TWI623097B - 顯示裝置 - Google Patents
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- TWI623097B TWI623097B TW105143042A TW105143042A TWI623097B TW I623097 B TWI623097 B TW I623097B TW 105143042 A TW105143042 A TW 105143042A TW 105143042 A TW105143042 A TW 105143042A TW I623097 B TWI623097 B TW I623097B
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 109
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 222
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 33
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 26
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 65
- 101100033865 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RFA1 gene Proteins 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 101100524516 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RFA2 gene Proteins 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 102100027582 Nuclear pore complex protein Nup85 Human genes 0.000 description 7
- 101150031080 nup85 gene Proteins 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 6
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 101001117010 Homo sapiens Pericentrin Proteins 0.000 description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- 102100024315 Pericentrin Human genes 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 4
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/118—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits specially for flexible printed circuits, e.g. using folded portions
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/821—Patterning of a layer by embossing, e.g. stamping to form trenches in an insulating layer
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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- H10K2102/351—Thickness
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
本發明提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括：一基板；一顯示區域，在該基板上並且被配置以顯示影像；一焊墊部，在該基板的至少一個邊緣上，該焊墊部包括至少一個凹部；一各向異性導電膜，在該焊墊部上並且填充該至少一個凹部，該各向異性導電膜與該基板的端部間隔開；以及一可撓性印刷電路板，在該各向異性導電膜上並且電性連接到該焊墊部。
Description
隨著資訊社會的發展，用於顯示影像的顯示裝置的需求以各種方式增加。在顯示裝置的領域中，大型陰極射線管(CRT)已經迅速地被具有薄型、重量輕、以及大尺寸螢幕的優點的平板顯示器(FPD)所取代。平板顯示器的示例包括液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、有機發光二極體(OLED)顯示器、以及電泳顯示器(EPD)。
OLED顯示器包括能够自身發光的自發光元件，並且具有快速響應時間、高發光效率、高亮度、以及寬視角的優點。特別是，OLED顯示器可以使用可撓性塑料基板。另外，與電漿顯示面板或無機電致發光顯示器相比，OLED顯示器具有較低的驅動電壓、較低的功率消耗以及較好的色調的優點。
使用可撓性塑料基板的OLED顯示器透過在玻璃基板上塗覆聚亞醯胺(polyimide)，形成諸如薄膜電晶體和有機發光二極體的元件，並且將薄膜覆晶(COF)附著到焊墊部來製造。此外，進行將玻璃基板與聚亞醯胺基板分離的製程。因此，製造了包括可撓性聚亞醯胺基板的OLED顯示器。
將薄膜覆晶附著到OLED顯示器的焊墊部的過程是透過在薄膜覆晶上形成各向異性導電膜，然後在焊墊部上進行捲帶式接合製程來進行。執行捲帶式接合製程以按壓焊墊部、各向異性導電膜、以及薄膜覆晶，以使用各向異性導電膜的導電球將焊墊部與薄膜覆晶電性連接。然而，各向異性導電膜根據各向異性導電膜的數量或壓力從基板的端部溢出，存在玻璃基板和聚亞醯胺基板被各向異性導電膜黏附的問題。因此，將玻璃基板與聚亞醯胺基板分離的後續製程是困難的。
因此，本發明涉及一種顯示裝置，基本上消除了由於先前技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題。
本發明的一個目的是提供一種顯示裝置，能够透過在焊墊部中形成凹部來防止各向異性導電膜從基板溢出。
本發明的另一個目的是提供一種顯示裝置，能够透過確保玻璃基板的分離製程的可靠性來防止驅動不良並且提高產量。
本發明的另外特徵和優點將在以下描述中闡述，並且部分地將從描述中顯而易見，或者可以通過本發明的實踐而習得。本發明的目的和其它優點將透過在書面描述及其申請專利範圍以及附圖中具體指出的結構來實現和獲得。
為了實現這些和其它優點並且根據本發明的目的，如這裡具體且廣泛地描述，一顯示裝置包括：一基板；一顯示區域，在該基板上並且被配置以顯示影像；一焊墊部，在該基板的至少一個邊緣上，該焊墊部包括至少一個凹部；一各向異性導電膜，在該焊墊部上並且填充該至少一個凹部，該各向異性導電膜與該基板的端部間隔開；以及一可撓性印刷電路板，在該各向異性導電膜上並且電性連接到該焊墊部。
在另一態樣中，一種製造顯示裝置的方法，該方法包括：提供一基板以及一焊墊部，該基板定義一顯示區域，該顯示區域在該基板上並且被配置以顯示影像，該焊墊部在該基板的至少一個邊緣上，該焊墊部包括至少一個凹部；在該焊墊部上形成各向異性導電膜且填充該至少一個凹部，該各向異性導電膜與該基板的端部間隔開；以及提供一可撓性印刷電路板，該可撓性印刷電路板在該各向異性導電膜上並且電性連接到該焊墊部。
應當理解的是，以上一般性描述和以下詳細描述都是例示性和說明性的，並且旨在提供對所請求保護的本發明的進一步解釋。
10‧‧‧影像處理單元
20‧‧‧時序控制器
30‧‧‧資料驅動器
40‧‧‧閘極驅動器
50‧‧‧顯示面板
DATA‧‧‧資料信號
DE‧‧‧資料致能信號
GDC‧‧‧閘極時序控制信號
DDC‧‧‧資料時序控制信號
DL1~DLn‧‧‧資料線
GL1~GLm‧‧‧閘極線
SW‧‧‧開關電晶體
DR‧‧‧驅動電晶體
CC‧‧‧補償電路
VDD‧‧‧高電位電源線
OLED‧‧‧有機發光二極體
GND‧‧‧低電位電源線
DL1‧‧‧第一資料線
GL1‧‧‧第一閘極線
GL1a‧‧‧1-1閘極線
GL1b‧‧‧1-2閘極線
PI‧‧‧基板
A/A‧‧‧顯示區域
SP‧‧‧子像素
GP‧‧‧閘極焊墊部
DP‧‧‧資料焊墊部
DSL‧‧‧資料信號線
BUF1‧‧‧第一緩衝層
BUF2‧‧‧第二緩衝器
ACT‧‧‧半導體層
LS‧‧‧遮蔽層
ILD‧‧‧層間介電層
GI‧‧‧閘極絕緣層
CH‧‧‧接觸孔
GA‧‧‧閘電極
SE‧‧‧源電極
DE‧‧‧汲電極
TFT‧‧‧薄膜電晶體
PAS‧‧‧鈍化層
ANO‧‧‧第一電極
BNK‧‧‧堤岸層
OC‧‧‧外塗層
EML‧‧‧發光層
CAT‧‧‧第二電極
VIA‧‧‧通孔
FCH‧‧‧第一孔
SCH‧‧‧第二孔
GCH‧‧‧第三孔
SINK‧‧‧凹部
PCNT1‧‧‧第一接觸孔
PCNT2‧‧‧第二接觸孔
PCNT3‧‧‧第三接觸孔
GSL‧‧‧閘極信號線
PEL‧‧‧焊墊電極
ACF‧‧‧各向異性導電膜
AR‧‧‧黏合樹脂
CB‧‧‧導電球
COF‧‧‧可撓性印刷電路板
SF‧‧‧可撓性膜
CSL‧‧‧可撓性印刷電路線
SML‧‧‧源極金屬層
附圖說明本發明的實施例並且與說明書一起用於解釋本發明的原理，其中所述附圖係提供本發明的進一步理解，以及被併入且構成本說明書的一部分。在圖式中：
第1圖是有機發光二極體(OLED)顯示器的示意性方塊圖；第2圖是說明子像素的電路配置的第一示例；第3圖是說明子像素的電路配置的第二示例；第4圖是說明根據第一示例實施例的OLED顯示器的平面圖；第5圖是說明根據第一示例實施例的OLED顯示器的子像素的剖面圖；第6圖是第4圖所示之閘極焊墊部的放大平面圖；第7圖是沿第6圖的I-I'線所截取的剖面圖；第8圖是第4圖所示的資料焊墊部的放大平面圖；第9圖是沿第8圖的II-II'線所截取的剖面圖；第10圖至第13圖是說明根據第一示例實施例的OLED顯示器的平面圖；第14圖是說明根據第二示例實施例的OLED顯示器的焊墊部的平面圖；第15圖是沿第14圖的III-III'線所截取的剖面圖；第16圖是說明根據比較示例的OLED顯示器；第17圖是說明根據比較示例的OLED顯示器的側面影像；第18圖是說明根據比較示例的OLED顯示器的平面影像；第19圖是說明根據示例實施例的OLED顯示器的影像；以及第20圖是說明取決於根據示例實施例之OLED顯示器的凹部寬度的各向異性導電膜的溢出量的圖。
現在將詳細參考本發明的實施例，所述實施例的示例在附圖中說明。儘可能地，在所有附圖中使用相同的參考編號代表相同或相似的部件。應注意的是，如果確定已知技術的具體描述可能誤導本發明的實施例，則將省略對已知技術的詳細描述。在以下說明中，使用的各個元件的名稱僅僅是為了方便撰寫本說明書而選擇的，可以與實際產品中使用的不同。
根據示例實施例的顯示裝置是塑料顯示裝置，其中顯示元件形成在可撓性塑料基板上。塑料顯示裝置的示例包括：有機發光二極體(OLED)顯
示器、液晶顯示器(LCD)、以及電泳顯示器。實施例係使用舉例之OLED顯示器來描述。OLED顯示器包括在用作陽極的第一電極和用作陰極的第二電極之間的發光層，該發光層由有機材料形成。OLED顯示器是自發光顯示裝置，自發光顯示裝置配置為透過在發光層內將從第一電極接收的電洞和從第二電極接收的電子結合形成電洞-電子對，即激子，並且透過當激子返回到位準基態時，產生能量而發光。根據實施例的OLED顯示器可替代地使用玻璃基板而不是塑料基板。
以下參考第1圖至第20圖說明示例實施例。
第1圖是OLED顯示器的方塊圖。第2圖是說明子像素的電路配置的第一示例。第3圖是說明子像素的電路配置的第二示例。
參考第1圖，根據示例實施例的OLED顯示器包括：影像處理單元10、時序控制器20、資料驅動器30、閘極驅動器40、以及顯示面板50。影像處理單元10輸出從外部提供的資料信號DATA和資料致能信號DE。除了資料致能信號DE之外，影像處理單元10可以輸出垂直同步信號、水平同步信號、以及時脈信號中的一個或多個。為了簡潔和易於閱讀，這些信號未顯示。影像處理單元10以積體電路(IC)形式形成在系統電路板上。
時序控制器20從影像處理單元10接收資料信號DATA和包括資料致能信號DE或垂直同步信號、水平同步信號、時脈信號等的驅動信號。時序控制器20基於驅動信號輸出用於控制閘極驅動器40的操作時序的閘極時序控制信號GDC和用於控制資料驅動器30的操作時序的資料時序控制信號DDC。時序控制器20可以形成在作為積體電路(IC)的控制電路板上。
資料驅動器30響應於從時序控制器20提供的資料時序控制信號DDC對從時序控制器20接收的資料信號DATA進行採樣和鎖存，並且資料驅動器30使用伽瑪參考電壓轉換所採樣和鎖存的資料信號DATA。資料驅動器30將所轉換的資料信號DATA輸出到資料線DL1至DLn。資料驅動器30附接到作為IC的基板上。
閘極驅動器40輸出閘極信號同時轉換閘極電壓位準以響應從時序控制器20提供的閘極時序控制信號GDC。閘極驅動器40將閘極信號輸出到閘極線GL1~GLm。閘極驅動器40以IC形式形成在閘極電路板上，或者以面板內
閘極(gate-in panel,GIP)方式形成在顯示面板50上。顯示面板50響應於分別從資料驅動器30和閘極驅動器40接收的資料信號DATA和閘極信號來顯示影像。顯示面板50包括用於顯示影像的子像素SP。
如第2圖所示，每一個子像素包括開關電晶體SW、驅動電晶體DR、補償電路CC、以及有機發光二極體(OLED)。OLED基於由驅動電晶體DR產生的驅動電流來操作發光。
開關電晶體SW執行開關操作，使得通過第一資料線DL1提供的資料信號儲存在作為資料電壓的電容器中以響應通過第一閘極線GL1提供的閘極信號。驅動電晶體DR基於儲存在電容器中的資料電壓使得驅動電流在高電位電源線VDD和低電位電源線GND之間流動。補償電路CC是用於補償驅動電晶體DR的臨界值電壓的電路。連接到開關電晶體SW或驅動電晶體DR的電容器可以安裝在補償電路CC內部。
補償電路CC包括一個或多個薄膜電晶體(TFT)和電容器。補償電路CC的配置可以取決於補償方法而進行各種改變。將對補償電路CC進行簡要描述。
如第3圖所示，包括補償電路CC的子像素可以進一步包括用於驅動補償TFT並提供預定信號或電功率的信號線和電源線。附加信號線可以被定義為用於驅動包括在子像素中的補償TFT的1-2閘極線GL1b。在第3圖中，“GL1a”是用於驅動開關電晶體SW的1-1閘極線。附加電源線可以被定義為初始化電源線INIT用於以預定電壓初始化子像素的預定節點。然而，這僅僅是示例，並且實施例並不侷限於此。
第2圖和第3圖是通過示例說明子像素包括補償電路CC。然而，當要補償的對象(例如，資料驅動器30)位於子像素外部時，可以省略補償電路CC。子像素具有2T(電晶體)1C(電容器)的配置，該配置中設置有開關電晶體SW、驅動電晶體DR、電容器、以及OLED。然而，當補償電路CC附加到子像素時，子像素可具有各種配置，諸如3T1C、4T2C、5T2C、6T2C、7T2C等等。
此外，第2圖和第3圖藉由示例顯示了補償電路CC位於開關電晶體SW與驅動電晶體DR之間。然而，補償電路CC可以進一步位於驅動電晶體DR與OLED之間。補償電路CC的位置和結構不限於第2圖和第3圖所示的位置和結構。
第4圖是說明根據第一示例性實施例之OLED顯示器的平面圖。第5圖是說明根據第一實施例之OLED顯示器的子像素的剖面圖。第6圖是第4圖所示的閘極焊墊部的放大平面圖。第7圖是沿著第6圖的I-I'線所截取的剖面圖。第8圖是第4圖所示的資料焊墊部的放大平面圖。第9圖是沿著第8圖的II-II'線所截取的剖面圖。第10圖至第13圖是說明根據第一實施例之OLED顯示器的平面圖。
參考第4圖，OLED顯示器包括：基板PI、顯示區域A/A、以及圍繞顯示區域A/A的閘極焊墊部GP和資料焊墊部DP。複數個子像素SP設置在顯示區域A/A中。子像素SP能够以R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)子像素配置或R、G、B、W(白色)子像素配置設置在顯示區域A/A中以表示全色。閘極焊墊部GP設置在顯示區域A/A的一側(例如，左側或右側)，從顯示區域A/A延伸的閘極信號線GSL設置在閘極焊墊部GP中。資料焊墊部DP設置在顯示區域A/A的一側(例如，下側)，從顯示區域A/A延伸的資料信號線DSL設置在資料焊墊部DP中。通過附接到閘極焊墊部GP的可撓性印刷電路板COF向閘極信號線GSL提供閘極信號。通過附接到資料焊墊部DP的可撓性印刷電路板COF向資料信號線DSL提供資料信號。
以下參考第5圖，描述根據示例實施例之OLED顯示器的子像素SP的剖面結構。
如第5圖所示，根據示例實施例在OLED顯示器中，第一緩衝層BUF1位於基板PI上。該基板PI可以由塑料製成，例如可以是聚亞醯胺基板。因此，根據實施例的基板PI具有可撓性特徵。第一緩衝層BUF1保護在後續製程中形成的薄膜電晶體免受雜質，例如從基板PI排出的鹼離子。第一緩衝層BUF1可以是氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層、或其多層。
遮蔽層LS位於第一緩衝層BUF1上。該遮蔽層LS防止透過使用聚亞醯胺基板可能產生的面板驅動電流的減小。第二緩衝器BUF2位於遮蔽層LS上。該第二緩衝器BUF2保護在後續製程中形成的薄膜電晶體免受雜質，例如從遮蔽層LS排出的鹼離子。第二緩衝層BUF2可以是氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層、或其多層。
半導體層ACT位於第二緩衝層BUF2上並且半導體層ACT可以由矽半導體或氧化物半導體形成。矽半導體可包括非晶矽或結晶多晶矽。多晶矽
具有高遷移率(例如，大於100cm2/Vs)、低功耗、以及優異的可靠性。因此，多晶矽可以應用於在驅動元件中使用的閘極驅動器及/或多工器(MUX)，或者多晶矽可以應用於OLED顯示器的每一個像素的驅動TFT。因為氧化物半導體具有低的截止電流，氧化物半導體適用於具有短導通時間和長截止時間的開關TFT。此外，因為氧化物半導體由於低截止電流增加了像素的電壓保持時間，氧化物半導體適用於需要低速驅動及/或低功耗的顯示裝置。另外，半導體層ACT包括每一個具有p型或n型雜質的汲極區域和源極區域，並且半導體層ACT同時包括在汲極區域與源極區域之間的通道區。
閘極絕緣層GI位於半導體層ACT上並且閘極絕緣層GI可以是氧化矽(SiO x)層、氮化矽(SiN x)層、或其多層。閘電極GA設置在閘極絕緣層GI上，對應於半導體層ACT的預定區域(即，當注入雜質時的通道區域)的位置處。閘電極GA可由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)中的一種或者其組合形成。此外，閘電極GA可以是由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)中的一種或其組合形成的多層。例如，閘電極GA可以形成為Mo/Al-Nd或Mo/Al的雙層。
層間介電層ILD位於閘電極GA上並且使閘電極GA絕緣。層間介電層ILD可以是氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層、或其多層。在層間介電層ILD和閘極絕緣層GI的每一個的一部分中形成暴露一部分半導體層ACT的接觸孔CH。
汲電極DE和源電極SE設置在層間介電層ILD上。汲電極DE通過暴露半導體層ACT的汲極區的接觸孔CH連接到半導體層ACT，並且源電極SE通過暴露半導體層ACT的源極區的接觸孔CH連接到半導體層ACT。源電極SE和汲電極DE中的每一個可以形成為單層或多層。當源電極SE和汲電極DE中的每一個形成為單層時，源電極SE和汲電極DE中的每一個可以由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)或其組合形成。當源電極SE和汲電極DE中的每一個形成為多層時，源電極SE和汲電極DE中的每一個可以形成為Mo/Al-Nd的雙層或者形成為Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、
或Mo/Al-Nd/Mo的三層。因此，形成了包括半導體層ACT、閘電極GA、源電極SE以及汲電極DE的薄膜電晶體TFT。
此外，鈍化層PAS位於包括薄膜電晶體TFT的基板PI上。鈍化層PAS是保護鈍化層PAS下面的部件的絕緣層並且鈍化層PAS可以是氧化矽(SiO x)層、氮化矽(SiN x)層、或其多層。外塗層OC位於鈍化層PAS上。外塗層OC可以是用於減小下層結構的高度差的平坦化層，並且外塗層OC可以由有機材料形成，例如聚亞醯胺、苯並環丁烯基樹脂(benzocyclobutene-based resin)以及丙烯酸酯(acrylate)。例如，外塗層OC可以通過旋轉塗佈玻璃(spin-on glass,SOG)方法形成，用於在液態狀態中塗覆有機材料，然後固化該有機材料。
暴露薄膜電晶體TFT的汲電極DE的通孔VIA位於外塗層OC的一部分中。有機發光二極體OLED位於外塗層OC上。更具體而言，第一電極ANO位於外塗層OC上。第一電極ANO用作像素電極，並且第一電極ANO通過通孔VIA連接到薄膜電晶體TFT的汲極DE。第一電極ANO是陽極，並且第一電極ANO可以由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、以及氧化鋅(ZnO)的透明導電材料形成。當第一電極ANO是反射電極時，第一電極ANO還可以包括反射層。反射層可以由鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、或其組合形成。例如，反射層可以由Ag/Pd/Cu(APC)合金形成。
此外，限定像素的堤岸層BNK位於包括第一電極ANO的基板PI上。堤岸層BNK可以由有機材料形成，例如聚亞醯胺、苯並環丁烯基樹脂、以及丙烯酸酯。堤岸層BNK包括暴露第一電極ANO的一像素定義部。與第一電極ANO接觸的發光層EML位於堤岸層BNK的像素定義部中。發光層EML是其中電子和電洞結合並發出光的層。電洞注入層及/或電洞傳輸層位於發光層EML和第一電極ANO之間，並且電子注入層及/或電子傳輸層可以位於發光層EML上。
第二電極CAT位於發光層EML上並且第二電極CAT可以位於基板PI的顯示區域A/A(參見第4圖)的整個表面上。此外，第二電極CAT是陰極電極，並且第二電極CAT可以由各自具有低功函數的鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋁(Al)、銀(Ag)、或其組合形成。當第二電極CAT是透射電極時，第二電極CAT可以足够薄以透射光。此外，當第二電極CAT是反射電極時，第二電極CAT可以足够厚以反射光。
在示例性OLED顯示器中，可撓性印刷電路板通過各向異性導電膜附接到閘極焊墊部和資料焊墊部。
閘極焊墊部的詳細配置將參考第6圖和第7圖進行說明。第一緩衝層BUF1位於基板PI上，並且第二緩衝層BUF2位於第一緩衝層BUF1上。在第二緩衝層BUF2的一部分中具有第一孔FCH。閘極絕緣層GI位於第二緩衝層BUF2上，並且在閘極絕緣層GI的一部分中具有第二孔SCH。閘極絕緣層GI的第二孔SCH設置在對應於第二緩衝層BUF2的第一孔FCH。
閘極信號線GSL位於閘極絕緣層GI上。閘極信號線GSL是從顯示區域的閘極線延伸的線，並且在閘極信號線GSL的一部分中具有第三孔GCH。閘極信號線GSL的第三孔GCH設置在對應於第二緩衝層BUF2的第一孔FCH和閘極絕緣層GI的第二孔SCH。層間介電層ILD位於閘極信號線GSL上，並且層間介電層ILD使閘極信號線GSL絕緣。在層間介電層ILD的一部分中具有第一接觸孔PCNT1，並且層間介電層ILD通過第一接觸孔PCNT1暴露閘極信號線GSL。層間介電層ILD覆蓋第二緩衝層BUF2的第一孔FCH、閘絕緣層GI的第二孔SCH、以及閘極信號線GSL的第三孔GCH。
源極金屬層SML位於層間介電層ILD上並且源極金屬層SML通過層間介電層ILD的第一接觸孔PCNT1連接到閘極信號線GSL。源極金屬層SML沿著層間介電層ILD形成並且源極金屬層SML覆蓋第二緩衝層BUF2的第一孔FCH、閘極絕緣層GI的第二孔SCH、以及閘極信號線GSL的第三孔GCH。鈍化層PAS位於源極金屬層SML上並且在鈍化層PAS的一部分中具有暴露源極金屬層SML的第二接觸孔PCNT2。鈍化層PAS沿著源極金屬層SML形成並且鈍化層PAS覆蓋第二緩衝層BUF2的第一孔FCH、閘極絕緣層GI的第二孔SCH、以及閘極信號線GSL的第三孔GCH。焊墊電極PEL位於鈍化層PAS上。焊墊電極PEL可以使用與顯示區域的第一電極相同的材料形成並且焊墊電極PEL通過鈍化層PAS的第二接觸孔PCNT2連接到源極金屬層SML。因此，形成了包括：第一緩衝層BUF1、第二緩衝層BUF2、閘極絕緣層GI、閘極信號線GSL、層間介電層ILD、源極金屬層SML、鈍化層PAS、以及焊墊電極PEL的閘極焊墊部。
可撓性印刷電路板COF通過各向異性導電膜ACF附接到閘極焊墊部的基板PI。可撓性印刷電路板COF可以是薄膜覆晶(chip-on-film)，其中驅動
器IC包括在可撓性膜SF中。可撓性印刷電路板COF包括含在可撓性膜SF中的可撓性印刷電路線CSL。各向異性導電膜ACF被配置為使得複數個導電球CB分布在黏合樹脂AR中。各向異性導電膜ACF將基板PI電性連接到可撓性印刷電路板COF，同時將基板PI附接到可撓性印刷電路板COF。亦即，各向異性導電膜ACF的導電球CB接觸焊墊電極PEL和可撓性印刷電路線CSL並且將焊墊電極PEL電性連接到可撓性印刷電路線CSL。
凹部SINK可以被配置為使第二緩衝層BUF2的第一孔FCH、閘極絕緣層GI的第二孔SCH、以及閘極信號線GSL的第三孔GCH設置為彼此重叠。凹部SINK可以是一種凹槽並且可以收納各向異性導電膜ACF的一部分。凹部SINK與閘極信號線GSL交叉並且在按壓各向異性導電膜ACF時，凹部SINK防止各向異性導電膜ACF被推出。此外，由於凹部SINK與基板PI的端部分隔開，凹部SINK可以防止各向異性導電膜ACF從基板PI的端部溢出。在凹部SINK與基板PI的端部分開的情況下，凹部SINK的寬度W可以等於或大於70μm。因此，凹部SINK收納各向異性導電膜ACF並且凹部SINK可以防止各向異性導電膜ACF從基板PI的端部溢出。然而，實施例不侷限於此。在凹部SINK被包括在閘極焊墊部的情況下，凹部SINK的寬度W可以盡可能地大，因此凹部SINK可以防止各向異性導電膜ACF從基板PI的端部溢出。
資料焊墊部的詳細配置將參考第8圖和第9圖進行說明。第一緩衝層BUF1位於基板PI上，並且第二緩衝層BUF2位於第一緩衝層BUF1上。在第二緩衝層BUF2的一部分中具有第一孔FCH。閘極絕緣層GI位於第二緩衝層BUF2上並且在其一部分中具有第二電洞SCH。閘極絕緣層GI的第二孔SCH設置在對應於第二緩衝層BUF2的第一孔FCH。層間介電層ILD位於閘極絕緣層GI上並且在其一部分中具有第四孔ICH。層間介電層ILD的第四孔ICH設置在對應於第二緩衝層BUF2的第一孔FCH和閘極絕緣層GI的第二孔SCH。
資料信號線DSL位於層間介電層ILD上。資料信號線DSL是從顯示區域的資料線延伸的線並且延伸到基板PI的端部。資料信號線DSL沿著層間介電層ILD形成並且資料信號線DSL覆蓋第二緩衝層BUF2的第一孔FCH、閘極絕緣層GI的第二孔SCH、以及層間介電層ILD的第四孔ICH。鈍化層PAS位於資料信號線DSL上並且在鈍化層PAS的一部分中具有暴露資料信號線DSL的第三接
觸孔PCNT3。鈍化層PAS沿著資料信號線DSL形成並且鈍化層PAS覆蓋第二緩衝層BUF2的第一孔FCH、閘絕緣層GI的第二孔SCH、以及層間介電層ILD的第四孔ICH。焊墊電極PEL位於鈍化層PAS上。焊墊電極PEL可以使用與顯示區域的第一電極相同的材料形成並且焊墊電極PEL通過鈍化層PAS的第三接觸孔PCNT3連接到資料信號線DSL。因此，形成了包括：第一緩衝層BUF1、第二緩衝層BUF2、閘極絕緣層GI、層間介電層ILD、資料信號線DSL、鈍化層PAS、以及焊墊電極PEL的資料焊墊部。
一可撓性印刷電路板COF通過各向異性導電膜ACF附接到資料焊墊部的基板PI。可撓性印刷電路板COF包括含在可撓性膜SF中的可撓性印刷電路線CSL。各向異性導電膜ACF被配置為使複數個導電球CB分布在黏合樹脂AR中。各向異性導電膜ACF將基板PI電性連接到可撓性印刷電路板COF，同時將基板PI附接到可撓性印刷電路板COF。亦即，各向異性導電膜ACF的導電球CB接觸焊墊電極PEL和可撓性印刷電路線CSL並且將焊墊電極PEL電性連接到可撓性印刷電路線CSL。
在本實施例中，一凹部SINK被配置為使得第二緩衝層BUF2的第一孔FCH、閘極絕緣層GI的第二孔SCH、以及層間介電層ILD的第四孔ICH設置為彼此重叠。凹部SINK與資料信號線DSL交叉並且在按壓各向異性導電膜ACF時，凹部SINK防止各向異性導電膜ACF被推出。此外，由於凹部SINK與基板PI的端部分隔開，凹部SINK可以防止各向異性導電膜ACF從基板PI的端部溢出。在凹部SINK與基板PI的端部分開的情況下，凹部SINK的寬度W可以等於或大於70μm。因此，凹部SINK收納各向異性導電膜ACF並且凹部SINK可以防止各向異性導電膜ACF從基板PI的端部溢出。然而，實施例不侷限於此。在資料焊墊部包括凹部SINK的情況下，凹部SINK的寬度W可以盡可能地大，從而凹部SINK可以防止各向異性導電膜ACF從基板PI的端部溢出。
參考第10圖，凹部SINK可以被包括在閘極焊墊部GP和資料焊墊部DP的每一個中。在這種情況下，閘極焊墊部GP的凹部SINK可以與基板PI的端部平行連續地設置。例如，閘極焊墊部GP的一個凹部SINK可以與基板PI的端部平行地設置並且可以與三個可撓性印刷電路板COF全部重叠。此外，資料焊墊部DP的凹部SINK可以與基板PI的端部平行連續地設置。例如，資料焊墊部DP
的一個凹部SINK可以與基板PI的端部平行地設置並且可以與四個可撓性印刷電路板COF全部重叠。
如第11圖所示，凹部SINK可以被包括在閘極焊墊部GP和資料焊墊部DP的每一個中。在這種情況下，閘極焊墊部GP的凹部SINK可以與基板PI的端部不連續地平行設置。例如，閘極焊墊部GP的三個凹部SINK可以與基板PI的端部平行地設置並且可以分別與三個可撓性印刷電路板COF重叠。此外，資料焊墊部DP的凹部SINK可以與基板PI的端部不連續地平行地設置。例如，資料焊墊部DP的四個凹部SINK可以與基板PI的端部平行地設置，並且可以分別與四個可撓性印刷電路板COF重叠。
如第12圖所示，凹部SINK可以被包括在閘極焊墊部GP和資料焊墊部DP的每一個中。在這種情況下，閘極焊墊部GP的凹部SINK可以與基板PI的端部連續地平行地設置，並且凹部SINK可以是複數個。例如，閘極焊墊部GP的兩個凹部SINK可以與基板PI的端部平行地設置並且可以與三個可撓性印刷電路板COF全部重叠。此外，資料焊墊部DP的凹部SINK可以與基板PI的端部平行連續設置，並且凹部SINK可以是複數個。例如，資料焊墊部DP的兩個凹部SINK可以與基板PI的端部平行地設置，並且可以與四個可撓性印刷電路板COF全部重叠。
參考第13圖，凹部SINK可以被包括在閘極焊墊部GP和資料焊墊部DP的每一個中。在這種情況下，閘極焊墊部GP的凹部SINK可以與基板PI的端部不連續地平行地設置，並且凹部SINK可以是複數個。例如，閘極焊墊部GP的六個凹部SINK可以與基板PI的端部平行地設置，並且每一個包括兩個凹部SINK的三個群組可以分別與三個可撓性印刷電路板COF重叠。此外，資料焊墊部DP的凹部SINK可以與基板PI的端部不連續地平行地設置，並且凹部SINK可以是複數個。例如，資料焊墊部DP的八個凹部SINK可以與基板PI的端部平行地設置，並且每一個包括兩個凹部SINK的四個群組可以分別與四個可撓性印刷電路板COF重叠。
然而，實施例並不侷限於這些示例。例如，凹部的數量、形狀、位置等可以進行各種改變，只要防止包括在焊墊部中的各向異性導電膜從基板溢出即可。
第14圖是說明根據第二示例性實施例之OLED顯示器的焊墊部的平面圖。第15圖是沿著第14圖的III-III'線所截取的剖面圖。在以下描述中，藉由示例說明閘極焊墊部。
根據第二示例性實施例的閘極焊墊部的詳細配置將參照第14圖和第15圖進行說明。第一緩衝層BUF1位於基板PI上，並且第二緩衝層BUF2位於第一緩衝層BUF1上。閘極絕緣層GI位於第二緩衝層BUF2上並且在其一部分中具有第二電洞SCH。閘極信號線GSL位於閘極絕緣層GI上，閘極信號線GSL是從顯示區域的閘極線延伸的線並且在其一部分中具有第三孔GCH。閘極信號線GSL的第三孔GCH設置在對應於閘極絕緣層GI的第二孔SCH。層間介電層ILD位於閘極信號線GSL上並且使得閘極信號線GSL絕緣。在層間介電層ILD的一部分中具有第一接觸孔PCNT1並且通過第一接觸孔PCNT1暴露閘極信號線GSL。層間介電層ILD覆蓋閘極絕緣層GI的第二孔SCH以及閘極信號線GSL的第三孔GCH。
源極金屬層SML位於層間介電層ILD上並且源極金屬層SML通過層間介電層ILD的第一接觸孔PCNT1連接到閘極信號線GSL。源極金屬層SML沿著層間介電層ILD形成，並且源極金屬層SML覆蓋閘極絕緣層GI的第二孔SCH、以及閘極信號線GSL的第三孔GCH。鈍化層PAS位於源極金屬層SML上並且在其一部分中具有暴露的源極金屬層SML的第二接觸孔PCNT2。鈍化層PAS沿著源極金屬層SML形成，並且鈍化層PAS覆蓋閘極絕緣層GI的第二孔SCH以及閘極信號線GSL的第三孔GCH。焊墊電極PEL位於鈍化層PAS上。焊墊電極PEL通過鈍化層PAS的第二接觸孔PCNT2連接到源極金屬層SML。焊墊電極PEL延伸到基板PI的端部。因此，形成了包括：第一緩衝層BUF1、第二緩衝層BUF2、閘極絕緣層GI、閘極信號線GSL、層間介電層ILD、源極金屬層SML、鈍化層PAS、以及焊墊電極PEL的閘極焊墊部。
可撓性印刷電路板COF通過各向異性導電膜ACF附接到閘極焊墊部的基板PI。可撓性印刷電路板COF包括含在可撓性膜SF中的可撓性印刷電路線CSL。各向異性導電膜ACF被配置為使得複數個導電球CB分布在黏合樹脂AR中。各向異性導電膜ACF將基板PI電性連接到可撓性印刷電路板COF，同時將基板PI附接到可撓性印刷電路板COF。亦即，各向異性導電膜ACF的導電球CB接
觸焊墊電極PEL和可撓性印刷電路線CSL並且將焊墊電極PEL電性連接到可撓性印刷電路線CSL。
在第二實施例中，一凹部SINK被配置為使閘極絕緣層GI的第二孔SCH和閘極信號線GSL的第三孔GCH設置為彼此重叠。凹部SINK與焊墊電極PEL交叉，並且在按壓各向異性導電膜ACF時凹部SINK防止各向異性導電膜ACF被推出。此外，因為凹部SINK與基板PI的端部分隔開，所以凹部SINK可以防止各向異性導電膜ACF從基板PI的端部溢出。在凹部SINK與基板PI的端部分開的情況下，凹部SINK的寬度W可以等於或大於70μm。因此，凹部SINK收納各向異性導電膜ACF並且可以防止各向異性導電膜ACF從基板PI的端部溢出。然而，實施例不侷限於此。在閘極焊墊部包含凹部SINK的情況下，凹部SINK的寬度W可以盡可能地大，因此凹部SINK可以防止各向異性導電膜ACF從基板PI的端部溢出。
與第一實施例不同，在第二實施例中，第一緩衝層BUF1可不具有第一孔，並且焊墊電極PEL延伸到基板PI的端部。即，實施例可以在設置於與凹部對應的位置處的任何層中形成孔，並且實施例可以使用孔作為凹部。在這種情況下，閘極信號線GSL、源極金屬層SML、以及焊墊電極PEL中的至少一個延伸到基板PI的端部，並且可以在閘極信號線GSL、源極金屬層SML、以及焊墊電極PEL的至少一個上執行測試等。
如上所述，根據實施例的顯示裝置透過在焊墊部中形成凹部來防止各向異性導電膜從基板溢出。因此，實施例透過確保玻璃基板的分離製程的可靠性來防止驅動不良並且提高產量。
在下文中，根據實施例描述顯示裝置的示例。然而，實施例不侷限於該示例。
根據示例實施例的OLED顯示器係如第4圖所示進行製造。在這種情況下，根據示例性實施例的閘極焊墊部和資料焊墊部的每一個包括具有大約70μm的寬度的凹部，如第10圖所示。
根據比較示例的OLED顯示器係與示例性實施例相同方式來製造。然而，根據比較示例的閘極焊墊部和資料焊墊部的每一個不包括凹部。
第16圖是說明根據比較示例的OLED顯示器。第17圖是說明根據比較示例之OLED顯示器的側面影像。第18圖是說明根據比較示例之OLED顯示器的平面影像。第19圖是說明根據示例實施例之OLED顯示器的影像。第20圖是說明取決於根據示例性實施例之OLED顯示器的凹部寬度的各向異性導電膜的溢出量的圖。
在第16圖中，根據比較示例的OLED顯示器的焊墊部被配置為使得基板PI位於玻璃GLS上，並且包括在TFT中的緩衝層、閘極絕緣層、層間介電層等位於基底PI上。可撓性印刷電路板COF通過各向異性導電膜ACF附接到焊墊部。當按壓各向異性導電膜ACF時，各向異性導電膜ACF在被擠壓的同時擴散。在這種情況下，各向異性導電膜ACF的一部分從基板PI溢出並且將基板PI附接到玻璃GLS的側面。如從第17圖和第18圖可以看出，各向異性導電膜ACF從基板PI和玻璃GLS溢出。如上所述，當透過各向異性導電膜ACF將基板PI附著到玻璃GLS的側面時，在將基板PI與玻璃GLS分離的製程中，基板PI和玻璃GLS之間的分離產生問題(例如，不可分開)。
從第19圖中可以清楚地看出，根據示例實施例在OLED顯示器中，在焊墊部中形成凹部。如第20圖所示，當凹部的寬度為10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、以及60μm時，各向異性導電膜溢出。然而，當凹部的寬度等於或大於70μm時，不會產生各向異性導電膜的溢出。
如上所述，根據實施例的顯示裝置透過在焊墊部中形成凹部來防止各向異性導電膜從基板溢出。因此，實施例可以透過確保玻璃基板的分離製程的可靠性來防止驅動不良並提高產量。
對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者顯而易見的是，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可以在本發明的顯示裝置中進行各種修改和變化。因此，本發明旨在涵蓋修改和變化，只要它們落入後附申請專利範圍及其均等範圍內。
Claims (10)
- 一種顯示裝置，包括：一基板；一顯示區域，在該基板上並且被配置以顯示影像；一焊墊部，在該基板的至少一個邊緣上，該焊墊部包括一焊墊電極和至少一個凹部；一各向異性導電膜，在該焊墊部上並且填充該至少一個凹部，該各向異性導電膜與該基板的端部間隔開；以及一可撓性印刷電路板，在該各向異性導電膜上並且電性連接到該焊墊部，其中該凹部設置在該焊墊電極和該基板的端部之間。
- 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該焊墊部包括從該基板的端部延伸的複數條線，並且其中該至少一個凹部與該複數條線相交。
- 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該焊墊部進一步包括：一第一緩衝層，在該基板上；一第二緩衝層，在該第一緩衝層上；一閘極絕緣層，在該第二緩衝層上；一第一線，在該閘極絕緣層上；一層間介電層，在該第一線上；一第二線，在該層間介電層上；以及一鈍化層，在該第二線上，其中該焊墊電極設置在該鈍化層上。
- 依據申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，其中，該凹部包括在該第二緩衝層、該閘極絕緣層、以及該第一線中的孔。
- 依據申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，其中，該凹部包括在該第二緩衝層、該閘極絕緣層、以及該層間介電層中的孔。
- 依據申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，其中，該凹部包括在該閘極絕緣層以及該第一線中的孔。
- 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該焊墊部包括：一閘極焊墊部和一資料焊墊部，並且其中該凹部連續地設置在該閘極焊墊部和該資料焊墊部的每一個中。
- 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該焊墊部包括：一閘極焊墊部和一資料焊墊部，並且其中該凹部不連續地設置在該閘極焊墊部和該資料焊墊部的每一個中。
- 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該凹部包括與該基板的端部平行設置的複數個凹部。
- 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該凹部的寬度等於或大於70μm。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ??10-2016-0092729 | 2016-07-21 | ||
| KR1020160092729A KR101853032B1 (ko) | 2016-07-21 | 2016-07-21 | 표시장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201804606A TW201804606A (zh) | 2018-02-01 |
| TWI623097B true TWI623097B (zh) | 2018-05-01 |
Family
ID=60890240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105143042A TWI623097B (zh) | 2016-07-21 | 2016-12-23 | 顯示裝置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10224503B2 (zh) |
| JP (1) | JP6479748B2 (zh) |
| KR (1) | KR101853032B1 (zh) |
| CN (1) | CN107644889B (zh) |
| DE (1) | DE102016125945B4 (zh) |
| TW (1) | TWI623097B (zh) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN106449666B (zh) * | 2016-12-02 | 2018-04-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
| CN108877545B (zh) * | 2018-06-29 | 2020-12-22 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示装置 |
| CN109240003A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-18 | 重庆惠科金渝光电科技有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板制造方法 |
| US10809576B2 (en) | 2018-09-30 | 2020-10-20 | HKC Corporation Limited | Display panel, display device, and method for manufacturing display panel |
| KR102542808B1 (ko) * | 2018-10-15 | 2023-06-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
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| CN110289270B (zh) * | 2019-06-28 | 2021-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| KR20210010763A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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-
2016
- 2016-07-21 KR KR1020160092729A patent/KR101853032B1/ko active IP Right Grant
- 2016-12-23 TW TW105143042A patent/TWI623097B/zh active
- 2016-12-28 US US15/392,076 patent/US10224503B2/en active Active
- 2016-12-28 JP JP2016254873A patent/JP6479748B2/ja active Active
- 2016-12-30 CN CN201611272989.7A patent/CN107644889B/zh active Active
- 2016-12-30 DE DE102016125945.4A patent/DE102016125945B4/de active Active
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- 2019-02-16 US US16/278,077 patent/US10446789B2/en active Active
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| US10446789B2 (en) | 2019-10-15 |
| US10224503B2 (en) | 2019-03-05 |
| US20180026227A1 (en) | 2018-01-25 |
| DE102016125945B4 (de) | 2020-06-04 |
| JP2018013762A (ja) | 2018-01-25 |
| TW201804606A (zh) | 2018-02-01 |
| CN107644889A (zh) | 2018-01-30 |
| KR101853032B1 (ko) | 2018-06-05 |
| JP6479748B2 (ja) | 2019-03-06 |
| DE102016125945A1 (de) | 2018-01-25 |
| KR20180011396A (ko) | 2018-02-01 |
| CN107644889B (zh) | 2020-12-25 |
| US20190181377A1 (en) | 2019-06-13 |
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