Erfassungsgateleitung SGL (hierin auch bezeichnet als Sensorgateleitung SGL), einen Erfassungsdünnfilmtransistor Tss (hierin auch bezeichnet als Sensordünnfilmtransistor Tss), einen Erfassungsschaltdünnfilmtransistor Tsw (hierin bezeichnet auch als Sensorschaltdünnfilmtransistor Tsw) und einen Erfassungsspeicherkondensator SCst (hierin auch bezeichnet als Sensorspeicherkondensator SCst) angeordnet sein. In diesem Fall sind die Erfassungsspeicherleitung SL, Erfassung Gateleitung SGL, der Erfassungsdünnfilmtransistor Tss, der Erfassungsschaltdünnfilmtransistor Tsw und der Erfassungsspeicherkondensator SCst Komponenten, die nur in dem Sensorbereich SA angeordnet sind, der im Detail beschrieben wird. Selbst wenn es in der Zeichnung nicht mit einem Bezugszeichen bezeichnet ist, kann eine Abschirmleitung, die Licht abschirmt, angeordnet sein, sodass sie die Hilfsleitung AL, die zweite Datenleitung DL2, die dritte Datenleitung DL3, die Sensordatenleitung SDL und die Ausleseleitung RL, die in der zweiten Richtung angeordnet sind, abschirmt. Wie oben beschrieben sind die Hilfsleitung AL, die Sensordatenleitung SDL und die Ausleseleitung RL, die in der zweiten Richtung angeordnet sind, nicht separat angeordnete Leitungen, sondern sind Signalleitungen, die in einem Bereich angeordnet sind, wo die Datenleitung in einer normalen Anzeigevorrichtung, die nicht in einer DRD-Art gebildet ist, angeordnet ist. Deshalb ist es in dem Anzeigepanel 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung nicht erforderlich, eine separate Leitung hinzuzufügen, um den Photoberührungssensor PS anzuordnen (beispielsweise auszugestalten, beispielsweise zu bilden).
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Wie in 3 dargestellt weist der Pixeldünnfilmtransistor TPx eine dritte Gateelektrode GL3, die als eine Gateelektrode dient, eine Sourceelektrode, die von der zweiten Datenleitung DL2 oder der dritten Datenleitung DL3 abzweigt und eine Drainelektrode auf, die derart angeordnet ist, sodass sie von der Sourceelektrode in einem Abstand angeordnet ist.
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Die Erfassungsdatenleitung SDL ist zwischen der zweiten Datenleitung DL2 und der dritten Datenleitung DL3 angeordnet und ist mit dem Erfassungsdünnfilmtransistor Tss verbunden, um ein Sensortreibesignal oder eine Sensortreibespannung dem Erfassungsdünnfilmtransistor Tss zuzuführen. Die Sensortreibespannung, die dem Erfassungsdünnfilmtransistor Tss zugeführt wird, kann von der Berührungstreibeschaltung 500 oder der Zeitsteuereinrichtung 400 zugeführt werden.
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Die Ausleseleitung RL kann mit der gemeinsamen Elektrode des offenen Bereichs und dem Sensorschaltdünnfilmtransistor Tss des Photoberührungssensorbereichs PA elektrisch verbunden sein. Deshalb kann die Ausleseleitung RL ein Berührungserfassungssignal von der gemeinsamen Elektrode und ein Berührungserfassungssignal von dem Photoberührungssensor PS an die Berührungstreibeschaltung 500 übertragen. Die Ausleseleitungen RL können derart angeordnet sein, dass sie eine eins-zu-eins-Korrespondenz mit den Sensorpixeleinheiten SPU bilden.
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Eine Querschnittstruktur des Pixelbereichs PA, der wie oben beschrieben ausgestaltet ist, wird in größeren Detail beschrieben.
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Mit Bezug auf 4 ist in dem Anzeigepanel 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Gateisolierschicht GI auf einem Substrat SUB angeordnet. Die Gateisolierschicht GI kann aus einem Siliziumoxidfilm (SiOx), einem Siliziumnitritfilm (SiNx) oder mehreren Schichten davon gebildet sein. Eine aktive Schicht ACT ist auf der Gateisolierschicht GI angeordnet.
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Die aktive Schicht ACT kann beispielsweise aus irgendeinem von Halbleitermaterialien wie beispielsweise polykristallinem Silizium, Niedrigtemperatur-Polysilizium und einem Halbleiteroxid gebildet werden. Eine dritte Datenleitung DL3 ist auf der aktiven Schicht ACT angeordnet.
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Die dritte Datenleitung DL3 kann aus irgendeinem gebildet werden, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder Legierungen davon. Eine Isolierschicht INS ist auf der dritten Datenleitung DL3 angeordnet.
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Die Isolierschicht INS ist zum Isolieren der dritten Datenleitung DL3 von Komponenten auf einer oberen Schicht vorgesehen und kann beispielsweise aus einem Siliziumoxidfilm (SiOx), einem Siliziumnitritfilm (SiNx) oder mehreren Schichten davon gebildet werden. Eine Planarisierungsschicht PAC ist auf der Isolierschicht INS angeordnet. Obwohl es nicht in 4 gezeigt ist, ist auf der Isolierschicht INS irgendeiner von einem roten, grünen und blauen Farbfilter angeordnet oder zwei oder mehr Farbfilter sind laminiert.
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Die Planarisierungsschicht PAC ist derart gebildet, dass sie eine Stufe darunter ebnet und kann beispielsweise aus einem organischen Material wie beispielsweise Photoacryl, Polyimid, Benzocyclobutenharz oder Acrylatharz gebildet sein. Die Pixelelektrode PE und die gemeinsame Elektrode CE sind auf der Planarisierungsschicht PAC angeordnet.
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Die Pixelelektroden PE und die gemeinsamen Elektroden CE sind abwechselnd auf der Planarisierungsschicht PAC angeordnet. Genauer können in dem offenen Bereich die gemeinsamen Astelektrodeneinheiten CB und die Pixelastelektrodeneinheiten PEb abwechselnd angeordnet sein. Die gemeinsame Elektrode CE und die Pixelelektrode PE bilden ein elektrisches Feld zum Kippen der Flüssigkristalle. Die gemeinsame Elektrode CE und die Pixelelektrode PE können aus einer transparenten leitfähigen Schicht gebildet sein. Die transparente leitfähige Schicht kann ein Material sein, das transparent ist und eine Leitfähigkeit hat, Schichten wie beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO). In 4 ist es dargestellt, dass die gemeinsame Elektrode CE und die Pixelelektrode PE auf derselben Schicht angeordnet sind, aber nicht darauf beschränkt sind. Die gemeinsame Elektrode CE und die Pixelelektrode PE können auf unterschiedlichen Schichten angeordnet sein. Wenn die gemeinsame Elektrode CE und die Pixelelektrode auf unterschiedlichen Schichten angeordnet sind, zum Beispiel wenn die gemeinsame Elektrode CE auf der Planarisierungsschicht PAC angeordnet ist, ist eine zweite Isolierschicht auf der gemeinsamen Elektrode CE angeordnet und die Pixelelektrode PE ist auf der zweiten Isolierschicht angeordnet. Ferner können, wenn eine Mehrzahl von Erfassungsleitungen, die elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode CE verbunden ist, enthalten ist, falls die Erfassungsleitungen auf der Planarisierungsschicht PAC angeordnet sind, die gemeinsame Elektrode CE und die Pixelelektrode PE auf der zweiten Isolierschicht angeordnet sein.
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Als nächstes wird der Sensorbereich SA beschrieben.
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Der Sensorbereich SA ist ein Bereich, in dem die Photoberührungssensoren PS angeordnet sind. Genauer können mit Bezug auf 2 in dem Sensorbereich SA eine dritte Gateleitung GL3 und eine vierte Gateleitung GL4, die in der ersten Richtung angeordnet sind, eine Sensorspeicherleitung SSL und eine Sensorgateleitung SGL, die zwischen der dritten Gateleitung GL3 und der vierten Gateleitung GL4 angeordnet sind, und eine Sensordatenleitung SDL und eine Ausleseleitung RL, die in der zweiten Richtung angeordnet sind, angeordnet sein. Der Sensorbereich SA weist nur den nicht-offenen Bereich auf, in dem kein Bild angezeigt wird. Hierbei ist die Sensorspeicherleitung SSL eine Leitung, die aufgrund der Anordnung des Sensorspeicherkondensators SCst angeordnet ist, und die Sensorgateleitung SGL ist eine Leitung, die das Gatesignal an den Sensorschaltdünnfilmtransistor Tsw überträgt. Wie oben beschrieben sind in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Sensorspeicherleitung SSL, die Sensorgateleitung SGL und die Sensordatenleitung SDL derart angeordnet, sodass sie den Berührungsphotosensor PS anordnen (zum Beispiel ausgestalten, zum Beispiel bilden). In diesem Fall ist der Pixel mit einer DRD-Struktur angeordnet und der Photoberührungssensor PS ist derart angeordnet, sodass es nicht erforderlich ist, einen getrennten Bereich zum Anordnen der Sensordatenleitung SDL vorzubereiten.
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Der Photoberührungssensor PS ermittelt, ob er zu berühren ist, gemäß der Intensität von eintreffendem Licht oder reflektiertem Licht, zum Ausgeben des Berührungserfassungssignals an die Ausleseleitung RL. Der Photoberührungssensor PS kann derart angeordnet sein, dass er der Einheit der Sensorpixeleinheit SPU entspricht. Das heißt, dass ein Photoberührungssensor PS pro Sensorpixeleinheit SPU angeordnet sein kann. Der Photoberührungssensor PS kann einen Sensordünnfilmtransistor Tss, einen Sensorspeicherkondensator SCst und einen Sensorschaltdünnfilmtransistor Tsw enthalten.
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Der Sensordünnfilmtransistor Tss erzeugt einen Lichtleckstrom als Reaktion auf die Intensität des einfallenden Lichts oder des reflektierten Lichts und speichert den Lichtleckstrom in dem Sensorspeicherkondensator SCst. Eine Gateelektrode des Sensordünnfilmtransistors Tss ist mit der Sensorspeicherleitung SSL verbunden, eine erste Elektrode ist mit der Sensordatenleitung SDL verbunden und eine zweite Elektrode ist mit dem Sensorspeicherkondensator SCst verbunden.
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Der Sensorspeicherkondensator SCst speichert ein Ausgangssignal des Sensordünnfilmtransistors Tss. Der Sensorspeicherkondensator SCst kann mit der zweiten Elektrode des Sensordünnfilmtransistors Tss und der Sensorspeicherleitung SSL verbunden sein.
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Der Sensorschaltdünnfilmtransistor Tsw gibt ein in dem Sensorspeicherkondensator SCst gespeichertes Signal an die Ausleseleitung RL in Reaktion auf das Gatesignal der Sensorgateleitung SGL aus. Eine Gateelektrode des Sensorschaltdünnfilmtransistors Tsw ist mit der Sensorgateleitung SGL verbunden und die erste Elektrode und die zweite Elektrode sind mit dem Sensorspeicherkondensator SCst bzw. der Auslese Leitung verbunden.
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Eine Querschnittstruktur des Sensorbereichs SA, die wie oben beschrieben ausgestaltet ist, wird in mehr Detail beschrieben.
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Mit Bezug auf 5 sind die vierte Gateleitung GL4, die Sensorspeicherleitung SSL, die Sensorgateleitung SGL und die dritte Gateleitung GL3 derart auf dem Substrat SUB angeordnet, dass sie voneinander in einem Abstand angeordnet sind. Die vierte Gateleitung GL vier, die Sensorspeicherleitung SSL, die Sensorgateleitung SGL und die dritte Gateleitung GL3 können aus demselben Material gebildet werden, beispielsweise können sie gebildet werden aus irgendeinem, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder Legierungen davon. Eine Gateisolierschicht GI ist auf der vierten Gateleitung GL4, der Sensorspeicherleitung SSL, der Sensorgateleitung SGL und der dritten Gateleitung GL3 angeordnet.
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Die Gateisolierschicht GI kann aus einem Siliziumoxidfilm SiOx, einem Siliziumnitritfilm SiNx oder mehreren Schichten davon gebildet werden. Eine aktive Schicht ACT ist auf der Gateisolierschicht GI angeordnet
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Die aktive Schicht ACT kann beispielsweise aus irgendeinem von Halbleitermaterialien wie beispielsweise einem polykristallinen Silizium, einem Niedrigtemperatur-Polysilizium und einem Halbleiteroxid gebildet werden. Auf der aktiven Schicht ACT, eine erste Sourceelektrode SSE, die von der Sensordatenleitung SDL abzweigt, eine erste Drainelektrode SDE, eine dritte Datenleitung DL3 und eine zweite Drainelektrode des WP, die in einem Abstand von der ersten Sourceelektrode SSE angeordnet sind, und eine zweite Sourceelektrode SWSE, die von der dritten Ausleseleitung RL abzweigt. Hierbei bilden die erste Sourceelektrode SSE, die erste Drainelektrode SDE und die Sensorspeicherleitung SSL, die als Gateelektrode dient, einen Sensordünnfilmtransistor Tss. Das heißt, dass die erste Sourceelektrode SSE als erste Elektrode des Sensordünnfilmtransistors Tss dient und die erste Drainelektrode SDE als eine zweite Elektrode des Sensordünnfilmtransistors Tss dient. Ferner bilden die zweite Sourceelektrode SWSE, die zweite Drainelektrode SWDE und die Sensorgateleitung SGL, die als Gateelektrode dient, einen Sensorschaltdünnfilmtransistor Tsw. Das heißt, dass die zweite Sourceelektrode SWSE, als eine erste Elektrode des Sensorschaltdünnfilmtransistors Tsw dient und die zweite Drainelektrode SWDE als eine zweite Elektrode des Sensorschaltdünnfilmtransistors Tsw dient. Die erste Sourceelektrode SSE, die erste Drainelektrode SDE, die dritte Datenleitung DL3, die zweite Drainelektrode SWDE und die zweite Sourceelektrode SWSE können gebildet werden aus irgendeinem, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder Legierungen davon. Eine Isolierschicht INS ist auf der ersten Sourceelektrode SSE, der ersten Drainelektrode SDE, der dritten Datenleitung DL3, der zweiten Drainelektrode SWDE und der zweiten Sourceelektrode SWSE angeordnet.
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Die Isolierschicht INS ist vorgesehen, die erste Sourceelektrode SSE, die erste Drainelektrode SDE, die dritte Datenleitung DL3, die zweite Drainelektrode SWDE und die zweite Sourceelektrode SWSE die von Komponenten auf einer oberen Schicht zu isolieren. Beispielsweise kann die Isolierschicht INS gebildet werden aus einem Siliziumoxidfilm SiOx, einem Siliziumnitritfilm SiNx oder mehreren Schichten davon. Eine Planarisierungsschicht PAC ist auf der Isolierschicht INS angeordnet. Obwohl es nicht in 5 gezeigt ist, ist auf der Isolierschicht INS irgendeiner von einem roten, grünen und blauen Farbfilter angeordnet oder zwei oder mehr Farbfilter sind laminiert.
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Die Planarisierungsschicht PAC ist dazu vorgesehen, eine Stufe darunter zu ebnen und kann beispielsweise aus einem organischen Material wie beispielsweise Photoacryl, Polyimid, Benzocyclobutenharz oder Acrylatharz gebildet sein. Eine Verbindungsmetallleitung CML ist auf der Planarisierungsschicht PAC angeordnet.
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Die Verbindungsmetallleitung CML ist elektrisch mit der ersten Drainelektrode SDE durch ein erstes Kontaktloch CH1 verbunden, dass auf der Isolierschicht INS und der Planarisierungsschicht PAC ausgebildet ist. Ferner ist die Verbindungsmetallleitung CML elektrisch mit der zweiten Drainelektrode SWDE durch ein zweites Kontaktloch CH2 verbunden, dass auf der isolierenden Schicht INS und der Planarisierungsschicht PAC ausgestaltet ist. Eine solche Verbindungsmetallleitung CML kann den Sensorspeicherkondensator SCst bilden.
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Wie oben beschrieben sind in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die Pixel auf die DRD-Art ausgestaltet, sodass es nicht erforderlich ist, einen separaten Bereich zum Anordnen der Sensordatenleitung SDL vorzubereiten. Deshalb kann im Vergleich mit einem Fall, in dem eine normale Anzeigevorrichtung einen Photoberührungssensor enthalt, eine Verringerung des Aperturverhältnisses in der zweiten Richtung minimiert werden.
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Jedoch kann, da die Sensorgateleitung SGL und die Sensorspeicherleitung SSL in der ersten Richtung hinzugefügt werden, ein Aperturverhältnisverlust verursacht werden. Deshalb wird, um die Verringerung des Aperturverhältnisses in der ersten Richtung der Anzeigevorrichtung zu minimieren, eine Anzeigevorrichtung gemäß der folgenden beispielhaften Ausführungsform vorgeschlagen.
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6 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm, das ein Beispiel eines Anzeigepanels gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. 7 ist eine ebene Ansicht, die eine Teilstruktur von 6 darstellt. 8 ist eine Querschnittsansicht, genommen entlang der Linie III-III' von 7.
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Bevor auf und 6-8 Bezug genommen wird, sind in einem Anzeigepanel gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung manche Komponenten dieselben wie jene in dem Anzeigepanel gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, die oben mit Bezug auf 2-5 beschrieben wurde. Genauer ist ein Pixelbereich PA des Anzeigepanels gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, die in 6 bis 8 gezeigt ist, derart ausgestaltet, dass sie dieselbe ist wie der Pixelbereich des Anzeigepanels gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die in den 2 bis 5 dargestellt ist. Dementsprechend wird in der folgenden Beschreibung eine detaillierte Beschreibung des Pixelbereichs PA weggelassen und es wird hauptsächlich ein Sensorbereich SA beschrieben.
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Mit Bezug auf 6 sind in dem Sensorbereich SA des Anzeigepanels gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine dritte Gateleitung GL3, eine Sensorspeicherleitung SSL und eine Sensoranzeigegateleitung SDGL in der ersten Richtung angeordnet und eine Sensordatenleitung SDL und eine Ausleseleitung RL sind in der zweiten Richtung unterschiedlich von der ersten Richtung angeordnet.
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Die Sensorspeicherleitung SSL ist eine Leitung, die aufgrund der Anordnung des Sensorspeicherkondensators SCst angeordnet ist. Wie in 7 dargestellt enthält die Sensorspeicherleitung SSL eine erste Sensorspeicherleitung SSL1 und eine zweite Sensorspeicherleitung SSL2. Die erste Sensorspeicherleitung SSL1 und die zweite Sensorspeicherleitung SSL2 sind elektrisch miteinander durch ein erstes Kontaktloch CH1 verbunden, das derart angeordnet ist, dass es der Sensordatenleitung SDL benachbart ist. Die erste Sensorspeicherleitung SSL1 und die zweite Sensorspeicherleitung SSL2 können wie in 8 dargestellt auf unterschiedlichen Schichten angeordnet sein. Wie oben beschrieben sind die erste Sensorspeicherleitung SSL1 und die zweite Sensorspeicherleitung SSL2 auf unterschiedlichen Schichten angeordnet, sodass eine Größe des Sensorbereichs SA, der ein nicht-offener Bereich ist, reduziert werden kann.
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Die Sensoranzeigegateleitung SDGL überträgt gleichzeitig ein Gatesignal an die Pixel P, die in dem Pixelbereich PA angeordnet sind und überträgt ein Sensorgatesignal an den Photoberührungssensor SP, der in dem Sensorbereich SA angeordnet ist. Das heißt, dass die Sensoranzeigegateleitung SDGL eine Leitung ist, die durch kombinieren der Sensorgateleitung SGL und der vierten Gateleitung GL4 in der Anzeigevorrichtung gemäß der in 2 dargestellten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angeordnet ist. Deshalb ist eine Größe des Sensorbereichs SA des Anzeigepanels gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung geringer als eine Größe des Sensorbereichs SA des Anzeigepanels 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Deshalb kann die Reduktion eines Aperturverhältnisses aufgrund der Anordnung des Photoberührungssensors PS minimiert werden.
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Der Photoberührungssensor PS gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann einen Sensordünnfilmtransistor Tss, einen Sensorspeicherkondensator SCst und einen Sensorschaltdünnfilmtransistor Tsw enthalten.
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Der Sensordünnfilmtransistor Tss erzeugt einen Lichtleckstrom in Reaktion auf die Intensität des einfallenden Lichts oder des reflektierten Lichts und speichert den Lichtleckstrom in dem Sensorspeicherkondensator SCst. Eine Gateelektrode des Sensordünnfilmtransistors Tss ist mit der Sensorspeicherleitung SSL verbunden, eine erste Elektrode ist mit der Sensordatenleitung SDL verbunden und eine zweite Elektrode ist mit dem Sensorspeicherkondensator SCst verbunden.
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Der Sensorspeicherkondensator SCst speichert ein Ausgangssignal des Sensordünnfilmtransistors Tss. Der Sensorspeicherkondensator SCst kann durch elektrisches verbinden der zweiten Elektrode des Sensordünnfilmtransistors Tss und der zweiten Elektrode des Sensorschaltdünnfilmtransistors Tsw gebildet werden.
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Der Sensorschaltdünnfilmtransistor Tsw gibt ein Berührungserfassungssignal, dass in dem Sensorspeicherkondensator SCst gespeichert ist, an die Ausleseleitung in Reaktion auf das von der Sensoranzeigegateleitung SDGL zugeführte Signal aus. Eine Gateelektrode des Sensorschaltdünnfilmtransistors STsw ist mit der Sensoranzeigegateleitung SDGL verbunden und die erste Elektrode und die zweite Elektrode sind mit dem Sensorspeicherkondensator SCst bzw. der Ausleseleitung RL verbunden.
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Eine Querschnittstruktur des wie oben beschrieben ausgestalteten Sensorbereichs SA wird in größeren Detail beschrieben.
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Mit Bezug auf 8 sind die erste Sensorspeicherleitung SSL1 und die Sensoranzeigegateleitung SDGL auf dem Substrat SUB angeordnet. Die erste Sensorspeicherleitung SSL1 und die Sensoranzeigegateleitung SDGL können aus demselben Material gebildet werden, beispielsweise können sie gebildet werden aus irgendeinem, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder einer Legierung davon. Eine Gateisolierschicht GI ist auf der ersten Sensorspeicherleitung SSL1 und der Sensoranzeigegateleitung SDGL angeordnet.
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Die Gateisolierschicht GI kann aus einem Siliziumoxidfilm SiOx, einem Siliziumnitritfilm SiNx oder mehreren Schichten davon gebildet werden. Eine aktive Schicht ACT ist auf der Gateisolierschicht GI angeordnet
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Die aktive Schicht ACT kann beispielsweise aus irgendeinem von Halbleitermaterialien wie beispielsweise einem polykristallinen Silizium, einem Niedrigtemperatur-Polysilizium und einem Halbleiteroxid gebildet werden. Auf der aktiven Schicht ACT, eine erste Sourceelektrode SSE, die von der Sensordatenleitung SDL abzweigt, eine erste Drainelektrode SDE, eine dritte Datenleitung DL3 und eine zweite Drainelektrode des WP, die in einem Abstand von der ersten Sourceelektrode SSE angeordnet sind, und eine zweite Sourceelektrode SWSE, die von der dritten Ausleseleitung RL abzweigt. Hierbei bilden die erste Sourceelektrode SSE, die erste Drainelektrode SDE und die Sensorspeicherleitung SSL einen Sensordünnfilmtransistor Tss. Das heißt, dass die erste Sourceelektrode SSE als erste Elektrode des Sensordünnfilmtransistors Tss dient, die zweite Drainelektrode SDE als eine zweite Elektrode des Sensordünnfilmtransistors Tss dient und die erste Sensorspeicherleitung SSL als eine Gateelektrode des Sensordünnfilmtransistors TSS dient. Ferner bilden die zweite Sourceelektrode SWSE, die zweite Drainelektrode SWDE und die Sensoranzeigegateleitung SDGL einen Sensorschaltdünnfilmtransistor Tsw. Das heißt, dass die zweite Sourceelektrode SWSE, als eine erste Elektrode des Sensorschaltdünnfilmtransistors Tsw dient, die zweite Drainelektrode SWDE als eine zweite Elektrode des Sensorschaltdünnfilmtransistors Tsw dient und die Sensoranzeigegateleitung SDGL als eine Gateelektrode des Sensorschaltdünnfilmtransistors Tsw dient. Ferner kann die zweite Sourceelektrode SWSE eine Ausleseleitung RL sein. Die erste Sourceelektrode SSE, die erste Drainelektrode SDE, die zweite Drainelektrode SWDE und die zweite Sourceelektrode SWSE können gebildet werden aus irgendeinem, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder einer Legierung davon. Eine Isolierschicht INS ist auf der ersten Sourceelektrode SSE, der ersten Drainelektrode SDE, der zweiten Drainelektrode SWDE und der zweiten Sourceelektrode SWSE angeordnet.
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Die Isolierschicht INS ist vorgesehen, die erste Sourceelektrode SSE, die erste Drainelektrode SDE, die zweite Drainelektrode SWDE und die zweite Sourceelektrode SWSE von Komponenten auf einer oberen Schicht zu isolieren. Beispielsweise kann die Isolierschicht INS gebildet werden aus einem Siliziumoxid Film SEO X, einem Silizium Nitrit Film SEN X oder mehreren Schichten davon. Eine Planarisierungsschicht PAC ist auf der Isolierschicht INS angeordnet. Obwohl es nicht in 9 gezeigt ist, ist auf der Isolierschicht INS irgendeiner von einem roten, grünen und blauen Farbfilter angeordnet oder zwei oder mehr Farbfilter sind laminiert.
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Die Planarisierungsschicht PAC ist dazu vorgesehen, eine Stufe darunter zu ebnen und kann beispielsweise aus einem organischen Material wie beispielsweise Photoacryl, Polyimid, Benzocyclobutenharz oder Acrylatharz gebildet sein. Eine zweite Sensorspeicherleitung SSL2 und eine Verbindungsmetallleitung CML sind auf der Planarisierungsschicht PAC angeordnet.
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Die zweite Sensorspeicherleitung SSL2 ist elektrisch mit der ersten Sensorspeicherleitung SSL1, die darunter angeordnet ist, durch ein erstes Kontaktloch CH1, dass auf der Gateisolierschicht GI, der Isolierschicht INS und der Planarisierungsschicht PAC gebildet ist, elektrisch verbunden. Wie oben beschrieben sind bei der Sensorspeicherleitung SSL zum Anordnen des Photoberührungssensors PS die erste Sensorspeicherleitung SSL1 und die zweite Sensorspeicherleitung SSL2 auf unterschiedlichen Schichten angeordnet und sind miteinander durch ein Kontaktloch verbunden. Deshalb ist die breite eines nicht-offenen Bereichs reduziert und ein Freiheitsgrad zum Anordnen der Sensorspeicherleitung SSL kann hinsichtlich eines Designs verbessert werden. Beispielsweise kann die zweite Sensorspeicherleitung SSL2 gebildet werden aus irgendeinem, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder einer Legierung davon.
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Die Verbindungsmetallleitung CML ist elektrisch mit der ersten Drainelektrode SDE durch ein zweites Kontaktloch CH2 verbunden, dass auf der Isolierschicht INS und der Planarisierungsschicht PAC ausgebildet ist. Ferner ist die Verbindungsmetallleitung CML elektrisch mit der zweiten Drainelektrode SWDE durch ein drittes Kontaktloch CH3 verbunden, dass auf der Isolierschicht INS und der Planarisierungsschicht PAC ausgestaltet ist. Eine solche Verbindungsmetallleitung CML kann den Sensorspeicherkondensator SCst bilden.
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Wie oben beschrieben sind in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung eine Leitung, die das Sensorgatesignal an den Photoberührungssensor PS überträgt, und eine Gateleitung, die ein Gatesignal dem entsprechenden Pixel zuführt, kombiniert, sodass sie angeordnet sind, sodass obwohl der Photoberührungssensor PS angeordnet ist, die Reduktion des Aperturverhältnisses minimiert werden kann.
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9 ist eine ebene Ansicht, die eine Anordnung von Photoberuhrungssensoren eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
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Wie oben beschrieben ist gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Ausleseleitung RL pro Sensorpixeleinheit SPU angeordnet. Ferner kann ein Photoberührungssensor PS pro Sensorpixeleinheit SPU angeordnet sein. Mit Bezug auf 9 sind in der Mehrzahl von Ausleseleitungen RL1 bis RL 12 Photoberührungssensoren PS (in 9 repräsentiert als Punkte) angeordnet und die Berührungsphotosensoren PS können in der Einheit von vier Gateleitungen angeordnet werden. Das heißt, dass die Photoberührungssensoren und PS mit einem vorgegebenen Intervall angeordnet werden können, beispielsweise können sie in der Ausleseleitung angeordnet werden, die eine N+2-te (N ist 2 oder eine größere positive ganze Zahl) Gateleitung entlang der N+2-ten Gateleitung schneidet. Beispielsweise können, mit Bezug auf 9 eine Mehrzahl von Photoberührungssensoren entlang einer vierten Gateleitung GL4, einer achten Gateleitung GL8, einer zwölften Gateleitung GL12 und einer sechzehnten Gateleitung GL16 angeordnet werden.
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Deshalb kann in der Anzeigevorrichtung gemäß den beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung in einem Bereich des Anzeigepanels, der der vierten Gateleitung GL4, der achten Gateleitung GL8, der zwölften Gateleitung GL12 und der sechzehnten Gateleitung GL16 entspricht, ein Aperturverhältnis aufgrund der Anordnung des Photoberuhrungssensors PS verschlechtert werden. Ferner sind die Photoberührungssensoren PS auf derselben Gateleitungen angeordnet, sodass sie leicht von außen erkannt werden können. Deshalb kann die Sichtbarkeit der Anzeigevorrichtung von außen verschlechtert sein.
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Um das oben erwähnte Problem zu lösen wird es vorgeschlagen, die Photoberührungssensoren wie in 10 und 11 veranschaulicht anzuordnen.
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10 ist eine ebene Ansicht, die ein wünschenswertes Beispiel einer Anordnung von Photoberührungssensoren einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. 11 ist eine ebene Ansicht, die ein anderes wünschenswertes Beispiel einer Anordnung von Photoberührungssensoren in einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausfuhrungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
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Mit Bezug auf 10 sind in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Photoberührungssensoren PS nicht wie in 9 dargestellt in nur einer Gateleitung angeordnet, sondern die Photoberührungssensoren PS können für jede Gateleitung verteilt werden. Genauer können Photosensoren, die in einer Ausleseleitung angeordnet sind, die eine N-te (N ist eine positive ganze Zahl) Gateleitung von der Mehrzahl von Gateleitungen angeordnet sind, in einer N+2M-ten Gateleitung oder einer Gateleitung, die mit einem Intervall von (N+2M) (M ist eine positive ganze Zahl) angeordnet ist und einer Ausleseleitung, die die Gateleitung schneidet, angeordnet werden.
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Mit Bezug auf 10 werden, wenn angenommen ist, dass2 Gateleitungen auf die DRD-Art angeordnet sind, zum Beispiel die erste Gateleitung GL1 und die zweite Gateleitung gehe2 ein Paar sind, in dem Paar von Gateleitungen GL1 und GL2 die Photoberuhrungssensoren mit einem vorgegebenen Intervall entsprechend der Ausleseleitung RL angeordnet. Der nächstgelegene Photoberührungssensor kann in einem anderen benachbarten Gateleitungspaar und der Ausleseleitung angeordnet werden, nicht in demselben Gateleitungspaar. Wenn beispielsweise die erste Gateleitung GL1 und die zweite Gateleitung GL2 ein erstes Gateleitungspaar bilden und der erste Photoberührungssensor derart angeordnet ist, dass er dem ersten Gateleitungspaar und der ersten Ausleseleitung RL1 entspricht, wird der zweite Photoberührungssensor entsprechend zu dem zweiten Gateleitungspaar, das durch eine dritte Gateleitung GL3 eine vierte Gateleitung GL4 gebildet wird, und die zweite Ausleseleitung RL2 angeordnet. Das heißt, dass der Photoberührungssensor derart angeordnet werden kann, dass er sich diagonal über das Anzeigepanel erstreckt. Wie oben beschrieben sind in der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Gateleitungen derart entworfen, dass sie symmetrisch auf dem Anzeigepanel sind, sodass die Kapazität Cup derart ausgebildet ist, dass sie symmetrisch für jede Leitung ist. Ferner werden Aperturverhältnisreduktionsbereiche durch die Photoberührungssensoren über das gesamte Anzeigepanel verteilt, sodass ein Bildqualitätsverschlechterungsbereich, der von dem Benutzer erkannt wird, verteilt werden kann, sodass die Verschlechterung der Sichtbarkeit des Benutzers minimiert wird.
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Indes kann, obwohl es nicht spezifisch in den Zeichnungen dargestellt ist, da die Photoberührungssensoren in den Gateleitungen unter Berücksichtigung der Kapazität verteilt werden, die Anzahl von Photoberührungssensoren, die in der beispielhaften Ausführungsform von 9 angeordnet sind, gleich der Anzahl von Photoberührungssensoren sein, die in der beispielhaften Ausführungsform von 10 angeordnet sind.
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Ferner kann als anderes Verfahren zum Minimieren der Verschlechterung der Sichtbarkeit aufgrund des Aperturverhältnisunterschieds, wie in 11 dargestellt, ein Verfahren zum zufälligen Anordnen der Photoberührungssensoren betrachtet werden. In diesem Fall können die Photoberührungssensoren zufällig in den Gateleitungen unter Berücksichtigung der Kapazität Cup für jede Gateleitung angeordnet werden.
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Wie oben beschrieben kann, wenn die Photoberührungssensoren für jede Gateleitung verteilt werden, während die Kapazität für jede Gateleitung berücksichtigt wird, eine Sichtbarkeit der Anzeige Vorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verbessert werden.
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Die beispielhaften Ausfuhrungsformen der vorliegenden Offenbarung können auch wie folgt beschrieben werden:
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Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine Anzeigevorrichtung eine Sensorpixeleinheit mit einer Mehrzahl von Pixeln, einen Photoberührungssensor in der Sensorpixeleinheit, eine Ausleseleitung, die in einer zweiten Richtung angeordnet ist und ein Berührungserfassungssignal von dem Photoberührungssensor übermittelt, eine Sensordatenleitung, die in der zweiten Richtung angeordnet ist und ein Sensordatensignal dem Photoberührungssensor zufuhrt und eine Sensoranzeigegateleitung auf, die in einer ersten Richtung unterschiedlich von der zweiten Richtung angeordnet ist und ein Sensorgatesignal dem Photoberührungssensor zufuhrt und ein Anzeigegatesignal der Mehrzahl von Pixeln zuführt.
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Der Photoberührungssensor kann einen Sensordunnfilmtransistor, der mit der Sensordatenleitung verbunden ist und ein Ausgangssignal in Reaktion auf eine Lichtintensität von einfallenden Licht oder reflektiertem Licht erzeugt, einen Sensorspeicherkondensator, der ein von dem Sensordünnfilmtransistor ausgegebenes Ausgangssignal speichert und einen Sensorschaltdünnfilmtransistor aufweisen, der ein in dem Sensorspeicherkondensator gespeichertes Ausgangssignal an die Ausleseleitung in Reaktion auf das Sensorgatesignal ausgibt.
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Die Sensorpixeleinheit kann ferner eine Sensorspeicherleitung aufweisen, die in der ersten Richtung angeordnet ist, um den Sensorspeicherkondensator anzuordnen (zum Beispiel auszugestalten, zum Beispiel zu bilden).
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Die Sensorpixeleinheit kann ferner eine Verbindungsmetallleitung zum Bilden des Sensorspeicherkondensators aufweisen.
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Die Verbindungsmetallleitung kann eine Drainelektrode des Sensordünnfilmtransistors und eine Drainelektrode des Sensorschaltdünnfilmtransistors elektrisch verbinden.
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Die Sensorspeicherleitung kann eine erste Erfassungsspeicherleitung (hierin auch bezeichnet als erste Sensorspeicherleitung) und eine zweite Erfassungsspeicherleitung (hierin auch bezeichnet als zweite Sensorspeicherleitung) aufweisen, die erste Erfassungsspeicherleitung und die zweite Erfassungsspeicherleitung sind auf unterschiedlichen Schichten angeordnet und die erste Erfassungsspeicherleitung und die zweite Erfassungsspeicherleitung sind elektrisch miteinander verbunden.
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Die Sensorpixeleinheit kann einen ersten Pixel und einen zweiten Pixel benachbart zu dem ersten Pixel; eine erste Datenleitung, die dem ersten Pixel und dem zweiten Pixel ein Datensignal zuführt, eine erste Gateleitung, die dem ersten Pixel ein Gatesignal zuführt und eine zweite Gateleitung aufweisen, die dem zweiten Pixel ein Gatesignal zuführt.
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Die Sensorpixeleinheit kann ferner einen dritten Pixel benachbart zu dem zweiten Pixel und einen vierten Pixel benachbart zu dem dritten Pixel aufweisen, der dritte Pixel und der vierte Pixel können mit einer zweiten Datenleitung verbunden sein, die der ersten Datenleitung benachbart ist und die Sensordatenleitung kann zwischen der ersten Datenleitung und der zweiten Datenleitung angeordnet sein.
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Der dritte Pixel und der vierte Pixel können derart angeordnet sein, dass sie voneinander in einem Abstand angeordnet sind und der Photoberührungssensor kann zwischen dem dritten Pixel und dem vierten Pixel angeordnet sein und der Photoberührungssensor kann unter Berücksichtigung von Kapazität verteilt sein. Beispielsweise kann der Photoberührungssensor in eine Gateleitung (oder in Gateleitungen) der Anzeigevorrichtung verteilt sein, beispielsweise unter Berücksichtigung der Kapazität der Gateleitung (oder der Kapazitäten der Gateleitungen).
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Die Anzahl von Photoberührungssensoren, die in einer N-ten Gateleitung (N ist eine positive ganze Zahl) angeordnet sind, kann gleich der Anzahl von Photoberührungssensoren sein, die in der N+2M-ten Gateleitung (M ist eine positive ganze Zahl) angeordnet sind.
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Die Sensorpixeleinheit und die Ausleseleitung können derart angeordnet sein, dass sie eine eins-zu-eins-Korrespondenz miteinander bilden.
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Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist eine Anzeigevorrichtung ein Anzeigepanel, das eine Mehrzahl von Gateleitungen aufweist, die in einer ersten Richtung angeordnet sind, eine Mehrzahl von Datenleitungen, die in einer zweiten Richtung unterschiedlich von der ersten Richtung angeordnet sind und Photoberührungssensoren, die eine Berührung in Reaktion auf eine Lichtintensität erfassen, eine Berührungstreibeschaltung, die ein von jedem der Photoberührungssensoren ausgegebenes Berührungserfassungssignal empfängt und eine Ausleseleitung auf, die ein von dem Anzeigepanel ausgegebenes Berührungserfassungssignal an die Berührungstreibeschaltung überträgt, in der ein Photosensor, der in einer Ausleseleitung, die eine N-te (N ist eine positive ganze Zahl) Gateleitung von der Mehrzahl von Gateleitungen schneidet, angeordnet ist, in einer N+2-ten Gateleitung oder einer Gateleitung, die mit einem Intervall von (N+2M) (M ist eine positive ganze Zahl) und einer Ausleseleitung, die die N+2M-te Gateleitung schneidet, angeordnet ist.
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Die Photoberührungssensoren können derart in dem Anzeigepanel angeordnet sein, dass sie sich in einer diagonalen Richtung erstrecken.
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Das Anzeigepanel kann ferner eine Sensorspeicherleitung, die in der ersten Richtung angeordnet ist, sodass sie die Photoberührungssensoren anordnet (zum Beispiel ausbildet; zum Beispiel formt), eine Anzeigegateleitung, die derart angeordnet ist, dass sie von der Sensorspeicherleitung in der zweiten Richtung in einem Abstand angeordnet ist und ein Berührungsgatesignal dem Photoberührungssensor zuführt und ein Anzeigegatesignal Pixeln zuführt, die von der Mehrzahl von Pixeln elektrisch verbunden sind, und eine Sensordatenleitung aufweisen, die in der zweiten Richtung angeordnet ist und zwischen benachbarten Datenleitungen von der Mehrzahl von Datenleitungen angeordnet ist.
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Die Sensorspeicherleitung kann eine erste Sensorspeicherleitung, die derart angeordnet ist, dass sie einem Bereich, in dem der Photoberührungssensor angeordnet ist, entspricht, und eine zweite Sensorspeicherleitung aufweisen, die auf einer anderen Schicht als der der ersten Sensorspeicherleitung angeordnet ist und elektrisch mit der ersten Sensorspeicherleitung verbunden ist.
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Die Mehrzahl von Gateleitungen und die Mehrzahl von Datenleitungen können auf eine Doppel-Raten-Treibe(DRD-Art angeordnet sein.
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Obwohl die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung im Detail mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben wurden, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf eingeschränkt und kann in vielen unterschiedlichen Formen ausgeführt werden, ohne das technische Konzept der vorliegenden Offenbarung zu verlassen. Deshalb werden die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nur zu illustrativen Zwecken bereitgestellt und sind nicht dazu gedacht, das technische Konzept der vorliegenden Offenbarung einzuschränken. Der Bereich des technischen Konzepts der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf eingeschränkt. Deshalb sollte verstanden werden, dass die oben beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen in allen Aspekten veranschaulichend sind und nicht die vorliegende Offenbarung einschränken. Der Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung sollte basierend auf den folgenden Ansprüchen ausgelegt werden.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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