CN106920819B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

讨论了一种显示装置。该显示装置包括：基板；显示区域，所述显示区域被设置在所述基板上方并且包括多个子像素；以及数据焊盘部，所述数据焊盘部被设置在除了所述显示区域以外的区域中，其中，所述数据焊盘部包括：数据信号线，所述数据信号线从所述显示区域延伸；绝缘膜，所述绝缘膜被设置在所述数据信号线上并且与所述数据信号线绝缘，所述绝缘膜包括使所述数据信号线部分地暴露的通孔；数据焊盘电极，所述数据焊盘电极被设置在所述绝缘膜上并且通过所述通孔连接到所述数据信号线，其中，所述数据焊盘电极包括至少一个电极孔；以及绝缘图案，所述绝缘图案被配置为覆盖所述通孔。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
近来已经开发了能够减小重量和体积(即，阴极射线管(CRT)的缺点)的各种平板显示装置。这些平面显示装置的示例包括液晶显示装置(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)和有机发光显示器(OLED)。在它们当中，有机发光显示器是通过激发有机化合物而发光的自发光显示器，并且因为其不需要在LCD中使用的背光单元而能够实现亮度和薄度并且能够简化工序。此外，OLED能够在低温下被制造，具有1ms或更短的快速响应时间，并且具有诸如低功耗、宽视角和高对比度这样的特性。
有机发光显示器包括在第一电极(即，阳极)与第二电极(即，阴极)之间的由有机物质制成的发光层。从第一电极提供的空穴和从第二电极提供的电子在发光层中结合以形成激子(即，空穴-电子对)。由于当激子返回到基态时产生的能量而发出光。
有机发光显示器被划分为包括多个像素并显示图像的显示区域以及非显示区域(即，除了显示区域之外的区域)。用于将数据驱动信号施加到多个像素的数据焊盘部被设置在非显示区域中。数据焊盘部包括从显示区域延伸的多条布线。多个焊盘电极通过接触孔连接到所述多条布线。为了防止焊盘电极由于接触孔区域中的后续工序而损失，设置了覆盖接触孔区域的绝缘膜。
然而，覆盖接触孔区域的绝缘膜具有如下的问题：由于粘合力取决于与绝缘膜的底部接触的层而变弱，因此绝缘膜被剥离。因此，存在如下的问题：因为设置在接触孔区域中的焊盘电极损失，所以在与数据驱动部的连接中出现缺陷，并且有机发光显示器的可靠性恶化。
发明内容
因此，本公开考虑到现有技术中出现的以上问题而完成，本公开的目的在于提供一种能够通过防止绝缘膜在数据焊盘部中剥离来提高有机发光显示器的可靠性的显示装置。
本公开提供了一种显示装置，该显示装置包括：基板；显示区域，所述显示区域被设置在所述基板上方并且包括多个子像素；以及数据焊盘部，所述数据焊盘部被设置在除了所述显示区域以外的区域中，其中，所述数据焊盘部包括：数据信号线，所述数据信号线从所述显示区域延伸；绝缘膜，所述绝缘膜被设置在所述数据信号线上并且与所述数据信号线绝缘，所述绝缘膜包括使所述数据信号线部分地暴露的通孔；数据焊盘电极，所述数据焊盘电极被设置在所述绝缘膜上并且通过所述通孔连接到所述数据信号线，其中，所述数据焊盘电极包括至少一个电极孔；以及绝缘图案，所述绝缘图案被配置为覆盖所述通孔。
所述电极孔使设置在所述数据焊盘电极下面的所述绝缘膜暴露。
所述电极孔的至少一部分与所述绝缘图案交叠。
所述绝缘图案通过所述电极孔与所述绝缘膜接触。
所述电极孔与所述绝缘图案完全重叠。
所述电极孔与所述数据焊盘电极的边缘分隔开。
所述电极孔按照点形式形成。
所述电极孔的至少一部分与所述通孔交叠。
所述电极孔的面积为所述数据焊盘电极与所述绝缘图案交叠的整个面积的5％至95％。
所述子像素中的每一个包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管被设置在所述基板上方；平整膜，所述平整膜被设置在所述薄膜晶体管上方并且使所述薄膜晶体管的一部分暴露；第一电极，所述第一电极被设置在所述平整膜上并且连接到所述薄膜晶体管；发光层，所述发光层被设置在所述第一电极上；以及第二电极，所述第二电极被设置在所述发光层上。
所述绝缘图案和所述平整膜由相同的材料形成。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与本说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中：
图1是有机发光显示器的示意性框图。
图2是示出子像素的电路配置的第一示例性图。
图3是示出子像素的电路配置的第二示例性图。
图4是示出有机发光显示器的平面图。
图5是示出有机发光显示器的子像素的截面图。
图6是示出图4所示的有机发光显示器的数据焊盘部的第一实施方式的平面图。
图7、图8和图9是示出图6所示的数据焊盘部的一部分的放大图的平面图。
图10是沿着图7的线I-I'截取的截面图。
图11是示出图6所示的数据焊盘部的一部分的放大图的平面图。
图12是沿着图11的线II-II'截取的截面图。
图13是示出图6所示的数据焊盘部的一部分的放大图的平面图。
图14是沿着图13的线III-III'截取的截面图。
图15是示出根据实验示例1的结构的绝缘图案中的缺陷的图像。
图16是示出根据实验示例2和3的结构的绝缘图案中的缺陷的图像。
具体实施方式
在下文中，参照附图详细地描述本公开的一些实施方式。在本说明书中，相同的附图标记基本上指示相同的元件。在下面的描述中，如果认为已知功能和元件的详细描述使得本公开的主旨不必要地模糊，则将省略这些详细描述。此外，在以下描述中使用的元件的名称已经通过仅考虑容易书写本说明书被选择，并且可以与实际部件的名称不同。
根据本公开的实施方式的显示装置是显示元件已经形成在柔性塑料基板上的塑料显示装置。该塑料显示装置的示例可以包括有机发光显示器、LCD和电泳显示装置。在本公开的实施方式中，作为示例，描述了有机发光显示器。有机发光显示器包括在第一电极(即，阳极)与第二电极(即，阴极)之间的由有机物质制成的发光层。从第一电极提供的空穴和从第二电极提供的电子在发光层中结合以形成激子(即，空穴-电子对)。由于当激子返回到基态时产生的能量而发出光。除了塑料基板之外，根据本公开的实施方式的有机发光显示器还可以形成在玻璃基板中。
下面参照附图来描述本公开的实施方式。
图1是有机发光显示器的示意性框图。图2是示出子像素的电路配置的第一示例性图。图3是示出子像素的电路配置的第二示例性图。图4是示出有机发光显示器的平面图。图5是示出有机发光显示器的子像素的截面图。
参照图1，有机发光显示器包括图像处理部10、定时控制部20、数据驱动部30、选通驱动部40和显示面板50。
图像处理部10将数据使能信号DE连同外部数据信号DATA一起输出。除了数据使能信号DE之外，图像处理部10还可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或更多个。为了便于描述，未示出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号。图像处理部10按照集成电路(IC)形式形成在系统电路基板中。
定时控制部20被提供有来自图像处理部10的数据信号DATA以及数据使能信号DE或者包括垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号在内的驱动信号。
定时控制部20输出用于控制选通驱动部40的操作定时的选通定时控制信号GDC以及用于基于驱动信号控制数据驱动部30的操作定时的数据定时控制信号DDC。定时控制部20按照IC形式形成在控制电路基板中。
数据驱动部30响应于由定时控制部20提供的数据定时控制信号DDC来对由定时控制部20提供的数据信号DATA进行采样和锁存，将经锁存的信号转换为伽玛参考电压，并且输出该伽玛参考电压。数据驱动部30通过数据线
Figure BDA0001168645620000041
输出数据信号DATA。数据驱动部30按照IC形式附接到基板。
选通驱动部40响应于由定时控制部20提供的选通定时控制信号GDC来在对选通电压的电平进行移位的同时输出选通信号。选通驱动部40通过选通线
Figure BDA0001168645620000042
输出选通信号。选通驱动部40按照IC形式形成在选通电路基板中或者按照面板内栅极的形式形成在显示面板50中。
显示面板50响应于由数据驱动部30和选通驱动部40提供的数据信号DATA和选通信号来显示图像。显示面板50包括用于显示图像的子像素SP。
参照图2，一个子像素包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、补偿电路CC和有机发光二极管(OLED)。OLED响应于由驱动晶体管DR形成的驱动电流来操作以发光。
开关晶体管SW执行开关操作，使得通过第一数据线DL1提供的数据信号响应于通过第一选通线GL1提供的选通信号而作为数据电压被存储在电容器Cst中。驱动晶体管DR取决于存储在电容器Cst中的数据电压按照使得驱动电流在高电位电力线VDD与低电位电力线GND之间流动的方式进行操作。补偿电路CC用于补偿驱动晶体管DR的阈值电压。此外，连接到开关晶体管SW或驱动晶体管DR的电容器可以被设置在补偿电路CC内。
补偿电路CC包括一个或更多个TFT和电容器。补偿电路CC可以取决于补偿方法而具有各种结构，并且省略了其详细示例和描述。
此外，如图3所示，如果包括补偿电路CC，则子像素还包括用于在驱动补偿TFT的同时提供特定信号或电力的信号线和电力线。所添加的信号线可以被定义为用于驱动子像素的补偿TFT的(1-2)选通线GL1b。此外，所添加的电力线可以被定义为用于将子像素的特定节点复位到特定电压的初始化电力线INIT。然而，这仅是示例，并且本公开不限于此。
在图2和图3中，补偿电路CC已经被例示为包括在一个子像素中。然而，如果补偿的主体如在数据驱动部30中那样被设置在子像素外部，则可以省略补偿电路CC。也就是说，一个子像素基本上具有包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器和OLED在内的2晶体管(2T)1电容器(1C)结构。然而，如果添加了补偿电路CC，则子像素可以具有诸如3T1C、4T2C、5T2C、6T2C和7T2C这样的各种结构。
此外，在图2和图3中，补偿电路CC已经被例示为设置在开关晶体管SW与驱动晶体管DR之间。在一些实施方式中，补偿电路CC还可以被设置在驱动晶体管DR与OLED之间。补偿电路CC的位置和结构不限于图2和图3。
参照图4，有机发光显示器的显示面板包括基板110、显示区域DP、数据焊盘部60和数据信号线DSL。
数据焊盘部60形成在基板110的下侧。数据焊盘部60是附接有数据驱动部的焊盘区域。数据焊盘部60连接到例如安装有数据驱动部的数据电路基板或者安装有定时控制部的控制电路基板。
数据信号线DSL将数据信号提供给在显示区DP中形成的子像素SP。数据信号线DSL从数据驱动部接收数据信号，并且将数据信号从数据焊盘部60传送到子像素SP。数据信号线DSL连接到数据焊盘部60中的焊盘电极。焊盘电极连接到数据驱动部，这将在后面详细地描述。
参照图5，根据本公开的实施方式的有机发光显示器100包括设置在基板110上的第一缓冲层112。基板110由玻璃、塑料或金属制成。在本公开的实施方式中，基板110由塑料制成。更具体地，基板110可以是聚酰亚胺基板。因此，根据本公开的实施方式的基板110具有柔性特性。第一缓冲层112用于保护在后续工序中形成的薄膜晶体管(TFT)免受诸如从基板110排出的碱离子这样的杂质的影响。第一缓冲层112可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或者它们的多层。
屏蔽层114被设置在第一缓冲层112上。屏蔽层114用于防止由于使用聚酰亚胺基板而可能产生的面板驱动电流的减小。第二缓冲层116被设置在屏蔽层114上。第二缓冲层116用于保护在后续工序中形成的TFT免受诸如从屏蔽层114排出的碱离子这样的杂质的影响。第二缓冲层116可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或者它们的多层。
半导体层120被设置在第二缓冲层116上。半导体层120可以由硅半导体或氧化物半导体制成。硅半导体可以包括非晶硅或结晶的多晶硅。因为多晶硅具有100cm2/Vs或更大的高迁移率、低功耗和优良的可靠性，所以它可以被应用于用于驱动元件的选通驱动器和/或像素内的复用器(MUX)或TFT。由于氧化物半导体具有低关断电流，所以它适于具有短导通时间和长截止时间的开关TFT。此外，因为氧化物半导体具有低关断电流并且对于像素具有长电压保持时间，所以它适于需要低速驱动和/或低功耗的显示装置。此外，半导体层120包括具有p型或n型杂质的漏极区域123和源极区域124，并且包括在漏极区域123与源极区域124之间的沟道121。此外，半导体层120包括在漏极区域123与源极区域124之间的与沟道121相邻的低浓度掺杂区域122。
栅极绝缘膜GI被设置在半导体层120上。栅极绝缘膜GI可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或者它们的多层。第一栅极130被设置在栅极绝缘膜GI上的与半导体层120对应的特定区域中，即，当植入杂质时与沟道121对应的位置。第一栅极130用作驱动晶体管DR的栅极。第一栅极130由从由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或者它们的合金组成的组中选择的任意一种制成。在一些实施方式中，第一栅极130可以是由从由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或者它们的合金组成的组中选择的任意一种制成的多层。例如，栅极130可以是钼/铝-钕或者钼/铝的双层。
连接电极132被设置在第一栅极130的一侧上。连接电极132通过穿透第二缓冲层116的第一接触孔CH1连接到栅极绝缘膜GI和屏蔽层114。
用于第一栅极130的绝缘的第一层间介电膜ILD1被设置在第一栅极130上。第一层间介电膜ILD1可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或者它们的多层。第二栅极135被设置在第一层间介电膜ILD1上。第二栅极135是与第一栅极130一起形成电容器的电容器电极，并且不用作驱动晶体管DR的栅极。用于第二栅极135的绝缘的第二层间介电膜ILD2被设置在第二栅极135上。使半导体层120的一部分暴露的第二接触孔CH2和第三接触孔CH3被设置在第二层间介电膜ILD2、第一层间介电膜ILD1和栅极绝缘膜GI的一些区域中。半导体层120的漏极区域123通过第二接触孔CH2暴露，半导体层120的源极区域124通过第三接触孔CH3暴露。此外，使连接电极132暴露的第四接触孔CH4形成在第二层间介电膜ILD2和第一层间介电膜ILD1的一些区域中。此外，使第二栅极135暴露的第五接触孔CH5被设置在第二层间介电膜ILD2的一些区域中。
漏极140和源极145被设置在第二层间介电膜ILD2上。漏极140通过使半导体层120的漏极区域123暴露的第二接触孔CH2连接到半导体层120。源极145通过使半导体层120的源极区域124暴露的第三接触孔CH3连接到半导体层120。此外，源极145穿透第二层间介电膜ILD2和第一层间介电膜ILD1，并且通过使连接电极132暴露的第四接触孔CH4连接到连接电极132并通过第五接触孔CH5连接到第二栅极135。源极145和漏极140可以是单层或多层。如果源极145和漏极140由单层形成，则它们可以由从由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或者它们的合金组成的组中选择的任意一种制成。此外，如果源极145和漏极140由多层形成，则它们可以是钼/铝-钕的双层或者钛/铝/钛、钼/铝/钼或钼/铝-钕/钼的三层。
因此，包括半导体层120、第一栅极130、漏极140和源极145的驱动晶体管DR被形成。
平整膜PLN被设置在包括驱动晶体管DR的基板110上方。平整膜PLN可以是用于减少下层结构的台阶的平整膜，并且由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂或丙烯酸酯这样的有机物质制成。平整膜PLN可以通过诸如用于以液体形式涂覆有机物质并使其固化的旋涂玻璃(SOG)这样的方法来形成。
使源极145暴露的第六接触孔CH6形成在平整膜PLN的一些区域中。第一电极160形成在平整膜PLN上。第一电极160用作像素电极，并且通过第六接触孔CH6连接到驱动晶体管DR的源极145。第一电极160是阳极，并且可以由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZC)或锌氧化物(ZnO)这样的透明导电材料制成。如果第一电极160是反射电极，则第一电极160包括反射层。反射层可以由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)或镍(Ni)或者它们的合金制成。更具体地，反射层可以由银/钯/铜的合金(APC)制成。
用于划分像素的岸层BNK被设置在包括第一电极160的基板110上方。岸层BNK由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂或丙烯酸酯这样的有机物质制成。使第一电极160暴露的开口部OP被设置在岸层BNK中。与第一电极160接触的发光层170被设置在岸层BNK的开口部OP中。发光层170是电子和空穴结合以发光的层。空穴注入层或空穴传送层可以被设置在发光层170与第一电极160之间。电子传送层或电子注入层可以被设置在发光层170上。
第二电极180被设置在发光层170上。第二电极180被设置在显示部A/A的整个表面上，并且是阴极电极。第二电极180可以由具有低功函数的镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)或银(Ag)或者它们的合金制成。如果第二电极180是透射电极，则它具有达到使得第二电极180能够透射光的薄的厚度。如果第二电极180是反射电极，则它具有达到使得光能够从第二电极180反射的厚的厚度。
根据本公开的实施方式的有机发光显示器可以具有绝缘膜在数据焊盘部中剥离的问题。下面详细地描述根据本公开的实施方式的数据焊盘部。
<第一实施方式>
图6是示出图4所示的有机发光显示器的数据焊盘部的第一实施方式的平面图。图7、图8和图9是示出图6所示的数据焊盘部的一部分的放大图的平面图。图10是沿着图7的线I-I'截取的截面图。
参照图6，与从基板110的显示区域延伸的数据信号线DSL连接的数据焊盘电极DPE被设置在有机发光显示器的数据焊盘部60中。数据焊盘电极DPE在形成在基板110上的第二层间介电膜ILD2上以多个行和多个列被设置，因此确保了空间，使得从显示区域延伸的数据信号线不交叠。虽然在图6中未示出，但是从显示区域延伸的数据信号线与数据焊盘电极DPE一致地被设置在第二层间介电膜ILD2下面。数据焊盘电极DPE通过穿透第二层间介电膜ILD2的通孔VIA连接到数据信号线。
绝缘图案OIL被设置在设置有通孔VIA的区域上。绝缘图案OIL通过与显示区域的平整膜的工序相同的工序形成。当所有的通孔VIA都被绝缘图案OIL覆盖时，被设置在通孔VIA上的数据焊盘电极DPE也被覆盖。当被设置在通孔VIA中的数据焊盘电极DPE被绝缘图案OIL覆盖时，能够防止数据焊盘电极DPE的一部分在后续工序中从通孔VIA损失。
参照图7和图10，第一缓冲层112、第二缓冲层116和栅极绝缘膜GI被设置在基板110上。数据信号线DSL被设置在栅极绝缘膜GI上。数据信号线DSL通过与显示区域的第一栅极的工序相同的工序形成。第一层间介电膜ILD1和第二层间介电膜ILD2依次堆叠在数据信号线DSL上。穿透第一层间介电膜ILD1和第二层间介电膜ILD2的通孔VIA形成在第一层间介电膜ILD1和第二层间介电膜ILD2中。数据焊盘电极DPE形成在第二层间介电膜ILD2上。数据焊盘电极DPE通过通孔VIA连接到数据信号线DSL。
根据本公开的实施方式的数据焊盘电极DPE具有形成在与绝缘图案OIL交叠的一些区域中的电极孔SH。电极孔SH通过蚀刻数据焊盘电极DPE来形成，并且用于使下面的第二层间介电膜ILD2暴露，以使得第二层间介电膜ILD2与绝缘图案OIL接触。绝缘图案OIL由类似平整膜的有机膜形成，并且绝缘图案OIL与诸如数据焊盘电极DPE这样的金属之间的粘合力减小。在这种情况下，如果绝缘图案OIL形成在数据焊盘电极DPE上，则绝缘图案OIL容易剥离。具体地，如果在数据焊盘电极DPE中形成台阶，则在已经形成台阶的区域中绝缘图案OIL与数据焊盘电极DPE之间的粘合力减小。
在本公开的实施方式中，因为电极孔SH形成在数据焊垫电极DPE中，所以具有与绝缘图案OIL的优良粘合力的第二层间介电膜ILD2与绝缘图案OIL接合，使得第二层间介电膜ILD2通过电极孔SH暴露。因此，绝缘图案OIL和第二层间介电膜ILD2在一些区域中接合在一起，因此防止数据焊盘电极DPE与数据焊盘电极DPE上面的绝缘图案OIL之间的粘合力减小。
数据焊盘电极DPE的电极孔SH按照特定距离“d1”的间隔与相邻数据焊盘电极DPE的边缘分隔开。电极孔SH用于增强数据焊盘电极DPE与绝缘图案OIL之间的粘合力，并因此数据焊盘电极DPE和绝缘图案OIL可以至少存在于电极孔SH的外围中。在另一个实施方式中，如图8所示，电极孔SH可以被形成为朝向相邻数据焊盘电极DPE的一侧倾斜。例如，电极孔SH可以被形成为具有使数据焊盘电极DPE的一侧上的连接断开的形状。在本公开的又一个实施方式中，如图9所示，可以形成多个电极孔SH。在这种情况下，每个电极孔SH可以具有点形式。在本公开的实施方式中，电极孔SH的数目或形状不受限制。如果数据焊盘电极DPE仅需要通过使得第二层间介电膜ILD2能够与绝缘图案OIL接触的方式暴露，则可以使用任何方式。
在本公开的实施方式中，绝缘图案OIL可以被形成为覆盖形成在数据焊盘电极DPE中的整个电极孔SH，使得绝缘图案OIL与第二层间介电膜ILD2之间的粘合区域最大化。然而，本公开不限于这样的实施方式。绝缘图案OIL可以如第二实施例中那样被形成为覆盖电极孔SH的一部分。
<第二实施方式>
图11是示出图6所示的数据焊盘部的一部分的放大图的平面图。图12是沿着图11的线II-II'截取的截面图。
参照图11和图12，根据本公开的实施方式的数据焊盘电极DPE包括电极孔SH。绝缘图案OIL被设置在数据焊盘电极DPE上，但是仅电极孔SH的一部分可以被绝缘图案OIL覆盖。仅电极孔SH的一部分被绝缘图案OIL覆盖的结构包括绝缘图案OIL的尺寸固定并且数据焊盘电极DPE的电极孔SH移动到图中的上侧的结构以及数据焊盘电极DPE的电极孔SH的位置固定并且绝缘图案OIL的尺寸减小的结构。如果绝缘图案OIL和第二层间介电膜ILD2可以通过数据焊盘电极DPE的电极孔SH彼此接触，则可以将任何结构应用于本公开的实施方式。
本公开的第二实施方式能够通过提供电极孔SH的至少一部分被绝缘图案OIL覆盖的结构来提供电极孔SH和绝缘图案OIL能够交叠的工艺裕度。
在本公开的另一实施方式中，电极孔SH可以被设置为与通孔VIA交叠。
<第三实施方式>
图13是示出图6所示的数据焊盘部的一部分的放大图的平面图。图14是沿着图13的线III-III'截取的截面图。
参照图13和图14，根据本公开的实施方式的数据焊盘电极DPE包括电极孔SH。形成在数据焊盘电极DPE中的电极孔SH与形成在第一层间介电膜ILD1和第二层间介电膜ILD2中的通孔VIA交叠。电极孔SH的至少一部分(例如，整个电极孔SH)可以被形成在数据焊盘电极DPE上的绝缘图案OIL覆盖。虽然根据本公开的第三实施方式的结构公开了电极孔SH的尺寸被尽可能地最大化，但是数据焊盘电极DPE和数据信号线DSL至少彼此接触。因此，绝缘图案OIL与第二层间介电膜ILD2之间的粘合力可以被最大化。
在本实施方式中，电极孔SH的面积可以为数据焊盘电极DPE和绝缘图案OIL交叠的整个面积的5％至95％。如果电极孔SH的面积为数据焊盘电极DPE和绝缘图案OIL交叠的整个面积的5％或更大，则因为绝缘图案OIL和第二层间介电膜ILD2的接触面积变宽而能够增加绝缘图案OIL与第二层间介电膜ILD2之间的粘合力。如果电极孔SH的面积为数据焊盘电极DPE和绝缘图案OIL交叠的整个面积的95％或更小，则因为确保了数据焊盘电极DPE与数据信号线DSL之间的最小接触面积而能够防止数据焊盘电极DPE与数据信号线DSL之间的接触电阻增加。
如上所述，在根据本公开的第一实施方式至第三实施方式的有机发光显示器中，因为电极孔形成在被设置在数据焊盘部中的数据焊盘电极中，所以数据焊盘电极下面的第二层间介电膜和绝缘图案彼此接触。因此，因为绝缘图案与第二层间介电膜之间的粘合力增强，所以能够防止绝缘图案在电极孔周围的数据焊盘电极中剥离。因此，能够提高有机发光显示器的数据焊盘部中的数据驱动部与数据焊盘电极之间的连接的可靠性。
下面公开了根据本公开的实施方式的有机发光显示器的实验示例。
图15是示出根据实验示例1的结构的绝缘图案中的缺陷的图像。图16是示出根据实验示例2和3的结构的绝缘图案中的缺陷的图像。
在实验示例1中，绝缘图案OIL按照线形式形成在数据焊盘电极DPE和通孔VIA交叠的区域中。在实验示例2中，绝缘图案OIL按照岛状图案仅形成在数据焊盘电极DPE和通孔VIA交叠的区域中。在实验示例3中，绝缘图案OIL还形成在与数据焊盘电极DPE和通孔VIA交叠的区域相邻的第二层间介电膜ILD2上。此外，通过执行所有后续工序来制造有机发光显示器，并且使用光学相机来测量数据焊盘部区域。
图15示出了在实验示例1中绝缘图案OIL在数据焊盘电极DPE的整个顶表面上完全剥离。图16示出了在实验示例2中形成在数据焊盘电极DPE的顶部上的绝缘图案OIL部分剥离，并且示出了在实验示例3中形成在数据焊盘电极DPE的顶部上的绝缘图案OIL部分剥离，但是形成在第二层间介电膜ILD2上的绝缘图案OIL未剥离。
通过这些实验示例，本公开的发明人注意到，因为通过在数据焊盘电极内形成电极孔而使第二层间介电膜暴露，所以能够通过绝缘图案与第二层间介电膜之间的粘附来防止绝缘图案剥离。
如上所述，在根据本公开的第一实施方式至第三实施方式的有机发光显示器中，电极孔形成在被设置在数据焊盘部中的数据焊盘电极中，使得数据焊盘电极下面的第二层间介电膜与绝缘图案彼此接触。因此，因为绝缘图案与第二层间介电膜之间的粘合力增强，所以能够防止绝缘图案在电极孔周围的数据焊盘电极中剥离。因此，能够提高有机发光显示器的数据焊盘部中的数据驱动部与数据焊盘电极之间的连接的可靠性。
尽管已经参照本公开的多个示例性实施方式描述了实施方式，但是应该理解的是，本领域技术人员能够设计出将落入本公开的原理的范围内的众多其它变型和实施方式。更具体地，可以在本公开、附图和所附的权利要求的范围内对主题组合布置的组成部分和/或布置进行各种变型和修改。除了对这些组成部分和/或布置的变型和修改之外，对于本领域技术人员而言替代使用也将是显而易见的。

Claims (8)

1.一种显示装置，该显示装置包括：
基板；
显示区域，所述显示区域被设置在所述基板上方并且包括多个子像素；以及
数据焊盘部，所述数据焊盘部被设置在除了所述显示区域以外的区域中，其中，所述数据焊盘部包括：
数据信号线，所述数据信号线从所述显示区域延伸；
绝缘膜，所述绝缘膜被设置在所述数据信号线上并且与所述数据信号线绝缘，所述绝缘膜包括使所述数据信号线部分地暴露的通孔；
数据焊盘电极，所述数据焊盘电极被设置在所述绝缘膜上并且通过所述通孔连接到所述数据信号线，其中，所述数据焊盘电极包括至少一个电极孔；以及
绝缘图案，所述绝缘图案被配置为覆盖所述通孔，
其中，所述至少一个电极孔使设置在所述数据焊盘电极下面的所述绝缘膜暴露，
其中，所述至少一个电极孔的至少一部分与所述绝缘图案交叠，并且
其中，所述绝缘图案通过所述至少一个电极孔与所述绝缘膜接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个电极孔与所述绝缘图案完全重叠。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个电极孔与所述数据焊盘电极的边缘分隔开。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个电极孔按照点形式形成。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个电极孔的至少一部分与所述通孔交叠。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个电极孔的面积为所述数据焊盘电极与所述绝缘图案交叠的整个面积的5％至95％。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述子像素中的每一个包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管被设置在所述基板上方；
平整膜，所述平整膜被设置在所述薄膜晶体管上方并且使所述薄膜晶体管的一部分暴露；
第一电极，所述第一电极被设置在所述平整膜上并且连接到所述薄膜晶体管；
发光层，所述发光层被设置在所述第一电极上；以及
第二电极，所述第二电极被设置在所述发光层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述绝缘图案和所述平整膜由相同的材料形成。
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