CN208489194U - 阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开的实施例关于一种阵列基板、显示面板及显示装置。该阵列基板包括：电路区，所述电路区包括堆叠的数层导电层及设置于相邻两导电层之间的层间绝缘层，所述层间绝缘层上设置有第一过孔；设置于所述电路区之外的边界区，所述边界区靠近所述电路区的一侧的预设范围内设置有用于提高所述电路区第一过孔均一性的第二过孔；其中，所述第二过孔与所述第一过孔设置于同一层层间绝缘层上。

Description

阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示面板朝着轻薄、低能耗、方便携带的趋势发展，以有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)为代表的新一代显示技术受到了越来越广泛的关注。相比于LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示)显示技术，OLED具有与轻薄、低功耗、低驱动电压、更良好的视角和对比度以及更快的响应速度等优点。
在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
实用新型内容
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开的一方面，提供一种阵列基板，包括：电路区，所述电路区包括堆叠的数层导电层及设置于相邻两导电层之间的层间绝缘层，所述层间绝缘层上设置有第一过孔；设置于所述电路区之外的边界区，所述边界区靠近所述电路区的一侧的预设范围内设置有用于提高所述电路区第一过孔均一性的第二过孔；其中，所述第二过孔与所述第一过孔设置于同一层层间绝缘层上。
根据本公开的一实施方式，所述电路区的第一过孔密度与所述边界区的第二过孔密度相同。
根据本公开的一实施方式，所述电路区的第一过孔形状与所述边界区的第二过孔形状相同或者不同。
根据本公开的一实施方式，所述边界区的第二过孔形状为圆形、条状、矩形或者不规则形状中的任意一种或者多种。
根据本公开的一实施方式，所述电路区的第一过孔分布与所述边界区的第二过孔分布相同。
根据本公开的一实施方式，所述电路区包括显示电路区、驱动电路区、静电释放电路区中的任意一种或者多种。
根据本公开的一实施方式，所述边界区包括引线区、扇出区、绑定区中的任意一种或者两种。
根据本公开的一实施方式，所述电路区包括相邻设置的第一电路区和第二电路区，所述边界区为所述第一电路区和所述第二电路区之间的间隙区。
根据本公开的一实施方式，所述电路区包括多个像素或者子像素，其中，所述预设范围的宽度大于所述像素或者子像素的第一边的宽度。
根据本公开的一实施方式，所述数层导电层包括：源漏金属层和栅极金属层；其中，所述层间绝缘层设置于所述源漏金属层和/或所述栅极金属层之上。
根据本公开的一方面，提供一种显示面板，包括上述任一实施例所述的阵列基板。
根据本公开的一方面，提供一种显示装置，包括上述任一实施例所述的显示面板。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本实用新型的实施例，并与说明书一起用于解释本实用新型的原理。
图1示意性示出相关技术中的一种阵列基板的示意图；
图2示意性示出根据本公开示例实施方式的一种阵列基板的示意图；
图3示意性示出根据本公开示例实施方式的另一种阵列基板的示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现、材料或者操作以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。
附图中所示的一些方框图是功能实体，不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本实用新型相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本实用新型的一些方面相一致的装置和方法的例子。
图1示意性示出相关技术中的一种阵列基板的示意图。
如图1所示，为相关技术中OLDE的阵列基板100的ILD(InterLayer Dielectric，层间绝缘层或者层间介质层)过孔(即图1中的第一过孔131)的分布示意图。其中，阵列基板100可以包括电路区和设置于所述电路区之外的边界区。
例如，所述电路区可以包括显示电路区111、驱动电路区112(例如Gate driver onArray，栅极驱动电路区，以下简称为GOA区)和静电释放(Electro-Static discharge，静电释放，简称为ESD)电路区(图中未示出)等中的任意一种或者多种。
例如，所述边界区可以包括引线区121、扇出区122、绑定区123、显示电路区111和驱动电路区112之间的间隙区124等中的任意一种或者多种。其中，显示电路区111、驱动电路区112和静电释放电路区中设置有第一过孔131(这里以ILD过孔为例进行说明，但本公开并不限定于此)。
相关技术中，ILD第一过孔131通常形成在显示电路区111以及GOA区112、ESD区等区域，这些区域之间通常会有间隙，而在这些间隙区和/或引线区121和/或扇出区122和/或绑定区123，也会形成ILD层。ILD第一过孔131的形成需要通过PR(Photoresist，光刻胶)涂布、曝光、显影及干刻等一系列工艺，由于工艺误差的影响，存在所述电路区之外(例如电路区靠近间隙区的边界处)ILD第一过孔131尺寸大于所述电路区内部的情况，即存在过刻现象，最终会造成显示面板显示不良。
本公开实施方式首先提供了一种阵列基板，该阵列基板可以包括：电路区，所述电路区可以包括堆叠的数层导电层及设置于相邻两导电层之间的层间绝缘层ILD，所述层间绝缘层ILD上可以设置有第一过孔；设置于所述电路区之外的边界区，所述边界区靠近所述电路区的一侧的预设范围内可以设置有用于提高所述电路区第一过孔均一性的第二过孔；其中，所述第二过孔与所述第一过孔可以设置于同一层层间绝缘层ILD上。
本公开实施方式提供的阵列基板，通过在阵列基板的电路区的边界之外一定范围内即边界区靠近所述电路区的一侧的预设范围内设置第二过孔例如ILD第二过孔，在不增加MASK(掩膜)的前提下，可以实现电路区边界之外ILD第二过孔和电路区内部ILD第一过孔的均一性，解决电路区边界处ILD过孔过刻导致的显示不良问题，能够提高阵列基板的工艺良率，改善显示面板的显示效果，从而能够降低阵列基板的生产成本。
在示例性实施例中，所述第一过孔和所述第二过孔可以为设置于所述层间绝缘层内的层间绝缘层过孔即ILD过孔。
需要说明的是，下面的实施例中，均以所述第一过孔和所述第二过孔均为ILD过孔为例进行说明，但本公开并不限定于此，任意采用相同工艺例如通过PR涂布、曝光、显影及干刻等一系列工艺形成过孔的其他类型过孔均可以适用于本公开的技术方案。
在示例性实施例中，所述电路区可以包括显示电路区、驱动电路区、静电释放电路区等中的任意一种或者多种。
在示例性实施例中，所述边界区可以包括引线区、扇出区、绑定区等中的任意一种或者两种。
在示例性实施例中，所述电路区包括相邻设置的第一电路区和第二电路区，所述边界区为所述第一电路区和所述第二电路区之间的间隙区。
例如，所述第一电路区可以为显示电路区，所述第二电路区可以为驱动电路区，所述边界区为所述显示电路区和所述驱动电路区之间的间隙区。但本公开并不限定于此。
图2示意性示出根据本公开示例实施方式的一种阵列基板的示意图。
如图2所示，显示电路区111的ILD层上可以设置多个第一过孔131；显示电路区111之外的引线区121靠近显示电路区111的一侧的ILD层上可以设置多个第二过孔132。
本公开实施例中，可以通过以下工艺流程形成所述第一过孔131和/或第二过孔132：在阵列基板上沉积ILD层之后，涂覆光刻胶PR，之后用可以用紫外线透过mask照射PR，曝光处理后用显影液去除光照部分PR，形成PR图案；再进行反应离子刻蚀(Reactive IonEtching，RIE)形成ILD过孔图案。
例如，刻蚀气体可以采用HF，CF4等。
其中，显影液是一种用水稀释的强碱溶液，例如四甲基氢氧化铵(Tetramethylammonium Hydroxide，TMAOH)。
在示例性实施例中，所述数层导电层可以包括：源漏金属层和栅极金属层；其中，所述层间绝缘层可以设置于所述源漏金属层(SD金属层)和/或所述栅极金属层(Gate金属层)之上。
例如，所述层间绝缘层可以包括第一绝缘层和第二绝缘层，其中，所述源漏金属层可以设置于基板上，所述第一绝缘层可以设置于所述源漏金属层之上，所述栅极金属层可以设置于所述第一绝缘层之上，所述第二绝缘层可以设置于所述栅极金属层之上。本公开并不限定于此。
本公开实施方式提供的阵列基板，在显示电路区111内部形成第一过孔131，同时在显示电路区111边界之外的引线区121形成第二过孔132，由于引线区121的引线所在层为SD金属层或Gate金属层，在形成ILD时已经形成，因此不会对引线有影响。而在引线区121形成第二过孔132例如ILD第二过孔，保证了显示电路区111内部第一过孔131例如ILD第一过孔的之外条件一致性，从而保持了显示电路区111内部ILD第一过孔的均一性。
在示例性实施例中，所述电路区的第一过孔密度与所述边界区的第二过孔密度相同。需要说明的是，这里所述电路区的第一过孔密度与所述边界区的第二过孔密度相同是指电路区的边界之外一定范围内的第二过孔密度与相应电路区内的第一过孔密度保持大致相同。
其中，第一过孔密度可以定义为电路区内部的第一过孔的面积之和与该电路区的总面积的比值，例如显示电路区内部的第一过孔的面积之和与该电路区的总面积的比值。第二过孔密度定义为相应边界区内的第二过孔的面积之和与第二过孔所处的预设范围的面积的比值，例如，所述引线区内的第二过孔的面积之和与所述引线区设置有第二过孔的预设范围的面积的比值。
在示例性实施例中，所述电路区的第一过孔形状与所述边界区的第二过孔形状可以相同，也可以不同。
在图2所示的实施例中，显示电路区111的第一过孔131和引线区121的第二过孔132的形状相同，且均为圆形，但本公开并不限定于此。在其他实施例中，引线区121的第二过孔132也可以与显示电路区111的第一过孔131形状不一致。
例如，所述边界区的第二过孔形状还可以为条状、矩形或者不规则形状等中的任意一种或者多种。
在示例性实施例中，当所述边界区的第二过孔形状为条状时，所述条状可为直线也可为曲线，类似沟槽。
在示例性实施例中，所述电路区的第一过孔分布与所述边界区的第二过孔分布相同。
在图2所示的实施例中，显示电路区111的第一过孔131和引线区121的第二过孔132的形状、分布、过孔密度等均保持一致，这样可以进一步提高阵列基板的电路区内部的ILD过孔的均一性，如此可达到较好的显示效果。
在示例性实施例中，所述电路区可以包括多个像素或者子像素，其中，所述预设范围的宽度可以设置为大于所述像素或者子像素的第一边(例如所述像素或者子像素的短边)的宽度。
例如，图2所示的实施例中，引线区121的第二过孔132的预设范围的宽度w，w可以设置为大于所述像素或者子像素的短边的宽度。
其中，设置第二过孔的预设范围的宽度的取值范围与形成过孔的曝光、显影和干刻的精度及均匀性、以及显影液粘滞性有关系，而与电路区的面积和边长无直接关系，只要存在dummy过孔(即上述的第二过孔)就会对正常起作用的过孔(即上述的第一过孔)存在有益效果。
图3示意性示出根据本公开示例实施方式的另一种阵列基板的示意图。
如图3所示，显示电路区111上可以设置有数个第一过孔131；在显示电路区111之外的扇出区122靠近显示电路区111的一侧的预设范围内也可以设置第二过孔132，其中设置第二过孔132的预设范围的宽度为w。即ILD过孔也可形成在扇出区122，理由同上图2所示实施例所述。
同样的，在其他实施例中，也可在驱动电路区、ESD区等其他需要设置第一过孔例如ILD第一过孔的区域的边界之外设置一定数量的第二过孔例如ILD第二过孔，以达到前述效果。
本示例性实施方式还公开了一种显示面板，包括上述任一实施例所述的阵列基板。
在示例性实施例中，所述显示面板可以为OLED显示面板。由于OLED显示面板的阵列结构复杂，对应的工艺流程也更加复杂，且ILD过孔密度远大于相同PPI(Pixels PerInch，每英寸所拥有的像素数目)的LCD显示面板。
但本公开并不限定于此，例如还可以为LCD显示面板或者采用相同工艺的任意其他种类的显示面板。
该显示面板与上述阵列基板具有相同的技术特征和工作原理，上述内容已经做出详细的说明，此处不再赘述。
本示例性实施方式还提出一种显示装置，包括上述任一实施例所述的显示面板。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的实用新型后，将容易想到本实用新型的其它实施方案。本申请旨在涵盖本实用新型的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本实用新型的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本实用新型的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
以上具体地示出和描述了本公开的示例性实施方式。应可理解的是，本公开不限于这里描述的详细结构、设置方式或实现方法；相反，本公开意图涵盖包含在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效设置。

Claims (13)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
电路区，所述电路区包括堆叠的数层导电层及设置于相邻两导电层之间的层间绝缘层，所述层间绝缘层上设置有第一过孔；
设置于所述电路区之外的边界区，所述边界区靠近所述电路区的一侧的预设范围内设置有用于提高所述电路区第一过孔均一性的第二过孔；
其中，所述第二过孔与所述第一过孔设置于同一层层间绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电路区的第一过孔密度与所述边界区的第二过孔密度相同。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电路区的第一过孔形状与所述边界区的第二过孔形状相同或者不同。
4.根据权利要求1或3所述的阵列基板，其特征在于，所述边界区的第二过孔形状为圆形、条状、矩形中的任意一种或者多种。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述电路区的第一过孔分布与所述边界区的第二过孔分布相同。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电路区包括显示电路区、驱动电路区、静电释放电路区中的任意一种或者多种。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述边界区包括引线区、扇出区、绑定区中的任意一种或者两种。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电路区包括相邻设置的第一电路区和第二电路区，所述边界区为所述第一电路区和所述第二电路区之间的间隙区。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电路区包括多个像素或者子像素，其中，所述预设范围的宽度大于所述像素或者子像素的第一边的宽度。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数层导电层包括：
源漏金属层和栅极金属层；
其中，所述层间绝缘层设置于所述源漏金属层和/或所述栅极金属层之上。
11.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为OLED显示面板。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11或者12所述的显示面板。
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