TWI646681B - 顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種顯示裝置。這種顯示裝置包含一基板，一顯示區域，設置在基板上方並包含複數個子畫素，以及一資料焊盤部，設置在除了顯示區域之外的區域中，其中資料焊盤部包含一資料訊號線，從顯示區域延伸出，一絕緣膜，設置在資料訊號線上並與資料訊號線絕緣，絕緣膜包含一通孔，通孔部分地暴露資料訊號線，一資料焊盤電極，設置在絕緣膜上並通過通孔連接至資料訊號線，其中資料焊盤電極包含至少一個電極孔，以及一絕緣圖案，用以覆蓋通孔。

Description

顯示裝置
本發明係關於一種顯示裝置。
近來已經開發了能夠減小重量和體積，即陰極射線管（CRT）之缺點的各種平面顯示裝置。這些平面顯示裝置的實例包含液晶顯示裝置（LCD）、一場發射顯示器（FED）、一電漿顯示面板（PDP）以及一有機發光顯示器（OLED）。在這些顯示裝置中，有機發光顯示器係為透過激發一有機化合物而發光的一自發光顯示器，並且由於其不需要在液晶顯示裝置（LCD）中使用的背光單元且可簡化製程，因此可實現輕型和薄型。此外，有機發光顯示器（OLED）可以在低溫下製造，具有1毫秒（ms）或更短的一快速響應時間，並且具有例如低功耗、寬視角、以及高對比度的特性。
有機發光顯示器在一第一電極（即，陽極）和一第二電極（即，陰極）之間，包含由一有機物質製成的一發光層。從第一電極提供的電洞和從第二電極提供的電子在發光層中結合以形成激子，即電洞 - 電子對。當激子返回到基態時產生的能量可發射光線。
有機發光顯示器劃分為包含一顯示區域以及一非顯示區域，顯示區域包含複數個畫素且顯示一影像，非顯示區域為除了顯示區域之外的一區域。用於將一資料驅動訊號提供給這些畫素的一資料焊盤部設置在非顯示區域中。資料焊盤部包含從顯示區域延伸出的複數個導線。複數個焊盤電極通過接觸孔連接到這些個導線。為了防止一焊盤電極由於接觸孔區域中的後續製程而損失，設置覆蓋接觸孔區域的一絕緣膜。
然而，覆蓋接觸孔區域的絕緣膜具有如下問題：由於根據與絕緣膜之底部相接觸的層，黏合力變弱，所以它可產生剝離。因此，存在的問題在於，因為設置在接觸孔區域中的焊盤電極損失，因此在與資料驅動部分的連接中發生缺陷，並且有機發光顯示器的可靠性劣化。
因此，本發明在於解決習知技術中出現的上述問題，並且本發明之一目的在於提供一種顯示裝置，這種顯示裝置透過防止一絕緣膜在一資料焊盤部中剝離可提高一有機發光顯示器的可靠性。
本發明提供了一種顯示裝置。這種顯示裝置包含一基板；一顯示區域，設置在基板上方並包含複數個子畫素；以及一資料焊盤部，設置在除了顯示區域之外的區域中，其中資料焊盤部包含：一資料訊號線，從顯示區域延伸出；一絕緣膜，設置在資料訊號線上並與資料訊號線絕緣，絕緣膜包含一通孔，通孔部分地暴露資料訊號線；一資料焊盤電極，設置在絕緣膜上並通過通孔連接至資料訊號線，其中資料焊盤電極包含至少一個電極孔；以及一絕緣圖案，用以覆蓋通孔。
電極孔暴露設置在資料焊盤電極之下的絕緣膜。
電極孔的至少一部分與絕緣圖案重疊。
絕緣圖案通過電極孔與絕緣膜相接觸。
電極孔與絕緣圖案完全重疊。
電極孔與資料焊盤電極的一邊緣相間隔。
電極孔形成為一圓點形狀。
電極孔的至少一部分與通孔重疊。
電極孔的一面積相對於資料焊盤電極和絕緣圖案重疊的一整個區域係為5％至95％。
每一子畫素包含：一薄膜電晶體，設置於基板上方；一平坦化膜，設置於薄膜電晶體上方並且暴露薄膜電晶體的一部分；一第一電極，設置於平坦化膜上並且連接至薄膜電晶體；一發光層，設置於第一電極上；以及一第二電極，設置於發光層上。
絕緣圖案和平坦化膜由相同的材料形成。
在下文中，將參考附圖詳細描述本發明的一些實施例。在本說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。在下面的描述中，如果已知功能和元件的詳細描述認為使得本發明的要點不必要地模糊，則將省略這些詳細描述。此外，在以下描述中使用的元件名稱已經透過僅考慮本說明書的寫入容易性來選擇，並且可與實際部件的名稱不相同。
根據本發明一實施例的顯示裝置係為一塑料顯示裝置，其中一顯示元件已形成在可撓性塑料基板上。塑料顯示裝置的實例可包含一有機發光顯示器、一液晶顯示裝置、以及一電泳顯示裝置。在本發明的一實施例中，將一有機發光顯示器作為一實例描述。一有機發光顯示器包含在第一電極（即，陽極）和第二電極（即，陰極）之間，由一有機物質製成的一發光層。從第一電極提供的電洞和從第二電極提供的電子在發光層中結合以形成激子，即電洞 - 電子對。當激子返回基態時產生的能量可發射光線。除了塑料基板之外，根據本發明一實施例的一有機發光顯示器可形成在一玻璃基板中。
下面參照附圖描述本發明的實施例。
圖1係為一有機發光顯示器的示意性方框圖。圖2係為表示一子畫素之電路結構的第一示例圖。圖3係為表示一子畫素之電路結構的第二示例圖。圖4係為表示一有機發光顯示器的平面圖。圖5係為表示有機發光顯示器之一子畫素的剖視圖。
請參考圖1，有機發光顯示器包含一影像處理部10、一定時控制部20、一資料驅動部30、一閘極驅動部40、以及一顯示面板50。
影像處理部10一起輸出外部的資料訊號DATA以及資料使能訊號DE。除了資料使能訊號DE之外，影像處理部10可輸出一垂直同步訊號、一水平同步訊號、以及一時脈訊號中的一個或多個。為了便於描述，沒有表示出垂直同步訊號、水平同步訊號、以及時脈訊號。影像處理部10以積體電路（IC）的形式形成於一系統電路基板中。
定時控制部20提供有來自影像處理部10的資料訊號DATA以及資料使能訊號DE或包括垂直同步訊號、水平同步訊號、以及時脈訊號的驅動訊號。
定時控制部20根據驅動訊號，輸出用於控制閘極驅動部40之作業定時的一閘極定時控制訊號GDC以及用於控制資料驅動部30之作業定時的一資料定時控制訊號DDC。定時控制部20以積體電路（IC）形式形成於一控制電路基板中。
資料驅動部30響應於由定時控制部20提供的資料定時控制訊號DDC，對由定時控制部20提供的資料訊號DATA採樣和鎖存，將鎖存的訊號轉換為一伽馬基準電壓，並輸出伽馬基準電壓。資料驅動部30通過資料線DL1〜DLn輸出資料訊號DATA。資料驅動部30以一積體電路（IC）形式附接至基板。
閘極驅動部40響應於由定時控制部20提供的閘極定時控制訊號GDC移位一閘極電壓的電平，同時輸出閘極訊號。閘極驅動部40通過閘極線GL1〜GLm輸出閘極訊號。閘極驅動部40以一積體電路（IC）形式形成在一閘極電路基板中或以一gate-in panel形式形成在顯示面板50中。
顯示面板50響應於由資料驅動部30和閘極驅動部40提供的資料訊號DATA和閘極訊號來顯示一影像。顯示面板50包含用於顯示一影像的子畫素SP。
請參考圖2，一個子畫素包含一開關電晶體SW、一驅動電晶體DR、一補償電路CC、以及一有機發光二極體（OLED）。有機發光二極體（OLED）響應於由驅動電晶體DR形成的一驅動電流而運行以發射光線。
開關電晶體SW執行一開關作業，以使得響應於通過第一閘極線GL1提供的一閘極訊號，通過第一資料線DL1提供的一資料訊號作為資料電壓儲存在一電容器Cst中。驅動電晶體DR根據儲存在電容器Cst中的資料電壓而工作，以使得一驅動電流在一高電位電源線VDD和一低電位電源線GND之間流動。補償電路CC功能上用以補償驅動電晶體DR的閥值電壓。此外，連接至開關電晶體SW或驅動電晶體DR的電容器可設置在補償電路CC之中。
補償電路CC包含一個或多個薄膜電晶體（TFT）以及電容器。補償電路CC可具有取決於補償方法的各種結構，並且省略其詳細實例和描述。
此外，如圖3所示，如果包含補償電路CC，則子畫素還包含用於在驅動補償薄膜電晶體（TFT）的同時提供一特定訊號或電源的一訊號線以及一電源線。閘極線GL1可包含用於將一閘極訊號供給至開關電晶體SW的一閘極線GL1a，以及用於驅動子畫素中包含的補償薄膜電晶體的一閘極線GL1b。此外，添加的電源線可定義為用於將子畫素的一特定節點復位到一特定電壓的一初始化電源線INIT。然而，這僅是一實例，並且本發明不限於此。
在圖2及圖3中，補償電路CC表示為包含在一個子畫素中。然而，如果像在資料驅動部30中那樣將補償主體設置在子畫素外部，則可省去補償電路CC。也就是說，一個子畫素基本上包括具有開關電晶體SW、驅動電晶體DR、電容器、以及有機發光二極體（OLED）的一2電晶體（2T）1電容器（1C）的結構。然而，如果添加了補償電路CC，則子畫素可具有不同的結構，例如3T1C、4T2C、5T2C、6T2C、以及7T2C。
此外，在圖2及圖3中，補償電路CC表示為設置在開關電晶體SW和驅動電晶體DR之間。在本發明的一些實施例中，補償電路CC可進一步設置在驅動電晶體DR和有機發光二極體（OLED）之間。補償電路CC的位置和結構不限於圖2及圖3。
請參考圖4，有機發光顯示器的顯示面板包含一基板110、一顯示區域DP、一資料焊盤部60、以及資料訊號線DSL。
資料焊盤部60形成在基板110的底側上。資料焊盤部60是附接有一資料驅動部的一焊盤區域。資料焊盤部60連接至例如其上安裝有資料驅動部的一資料電路基板，或其上安裝有一定時控制部的一控制電路基板。
資料訊號線DSL將一資料訊號提供給形成在顯示區域DP中的子畫素SP。資料訊號線DSL從資料驅動部接收資料訊號，並且將資料訊號從資料焊盤部60傳送到子畫素SP。資料訊號線DSL連接到資料焊盤部60中的焊盤電極。焊盤電極連接到資料驅動部分，稍後將詳細描述。
請參考圖5，根據本發明一個實施例的有機發光顯示器100包括設置在基板110上的一第一緩衝層112。基板110係由玻璃、塑料或金屬製成。在本發明的一個實施例中，基板110由塑料製成。更特別地，基板110可為一聚酰亞胺基板。因此，根據本發明一實施例的基板110具有一可撓性特性。第一緩衝層112功能上保護在後續製程中形成的薄膜電晶體（TFT）免受雜質，例如一氧化矽（SiOx）層、一氮化矽（SiNx）層或它們的一多層的影響。
一屏蔽層114設置在第一緩衝層112上。屏蔽層114功能上防止由於使用聚酰亞胺基板而可產生的一面板驅動電流的減小。一第二緩衝層116設置在屏蔽層114上。第二緩衝層116用於保護在後續製程中形成的薄膜電晶體（TFT）免受從屏蔽層114排出，例如鹼離子的雜質的影響。第二緩衝層116可為一氧化矽（SiOx）層、一氮化矽（SiNx）層或它們的一多層。
一半導體層120設置在第二緩衝層116上。半導體層120可以由一矽半導體或一氧化物半導體製成。矽半導體可包含非晶矽或結晶的多晶矽。多晶矽由於具有100㎠/ Vs或更高的高遷移率、低功耗、以及優良的可靠性，因此可應用於用以驅動元件的一閘極驅動器與/或畫素內的一多工器（MUX）或一薄膜電晶體（TFT）。氧化物半導體由於具有一低截止電流，因此適用於具有短導通時間和長關斷時間的一開關薄膜電晶體（TFT）。此外，氧化物半導體由於具有低截止電流並且對於一畫素具有一長電壓保持時間，因此適用於需要低速驅動與/或低功耗的一顯示裝置。此外，半導體層120包含具有p型或n型雜質的一汲極區域123以及源極區域124，並且包含汲極區域123和源極區域124之間的一通道121。此外，半導體層120在相鄰通道121的汲極區域123和源極區域124之間包含一低濃度摻雜區122。
一閘極絕緣膜GI設置在半導體層120上。閘極絕緣膜GI可為一氧化矽（SiOx）層、一氮化矽（SiNx）層或它們的一多層。一第一閘極130設置在對應於半導體層120的閘極絕緣膜GI上的特定區域中，即，當植入雜質時對應於通道121的位置。第一閘極130用作驅動電晶體DR的閘極。第一閘極130可由鉬（Mo）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、釹（Nd）、以及銅（Cu）或它們的合金構成的組中選擇的任意一種製成。在一些實施例中，第一閘極130可由鉬（Mo）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、釹（Nd）、以及銅（Cu）或它們的合金構成的組中選擇的任意一種製成的一多層。舉例而言，第一閘極130可為鉬/鋁-釹或鉬/鋁的一雙層。
一連接電極132設置在第一閘極130的一側上。連接電極132通過穿透第二緩衝層116的一第一接觸孔CH1連接至閘極絕緣膜GI和屏蔽層114。
用於第一閘極130之絕緣的一第一層間介電質膜ILD1設置在第一閘極130上。第一層間介電質膜ILD1可以是氧化矽（SiO x）層，氮化矽（SiN x）層或它們的多層。第二閘極135設置在第一層間介電質膜ILD1上。第二閘極135是與第一閘極130一起形成一電容器的一電容電極，並且不用作驅動電晶體DR的閘極。用於第二閘極135之絕緣的一第二層間介電質膜ILD2設置在第二閘極135上。暴露半導體層120之一部分的第二及第三接觸孔CH2及CH3設置在第二層間介電質膜ILD2、第一層間介電質膜ILD1、以及閘極絕緣膜GI的一些區域中。半導體層120的汲極區域123通過第二接觸孔CH2暴露，並且半導體層120的源極區域124通過第三接觸孔CH3暴露。此外，暴露連接電極132的一第四接觸孔CH4形成於第二層間介電質膜ILD2和第一層間介電質膜ILD1的一些區域中。此外，暴露第二閘極135的一第五接觸孔CH5設置在第二層間介電質膜ILD2的一些區域中。
一汲極140和一源極145設置在第二層間介電質膜ILD2上。汲極140通過第二接觸孔CH2連接到半導體層120，半導體層120的汲極區域123通過第二接觸孔CH2而暴露。源極145通過第三接觸孔CH3連接到半導體層120，半導體層120的源極區域124通過第三接觸孔CH3而暴露。此外，源極145穿透第二層間介電質膜ILD2和第一層間介電質膜ILD1，並且源極145通過暴露連接電極132的第四接觸孔CH4連接到連接電極132，並且通過第五接觸孔CH5連接到第二閘極135。源極145和汲極140可為一單層或一多層。如果源極145和汲極140由一單層形成，則它們可由鉬（Mo）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、釹（Nd）、以及銅（Cu）或它們的合金構成的組中選擇的任意一種製成。此外，如果源極145和汲極140由多層形成，則它們可以是鉬/鋁-釹的一雙層或者鈦/鋁/鈦、鉬/鋁/鉬或鉬/鋁-釹/鉬的一三層。
因此，形成具有半導體層120、第一閘極130、汲極140、以及源極145的一驅動電晶體DR。
一平坦化膜PLN設置在具有驅動電晶體DR的基板110上。平坦化膜PLN可以是用於減小一底層結構之台階的一平坦化膜，並且由例如聚酰亞胺、苯並環丁烯系樹脂或丙烯酸酯的一有機物質製成。平坦化膜PLN可透過例如旋塗玻璃（SOG，spin-on glass）的方法形成，用於塗覆一液體形式的一有機物質並使其固化。
在平坦化膜PLN的一些區域中形成一第六接觸孔CH6，第六接觸孔CH6用以暴露源極145。一第一電極160形成於平坦化膜PLN上。第一電極160用作一畫素電極，並且通過第六接觸孔CH6連接到驅動電晶體DR之源極145。第一電極160為一陽極，並且可由例如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZC）或氧化鋅（ZnO）的透明導電材料製成。如果第一電極160為一反射電極，則第一電極160包含一反射層。反射層可以由鋁（Al）、銅（Cu）、銀（Ag）或鎳（Ni）或它們的一合金製成。更特別地，反射層可由銀/鈀/銅（APC）的一合金製成。
用於分隔畫素的一堤層BNK設置在具有第一電極160的基板110上。堤層BNK由例如聚酰亞胺、苯並環丁烯系樹脂或丙烯酸酯的一有機物質製成。在堤層BNK中設置有暴露第一電極160的一開口部OP。與第一電極160相接觸的一發光層170設置於堤層BNK的開口部OP中。發光層170是其中電子和電洞相結合以發射光線的一層。一電洞注入層或電洞傳輸層可設置在發光層170和第一電極160之間。一電子傳輸層或電子注入層可設置在發光層170上。
一第二電極180設置在發光層170上。第二電極180設置在一顯示部分A/A的整個表面上，並且為一陰極。第二電極180可以由具有低功函數的鎂（Mg）、鈣（Ca）、鋁（Al）或銀（Ag）或它們的合金製成。如果第二電極180為一透射電極，則具有使得第二電極180可以透射光線的一薄的厚度。如果第二電極180為一反射電極，則使得光線可以從第二電極180反射的一厚的厚度。
根據本發明一實施例的有機發光顯示器可能具有在資料焊盤部中剝離絕緣膜的問題。下面將詳細描述根據本發明一實施例的一資料焊盤部。
＜第一實施例＞
圖6係為圖4所示的有機發光顯示器之資料焊盤部之第一實施例的平面圖。圖7至圖9係為圖6所示的一資料焊盤部之一部分放大的平面圖。圖10係為沿圖7之I-I'線的剖視圖。
如圖6所示，資料焊盤電極DPE設置在有機發光顯示器的資料焊盤部60中，其中資料焊盤電極DPE連接至從基板110之顯示區域延伸出的資料訊號線DSL。資料焊盤電極DPE在形成於基板110上的第二層間介電質膜ILD2上以複數個列和行設置，因此保證了空間，以使得從顯示區域延伸出的資料訊號線不會重疊。儘管在圖6中未示，從顯示區域延伸出的資料訊號線根據資料焊盤電極DPE設置在第二層間介電質膜ILD2之下。資料焊盤電極DPE通過穿透第二層間介電質膜ILD2的通孔VIA連接至資料訊號線。
一絕緣圖案OIL設置於其中具有通孔VIA的區域上。絕緣圖案OIL透過與顯示區域的平坦化膜相同的製程形成。當所有的通孔VIA均由絕緣圖案OIL覆蓋時，設置在通孔VIA上的資料焊盤電極DPE也受到覆蓋。當設置在通孔VIA中的資料焊盤電極DPE由絕緣圖案OIL覆蓋時，可防止資料焊盤電極DPE的一部分在後續製程中從通孔VIA損失。
請參考圖7及圖10，第一緩衝層112、第二緩衝層116、以及閘極絕緣膜GI設置在基板110上。資料訊號線DSL設置在閘極絕緣膜GI上。資料訊號線DSL透過與顯示區域的第一閘極相同的製程形成。第一層間介電質膜ILD1和第二層間介電質膜ILD2順次地層疊在資料訊號線DSL上。穿過第一層間介電質膜ILD1和第二層間介電質膜ILD2的通孔VIA形成於第一層間介電質膜ILD1和第二層間介電質膜ILD2中。資料焊盤電極DPE形成在第二層間介電質膜ILD2上。資料焊盤電極DPE通過通孔VIA連接至資料訊號線DSL。
根據本發明一實施例的資料焊盤電極DPE具有一電極孔SH，電極孔SH形成在與絕緣圖案OIL重疊的一些區域中。電極孔SH透過蝕刻資料焊盤電極DPE形成，並且電極孔SH用於暴露下面的第二層間介電質膜ILD2，以使得第二層間介電質膜ILD2與絕緣圖案OIL相接觸。絕緣圖案OIL由類似於平坦化膜的一有機膜形成，並且絕緣圖案OIL與例如資料焊盤電極DPE的金屬之間的一黏附力減小。在這種情況下，如果絕緣圖案OIL形成在資料焊盤電極DPE上，則絕緣圖案OIL容易剝離。特別地，如果一台階形成於資料焊盤電極DPE中，則在已經形成台階的區域中，絕緣圖案OIL和資料焊盤電極DPE之間的黏附力減小。
在本發明的一實施例中，由於電極孔SH形成於資料焊盤電極DPE中，因此具有與絕緣圖案OIL具有優良黏附力的第二層間介電質膜ILD2結合到絕緣圖案OIL，使得第二層間介電質膜ILD2通過電極孔SH而暴露。因此，絕緣圖案OIL和第二層間介電質膜ILD2在一些區域中結合在一起，從而防止資料焊盤電極DPE和資料焊盤電極DPE上方的絕緣圖案OIL之間的黏附力減小。
資料焊盤電極DPE的電極孔SH與一相鄰的資料焊盤電極DPE之邊緣以一特定距離「d1」相間隔。電極孔SH用於增強資料焊盤電極DPE和和絕緣圖案OIL之間的一黏附力，因此資料焊盤電極DPE和絕緣圖案OIL可至少存在於電極孔SH的外圍中。在本發明的另一實施例中，如圖8所示，電極孔SH可形成為偏向一相鄰資料焊盤電極DPE的一側。舉例而言，電極孔SH可形成為具有斷開資料焊盤電極DPE之一側上的連接的形狀。在本發明的再一實施例中，如圖9所示，可形成複數個電極孔SH。在這種情況下，每一電極孔可具有一圓點形狀。在本發明的實施例中，電極孔SH的數目和形狀沒有限制。如果資料焊盤電極DPE僅需要通過裝置暴露，以使得第二層間電介質膜ILD2可以與絕緣圖案OIL相接觸。則可以使用任何裝置。
在本發明的一實施例中，絕緣圖案OIL可形成為覆蓋形成在資料焊盤電極DPE中的整個電極孔SH，以使得絕緣圖案OIL和第二層間介電質膜ILD2之間的一黏附面積最大化。然而，本發明不限於這樣的一實施例。絕緣圖案OIL可形成為如一第二實施例中那樣覆蓋電極孔SH的一部分。
＜第二實施例＞
圖11係為圖6所示的資料焊盤部之一部分放大的平面圖。圖12係為沿圖11的線II-II'截取的剖視圖。
請參考圖11及圖12，根據本發明一實施例的資料焊盤電極DPE包含電極孔SH。絕緣圖案OIL設置在資料焊盤電極DPE上，但是僅電極孔SH的一部分可使用絕緣圖案OIL覆蓋。其中僅電極孔SH的一部分由絕緣圖案OIL覆蓋的結構包含其中絕緣圖案OIL的尺寸固定，並且資料焊盤電極DPE的電極孔SH移動至圖中頂部的一結構，以及其中資料焊盤電極DPE之電極孔SH的位置固定並且絕緣圖案OIL的尺寸減小的一結構。如果絕緣圖案OIL和第二層間介電質膜ILD2可通過資料焊盤電極DPE之電極孔SH彼此接觸，則任何結構可應用於本發明之一實施例。
本發明之第二實施例可透過提供其中電極孔SH的至少一部分由絕緣圖案OIL覆蓋的結構，來提供電極孔SH和絕緣圖案OIL可重疊的一加工餘量。
在本發明的另一實施例中，電極孔SH可設置為與通孔VIA重疊。
＜第三實施例＞
圖13係為圖6所示的資料焊盤部之一部分的放大的平面圖。圖14係為沿圖13之III-III'線的剖視圖。
請參考圖13及圖14，根據本發明一實施例的資料焊盤電極DPE包括電極孔SH。形成在資料焊盤電極DPE中的電極孔SH與形成在第一層間介電質膜ILD1和第二層間介電質膜ILD2中的通孔VIA重疊。電極孔SH的至少一部分，例如整個電極孔SH可由形成在資料焊盤電極DPE上的絕緣圖案OIL覆蓋。根據本發明第三實施例的結構揭露了電極孔SH的尺寸盡可能最大化，但是資料焊盤電極DPE和資料訊號線DSL至少彼此相接觸。因此，絕緣圖案OIL和第二層間介電質膜ILD2之間的黏合力可最大化。
在本發明的本實施例中，電極孔SH的面積可相對於其中資料焊盤電極DPE和絕緣圖案OIL重疊的整個區域為5％至95％。如果電極孔SH的面積相對於資料焊盤電極DPE和絕緣圖案OIL重疊的整個區域為5％或更多，則絕緣圖案OIL和第二層間介電質膜ILD2之間的黏附力可因為絕緣圖案OIL和第二層間介電質膜ILD2的接觸面積變寬而提高。如果電極孔SH的面積相對於資料焊盤電極DPE和絕緣圖案OIL重疊的整個區域為95％或更小，則因為保證了資料焊盤電極DPE和資料訊號線DSL之間的一最小接觸面積，因此可防止資料焊盤電極DPE和資料訊號線DSL之間的接觸電阻的增加。
如上所述，在根據本發明的第一至第三實施例的有機發光顯示器中，因為電極孔形成於設置在資料焊盤部中的資料焊盤電極中，資料焊盤電極下面的第二層間介電質膜和絕緣圖案彼此相接觸。因此，由於絕緣圖案和第二層間介電質膜之間的黏附力增強，所以可防止絕緣圖案在電極孔周圍的資料焊盤電極中剝離。因此，可提高有機發光顯示器的資料焊盤部中的資料驅動部和資料焊盤電極之間一連接的可靠性。
下面描述根據本發明一實施例的有機發光顯示器的實驗例。
圖15係為表示根據一實驗例1之結構的一絕緣圖案中的缺陷的影像。圖16係為表示根據實驗例2及3之結構的一絕緣圖案中的缺陷的影像。
在實驗例1中，絕緣圖案OIL在其中資料焊盤電極DPE和通孔VIA重疊的區域中形成為一線形狀。在實驗例2中，絕緣圖案OIL僅在其中資料焊盤電極DPE和通孔VIA重疊的區域中形成為一島狀圖案。在實驗例3中，絕緣圖案OIL還形成在與其中資料焊盤電極DPE和通孔VIA重疊之區域相鄰的第二層間介電質膜ILD2上。此外，有機發光顯示器透過執行所有後續製程製造，並且使用光學照相機測量資料焊盤部區域。
圖15表示在實驗例1中，絕緣圖案OIL在資料焊盤電極DPE的整個頂表面上完全剝離。圖16表示在實驗例2中，在資料焊盤電極DPE之頂部上形成的絕緣圖案OIL部分地剝離，並且在實驗例3中，在資料焊盤電極DPE之頂部上形成的絕緣圖案OIL部分地剝離，但是形成在第二層間介電質膜ILD2上的絕緣圖案OIL未剝離。
通過實驗例，本發明的發明人注意到，因為透過在資料焊盤電極中形成電極孔暴露第二層間介電質膜，因此可防止絕緣圖案透過絕緣圖案和第二層間介電質膜之間的黏附而剝離。
如上所述，在根據本發明第一至第三實施例的有機發光顯示器中，電極孔形成於設置在資料焊盤部中的資料焊盤電極中，以使得資料焊盤電極下的第二層間介電質膜和絕緣圖案彼此相接觸。因此，由於絕緣圖案和第二層間介電質膜之間的黏附力增強，所以可以防止絕緣圖案在電極孔周圍的資料焊盤電極中剝離。因此，有機發光顯示器的資料焊盤部中的資料驅動部和資料焊盤電極之間的連接的可靠性得到提高。
儘管已經參考多個說明性實施例描述了本發明的實施例，但應當理解的是，本領域技術人員可設計落入本發明之原理的範圍內的許多其它修改和實施例。更特別地，在本公開、圖式以及所附之專利申請範圍的範圍內，可以對主題組合設置的組成部分與/或佈置進行各種變化和修改。除了組成部分與/或佈置的變化和修改之外，多種用途的使用對於本領域技術人員也是顯而易見的。
10‧‧‧影像處理部
20‧‧‧定時控制部
30‧‧‧資料驅動部
40‧‧‧閘極驅動部
50‧‧‧顯示面板
60‧‧‧資料焊盤部
100‧‧‧有機發光顯示器
110‧‧‧基板
112‧‧‧第一緩衝層
114‧‧‧屏蔽層
116‧‧‧第二緩衝層
120‧‧‧半導體層
121‧‧‧通道
122‧‧‧低濃度摻雜區
123‧‧‧汲極區域
124‧‧‧源極區域
130‧‧‧第一閘極
132‧‧‧連接電極
135‧‧‧第二閘極
140‧‧‧汲極
145‧‧‧源極
160‧‧‧第一電極
170‧‧‧發光層
180‧‧‧第二電極
DR‧‧‧驅動電晶體
DATA‧‧‧資料訊號
DE‧‧‧資料使能訊號
DDC‧‧‧資料定時控制訊號
GDC‧‧‧閘極定時控制訊號
SP‧‧‧子畫素
Cst‧‧‧電容器
CC‧‧‧補償電路
OLED‧‧‧有機發光二極體
GL1〜GLm‧‧‧閘極線
DL1〜DLn‧‧‧資料線
GND‧‧‧低電位電源線
VDD‧‧‧高電位電源線
SW‧‧‧開關電晶體
GL1a‧‧‧閘極線
GL1b‧‧‧閘極線
INIT‧‧‧初始化電源線
VIA‧‧‧通孔
SH‧‧‧電極孔
ILD1‧‧‧第一層間介電質膜
ILD2‧‧‧第二層間介電質膜
DPE‧‧‧資料焊盤電極
DP‧‧‧顯示區域
d1‧‧‧距離
DSL‧‧‧資料訊號線
CH1‧‧‧第一接觸孔
CH2‧‧‧第二接觸孔
CH3‧‧‧第三接觸孔
CH4‧‧‧第四接觸孔
CH5‧‧‧第五接觸孔
CH6‧‧‧第六接觸孔
OP‧‧‧開口部
GI‧‧‧閘極絕緣膜
BNK‧‧‧堤層
PLN‧‧‧平坦化膜
OIL‧‧‧絕緣圖案
圖1係為一有機發光顯示器的示意性方框圖； 圖2係為表示一子畫素之電路結構的第一示例圖； 圖3係為表示一子畫素之電路結構的第二示例圖； 圖4係為表示一有機發光顯示器的平面圖； 圖5係為表示有機發光顯示器之一子畫素的剖視圖； 圖6係為圖4所示的有機發光顯示器之資料焊盤部之第一實施例的平面圖； 圖7至圖9係為圖6所示的一資料焊盤部之一部分放大的平面圖； 圖10係為沿圖7之I-I'線的剖視圖； 圖11係為圖6所示的資料焊盤部之一部分放大的平面圖； 圖12係為沿圖11的線II-II'截取的剖視圖； 圖13係為圖6所示的資料焊盤部之一部分的放大的平面圖； 圖14係為沿圖13之III-III'線的剖視圖； 圖15係為表示根據一實驗例1之結構的一絕緣圖案中的缺陷的影像；以及 圖16係為表示根據實驗例2及3之結構的一絕緣圖案中的缺陷的影像。

Claims (10)

  1. 一種顯示裝置，包含：一基板；一顯示區域，設置在該基板上方並且包含複數個子畫素；以及一資料焊盤部，設置在除了該顯示區域之外的區域中，其中該資料焊盤部包含：一資料訊號線，從該顯示區域延伸出；一絕緣膜，設置在該資料訊號線上並且與該資料訊號線絕緣，該絕緣膜包含一通孔，該通孔部分地暴露該資料訊號線；一資料焊盤電極，設置在該絕緣膜上並且通過該通孔連接至該資料訊號線，其中該資料焊盤電極包含至少一個電極孔；以及一絕緣圖案，用以覆蓋該通孔，其中該絕緣圖案通過該電極孔與該絕緣膜相接觸，進而設置在該通孔中的該資料焊盤電極由該絕緣圖案覆蓋。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該電極孔暴露設置在該資料焊盤電極之下的該絕緣膜。
  3. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該電極孔的至少一部分與該絕緣圖案重疊。
  4. 如請求項3所述之顯示裝置，其中該電極孔與該絕緣圖案完全重疊。
  5. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該電極孔與該資料焊盤電極的一邊緣相間隔。
  6. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該電極孔形成為一圓點形狀。
  7. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該電極孔的至少一部分與該通孔重疊。
  8. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該電極孔的一面積相對於該資料焊盤電極和該絕緣圖案重疊的一整個區域係為5%至95%。
  9. 如請求項1所述之顯示裝置，其中每一該些子畫素包含：一薄膜電晶體，設置於該基板上方；一平坦化膜，設置於該薄膜電晶體上方並且暴露該薄膜電晶體的一部分；一第一電極，設置於該平坦化膜上並且連接至該薄膜電晶體；一發光層，設置於該第一電極上；以及一第二電極，設置於該發光層上。
  10. 如請求項9所述之顯示裝置，其中該絕緣圖案和該平坦化膜由相同的材料形成。
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