DE102016125945B4

DE102016125945B4 - Anzeigevorrichtung und Verfahren zu derer Herstellung

Info

Publication number: DE102016125945B4
Application number: DE102016125945.4A
Authority: DE
Inventors: Eunah Kim; Miae KIM
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2016-07-21
Filing date: 2016-12-30
Publication date: 2020-06-04
Anticipated expiration: 2036-12-31
Also published as: KR101853032B1; US10446789B2; CN107644889B; US20180026227A1; JP6479748B2; US10224503B2; DE102016125945A1; CN107644889A; JP2018013762A; KR20180011396A; TWI623097B; US20190181377A1; TW201804606A

Abstract

Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst:ein Substrat (PI);eine Anzeigefläche (A/A), die auf dem Substrat (PI) ist und konfiguriert ist, ein Bild anzuzeigen;einen Kontaktplättchenabschnitt (GP, DP) auf mindestens einer Kante des Substrats (PI), wobei der Kontaktplättchenabschnitt (DP, GP) mindestens einen Senkenabschnitt (SINK) enthält;einen anisotropen leitfähigen Film (ACF), der auf dem Kontaktplättchenabschnitt (GP, DP) ist und den mindestens einen Senkenabschnitt (SINK) füllt, wobei der anisotrope leitfähige Film (ACF) im Abstand von einem Ende des Substrats (PI) angeordnet ist, undeine biegsame gedruckte Leiterplatte (COF), die auf dem anisotropen leitfähigen Film (ACF) ist und mit dem Kontaktplättchenabschnitt (GP, DP) elektrisch verbunden ist, wobei der Kontaktplättchenabschnitt (DP, GP) ferner Folgendes enthält:eine erste Pufferschicht (BUF1) auf dem Substrat (PI);eine zweite Pufferschicht (BUF2) auf der ersten Pufferschicht (BUF1);eine Gate-Isolierschicht (GI) auf der zweiten Pufferschicht (BUF2);eine erste Leitung (GSL) auf der Gate-Isolierschicht (GI);eine dielektrische Zwischenschicht (ILD) auf der ersten Leitung (GSL);eine zweite Leitung (SML) auf der dielektrischen Zwischenschicht (ILD);eine Passivierungsschicht (PAS) auf der zweiten Leitung (SML) undeine Kontaktplättchenelektrode (PEL) auf der Passivierungsschicht (PAS).

Description

Hintergrund
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Anzeigevorrichtung und insbesondere auf eine Vorrichtung zum Verhindern einer fehlerhaften Ansteuerung und zum Verbessern der Produktionsausbeute.
Diskussion des Standes der Technik
Mit der Entwicklung der Informationsgesellschaft nehmen Nachfragen nach Anzeigevorrichtungen, die ein Bild anzeigen, auf verschiedene Arten zu. Auf dem Gebiet der Anzeigevorrichtungen sind großformatige Röhrenbildschirme (CRT) schnell durch Flachbildschirme (FDP) ersetzt worden, die die Vorteile eines dünnen Profils, eines geringen Gewichts und eines großformatigen Bildschirms aufweisen. Beispiele des Flachbildschirms umfassen eine Flüssigkristallanzeige (LCD), eine Plasmaanzeigetafel (PDP), eine organische Leuchtdiodenanzeige (OLED-Anzeige) und eine Elektrophoreseanzeige (EPD).
Eine OLED-Anzeige enthält selbstemittierende Elemente, die selber Licht emittieren können, und weist die Vorteile einer schnellen Ansprechzeit, einer hohen Emissionseffizienz, einer hohen Leuchtdichte und eines weiten Betrachtungswinkels auf. Insbesondere kann die OLED ein biegsames Kunststoffsubstrat verwenden. Zudem weist die OLED-Anzeige die Vorteile einer niedrigen Ansteuerspannung, eines niedrigen Leistungsverbrauchs und eines besseren Farbtons im Vergleich mit einer Plasmaanzeigetafel oder einer anorganischen Elektrolumineszenzanzeige auf.
Die OLED-Anzeige, die das biegsame Kunststoffsubstrat verwendet, wird durch Aufbringen von Polyimid auf ein Glassubstrat, Bilden von Komponenten, wie einem Dünnschichttransistor und einer organischen Leuchtdiode, und Befestigen eines Chip-on-Films (COF) auf einem Kontaktplättchenabschnitt hergestellt. Ferner wird ein Prozess zum Abtrennen des Glassubstrats von dem Polyimidsubstrat durchgeführt. Auf diese Weise wird die OLED-Anzeige, die ein biegsames Polyimidsubstrat enthält, hergestellt.
Der Prozess zum Befestigen des Chip-on-Films an dem Kontaktplättchenabschnitt der OLED-Anzeige wird durchgeführt, indem ein anisotroper leitfähiger Film auf dem Chip-on-Film gebildet wird und dann ein Abgriffbondingprozess auf dem Kontaktplättchenabschnitt durchgeführt wird. Der Abgriffbondingprozess wird durchgeführt, um den Kontaktplättchenabschnitt, den anisotropen leitfähigen Film und den Chip-on-Film zu drücken, um den Kontaktplättchenabschnitt mit dem Chip-on-Film unter Verwendung von leitfähigen Bällen des anisotropen leitfähigen Films elektrisch zu verbinden. Der anisotrope leitfähige Film läuft jedoch abhängig von der Menge oder des Drucks des anisotropen leitfähigen Films von einem Ende des Substrats über. Es gibt das Problem, dass das Glassubstrat und das Polyimidsubstrat durch den anisotropen leitfähigen Film aneinanderhaften. Deshalb ist der anschließende Prozess zum Abtrennen des Glassubstrats von dem Polyimidsubstrat schwierig.
US 2014/0 140 019 A1 betrifft eine Anzeigevorrichtung. Ein Pad-Bereich PA kann einen Verbindungsbereich 121, einen freiliegenden Bereich 123 und eine Vielzahl von Blockierbereichen 122a und 122b umfassen. Eine Oberseite einer zweiten Pad-Elektrode 53 kann elektrisch mit einer Treiberschaltung 80 unter Verwendung eines leitenden Elements 90 verbunden werden, beispielsweise einem anisotropen leitenden Film (ACF) mit einer Vielzahl von leitenden Kugeln 91. Das leitende Element 90 ist zum Verbinden eines FPC 81 mit dem Anschlussbereich 121 vorgesehen.
Zusammenfassung
Dementsprechend ist die vorliegende Offenbarung auf eine Anzeigevorrichtung gerichtet, die ein oder mehrere Probleme aufgrund der Einschränkungen und Nachteile des Standes der Technik im Wesentlichen vermeidet.
Eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ist es, eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die verhindern kann, dass ein anisotroper leitfähiger Film von einem Substrat überläuft, indem ein Senkenabschnitt in einem Kontaktplättchenabschnitt gebildet ist.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ist es, eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die ein fehlerhaftes Ansteuern verhindern und die Produktionsausbeute erhöhen kann, indem die Zuverlässigkeit eines Abtrennprozesses eines Glassubstrats gesichert wird.
Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung dargelegt werden und werden teilweise aus der Beschreibung ersichtlich werden oder können durch die Ausübung der Erfindung gelernt werden. Die Aufgaben und andere Vorteile der Erfindung können durch die Struktur, die sowohl in der geschriebenen Beschreibung und den Ansprüchen hiervon als auch den beigefügten Ansprüchen aufgezeigt ist, verwirklicht und erreicht werden.
Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen gegeben.
Um diese und andere Vorteile zu erreichen und in Übereinstimmung mit dem Zweck der vorliegenden Erfindung, wie sie verkörpert und ausführlich beschrieben ist, umfasst eine Anzeigevorrichtung vorzugsweise ein Substrat; eine Anzeigefläche, die auf dem Substrat ist und konfiguriert ist, ein Bild anzuzeigen; einen Kontaktplättchenabschnitt auf mindestens einer Kante des Substrats, wobei der Kontaktplättchenabschnitt mindestens einen Senkenabschnitt enthält; einen anisotropen leitfähigen Film, der auf dem Kontaktplättchenabschnitt ist und den mindestens einen Senkenabschnitt füllt, wobei der anisotrope leitfähige Film von einem Ende des Substrats im Abstand angeordnet ist, und eine biegsame gedruckte Leiterplatte, die auf dem anisotropen leitfähigen Film ist und mit dem Kontaktplättchenabschnitt elektrisch verbunden ist.
Bevorzugt enthält der Kontaktplättchenabschnitt mehrere Leitungen, die sich von dem Ende des Substrats erstrecken, wobei der mindestens eine Senkenabschnitt die mehreren Leitungen schneidet.
Der Kontaktplättchenabschnitt enthält ferner Folgendes: eine erste Pufferschicht auf dem Substrat; eine zweite Pufferschicht auf der ersten Pufferschicht; eine Gate-Isolierschicht auf der zweiten Pufferschicht; eine erste Leitung auf der Gate-Isolierschicht; eine dielektrische Zwischenschicht auf der ersten Leitung; eine zweite Leitung auf der dielektrischen Zwischenschicht; eine Passivierungsschicht auf der zweiten Leitung und eine Kontaktplättchenelektrode auf der Passivierungsschicht.
Bevorzugt enthält der Senkenabschnitt Löcher in der zweiten Pufferschicht, der Gate-Isolierschicht und der ersten Leitung.
Bevorzugt enthält der Senkenabschnitt Löcher in der zweiten Pufferschicht, der Gate-Isolierschicht und dielektrischen Zwischenschicht.
Bevorzugt enthält der Senkenabschnitt Löcher in der der Gate-Isolierschicht und der ersten Leitung.
Bevorzugt enthält der Kontaktplättchenabschnitt einen Gate-Kontaktplättchenabschnitt und einen Datenkontaktplättchenabschnitt, wobei der Senkenabschnitt sowohl im Gate-Kontaktplättchenabschnitt als auch im Datenkontaktplättchenabschnitt durchgängig angeordnet ist.
Bevorzugt enthält der Kontaktplättchenabschnitt einen Gate-Kontaktplättchenabschnitt und einen Datenkontaktplättchenabschnitt, wobei der Senkenabschnitt sowohl im Gate-Kontaktplättchenabschnitt als auch im Datenkontaktplättchenabschnitt nicht durchgängig angeordnet ist.
Bevorzugt enthält der Senkenabschnitt mehrere Senkenabschnitte, die parallel zu dem Ende des Substrats angeordnet sind.
Bevorzugt ist die Breite des Sinkabschnitts gleich oder größer als 70 µm.
Unter einem weiteren Aspekt umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung vorzugsweise das Bereitstellen eines Substrats, wobei das Substrat eine Anzeigefläche, die auf dem Substrat ist und konfiguriert ist, ein Bild anzuzeigen, und einen Kontaktplättchenabschnitt auf mindestens einer Kante des Substrats, wobei der Kontaktplättchenabschnitt mindestens einen Senkenabschnitt enthält, definiert; das Bilden eines anisotropen leitfähigen Films, der auf dem Kontaktplättchenabschnitt ist und den mindestens einen Senkenabschnitt füllt, wobei der anisotrope leitfähige Film im Abstand von einem Ende des Substrats angeordnet ist, und das Bereitstellen einer biegsamen gedruckten Leiterplatte, die auf dem anisotropen leitfähigen Film ist und mit dem Kontaktplättchenabschnitt elektrisch verbunden ist.
Bevorzugt enthält der Kontaktplättchenabschnitt mehrere Leitungen, die sich von dem Ende des Substrats erstrecken, wobei der mindestens eine Senkenabschnitt die mehreren Leitungen schneidet.
Der Kontaktplättchenabschnitt enthält ferner Folgendes: eine erste Pufferschicht auf dem Substrat; eine zweite Pufferschicht auf der ersten Pufferschicht; eine Gate-Isolierschicht auf der zweiten Pufferschicht; eine erste Leitung auf der Gate-Isolierschicht; eine dielektrische Zwischenschicht auf der ersten Leitung; eine zweite Leitung auf der dielektrischen Zwischenschicht; eine Passivierungsschicht auf der zweiten Leitung und eine Kontaktplättchenelektrode auf der Passivierungsschicht.
Bevorzugt enthält der Senkenabschnitt Löcher in der zweiten Pufferschicht, der Gate-Isolierschicht und der ersten Leitung.
Bevorzugt enthält der Senkenabschnitt Löcher in der zweiten Pufferschicht, der Gate-Isolierschicht und dielektrischen Zwischenschicht.
Bevorzugt enthält der Senkenabschnitt Löcher in der der Gate-Isolierschicht und der ersten Leitung.
Bevorzugt enthält der Kontaktplättchenabschnitt einen Gate-Kontaktplättchenabschnitt und einen Datenkontaktplättchenabschnitt, wobei der Senkenabschnitt sowohl im Gate-Kontaktplättchenabschnitt als im Datenkontaktplättchenabschnitt durchgängig angeordnet ist.
Bevorzugt enthält der Kontaktplättchenabschnitt einen Gate-Kontaktplättchenabschnitt und einen Datenkontaktplättchenabschnitt, wobei der Senkenabschnitt sowohl im Gate-Kontaktplättchenabschnitt als auch im Datenkontaktplättchenabschnitt nicht durchgängig angeordnet ist.
Bevorzugt enthält der Senkenabschnitt mehrere Senkenabschnitte, die parallel zu dem Ende des Substrats angeordnet sind.
Es ist selbstverständlich, dass sowohl die vorangegangene allgemeine Beschreibung als auch die folgende genaue Beschreibung beispielhaft und erläuternd sind und dafür bestimmt sind, eine weitere Erläuterung der Erfindung, wie sie beansprucht wird, bereitzustellen.
Figurenliste
Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung bereitzustellen und in dieser Patentschrift mit aufgenommen sind und einen Teil von ihr bilden, stellen Ausführungsformen der Erfindung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erläutern. In den Zeichnungen:

1 ist ein schematisches Blockdiagramm einer organischen Leuchtdiodenanzeige (OLED-Anzeige);
2 stellt ein erstes Beispiel einer Schaltungskonfiguration eines Unterpixels dar;
3 stellt ein zweites Beispiel einer Schaltungskonfiguration eines Unterpixels dar;
4 ist eine Draufsicht einer OLED-Anzeige gemäß einer ersten beispielhaften Ausführungsform;
5 ist eine Querschnittsansicht, die ein Unterpixel einer OLED-Anzeige gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform darstellt;
6 ist eine vergrößerte Draufsicht eines Gate-Kontaktplättchenabschnitts, der in 4 gezeigt ist;
7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 6;
8 ist eine vergrößerte Draufsicht eines Kontaktplättchenabschnitts, der in 4 gezeigt ist;
9 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie II-II' von 8;
10 bis 13 sind Draufsichten, die eine OLED-Anzeige gemäß einer ersten beispielhaften Ausführungsform darstellen;
14 ist eine Draufsicht, die einen Kontaktplättchenabschnitt einer OLED-Anzeige gemäß einer zweiten beispielhaften Ausführungsform darstellt.
15 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie III-III' von 14;
16 stellt eine OLED-Anzeige gemäß einem Vergleichsbeispiel dar;
17 stellt ein Seitenbild einer OLED-Anzeige gemäß einem Vergleichsbeispiel dar;
18 stellt eine Grundrissbild einer OLED-Anzeige gemäß einem Vergleichsbeispiel dar.
19 stellt ein Bild einer OLED-Anzeige gemäß einer beispielhaften Ausführungsform dar und
20 ist ein Graph, der eine Überlaufmenge eines anisotropen leitfähigen Films abhängig von der Breite eines Senkenabschnitts einer OLED-Anzeige gemäß einer beispielhaften Ausführungsform darstellt.

Genaue Beschreibung
Es wird nun genau Bezug auf Ausführungsformen der Erfindung genommen, deren Beispiele in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind. Wo immer es möglich ist, wird das gleiche Bezugszeichen in allen Zeichnungen verwendet, um sich auf gleiche oder ähnliche Teile zu beziehen. Es wird berücksichtigt, dass die genaue Beschreibung des Standes der Technik ausgelassen wird, falls bestimmt ist, dass der Stand der Technik die Ausführungsformen der Erfindung fehlleiten können. Die Namen der jeweiligen Elemente, die in der folgenden Erläuterung verwendet werden, sind nur der Einfachheit des Schreibens der Patentschrift halber gewählt und können auf diese Weise unterschiedlich von denen sein, die in tatsächlichen Produkten verwendet werden.
Eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform ist eine Kunststoffanzeigevorrichtung, in der ein Anzeigeelement auf einem biegsamen Kunststoffsubstrat gebildet ist. Beispiele der Kunststoffanzeigevorrichtung umfassen eine organische Leuchtdiodenanzeige (OLED-Anzeige), eine Flüssigkristallanzeige (LCD) und eine Elektrophoreseanzeige. Die Ausführungsformen sind unter Verwendung der OLED-Anzeige als einem Beispiel beschrieben. Eine OLED-Anzeige enthält eine Emissionsschicht, die aus einem organischen Material gebildet ist, zwischen einer ersten Elektrode, die als Anode dient, und einer zweiten Elektrode, die als Kathode dient. Die OLED-Anzeige ist eine selbstemittierende Anzeigevorrichtung, die konfiguriert ist, Loch-Elektron-Paare, d. h. Exzitonen, zu bilden, indem Löcher, die von der ersten Elektrode empfangen werden, und Elektronen, die von der zweiten Elektrode empfangen werden, innerhalb der Emissionsschicht kombinieren, und Licht durch Energie, die erzeugt wird, wenn die Exzitonen auf das Grundniveau zurückkehren, zu emittieren. Die OLED-Anzeige gemäß der Ausführungsform kann wahlweise ein Glassubstrat anstatt eines Kunststoffsubstrats verwenden.
Beispielhafte Ausführungsformen werden unten mit Bezug auf 1 bis 20 beschrieben.
1 ist ein Blockdiagramm einer OLED-Anzeige. 2 stellt ein erstes Beispiel einer Schaltungskonfiguration eines Unterpixels dar. 3 stellt ein zweites Beispiel einer Schaltungskonfiguration eines Unterpixels dar.
Mit Bezug auf 1 enthält eine OLED-Anzeige gemäß einer beispielhaften Ausführungsform eine Bildverarbeitungseinheit 1, eine Zeitvorgabensteuereinheit 20, einen Datentreiber 30, einen Gate-Treiber 40 und eine Anzeigetafel 50. Die Bildverarbeitungseinheit 10 gibt ein Datensignal DATA und ein Datenfreigabesignal DE, das von außen geliefert wird, aus. Die Bildverarbeitungseinheit 10 kann ein oder mehrere von einem vertikalen Synchronisationssignal, einem horizontalen Synchronisationssignal und einem Taktsignal zusätzlich zu dem Datenfreigabesignal DE ausgeben. Der Kürze und der Einfachheit des Lesens halber sind diese Signale nicht gezeigt. Die Bildverarbeitungseinheit 10 ist auf einer Systemleiterplatte in einer integrierten Schaltungsform (IC-Form) gebildet.
Die Zeitvorgabensteuereinheit 20 empfängt das Datensignal DATA und Ansteuersignale, die das Datenfreigabesignal DE oder das vertikale Synchronisationssignal, das horizontale Synchronisationssignal, das Taktsignal, etc. umfassen, von der Bildverarbeitungseinheit 10. Die Zeitvorgabensteuereinheit 20 gibt ein Gate-Zeitvorgabensteuersignal GDC zum Steuern der Betriebszeitvorgabe des Gate-Treibers 40 und ein Datenzeitvorgabensteuersignal DDC zum Steuern der Betriebszeitvorgabe des Datentreibers 30 auf der Grundlage der Ansteuersignale aus. Die Zeitvorgabensteuereinheit 20 kann auf einer Steuerleiterplatte als eine integrierte Schaltung (IC) gebildet sein.
Der Datentreiber 30 tastet das Datensignal DATA, das von der Zeitvorgabensteuereinheit 20 empfangen wird, als Antwort auf das Zeitvorgabensteuersignal DDC, das von der Zeitvorgabensteuereinheit 20 geliefert wird, ab und verriegelt es und setzt das abgetastete und verriegelte Datensignal DATA unter Verwendung von Gammabezugsspannungen um. Der Datentreiber 30 gibt das umgesetzte Datensignal DATA an die Datenleitungen DL1 bis DLn aus. Der Datentreiber 30 ist wie eine IC an einem Substrat befestigt.
Der Gate-Treiber 40 gibt ein Gate-Signal aus, während ein Pegel einer Gate-Spannung als Antwort auf das Gate-Zeitvorgabensteuersignal, das von der Zeitvorgabensteuereinheit 20 geliefert wird, verschoben wird. Der Gate-Treiber 40 gibt das Gate-Signal an Gate-Leitungen GL1 bis GLm aus. Der Gate-Treiber 40 ist auf einer Gate-Leiterplatte in einer IC-Form gebildet oder ist auf der Anzeigetafel 50 auf eine Gate-in-Panel-Art (GIP-Art) gebildet. Die Anzeigetafel 50 zeigt als Antwort auf das Datensignal DATA und das Gate-Signal, die jeweils von dem Datentreiber 30 und dem Gate-Treiber 40 empfangen werden, ein Bild an. Die Anzeigetafel 50 enthält Unterpixel SP zum Anzeigen eines Bilds.
Wie in 2 gezeigt, enthält jedes Unterpixel einen Schalttransistor SW, einen Ansteuertransistor DR, eine Ausgleichsschaltung CC und eine organische Leuchtdiode (OLED). Die OLED arbeitet, um Licht auf der Grundlage eines Ansteuerstroms, der durch den Ansteuertransistor DR erzeugt wird, zu emittieren.
Der Schalttransistor SW führt einen Schaltvorgang durch, so dass ein Datensignal, das durch eine erste Datenleitung DL1 geliefert wird, als Antwort auf ein Gate-Signal, das durch eine erste Gate-Leitung GL1 geliefert wird, als eine Datenspannung in einem Kondensator gespeichert wird. Der Ansteuertransistor DR gibt einen Ansteuerstrom frei, um zwischen einer Hochpotentialstromleitung VDD und einer Niedrigpotentialstromleitung GND auf der Grundlage der Datenspannung, die in dem Kondensator gespeichert ist, zu fließen. Die Kompensationsschaltung CC ist eine Schaltung zum Ausgleichen einer Schwellenwertspannung des Ansteuertransistors DR. Ein Kondensator, der mit dem Schalttransistor SW oder dem Ansteuertransistor DR verbunden ist, kann innerhalb der Kompensationsschaltung CC montiert sein.
Die Ausgleichsschaltung CC enthält einen oder mehrere Dünnschichttransistoren (TFTs) und einen Kondensator. Die Konfiguration der Ausgleichsschaltung CC kann abhängig von dem Ausgleichsverfahren verschiedenartig geändert werden. Eine kurze Beschreibung der Ausgleichsschaltung CC wird vorgenommen.
Wie in 3 gezeigt, kann das Unterpixel, das die Ausgleichsschaltung CC enthält, ferner eine Signalleitung und eine Stromleitung zum Ansteuern eines Ausgleichs-TFT und zum Liefern eines vorgegebenen Signals oder elektrischer Leistung enthalten. Die hinzugefügte Signalleitung kann als eine 1-2-Gate-Leitung GL1b für das Ansteuern des Ausgleichs-TFTs, der in dem Unterpixel enthalten ist, definiert sein. In 3 ist „GL1a“ eine 1-1-Gate-Leitung zum Ansteuern des Schalttransistors SW. Die hinzugefügte Stromleitung kann als eine Initialisierungsstromleitung INIT zum Initialisieren eines vorgegebenen Knotens des Unterpixels auf eine vorgegebene Spannung definiert sein. Dies ist jedoch lediglich ein Beispiel und die Ausführungsformen sind nicht darauf beschränkt.
2 und 3 stellen dar, dass als Beispiel ein Unterpixel die Ausgleichsschaltung enthält. Die Ausgleichsschaltung CC kann jedoch ausgelassen sein, wenn ein Objekt (zum Beispiel der Datentreiber 30), der ausgeglichen wird, außerhalb des Unterpixels positioniert ist. Das Unterpixel weist eine Konfiguration von 2T(Transistor)1C(Kondensator), bei der der Schalttransistor SW, der Ansteuertransistor DR, der Kondensator und die OLED bereitgestellt sind. Wenn jedoch die Ausgleichsschaltung CC dem Unterpixel hinzugefügt ist, kann das Unterpixel verschiedene Konfigurationen wie 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T2C, 7T2C und dergleichen aufweisen.
Außerdem stellen 2 und 3 dar, dass die Ausgleichsschaltung CC als Beispiel zwischen dem Schalttransistor SW und dem Ansteuertransistor DR positioniert ist. Die Ausgleichsschaltung CC kann ferner zwischen dem Ansteuertransistor DR und der OLED positioniert sein. Die Position und die Struktur der Ausgleichsschaltung CC sind nicht auf die, die in 2 und 3 dargestellt sind, beschränkt.
4 ist eine Draufsicht einer OLED-Anzeige gemäß einer ersten beispielhaften Ausführungsform. 5 ist eine Querschnittsansicht, die ein Unterpixel einer OLED-Anzeige gemäß der ersten Ausführungsform darstellt. 6 ist eine vergrößerte Ansicht eines Gate-Kontaktplättchenabschnitts, der in 4 gezeigt ist. 7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 6. 8 ist eine vergrößerte Draufsicht eines Datenkontaktplättchenabschnitts, der in 4 gezeigt ist.
9 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie II-II' von 8. 10 bis 13 sind Draufsichten, die eine OLED-Anzeige gemäß der ersten Ausführungsform darstellen.
Mit Bezug auf 4 kann eine OLED-Anzeige ein Substrat PI, eine Anzeigefläche A/A und einen Gate-Kontaktplättchenabschnitt GP und einen Datenkontaktplättchenabschnitt DP, die die Anzeigefläche A/A umgeben, enthalten. Mehrere Unterpixel SP sind in der Anzeigefläche A/A angeordnet. Die Unterpixel SP können in der Anzeigefläche A/A in einer Unterpixelanordnung von R (rot), G (grün), B (blau) oder einer Unterpixelanordnung von R, G, B, W (weiß) angeordnet sein, um Vollfarbe zu repräsentieren. Der Gate-Kontaktplättchenabschnitt GP ist auf einer Seite (zum Beispiel der linken oder der rechten Seite) der Anzeigefläche A/A angeordnet und Gate-Signalleitungen GSL, die sich von der Anzeigefläche A/A erstrecken, sind in dem Gate-Kontaktplättchenabschnitt angeordnet. Der Datenkontaktplättchenabschnitt DP ist auf einer Seite (zum Beispiel der unteren Seite) der Anzeigefläche A/A angeordnet und Datensignalleitungen DSL, die sich von der Anzeigefläche A/A erstrecken, sind in dem Datenkontaktplättchenabschnitt DP angeordnet. Die Gate-Signalleitung GSL wird durch eine biegsame gedruckte Leiterplatte COF, die an dem Gate-Kontaktplättchenabschnitt GP befestigt ist, mit einem Gate-Signal versorgt. Die Datensignalleitung DSL wird durch eine biegsame gedruckte Leiterplatte COF, die an dem Datenkontaktplättchenabschnitt DP befestigt ist, mit einem Datensignal versorgt.
Eine Querschnittsstruktur eines Unterpixels SP einer OLED-Anzeige gemäß einer beispielhaften Ausführungsform ist unten mit Bezug auf 5 beschrieben.
Wie in 5 gezeigt, ist in einer OLED-Anzeige gemäß einer beispielhaften Ausführungsform eine erste Pufferschicht BUF1 auf einem Substrat PI positioniert. Das Substrat PI kann aus Kunststoff hergestellt sein und kann zum Beispiel ein Polyimidsubstrat sein. Auf diese Weise kann das Substrat PI gemäß der Ausführungsform eine biegsame Charakteristik aufweisen. Die erste Pufferschicht BUF1 schützt einen Dünnschichttransistor, der in einem darauffolgenden Prozess gebildet wird, vor Unreinheiten, zum Beispiel Alkaliionen, die von dem Substrat PI freigesetzt werden. Die erste Pufferschicht BUF1 kann eine Siliziumoxidschicht (SiOx-Schicht), eine Siliziumnitridschicht (SiNx-Schicht) oder eine Vielfachschicht davon sein.
Eine Abschirmschicht LS ist auf der ersten Pufferschicht BUF1 positioniert. Die Abschirmschicht LS verhindert eine Reduzierung eines die Tafel ansteuernden Stroms, die erzeugt werden kann, indem ein Polyimidsubstrat verwendet wird. Eine zweite Pufferschicht BUF2 ist auf der Abschirmschicht LS positioniert. Die zweite Pufferschicht BUF2 schützt einen Dünnschichttransistor, der in einem darauffolgenden Prozess gebildet wird, vor Unreinheiten, zum Beispiel Alkaliionen, die von der Abschirmschicht LS freigesetzt werden. Die zweite Pufferschicht BUF2 kann eine Siliziumoxidschicht (SiOx-Schicht), eine Siliziumnitridschicht (SiNx-Schicht) oder eine Vielfachschicht davon sein.
Eine Halbleiterschicht ACT ist auf der zweiten Pufferschicht BUF2 positioniert und kann aus einem Siliziumhalbleiter oder einem Oxidhalbleiter gebildet sein. Der Siliziumhalbleiter kann amorphes Silizium oder kristallisiertes polykristallines Silizium enthalten. Das polykristalline Silizium weist eine hohe Mobilität (zum Beispiel größer als 100 cm²/Vs), einen niedrigen Leistungsverbrauch und eine hervorragende Zuverlässigkeit auf. Auf diese Weise kann das polykristalline Silizium für einen Gate-Treiber und/oder einen Multiplexer (MUX) für die Verwendung in einem Ansteuerelement eingesetzt werden oder für einen Ansteuer-TFT von jedem Pixel der OLED-Anzeige eingesetzt werden. Weil der Oxidhalbleiter einen niedrigen Aus-Strom aufweist, ist der Oxidhalbleiter für einen Schalt-TFT geeignet, der eine kurze Ein-Zeit und eine lange Aus-Zeit aufweist. Ferner ist, weil der Oxidhalbleiter eine Spannungshaltezeit des Pixels wegen des niedrigen Aus-Stroms erhöht, der Oxidhalbleiter für eine Anzeigevorrichtung geeignet, die eine Niedriggeschwindigkeitsansteuerung und/oder einen niedrigen Leistungsverbrach erfordert. Zudem enthält die Halbleiterschicht ACT ein Drain-Gebiet und ein Source-Gebiet, die jeweils Unreinheiten vom p-Typ und vom n-Typ enthalten, und enthält auch ein Kanalgebiet zwischen dem Drain-Gebiet und dem Source-Gebiet.
Eine Gate-Isolierschicht GI ist auf der Halbleiterschicht ACT positioniert und kann eine Siliziumoxidschicht (SiOx-Schicht), eine Siliziumnitridschicht (SiNx-Schicht) oder eine Vielfachschicht davon sein. Eine Gate-Elektrode GA ist auf der Gate-Isolierschicht GI an einem Ort positioniert, der einem vorgegebenen Gebiet (d. h. dem Kanalgebiet, wenn Unreinheiten injiziert sind) der Halbleiterschicht ACT entspricht. Die Gate-Elektrode GA kann aus einem von Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Kupfer (Cu) oder einer Kombination davon gebildet sein. Ferner kann die Gate-Elektrode GA eine Vielfachschicht sein, die aus einem von Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Kupfer (Cu) oder einer Kombination davon gebildet ist. Zum Beispiel kann die Gate-Elektrode GA als eine Doppelschicht aus Mo/Al-Nd oder Mo/A1 gebildet sein.
Eine dielektrische Zwischenschicht ILD ist auf der Gate-Elektrode GA positioniert und isoliert die Gate-Elektrode GA. Die dielektrische Zwischenschicht ILD kann eine Siliziumoxidschicht (SiOx-Schicht), eine Siliziumnitridschicht (SiNx-Schicht) oder eine Vielfachschicht davon sein. Kontaktlöcher CH, die einen Abschnitt der Halbleiterschicht ACT freilegen, sind in einem Abschnitt von jeder der dielektrischen Schicht ILD und der Gate-Isolierschicht GI gebildet.
Eine Drain-Elektrode DE und eine Source-Elektrode SE sind auf der dielektrischen Zwischenschicht ILD positioniert. Die Drain-Elektrode DE ist durch das Kontaktloch CH, das das Drain-Gebiet der Halbleiterschicht ACT freilegt, mit der Halbleiterschicht ACT verbunden und die Source-Elektrode SE ist durch das Kontaktloch CH, das das Source-Gebiet der Halbleiterschicht ACT freilegt, mit der Halbleiterschicht ACT verbunden. Jede der Source-Elektrode SE und der Drain-Elektrode DE kann als eine einzelne Schicht oder eine Vielfachschicht gebildet sein. Wenn jede der Source-Elektrode SE und der Drain-Elektrode DE als eine einzelne Schicht gebildet ist, kann jede der Source-Elektrode SE und der Drain-Elektrode DE aus einem von Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Kupfer (Cu) oder einer Kombination davon gebildet sein. Wenn jede der Source-Elektrode SE und der Drain-Elektrode DE als eine Vielfachschicht gebildet ist, kann jede der Source-Elektrode SE und der Drain-Elektrode DE als eine Doppelschicht aus Mo/Al-Nd oder als eine Dreifachschicht aus Ti/Al/Ti, Mo/AI/Mo oder Mo/Al-Nd/Mo gebildet sein. Auf diese Weise ist ein Dünnschichttransistor TFT gebildet, der die Halbleiterschicht ACT, die Gate-Elektrode GA, die Source-Elektrode SE und die Drain-Elektrode DE enthält.
Ferner ist eine Passivierungsschicht PAS auf dem Substrat PI positioniert, die den Dünnschichttransistor TFT enthält. Die Passivierungsschicht PAS ist eine Isolierschicht, die die Komponente, die unter der Passivierungsschicht PAS liegt, schützt, und kann eine Siliziumoxidschicht (SiOx-Schicht), eine Siliziumnitridschicht (SiNx-Schicht) oder eine Vielfachschicht davon sein. Eine Überzugsschicht OC ist auf der Passivierungsschicht PAS positioniert. Die Überzugsschicht OC kann eine Einebnungsschicht sein, um einen Höhenunterschied einer unterliegenden Struktur zu reduzieren, und kann aus einem organischen Material wie Polyimid, Harz auf der Basis von Benzocyclobuten und Acrylat gebildet sein. Zum Beispiel kann die Überzugsschicht OC durch ein Spin-on-Glas-Verfahren (SOG-Verfahren) gebildet sein, um das organische Material in einem flüssigen Zustand aufzubringen und dann das organische Material zu härten.
Ein Durchgangsloch VIA, das die Drain-Elektrode DE des Dünnschichttransistors TFT freilegt, ist in einem Abschnitt der Überzugsschicht OC positioniert. Eine organische Leuchtdiode OLED ist auf der Überzugsschicht OC positioniert. Konkreter ist eine erste Elektrode ANO auf der Überzugsschicht OC positioniert. Die erste Elektrode ANO dient als eine Pixelelektrode und ist durch das Durchgangsloch VIA mit der Drain-Elektrode DE des Dünnschichttransistors TFT verbunden. Die erste Elektrode ANO ist eine Anode und kann aus einem lichtdurchlässigen leitfähigen Material wie Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) und Zinkoxid (ZnO) gebildet sein. Wenn die erste Elektrode ANO eine reflektierende Elektrode ist, kann die erste Elektrode ANO ferner eine reflektierende Schicht enthalten. Die reflektierende Schicht kann aus Aluminium (Al), Kupfer (Cu), Silber (Ag), Nickel (Ni), Palladium (Pd) oder einer Kombination davon gebildet sein. Zum Beispiel kann die reflektierende Schicht aus einer Ag/Pd/Cu-Legierung (APC-Legierung) gebildet sein.
Zudem ist eine Bankschicht BNK, die Pixel definiert, auf dem Substrat PI positioniert, die die erste Elektrode ANO enthält. Die Bankschicht BNK kann aus einem organischen Material wie Polyimid, Harz auf der Basis von Benzocyclobuten und Acrylat gebildet sein. Die Bankschicht BNK enthält einen Pixeldefinitionsabschnitt, der die erste Elektrode ANO freilegt. Eine Emissionsschicht EML, die die erste Elektrode ANO kontaktiert, ist in dem Pixeldefinitionsabschnitt der Bankschicht BNK positioniert. Die Emissionsschicht EML ist eine Schicht, in der Elektronen und Löcher kombinieren und Licht emittieren. Eine Löcherinjektionsschicht und/oder eine Löchertransportschicht können zwischen der Emissionsschicht EML und der ersten Elektrode ANO positioniert sein und eine Elektroneninjektionsschicht und/oder eine Elektronentransportschicht können auf der Emissionsschicht EML positioniert sein.
Eine zweite Elektrode CAT ist auf der Emissionsschicht EML positioniert und kann auf der gesamten Oberfläche der Anzeigefläche A/A (siehe 4) des Substrats PI positioniert sein. Zudem ist die zweite Elektrode CAT eine Kathodenelektrode und kann aus Magnesium (Mg), Kalzium (Ca), Aluminium (Al), Silber (Ag) oder einer Kombination davon gebildet sein, die jeweils eine niedrige Austrittsarbeit aufweisen. Wenn die zweite Elektrode CAT eine durchlässige Elektrode ist, kann die zweite Elektrode dünn genug sein, um Licht durchzulassen. Ferner kann dann, wenn die zweite Elektrode CAT eine reflektierende Elektrode ist, die zweite Elektrode dick genug sein, um Licht zu reflektieren.
In einer beispielhaften OLED-Anzeige ist eine biegsame gedruckte Leiterplatte durch einen anisotropen leitfähigen Film an dem Gate-Kontaktplättchenabschnitt und dem Datenkontaktplättchenabschnitt befestigt.
Eine genaue Konfiguration des Gate-Kontaktplättchenabschnitts wird mit Bezug auf 6 und 7 beschrieben werden. Die erste Pufferschicht BUF1 ist auf dem Substrat PI positioniert und die zweite Pufferschicht BUF2 ist auf der ersten Pufferschicht BUF1 positioniert. Die zweite Pufferschicht BUF2 weist ein erstes Loch FCH in ihrem Abschnitt auf. Die Gate-Isolierschicht GI ist auf der zweiten Pufferschicht BUF2 positioniert und weist ein zweites Loch SCH in ihrem Abschnitt auf. Das zweite Loch SCH der Gate-Isolierschicht GI ist entsprechend dem ersten Loch FCH der zweiten Pufferschicht BUF2 angeordnet.
Die Gate-Signalleitung GSL ist auf der Gate-Isolierschicht GI positioniert. Die Gate-Signalleitung GSL ist eine Leitung, die sich von der Gate-Leitung der Anzeigefläche erstreckt, und weist ein drittes Loch GCH in ihrem Abschnitt auf. Das dritte Loch GCH der Gate-Signalleitung GSL ist entsprechend dem ersten Loch FCH der zweiten Pufferschicht BUF2 und dem zweiten Loch SCH der Gate-Isolierschicht GI angeordnet. Die dielektrische Zwischenschicht ILD ist auf der Gate-Signalleitung GSL positioniert und isoliert die Gate-Signalleitung GSL. Die dielektrische Zwischenschicht ILD weist ein erste Kontaktloch PCNT1 in ihrem Abschnitt auf und legt die Gate-Signalleitung GSL durch das erste Kontaktloch PCNT1 frei. Die dielektrische Zwischenschicht ILD bedeckt das erste Loch FCH der zweiten Pufferschicht BUF2, das zweite Loch SCH der Gate-Isolierschicht GI und das dritte Loch GCH der Gate-Signalleitung GSL.
Eine Source-Metallschicht SML ist auf der dielektrischen Zwischenschicht ILD positioniert und ist durch das erste Kontaktloch PCNT1 der dielektrischen Zwischenschicht ILD mit der Gate-Signalleitung GSL verbunden. Die Source-Metallschicht SML ist entlang der dielektrischen Zwischenschicht ILD gebildet und bedeckt das erste Loch FCH der zweiten Pufferschicht BUF2, das zweite Loch SCH der Gate-Isolierschicht GI und das dritte Loch GCH der Gate-Signalleitung GSL. Die Passivierungsschicht PAS ist auf der Source-Metallschicht SML positioniert und weist ein zweites Kontaktloch PCNT2, das die Source-Metallschicht SML freilegt, in ihrem Abschnitt auf. Die Passivierungsschicht PAS ist entlang der Source-Metallschicht SML gebildet und bedeckt das erste Loch FCH der zweiten Pufferschicht BUF2, das zweite Loch SCH der Gate-Isolierschicht GI und das dritte Loch GCH der Gate-Signalleitung GSL. Eine Kontaktplättchenelektrode PEL ist auf der Passivierungsschicht PAS positioniert. Die Kontaktplättchenelektrode PEL kann unter Verwendung des gleichen Materials wie die erste Elektrode der Anzeigefläche gebildet sein und ist durch das zweite Kontaktloch PCNT2 der Passivierungsschicht PAS mit der Source-Metallschicht SML verbunden. Auf diese Weise ist der Gate-Kontaktplättchenabschnitt gebildet, der die erste Pufferschicht BUF1, die zweite Pufferschicht BUF2, die Gate-Isolierschicht GI, die Gate-Signalleitung GSL, die dielektrische Zwischenschicht ILD, die Source-Metallschicht SML, die Passivierungsschicht PAS und die Kontaktplättchenelektrode PEL enthält.
Eine biegsame gedruckte Leiterplatte COF ist durch einen anisotropen leitfähigen Film an dem Substrat PI des Gate-Kontaktplättchenabschnitts befestigt. Die biegsame gedruckte Leiterplatte COF kann ein Chip-on-Film sein, bei dem eine Treiber-IC in einem biegsamen Film SF enthalten ist. Die biegsame gedruckte Leiterplatte COF enthält eine biegsame gedruckte Schaltungsleitung CSL, die in dem biegsamen Film SF enthalten ist. Der anisotrope leitfähige Film ACF ist so konfiguriert, dass mehrere leitfähige Bälle CB in einem Klebeharz AR verteilt sind. Der anisotrope leitfähige Film ACF verbindet das Substrat PI mit der biegsamen gedruckten Leiterplatte COF, während das Substrat PI an der biegsamen gedruckten Leiterplatte COF befestigt ist. Die leitfähigen Bälle CB des anisotropen leitfähigen Films ACF kontaktieren nämlich die Kontaktplättchenelektrode PEL und die biegsame gedruckte Schaltungsleitung CSL und verbinden die Kontaktplättchenelektrode PEL mit der biegsamen gedruckten Schaltungsleitung CSL elektrisch.
Ein Senkenabschnitt SINK kann so konfiguriert sein, dass das erste Loch FCH der zweiten Pufferschicht BUF2, das zweite Loch SCH der Gate-Isolierschicht GI und das dritte Loch GCH der Gate-Signalleitung GSL angeordnet sind, einander zu überlappen. Der Senkenabschnitt SINK kann eine Art von Nut sein und kann einen Abschnitt des anisotropen leitfähigen Films ACF halten. Der Senkenabschnitt schneidet die Gate-Signalleitung GSL und verhindert, dass der anisotrope leitfähige Film ACF nach außen gedrückt wird, wenn der anisotrope leitfähige Film gedrückt wird. Ferner kann, weil der Senkenabschnitt SINK im Abstand von einem Ende des Substrats PI angeordnet ist, der Senkenabschnitt SINK verhindern, dass der anisotrope leitfähige Film ACF von dem Ende des Substrats PI überläuft. Die Breite W des Senkenabschnitts SINK kann gleich oder größer als 70 µm sein unter der Bedingung, dass der Senkenabschnitt SINK im Abstand von dem Ende des Substrats PI angeordnet ist. Somit hält der Senkenabschnitt SINK den anisotropen leitfähigen Film ACF und kann verhindern, dass der anisotrope leitfähige Film ACF von dem Ende des Substrats PI überläuft. Die Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt. Die Breite W des Senkenabschnitts W kann so groß wie möglich sein unter der Bedingung, dass der Senkenabschnitt SINK in dem Gate-Kontaktplättchenabschnitt enthalten ist, und auf diese Weise kann der Senkenabschnitt SINK verhindern, dass der anisotrope leitfähige Film von dem Ende des Substrats PI überläuft.
Eine genaue Konfiguration des Datenkontaktplättchenabschnitts wird mit Bezug auf 8 und 9 beschrieben werden. Die erste Pufferschicht BUF1 ist auf dem Substrat PI positioniert und die zweite Pufferschicht BUF2 ist auf der ersten Pufferschicht BUF1 positioniert. Die zweite Pufferschicht BUF2 weist ein erstes Loch FCH in ihrem Abschnitt auf. Die Gate-Isolierschicht GI ist auf der zweiten Pufferschicht BUF2 positioniert und weist ein zweites Loch SCH in ihrem Abschnitt auf. Das zweite Loch SCH der Gate-Isolierschicht GI ist entsprechend dem ersten Loch FCH der zweiten Pufferschicht BUF2 angeordnet. Die dielektrische Zwischenschicht ILD ist auf der Gate-Isolierschicht GI positioniert und weist ein viertes Loch ICH in ihrem Abschnitt auf. Das vierte Loch ICH der dielektrischen Zwischenschicht ILD ist entsprechend dem ersten Loch FCH der zweiten Pufferschicht BUF2 und dem zweiten Loch SCH der Gate-Isolierschicht GI angeordnet.
Die Datensignalleitung DSL ist auf der dielektrischen Zwischenschicht ILD positioniert. Die Datensignalleitung DSL ist eine Leitung, die sich von der Datenleitung der Anzeigefläche erstreckt, und erstreckt sich zu einem Ende des Substrats PI. Die Datensignalleitung DSL ist entlang der dielektrischen Zwischenschicht ILD gebildet und bedeckt das erste Loch FCH der zweiten Pufferschicht BUF2, das zweite Loch SCH der Gate-Isolierschicht GI und das vierte Loch ICH der dielektrischen Zwischenschicht ILD. Die Passivierungsschicht PAS ist auf der Datensignalleitung DSL positioniert und weist ein drittes Kontaktloch PCN3, das die Datensignalleitung DSL freilegt, in ihrem Abschnitt auf. Die Passivierungsschicht PAS ist entlang der Datensignalleitung DSL gebildet und bedeckt das erste Loch FCH der zweiten Pufferschicht BUF2, das zweite Loch SCH der Gate-Isolierschicht GI und das vierte Loch ICH der dielektrischen Zwischenschicht ILD. Eine Kontaktplättchenelektrode PEL ist auf der Passivierungsschicht PAS positioniert. Die Kontaktplättchenelektrode PEL kann unter Verwendung des gleichen Materials wie die erste Elektrode der Anzeigefläche gebildet sein und ist durch das dritte Kontaktloch PCNT3 der Passivierungsschicht PAS mit der Datensignalleitung DSL verbunden. Auf diese Weise ist der Datenkontaktplättchenabschnitt gebildet, der die erste Pufferschicht BUF1, die zweite Pufferschicht BUF2, die Gate-Isolierschicht GI, die dielektrische Zwischenschicht ILD, die Datensignalleitung DSL, die Passivierungsschicht PAS und die Kontaktplättchenelektrode PEL enthält.
Eine biegsame gedruckte Leiterplatte COF ist durch einen anisotropen leitfähigen Film an dem Substrat PI des Datenkontaktplättchenabschnitts befestigt. Die biegsame gedruckte Leiterplatte COF enthält eine biegsame gedruckte Schaltungsleitung CSL, die in einem biegsamen Film SF enthalten ist. Der anisotrope leitfähige Film ACF ist so konfiguriert, dass mehrere leitfähige Bälle CB in einem Klebeharz AR verteilt sind. Der anisotrope leitfähige Film ACF verbindet das Substrat PI mit der biegsamen gedruckten Leiterplatte COF elektrisch, während das Substrat PI an der biegsamen gedruckten Leiterplatte COF befestigt ist. Die leitfähigen Bälle CB des anisotropen leitfähigen Films ACF kontaktieren nämlich die Kontaktplättchenelektrode PEL und die biegsame gedruckte Schaltungsleitung CSL und verbinden die Kontaktplättchenelektrode PEL mit der biegsamen gedruckten Schaltungsleitung CSL elektrisch.
In der Ausführungsform ist ein Senkenabschnitt SINK so konfiguriert, dass das erste Loch FCH der zweiten Pufferschicht BUF2, das zweite Loch SCH der Gate-Isolierschicht GI und das vierte Loch ICH der dielektrischen Zwischenschicht ILD angeordnet sind, einander zu überlappen. Der Senkenabschnitt schneidet die Datensignalleitung DSL und verhindert, dass der anisotrope leitfähige Film ACF nach außen gedrückt wird, wenn der anisotrope leitfähige Film gedrückt wird. Ferner kann, weil der Senkenabschnitt SINK im Abstand von einem Ende des Substrats PI angeordnet ist, der Senkenabschnitt SINK verhindern, dass der anisotrope leitfähige Film ACF von dem Ende des Substrats PI überläuft. Die Breite W des Senkenabschnitts SINK kann gleich oder größer als 70 µm sein unter der Bedingung, dass der Senkenabschnitt SINK im Abstand von dem Ende des Substrats PI angeordnet ist. Somit hält der Senkenabschnitt SINK den anisotropen leitfähigen Film ACF und kann verhindern, dass der anisotrope leitfähige Film ACF von dem Ende des Substrats PI überläuft. Die Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt. Die Breite W des Senkenabschnitts W kann so groß wie möglich sein unter der Bedingung, dass der Senkenabschnitt SINK in dem Datenkontaktplättchenabschnitt enthalten ist, und auf diese Weise kann der Senkenabschnitt SINK verhindern, dass der anisotrope leitfähige Film von dem Ende des Substrats PI überläuft.
Mit Bezug auf 10 kann der Senkenabschnitt SINK in jedem von dem Gate-Kontaktplättchenabschnitt GP und dem Datenkontaktplättchenabschnitt DP enthalten sein. In diesem Fall kann der Senkenabschnitt SINK des Gate-Kontaktplättchenabschnitts GP parallel zu einem Ende des Substrats PI durchgängig angeordnet sein. Zum Beispiel kann ein Senkenabschnitt SINK des Gate-Kontaktplättchenabschnitts GP parallel zu einem Ende des Substrats PI angeordnet sein und kann alle drei biegsamen gedruckten Leiterplatten COF überlappen. Ferner kann der Senkenabschnitt SINK des Datenkontaktplättchenabschnitts DP parallel zu einem Ende des Substrats PI durchgängig angeordnet sein. Zum Beispiel kann ein Senkenabschnitt SINK des Datenkontaktplättchenabschnitts DP parallel zu einem Ende des Substrats PI angeordnet sein und kann alle vier biegsamen gedruckten Leiterplatte COF überlappen.
Wie in 11 gezeigt, kann der Senkenabschnitt SINK in jedem von dem Gate-Kontaktplättchenabschnitt GP und dem Datenkontaktplättchenabschnitt DP enthalten sein. In diesem Fall kann der Senkenabschnitt SINK des Gate-Kontaktplättchenabschnitts GP parallel zu einem Ende des Substrats PI nicht durchgängig angeordnet sein. Zum Beispiel können drei Senkenabschnitte SINK des Gate-Kontaktplättchenabschnitts GP parallel zu einem Ende des Substrats PI angeordnet sein und können jeweils drei biegsame gedruckte Leiterplatten COF überlappen. Ferner kann der Senkenabschnitt SINK des Datenkontaktplättchenabschnitts DP parallel zu einem Ende des Substrats PI nicht durchgängig angeordnet sein. Zum Beispiel können vier Senkenabschnitte SINK des Datenkontaktplättchenabschnitts DP parallel zu einem Ende des Substrats PI angeordnet sein und können jeweils vier biegsame gedruckte Leiterplatte COF überlappen.
Wie in 12 dargestellt, kann der Senkenabschnitt SINK in jedem von dem Gate-Kontaktplättchenabschnitt GP und dem Datenkontaktplättchenabschnitt DP enthalten sein. In diesem Fall kann der Senkenabschnitt SINK des Gate-Kontaktplättchenabschnitts GP parallel zu einem Ende des Substrats PI durchgängig angeordnet sein und kann in der Vielzahl sein. Zum Beispiel können zwei Senkenabschnitte SINK des Gate-Kontaktplättchenabschnitts GP parallel zu einem Ende des Substrats PI angeordnet sein und können alle drei biegsamen gedruckten Leiterplatten COF überlappen. Ferner kann der Senkenabschnitt SINK des Datenkontaktplättchenabschnitts DP parallel zu einem Ende des Substrats PI durchgängig angeordnet sein und kann in der Vielzahl sein. Zum Beispiel können zwei Senkenabschnitte SINK des Datenkontaktplättchenabschnitts DP parallel zu einem Ende des Substrats PI angeordnet sein und können alle vier biegsamen gedruckten Leiterplatte COF überlappen.
Mit Bezug auf 13 kann der Senkenabschnitt SINK in jedem von dem Gate-Kontaktplättchenabschnitt GP und dem Datenkontaktplättchenabschnitt DP enthalten sein. In diesem Fall kann der Senkenabschnitt SINK des Gate-Kontaktplättchenabschnitts GP parallel zu einem Ende des Substrats PI nicht durchgängig angeordnet sein und kann in der Vielzahl sein. Zum Beispiel können sechs Senkenabschnitte SINK des Gate-Kontaktplättchenabschnitts GP parallel zu einem Ende des Substrats PI angeordnet sein und drei Gruppen, die jeweils zwei Senkenabschnitte SINK enthalten, können jeweils drei biegsame gedruckte Leiterplatten COF überlappen. Ferner kann der Senkenabschnitt SINK des Datenkontaktplättchenabschnitts DP parallel zu einem Ende des Substrats PI nicht durchgängig angeordnet sein und kann in einer Vielzahl sein. Zum Beispiel können acht Senkenabschnitte SINK des Datenkontaktplättchenabschnitts DP parallel zu einem Ende des Substrats PI angeordnet sein und vier Gruppen, die jeweils zwei Senkenabschnitte SINK enthalten, können jeweils vier biegsame gedruckte Leiterplatte COF überlappen.
Die Ausführungsformen sind jedoch nicht auf die Beispiele beschränkt. Zum Beispiel kann die Anzahl, die Gestalt, die Position, etc. der Senkenabschnitte verschiedenartig geändert werden, so lange verhindert wird, dass der anisotrope leitfähige Film, der in dem Kontaktplättchenabschnitt enthalten ist, von dem Substrat überläuft.
14 ist eine Draufsicht, die einen Kontaktplättchenabschnitt einer OLED-Anzeige gemäß einer zweiten beispielhaften Ausführungsform darstellt. 15 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie III-III' von 14. In der folgenden Beschreibung wird ein Gate-Kontaktplättchenabschnitt als Beispiel beschrieben.
Eine genaue Konfiguration eines Gate-Kontaktplättchenabschnitts gemäß einer zweiten beispielhaften Ausführungsform wird mit Bezug auf 14 und 15 beschrieben werden. Eine erste Pufferschicht BUF1 ist auf einem Substrat PI positioniert und eine zweite Pufferschicht BUF2 ist auf der ersten Pufferschicht BUF1 positioniert. Eine Gate-Isolierschicht GI ist auf der zweiten Pufferschicht BUF2 positioniert und weist ein zweites Loch SCH in ihrem Abschnitt auf. Eine Gate-Signalleitung GSL ist auf der Gate-Isolierschicht GI positioniert. Die Gate-Signalleitung GSL ist eine Leitung, die sich von einer Gate-Leitung einer Anzeigefläche erstreckt, und weist ein drittes Loch GCH in ihrem Abschnitt auf. Das dritte Loch GCH der Gate-Signalleitung GSL ist entsprechend dem zweiten Loch SCH der Gate-Isolierschicht angeordnet. Eine dielektrische Zwischenschicht ILD ist auf der Gate-Signalleitung GSL positioniert und isoliert die Gate-Signalleitung GSL. Die dielektrische Zwischenschicht ILD weist ein erstes Kontaktloch PCNT1 in ihrem Abschnitt auf und legt die Gate-Signalleitung GSL durch das erste Kontaktloch PCNT1 frei. Die dielektrische Zwischenschicht ILD bedeckt das zweite Loch SCH der Gate-Isolierschicht GI und das dritte Loch GCH der Gate-Signalleitung GSL.
Eine Source-Metallschicht SML ist auf der dielektrischen Zwischenschicht ILD positioniert und ist durch das erste Kontaktloch PCNT1 der dielektrischen Zwischenschicht ILD mit der Gate-Signalleitung GSL verbunden. Die Source-Metallschicht SML ist entlang der dielektrischen Zwischenschicht ILD gebildet und bedeckt das zweite Loch SCH der Gate-Isolierschicht GI und das dritte Locht GCH der Gate-Signalleitung GSL. Eine Passivierungsschicht PAS ist auf der Source-Metallschicht SML positioniert und weist ein zweites Kontaktloch PCNT2, das die Source-Metallschicht SML freilegt, in ihrem Abschnitt auf. Die Passivierungsschicht PAS ist entlang der Source-Metallschicht SML gebildet und bedeckt das zweite Loch SCH der Gate-Isolierschicht GI und das dritte Loch GCH der Gate-Signalleitung GSL. Eine Kontaktplättchenelektrode PEL ist auf der Passivierungsschicht PAS positioniert. Die Kontaktplättchenelektrode PEL ist durch das zweite Kontaktloch PCNT2 der Passivierungsschicht PAS mit der Source-Metallschicht SML verbunden. Die Kontaktplättchenelektrode PEL erstreckt sich zu einem Ende des Substrats PI. Auf diese Weise ist der Gate-Kontaktplättchenabschnitt gebildet, der die erste Pufferschicht BUF1, die zweite Pufferschicht BUF2, die Gate-Isolierschicht GI, die Gate-Signalleitung GSL, die dielektrische Zwischenschicht ILD, die Source-Metallschicht SML, die Passivierungsschicht PAS und die Kontaktplättchenelektrode PEL enthält.
Eine biegsame gedruckte Leiterplatte COF ist durch einen anisotropen leitfähigen Film an dem Substrat PI des Gate-Kontaktplättchenabschnitts befestigt. Die biegsame gedruckte Leiterplatte COF enthält eine biegsame gedruckte Schaltungsleitung CSL, die in einem biegsamen Film SF enthalten ist. Der anisotrope leitfähige Film ACF ist so konfiguriert, dass mehrere leitfähige Bälle CB in einem Klebeharz AR verteilt sind. Der anisotrope leitfähige Film ACF verbindet das Substrat PI mit der biegsamen gedruckten Leiterplatte COF elektrisch, während das Substrat PI an der biegsamen gedruckten Leiterplatte COF befestigt ist. Die leitfähigen Bälle CB des anisotropen leitfähigen Films ACF kontaktieren nämlich die Kontaktplättchenelektrode PEL und die biegsame gedruckte Schaltungsleitung CSL und verbinden die Kontaktplättchenelektrode PEL mit der biegsamen gedruckten Schaltungsleitung CSL elektrisch.
In der zweiten Ausführungsform ist ein Senkenabschnitt SINK so konfiguriert, dass das das zweite Loch SCH der Gate-Isolierschicht GI und das dritte Loch GCH der Gate-Signalleitung GSL angeordnet sind, einander zu überlappen. Der Senkenabschnitt SINK schneidet die Kontaktplättchenelektrode PEL und verhindert, dass der anisotrope leitfähige Film ACF nach außen gedrückt wird, wenn der anisotrope leitfähige Film gedrückt wird. Ferner kann, weil der Senkenabschnitt SINK im Abstand von einem Ende des Substrats PI angeordnet ist, der Senkenabschnitt SINK verhindern, dass der anisotrope leitfähige Film ACF von dem Ende des Substrats PI überläuft. Die Breite W des Senkenabschnitts SINK kann gleich oder größer als 70 µm sein unter der Bedingung, dass der Senkenabschnitt SINK im Abstand von dem Ende des Substrats PI angeordnet ist. Somit hält der Senkenabschnitt SINK den anisotropen leitfähigen Film ACF und kann verhindern, dass der anisotrope leitfähige Film ACF von dem Ende des Substrats PI überläuft. Die Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt. Die Breite W des Senkenabschnitts W kann so groß wie möglich sein unter der Bedingung, dass der Senkenabschnitt SINK in dem Gate-Kontaktplättchenabschnitt enthalten ist, und auf diese Weise kann der Senkenabschnitt SINK verhindern, dass der anisotrope leitfähige Film von dem Ende des Substrats PI überläuft.
Anders als die erste Ausführungsform kann die erste Pufferschicht BUF1 in der zweiten Ausführungsform kein erstes Loch aufweisen und die Kontaktplättchenelektrode PEL erstreckt sich zu dem Ende des Substrats PI. Die Ausführungsformen können nämlich ein Loch in jeder Schicht bilden, die an einem Ort angeordnet ist, der dem Senkenabschnitt entspricht, und das Loch als den Senkenabschnitt verwenden. In diesem Fall erstreckt sich die Gate-Signalleitung GSL und/oder die Source-Metallschicht SM und/oder die Kontaktplättchenelektrode PEL zu dem Ende des Substrats PI und ein Test, etc. kann auf der Gate-Signalleitung GSL und/oder der Source-Metallschicht SM und/oder der Kontaktplättchenelektrode PEL durchgeführt werden.
Wie oben beschrieben, kann die Anzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen verhindern, dass der anisotrope leitfähige Film von dem Substrat überläuft, indem der Senkenabschnitt in dem Kontaktplättchenabschnitt gebildet ist. Somit können die Ausführungsformen eine fehlerhafte Ansteuerung verhindern und die Produktionsausbeute erhöhen, indem die Zuverlässigkeit eines Abtrennprozesses eines Glassubstrats gesichert wird.
Nachstehend ist ein Beispiel der Anzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen beschrieben. Die Ausführungsformen sind jedoch nicht auf das Beispiel beschränkt.
<Beispielhafte Ausführungsform>
Eine OLED-Anzeige gemäß einer beispielhaften Ausführungsform wurde wie in 4 gezeigt hergestellt. In diesem Fall enthielt jeder eines Gate-Kontaktplättchenabschnitts und eines Datenkontaktplättchenabschnitts gemäß der beispielhaften Ausführungsform einen Senkenabschnitt, der eine Breite von ungefähr 70 µm aufweist, wie in 10 gezeigt ist.
<Vergleichsbeispiel>
Eine OLED-Anzeige gemäß einem Vergleichsbeispiel wurde gleich einer beispielhaften Ausführungsform hergestellt. Jeder von einem Gate-Kontaktplättchenabschnitt und einem Datenkontaktplättchenabschnitt gemäß dem Vergleichsbeispiel enthielt keinen Senkenabschnitt.
16 stellt eine OLED-Anzeige gemäß einem Vergleichsbeispiel dar. 17 stellt ein Seitenbild einer OLED-Anzeige gemäß einem Vergleichsbeispiel dar. 18 stellt ein Grundrissbild einer OLED-Anzeige gemäß einer beispielhaften Ausführungsform dar. 19 stellt ein Bild einer OLED-Anzeige gemäß einer beispielhaften Ausführungsform dar. 20 ist ein Graph, der eine Überlaufmenge eines anisotropen leitfähigen Films abhängig von der Breite eines Senkenabschnitts einer OLED-Anzeige gemäß einer beispielhaften Ausführungsform darstellt.
In 16 ist ein Kontaktplättchenabschnitt der OLED-Anzeige gemäß dem Vergleichsbeispiel so konfiguriert, dass ein Substrat PI auf einem Glas GLS positioniert ist und eine Pufferschicht, eine Gate-Isolierschicht, eine dielektrische Zwischenschicht, etc., die in einem TFT enthalten sind, sind auf dem Substrat PI positioniert. Eine biegsame gedruckte Leiterplatte COF ist durch einen anisotropen leitfähigen Film ACF an dem Kontaktplättchenabschnitt befestigt. Wenn der anisotrope leitfähige Film ACF gedrückt wird, wird der anisotrope leitfähige Film ACF ausgebreitet, während er gedrückt wird. In diesem Fall läuft ein Abschnitt des anisotropen leitfähigen Films ACF von dem Substrat PI über und befestigt auf diese Weise das Substrat PI an der Seite des Glases GLS. Wie in 17 und 18 gesehen werden kann, überlief der anisotrope leitfähige Film ACF das Substrat PI und das Glas GLS. Wenn das Substrat wie oben beschrieben durch den anisotropen leitfähigen Film ACF an der Seite des Glases GLS befestigt wurde, wurde ein Problem (zum Beispiel die Nicht-Abtrennung) bei der Abtrennung zwischen dem Substrat PI und dem Glas GLS in einem Prozess zum Abtrennen des Substrats PI von dem Glas GLS erzeugt.
Wie in 19 deutlich gesehen werden kann, wurde in einer OLED-Anzeige gemäß einer beispielhaften Ausführungsform ein Senkenabschnitt in einem Kontaktplättchenabschnitt gebildet. Wie in 20 gezeigt, lief dann, wenn die Breite des Senkenabschnitts 10 µm, 20 µm, 30 µm, 40 µm, 50 µm und 60 µm war, der anisotrope leitfähige Film über. Wenn die Breite des Senkenabschnitts jedoch gleich oder größer als 70 µm war, wurde der Überlauf des anisotropen leitfähigen Films nicht erzeugt.
Wie oben beschrieben, kann die Anzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen verhindern, dass der anisotrope leitfähige Film von dem Substrat überläuft, indem der Senkenabschnitt in dem Kontaktplättchenabschnitt gebildet ist. Somit können die Ausführungsformen eine fehlerhafte Ansteuerung verhindern und die Produktionsausbeute erhöhen, indem die Zuverlässigkeit des Abtrennprozesses des Glassubstrats gesichert wird.

Claims

Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Substrat (PI); eine Anzeigefläche (A/A), die auf dem Substrat (PI) ist und konfiguriert ist, ein Bild anzuzeigen; einen Kontaktplättchenabschnitt (GP, DP) auf mindestens einer Kante des Substrats (PI), wobei der Kontaktplättchenabschnitt (DP, GP) mindestens einen Senkenabschnitt (SINK) enthält; einen anisotropen leitfähigen Film (ACF), der auf dem Kontaktplättchenabschnitt (GP, DP) ist und den mindestens einen Senkenabschnitt (SINK) füllt, wobei der anisotrope leitfähige Film (ACF) im Abstand von einem Ende des Substrats (PI) angeordnet ist, und eine biegsame gedruckte Leiterplatte (COF), die auf dem anisotropen leitfähigen Film (ACF) ist und mit dem Kontaktplättchenabschnitt (GP, DP) elektrisch verbunden ist, wobei der Kontaktplättchenabschnitt (DP, GP) ferner Folgendes enthält: eine erste Pufferschicht (BUF1) auf dem Substrat (PI); eine zweite Pufferschicht (BUF2) auf der ersten Pufferschicht (BUF1); eine Gate-Isolierschicht (GI) auf der zweiten Pufferschicht (BUF2); eine erste Leitung (GSL) auf der Gate-Isolierschicht (GI); eine dielektrische Zwischenschicht (ILD) auf der ersten Leitung (GSL); eine zweite Leitung (SML) auf der dielektrischen Zwischenschicht (ILD); eine Passivierungsschicht (PAS) auf der zweiten Leitung (SML) und eine Kontaktplättchenelektrode (PEL) auf der Passivierungsschicht (PAS).
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Kontaktplättchenabschnitt (DP, GP) mehrere Leitungen (DSL, GSL) enthält, die sich von dem Ende des Substrats (PI) erstrecken, und wobei der mindestens eine Senkenabschnitt (SINK) die mehreren Leitungen (DSL, GSL) schneidet.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Senkenabschnitt (SINK) Löcher in der zweiten Pufferschicht (BUF2), der Gate-Isolierschicht (GI) und der ersten Leitung (GSL) enthält oder der Senkenabschnitt (SINK) Löcher in der zweiten Pufferschicht (BUF2), der Gate-Isolierschicht (GI) und der dielektrischen Zwischenschicht (ILD) enthält.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Senkenabschnitt (SINK) Löcher in der Gate-Isolierschicht (GI) und der ersten Leitung (GSL) enthält.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Kontaktplättchenabschnitt (GP, DP) einen Gate-Kontaktplättchenabschnitt (GP) und einen Datenkontaktplättchenabschnitt (DP) enthält und wobei der Senkenabschnitt (SINK) in jedem von dem Gate-Kontaktplättchenabschnitt (GP) und dem Datenkontaktplättchenabschnitt (DP) durchgängig angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Kontaktplättchenabschnitt (GP, DP) einen Gate-Kontaktplättchenabschnitt (GP) und einen Datenkontaktplättchenabschnitt (DP) enthält und wobei der Senkenabschnitt (SINK) in jedem von dem Gate-Kontaktplättchenabschnitt (GP) und dem Datenkontaktplättchenabschnitt (DP) nicht durchgängig angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Senkenabschnitt (SINK) mehrere Senkenabschnitte enthält, die parallel zu dem Ende des Substrats (PI) angeordnet sind.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Breite des Senkenabschnitts (SINK) gleich oder größer als 70 µm ist.
Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung, das Folgendes umfasst: Bereitstellen eines Substrats (PI), wobei das Substrat (PI) eine Anzeigefläche (A/A), die auf dem Substrat (PI) ist und konfiguriert ist, ein Bild anzuzeigen, und einen Kontaktplättchenabschnitt (GP, DP) auf mindestens einer Kante des Substrats (PI), wobei der Kontaktplättchenabschnitt (GP, DP) mindestens einen Senkenabschnitt (SINK) enthält, definiert; Bilden eines anisotropen leitfähigen Films (ACF), der auf dem Kontaktplättchenabschnitt (GP, DP) ist und den mindestens einen Senkenabschnitt (SINK) füllt, wobei der anisotrope leitfähige Film (ACF) im Abstand von einem Ende des Substrats (PI) angeordnet ist, und Bereitstellen einer biegsamen gedruckten Leiterplatte (COF), die auf dem anisotropen leitfähigen Film (ACF) ist und mit dem Kontaktplättchenabschnitt (GP, DP) elektrisch verbunden ist, wobei der Kontaktplättchenabschnitt (DP, GP) ferner Folgendes enthält: eine erste Pufferschicht (BUF1) auf dem Substrat (PI); eine zweite Pufferschicht (BUF2) auf der ersten Pufferschicht (BUF1); eine Gate-Isolierschicht (GI) auf der zweiten Pufferschicht (BUF2); eine erste Leitung (GSL) auf der Gate-Isolierschicht (GI); eine dielektrische Zwischenschicht (ILD) auf der ersten Leitung (GSL); eine zweite Leitung (SML) auf der dielektrischen Zwischenschicht (ILD); eine Passivierungsschicht (PAS) auf der zweiten Leitung (SML) und eine Kontaktplättchenelektrode (PEL) auf der Passivierungsschicht (PAS).