JP2010225845A - 基板の接続構造、電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】フレキシブル基板と薄型のパネル基板とを接合する接続構造など、異方性導電膜を用いて基板と基板とを接合する基板の接続構造において、パネル基板にヒビや亀裂が発生する虞がない信頼性のある接続構造が望まれていた。
【解決手段】フレキシブル基板２は、その端部から電極端子２１に沿って基材部分が除去されたスリット状の開口部２５が形成されている。開口部２５は、フレキシブル基板２を素子基板１に接合した状態において、フレキシブル基板２の端面２Ｅから、素子基板１の端面１Ｅと平面的に重ならない長さで形成されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板の接続構造、この基板の接続構造で接続された基板を備えた電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器に関する。

従来より、例えば有機ＥＬパネルなどの電気光学装置では、有機ＥＬパネルを構成するパネル基板に設けられた画素に画像を表示するための画像信号を入力し、入力した画像信号をパネル基板内で所定の信号処理を行うことによって、画素に画像を表示することが行われている。

このとき、有機ＥＬパネルでは、画像信号が供給される可撓性を有するフレキシブル基板を、ガラス板などのリジッド基板であるパネル基板の端部において、パネル基板に対して接合する基板の接続構造が設けられている。そして、この基板の接続構造によって、フレキシブル基板に配線形成された電極端子とパネル基板に配線形成された電極端子とを電気的に接続し、画像信号をフレキシブル基板側からパネル基板側に伝送することが行われている。そして、フレキシブル基板をパネル基板に対して接合する際には、接着性と厚さ方向への導電性とを有する異方性導電膜（ＡＣＦ）を介してフレキシブル基板とパネル基板とを接続する方法が多く採用されている。

このように、異方性導電膜を介してフレキシブル基板とパネル基板とを接合する接続構造において、パネル基板に対するフレキシブル基板の接合強度を向上させることが行われている。その方法として、接合時の熱圧着処理によって潰された異方性導電膜の材料をパネル基板の端面に食み出させ、端面に食み出した異方性導電膜によって、パネル基板に対するフレキシブル基板の接合強度を向上させるようにしていた。そのほか、例えば特許文献１では、フレキシブル基板の接合部分に貫通孔を設け、硬化前の異方性導電膜が、設けた貫通孔に流れて硬化することで、接合部分の強度を増す技術も開示されている。

特開平１１−２９７３８６号公報

しかしながら、近年有機ＥＬパネルの薄型化のためにパネル基板が薄くなり、異方性導電膜を介してフレキシブル基板とパネル基板とを接合する接続構造においては、新たな課題が生じている。すなわち、パネル基板が薄くなったことで、接合時の熱圧着処理によって潰され、パネル基板の端面側に食み出した異方性導電膜が、さらにパネル基板の端面領域内で留まらず、熱圧着処理のためにパネル基板を載置するステージに付着してしまうことが生じる。この結果、パネル基板（有機ＥＬパネル）をステージから離す際に、パネル基板にストレスを与えてしまうことが生じ、パネル基板にヒビや亀裂が発生するなど、接合部分の信頼性を劣化させてしまう虞が生じていた。

従って、例えば、フレキシブル基板と薄型のパネル基板とを接合する接続構造など、異方性導電膜を用いて基板と基板とを接合する基板の接続構造において、パネル基板にヒビや亀裂が発生する虞がない信頼性のある接続構造が望まれていた。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］第１電極端子が基板面に形成された第１基板に対して、第２電極端子が基板面に形成された第２基板が異方性導電膜を介在して接合され、前記第１電極端子と前記第２電極端子とが電気的に接続された基板の接続構造であって、前記異方性導電膜が、平面的に前記第１基板の基板面外に食み出さない状態で、前記第２基板が前記第１基板に接合されていることを特徴とする。

この構成によれば、異方性導電膜を熱圧着して、第１基板に対して第２基板を接合したとき、圧着されて潰れた異方性導電膜の材料が第１基板から平面的に基板面外へ食み出ない。この結果、基板面外に食み出した異方性導電膜が第１基板の端面を介してステージに付着することが抑制されるので、第１基板に対してストレスを与えることなく第１基板をステージから取り外すことができる。

［適用例２］上記基板の接続構造であって、前記第２基板には、前記第２電極端子が形成された基板面において、前記第２電極端子が形成されていない領域に、前記第２基板の端面から前記第２電極端子に沿って、スリット状の溝部が形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、潰れた異方性導電膜は、スリット状の溝部に沿って第２基板の端面方向に流れるので、第１基板の端面方向へ異方性導電膜の材料が流れることが抑制される。従って、圧着されて潰れた異方性導電膜の材料が第１基板から平面的に基板面外へ食み出ることが回避され、基板面外に食み出した異方性導電膜が第１基板の端面を介してステージに付着することが抑制されるので、第１基板に対してストレスを与えることなく第１基板をステージから取り外すことができる。また、異方性導電膜の材料が溝部に流れるので、上記特許文献１と同様に、第１基板と第２基板との接合強度が向上するという効果も奏する。

［適用例３］上記基板の接続構造であって、前記溝部は、前記第２基板の一方の基板面側から他方の基板面側まで貫通している開口部であることを特徴とする。

この構成によれば、溝部つまり開口部を流れる異方性導電膜の量が増えるので、第１基板の端面方向へ異方性導電膜の材料が流れることがさらに抑制される。また、第１基板と第２基板との接合強度がさらに向上する。

［適用例４］上記基板の接続構造であって、前記溝部は、前記第２基板が前記第１基板に接合された状態において、前記第１基板の端面と平面的に重ならない長さで形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、溝部が第１基板の端面と平面的に重ならないので、溝部を流れる異方性導電膜の材料が第１基板の端面方向に流れることを抑制することができる。従って、異方性導電膜の材料が第１基板の端面へ食み出してステージに付着することを回避できる。

［適用例５］上記基板の接続構造であって、前記第１基板には、前記第１電極端子が形成された基板面において、前記第１電極端子が形成されていない領域であって、少なくとも前記第２基板が接合される領域に溝部が形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、圧着された異方性導電膜の材料が、第１基板に形成された溝部に流れるので、第１基板の端面方向へ異方性導電膜の材料が流れることが抑制される。

［適用例６］上記基板の接続構造であって、前記第１基板に形成された前記溝部は、前記第１基板の端面と、平面的に重ならないように形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、異方性導電膜の材料が第１基板の端面方向へ流れないように抑制される確率が高くなる。

［適用例７］上記基板の接続構造であって、前記第２基板は、可撓性を有するフレキシブル基板であることを特徴とする。

この構成によれば、第２基板に溝部または開口部を形成することが容易である。

［適用例８］電気光学素子と、前記電気光学素子を駆動するための信号が入力される第１電極端子が基板面に形成された第１基板と、前記第１電極端子に接続され、前記電気光学素子を駆動するための信号を供給する第２電極端子が基板面に形成された第２基板と、を備えた電気光学装置であって、前記第１基板と前記第２基板とが、上記基板の接続構造によって接続されていることを特徴とする。

この電気光学装置によれば、基板間の接合の信頼性が高く薄型の電気光学装置を提供できる。

［適用例９］上記電気光学装置を表示装置として備えた電子機器。

この電子機器によれば、基板間の接合の信頼性が高く、表示部が薄型の電子機器を提供できる。

本発明の一実施形態となる電気光学装置としての有機ＥＬパネルの説明図。 従来の接続方法を示す説明図で、（ａ）は熱圧着前の状態、（ｂ）は熱圧着後の状態を示す図。 第１実施例の接続構造を示す平面図。 第１実施例の接続構造の断面部分についての説明図で、（ａ）は熱圧着前の状態、（ｂ）は熱圧着後の状態を示す図。 第２実施例の接続構造の説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は熱圧着後の状態を示す断面図。 第２実施例の変形例を示す図。 第３実施例の接続構造を示す説明図。 表示部に有機ＥＬパネルを組み込んだ携帯電話の模式図。

以下、本発明を実施形態に基づいて説明する。なお、以降の説明において用いる図面は、説明のために誇張して図示している場合もあり、必ずしも実際の大きさや長さを示すものでないことは言うまでもない。

（電気光学装置）
図１は、基板の接合部分に本発明の基板の接続構造を適用した一実施形態となる電気光学装置としての有機ＥＬパネル１００について、その構成を模式的に示した説明図である。有機ＥＬパネル１００は、第１基板としての素子基板１と、対向基板３とが、その周辺に配置された図示しないシール材によって、内部を封止状態にして貼り合わされた構造を有している。そして、表示領域１００ｄには図示しない電気光学素子としての画素が形成され、封止状態で貼り合わされた内部には、画素を表示駆動するための図示しない駆動回路が形成されている。

素子基板１は、対向基板３が対向していない領域部分に形成された接合部分おいて、第２基板としてのフレキシブル基板２が接合されている。具体的には、素子基板１に形成された複数の帯状の電極端子１１と、フレキシブル基板２に形成された複数の帯状の電極端子２１とが、図示しない異方性導電膜を介して熱圧着され、電気的に導通するように接合（接続）されている。この結果、フレキシブル基板２から供給される画像信号は、接続された電極端子２１と電極端子１１とを介して素子基板１に形成された駆動回路に送信され、画像信号に応じて画素が表示駆動されて表示領域１００ｄに画像が表示される。

次に、本実施形態の有機ＥＬパネル１００について、接合部分において行われる素子基板１とフレキシブル基板２との接続方法を説明する。なお、以降の説明では、比較のため、まず本発明を適用する前の接続構造である従来例について説明し、その後、本発明を適用した接続構造の実施例について説明する。

（従来例）
従来の接続構造について図２を用いて説明する。図２は、従来例の接続構造において行われる接合方法を断面で示した説明図で、（ａ）は熱圧着前の状態、（ｂ）は熱圧着後の状態を示す図である。また（ｃ）は、素子基板１の厚さが薄くなった場合における熱圧着後の状態を示す図である。

図２（ａ）に示すように、素子基板１は、載置面と反対側に電極端子１１が位置するようにステージ５に載置される。そして、素子基板１に形成された電極端子１１と、フレキシブル基板２に形成された電極端子２１とが対向するように、素子基板１とフレキシブル基板２とを平面的に配置した後、素子基板１とフレキシブル基板２との間に異方性導電膜４を配置する。この状態で、加熱された圧着ヘッド６をステージ５の方向に押し下げ、異方性導電膜４を潰すことによって、電極端子１１と電極端子２１との間において、面方向の絶縁を行いながら厚さ方向の電気的な接続を行うのである。

異方性導電膜４が潰されると、潰された異方性導電膜の材料は、素子基板１とフレキシブル基板２とが平面的に重なる領域外に広がり、図２（ｂ）に示したようになる。すなわち、熱圧着後の異方性導電膜４は、素子基板１とフレキシブル基板２とが平面的に重なる領域内の異方性導電膜４１と、フレキシブル基板２の端面２Ｅの方向に流れる異方性導電膜４２と、素子基板１の端面１Ｅの方向に流れる異方性導電膜４３とに分かれた形状になる。前述するように、この異方性導電膜４３によって、フレキシブル基板２と素子基板１との間の接続強度を向上させているのである。なお、素子基板１の端面１Ｅに沿う方向においても潰れた異方性導電膜４は流れるが、これについては本発明の本質ではないので、説明を省略している。

このとき、図２（ｂ）に示すように、素子基板１の厚さが厚い（例えば、凡そ５００μｍ）場合は、素子基板１の端面１Ｅの方向に流れた異方性導電膜４３は、基板外に食み出した場合でも、素子基板１の端面１Ｅが厚い場合は、端面１Ｅの面内に留まる確率が高い。従って、ステージ５の載置面に、異方性導電膜４３が付着することがないので、有機ＥＬパネル１００を、ストレスを与えることなくステージ５から容易に取り外すことができる。

しかしながら、図２（ｃ）に示すように、素子基板１の厚さが薄い（例えば、凡そ８０〜１００μｍ）場合は、素子基板１の端面１Ｅから基板外へ食み出した異方性導電膜４３は、素子基板１の端面１Ｅの面内に留まることができないことが生ずる。この結果、ステージ５の載置面５１に異方性導電膜４３が付着することになり、有機ＥＬパネル１００を、ステージ５から容易に取り外すことができなくなる。従って、無理やり取り外すと、素子基板１が薄いために、基板にヒビが入ったり割れたりしてしまうなどの不具合を生じてしまう。

そこで、有機ＥＬパネル１００の基板の接続構造は、異方性導電膜４が潰されたとき、素子基板１の端面１Ｅの方向に流れる異方性導電膜４３の量を抑制して、ステージ５の載置面５１に異方性導電膜４３が付着しないようにする接続構造とする。この基板の接続構造を、以下実施例に基づいて説明する。

（基板の接続構造の第１実施例）
第１実施例について図３を用いて説明する。図３は、本実施例の基板の接続構造を示す平面図である。図示するように、フレキシブル基板２は、電極端子２１が形成されていない領域に、電極端子２１に沿って基材部分が除去されたスリット状の開口部２５が形成されている。開口部２５は、機械的な加工方法や化学的な加工方法を用い、フレキシブル基板２を素子基板１に接合した状態において、フレキシブル基板２の端面２Ｅから、素子基板１の端面１Ｅと平面的に重ならない長さで形成されている。

本実施例では、開口部２５を２本の帯状の電極端子２１毎に形成するようにしている。もとより、開口部２５を電極端子２１毎に形成すれば、後述するようにフレキシブル基板２の端面２Ｅ側に流れる異方性導電膜の材料を多くすることができるが、フレキシブル基板２の基材の強度が低下する。この結果、フレキシブル基板２は接合部分において変形し易くなってしまい、接合に関する作業性が劣ることになってしまう。そこで、変形を抑制するために、本実施例では、開口部２５を２本の帯状の電極端子２１毎に形成するようにしているのである。なお、開口部２５を形成する間隔は、接合時の作業性を考慮して設定することが好ましい。

次に、素子基板１とフレキシブル基板２との接合方法について図４を用いて説明しながら、本実施例における効果について説明する。図４は、図３におけるＡ−Ａ線に沿った断面部分についての説明図で、（ａ）は熱圧着前の状態、（ｂ）は熱圧着後の状態を示す図である。また（ｃ）は、本実施例の変形例（後述する）における熱圧着後の状態を示す図である。

まず、図４（ａ）に示したように、載置面５１と反対側に電極端子１１が位置するように、素子基板１（有機ＥＬパネル１００）をステージ５に載置する。そして、素子基板１に形成された電極端子１１と、フレキシブル基板２に形成された電極端子２１との間に異方性導電膜４を挿入し、それぞれ対向する電極端子が平面的に重なるように、フレキシブル基板２を素子基板１に対して平面的に位置決めして配置する。この状態で、フレキシブル基板２側から圧着ヘッド６をステージ５の方向に押し下げて異方性導電膜４を潰す。こうすることによって、異方性導電膜４によって、基板面方向の絶縁を行いながら基板厚さ方向の電気的な接続を行うのである。

さて、異方性導電膜４が潰されると、潰された異方性導電膜４の材料は、本実施例では、フレキシブル基板２に形成された開口部２５に流れ込み、さらに開口部２５に沿ってフレキシブル基板２の端面２Ｅの方向に流れる。この結果、図４（ｂ）に示したようになる。すなわち、従来例に対して、素子基板１とフレキシブル基板２とが平面的に重なる領域内の異方性導電膜４１は開口部２５へ流れる量が増え、またフレキシブル基板２の端面２Ｅ側へ流れる異方性導電膜４２の量が多くなる。この結果、素子基板１の端面１Ｅ側に流れる異方性導電膜４３の量は少なくなる。

従って、素子基板１の厚さが薄い場合であっても、素子基板１の端面１Ｅ側に流れる異方性導電膜４３が、基板端面１Ｅから基板外へ食み出ないように抑制することが可能であり、食み出た場合であっても、素子基板１の端面１Ｅと平面的に重ならない範囲内に留まる確率が高くなる。従って、ステージ５の載置面に、異方性導電膜４３が付着することがないので、有機ＥＬパネル１００を、ストレスを与えることなく、ステージ５から容易に取り外すことができるようになる。また、異方性導電膜４１においては、異方性導電膜４の材料が開口部２５に流れるので、素子基板１とフレキシブル基板との接合強度が向上するという効果も奏する。

（第１実施例の変形例）
ところで、本実施例では、上述したように、フレキシブル基板２の基材の強度が低下して変形し易くなってしまうことを抑制するため、開口部２５を２つの電極端子２１毎に形成することとした。もとより上述の説明から明らかなように、開口部２５を電極端子２１毎に形成すれば、潰された異方性導電膜４の材料を、開口部２５に沿ってフレキシブル基板２の端面２Ｅ側にさらに多く流すことができる。

そこで、本変形例として、図４（ｃ）に示したように、開口部２５を形成する替わりに、フレキシブル基板２の基材の電極端子２１が形成された基板面から、反対側の基板面側に向けて所定の深さの溝部２２を形成することが好ましい。こうすれば、例えば、溝部２２を電極端子２１毎に形成してもフレキシブル基板２の基材が繋がって形成されるため、フレキシブル基板２の強度低下を抑制することができる。また、潰された異方性導電膜４の材料を、溝部２２に沿ってフレキシブル基板２の端面２Ｅ側に流すこともできる。もとより、異方性導電膜４の材料が溝部２２に流れるので、素子基板１とフレキシブル基板との接合強度が向上するという効果も奏する。なお、溝部２２は、必ずしも電極端子２１毎に形成しなくてもよく、例えばランダムに形成することとしてもよい。

（基板の接続構造の第２実施例）
次に、基板の接続構造の第２実施例を説明する。上記第１実施例では、フレキシブル基板２に開口部２５を形成することとしたが、本実施例は素子基板１に溝部を形成する。以下、本実施例について、図を参照して説明する。

図５（ａ）は、本実施例の基板の接続構造を示す説明図である。なお、フレキシブル基板２は透視状態で、また異方性導電膜は省略して図示している。図示するように、素子基板１は、形成された電極端子１１に沿って基材部分が除去されたスリット状の溝部１５が機械的な加工方法や化学的加工方法を用いて形成されている。溝部１５は、フレキシブル基板２を素子基板１に接合した状態において、フレキシブル基板２の端面２Ｅから飛び出した位置から、素子基板１の端面１Ｅに到達しない所定の位置まで形成されている。

本実施例では、図示するように、溝部１５は２本の帯状の電極端子１１毎に形成されている。もとより、溝部１５を電極端子１１毎に形成すれば、フレキシブル基板２の端面２Ｅ側に流れる異方性導電膜の材料を多くすることができるが、素子基板１の基材の強度が低下する。この結果、素子基板１は接合部分において基材の強度が低下し、ヒビや割れなどが生じ易くなってしまい、接合に関する作業性が劣ることになってしまう。そこで、強度低下を抑制するために、本実施例では、溝部１５を２本の帯状の電極端子１１毎に形成するようにしているのである。なお、溝部１５を形成する間隔は、接合時の作業性を考慮して設定することが好ましい。

本実施例における素子基板１とフレキシブル基板２との接続について、図５（ｂ）を参照して説明する。図５（ｂ）は、図５（ａ）におけるＢ−Ｂ線に沿った断面部分の接続構造についての説明図で、熱圧着後の状態を示す図である。

異方性導電膜が潰されると、潰された異方性導電膜の材料は、図示するように、素子基板１に形成された溝部１５に流れ込み、さらに溝部１５に沿ってフレキシブル基板２の端面２Ｅ側に流れる。この結果、熱圧着後の異方性導電膜は、素子基板１とフレキシブル基板２とが平面的に重なる領域内の異方性導電膜４１は溝部１５へ流れる量が増え、またフレキシブル基板２の端面２Ｅ側へ流れる異方性導電膜４２の量が多くなる。この結果、素子基板１の端面１Ｅ側に流れる異方性導電膜４３の量は少なくなる。

従って、第１実施例と同様、素子基板１の厚さが薄い場合であっても、素子基板１の端面１Ｅ側に流れる異方性導電膜４３が、基板端面１Ｅから基板外へ食み出ないように抑制することが可能であり、食み出た場合であっても、素子基板１の端面１Ｅと平面的に重ならない範囲内に留まる確率が高くなる。従って、ステージ５の載置面に、異方性導電膜４３が付着することがないので、有機ＥＬパネル１００を、ストレスを与えることなくステージ５から容易に取り外すことができるようになる。

（第２実施例の変形例）
ところで、本実施例では、上述したように、潰された異方性導電膜４の材料を、溝部１５に沿ってフレキシブル基板２の端面２Ｅ側に流すことによって、異方性導電膜４が素子基板１の端面１Ｅ部側に流れないように抑制したが、素子基板１の端部側に流れる異方性導電膜４を留めるように溝を形成することとしてもよい。

本変形例として、例えば図６に示したように、素子基板１の端面１Ｅと電極端子１１との間の領域であって、電極端子１１が形成された基板面側から反対側の基板面に向けて所定の深さの溝部１６を、端面１Ｅと沿う方向に形成する。こうすれば、溝部１５を電極端子１１間に形成する上記実施例に比べて、接合部分における素子基板１の基材の強度の低下を抑制することができるとともに、潰された異方性導電膜４の材料を、溝部１６に留めることで、素子基板１の端面１Ｅへ潰された異方性導電膜が流れることを抑制することができる。

（基板の接続構造の第３実施例）
次に、基板の接続構造の第３実施例を説明する。本実施例は、上記第１実施例および上記第２実施例の基板の接続構造を組み合わせたものである。以下、本実施例について、図を参照して説明する。

図７は、本実施例の基板の接続構造を示す説明図である。なお、フレキシブル基板２は透視状態で、また異方性導電膜は省略して図示している。図示するように、素子基板１は、形成された電極端子１１に沿って基材部分が除去されたスリット状の溝部１５が形成されている。溝部１５は、フレキシブル基板２を素子基板１に接合した状態において、フレキシブル基板２の端面２Ｅから飛び出した位置から、素子基板１の端面１Ｅと平面的に重ならない所定の位置まで形成されている。一方フレキシブル基板２は、その端面２Ｅから電極端子２１（電極端子１１）に沿って基材部分が除去されたスリット状の開口部２５が形成されている。開口部２５は、フレキシブル基板２を素子基板１に接合した状態において、フレキシブル基板２の端面２Ｅから、素子基板１の端面１Ｅと平面的に重ならない長さで形成されている。

そして、本実施例では、開口部２５を、溝部１５が形成されていない電極端子１１間において形成するようにしている。ちなみに、本実施例では、電極端子１１間（電極端子２１間）の領域毎に、溝部１５と開口部２５とが繰り返して交互に形成されている。こうすることによって、素子基板１の強度低下を抑制するとともに、フレキシブル基板２の基材の強度低下を同時に抑制しながら、潰された異方性導電膜４の材料を、溝部１５に沿ってフレキシブル基板２の端面２Ｅ側に、さらに多く流すことができる。

もとより、開口部２５を、必ずしも溝部１５が形成されていない電極端子１１間において形成するようにしなくてもよく、同じ位置に形成することとしてもよい。あるいは、溝部１５と開口部２５とが、必ずしも繰り返して交互に形成するようにしなくてもよい。例えば、電極端子１１（電極端子２１）の形成具合や、素子基板１およびフレキシブル基板２の強度に応じて、ランダムに溝部１５と開口部２５とを形成するようにしてもよい。

以上、本発明について、実施形態を用いて説明したが、本発明はこうした実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。

（電子機器）
例えば、上記実施形態の有機ＥＬパネル１００を備えた電子機器としても良い。電子機器の一例として図８に示したように携帯電話であってもよい。図８は、表示部に有機ＥＬパネル１００を組み込んだ携帯電話の模式図である。携帯電話は、筐体（ケース）が薄いほうが持ち運び易くなることから、上記実施形態の有機ＥＬパネル１００を備えることによって、少なくとも表示部のケース厚さを薄く出来るとともに、基板の接合部分の信頼性が高い携帯電話を提供することができる。

もとより、電子機器は、携帯電話に限るものでなく、表示部が薄型であることが好ましいビデオカメラ、デジタルカメラを始め、テレビジョンや電子手帳、モバイル端末機など、表示部を有する機器であればいずれの電子機器においても適用できる。

（その他の変形例）
また、上記実施形態では、第１電極端子としての電極端子１１と、第２電極端子としての電極端子２１とを、それぞれ帯状の電極形状であるものとして説明したが、特にこれに限るものでなく、円形や楕円形、あるいは正方形などの帯状以外の形状であってもよいことは勿論である。もとより、溝部や開口部は、これらの電極形状に沿って形成すればよい。また、電極端子１１と電極端子２１とにおいて、各端子がそれぞれ対応して形成されていればよく、従って電極端子の形成位置も等ピッチでなくランダムでもよい。

また、上記実施形態では、電気光学装置として有機ＥＬパネルを一例として説明したが、特にこれに限るものでなく、素子基板１とフレキシブル基板２とを接続する構成を有する装置であれば、液晶パネルなど他の装置であってもよいことは勿論である。また、接続される２つの基板が、両方ともリジッド基板であってもよいし、両方ともフレキシブル基板であっても差し支えない。要は、基板の端面に異方性導電膜が食み出す可能性のある接合部分に対して、本発明を適用することができる。

１…素子基板、１Ｅ…端面、２…フレキシブル基板、２Ｅ…端面、３…対向基板、４…異方性導電膜、５…ステージ、６…圧着ヘッド、１１…電極端子、１５…溝部、１６…溝部、２１…電極端子、２２…溝部、２５…開口部、４１…異方性導電膜、４２…異方性導電膜、４３…異方性導電膜、５１…載置面、１００…有機ＥＬパネル、１００ｄ…表示領域。

Claims (9)

1. 第１電極端子が基板面に形成された第１基板に対して、第２電極端子が基板面に形成された第２基板が異方性導電膜を介在して接合され、前記第１電極端子と前記第２電極端子とが電気的に接続された基板の接続構造であって、
   前記異方性導電膜が、平面的に前記第１基板の基板面外に食み出さない状態で、前記第２基板が前記第１基板に接合されていることを特徴とする基板の接続構造。
2. 請求項１に記載の基板の接続構造であって、
   前記第２基板には、前記第２電極端子が形成された基板面において、前記第２電極端子が形成されていない領域に、前記第２基板の端面から前記第２電極端子に沿ってスリット状の溝部が形成されていることを特徴とする基板の接続構造。
3. 請求項２に記載の基板の接続構造であって、
   前記溝部は、前記第２基板の一方の基板面側から他方の基板面側まで貫通している開口部であることを特徴とする基板の接続構造。
4. 請求項２または３に記載の基板の接続構造であって、
   前記溝部は、前記第２基板が前記第１基板に接合された状態において、前記第１基板の端面と平面的に重ならない長さで形成されていることを特徴とする基板の接続構造。
5. 請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板の接続構造であって、
   前記第１基板には、前記第１電極端子が形成された基板面において、前記第１電極端子が形成されていない領域であって、少なくとも前記第２基板が接合される領域に溝部が形成されていることを特徴とする基板の接続構造。
6. 請求項５に記載の基板の接続構造であって、
   前記第１基板に形成された前記溝部は、前記第１基板の端面と、平面的に重ならないように形成されていることを特徴とする基板の接続構造。
7. 請求項１ないし６のいずれか一項に記載の基板の接続構造であって、
   前記第２基板は、可撓性を有するフレキシブル基板であることを特徴とする基板の接続構造。
8. 電気光学素子と、前記電気光学素子を駆動するための信号が入力される第１電極端子が基板面に形成された第１基板と、前記第１電極端子に接続され、前記電気光学素子を駆動するための信号を供給する第２電極端子が基板面に形成された第２基板と、を備えた電気光学装置であって、
   前記第１基板と前記第２基板とが、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の基板の接続構造によって接続されていることを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項８に記載の電気光学装置を表示装置として備えた電子機器。

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