DE102018126935A1

DE102018126935A1 - Anzeigevorrichtung mit integriertem Berührungsbildschirm und Verfahren zum Herstellen derselben

Info

Publication number: DE102018126935A1
Application number: DE102018126935.8A
Authority: DE
Inventors: Jaehyung Jang; Minjoo KIM; Jaewon Lee; SangHoon Pak; Sanghyuk Won; Byonghoo Kim; Sangheun LEE; Hyangmyoung GWON; Jeonghoon Lee; Sungjin Kim; Yuna Lee
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2017-10-30
Filing date: 2018-10-29
Publication date: 2019-05-02
Anticipated expiration: 2038-10-30
Also published as: GB2569032A; CN109725765A; US10996778B2; KR20190047970A; KR102376822B1; GB2569032B; DE102018126935B4; GB201817691D0; US20190129550A1; CN109725765B

Abstract

Eine Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen derselben sind offenbart, in denen ein Kurzschluss zwischen ersten Berührungselektroden und zweiten Berührungselektroden verhindert werden kann. Die Anzeigevorrichtung weist eine Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht (20), die eine erste Elektrode (261), die auf einem ersten Substrat angeordnet ist, eine lichtemittierende Schicht (262), die auf der ersten Elektrode (261) angeordnet ist, und eine zweite Elektrode (263), die auf der lichtemittierenden Schicht (262) angeordnet ist, aufweist; und eine Berührungsermittlungsschicht (40), die auf der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht (20) angeordnet ist, wobei die Berührungsermittlungsschicht (40) eine erste Berührungselektroden-Schicht (41) und eine zweite Berührungselektroden-Schicht (42) und eine Berührung-isolierende Schicht (43), die zwischen der ersten Berührungselektroden-Schicht (41) und der zweiten Berührungselektroden-Schicht (42) angeordnet ist, aufweist, und die erste Berührungselektroden-Schicht (41) erste Brückenelektroden (293) und zweite strukturierte Berührungselektroden (299) aufweist, und die zweite Berührungselektroden-Schicht (42) erste strukturierte Berührungselektroden (291) und zweite Brückenelektroden (292) aufweist, wobei die erste strukturierte Berührungselektrode (291) und eine Struktur der ersten Brückenelektroden (293) zum Ausbilden einer Tx-Elektrode miteinander verbunden sind und die zweiten Brückenelektrode (292) und die zweiten strukturierten Berührungselektroden (299) zum Ausbilden einer Rx-Elektrode miteinander verbunden sind.

Description

QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der Koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2017-0142388 , eingereicht am 30. Oktober 2017.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm und ein Verfahren zum Herstellen derselben.
Beschreibung der verwandten Technik
Mit der Entwicklung des Informationszeitalters haben Nachfragen nach einer Anzeigevorrichtung zum Anzeigen eines Bildes auf verschiedene Weisen zugenommen. Deshalb sind verschiedene Anzeigevorrichtungen, wie beispielsweise Flüssigkristallanzeige (LCD)-Vorrichtungen, Plasmaanzeigepanel (PDP)-Vorrichtungen und Organische-lichtemittierende-Anzeige (OLED)-Vorrichtungen verwendet worden. Von diesen Anzeigevorrichtungen weist die OLED-Vorrichtung die Vorteile einer Niederspannungsansteuerung, eines dünnen Profils, eines exzellenten Betrachtungswinkels und einer schnellen Antwortgeschwindigkeit auf.
Die OLED-Vorrichtung kann ein Anzeigepanel, das Datenleitungen, Abtastleitungen und eine Mehrzahl von Pixeln, die an jeder Überkreuzung der Datenleitungen und der Abtastleitungen bereitgestellt sind, aufweist, einen Abtasttreiber zum Zuführen von Abtastsignalen zu den Abtastleitungen und einen Datentreiber zum Zuführen von Datenspannungen zu den Datenleitungen aufweisen. Jedes der Pixel kann eine organische lichtemittierende Vorrichtung, einen Ansteuerungstransistor zum Steuern der Menge an Strom, die der organischen lichtemittierenden Vorrichtung entsprechend einer Spannung einer Gate-Elektrode zugeführt wird, und einen Abtasttransistor zum Zuführen einer Datenspannung der Datenleitung zu der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors in Antwort auf ein Abtastsignal der Abtastleitung aufweisen.
Seit Kurzem wird eine Anzeigevorrichtung als eine Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm gebildet, der ein Berührungsbildschirmpanel zum Ermitteln einer Berührung eines Nutzers aufweist. In diesem Falle fungiert die Anzeigevorrichtung als eine Berührungsbildschirmvorrichtung. Seit Kurzem wird die Berührungsbildschirmvorrichtung in Heimanwendungen, wie beispielsweise einem Kühlschrank, einem Mikrowellenofen und einer Waschmaschine, als auch als Monitore für die Navigation, ein Industrieterminal, einen Notebook-Computer, eine Bankautomatvorrichtung und eine Spielekonsole, und mobile Endgeräte, wie beispielsweise ein Smartphone, Tablet, Mobiltelephon, MP3, PDA, PMP, PSP, mobile Spielekonsole, DMB-Empfänger und Tablet-PC weit verbreitet angewendet. Ebenso ist die Berührungsbildschirmvorrichtung aufgrund ihres einfachen Betriebes weitverbreitet genutzt worden.
In der Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm sind erste Berührungselektroden, zweite Berührungselektroden und Brückenelektroden zum Verbinden der ersten Berührungselektroden oder der zweiten Berührungselektroden miteinander in dem Anzeigepanel gebildet. Die ersten Berührungselektroden können Tx-Elektroden sein, und die zweiten Berührungselektroden können Rx-Elektroden sein.
Die ersten Elektroden und zweiten Elektroden der Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm sind auf der gleichen Schicht gebildet. Wenn ein Abstand zwischen den ersten Berührungselektroden und den zweiten Berührungselektroden nicht ausreichend ist, tritt ein Problem dahingehend auf, dass ein Kurzschluss zwischen den ersten Elektroden und den zweiten Elektroden aufgrund von Partikeln, die während eines Vorgangs des Bildens von Berührungselektroden erzeugt werden, oder eines Kratzers, der während eines Substrat-Ritzvorgangs nach einem Zellvorgang erzeugt wird, erzeugt wird.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Dementsprechend ist die vorliegende Erfindung auf eine Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm und ein Verfahren zum Herstellen desselben, die im Wesentlichen ein oder mehrere Probleme aufgrund von Beschränkungen und Nachteilen der bezogenen Technik verhindern, gerichtet.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung ist es, eine Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm und ein Verfahren zum Herstellen derselben bereitzustellen, in der verhindert werden kann, dass ein Kurzschluss zwischen den ersten Berührungselektroden und den zweiten Berührungselektroden erzeugt wird.
Zusätzliche Vorteile und Merkmale der Erfindung werden teilweise in der folgenden Beschreibung bekannt gemacht und werden dem gewöhnlichen Fachmann teilweise aus dem Studium des Folgenden ersichtlich oder können durch Anwendung der Erfindung erlernt werden. Die Ziele und andere Vorteile der Erfindung können mittels der in der Beschreibung und den sich daraus ergebenden Ansprüchen sowie den angehängten Zeichnungen besonders hervorgehobenen Struktur realisiert und erreicht werden.
Zum Erreichen dieser und anderer Vorteile und in Übereinstimmung mit dem Ziel der vorliegenden Erfindung, wie hierin ausgeführt und allgemein beschrieben, wird eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 und ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 12 bereitgestellt. Weitere Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
Eine Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist eine Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht auf.
In einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung die Schritte des Bildens einer Dünnschichttransistor-Schicht auf.
In verschiedenen Ausführungsformen weist eine Anzeigevorrichtung auf: eine Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht, die eine erste Elektrode, die auf einem ersten Substrat angeordnet ist, eine lichtemittierende Schicht, die auf der ersten Elektrode angeordnet ist, und eine zweite Elektrode, die auf der lichtemittierenden Schicht angeordnet ist, aufweist; und eine Verkapselungsschicht auf der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht; eine Berührungsermittlungsschicht, die auf der Verkapselungsschicht angeordnet ist, wobei die Berührungsermittlungsschicht eine erste Berührungselektroden-Schicht, eine zweite Berührungselektroden-Schicht und eine Berührung-isolierende Schicht, die zwischen der ersten Berührungselektroden-Schicht und der zweiten Berührungselektroden-Schicht angeordnet ist, aufweist, wobei die erste Berührungselektroden-Schicht mindestens eine erste Brückenelektrode und mindestens eine zweite strukturierte Berührungselektrode aufweist, und die zweite Berührungselektroden-Schicht mindestens eine erste strukturierte Berührungselektrode und mindestens eine zweite Brückenelektrode aufweist, wobei die erste strukturierte Berührungselektrode und die erste Brückenelektrode zum Ausbilden einer Tx-Elektrode miteinander verbunden sind, und wobei die zweite strukturierte Berührungselektrode und die zweite Brückenelektrode zum Ausbilden einer Rx-Elektrode miteinander verbunden sind.
In einem weiteren Aspekt weist die Anzeigevorrichtung ferner eine Berührung-Pufferschicht, die auf der Verkapselungsschicht angeordnet ist, auf.
In einem weiteren Aspekt weist die Anzeigevorrichtung ferner eine Berührung-isolierende Schicht, die auf der Berührung-Pufferschicht angeordnet ist, auf.
In einem weiteren Aspekt weist die Berührung-isolierende Schicht eine Berührung-organische Schicht und eine Berührung-anorganische Schicht auf.
In einem weiteren Aspekt ist die erste strukturierte Berührungselektrode durch mindestens ein erstes Kontaktloch hindurch mit der ersten Brückenelektrode verbunden, wobei das erste Kontaktloch die Berührung-isolierende Schicht durchdringt.
In einem weiteren Aspekt ist die zweite strukturierte Berührungselektrode durch mindestens ein zweites Kontaktloch hindurch mit der zweiten Brückenelektrode verbunden, wobei das zweite Kontaktloch die Berührung-isolierende Schicht durchdringt.
In einem weiteren Aspekt sind die erste strukturierte Berührungselektrode und die zweite Brückenelektrode in der zweiten Berührungselektroden-Schicht in einem Abstand voneinander angeordnet.
In einem weiteren Aspekt sind die erste Brückenelektrode, die mit der ersten strukturierten Berührungselektrode verbunden ist, und die zweite strukturierte Berührungselektrode, die mit der zweiten Brückenelektrode verbunden ist, in der ersten Berührungselektroden-Schicht in einem Abstand voneinander angeordnet.
In einem weiteren Aspekt ist der kürzeste Abstand zwischen der ersten strukturierten Berührungselektrode, die die Tx-Elektrode bildet, und der zweiten strukturierten Berührungselektrode, die die Rx-Elektrode bildet, kleiner als der kürzeste Abstand zwischen der ersten strukturierten Berührungselektrode, die die Tx-Elektrode bildet, und der zweiten Brückenelektrode, die die Rx-Elektrode bildet.
In einem weiteren Aspekt weist die Anzeigevorrichtung ferner eine erste Berührungsleitung, die sich von der ersten strukturierten Berührungselektrode aus erstreckt, und eine zweite Berührungsleitung, die sich von der zweiten strukturierten Berührungselektrode aus erstreckt, auf, wobei die erste Berührungsleitung durch eine Verbindung (im Folgenden auch als zweite Verbindung bezeichnet), die auf dem ersten Substrat bereitgestellt ist, hindurch mit einem ersten Berührungs-Pad elektrisch verbunden ist, und die zweite Berührungsleitung durch eine Verbindung (im Folgenden auch als dritte Verbindung bezeichnet), die auf dem ersten Substrat bereitgestellt ist, hindurch mit einem zweiten Berührungs-Pad elektrisch verbunden ist.
In einem weiteren Aspekt sind die Rx-Elektrode und die Tx-Elektrode in der Berührungsermittlungsschicht in der Form eines Netzes angeordnet.
In verschiedenen Ausführungsformen ist ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung bereitgestellt, wobei das Verfahren die Schritte aufweist: Bilden einer ersten Dünnschichttransistor-Schicht, einer Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht und einer Verkapselungsschicht auf einem ersten Substrat; Strukturieren einer ersten Berührungselektrode-Schicht, die erste Brückenelektroden und zweite strukturierte Berührungselektroden aufweist, auf der Verkapselungsschicht; Bilden einer Berührung-isolierenden Schicht, die eine Berührung-anorganische Schicht und eine Berührung-organische Schicht aufweist, auf der ersten Berührungselektroden-Schicht; und Bereitstellen einer Mehrzahl von Kontaktlöchern in der Berührung-isolierenden Schicht und Ausbilden einer zweiten Berührungselektrode-Schicht, die erste strukturierte Berührungselektroden und zweite Brückenelektroden aufweist.
In einem weiteren Aspekt werden jede der ersten strukturierten Berührungselektroden und jede der zweiten Brückenelektroden in der zweiten Berührungselektrode-Schicht in einem Abstand voneinander angeordnet.
In einem weiteren Aspekt werden jede der ersten Brückenelektroden und jede der zweiten strukturierten Berührungselektroden in der ersten Berührungselektroden-Schicht in einem Abstand voneinander angeordnet.
In einem weiteren Aspekt ist ein kürzester Abstand zwischen einer ersten strukturierten Berührungselektrode, die eine Tx-Elektrode bildet, und einer zweiten strukturierten Berührungselektrode, die eine Rx-Elektrode bildet, kleiner als der kürzeste Abstand zwischen der ersten strukturierten Berührungselektrode, die die Tx-Elektrode bildet, und einer zweiten Brückenelektrode, die die Rx-Elektrode bildet.
Es ist zu bemerken, dass beide, die vorgehende allgemeine Beschreibung und die nachstehende detaillierte Beschreibung der vorliegenden Erfindung exemplarisch und erläuternd sind und vorgesehen sind, weitere Erklärungen der Erfindung wie beansprucht bereitzustellen.
Figurenliste
Die begleitenden Zeichnungen, die beigefügt sind, um ein weitergehendes Verständnis der Erfindung zu liefern, und die eingefügt sind in und einen Teil dieser Anmeldung darstellen, illustrieren Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung, um das Prinzip der Erfindung zu erklären. Es zeigen:

1 eine perspektivische Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
2 eine Blockansicht, die eine Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
3 eine Querschnittansicht, die eine Seite eines Anzeigepanels der 2 darstellt;
4 eine Draufsicht, die erste Berührungselektroden und zweite Berührungselektroden, Brückenelektroden und erste Berührungsleitungen und zweite Berührungsleitungen einer Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
5 eine vergrößerte Ansicht, die einen Bereich A der 4 darstellt;
6 eine Querschnittansicht, die ein Beispiel von I-I' der 4 darstellt;
7 eine Querschnittansicht, die ein Beispiel von II-II' der 5 darstellt;
8 ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt; und
9 bis 12 Querschnittansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung und ihre Implementierungsverfahren werden mittels folgender Ausführungsformen bekannt gemacht, die unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben werden. Die vorliegende Erfindung kann jedoch in verschiedenen Formen ausgeführt werden und sollte nicht verstanden werden, als dass sie auf die hierin beschriebenen Ausführungsformen beschränkt sei. Diese Ausführungsformen sind vielmehr dafür bereitgestellt, dass diese Offenbarung sorgfältig und vollständig sein wird, und werden dem Fachmann den Anwendungsbereich der vorliegenden Erfindung vollständig vermitteln. Des Weiteren wird die vorliegende Erfindung lediglich durch die Anwendungsbereiche der Ansprüche definiert.
Eine Form, eine Größe, ein Verhältnis, ein Winkel und eine Anzahl, die in den Zeichnungen zum Beschreiben von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung offenbart sind, sind lediglich ein Beispiel, und somit ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese dargestellten Details beschränkt. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich über die Patentschrift hinweg auf gleiche Teile. In der folgenden Beschreibung wird die detaillierte Beschreibung weggelassen werden, wenn festgestellt wird, dass die detaillierte Beschreibung der relevanten bekannten Funktion oder Anordnung den wichtigen Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung unnötigerweise verschleiert.
In einem Fall, in dem „aufweisen“, „haben“ und „enthalten“ in der vorliegenden Patentschrift verwendet werden, kann ein weiteres Teil hinzugefügt werden, außer wenn „nur ~“ verwendet wird. Die Bezeichnung in der Einzahl kann die Mehrzahl umfassen, außer wenn das Gegenteil bestimmt ist.
Beim Auslegen eines Elements wird das Element derart ausgelegt, dass es einen Fehlerbereich aufweist, auch wenn dafür keine ausdrückliche Beschreibung vorhanden ist.
Beim Beschreiben einer räumlichen Beziehung, zum Beispiel wenn die räumliche Beziehung als „auf~“, „über~“, „unter~“ und „neben~“ beschrieben ist, können ein oder mehrere Teile zwischen zwei Teilen angeordnet sein, außer wenn „genau“ oder „direkt“ verwendet wird.
Beim Beschreiben einer zeitlichen Beziehung, zum Beispiel wenn die zeitliche Abfolge als „nach ~“, „nachfolgend ~“, „nächstes ~“ und „vor ~“ beschrieben ist, kann ein Fall, der nicht kontinuierlich stattfindet, eingeschlossen sein, außer wenn „genau“ oder „direkt“ verwendet wird.
Es ist zu bemerken, dass, obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“ etc. hierin zum Beschreiben verschiedener Elemente verwendet werden können, diese Elemente durch diese Begriffe nicht eingeschränkt sein sollten. Diese Begriffe werden nur verwendet, um ein Element von einem anderen Element zu unterscheiden. Beispielsweise könnte ein erstes Element als ein zweites Element bezeichnet werden, und in ähnlicher Weise könnte ein zweites Element als ein erstes Element bezeichnet werden, ohne dabei den Anwendungsbereich der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
„Eine erste horizontale Achsenrichtung“, „eine zweite horizontale Achsenrichtung“ und „eine vertikale Achsenrichtung“ sollten nicht nur als eine geometrische Beziehung einer gegenseitigen vertikalen Beziehung ausgelegt werden und können innerhalb des Anwendungsbereichs, in dem Elemente der vorliegenden Erfindung funktionell betrieben werden, eine breitere Ausrichtung aufweisen.
Die Wendung „mindestens eine/einer/ein“ sollte so verstanden werden, dass sie jede und alle Kombinationen eines oder mehrerer der dazugehörigen aufgelisteten Elemente einschließt. Beispielsweise bezeichnet die Bedeutung von „mindestens eines aus einem ersten Element, einem zweiten Element und einem dritten Element“ die Kombination von allen vorgeschlagenen Elementen von zwei oder mehr des ersten Elements, des zweiten Elements und des dritten Elements, sowie das erste Element, das zweite Element oder das dritte Element.
Merkmale von verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können teilweise oder vollständig miteinander verbunden oder miteinander kombiniert sein und können auf verschiedene Weisen miteinander betrieben und technisch angesteuert werden, wie dem Fachmann hinreichend verständlich ist. Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können unabhängig voneinander ausgeführt werden, oder können zusammen in wechselseitig abhängiger Beziehung ausgeführt werden.
Im Folgenden werden die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Detail beschrieben werden. Wenn immer möglich, werden die gleichen Bezugszeichen über alle Zeichnungen hinweg zum Bezeichnen der gleichen oder ähnlicher Bauteile verwendet werden.
1 zeigt eine perspektivische Ansicht einer Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 2 zeigt eine Blockansicht, die eine Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
Bezugnehmend auf 1 und 2 weist die Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Anzeigepanel 110, einen Abtast-Treiber 120, einen Datentreiber 130, eine Zeitablaufsteuerung 160, ein Wirtssystem 170, einen Berührungstreiber 180 und einen Berührungskoordinatenrechner 190 auf.
Die Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm gemäß der vorliegenden Erfindung kann als eine Flachpanel-Anzeigevorrichtung, wie beispielsweise eine Flüssigkristallanzeige (LCD), eine Feld-Emissions-Anzeige (FED), ein Plasmaanzeigepanel (PDP), eine organische lichtemittierende Anzeige (OLED) und eine Elektrophoreseanzeige (EPD) ausgeführt sein. Im Folgenden ist die Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm gemäß der vorliegenden Erfindung als eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung ausgeführt, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
Das Anzeigepanel 110 weist ein erstes Substrat 111 und ein zweites Substrat 112 auf. Das zweite Substrat 112 kann ein Verkapselungssubstrat sein. Das erste Substrat kann ein Kunststofffilm oder ein Glassubstrat sein. Das zweite Substrat 112 kann ein Kunststofffilm, ein Glassubstrat oder eine Verkapselungsschicht (Schutzschicht) sein.
Das Anzeigepanel 110 weist einen Anzeigebereich, auf dem Subpixel SP zum Anzeigen eines Bildes angeordnet sind, auf. Auf dem Anzeigebereich 110 sind Datenleitungen D1 bis Dm (wobei m eine positive ganze Zahl gleich oder größer als 2 ist) und Abtastleitungen S1 bis Sn (wobei n eine positive ganze Zahl gleich oder größer als 2 ist) gebildet. Die Datenleitungen D1 bis Dm können derart gebildet sein, dass sie die Abtastleitungen S1 bis Sn überkreuzen. Die Subpixel SP können in dem Bereich, der mittels einer sich überkreuzenden Struktur der Gate-Leitungen und der Datenleitungen definiert ist, gebildet sein.
Jedes der Subpixel SP des Anzeigepanels 110 kann mit irgendeiner der Datenleitungen D1 bis Dm und irgendeiner der Abtastleitungen S1 bis Sn verbunden sein. Jedes der Subpixel SP des Anzeigepanels 110 kann einen Ansteuerungstransistor zum Steuern eines Drain-Source-Stroms in Übereinstimmung mit einer an eine Gate-Elektrode angelegten Datenspannung, einen Abtasttransistor, der mittels eines Abtastsignals der Abtastleitung eingeschaltet wird und der eine Datenspannung von der Datenleitung zu der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors zuführt, eine organische lichtemittierende Diode zum Emittieren von Licht in Übereinstimmung mit dem Drain-Source-Strom des Ansteuerungstransistors und einen Kondensator zum Speichern einer Spannung der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors aufweisen. Deshalb kann jedes der Subpixel SP in Übereinstimmung mit dem Strom, der der organischen lichtemittierenden Diode zugeführt wird, Licht emittieren.
Der Abtast-Treiber 120 empfängt ein Abtast-Steuerungssignal GCS von der Zeitablaufsteuerung 160. Der Abtast-Treiber 120 führt den Abtastleitungen S1~Sn in Übereinstimmung mit dem Abtast-Steuerungssignal GCS Abtastsignale zu.
Der Abtast-Treiber 120 kann in einem GiP (Gate-Treiber in Panel)-Modus in einem Nicht-Anzeigebereich außerhalb einer Seite oder beider Seiten des Anzeigebereichs des Anzeigepanels 110 gebildet sein. Alternativ dazu ist der Abtast-Treiber 120 aus einem Ansteuerungschip hergestellt, in einen flexiblen Film verpackt und kann in einem TAB („tape automated bonding“)-Modus an dem Nicht-Anzeigebereich außerhalb einer Seite oder beider Seiten des Anzeigebereichs des Anzeigepanels 110 befestigt sein.
Der Datentreiber 130 empfängt digitale Videodaten DATA und ein Daten-Steuerungssignal DCS von der Zeitablaufsteuerung 160. Der Datentreiber 130 wandelt die digitalen Videodaten DATA in eine analoge Datenspannung positiver Polarität/negativer Polarität in Übereinstimmung mit dem Daten-Ansteuerungssignal DCS um und führt sie den Datenleitungen zu. Das bedeutet Pixel, denen die Datenspannungen zugeführt werden, werden mittels des Abtastsignals des Abtast-Treibers 120 ausgewählt, und die Datenspannungen werden den ausgewählten Pixeln zugeführt.
Der Datentreiber 130 kann eine Mehrzahl von Source-Treibern ICs 131 aufweisen, wie in 1 dargestellt. Jeder der Mehrzahl von Source-Treibern ICs 131 kann in einen flexiblen Film 140 in einem COF (Chip auf Film)-Modus oder einem COP (Chip auf Plastik)-Modus gepackt sein. Der flexible Film 140 ist auf Pads, die in dem Nicht-Anzeigebereich des Anzeigepanels 110 bereitgestellt sind, unter Verwendung einer anisotropen leitfähigen Schicht befestigt, wodurch die Source-Treiber ICs 131 mit den Pads verbunden werden können.
Die Leiterplatte 150 kann an den flexiblen Filmen 140 befestigt sein. Eine Mehrzahl von Schaltkreisen, die als Ansteuerungschips ausgeführt sind, können auf der Leiterplatte 150 gepackt sein. Beispielsweise kann die Zeitablaufsteuerung 160 auf die Leiterplatte 150 gepackt sein. Die Leiterplatte 150 kann eine gedruckte Leiterplatte oder eine flexible gedruckte Leiterplatte sein.
Die Zeitablaufsteuerung 160 empfängt von dem Wirtssystem 170 digitale Videodaten DATA und Zeitablaufsignale. Die Zeitablaufsignale können ein vertikales Synchronisationssignal, ein horizontales Synchronisationssignal, ein DatenFreigabesignal und ein Zeittaktsignal aufweisen. Das vertikale Synchronisationssignal ist ein Signal, das eine Rahmenperiode definiert. Das horizontale Synchronisationssignal ist ein Signal, das einen horizontalen Zeitraum, der zum Zuführen der Datenspannungen zu Pixeln der einen horizontalen Leitung des Anzeigepanels DIS benötigt wird, definiert. Das Datenfreigabesignal ist ein Signal, das einen Zeitraum des Eingebens verfügbarer Daten definiert. Das Zeittaktsignal ist ein Signal, das mit einem vorher festgelegten kurzen Zeitraum dazwischen wiederholt wird.
Zum Steuern der Betriebszeitabläufe des Abtast-Treibers 120 und des Datentreibers 130 erzeugt die Zeitablaufsteuerung 160 ein Daten-Steuerungssignal DCS zum Steuern des Betriebszeitablaufs des Datentreibers 130 und ein Abtast-Steuerungssignal GCS zum Steuern des Betriebszeitablaufs des Datentreibers 130 basierend auf den Zeitablaufsignalen. Die Zeitablaufsteuerung 160 gibt das Abtast-Steuerungssignal GCS an den Abtast-Treiber 120 aus und gibt die digitalen Videodaten DATA und das Daten-Steuerungssignal DCS an den Datentreiber 130 aus.
Das Wirtssystem 170 kann als ein Navigationssystem, ein Digitalempfänger, ein DVD-Spieler, ein Blue ray-Spieler, ein persönlicher Computer (PC), eine Heimkinoanlage, ein Rundfunkempfänger und ein Telefonsystem ausgeführt sein. Das Wirtssystem 170 weist SoC (System auf Chip), das mit einem Skalierer ausgestattet ist und die digitalen Videodaten eines eingegebenen Bildes in ein Format umwandelt, das zum Anzeigen des Anzeigepanels 110 geeignet ist, auf. Das Wirtssystem 170 überträgt digitale Videodaten DATA und die Zeitablaufsignale an die Zeitablaufsteuerung 160.
Auf dem Anzeigepanel 110 können nicht nur die Datenleitungen D1 bis Dm und die Abtastleitungen S1 bis Sn, sondern auch die ersten Berührungselektroden und die zweiten Berührungselektroden gebildet sein. Die ersten Berührungselektroden können derart gebildet sein, dass sie die zweiten Berührungselektroden überkreuzen. Die ersten Berührungselektroden können mittels ersten Berührungsleitungen T1 bis Tj mit einem ersten Berührungstreiber 181 verbunden sein, wobei j eine ganze Zahl gleich oder größer als 2 ist. Die zweiten Berührungselektroden können mittels zweiten Berührungsleitungen R1 bis Ri mit einem zweiten Berührungstreiber 182 verbunden sein, wobei i eine ganze Zahl gleich oder größer als 2 ist. An jeder der Überkreuzungen zwischen den ersten Berührungselektroden und den zweiten Berührungselektroden kann ein Berührungssensor gebildet sein. Der Berührungssensor gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist als eine gegenseitige Kapazität ausgeführt, jedoch nicht hierauf beschränkt. Die ersten Berührungselektroden und die zweiten Berührungselektroden werden später unter Bezugnahme auf 4 und 5 detaillierter beschrieben werden.
Der Berührungstreiber 180 führt den ersten Berührungselektroden durch die ersten Berührungsleitungen T1 bis Tj hindurch einen Steuerungsimpuls zu und ermittelt die Menge an Ladungsänderungen in jedem der Berührungssensoren durch die zweiten Berührungsleitungen R1 bis Ri hindurch. Das bedeutet, dass in 2 eine Beschreibung gegeben werden wird, die darauf basiert, dass die ersten Berührungsleitungen T1 bis Tj Tx-Leitungen zum Zuführen eines Ansteuerungsimpulses sind und die zweiten Berührungsleitungen R1 bis Ri Rx-Leitungen zum Ermitteln der Menge an Ladungsänderungen in jedem der Berührungssensoren sind.
Der Berührungstreiber 180 weist den ersten Berührungstreiber 181, den zweiten Berührungstreiber 182 und eine Berührungssteuerung 183 auf. Der erste Berührungstreiber 181, der zweite Berührungstreiber 182 und die Berührungssteuerung 183 können in einem ROIC (Auslese-IC) integriert sein.
Der erste Berührungstreiber 181 wählt unter der Steuerung der Berührungssteuerung 183 die ersten Berührungsleitungen zum Ausgeben eines Ansteuerungsimpulses aus und führt der ausgewählten ersten Berührungsleitung den Ansteuerungsimpuls zu. Beispielsweise kann der erste Berührungstreiber 181 nacheinander den ersten Berührungsleitungen T1 bis Tj nacheinander Ansteuerungsimpulse zuführen.
Der zweite Berührungstreiber 182 wählt unter der Steuerung der Berührungssteuerung 183 die zweiten Berührungsleitungen zum Empfangen der Menge an Ladungsänderungen in den zweiten Berührungssensoren aus und empfängt durch die ausgewählten zweiten Berührungsleitungen hindurch die Menge an Ladungsänderungen in den Berührungssensoren. Der zweite Berührungstreiber 182 wandelt die Menge an Ladungsänderungen in den Berührungssensoren, die durch die zweiten Berührungsleitungen R1 bis Ri empfangen werden, mittels Abtastens der Menge an Ladungsänderungen in den Berührungssensoren zu Berührung-Rohdaten TRD, die digitale Daten sind, um.
Die Berührungssteuerung 183 kann ein Tx-Einrichtungssignal in dem ersten Berührungstreiber 181 zum Einrichten der ersten Berührungsleitung, an die der Ansteuerungsimpuls ausgegeben werden soll, und ein Rx- Einrichtungssignal in dem zweiten Berührungstreiber 182 zum Einrichten der zweiten Berührungsleitung, in der eine Berührungssensor-Spannung empfangen werden soll, auswählen. Ebenso erzeugt die Berührungssteuerung 183 Zeitablauf-Steuerungssignale zum Steuern von Betriebszeitabläufen des ersten Berührungstreibers 181 und des zweiten Berührungstreibers 182.
Der Berührungskoordinaten-Rechner 190 empfängt Berührungsrohdaten TRD von dem Berührungstreiber 180. Der Berührungskoordinaten-Rechner 190 berechnet Berührungskoordinaten in Übereinstimmung mit einem Berührungskoordinaten-Berechnungsverfahren und gibt Berührungskoordinaten-Daten HIDxy, die Informationen von Berührungskoordinaten aufweisen, an das Wirtssystem 170 aus.
Der Berührungskoordinaten-Rechner 190 kann als eine Mikrosteuerungseinheit (MCU) ausgeführt sein. Das Wirtssystem 170 analysiert Berührungskoordinaten-Daten HIDxy, die von dem Berührungskoordinaten-Rechner 190 eingegeben werden, und führt ein Anwendungsprogramm, das mit einer Koordinate, an der mittels eines Nutzers eine Berührung erzeugt wird, verbunden ist, aus. Das Wirtssystem 170 überträgt die digitalen Videodaten DATA und die Zeitablaufsignale zu der Zeitablaufsteuerung 160 in Übereinstimmung mit dem ausgeführten Anwendungsprogramm.
Der Berührungstreiber 180 kann in den Source-Ansteuerungs-ICs enthalten sein oder kann aus einem einzelnen Ansteuerungschip hergestellt und auf die Leiterplatte 150 gepackt sein. Ebenso kann der Berührungskoordinaten-Rechner 190 aus einem Ansteuerungschip hergestellt und auf die Leiterplatte 150 gepackt sein.
3 zeigt eine Querschnittansicht, die eine Seite des Anzeigepanels der 2 darstellt.
Bezugnehmend auf 3 kann das Anzeigepanel 110 ein erstes Substrat 111, ein zweites Substrat 112, eine Dünnschichttransistor-Schicht 110, die zwischen dem ersten Substrat 111 und dem zweiten Substrat 112 angeordnet ist, eine Organische-lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 20, eine Verkapselungsschicht 30, eine Berührungsermittlungsschicht 40 und eine Adhäsionsschicht 50 aufweisen.
Das erste Substrat 111 kann ein Plastikfilm oder ein Glassubstrat sein.
Die Dünnschichttransistor-Schicht 10 ist auf dem ersten Substrat 111 gebildet. Die Dünnschichttransistor-Schicht 10 kann Abtastleitungen, Datenleitungen und Dünnschichttransistoren aufweisen. Jeder der Dünnschichttransistoren weist eine Gate-Elektrode, eine Halbleiterschicht, und Source-Elektroden und Drain-Elektroden auf. In dem Fall, dass ein Abtast-Treiber unter Verwendung eines GiP (Gate-Treiber in Panel)-Verfahrens gebildet ist, kann der Abtast-Treiber zusammen mit der Dünnschichttransistor-Schicht 10 gebildet sein. Eine detaillierte Beschreibung des Dünnschichttransistors 10 wird später unter Bezugnahme auf 6 und 7 gegeben werden.
Die Organische-lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 20 ist auf dem Dünnschichttransistor 10 gebildet. Die Organische-lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 20 weist erste Elektroden, eine organische lichtemittierende Schicht, eine zweite Elektrode und Dämme auf. Jede der organischen lichtemittierenden Schichten kann eine Löchertransportschicht, eine organische lichtemittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht aufweisen. In diesem Falle werden, wenn eine Spannung an die erste Elektrode und die zweite Elektrode angelegt wird, Löcher und Elektronen durch die Löchertransportschicht bzw. die Elektrontransportschicht hindurch zu der lichtemittierenden Schicht bewegt und rekombinieren in der organischen lichtemittierenden Schicht, wodurch Licht emittiert wird. Die Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 20 kann eine Pixelmatrix-Schicht sein, in der Pixel gebildet sind, wodurch der Bereich, in der die Organische-lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 20 gebildet ist, als der Anzeigebereich definiert sein kann. Ein Bereich in der Peripherie des Anzeigebereichs kann als der Nicht-Anzeigebereich definiert sein. Eine detaillierte Beschreibung der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 20 wird später unter Bezugnahme auf 6 und 7 gegeben werden.
Die Verkapselungsschicht 30 ist auf der Organische-lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 20 gebildet. Die Verkapselungsschicht 30 dient dazu zu verhindern, dass Sauerstoff oder Wasser in die Organische-lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 20 eindringen können. Die Verkapselungsschicht 30 kann mindestens eine anorganische Schicht und mindestens eine organische Schicht aufweisen. Eine Querschnittsstruktur der Verkapselungsschicht 30 wird später unter Bezugnahme auf 6 und 7 im Detail beschrieben werden.
Die Berührungsermittlungsschicht 40 ist auf der Verkapselungsschicht 30 gebildet. Die Berührungsermittlungsschicht 40 kann die erste Berührungselektroden-Schicht und die zweite Berührungselektroden-Schicht zum Ermitteln einer Berührung eines Nutzers aufweisen. Die erste Berührungselektroden-Schicht kann erste strukturierte Brückenelektroden, die mit den ersten Berührungsleitungen T1 bis Tj verbunden sind, und zweite strukturierte Berührungselektroden, die mit den zweiten Berührungsleitungen R1 bis Ri verbunden sind, aufweisen. Die zweite Berührungselektroden-Schicht kann erste strukturierte Berührungselektroden zum gegenseitigen Verbinden der ersten Brückenelektroden und zweite Brückenelektroden zum gegenseitigen Verbinden der zweiten strukturierten Berührungselektroden aufweisen. In der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Berührungsermittlungsschicht zum Ermitteln der Berührung des Nutzers auf der Verkapselungsschicht 30 gebildet, wodurch die Berührungsbildschirmvorrichtung nicht separat auf der Anzeigevorrichtung befestigt sein muss. Eine Aufsichtsstruktur der Berührungsermittlungsschicht 40 wird unter Bezugnahme auf 4 und 5 später beschrieben werden. Ebenso wird eine Querschnittansicht der Berührungsermittlungsschicht 40 später unter Bezugnahme auf 6 und 7 beschrieben werden.
Die Adhäsionsschicht 50 ist auf der Berührungsermittlungsschicht gebildet. Die Adhäsionsschicht 50 befestigt das erste Substrat 111 und das zweite Substrat 112 aneinander, die mit dem Dünnschichttransistor 10, der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 20, der Verkapselungsschicht 30 und der Berührungsermittlungsschicht 40 bereitgestellt sind. Die Adhäsionsschicht 50 kann ein optisch durchsichtiges Harz (OCR) oder eine optisch durchsichtige Adhäsionsschicht (OCA) sein.
Das zweite Substrat dient als ein Abdecksubstrat oder Abdeckfenster zum Abdecken des ersten Substrats 110. Das zweite Substrat 112 kann ein Kunststofffilm, ein Glassubstrat oder eine Verkapselungsschicht (Schutzschicht) sein.
4 zeigt eine Draufsicht, die erste Berührungselektroden und zweite Berührungselektroden, Brückenelektroden und erste Berührungsleitungen und zweite Berührungsleitungen einer Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
Unter Bezugnahme auf 4 können die ersten Berührungselektroden TE in einer ersten Richtung (x-Achsenrichtung) angeordnet sein, und die zweiten Berührungselektroden RE können in einer zweiten Richtung (y-Achsenrichtung), die die erste Richtung (x-Achsenrichtung) überkreuzt, angeordnet sein. Die erste Richtung (x-Achsenrichtung) kann parallel zu den Abtastleitungen S1 bis Sn verlaufen, und die zweite Richtung (y-Achsenrichtung) kann parallel zu den Datenleitungen D1 bis Dm verlaufen. Alternativ dazu kann die erste Richtung (x-Achsenrichtung) parallel zu den Datenleitungen D1 bis Dm verlaufen, und die zweite Richtung (y-Achsenrichtung) kann parallel zu den Abtastleitungen S1 bis Sn verlaufen. Obwohl 4 darstellt, dass die ersten Berührungselektroden TE und die zweiten Berührungselektroden RE eine rautenförmige Aufsichtsstruktur aufweisen, ist zu bemerken, dass die vorliegende Erfindung nicht auf das Beispiel der 4 beschränkt ist. In der rautenförmigen Aufsichtsstruktur, die mittels der ersten Berührungselektroden TE und der zweiten Berührungselektroden RE gebildet ist, weist eine Seitenkante eine Länge von 30 µm bis 40 µm auf.
Die ersten Berührungselektroden TE, die in der ersten Richtung (x-Achsenrichtung) benachbart zueinander verlaufen, können zum Verhindern, dass die ersten Berührungselektroden TE und die zweiten Berührungselektroden RE an ihren sich überkreuzenden Bereichen kurzgeschlossen werden, mittels der Brückenelektrode BE elektrisch miteinander verbunden sein. Auf dem sich überkreuzenden Bereich der ersten Berührungselektrode TE und der zweiten Berührungselektrode RE kann eine dem Berührungssensor entsprechende gegenseitige Kapazität gebildet sein. Die Brückenelektrode ist bereitgestellt, wenn 4 bis 6 rautenförmige Aufsichtsstrukturen, die mittels der ersten Berührungselektrode TE und der zweiten Berührungselektrode RE gebildet sind, angeordnet sind.
Ebenso sind, da jede der ersten Berührungselektroden TE, die in der ersten Richtung (x-Achsenrichtung) verbunden sind, von den in der zweiten Richtung (y-Achsenrichtung) dazu benachbarten ersten Berührungselektroden in einem Abstand angeordnet ist, die ersten Berührungselektroden elektrisch voneinander isoliert. Da jede der zweiten Berührungselektroden RE, die in der zweiten Richtung (y-Achsenrichtung) verbunden sind, von der in der ersten Richtung (x-Achsenrichtung) dazu benachbarten zweiten Berührungselektrode RE in einem Abstand angeordnet ist, sind die zweiten Berührungselektroden voneinander elektrisch isoliert.
Unter den ersten Berührungselektroden TE, die in der ersten Richtung (x-Achsenrichtung) miteinander verbunden sind, kann die erste Berührungselektrode TE, die an einem Ende angeordnet ist, mit der ersten Berührungsleitung TL verbunden sein. Die erste Berührungsleitung TL kann mit dem ersten Berührungstreiber 181 durch ein erstes Berührung-Pad TP hindurch verbunden sein. Deshalb können die ersten Berührungselektroden TE, die in der ersten Richtung (x-Achsenrichtung) miteinander verbunden sind, durch die erste Berührungsleitung TL hindurch von dem ersten Berührungstreiber 181 ein Berührungsansteuerungssignal empfangen.
Unter den zweiten Berührungselektroden RE, die in der zweiten Richtung (y-Achsenrichtung) miteinander verbunden sind, kann die zweite Berührungselektrode RE, die an einem Ende angeordnet ist, mit der zweiten Berührungsleitung RL verbunden sein. Die zweite Berührungsleitung RL kann durch ein zweites Berührungs-Pad RP hindurch mit dem zweiten Berührungstreiber 182 verbunden sein. Deshalb kann der zweite Berührungstreiber 182 von den zweiten Berührungselektroden RE, die in der zweiten Richtung (y-Achsenrichtung) miteinander verbunden sind, die Menge an Ladungsänderungen in den Berührungssensoren empfangen.
5 zeigt eine vergrößerte Ansicht, die einen Bereich A der 4 darstellt.
Bezugnehmend auf 5 können Pixel P in einer PenTile-Struktur angeordnet sein. Jedes der Pixel P weist eine Mehrzahl von Subpixeln SP auf und kann beispielsweise ein rotes Pixel R, zwei grüne Pixel G und ein blaues Pixel B, wie in 5 dargestellt, aufweisen. Das rote Pixel R, die beiden grünen Pixel G und das blaue Pixel B können in einer achteckigen, ebenen Form gebildet sein. Ebenso kann unter dem roten Pixel R, den beiden grünen Pixeln G und dem blauen Pixel B das blaue Pixel B das größte sein, und das grüne Pixel G kann das kleinste sein. Obwohl in 5 dargestellt ist, dass die Pixel in einer PenTile-Struktur gebildet sind, ist die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht auf das Beispiel der 5 beschränkt.
Die ersten Berührungselektroden TE und die zweiten Berührungselektroden RE können in einer Maschenstruktur derart ausgebildet sein, dass verhindert wird, dass sie mit dem roten Pixel R, den grünen Pixeln G und dem blauen Pixel B von jedem der Pixel P überlappt werden. Das bedeutet, dass die ersten Berührungselektroden TE und die zweiten Berührungselektroden RE auf einem Damm, der zwischen dem roten Pixel R, den grünen Pixeln G und dem blauen Pixel G bereitgestellt ist, gebildet sein können. Ein Abstand zwischen Überkreuzungspunkten, an dem die ersten Berührungselektroden TE die zweiten Berührungselektroden RE überkreuzen, beträgt 30 µm bis 40 µm.
Die ersten Berührungselektroden TE, die in der ersten Richtung (x-Achsenrichtung) zueinander benachbart sind, können durch eine Mehrzahl von Brückenelektroden BE hindurch miteinander verbunden sein. Jede der Brückenelektroden BE kann mit den ersten Berührungselektroden TE, die benachbart zueinander sind, durch eine erste Verbindung zum Freilegen der ersten Berührungselektroden TE hindurch verbunden sein. Die Brückenelektroden BE können die ersten Berührungselektroden TE und die zweiten Berührungselektroden RE überlappen. Die Brückenelektrode BE kann auf dem Damm, der zwischen dem roten Pixel R, den grünen Pixeln G und dem blauen Pixel B bereitgestellt ist, gebildet sein. Hierbei können die Brückenelektroden BE in einer Maschenstruktur ausgebildet sein. Die Brückenelektrode BE kann auf dem Damm, der zwischen dem roten Pixel, den grünen Pixeln G und dem blauen Pixel bereitgestellt ist, angeordnet sein. Es kann auch gesagt werden, dass die Tx-Elektroden und die Rx-Elektroden (die jeweils mittels der Kombination von ersten Berührungselektroden und zweiten Berührungselektroden mit entsprechenden Brückenelektroden gebildet sind) ebenfalls in einer Maschenstruktur gebildet sein können. Es kann auch gesagt werden, dass „in einer Maschenstruktur gebildet“ eine Elektrode betrifft, die die Struktur oder Form eines Netzes aufweist.
Die ersten Berührungselektroden TE und die zweiten Berührungselektroden RE können auf der gleichen Schicht gebildet sein, und die Brückenelektrode BE kann auf einer Schicht, die verschieden ist von den ersten Berührungselektroden TE und den zweiten Berührungselektroden RE, gebildet sein.
6 zeigt eine Querschnittansicht, die ein Beispiel von I-I' der 4 darstellt. 7 zeigt eine Querschnittansicht, die ein Beispiel von II-II' der 5 darstellt.
Eine detaillierte Verbindungsstruktur der zweiten Berührungsleitungen RL und des zweiten Berührung-Pads RP ist in 6 dargestellt, und eine detaillierte Verbindungsstruktur zwischen der Brückenelektrode BE und den ersten Berührungselektroden TE ist in 7 dargestellt.
Bezugnehmend auf 6 und 7 ist die Dünnschichttransistor-Schicht 10 auf dem ersten Substrat 111 gebildet. Der Dünnschichttransistor 10 weist Dünnschichttransistoren 210, erste Berührung-Pads TP (nicht dargestellt) und zweite Berührung-Pads RP, eine Gate-isolierende Schicht 220, eine Zwischenschicht-dielektrische Schicht 230, ein Passivierungsschicht 240 und eine Planarisierungsschicht 250 auf.
Eine erste Pufferschicht kann auf einer Oberfläche des ersten Substrats 111 gebildet sein. Die erste Pufferschicht kann auf einer Oberfläche des ersten Substrats 111 zum Schützen der Dünnschichttransistoren 210 und lichtemittierenden Vorrichtungen 260 vor Wasser, das durch das erste Substrat 111, das empfindlich auf Feuchtigkeitsdurchlässigkeit ist, gebildet sein. Eine Oberfläche des ersten Substrats 111 kann eine Oberfläche sein, die dem zweiten Substrat 112 gegenüberliegt. Die erste Pufferschicht kann aus einer Mehrzahl von anorganischen Schichten, die abwechselnd abgeschieden sind, hergestellt sein. Zum Beispiel kann die erste Pufferschicht aus einer mehrlagigen Schicht von einer oder mehreren anorganischen Schichten einer Siliziumoxidschicht (SiOx), einer Siliziumnitridschicht (SiNx) und SiON, die abwechselnd abgeschieden sind, gebildet sein. Die erste Pufferschicht kann auch weggelassen werden.
Der Dünnschichttransistor 210 ist auf der ersten Pufferschicht gebildet. Der Dünnschichttransistor 210 weist eine aktive Schicht 211, eine Gate-Elektrode 212, eine Source-Elektrode 215 und eine Drain-Elektrode 214 auf. Obwohl der Dünnschichttransistor 210 in einem Top-Gate-Modus, in dem die Gate-Elektrode 212 oberhalb der aktiven Schicht 211 angeordnet ist, gebildet ist, wie in 7 dargestellt, ist zu bemerken, dass der Dünnschichttransistor der vorliegenden Erfindung nicht auf den Top-Gate-Modus beschränkt ist. Das bedeutet, der Dünnschichttransistor 210 kann in einem Bottom-Gate-Modus, in dem die Gate-Elektrode 212 unterhalb der aktiven Schicht 211 angeordnet ist, oder einem Doppel-Gate-Modus, in dem die Gate-Elektrode 212 oberhalb und unterhalb der aktiven Schicht 211 angeordnet ist, gebildet sein.
Die aktive Schicht 211 ist auf der ersten Pufferschicht gebildet. Die aktive Schicht 211 kann aus einem Silizium-basierten Halbleitermaterial oder einem Oxidbasierten Halbleitermaterial gebildet sein. Eine Licht-Abschirm-Schicht zum Abschirmen von von außen in die aktive Schicht 211 eindringendem Licht kann zwischen der ersten Pufferschicht und der aktiven Schicht 211 gebildet sein.
Die Gate-isolierende Schicht 220 kann auf der aktiven Schicht 211 gebildet sein. Die Gate-isolierende Schicht 220 kann aus einer anorganischen Schicht, beispielsweise einer Siliziumoxidschicht (SiOx,) einer Siliziumnitridschicht (SiNx) oder einer mehrlagigen Schicht aus der Siliziumoxidschicht und der Siliziumnitridschicht gebildet sein.
Die Gate-Elektrode 212 und die Gate-Leitung können auf der Gate-isolierenden Schicht 220 gebildet sein. Die Gate-Elektrode 212 und die Gate-Leitung können aus einer einzelnen Schicht oder mehrlagig gebildet sein und eines von Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Nd, und Cu oder ihre Legierung aufweisen.
Die Zwischenschicht-dielektrische Schicht 230 kann auf der Gate-Elektrode 212 und der Gate-Leitung gebildet sein. Die Zwischenschicht-dielektrische Schicht 230 kann aus einer anorganischen Schicht, beispielsweise einer Siliziumoxidschicht (SiOx), einer Siliziumnitridschicht (SiNx) oder einer mehrlagigen Schicht der Siliziumoxidschicht und der Siliziumnitridschicht gebildet sein.
Die Source-Elektrode 215, die Drain-Elektrode 214, die Datenleitung und das erste Berührungs-Pad TP (nicht dargestellt) und das zweite Berührungs-Pad RP können auf der Zwischenschicht-dielektrischen Schicht 230 gebildet sein. Jede der Source-Elektrode 215 und der Drain-Elektrode 214 kann durch ein Kontaktloch, das durch die Gate-isolierende Schicht 220 und die Zwischenschicht-dielektrische Schicht 230 hindurchtritt, hindurch mit der aktiven Schicht 211 verbunden sein. Die Source-Elektrode 215, die Drain-Elektrode 214, die Datenleitung und das erste Berührungs-Pad TP (nicht dargestellt) und das zweite Berührungs-Pad RP können aus einer einzelnen Schicht oder mehrlagig gebildet sein und irgend eines von Mo, AI, Cr, Au, Ti, Ni, Nd und Cu oder ihre Legierung aufweisen.
Die Passivierungs-Schicht 240 kann auf der Source-Elektrode 215, der Drain-Elektrode 214, der Datenleitung und dem ersten Berührungs-Pad TP und dem zweiten Berührungs-Pad RP zum Isolieren des Dünnschichttransistors 210 gebildet sein. Die Passivierungs-Schicht 240 kann aus einer anorganischen Schicht, beispielsweise einem Siliziumoxidschicht (SiOx), einer Siliziumnitridschicht (SiNx) oder einer mehrlagigen Schicht aus der Siliziumoxidschicht und der Siliziumnitridschicht gebildet sein.
Die Planarisierungsschicht 250 zum Einebnen eines Stufenunterschieds aufgrund des Dünnschichttransistors 210 kann auf der Passivierungs-Schicht 240 gebildet sein. Die Planarisierungsschicht 250 kann aus einer organischen Schicht, wie beispielsweise einem Acrylharz, Epoxyharz, Phenolharz, Polyamid-Harz und PolyimidHarz gebildet sein.
Die Organische-lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 20 ist auf der Dünnschichttransistor-Schicht 10 gebildet. Die Organische-lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 20 weist organische lichtemittierende Vorrichtungen und einen Damm 270 auf.
Die lichtemittierenden Vorrichtungen und der Damm 270 sind auf der Planarisierungsschicht 250 gebildet. Jede der lichtemittierenden Vorrichtungen weist die erste Elektrode 261, die organische lichtemittierende Schicht 262 und die zweite Elektrode 263 auf. Die erste Elektrode 261 kann eine Anodenelektrode sein, und die zweite Elektrode 263 kann eine Kathodenelektrode sein.
Die erste Elektrode 261 kann auf der Planarisierungsschicht 250 gebildet sein. Die erste Elektrode 261 kann mit der Source-Elektrode 215 des Dünnschichttransistors 210 durch ein Kontaktloch, das durch die Passivierungs-Schicht 240 und die Planarisierungsschicht 250 hindurchführt, hindurch verbunden sein. Die erste Elektrode 261 kann aus einem leitfähigen Material mit hohem Reflexionsvermögen, wie beispielsweise einer Abscheidungsstruktur (Ti/Al/Ti) aus Al und Ti, einer Abscheidungsstruktur (ITO/Al/ITO) aus AI und ITO, einer APC-Legierung oder einer Abscheidungsstruktur (ITO/APC/ITO) aus APC-Legierung und ITO gebildet sein. Die APC-Legierung ist eine Legierung aus Ag, Pd und Cu.
Der Damm 270 kann auf der Planarisierungsschicht 250 zum Abtrennen der ersten Elektrode 261 gebildet sein, wodurch er als eine Pixel-definierende Schicht zum Definieren von Sub-Pixeln SP dient. Der Damm 270 kann derart gebildet sein, dass er eine Kante der ersten Elektrode 261 bedeckt.
Jedes der Sub-Pixel P bezeichnet einen Bereich, in dem die erste Elektrode 261, die der Anodenelektrode entspricht, die lichtemittierende Schicht 262 und die zweite Elektrode 263, die der Kathodenelektrode entspricht, nacheinander abgeschieden sind und Löcher von der ersten Elektrode 261 und Elektronen von der zweiten Elektrode 263 in der lichtemittierenden Schicht 262 zum Emittieren von Licht miteinander rekombinieren.
Die organische lichtemittierende Schicht 262 ist auf der ersten Elektrode 261 und dem Damm 270 gebildet. Die organische lichtemittierende Schicht 262 kann eine organische lichtemittierende Schicht zum Emittieren einer vorher festgelegten Farbe sein und ein organisches Material aufweisen. Wenn die organische lichtemittierende Schicht 262 eine weiße lichtemittierende Schicht zum Emittieren von weißem Licht ist, kann die organische lichtemittierende Schicht 262 eine gemeinsame Schicht, die gemeinsam für die Pixel P gebildet ist, sein. In diesem Falle kann die organische lichtemittierende Schicht 262 in einer Tandemstruktur von zwei oder mehr Stapeln gebildet sein. Jeder der Stapel kann eine Löchertransportschicht, mindestens eine lichtemittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht aufweisen.
Ebenso kann eine Ladungserzeugungsschicht zwischen den Stapeln gebildet sein. Die Ladungserzeugungsschicht kann eine Ladungserzeugungsschicht des n-Typs, die derart angeordnet ist, dass sie an den unteren Stapel angrenzt, und eine Ladungserzeugungsschicht des p-Typs, die auf der Ladungserzeugungsschicht des n-Typs gebildet ist und derart angeordnet ist, dass sie an den oberen Stapel angrenzt, sein. Die Ladungserzeugungsschicht des n-Typs injiziert Elektronen in den unteren Stapel, und die Ladungserzeugungsschicht des p-Typs injiziert Löcher in den oberen Stapel. Die Ladungserzeugungsschicht des n-Typs kann eine organische Schutzschicht aus einem organischen Wirtsmaterial, das mit einem Alkalimetall, wie beispielsweise Li, Na, K oder Cs, oder einem Erdalkalimetall, wie beispielsweise Mg, Sr, Ba oder Ra, dotiert sein, wobei das organische Wirtsmaterial Elektronentransporteigenschaften aufweist. Die Ladungserzeugungsschicht des p-Typs kann eine organische Schicht aus einem organischen Wirtsmaterial, das mit einer Dotiersubstanz dotiert ist, sein, wobei das organische Wirtsmaterial Löchertransporteigenschaften aufweist.
Die zweite Elektrode 263 ist auf der organischen lichtemittierenden Schicht 262 angeordnet. Die zweite Elektrode 263 kann derart gebildet sein, dass sie die organische lichtemittierende Schicht 262 überdeckt. Die zweite Elektrode 263 kann eine gemeinsame Schicht sein, die gemeinsam für die Pixel P gebildet ist.
Die zweite Elektrode 263 kann aus einem durchsichtigen leitfähigen Material (TCO), wie beispielsweise ITO und IZO, die Licht hindurchtreten lassen können, oder einem halbdurchlässigen leitfähigen Material, wie beispielsweise Mg, Ag und eine Legierung aus Mg und Ag gebildet sein. Wenn die zweite Elektrode 263 aus einem halbdurchlässigen leitfähigen Material gebildet ist, kann die Lichtemissionseffizienz mittels einer Mikrokavität verstärkt werden. Eine Abdeckschicht kann auf der zweiten Elektrode 263 gebildet sein.
Die Verkapselungsschicht 30 ist auf der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 20 gebildet. Die Verkapselungsschicht 30 weist einen Verkapselungsfilm 280 auf.
Der Verkapselungsfilm 280 ist auf der zweiten Elektrode 263 angeordnet. Der Verkapselungsfilm 280 kann mindestens eine anorganische Schicht und mindestens eine organische Schicht zum Verhindern, dass Sauerstoff oder Wasser in die lichtemittierende Schicht 262 und die zweite Elektrode 263 eindringen, aufweisen. Beispielsweise kann der Verkapselungsfilm 280 eine erste anorganische Schicht 281 und eine zweite anorganische Schicht 283 und eine organische Schicht 282, die zwischen der ersten anorganischen Schicht 281 und der zweiten anorganischen Schicht 283 eingeschoben ist, aufweisen, wie in 6 und 7 dargestellt. Jede der ersten anorganischen Schicht 281 und der zweiten anorganischen Schicht 283 kann aus einem Siliziumnitrid, einem Aluminiumnitrid, einem Zirkoniumnitrid, einem Titannitrid, einem Hafniumnitrid, einem Tantalnitrid, Siliziumoxid, einem Aluminiumoxid oder einem Titanoxid gebildet sein. Die organische Schicht 282 kann in einer ausreichenden Dicke, beispielsweise 7 µm bis 8 µm, zum Verhindern, dass Partikel in die lichtemittierende Schicht 262 und die zweite Elektrode 263 mittels Hindurchtretens durch den Verkapselungsfilm 280 eindringen, gebildet sein.
Da ein Fließen der organischen Schicht 282 mittels eines Damms 300 blockiert ist, kann die organische Schicht 282 innerhalb des Damms 300 gebildet sein. Im Gegensatz dazu können die erste anorganische Schicht 281 und die zweite anorganische Schicht 283 außerhalb des Damms 300 gebildet sein. Ebenso können die erste anorganische Schicht 281 und die zweite anorganische Schicht 283 derart gebildet sein, dass sie das erste Berührungs-Pad TP (nicht dargestellt) und das zweite Berührungs-Pad RP nicht überdecken.
Eine zweite Pufferschicht 31 ist auf der Verkapselungsschicht 30 gebildet. Die zweite Pufferschicht 31 kann derart gebildet sein, dass sie den Verkapselungsfilm 280 und den ersten Berührung-Pad TP (nicht dargestellt) und den zweiten Berührung-Pad RP überdeckt. Die zweite Pufferschicht 31 kann aus einer anorganische Schicht oder einer organischen Schicht gebildet sein. Wenn die zweite Pufferschicht 31 aus einer anorganischen Schicht gebildet ist, kann die zweite Pufferschicht 31 aus einer Siliziumoxidschicht (SiOx), einer Siliziumnitridschicht (SiNx) oder einer mehrlagigen Schicht aus der Siliziumoxidschicht und der Siliziumnitridschicht gebildet sein.
Eine Berührungsermittlungsschicht 40 ist auf der zweiten Pufferschicht 31 gebildet. Die Berührungsermittlungsschicht 40 weist eine erste Berührungselektroden-Schicht 41, eine zweite Berührungselektroden-Schicht 42 und eine Berührung-isolierende Schicht 43 auf.
Die erste Berührungselektroden-Schicht 41 weist erste Brückenelektroden 293 und zweite strukturierte Berührungselektroden 299 auf. Die zweite Berührungselektroden-Schicht 42 weist erste strukturierte Berührungselektroden 291 und zweite Brückenelektroden 292 auf. Die ersten strukturierten Berührungselektroden 291 und die zweiten Brückenelektroden 292 können auf der gleichen Schicht angeordnet sein. Die ersten strukturierten Berührungselektroden 291 und die zweiten Brückenelektroden 292 sind in einem Abstand voneinander angeordnet und sind voneinander elektrisch isoliert. Die Berührung-isolierende Schicht 43 weist eine Berührung-anorganische Schicht 294 und eine Berührung-organische Schicht 295 auf. Hierbei können jede der ersten Brückenelektrode 293, der ersten strukturierten Berührungselektrode 291, der zweiten Brückenelektrode 292 und der zweiten strukturierten Berührungselektrode 299 in einer Maschenstruktur gebildet sein. Die Brückenelektrode BE überlappt mindestens eine der ersten Brückenelektroden 293, der ersten strukturierten Berührungselektroden 291, der zweiten Brückenelektroden 292 und der zweiten strukturierten Berührungselektroden 299.
Genauer gesagt können die ersten Brückenelektroden 293 und die zweiten strukturierten Berührungselektroden 299 auf der zweiten Pufferschicht 31 gebildet sein. Die ersten Brückenelektroden 293 und die zweiten strukturierten Berührungselektroden 299 sind auf der zweiten Pufferschicht 31 strukturiert. Die ersten Brückenelektroden 293 verbinden die ersten strukturierten Berührungselektroden 291 miteinander, und die zweiten strukturierten Berührungselektroden 299 sind mittels der zweiten Brückenelektroden 292 verbunden. Es ist zu bemerken, dass Elektroden oder Bauteile, die „strukturiert“ sind, jegliche Anordnung betreffen, in der die genannte Elektrode oder das genannte Bauteil eine vorher festgelegte Form aufweist. Es ist ebenso zu bemerken, dass ein Bauteil, das „in einer Mehrzahl von Strukturen“ strukturiert ist, ein Bauteil betrifft, das in einer Zahl von einzelnen Teilen vorhanden ist. Alternativ ist zu bemerken, dass ein Bauteil, das „als eine Struktur“ strukturiert ist, ein Bauteil betrifft, wenn es einstückig ist oder nicht einzelne Teile aufweist.
Die ersten Brückenelektroden 293 und die zweiten strukturierten Berührungselektroden 299 können aus einer einzelnen Schicht oder mehrlagig gebildet sein und eines von Mo, AI, Cr, Au, Ti, Ni, Nd und Cu oder ihre Legierung aufweisen.
Die Berührung-anorganische Schicht 294 kann auf den ersten Brückenelektroden 293 und den zweiten strukturierten Berührungselektroden 299 gebildet sein. Die Berührung-anorganische Schicht 294 kann aus einer anorganischen Schicht, beispielsweise einer Siliziumoxidschicht (SiOx), einer Siliziumnitridschicht (SiNx) oder einer mehrlagigen Schicht aus der Siliziumoxidschicht und der Siliziumnitridschicht gebildet sein.
Die Berührung-organische Schicht 295 kann auf der Berührung-anorganischen Schicht 294 gebildet sein. Die organische Schicht 282 des Verkapselungsfilms 280 ist eine Partikel-Deckschicht zum Verhindern, dass Partikel mittels Hindurchtretens durch den Verkapselungsfilm 280 in die lichtemittierende Schicht 262 und die zweite Elektrode 263 eindringen, während die Berührung-organische Schicht 295 eine Schicht zum Trennen der ersten Berührungselektroden-Schicht 41 und der zweiten Berührungselektroden-Schicht 42 voneinander in einer einem vorher festgelegten Abstand ist. Deshalb kann die Berührung-organische Schicht 295 in einer Dicke gebildet sein, die dünner ist als die der organischen Schicht 282 des Verkapselungsfilms 280. Beispielsweise kann die Berührung-organische Schicht 295 in einer Dicke von ungefähr 2 µm gebildet sein. Ebenso ist es, da Kontaktlöcher in der organischen Schicht 282 des Verkapselungsfilms 280 nicht ausgebildet sind, nicht notwendig, dass die organische Schicht 282 des Verkapselungsfilms 280 ein Fotolackmaterial aufweist. Im Gegensatz dazu kann die Berührung-organische Schicht 295, da in der Berührung-organischen Schicht 295 Kontaktlöcher gebildet sind, ein Fotolackmaterial aufweisen. Beispielsweise kann die Berührung-organische Schicht 295 aus einem Fotoacrylat, das ein Fotolackmaterial aufweist, gebildet sein.
Die ersten strukturierten Berührungselektroden 291 und die zweiten Brückenelektroden 292 sind auf der Berührung-organischen Schicht 295 gebildet. Die ersten strukturierten Berührungselektroden 291 können Übertragungs (Tx)-Elektroden sein, und die zweiten Brückenelektroden 292 können Empfangs (Rx)-Elektroden sein. Die ersten strukturierten Berührungselektroden 291 und die zweiten Brückenelektroden 292 können strukturiert sein.
Die ersten strukturierten Berührungselektroden 291 können mit den ersten Brückenelektroden 293 durch ein erstes Kontaktloch CT1 und ein zweites Kontaktloch CT2 hindurch, die derart bereitgestellt sind, dass sie durch die Berührung-anorganische Schicht 294 und die Berührung-organische Schicht 295 hindurchführen, verbunden sein.
Das erste Kontaktloch CT1 verbindet die Struktur der ersten strukturierten Berührungselektroden 291 auf einer linken Seite mit einer Seite der ersten Brückenelektrode 293. Das zweite Kontaktloch CT2 verbindet die Struktur der ersten strukturierten Berührungselektroden 291 in einem mittleren Bereich mit der anderen Seite der ersten Brückenelektrode 293.
In diesem Falle bilden, da die ersten strukturierten Berührungselektroden 291 unter Verwendung der ersten Brückenelektroden 293 an ihren überkreuzten Bereichen verbunden sind, die mit den ersten strukturierten Berührungselektroden 291 verbundenen ersten Brückenelektroden 293 eine Tx-Elektrode.
Die zweiten Brückenelektroden 292 können durch ein drittes Kontaktloch CT3 und ein viertes Kontaktloch CT 4, die derart bereitgestellt sind, dass sie durch die anorganische Schicht 294 und die Berührung-organische Schicht 295 hindurchführen, mit den zweiten strukturierten Berührungselektroden 299 verbunden sein. Da die zweiten Brückenelektroden 292 mit den zweiten strukturierten Berührungselektroden 299 verbunden sind, bilden die mit den zweiten Brückenelektroden 292 verbundenen zweiten strukturierten Berührungselektroden 299 eine Rx-Elektrode.
Die erste Berührungsleitung TL kann sich von der ersten strukturierten Berührungselektrode 291 aus erstrecken, und die zweite Berührungsleitung RL kann sich von der zweiten Brückenelektrode 292 aus erstrecken. Die erste Berührungsleitung TL kann mit dem ersten Berührungs-Pad TP durch eine zweite Verbindung CNT2 hindurch, die derart bereitgestellt ist, dass sie durch die Passivierungsschicht 240 und die Pufferschicht 31 hindurchtritt, verbunden sein. Die zweite Berührungsleitung RL kann mit dem zweiten Berührungs-Pad RP durch eine dritte Verbindung CNT3 hindurch, die derart bereitgestellt ist, dass sie durch die Passivierungsschicht 240 und die Pufferschicht 31 hindurchführt, verbunden sein. Es ist zu bemerken, dass die Bezeichnungen erster, zweiter, dritter etc. dazu vorgesehen sind, die entsprechenden Bauteile (Berührungsleitungen, Verbindungen etc.) in den Figuren konsistent zu bezeichnen und über das Unterscheiden dieser Merkmale voneinander hinaus nicht funktional beschränkend sind.
Die ersten strukturierten Berührungselektroden 291, die zweiten Brückenelektroden 292, die erste Berührungsleitung TL und die zweite Berührungsleitung RL können aus einer einzelnen Schicht oder mehrlagig sein und eines von Mo, AI, Cr, Au, Ti, Ni, Nd und Cu oder ihre Legierung aufweisen.
Eine Überzugschicht 296 zum Ausgleichen eines Stufenunterschiedes, der mittels der ersten strukturierten Berührungselektroden 291, der zweiten Brückenelektroden 292, der ersten Brückenelektroden 293 und der zweiten strukturierten Berührungselektroden 299 hervorgerufen ist, kann auf den ersten strukturierten Berührungselektroden 291 und den zweiten Brückenelektroden 292 gebildet sein.
Dabei ist, obwohl in 7 dargestellt ist, dass die erste Berührungselektroden-Schicht 41 auf der zweiten Pufferschicht 31 gebildet ist, die Berührung-isolierende Schicht 43 auf der ersten Berührungselektroden-Schicht 41 gebildet ist und die zweite Berührungselektroden-Schicht 42 auf der Berührung-isolierenden Schicht 43 gebildet ist, die vorliegende Erfindung nicht auf das Beispiel der 7 beschränkt. Das bedeutet, die zweite Berührungselektroden-Schicht 42 kann auf der zweiten Pufferschicht 31 gebildet sein, die Berührung-isolierende Schicht 43 kann auf der zweiten Berührungselektroden-Schicht 42 gebildet sein, und die erste Berührungselektroden-Schicht 41 kann auf der Berührung-isolierenden Schicht 43 gebildet sein.
Eine Farbfilterschicht kann auf der Berührungsermittlungsschicht 40 gebildet sein. Die Farbfilterschicht kann Farbfilter, die derart angeordnet sind, dass sie die Subpixel SP überlappen, und eine Schwarzmatrix, die derart angeordnet ist, dass sie den Damm 270 überlappt, aufweisen. Wenn die lichtemittierende Schicht 262 organische lichtemittierende Schichten zum Emittieren von rotem Licht, grünem Licht und blauem Licht aufweist, kann die Farbfilterschicht weggelassen werden.
Eine Adhäsionsschicht 50 ist auf der Berührungsermittlungsschicht 40 gebildet. Die Adhäsionsschicht 50 befestigt das erste Substrat 111 und das zweite Substrat 112 aneinander, die mit dem Dünnschichttransistor 10, der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 20, der Verkapselungsschicht 30 und der Berührungsermittlungsschicht 40 bereitgestellt sind. Die Adhäsionsschicht 50 kann ein optisch klares Harz (OCR) oder eine optisch klare Adhäsionsschicht (OCA) sein.
Das zweite Substrat 112 dient als ein Abdecksubstrat oder AbdeckFenster zum Abdecken des ersten Substrats 110. Das zweite Substrat 112 kann ein Plastikfilm, ein Glassubstrat oder ein Verkapselungsfilm (Schutzfilm) sein.
In der Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die ersten Brückenelektroden 293 und die zweiten strukturierten Berührungselektroden 299 derart gebildet, dass sie strukturiert sind. Die erste Brückenelektrode 293 zum Verbinden der ersten strukturierten Berührungselektroden 291 miteinander kann als eine Struktur gebildet sein. Die zweite strukturierte Berührungselektrode 299 zum Verbinden der zweiten Brückenelektrode 292 miteinander kann als eine Struktur gebildet sein. Die erste Brückenelektrode 293, die mit einer ersten strukturierten Berührungselektrode 291 verbunden ist, kann in einer Mehrzahl von Strukturen gebildet sein. Die zweite strukturierte Berührungselektrode 299, die mit einer zweiten Brückenelektrode 292 verbunden ist, kann aus einer Mehrzahl von Strukturen gebildet sein. 7 stellt dar, dass die erste strukturierte Berührungselektrode 291 aus zwei Strukturen gebildet ist, und die erste Brückenelektrode 293 zum Verbinden der ersten strukturierten Berührungselektroden 291 miteinander ist aus einer Struktur hergestellt. Ebenso stellt Abbildung 7 dar, dass die zweite strukturierte Berührungselektrode 299, die mit der einen zweiten Brückenelektrode 292 verbunden ist, aus zwei Strukturen gebildet ist.
Deshalb ist die erste strukturierte Berührungselektrode 291 in zwei Strukturen gebildet, und die erste Brückenelektrode 293 zum Verbinden der ersten strukturierten Berührungselektroden 291 miteinander ist aus einer Struktur gebildet, wodurch eine Tx-Elektrode gebildet ist. Ebenso sind die zweiten strukturierten Berührungselektroden 299, die mit der einen zweiten Brückenelektrode 292 verbunden sind, aus zwei Strukturen gebildet, wodurch eine Rx-Elektrode gebildet ist.
Da die Tx-Elektrode die erste Brückenelektrode 293 und die erste strukturierte Berührungselektrode 291 aufweist und die Rx-Elektrode die zweite strukturierte Berührungselektrode 299 und die zweite Brückenelektrode 292 aufweist, sind die Tx-Elektrode und die Rx-Elektrode in einer Abscheidungsstruktur von zwei Schichten angeordnet. Die erste Brückenelektrode 293 und die erste strukturierte Berührungselektrode 291 oder die zweiten strukturierten Berührungselektroden 299 und die zweite Brückenelektrode 292 sind jeweils durch eine Mehrzahl von Kontaktlöchern CT1 bis CT4 hindurch miteinander verbunden
Die erste strukturierte Berührungselektrode 291 und die zweite Brückenelektrode 292 sind derart angeordnet, dass sie in einem Abstand voneinander angeordnet sind. Die erste strukturierte Berührungselektrode 291, die die Tx-Elektrode bildet, und die zweite Brückenelektrode 292, die die Rx-Elektrode bildet, sind auf der gleichen Schicht angeordnet. Wenn die erste strukturierte Berührungselektrode 291 und die zweite Brückenelektrode 292, die auf der gleichen Schicht angeordnet sind, zueinander benachbart sind, kann eine Signalstörung zwischen der Tx-Elektrode und der Rx-Elektrode erzeugt werden, und zwischen der Tx-Elektrode und der Rx-Elektrode kann eine parasitäre Kapazität erzeugt werden. Deshalb können, wenn die erste strukturierte Berührungselektrode 291 und die zweite Brückenelektrode 292 in einem Abstand voneinander angeordnet sind, Signalstörung und parasitäre Kapazität verhindert werden.
Die erste Brückenelektrode 293, die mit der ersten strukturierten Berührungselektrode 291 verbunden ist, und die zweite strukturierte Berührungselektrode 299, die mit der zweiten Brückenelektrode 292 verbunden ist, sind derart angeordnet, dass sie in einem Abstand voneinander angeordnet sind. Die erste Brückenelektrode 293, die die Tx-Elektrode bildet, und die zweite strukturierte Berührungselektrode 299, die die Rx-Elektrode bildet, sind auf der gleichen Schicht angeordnet. Deshalb sind die erste Brückenelektrode 293, die mit der ersten strukturierten Berührungselektrode 291 verbunden ist, und die zweite strukturierte Berührungselektrode 299, die mit der zweiten Brückenelektrode 292 verbunden ist, auf der gleichen Schicht angeordnet. Wenn die erste Brückenelektrode 293, die mit der ersten strukturierten Berührungselektrode 291 verbunden ist, und die zweite strukturierte Berührungselektrode 299, die mit der zweiten Brückenelektrode 292 verbunden ist, die auf der gleichen Schicht angeordnet sind, benachbart zueinander sind, kann eine Signalstörung zwischen der Tx-Elektrode und der Rx-Elektrode erzeugt werden, und eine parasitäre Kapazität kann zwischen der Tx-Elektrode und der Rx-Elektrode erzeugt werden. Deshalb sind die erste Brückenelektrode 293, die die Tx-Elektrode bildet, und die zweite strukturierte Berührungselektrode 299, die die Rx-Elektrode bildet, in einem Abstand voneinander angeordnet, wodurch Signalstörung und parasitäre Kapazität verhindert werden können.
Wie oben beschrieben, stellt 7 dar, dass die erste strukturierte Berührungselektrode 291 aus zwei Strukturen gebildet ist und die erste Brückenelektrode 293 zum Verbinden der ersten strukturierten Berührungselektroden 291 miteinander aus einer Struktur gebildet ist. Ebenso stellt 7 dar, dass die zweite strukturierte Berührungselektrode 299, die mit der einen zweiten Brückenelektrode 292 verbunden ist, aus zwei Strukturen gebildet ist.
In diesem Falle ist der Abstand zwischen der ersten strukturierten Berührungselektrode 291, die Tx-Elektrode bildet, und der zweiten strukturierten Berührungselektrode 299, die die Rx-Elektrode bildet, kürzer als der Abstand zwischen der ersten strukturierten Berührungselektrode 291, die die Tx-Elektrode bildet, und der zweiten Brückenelektrode 292, die die Rx-Elektrode bildet.
Die erste strukturierte Berührungselektrode 291 ist auf der gleichen Schicht wie die der zweiten Brückenelektrode 292 gebildet, während die erste strukturierte Berührungselektrode 291 auf einer Schicht gebildet ist, die verschieden ist von der der zweiten strukturierten Berührungselektrode 299. Deshalb ist sie, wenn der Abstand zwischen der ersten strukturierten Berührungselektrode 291 und der zweiten Brückenelektrode 292 klein ist, mittels Signalstörung und parasitärer Kapazität mehr betroffen. Wenn der Abstand zwischen der ersten strukturierten Berührungselektrode 291 und der zweiten strukturierten Berührungselektrode 299, die auf ihren jeweiligen, voneinander verschiedenen Schichten gebildet sind, relativ klein wird, kann dieser Fall eine Signalstörung oder parasitäre Kapazität im Vergleich zu dem Fall, dass die erste strukturierte Berührungselektrode 291 und die zweite Brückenelektrode 292 auf einer einzelnen Schicht gebildet sind, absenken. In diesem Falle kann die erste strukturierte Berührungselektrode 291 die zweite strukturierte Berührungselektrode 299 überlappen, wie in 7 dargestellt, oder die erste strukturierte Berührungselektrode 291 und die zweite strukturierte Berührungselektrode 299 können eine Lücke (A) aufweisen, wie in 5 dargestellt.
8 zeigt ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, und 9 bis 12 zeigen Querschnittansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen. Es ist zu bemerken, dass die Querschnittansichten von II-II' der 5, die in 7 dargestellt sind, in 9 bis 12 dargestellt sind.
Im Folgenden wird ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 8 bis 12 im Detail beschrieben werden.
Als Erstes werden, wie in 9 dargestellt, die Dünnschichttransistor-Schicht 10, die Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 20 und die Verkapselungsschicht 30 auf dem ersten Substrat 111 gebildet (S201).
Genauer gesagt kann die erste Pufferschicht auf dem ersten Substrat 111 aus Wasser, das durch das Substrat 100 eingedrungen ist, bevor der Dünnschichttransistor gebildet ist, gebildet werden. Die erste Pufferschicht ist dazu eingerichtet, den Dünnschichttransistor 210 und die organische lichtemittierende Vorrichtung 260 vor Wasser, das durch das erste Substrat 111, das empfindlich gegenüber Feuchtigkeitsdurchlässigkeit ist, hindurch eindringt, zu schützen und kann aus einer Mehrzahl von anorganischen Schichten, die abwechselnd abgeschieden werden, gebildet werden. Beispielsweise kann die erste Pufferschicht aus einer mehrlagigen Schicht von einer oder mehreren anorganischen Schichten einer Siliziumoxidschicht (SiOx), einer Siliziumnitridschicht (SiNx) und SiON, die abwechselnd abgeschieden werden, gebildet werden. Die erste Pufferschicht kann unter Verwendung eines CVD (Chemische Gasphasenabscheidung)-Verfahrens gebildet werden.
Danach wird die erste aktive Schicht 211 des Dünnschichttransistors auf der ersten Pufferschicht gebildet. Insbesondere wird eine aktive Metallschicht auf der gesamten Oberfläche der ersten Pufferschicht unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens oder eines MOVCD (Metallorganische Chemische Gasphasenabscheidung)-Verfahrens gebildet werden. Dann wird die aktive Metallschicht mittels eines Maskenprozesses unter Verwendung einer Fotolackstruktur zum Bilden der aktiven Schicht 211 strukturiert. Die aktive Schicht 211 kann aus einem Halbleitermaterial auf Siliziumbasis oder einem Halbleitermaterial auf Oxidbasis gebildet werden.
Dann wird die Gate-isolierende Schicht 220 auf der aktiven Schicht 211 gebildet. Die Gate-isolierende Schicht 220 kann aus einer anorganischen Schicht, beispielsweise einer Siliziumoxidschicht (SiOx), einer Siliziumnitridschicht (SiNx) oder einer mehrlagigen Schicht aus der Siliziumoxidschicht und der Siliziumnitridschicht gebildet werden.
Dann wird die Gate-Elektrode 212 des Dünnschichttransistors 210 auf der Gate-isolierenden Schicht 220 gebildet. Insbesondere wird eine erste Metallschicht auf der gesamten Oberfläche der Gate-isolierenden Schicht 220 unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens oder eines MOVCD (Metallorganische Chemische Gasphasenabscheidung)-Verfahrens gebildet. Dann wird die erste Metallschicht mittels eines Maskenprozesses unter Verwendung einer Fotolackstruktur zum Bilden der Gate-Elektrode 212 strukturiert. Die Gate-Elektrode 212 kann aus einer einzelnen Schicht oder mehrlagig gebildet werden und weist eines von Mo, AI, Cr, Au, Ti, Ni, Nd und Cu oder ihre Legierung auf.
Dann wird die Zwischenschicht-dielektrische Schicht 230 auf der Gate-Elektrode 212 gebildet. Die Zwischenschicht-dielektrische Schicht 230 kann aus einer anorganischen Schicht, beispielsweise einer Siliziumoxidschicht (SiOx), einer Siliziumnitridschicht (SiNx) oder einer mehrlagigen Schicht aus der Siliziumoxidschicht und der Siliziumnitridschicht gebildet werden.
Dann werden Kontaktlöcher zum Freilegen der aktiven Schicht 211 mittels Durchstoßens durch die Gate-isolierenden Schicht 220 und die Zwischenschicht-dielektrische Schicht 230 gebildet.
Dann werden die Source-Elektrode 215 und die Drain-Elektrode 214 des Dünnschichttransistors 210 auf der Zwischenschicht-dielektrischen Schicht 230 gebildet. Insbesondere wird eine zweite Metallschicht auf der gesamten Oberfläche der Zwischenschicht-dielektrischen Schicht 230 unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens oder eines MOVCD (Metallorganische Chemische Gasphasenabscheidung)-Verfahrens gebildet. Dann wird die zweite Metallschicht mittels eines Maskenprozesses unter Verwendung einer Fotolackstruktur zum Ausbilden der Source-Elektrode 215 und der Drain-Elektrode 214 strukturiert. Sowohl die Source-Elektrode 215 als auch die Drain-Elektrode 214 können durch Kontaktlöcher, die durch die Gate-isolierende Schicht 220 und die Zwischenschicht-dielektrische Schicht 230 hindurchführen, mit der aktiven Schicht 211 verbunden sein. Die Source-Elektrode 215 und die Drain-Elektrode 214 können aus einer einzelnen Schicht oder mehrlagig gebildet sein und eines von Mo, AI, Cr, Au, Ti, Ni, Nd und Cu oder ihre Legierung aufweisen.
Dann wird die Passivierungsschicht 240 auf der Source-Elektrode 215 und der Drain-Elektrode 214 des Dünnschichttransistors 210 gebildet. Die Passivierungsschicht 240 kann aus einer anorganischen Schicht, beispielsweise einer Siliziumoxidschicht (SiOx), einer Siliziumnitridschicht (SiNx) oder einer mehrlagigen Schicht aus der Siliziumoxidschicht und der Siliziumnitridschicht gebildet werden. Die Passivierungsschicht 240 kann unter Verwendung eines CVD-Verfahrens gebildet werden.
Dann wird die Planarisierungsschicht zum Einebnen eines Stufenunterschiedes aufgrund des Dünnschichttransistors 210 auf der Passivierungsschicht 240 gebildet. Die Planarisierungsschicht 250 kann aus einer organischen Schicht, wie beispielsweise einem Acrylharz, Epoxyharz, Phenolharz, Polyamidharz und Polyimidharz gebildet werden.
Dann wird die erste Elektrode 261 der Organische-lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht 260 auf der Planarisierungsschicht 250 gebildet. Genauer gesagt wird eine dritte Metallschicht auf der gesamten Oberfläche der Planarisierungsschicht 250 unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens oder eines MOVCD (Metallorganische Chemische Gasphasenabscheidung)-Verfahrens gebildet. Dann wird die dritte Metallschicht mittels eines Maskenprozesses unter Verwendung einer Fotolackstruktur zum Bilden der ersten Elektrode 261 strukturiert. Die erste Elektrode 261 kann mit der Source-Elektrode 223 des Dünnschichttransistors 220 durch ein Kontaktloch, das durch die Passivierungsschicht 240 und die Planarisierungsschicht 250 hindurchführt, hindurch verbunden sein. Die erste Elektrode 261 kann aus einem leitfähigen Material mit hohem Reflexionsvermögen, wie beispielsweise einer Abscheidungsstruktur (Ti/Al/Ti) aus Al und Ti, einer Abscheidungsstruktur (ITO/Al/ITO) aus Al und ITO, einer APC-Legierung oder einer Abscheidungsstruktur (ITO/APC/ITO) einer APC-Legierung und ITO gebildet werden.
Dann wird der Damm 270 auf der Planarisierungsschicht 250 derart gebildet, dass er eine Kante der ersten Elektrode 261 überdeckt, um die Sub-Pixel SP zu unterteilen. Der Damm 270 kann aus einer organischen Schicht, wie beispielsweise einem Acrylharz, Epoxyharz, Phenolharz, Polyamidharz und Polyimidharz gebildet werden.
Dann wird die lichtemittierende Schicht 262 auf der ersten Elektrode 261 und dem Damm 270 gebildet. Die lichtemittierende Schicht 262 kann eine organische lichtemittierende Schicht sein. In diesem Falle wird die organische lichtemittierende Schicht 262 auf der ersten Elektrode 261 und dem Damm 270 mittels eines Abscheidungsprozesses oder eines Lösungsprozesses gebildet. Die organische lichtemittierende Schicht 262 kann eine gemeinsame Schicht, die gemeinsam für Pixel P1, P2 und P3 gebildet wird, sein. In diesem Falle kann die organische lichtemittierende Schicht 262 aus einer weißen lichtemittierenden Schicht zum Emittieren von weißem Licht gebildet werden.
Wenn die organische lichtemittierende Schicht 262 eine weiße lichtemittierende Schicht ist, kann die organische lichtemittierende Schicht 262 in einer Tandem-Struktur von zwei oder mehr Stapeln gebildet werden. Jeder der Stapel kann eine Löchertransportschicht, mindestens eine lichtemittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht aufweisen.
Ebenso kann eine Ladungserzeugungsschicht zwischen den Stapeln gebildet werden. Die Ladungserzeugungsschicht kann eine Ladungserzeugungsschicht des n-Typs, die derart angeordnet ist, dass sie an den unteren Stapel angrenzt, und eine Ladungserzeugungsschicht des p-Typs, die auf der Ladungserzeugungsschicht des n-Typs gebildet ist und derart angeordnet ist, dass sie an den oberen Stapel angrenzt, aufweisen. Die Ladungserzeugungsschicht des n-Typs injiziert Elektronen in den unteren Stapel, und die Ladungserzeugungsschicht des p-Typs injiziert Löcher in den oberen Stapel. Die Ladungserzeugungsschicht des n-Typs kann eine organische Schicht aus einem organischen Wirtsmaterial, das mit einem Alkalimetall, wie beispielsweise Li, Na, K oder Cs, oder einem Erdalkalimetall, wie beispielsweise Mg, Sr, Ba oder Ra, dotiert sein, wobei das organische Wirtsmaterial Elektronentransporteigenschaften aufweist. Die Ladungserzeugungsschicht des p-Typs kann eine organische Schicht aus einem organischen Wirtsmaterial, das mit einer Dotiersubstanz dotiert ist, sein, wobei das organische Wirtsmaterial Löchertransporteigenschaften aufweist.
Danach wird die zweite Elektrode 263 auf der lichtemittierenden Schicht 262 gebildet. Die zweite Elektrode 263 kann eine gemeinsame Schicht sein, die gemeinsam für die Sub-Pixel SP gebildet wird. Die zweite Elektrode 263 kann aus einem lichtdurchlässigen leitfähigen Material (TCO), wie beispielsweise ITO und IZO, das Licht hindurchtreten lässt, gebildet werden. Die zweite Elektrode 263 kann mittels physikalischer Gasphasenabscheidung, wie beispielsweise einem Sputter-Verfahren, gebildet werden. Eine Deckschicht kann auf der zweiten Elektrode 263 gebildet werden.
Danach wird der Verkapselungsfilm 280 auf der zweiten Elektrode 263 gebildet. Der Verkapselungsfilm 280 dient dazu zu verhindern, dass Sauerstoff oder Wasser in die lichtemittierende Schicht 262 und die zweite Elektrode 263 eindringen. Zu diesem Zweck kann der Verkapselungsfilm 280 mindestens eine anorganische Schicht 281 und 283 aufweisen. Mindestens eine anorganische Schicht 281 und 283 kann aus einem Siliziumnitrid, einem Aluminiumnitrid, einem Zirkoniumnitrid, einem Titannitrid, einem Hafniumnitrid, einem Tantalnitrid, Siliziumoxid, einem Aluminiumoxid oder einem Titanoxid gebildet werden.
Ebenso kann der Verkapselungsfilm 280 des Weiteren mindestens eine organische Schicht 282 aufweisen. Die organische Schicht 282 kann in einer ausreichenden Dicke gebildet werden zum Verhindern, dass Partikel mittels Hindurchtretens durch den Verkapselungsfilm 280 in die organische lichtemittierende Schicht 262 und die zweite Elektrode 263 eindringen.
Dabei kann der Vorgang des Bildens der mindestens einen anorganischen Schicht 281 und 283 und der organischen Schicht 282 auf der Verkapselungsschicht mittels eines Niedertemperaturvorgangs von 100°C oder weniger durchgeführt werden zum Verhindern, dass die lichtemittierende Schicht 262, die bereits gebildet ist, mittels einer hohen Temperatur beschädigt wird.
Zweitens, wie in 10 dargestellt, wird eine zweite Pufferschicht 31 auf der Verkapselungsschicht 30 gebildet. Eine erste Berührungselektroden-Schicht 41, die die ersten Brückenelektroden 293 und die zweiten strukturierten Berührungselektroden 299 aufweist, wird auf der zweiten Pufferschicht 31 strukturiert (S102 der 8).
Genauer gesagt wird die zweite Pufferschicht 31 derart gebildet, dass sie den Verkapselungsfilm 280 und das erste Berührung-Pad TP und das zweite Berührung-Pad RP überdeckt. Die zweite Pufferschicht 31 kann aus einer anorganischen Schicht oder einer organischen Schicht gebildet werden. Wenn die zweite Pufferschicht 31 aus einer anorganischen Schicht gebildet wird, kann die zweite Pufferschicht 31 aus einer Siliziumoxidschicht (SiOx), einer Siliziumnitridschicht (SiNx) oder einer mehrlagigen Schicht aus der Siliziumoxidschicht und der Siliziumnitridschicht gebildet werden. Wenn die zweite Pufferschicht 31 aus einer organischen Schicht gebildet wird, kann die zweite Pufferschicht 31 aus Plasma bestehen, das derart behandelt wird, dass eine raue Oberfläche gebildet wird. In diesem Falle kann, da ein Bereich der zweiten Pufferschicht 31, der die ersten Brückenelektroden 293 und die zweiten Berührungselektroden 299 der ersten Berührungselektroden-Schicht 41 berührt, vergrößert sein kann, die Oberflächenadhäsion zwischen der zweiten Pufferschicht 31 und den ersten Brückenelektroden 293 und den zweiten Berührungselektroden 299 der ersten Berührungselektroden-Schicht 41 verstärkt sein. Dabei kann der Vorgang des Bildens der Pufferschicht 31 mittels eines Niedertemperaturvorgangs von 100°C oder weniger durchgeführt werden, zum Verhindern, dass die lichtemittierende Schicht 262, die bereits gebildet ist, mittels einer hohen Temperatur beschädigt wird.
Danach wird die erste Berührungselektroden-Schicht 41 auf der gesamten Oberfläche der zweiten Pufferschicht 31 unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens oder eines MOCVD (Metallorganische Chemische Gasphasenabscheidung)-Verfahrens gebildet werden. Dann wird die erste Berührungselektroden-Schicht 41 mittels eines Maskenprozesses unter Verwendung einer Fotolackstruktur zum Bilden der ersten Brückenelektroden 293 und der zweiten strukturierten Berührungselektroden 299 strukturiert. Die ersten Brückenelektroden 293 und die zweiten Berührungselektroden 299 können aus einer mehrlagigen Struktur, die eine Mehrzahl von Elektroden aufweist, beispielsweise eine 3-lagige Struktur aus Ti/Al/Ti, gebildet werden.
Eine der Strukturen der ersten Brückenelektroden 293 und der zweiten strukturierten Berührungselektroden 299, die die erste Berührungselektroden-Schicht 41 bilden, können die Tx-Elektrode oder die Rx-Elektrode bilden. Alternativ dazu können die Strukturen der Mehrzahl von ersten Brückenelektroden 293 und der zweiten Berührungselektroden 299, die die erste Berührungselektroden-Schicht 41 bilden, zum Bilden einer Tx-Elektrode oder einer Rx-Elektrode miteinander verbunden sein.
Wenn die erste Berührungselektroden-Schicht 41 zum Bilden der ersten Brückenelektrode 293 und der zweiten Berührungselektrode 299 strukturiert wird, können die erste Brückenelektrode 293, die die Tx-Elektrode bildet, und die zweite strukturierte Berührungselektrode 299, die die Rx-Elektrode bildet, derart strukturiert werden, dass sie in einem Abstand voneinander angeordnet sind.
Drittens, wie in 11 dargestellt, werden die Berührung-isolierende Schicht 43, die eine Berührung-anorganische Schicht 294 und eine Berührung-organische Schicht 295 aufweist, auf der erste Berührungselektroden-Schicht 41 gebildet (S103 der 8).
Genauer gesagt wird die Berührung-anorganische Schicht 294 auf der ersten Berührungselektroden-Schicht 41 gebildet. Die Berührung-anorganische Schicht 294 kann aus einer Siliziumoxidschicht (SiOx), einer Siliziumnitridschicht (SiNx) oder einer mehrlagigen Schicht aus der Siliziumoxidschicht und der Siliziumnitridschicht gebildet werden.
Dann wird die Berührung-organische Schicht 295 auf der Berührung-anorganischen Schicht 294 gebildet.
Die organische Schicht 282 des Verkapselungsfilms 280 ist eine Partikel-Abdeckschicht zum Verhindern, dass Partikel mittels Hindurchtretens durch den Verkapselungsfilm 280 hindurch in die lichtemittierende Schicht 262 und die zweite Elektrode 263 eindringen, während die Berührung-organische Schicht 295 eine Schicht ist zum Anordnen der ersten Berührungselektroden-Schicht 41 und der zweiten Berührungselektroden-Schicht 42 in einem vorher festgelegten Abstand entfernt voneinander ist. Deshalb kann die Berührung-organische Schicht 295 in einer Dicke ausgebildet werden, die dünner ist als die der organischen Schicht 282 des Verkapselungsfilms 280. Beispielsweise kann die Berührung-organische Schicht 295 in einer Dicke von etwa 2 µm gebildet werden.
Da in der organischen Schicht 282 des Verkapselungsfilms 280 keine Kontaktlöcher gebildet werden, ist es nicht notwendig, dass die organische Schicht 282 des Verkapselungsfilms 280 ein Fotolackmaterial aufweist. Im Gegensatz dazu kann die Berührung-organische Schicht 295 ein Fotolackmaterial aufweisen, da in der Berührung-organischen Schicht 295 Kontaktlöcher gebildet werden. Beispielsweise kann die Berührung-organische Schicht 295 aus einem Fotoacrylat, das ein Fotolackmaterial aufweist, gebildet werden.
Dabei können der Vorgang des Bildens der Berührung-anorganischen Schicht 294 und der Berührung-organischen Schicht 295 bei einem Niedertemperaturvorgang von 100°C oder weniger durchgeführt werden zum Verhindern, dass die lichtemittierende Schicht 262, die bereits gebildet ist, mittels einer hohen Temperatur beschädigt wird.
Viertens, wie in 12 dargestellt, werden eine Mehrzahl von Kontaktlöchern CT1 bis CT4, die durch die Berührung-isolierende Schicht 43 hindurchführen, gebildet, und die zweite Berührungselektroden-Schicht 42, die ersten strukturierte Berührungselektroden 291 und zweite Brückenelektroden 292 aufweist, wird auf der Berührung-isolierenden Schicht 43 gebildet (S104 der 8).
Wenn die Mehrzahl von Kontaktlöchern CT1 bis CT4 gebildet werden, werden erste Verbindungen gebildet, was erstes Kontaktloch CT1 bis viertes Kontaktloch CT4 zum Freilegen der ersten Brückenelektroden 293 und der zweiten Berührungselektroden 299 mittels Durchstoßens durch die Berührung-anorganische Schicht 294 und die Berührung-organische Schicht 295 hindurch, die die Berührung-isolierende Schicht 43 bilden, aufweist. Gleichzeitig werden zweite Verbindungen CNT2 zum Freilegen des ersten Berührung-Pads TP mittels Durchstoßens durch die Passivierungsschicht 240 und die Pufferschicht 31 gebildet, und dritte Verbindungen CNT3 werden zum Freilegen des zweiten Berührung-Pads RP mittels Durchstoßens durch die Passivierungs-Schicht 240 und die Pufferschicht 31 hindurch gebildet.
Wenn die zweite Berührungselektroden-Schicht 42 gebildet wird, werden die ersten strukturierten Berührungselektroden 291 und die zweiten Brückenelektroden 292 auf der gesamten Oberfläche der Berührung-isolierenden Schicht 43 unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens oder eines MOCVD-Verfahrens gebildet. Jede der ersten strukturierten Berührungselektroden 291 kann mit der ersten Brückenelektrode 293 durch die erste Verbindung, die durch die Berührung-anorganische Schicht 294 und den Berührung-organische Schicht 295 hindurchführt, verbunden werden. Die ersten strukturierten Berührungselektroden 291 und die zweiten Brückenelektroden 292 können in einer mehrlagigen Struktur, die eine Mehrzahl von Elektroden aufweist, beispielsweise eine dreilagige Struktur aus Ti/Al/Ti, gebildet werden.
Die erste Berührungsleitung TL kann sich von der ersten strukturierten Berührungselektrode 291 aus erstrecken, und die zweite Berührungsleitung RL kann sich von der zweiten Brückenelektrode 292 aus erstrecken. Die erste Berührungsleitung TL kann mit dem ersten Berührungs-Pad TP durch die zweite Verbindung CNT2, die durch die Passivierungsschicht 240 und die Pufferschicht 31 hindurchführt, hindurch verbunden werden. Die zweite Berührungsleitung RL kann mit dem zweiten Berührungs-Pad RP durch die dritte Verbindung CNT3, die durch die Passivierungsschicht 240 und die Pufferschicht 31 hindurchführt, hindurch verbunden werden.
Die ersten strukturierten Berührungselektroden 291, die zweiten Brückenelektroden 292, die ersten Berührungsleitungen TL und die zweiten Berührungsleitungen RL können aus einer einzelnen Schicht oder mehrlagig gebildet werden und eines von Mo, AI, Cr, Au, Ti, Ni, Nd und Cu oder ihrer Legierung aufweisen.
Die ersten strukturierten Berührungselektroden 291 werden mit den ersten Brückenelektroden 293 durch das erste Kontaktloch CT1 und das zweite Kontaktloch CT2 hindurch verbunden. Die ersten strukturierten Berührungselektroden 291 werden mit den ersten Brückenelektroden 293 zum Ausbilden einer Tx-Elektrode verbunden. Die zweiten Brückenelektroden 292 werden mit den zweiten strukturierten Berührungselektroden 299 durch das dritte Kontaktloch CT3 und das vierte Kontaktloch CT4 hindurch verbunden. Die zweiten Brückenelektroden 292 werden mit den zweiten strukturierten Berührungselektroden 299 zum Ausbilden einer Rx-Elektrode verbunden.
Die erste strukturierte Berührungselektrode 291 und die zweite Brückenelektrode 292 werden derart angeordnet, dass sie in einem Abstand voneinander angeordnet sind. Die erste strukturierte Berührungselektrode 291, die die Tx-Elektrode bildet, und die zweite Brückenelektrode 292, die die Rx-Elektrode bildet, werden auf der gleichen Schicht angeordnet. Wenn die erste strukturierte Berührungselektrode 291 und die zweite Brückenelektrode 292, die auf der gleichen Schicht angeordnet sind, zueinander benachbart sind, kann eine Signalstörung zwischen der Tx-Elektrode und der Rx-Elektrode erzeugt werden, und eine parasitäre Kapazität zwischen der Tx-Elektrode und der Rx-Elektrode kann erzeugt werden. Deshalb können, wenn die erste strukturierte Berührungselektrode 291 und die zweite Brückenelektrode 292 entfernt voneinander angeordnet werden, Signalstörung und parasitäre Kapazität verhindert werden.
Die erste Brückenelektrode 293, die mit der ersten strukturierten Berührungselektrode 291 verbunden ist, und die zweite strukturierte Berührungselektrode 293, die mit der zweiten Brückenelektrode 292 verbunden ist, werden derart angeordnet, dass sie in einem Abstand voneinander angeordnet sind. Die erste Brückenelektrode 293, die die Tx-Elektrode bildet, und die zweite strukturierte Berührungselektrode 299, die die Rx-Elektrode bildet, werden auf der gleichen Schicht angeordnet. Deshalb werden die erste Brückenelektrode 293, die mit der ersten strukturierten Berührungselektrode 291 verbunden ist, und die zweite strukturierte Berührungselektrode 299, die mit der zweiten Brückenelektrode 292 verbunden ist, auf der gleichen Schicht angeordnet. Wenn die erste Brückenelektrode 293, die mit der ersten strukturierten Berührungselektrode 291 verbunden wird, und die zweite Berührungselektrode 299, die mit der zweiten Brückenelektrode 292 verbunden wird, die auf der gleichen Schicht angeordnet sind, benachbart zueinander sind, kann eine Signalstörung zwischen der Tx-Elektrode und der Rx-Elektrode erzeugt werden, und eine parasitäre Kapazität kann zwischen der Tx-Elektrode und der Rx-Elektrode erzeugt werden. Deshalb werden die erste Brückenelektrode 293, die die Tx-Elektrode bildet, und die zweite strukturierte Berührungselektrode 299, die die Rx-Elektrode bildet, in einem Abstand voneinander angeordnet, wodurch eine Signalstörung und eine parasitäre Kapazität verhindert werden können.
12 stellt dar, dass die erste strukturierte Berührungselektrode 291 aus zwei Strukturen gebildet wird, und die erste Brückenelektrode 293 zum miteinander Verbinden der ersten strukturierten Berührungselektroden 291 wird aus einer Struktur gebildet. Ebenso stellt 12 dar, dass die zweite strukturierte Berührungselektrode 299, die mit einer zweiten Brückenelektrode 292 verbunden wird, aus zwei Strukturen gebildet wird.
Die erste strukturierte Berührungselektrode 291 wird auf der gleichen Schicht gebildet wie die der zweiten Brückenelektrode 292, während die erste strukturierte Berührungselektrode 291 auf einer Schicht gebildet wird, die verschieden ist von der der zweiten strukturierten Berührungselektrode 299. Deshalb ist sie, wenn der Abstand zwischen der ersten strukturierten Berührungselektrode 291 und der zweiten Brückenelektrode 292 gering ist, mittels einer Signalstörung und einer parasitären Kapazität mehr beeinflusst. Wenn der Abstand zwischen der ersten strukturierten Berührungselektrode 291 und der zweiten strukturierten Berührungselektrode 299, die auf ihren jeweiligen, voneinander verschiedenen Schichten gebildet werden, relativ klein ist, wird, kann in diesem Falle eine Signalstörung oder parasitäre Kapazität reduziert sein im Vergleich zu dem Fall, wenn die erste strukturierte Berührungselektrode 291 und die zweiten Brückenelektrode 292 auf einer einzelnen Schicht gebildet werden.
Eine Abdeckschicht 296 zum Einebnen eines Stufenunterschiedes, der mittels der ersten strukturierten Berührungselektroden 291, der zweiten Brückenelektroden 292, der ersten Brückenelektroden 293 und der zweiten strukturierten Berührungselektroden 299 verursacht wird, kann auf den ersten strukturierten Berührungselektroden 291 und den zweiten Brückenelektroden 292 gebildet werden.
Wie oben beschrieben, weisen die Anzeigevorrichtung mit einem integrierten Berührungsbildschirm und das Verfahren zum Herstellen derselben gemäß der vorliegenden Erfindung folgende Vorteile auf.
Ein Auftreten eines Kurzschlusses zwischen den ersten strukturierten Berührungselektroden und den zweiten Brückenelektroden kann verhindert werden.
In der vorliegenden Erfindung wird zum Verhindern, dass ein Kurzschluss zwischen den ersten strukturierten Berührungselektroden und den zweiten Brückenelektroden auftritt, die Tx-Elektrode unter Verwendung der ersten Brückenelektrode, die die erste Berührungselektroden-Schicht ist, und der ersten strukturierten Berührungselektroden, die die zweite Berührungselektroden-Schicht sind, gebildet, und die Rx-Elektrode wird unter Verwendung der zweiten strukturierten Berührungselektroden, die die erste Berührungselektroden-Schicht sind, und den zweiten Brückenelektroden, die die zweite Berührungselektroden-Schichten sind, gebildet. Das bedeutet, da die Tx-Elektrode und die Rx-Elektrode unter Verwendung einer zweilagigen Struktur gebildet werden, dass der Abstand zwischen der Tx-Elektrode und der Rx-Elektrode basierend auf der gleichen Schicht erhöht ist, wodurch das Auftreten eines Kurzschlusses reduziert ist.
Ebenso, da die untere Schicht der Strukturen, die der Tx-Elektrode und der Rx-Elektrode entsprechen, unter Verwendung der ersten Brückenelektrode und der zweiten strukturierten Berührungselektrode gebildet wird und das Kontaktloch zusätzlich in der Berührung-isolierenden Schicht bereitgestellt ist, ist es nicht notwendig, eine separate Schicht hinzuzufügen oder einen Vorgang oder eine Maske während des Herstellungsvorgangs hinzuzufügen.
Die folgende nicht-abschließende Liste von Ausführungsformen bildet Teil der Erfindung. Die folgenden Ausführungsformen können in jeder geeigneten Kombination kombiniert werden oder können mit irgendwelchen anderen Merkmalen, die in der Patentschrift detailliert beschrieben werden, kombiniert werden, wie dem Fachmann verständlich ist. In den Ausführungsformen unten ist darauf hinzuweisen, dass die zweite Berührungselektrode (unten) eine zweite Brückenelektrode (wie oben definiert) ist und die andere Struktur der Brückenelektrode (unten) eine zweite strukturierte Berührungselektrode (wie oben definiert) ist.
Ausführungsform 1. Eine Anzeigevorrichtung, aufweisend:

eine Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht, die eine erste Elektrode, die auf einem ersten Substrat angeordnet ist, eine lichtemittierende Schicht, die auf der ersten Elektrode angeordnet ist, und eine zweite Elektrode, die auf der lichtemittierenden Schicht angeordnet ist, aufweist; und
eine Berührungsermittlungsschicht, die auf der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht angeordnet ist,
wobei die Berührungsermittlungsschicht eine erste Berührungselektroden-Schicht und eine zweite Berührungselektroden-Schicht und eine Berührung-isolierende Schicht, die zwischen der ersten Berührungselektroden-Schicht und der zweiten Berührungselektroden-Schicht angeordnet ist, aufweist, und
die erste Berührungselektroden-Schicht strukturierte Brückenelektroden bildet, die zweite Berührungselektroden-Schicht erste Berührungselektroden und zweite Berührungselektroden bildet, die erste Berührungselektrode und eine Struktur der Brückenelektroden zum Ausbilden einer Tx-Elektrode miteinander verbunden sind und die zweite Berührungselektrode und die andere Struktur der Brückenelektroden zum Ausbilden einer Rx-Elektrode miteinander verbunden sind.
Ausführungsform 2. Die Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsform 1, wobei die erste Berührungselektrode und die zweite Berührungselektrode in einem Abstand voneinander angeordnet sind.
Ausführungsform 3. Die Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsform 1 oder 2, wobei eine Struktur der Brückenelektrode, die mit der ersten Berührungselektrode verbunden ist, und die andere Struktur der Brückenelektrode, die mit der zweiten Berührungselektrode verbunden ist, in einem Abstand voneinander angeordnet sind.
Ausführungsform 4. Die Anzeigevorrichtung gemäß einer der Ausführungsformen 1 bis 3, wobei, wenn die erste Berührungselektrode oder die zweite Berührungselektrode in einer Mehrzahl von Strukturen strukturiert ist, die Brückenelektrode, die mit der ersten Berührungselektrode oder der zweiten Berührungselektrode verbunden ist, eine Struktur ist.
Ausführungsform 5. Die Anzeigevorrichtung gemäß einer der Ausführungsformen 1 bis 3, wobei, wenn die erste Berührungselektrode oder die zweite Berührungselektrode eine Struktur ist, die Brückenelektrode, die mit der ersten Berührungselektrode oder der zweiten Berührungselektrode verbunden ist, in einer Mehrzahl von Strukturen strukturiert ist.
Ausführungsform 6. Die Anzeigevorrichtung gemäß einer der Ausführungsformen 1 bis 5, wobei ein Abstand zwischen der ersten Berührungselektrode, die die Tx-Elektrode bildet, und der Brückenelektrode, die die Rx-Elektrode bildet, kürzer ist als ein Abstand zwischen der ersten Berührungselektrode, die die Tx-Elektrode bildet, und der zweiten Berührungselektrode, die die Rx-Elektrode bildet.
Ausführungsform 7. Die Anzeigevorrichtung gemäß einer der Ausführungsformen 1 bis 6, ferner aufweisend eine erste Berührungsleitung, die sich von der ersten Berührungselektrode aus erstreckt, und eine zweite Berührungsleitung, die sich von der zweiten Berührungselektrode aus erstreckt, wobei die erste Berührungsleitung mit einem ersten Berührung-Pad durch eine zweite Verbindung hindurch, die auf dem ersten Substrat bereitgestellt ist, verbunden ist, und die zweite Berührungsleitung mit einem zweiten Berührung-Pad durch eine dritte Verbindung hindurch, die auf dem ersten Substrat bereitgestellt ist, hindurch verbunden ist.
Ausführungsform 8. Ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung, das Verfahren die Schritte aufweisend:
- Bilden einer Dünnschichttransistor-Schicht, einer Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht und einer Verkapselungsschicht auf einem ersten Substrat;
- Strukturieren einer ersten Berührungselektroden-Schicht, die Brückenelektroden aufweist, auf der Verkapselungsschicht;
- Bilden einer Berührung-isolierenden Schicht, die eine Berührung-anorganische Schicht und eine Berührung-organische Schicht aufweist, auf der ersten Berührungselektroden-Schicht; und
- Bereitstellen einer Mehrzahl von Kontaktlöchern in der Berührung-isolierenden Schicht und Bilden einer zweiten Berührungselektroden-Schicht, die erste Berührungselektroden und zweite Berührungselektroden aufweist.
- Ausführungsform 9. Das Verfahren gemäß Ausführungsform 8, wobei die erste Berührungselektrode und die zweite Berührungselektrode in einem Abstand voneinander angeordnet werden.
- Ausführungsform 10. Das Verfahren gemäß Ausführungsform 8 oder 9, wobei eine Struktur der Brückenelektrode, die mit der ersten Berührungselektrode verbunden ist, und die andere Struktur der Brückenelektrode, die mit der zweiten Berührungselektrode verbunden ist, in einem Abstand voneinander angeordnet sind.
- Ausführungsform 11. Das Verfahren gemäß einer der Ausführungsformen 8 bis 10, wobei, wenn die erste Berührungselektrode oder die zweite Berührungselektrode in einer Mehrzahl von Strukturen strukturiert ist, die Brückenelektrode, die mit der ersten Berührungselektrode oder der zweiten Berührungselektrode verbunden ist, eine Struktur ist.
- Ausführungsform 12. Das Verfahren gemäß einer der Ausführungsformen 8 bis 10, wobei, wenn die erste Berührungselektrode oder die zweite Berührungselektrode eine Struktur ist, die Brückenelektrode, die mit der ersten Berührungselektrode oder der zweiten Berührungselektrode verbunden ist, in einer Mehrzahl von Strukturen strukturiert ist.
- Ausführungsform 13. Das Verfahren gemäß Ausführungsform 1, wobei ein Abstand zwischen der ersten Berührungselektrode, die eine Tx-Elektrode bildet, und der Brückenelektrode, die eine Rx-Elektrode bildet, kürzer ist als ein Abstand zwischen der ersten Berührungselektrode, die die Tx-Elektrode bildet, und der zweiten Berührungselektrode, die die Rx-Elektrode bildet.

Es ist offensichtlich für den Fachmann, dass verschiedene Modifikationen und Variationen in der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können, ohne von dem Anwendungsbereich der Erfindungen abzuweichen. Folglich ist es beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung die Modifikationen und Variationen dieser Erfindung abdeckt, sofern sie sich innerhalb des Anwendungsbereiches der beigefügten Ansprüche befinden.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

KR 1020170142388 [0001]

Claims

Eine Anzeigevorrichtung, aufweisend: eine Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht (20), die eine erste Elektrode (261), die auf einem ersten Substrat angeordnet ist, eine lichtemittierende Schicht (262), die auf der ersten Elektrode (261) angeordnet ist, und eine zweite Elektrode (263), die auf der lichtemittierenden Schicht (262) angeordnet ist, aufweist; und eine Verkapselungsschicht (30) auf der Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht (20); eine Berührungsermittlungsschicht (40), die auf der Verkapselungsschicht (30) angeordnet ist, wobei die Berührungsermittlungsschicht (40) eine erste Berührungselektroden-Schicht (41) und eine zweite Berührungselektroden-Schicht (42) und eine Berührung-isolierende Schicht (43), die zwischen der ersten Berührungselektroden-Schicht (41) und der zweiten Berührungselektroden- Schicht (42) angeordnet ist, aufweist, wobei die erste Berührungselektroden-Schicht (41) eine erste Brückenelektrode (293) und eine zweite strukturierte Berührungselektrode (299) aufweist, und die zweite Berührungselektroden-Schicht (42) eine erste strukturierte Berührungselektrode (291) und eine zweite Brückenelektrode (292) aufweist, wobei die erste strukturierte Berührungselektrode (291) und die erste Brückenelektrode (293) zum Ausbilden einer Tx-Elektrode miteinander verbunden sind, und wobei die zweite strukturierte Berührungselektrode (299) und die zweite Brückenelektrode (292) zum Ausbilden einer Rx-Elektrode miteinander verbunden sind.
Die Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1, ferner aufweisend eine Berührung-Pufferschicht (31), die auf der Verkapselungsschicht (30) angeordnet ist.
Die Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 2, ferner aufweisend eine Berührung-isolierende Schicht (43), die auf der Berührung-Pufferschicht (31) angeordnet ist.
Die Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 3, wobei die Berührung-isolierende Schicht (43) eine Berührung-organische Schicht (295) und eine Berührung-anorganische Schicht (294) aufweist.
Die Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 3 oder 4, wobei die erste strukturierte Berührungselektrode (291) durch mindestens ein erstes Kontaktloch (CT1, CT2) hindurch mit der ersten Brückenelektrode (293) verbunden ist, wobei das mindestens eine Kontaktloch (CT1, CT2) durch die Berührung-isolierende Schicht (43) hindurchführt.
Die Anzeigevorrichtung gemäß einer der Ansprüche 3 bis 5, wobei die zweite strukturierte Berührungselektrode (299) durch mindestens ein zweites Kontaktloch (CT3, CT4) hindurch mit der zweiten Brückenelektrode (292) verbunden ist, wobei das mindestens eine zweite Kontaktloch (CT3, CT4) durch die Berührung-isolierende Schicht (43) hindurchführt.
Die Anzeigevorrichtung gemäß einer der vorangehenden Ansprüche, wobei die erste strukturierte Berührungselektrode (291) und die zweite Brückenelektrode (292) in der zweiten Berührungselektroden-Schicht (42) in einem Abstand voneinander angeordnet sind.
Die Anzeigevorrichtung gemäß einer der vorangehenden Ansprüche, wobei die erste Brückenelektrode (293), die mit der ersten strukturierten Berührungselektrode (291) verbunden ist, und die zweite strukturierte Berührungselektrode (299), die mit der zweiten Brückenelektrode (292) verbunden ist, in der ersten Berührungselektroden-Schicht (41) in einem Abstand voneinander angeordnet sind.
Die Anzeigevorrichtung gemäß einer der vorangehenden Ansprüche, wobei der kürzeste Abstand zwischen der ersten strukturierten Berührungselektrode (291), die die Tx-Elektrode bildet, und der zweiten strukturierten Berührungselektrode (299), die die Rx-Elektrode bildet, kürzer ist als der kürzeste Abstand zwischen der ersten strukturierten Berührungselektrode (291), die die Tx-Elektrode bildet, und der zweiten Brückenelektrode (292), die die Rx-Elektrode bildet.
Die Anzeigevorrichtung gemäß einer der vorangehenden Ansprüche, ferner aufweisend eine erste Berührungsleitung (TL), die sich von der ersten strukturierten Berührungselektrode (TE, 291) aus erstreckt, und eine zweite Berührungsleitung (RL), die sich von der zweiten strukturierten Berührungselektrode (RE, 299) aus erstreckt, wobei die erste Berührungsleitung (TL) durch eine Verbindung (CNT2), die auf dem ersten Substrat (111) bereitgestellt ist, mit einem ersten Berührungs-Pad (TP) elektrisch verbunden ist und die zweite Berührungsleitung (RL) durch eine Verbindung (CNT3), die auf dem ersten Substrat (111) bereitgestellt ist, mit einem zweiten Berührungs-Pad (RP) elektrisch verbunden ist.
Die Anzeigevorrichtung gemäß einer der vorangehenden Ansprüche, wobei die Rx-Elektrode und die Tx-Elektrode in der Berührungsermittlungsschicht (40) in der Form eines Netzes angeordnet sind.
Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung, das Verfahren die Schritte aufweisend: Bilden einer Dünnschichttransistor-Schicht (10), einer Lichtemittierende-Vorrichtung-Schicht (20) und einer Verkapselungsschicht (30) auf einem ersten Substrat (111) (S101); Strukturieren einer ersten Berührungselektroden-Schicht (41), die erste Brückenelektroden (293) und zweite strukturierte Berührungselektroden (299) aufweist, auf der Verkapselungsschicht (30) (S102); Bilden einer Berührung-isolierenden Schicht (43), die eine Berührung-anorganische Schicht (294) und eine Berührung-organische Schicht (295) aufweist, auf der ersten Berührungselektroden-Schicht (41) (S103); und Bereitstellen einer Mehrzahl von Kontaktlöchern (CT1, CT2, CT3, CT4) in der Berührung-isolierenden Schicht (43) und Bilden einer zweiten Berührungselektroden-Schicht (42), die erste strukturierte Berührungselektroden (291) und zweite Brückenelektroden (292) aufweist (S104).
Das Verfahren gemäß Anspruch 12, wobei jede der ersten strukturierten Berührungselektroden (291) und jede der zweiten Brückenelektroden (292) in der zweiten Berührungselektroden-Schicht (42) in einem Abstand voneinander angeordnet sind.
Das Verfahren gemäß Anspruch 12 oder 13, wobei jede der ersten Brückenelektroden (293) und jede der zweiten strukturierten Berührungselektroden (299) in der ersten Berührungselektroden-Schicht (41) in einem Abstand voneinander angeordnet sind.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei der kürzeste Abstand zwischen der ersten strukturierten Berührungselektrode (291), die eine Tx-Elektrode bildet, und einer zweiten strukturierten Berührungselektrode (299), die eine Rx-Elektrode bildet, kürzer ist als der kürzeste Abstand zwischen der ersten strukturierten Berührungselektrode (291), die die Tx-Elektrode bildet, und einer zweiten Brückenelektrode (292), die die Rx-Elektrode bildet.