CN117321658A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

在非显示区域(N)中设有以包围贯通孔(H)的方式设置多个倒锥形凸部(Ca)，各倒锥形凸部(Ca)具有：由树脂基板层(10)形成且通过多个基板狭缝(Sa)分离的树脂部(8a)、以及设置在树脂部(8a)上的无机绝缘层(11a、13a、15a、17a)，第一无机密封膜(41)以覆盖多个倒锥形凸部(Ca)以及多个基板狭缝(Sa)的方式设置，在多个倒锥形凸部(Ca)中的至少一个中，在无机绝缘层(17a)上设置有金属层(18pa)。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机电致发光(ElectroLuminescence，以下，称为“EL”)元件的自发光型的有机EL显示装置备受关注。在此，有机EL显示装置具备：例如，树脂基板层、设置在该树脂基板层上且排列有薄膜晶体管(thin filmtransistor，以下，也称为“TFT”)的TFT层、设置在该TFT层上的有机EL元件层以及以覆盖有机EL元件层的方式设置的密封膜。在该有机EL显示装置中，为了在进行图像显示的显示区域的内部设置例如照相机、指纹传感器等电子部件，提出了设置岛状的非显示区域，在该非显示区域设置贯通厚度方向的贯通孔的结构。
例如，在专利文献1中公开了一种电子装置，其具备：显示面板，其在显示区域中设置有贯通基底基板的前表面和背面的模块孔；以及电子模块，其容纳于模块孔。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2019-35950号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
另外，有机EL元件包括：设置在TFT层上的第一电极、设置在该第一电极上的发光功能层以及设置在该发光功能层上的第二电极。在此，发光功能层包含：以与构成显示区域的多个子像素对应的方式设置多个的单独的发光功能层；以及以与上述多个子像素共用的方式设置的共用的发光功能层。而且，在上述的显示区域的内部设置有贯通孔的有机EL显示装置中，水分等会经由从贯通孔露出的共用的发光功能层流入，共用的发光功能层以及与其接触的单独的发光功能层有可能劣化，因此，需要在贯通孔的周边将利用蒸镀法形成的共用的发光功能层分离地形成在显示区域侧和贯通孔侧。因此，提出了在有机EL显示装置中，对构成TFT层的无机绝缘膜进行图案化，利用该图案化后的无机绝缘膜，在贯通孔的周边，在树脂基板层上形成环状的狭缝，形成倒锥状的剖面结构。根据该树脂基板层和无机绝缘膜的倒锥状的剖面结构，虽然能够在显示区域侧和贯通孔侧分离地形成共通的发光功能层，但由于形成贯通孔的加工以及之后施加的负荷，在贯通孔的周边，在由构成密封膜的无机绝缘膜构成的无机密封膜中产生裂纹，该裂纹有可能朝向显示区域行进。这样一来，水分等经由该裂缝流入发光功能层，导致发光功能层劣化，显示不良，因而存在改善的余地。
本发明是鉴于上述方面而完成的，其目的在于，抑制在贯通孔的周边抑制无机密封膜中的裂纹的产生以及向显示区域的行进。
解决问题的方案
为了达成上述目的，本发明所涉及的显示装置包括：树脂基板层；薄膜晶体管层，其设置在所述树脂基板层上，且依次层叠有无机绝缘膜以及金属布线层；发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层上，且与构成显示区域的多个子像素对应地依次层叠有多个第一电极、共用的发光功能层、共用的第二电极；以及第一无机密封膜，其以覆盖所述发光元件层的方式设置，在所述显示区域的内部设有岛状的非显示区域，在所述非显示区域设有沿所述树脂基板层的厚度方向贯通的贯通孔，在所述非显示区域中设有多个倒锥形凸部，所述多个倒锥形凸部以包围所述贯通孔的方式设置，所述各倒锥形凸部具有：树脂部，其由所述树脂基板层形成；无机绝缘层，其设置在该树脂部上，且由与所述无机绝缘膜相同的材料形成于同一层，所述各倒锥形凸部的所述树脂部通过多个基板狭缝分离，所述多个基板狭缝分别以在所述树脂基板层的所述薄膜晶体管层侧的表面包围所述贯通孔的方式形成，在所述各倒锥形凸部中，所述无机绝缘层设置为从所述树脂部向所述贯通孔侧以及所述显示区域侧中的至少一方呈檐状突出，所述第一无机密封膜在配置有所述多个倒锥形凸部以及所述多个基板狭缝的区域中，以覆盖所述多个倒锥形凸部以及所述多个基板狭缝的方式设置，在所述多个倒锥形凸部中的至少一个中，在所述无机绝缘层上设置有金属层，所述金属层由与所述金属布线层相同的材料形成于同一层。
发明效果
根据本发明，能够在贯通孔的周边抑制无机密封膜中的裂纹的产生以及向显示区域的行进。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图2是本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的显示区域的俯视图。
图3是沿着图1中的III-III线的有机EL显示装置的显示区域的剖视图。
图4是构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的TFT层的等效电路图。
图5是示出构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的有机EL层的剖视图。
图6是本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的非显示区域及其周边部的俯视图。
图7是沿着图6中的VII-VII线的有机EL显示装置的非显示区域的剖视图。
图8是构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的倒锥形凸部的金属层的剖面图。
图9是沿着图1中的IX-IX线的有机EL显示装置的剖视图。
图10是将本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的非显示区域中的倒锥形凸部放大后的剖视图。
图11是将本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的非显示区域中的倒锥形凸部的上部放大后的剖视图。
图12是将本发明的第三实施方式所涉及的有机EL显示装置的非显示区域中的倒锥形凸部放大后的剖视图。
图13是将本发明的第四实施方式所涉及的有机EL显示装置的非显示区域中的倒锥形凸部放大后的剖视图。
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。此外，本发明并不限定于下面的各实施方式。
《第一实施方式》
图1至图9示出了本发明所涉及的显示装置的第一实施方式。此外，作为具备有发光元件层的显示装置，在以下各实施方式中，示例了具备有有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是示出本实施方式的有机EL显示装置50a的概略构成的俯视图。另外，图2是有机EL显示装置50a的显示区域D的俯视图。另外，图3是沿着图1中的III-III线的有机EL显示装置50a的显示区域D的剖视图。另外，图4是构成有机EL显示装置50a的TFT层30的等效电路图。另外，图5是构成有机EL显示装置50a的有机EL层33的剖视图。另外，图6是有机EL显示装置50a的非显示区域N及其周边部的俯视图。另外，图7是沿着图6中的VII-VII线的有机EL显示装置50a的非显示区域N的剖视图。另外，图8是构成有机EL显示装置50a的倒锥形凸部Ca的金属层18pa的剖面图。另外，图9是沿着图1中的IX-IX线的有机EL显示装置50a的剖视图。
如图1所示，有机EL显示装置50a例如包括设置为矩形状并进行图像显示的显示区域D、设置在显示区域D的周围并设置为框状的边框区域F。此外，在本实施方式中，例示了矩形的显示区域D，但该矩形还包括例如边为圆弧状的形状、角部为圆弧状的形状、边的一部分有切口的形状等大致矩形。
如图2所示，在显示区域D中，多个子像素P呈矩阵状排列。另外，在显示区域D中，如图2所示，例如设置为具有用于进行红色的显示的红色发光区域Er的子像素P、具有用于进行绿色的显示的绿色发光区域Eg的子像素P以及具有用于进行蓝色的显示的蓝色发光区域Eb的子像素P彼此相邻。此外，在显示区域D中，例如由具有红色发光区域Er、绿色发光区域Eg及蓝色发光区域Eb的相邻的3个子像素P构成1个像素。另外，如图1所示，在显示区域D的内部非显示区域N呈岛状设置。在此，如图1所示，在非显示区域N中，例如为了将照相机、指纹传感器、脸部认证传感器等电子部件60设置在背面侧，设置有沿后述的树脂基板层10的厚度方向贯通的贯通孔H。
在边框区域F的图1中的下端部，端子部T设置成在一个方向(图中的X方向)上延伸。此处，如图1所示，在边框区域F中，在显示区域D与端子部T之间，以沿一个方向(图中的X方向)延伸的方式设置有例如能够以图中的X方向为折弯的轴折弯180°(U字状)的折弯部B。另外，在边框区域F中，如图1及图9所示，在后述的第一平坦化膜19a和第二平坦化膜21a中，在俯视下呈大致C状的沟槽G以贯通第一平坦化膜19a和第二平坦化膜21a的方式设置。在此，如图1所示，沟槽G以在俯视时靠端子部T的一侧开口的方式形成为大致C字状。
如图3所示，有机EL显示装置50a包括：树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层30、作为发光元件层设置在TFT层30上的有机EL元件层40、以及以覆盖有机EL元件层40的方式设置的密封膜45。此外，如图1所示，在有机EL显示装置50a，在形成于上述显示区域D内的非显示区域N的贯通孔H中设置有电子部件60。
如图3、图7及图9所示，树脂基板层10具备设置于TFT层30的相反侧的第一树脂基板层6、设置于TFT层30侧的第二树脂基板层8、以及设置于第一树脂基板层6及第二树脂基板层8之间的基板内无机绝缘膜7。在此，第一树脂基板层6和第二树脂基板层8例如由聚酰亚胺树脂等构成。另外，基板内无机绝缘膜7、后述的底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图3所示，TFT层30包括：设置在树脂基板层10上的底涂膜11；设置在底涂膜11上的多个第一TFT9a、多个第二TFT9b(参照图4)、多个第三TFT9c和多个电容器9d；以及依次设置在各第一TFT9a、各第二TFT9b、各第三TFT9c和各电容器9d上的第一平坦化膜19a和第二平坦化膜21a。
在TFT层30中，如图3所示，在树脂基板层10上依次层叠有底涂膜11、后述的半导体层12a等半导体图案层、栅极绝缘膜13、后述的栅极线14g等第一布线层、第一层间绝缘膜15、后述的上层导电层16c等第二布线层、第二层间绝缘膜17、后述的源极线18f等第三布线层、第一平坦化膜19a、电源线20a等第四布线层以及第二平坦化膜21a。
如图2以及图4所示，在TFT层30中，以在附图中的横向上彼此平行地延伸的方式设置有多条栅极线14g作为第一布线层(栅极布线层)。另外，如图2以及图4所示，在TFT层30中，以在附图中的横向上彼此平行地延伸的方式设置有多条发光控制线14e作为第一布线层(栅极布线层)。此外，如图2所示，各发光控制线14e设置为与各栅极线14g相邻。另外，如图2以及图4所示，在TFT层30中，以在附图中的纵向上彼此平行地延伸的方式设置有多条源极线18f作为第三布线层(金属布线层)。另外，如图1以及图3所示，在TFT层30中，在第一平坦化膜19a与第二平坦化膜21a之间，电源线20a作为第四布线层呈格子状设置。另外，如图4所示，在TFT层30中，在各子像素P中分别设置有第一TFT9a、第二TFT9b、第三TFT9c和电容器9d。
如图4所示，第一TFT9a在各子像素P中与对应的栅极线14g、源极线18f及第二TFT9b电连接。另外，如图3所示，第一TFT9b包括依次设置在底涂膜11上的半导体层12a、栅极绝缘膜13、栅极电极14a、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及源极电极18a和漏极电极18b。在此，如图3所示，半导体层12a呈岛状设置在底涂膜11上，如后述，该半导体层12a具有沟道区域、源极区域和漏极区域。另外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12a的方式设置。另外，如图3所示，栅极电极14a以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。另外，如图3所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖栅极电极14a的方式依次设置。另外，如图3所示，源极电极18a和漏极电极18b以彼此分离的方式设置在第二层间绝缘膜17上。另外，如图3所示，源极电极18a和漏极电极18b经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜中的各接触孔分别连接到半导体层12a的源极区域以及漏极区域。
如图4所示，第二TFT9b在各子像素P中与对应的第一TFT9a、电源线20a及第三TFT9c电连接。此外，第二TFT9b具有与第一TFT9a及后述的第三TFT9c实质上相同的构造。
如图4所示，第三TFT9c在各子像素P中与对应的第二TFT9b、后述的有机EL元件35的第一电极31a及发光控制线14e电连接。另外，如图3所示，第三TFT9c包括依次设置在底涂膜11上的半导体层12b、栅极绝缘膜13、栅极电极14b、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及源极电极18c和漏极电极18d。在此，如图3所示，半导体层12b呈岛状设置在底涂膜11上，该半导体层12b与半导体层12a同样地，具有沟道区域、源极区域和漏极区域。另外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12b的方式设置。另外，如图3所示，栅极电极14b以与半导体层12b的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。另外，如图3所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖栅极电极14b的方式依次设置。另外，如图3所示，源极电极18c和漏极电极18d以彼此分离的方式设置在第二层间绝缘膜17上。另外，如图3所示，源极电极18c和漏极电极18d经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜中的各接触孔分别连接到半导体层12b的源极区域以及漏极区域。
此外，在本实施方式中，例示了顶栅型的第一TFT9a、第二TFT9b及第三TFT9c，但第一TFT9a、第二TFT9b及第三TFT9c也可以为底栅型的TFT。
如图4所示，电容器9d在各子像素P中与对应的第一TFT9a及电源线20a电连接。在此，如图3所示，电容器9d具备作为第一布线层(栅极布线层)设置的下层导电层14c、以覆盖下层导电层14c的方式设置的第一层间绝缘膜15、在第一层间绝缘膜15上以与下层导电层14c重叠的方式作为第二布线层设置的上层导电层16c。此外，上层导电层16c经由形成于第二层间绝缘膜17以及第一平坦化膜19a的接触孔(未图示)与电源线20a电连接。
第一平坦化膜19a和第二平坦化膜21a在显示区域D具有平坦的表面，例如，由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等有机树脂材料、或聚硅氧烷系的SOG(spin on glass)材料等构成。在此，如图3所示，在第一平坦化膜19a与第二平坦化膜21a之间，在上述的电源线20a的基础上，还设置有中继电极20b作为第四布线层。
如图3所示，有机EL元件层40包括依次层叠地设置在TFT层30上的多个第一电极31a、边缘罩32a、有机EL层33和第二电极34。在此，有机EL元件35由在TFT层30上依次层叠的第一电极31a、有机EL层33以及第二电极34构成。
如图3所示，多个第一电极31a以与多个子像素P相对应的方式呈矩阵状设置在第二平坦化膜21a上。在此，如图3所示，第一电极31a在各子像素P中，经由形成在第一平坦化膜19a中的接触孔、中继电极20b及形成在第二平坦化膜21a中的接触孔，与各第三TFT9c的漏极电极18d电连接。另外，第一电极31a具有向有机EL层33注入孔(空穴)的功能。另外，为了提高对有机EL层33的空穴注入效率，第一电极31a更优选由功函数大的材料形成。在此，作为构成第一电极31a的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等金属材料。另外，构成第一电极31a的材料也可以是例如砹(At)/氧化砹(AtO2)等的合金。进一步，构成第一电极31a的材料例如也可以为氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。另外，第一电极31a也可以层叠多个由上述材料构成的层来形成。此外，作为功函数大的化合物材料，例如可举出铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
如图3所示，边缘罩32a以覆盖各第一电极31a的周缘部的方式设置成格子状。在此，边缘罩32a例如由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等有机树脂材料、或聚硅氧烷系的SOG材料等构成。
如图3所示，有机EL层33具备：单独的发光功能层，其配置在各第一电极31a上，以与多个子像素P对应的方式设置成矩阵状；以及共用的发光功能层，其设为在多个子像素P中共用。在此，如图5所示，有机EL层33包括依次设置在第一电极31a上的空穴注入层1、空穴传输层2、有机发光层3、电子传输层4及电子注入层5。此外，在本实施方式中，例示出设置有有机发光层3作为单独的发光功能层且设置有空穴注入层1、空穴传输层2、电子传输层4和电子注入层5作为共用的发光功能层的有机EL层33，但也可以用QLED(Quantum-dot lightemitting diode：量子点发光二极管)等进行颜色转换，将有机发光层3作为共用的发光功能层，将空穴注入层1、空穴传输层2、电子传输层4和电子注入层5中的至少一个作为单独的发光功能层。
空穴注入层1还被称为阳极缓冲层，其使第一电极31a和有机EL层33的能级接近，具有改善空穴从第一电极31a向有机EL层33的注入效率的功能，设置为在多个子像素P中共用的共用的发光功能层。在此，作为构成空穴注入层1的材料，例如可举出三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物等。
空穴传输层2具有提高空穴从第一电极31a向有机EL层33的传输效率的功能，设置为在多个子像素P中共用的共用的发光功能层。在此，作为构成空穴传输层2的材料，例如可列举卟啉衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚-p-苯乙炔、聚硅烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、胺取代的查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
有机发光层3是在对第一电极31a及第二电极34施加电压时，分别从第一电极31a及第二电极34中注入空穴及电子并且空穴和电子进行复合的区域，以与多个子像素P对应的方式作为单独的发光功能层而设置。在此，有机发光层3由发光效率高的材料形成。而且，作为构成有机发光层3的材料，例如可举出金属轻基哇琳酬化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并噁唑衍生物、噁二唑衍生物、噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙胺衍生物、双苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、茈衍生物、紫环酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯乙炔、聚硅烷等。
电子传输层4具有使电子高效率地迁移至有机发光层3的功能，设置为在多个子像素P中共用的共用的发光功能层。在此，作为构成电子传输层4的材料，例如可列举作为有机化合物的恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉化合物等。
电子注入层5接近第二电极34和有机EL层33的能级，具有提高从第二电极34向有机EL层33注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低有机EL元件35的驱动电压。此外，电子注入层5还被称为阴极缓冲层，设置为在多个子像素P中共用的共用的发光功能层。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如可举出氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)那样的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
第二电极34被设置成在多个有机EL层33上在多个子像素P中共用，即，如图3所示，覆盖各有机EL层33和边缘罩32a。另外，第二电极34具有向各有机EL层33注入电子的功能。另外，为了提高向有机EL层33的电子注入效率，第二电极34更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极34的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。另外，第二电极34例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金形成。另外，第二电极34例如也可以由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。另外，第二电极34例如也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。此外，作为功函数小的材料，例如可举出镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图3所示，密封膜45包括以覆盖第二电极34的方式设置且依次设置在第二电极34上的第一无机密封膜41、有机密封膜42以及第二无机密封膜43，且该密封膜45具有保护有机EL元件35的有机EL层33免受水分、氧影响的功能。此处，第一无机密封膜41和第二无机密封膜43例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜构成。另外，有机密封膜42例如由丙烯酸树脂、环氧树脂、硅酮树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等有机树脂材料构成。此外，在本实施方式中，例示了由第一无机密封膜41、有机密封膜42以及第二无机密封膜43依次层叠而成的三层构造的密封膜45，但密封膜45例如也可以是仅是第一无机密封膜41的单层构造的密封膜、由第一无机密封膜41以及有机密封膜42依次层叠而成的两层构造的密封膜等。
另外，如图6以及图7所示，有机EL显示装置50a包括多个倒锥形凸部Ca，该多个倒锥形凸部Ca在非显示区域N中，分别同心状且环状地以包围贯通孔H的方式设置。
如图7所示，各倒锥形凸部Ca具备：由树脂基板层10的第二树脂基板层8构成的树脂部8a、在树脂部8a上依次设置的第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13a、第三无机绝缘层15a和第四无机绝缘层17a、以及设置于第四无机绝缘层17a上的金属层18pa。在此，金属层18pa也可以省略第三无机绝缘层15a以及第四无机绝缘层17a而设置在第二无机绝缘层13a上，或者省略第二无机绝缘层13a、第三无机绝缘层15a以及第四无机绝缘层17a而设置在第一无机绝缘层11a上。此外，在本实施方式中，例示了在各倒锥形凸部Ca中在第四无机绝缘层17a上设置有金属层18pa的构成，但金属层18pa也可以设置于多个倒锥形凸部Ca的至少一个。另外，如图7所示，在各倒锥形凸部Ca上，有机EL层33和第二电极34与显示区域D的构成分离而依次层叠。
如图7所示，树脂部8a通过多个基板狭缝Sa分离，该多个基板狭缝Sa同心状且环状地以在第二树脂基板层8的TFT层30侧的表面包围贯通孔H的方式设置。此外，如图7所示，在各基板狭缝Sa的底部，有机EL层33和第二电极34与显示区域D的构成分离而依次层叠。
第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13a、第三无机绝缘层15a以及第四无机绝缘层17a分别由与底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17相同的材料形成于同一层。在此，在各倒锥形凸部Ca中，第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13a、第三无机绝缘层15a以及第四无机绝缘层17a如图7所示那样设置成从树脂部8a的基部向贯通孔H侧以及显示区域D侧呈檐状突出。此外，在本实施方式中虽例示了第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13a、第三无机绝缘层15a以及第四无机绝缘层17a从树脂部8a向贯通孔H侧以及显示区域D侧这双方呈檐状突出的构成，但第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13a、第三无机绝缘层15a以及第四无机绝缘层17a也可以从树脂部8a向贯通孔H侧以及显示区域D侧中的一侧呈檐状突出。根据这些构成，由于在非显示区域N中，各倒锥形凸部Ca具有倒锥形结构，所以共用的有机EL层33和第二电极34通过由檐状的倒锥形结构产生的台阶，在显示区域D侧和贯通孔H侧分离而形成。
金属层18pa由与源极线18f等第三布线层相同的材料形成于同一层，例如，设置为宽度3μm～20μm左右。另外，如图8所示，金属层18pa具备在第四无机绝缘层17a上依次层叠的第一金属层Ma、第二金属层Mb以及第三金属层Mc。在此，如图8所示，在金属层18pa中，第一金属层Ma的内周端部和外周端部以及第三金属层Mc的内周端部和外周端部比第二金属层Mb的内周端部和外周端部更加呈檐状突出。并且，第一金属层Ma及第三金属层Mc例如由钛膜、钛合金膜等钛类的金属膜形成。另外，金属层Mb例如由铝膜、铝合金膜等铝系的金属膜形成。此外，在本实施方式中，例示了由与第三布线层相同的材料形成于同一层的金属层18pa，但该金属层也可以由与第一布线层、第二布线层或第四布线层相同的材料形成于同一层。
如图7所示，上述密封膜45在配置有多个倒锥形凸部Ca及多个基板狭缝Sa的区域中，在第一无机密封膜41上层叠第二无机密封膜43而形成。在此，如图7所示，第一无机密封膜41和第二无机密封膜43的层叠膜以覆盖多个倒锥形凸部Ca以及多个基板狭缝Sa的方式设置。
另外，如图7所示，有机EL显示装置50a在非显示区域N中具备外侧基板狭缝Sb，该外侧基板狭缝Sb同心状且环状地以在第二树脂基板层8的TFT层30侧的表面包围多个基板狭缝Sa的方式设置。在此，如图7所示，底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17被外侧基板狭缝Sb分离，且设置成在外侧基板狭缝Sb的内侧呈檐状突出。并且，如图7所示，外侧基板狭缝Sb隔着第一无机密封膜41填充有有机密封膜42。
另外，如图7所示，有机EL显示装置50a在非显示区域N中具有内侧堰堤壁Wc，该内侧堰堤壁Wc在多个基板狭缝Sa与外侧基板狭缝Sb之间设置为环状。在此，如图7所示那样，内侧阻挡壁Wc具备由与边缘罩32a相同的材料形成于同一层的树脂层32e，且设置为隔着第一无机密封膜41与有机密封膜42的内周端部接触的方式设置，构成为抑制成为有机密封膜42的油墨的扩散。
另外，如图7所示，有机EL显示装置50a在非显示区域N中，在外侧基板狭缝Sb的周围设置有绕过贯通孔H的第一迂回布线16n和第二迂回布线18n。在此，第一迂回布线16n由与第二布线层相同的材料形成于同一层。另外，第二迂回布线18n由与第三布线层相同的材料形成于同一层。此外，第一迂回布线16n以及第二迂回布线18n与在对应于贯通孔H的部分延伸的显示用布线(栅极线14g、发光控制线14e、源极线18f等)电连接。
另外，如图1所示，有机EL显示装置50a在边框区域F具备：第一外侧阻挡壁Wa，其以包围显示区域D的方式在沟槽G的外侧设置成框状；和第二外侧阻挡壁Wb，其在第一外侧阻挡壁Wa的周围设置成框状。
如图9所示，第一外侧阻挡壁Wa具备：下侧树脂层21b，其由与第二平坦化膜21a相同的材料形成于同一层；以及上侧树脂层32c，其在下侧树脂层21b上隔着连接布线31b设置，且由与边缘罩32a相同的材料形成于同一层。在此，连接布线31b由与第一电极31a相同的材料形成于同一层。此外，第一外侧阻挡壁Wa以与有机密封膜42的外周端部重叠的方式设置，且构成为抑制成为有机密封膜42的油墨的扩散。
如图9所示，第二外侧阻挡壁Wb具备：下侧树脂层21c，其由与第二平坦化膜21a相同的材料形成于同一层；以及上侧树脂层32d，其在下侧树脂层21c上隔着连接布线31b设置，且由与边缘罩32a相同的材料形成于同一层。
另外，如图1所示，有机EL显示装置50a在边框区域F中具备第一边框布线18h，该第一边框布线18h在沟槽G的内侧作为第三布线层设置成框状，且沟槽G开口的部分的两端部向端子部T延伸。在此，第一边框布线18h构成为经由形成于第一平坦化膜19a的接触孔与显示区域D的电源线20a电连接，并且在端子部T被输入高电源电压(ELVDD)。
另外，如图1所示，有机EL显示装置50a在边框区域F具备第二边框布线18i，该第二边框布线18i在沟槽G的外侧作为第三布线层设置为大致C状，且两端部向端子部T延伸。在此，如图9所示，第二边框布线18i构成为经由设置于沟槽G的连接布线31b与显示区域D的第二电极34电连接，并且在端子部T被输入低电源电压(ELVSS)。
另外，如图9所示，有机EL显示装置50a在边框区域F中，具有以在沟槽G的两缘部向上方突出的方式呈岛状设置的多个周边光电间隔物32b。在此，周边光电间隔物32b由与边缘罩32a相同的材料形成于同一层。
在上述的有机EL显示装置50a中，在各子像素P中，通过经由栅极线14g向第一TFT9a输入栅极信号，第一TFT9a成为导通状态，第二TFT9b的栅极电极及电容器9d经由源极线18f被写入与源极信号对应的规定的电压，并在经由发光控制线14e向第三TFT9c输入发光控制信号时，第三TFT9c成为导通状态，与第二TFT9b的栅极电压对应的电流从电源线20a供给到有机EL层33，由此，有机EL层33的有机发光层3发光，并进行图像显示。此外，在有机EL显示装置50a中，即使第一TFT9a成为截止状态，由于第二TFT9b的栅极电压由电容器9d保持，因此，有机发光层3的发光也被各像素P维持，直到输入下一帧的栅极信号。
接着，说明本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法。此外，本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法具备TFT层形成工序、有机EL元件层形成工序、密封膜形成工序及贯通孔形成工序。
<TFT层形成工序>
首先，例如，通过在玻璃基板上涂布了非感光性的聚酰亚胺树脂(厚度6μm左右)后，对该涂布膜进行预烘烤及后烘烤，从而形成第一树脂基板层6。
接着，通过在形成有第一树脂基板层6的基板表面，利用例如等离子体CVD(chemical vapor deposition：化学气相沉积)法将氧化硅膜等无机绝缘膜(厚度500nm左右)成膜，从而形成基板内无机绝缘膜7。
进而，通过在形成有基板内无机绝缘膜7的基板表面，例如涂布了非感光性的聚酰亚胺树脂(厚度6μm左右)后，通过对此涂布膜进行预烘烤和后烘烤，从而形成第二树脂基板层8，来形成树脂基板层10。
之后，通过在形成有树脂基板层10的基板表面，例如利用等离子体CVD法依次成膜氧化硅膜(厚度500nm左右)和氮化硅膜(厚度100nm左右)，从而形成底涂膜11。
接着，在形成有底涂膜11的基板表面，利用等离子体CVD法将例如非晶硅膜(厚度为50nm左右)成膜，通过激光退火等使非晶硅膜结晶化从而形成多晶硅膜的半导体膜后，对该半导体膜进行图案化，来形成半导体层12a等半导体图案层。
之后，在形成有半导体层12a等的基板表面，利用例如等离子体CVD法将氧化硅膜等无机绝缘膜(100nm左右)成膜，来形成覆盖半导体层12a等的栅极绝缘膜13。
进而，在形成有栅极绝缘膜13的基板表面，例如利用溅射法成膜了钼膜(厚度250nm左右)后，对该钼膜进行图案化，来形成栅极线14g等的第一布线层。
接着，通过将上述第一布线层作为掩模，掺杂杂质离子，由此在上述半导体图案层中形成本征区域和导体区域。
之后，通过在上述半导体图案层上形成本征区域和导体区域的基板表面，例如利用等离子体CVD法将氮化硅膜(厚度100nm左右)成膜，从而形成第一层间绝缘膜15。
接着，在形成有第一层间绝缘膜15的基板表面，例如利用溅射法将钼膜(厚度250nm左右)成膜后，对该钼膜进行图案化，来形成上层导电层16c等的第二布线层。
进而，通过例如等离子体CVD法在形成有上述第二布线层的基板表面上依次成膜氧化硅膜(厚度300nm左右)和氮化硅膜(厚度200nm左右)，从而形成第二层间绝缘膜17。
然后，通过对栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17进行图案化，从而形成接触孔。
进而，在折弯部B中，将底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的层叠膜去除，从而在底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的层叠膜中形成线状的狭缝。
接着，在形成有线状的狭缝的基板表面，例如利用溅射法依次成膜钛膜(厚度50nm左右)、铝膜(厚度600nm左右)及钛膜(厚度50nm左右)后，对此金属层叠膜进行图案化，来形成源极线18f等的第三布线层。
进而，通过在形成有第三布线层的基板表面，利用例如旋涂法或狭缝涂布法涂布了感光性聚酰亚胺树脂(厚度2.5μm左右)后，对此涂布膜进行预烘烤、曝光、显影及后烘烤，从而形成第一平坦化膜19a等。
之后，在形成有第一平坦化膜19a的基板表面，利用例如溅射法依次将钛膜(厚度50nm左右)、铝膜(厚度600nm左右)及钛膜(厚度50nm左右)等成膜后，对此金属层叠膜进行图案化，来形成电源线20a等的第四布线层。
最后，通过在形成有第四布线层的基板表面，利用例如旋涂法或狭缝涂布法涂布了聚酰亚胺系的感光性树脂膜(厚度2.5μm左右)后，对此涂布膜进行预烘烤、曝光、显影及后烘烤，从而形成第二平坦化膜21a。
以上述方式，能够制造TFT层30。
<有机EL元件层形成工序>
使用公知的方法，在上述TFT层形成工序中形成的TFT层30的第二平坦化膜21a上形成第一电极31a、边缘罩32a、有机EL层33(空穴注入层1、空穴传输层2、有机发光层3、电子传输层4、电子注入层5)和第二电极34，以形成有机EL元件层40。此处，在形成了第一电极31a之后，在非显示区域N中，局部地去除底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17及第三布线层的层叠膜，对从底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17及第三布线层的层叠膜的露出的第二树脂基板层8进行灰化，来形成基板狭缝Sa及外侧基板狭缝Sb，由此形成倒锥形凸部Ca。此外，在本实施方式中，例示了通过有机EL元件层形成工序形成倒锥形凸部Ca的制造方法，但也可以通过上述TFT层形成工序形成倒锥形凸部Ca。
<密封膜形成工序>
首先，在上述有机EL元件层形成工序中形成的有机EL元件层40所形成的基板表面上，使用掩模，利用等离子体CVD法使例如氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜成膜，从而形成第一无机密封膜41。
接着，在形成有第一无机密封膜41的基板表面，例如利用喷墨法成膜丙烯酸树脂等有机树脂材料，来形成有机密封膜42。
之后，通过在形成有有机密封膜42的基板表面上，使用掩模，例如利用等离子体CVD法成膜氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜，来形成第二无机密封膜43，从而形成密封膜45。
进而，在形成有密封膜45的基板表面上贴附了表面侧的保护片(未图示)之后，通过从树脂基板层10的玻璃基板侧照射激光，从而使玻璃基板从树脂基板层10的下表面剥离，进而，在剥离了玻璃基板的树脂基板层10的下表面贴附背面侧的保护片(未图示)。
<贯通孔形成工序>
在上述密封膜形成工序中剥离了玻璃基板的树脂基板层10的非显示区域N中，例如一边使激光以环状扫描一边进行照射，由此形成贯通孔H。之后，将形成有贯通孔H的有机EL显示装置50a例如固定于壳体的内部时，以照相机等电子部件60配置于贯通孔H的背面侧的方式设置电子部件60。
以上述方式，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50a。
如以上说明那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，在各倒锥形凸部Ca中，在第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13a、第三无机绝缘层15a以及第四无机绝缘层17a的层叠体上设置有金属层18pa。在此，由于金属层18pa具有延展性，因此与构成第一无机密封膜41和第二无机密封膜43的无机绝缘膜相比，能够吸收来自外部的冲击。由此，能够抑制第一无机密封膜41和第二无机密封膜43中的裂纹的产生及行进，因此能够抑制在贯通孔H的周边的第一无机密封膜41和第二无机密封膜43中的裂纹的产生及向显示区域D的行进。而且，通过抑制第一无机密封膜41和第二无机密封膜43中的裂纹向显示区域D的行进，能够抑制水分等向有机EL层33的流入，因此能够抑制由有机EL层33的劣化引起的显示不良。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，在金属层18pa中，第一金属层Ma和第三金属层Mc的周端部比第二金属层Mb的周端部更加呈檐状突出，因此通过由第一金属层Ma、第二金属层Mb及第三金属层Mc形成的倒锥形结构的锚定效果，能够抑制密封膜45的膜剥离。
《第二实施方式》
图10和图11示出了本发明所涉及的显示装置的第二实施方式。此处，图10是将本实施方式的有机EL显示装置50b的非显示区域N中的倒锥形凸起Cb放大后的剖视图。另外，图11是将有机EL显示装置50b的非显示区域N中的倒锥形凸部Cb的上部放大后的剖视图。此外，在以下的各实施方式中，对与图1至图9相同的部分标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。
在上述第一实施方式中，例示了设置有平坦的金属层18pa的有机EL显示装置50a，但在本实施方式中，例示了设置有具有U字状的横截面的金属层18pb的有机EL显示装置50b。
与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50b具备显示区域D和设置在显示区域D的周围的边框区域F。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50b包括树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层30、设置在TFT层30上的有机EL元件层40、以覆盖有机EL元件层40的方式设置的密封膜45。此外，在有机EL显示装置50b中，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，在显示区域D内的非显示区域N中形成的贯通孔H中设置有电子部件60。
另外，如图10以及图11所示，有机EL显示装置50b在非显示区域N中包括多个倒锥形凸部Cb，该多个倒锥形凸部Cb分别同心状且环状地以包围贯通孔H的方式设置。
如图10以及图11所示，各倒锥形凸部Cb具备：由树脂基板层10的第二树脂基板层8构成的树脂部8a、在树脂部8a上依次设置的第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13a、栅极金属层14h、第三无机绝缘层15b和第四无机绝缘层17b、以及设置于第四无机绝缘层17b上的金属层18pb。此外，在本实施方式中，例示了在各倒锥形凸部Cb中在第四无机绝缘层17b上设置有金属层18pb的构成，但金属层18pb也可以设置于多个倒锥形凸部Cb的至少一个。另外，如图10和图11所示，在各倒锥形凸部Cb上，有机EL层33和第二电极34与显示区域D的构成分离而依次层叠。
第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13a、第三无机绝缘层15b以及第四无机绝缘层17b分别由与底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17相同的材料形成于同一层。另外，栅极金属层14h由与栅极线14g等的第一布线层相同的材料形成于同一层。在此，如图10以及图11所示，在各倒锥形凸部Cb中，第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13a、栅极金属层14h、第三无机绝缘层15b以及第四无机绝缘层17b设置为从树脂部8a向贯通孔H侧以及显示区域D侧呈檐状突出。此外，在本实施方式中虽例示了第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13a、栅极金属层14h、第三无机绝缘层15b以及第四无机绝缘层17b从树脂部8a向贯通孔H侧以及显示区域D侧这双方呈檐状突出的构成，但第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13a、栅极金属层14h、第三无机绝缘层15b以及第四无机绝缘层17b也可以从树脂部8a向贯通孔H侧以及显示区域D侧中的一侧呈檐状突出。根据这些构成，由于在非显示区域N中，各倒锥形凸部Cb具有倒锥形结构，所以共用的有机EL层33和第二电极34通过由檐状的倒锥形结构产生的台阶，在显示区域D侧和贯通孔H侧分离而形成。另外，在第三无机绝缘层15b及第四无机绝缘层17b的宽度方向的中间部分，如图10及图11所示，形成有贯通第三无机绝缘层15b及第四无机绝缘层17b的上部狭缝Sx。
金属层18pb由与源极线18f等第三布线层相同的材料形成于同一层，如图10以及图11所示，以覆盖上部狭缝Sx的两侧面和底面的方式设置，具有U字状的横截面。另外，如图11所示，金属层18pb具备在第四无机绝缘层17b上依次层叠的第一金属层Ma、第二金属层Mb以及第三金属层Mc。在此，如图11所示，在金属层18pb中，第一金属层Ma的内周端部和外周端部以及第三金属层Mc的内周端部和外周端部比第二金属层Mb的内周端部和外周端部更加呈檐状突出。此外，在本实施方式中，例示了由与第三布线层相同的材料形成于同一层的金属层18pb，但该金属层也可以由与第二布线层或第四布线层相同的材料形成于同一层。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50b在非显示区域N中具备外侧基板狭缝Sb，该外侧基板狭缝Sb同心状且环状地以在第二树脂基板层8的TFT层30侧的表面包围多个基板狭缝Sa的方式设置。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50b在非显示区域N中具备内侧阻挡壁Wc，该内侧阻挡壁Wc在多个基板狭缝Sa与外侧基板狭缝Sb之间设置为环状。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50b在边框区域F中具备：第一外侧阻挡壁Wa，其以包围显示区域D的方式设置；和第二外侧阻挡壁Wb，其设置在第一外侧阻挡壁Wa的周围。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50b在边框区域F中具备：呈框状设置在沟槽G的内侧的第一边框布线18h；和设置在沟槽G的外侧的第二边框布线18i。
另外，有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，在边框区域F中具备多个周边光电间隔物32b，该多个周边光电间隔物32b在沟槽G的两个缘部以向上方突出的方式设置。
与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，上述的有机EL显示装置50b具有可挠性，并且构成为在每个子像素P中，通过第一TFT9a、第二TFT9b和第三TFT9c使有机EL层33的有机发光层3适当地发光来进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置50b能够通过如下方式制造：在上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法的TFT形成工序中，在形成栅极线14g等的第一布线层时，在非显示区域N形成栅极金属层14h，在形成源极线18f等的第三布线层之前，局部地去除非显示区域N中的第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的层叠膜，形成成为第三无机绝缘层15b及第四无机绝缘层17b的部分。
如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，在各倒锥形凸部Cb中，在第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13a、第三无机绝缘层15b以及第四无机绝缘层17b的层叠体上设置有金属层18pb。在此，由于金属层18pb具有延展性，因此与构成第一无机密封膜41和第二无机密封膜43的无机绝缘膜相比，能够吸收来自外部的冲击。由此，能够抑制第一无机密封膜41和第二无机密封膜43中的裂纹的产生及行进，因此能够在贯通孔H的周边，抑制第一无机密封膜41和第二无机密封膜43中的裂纹的产生及向显示区域D的行进。而且，通过抑制第一无机密封膜41和第二无机密封膜43中的裂纹向显示区域D的行进，能够抑制水分等向有机EL层33的流入，因此能够抑制由有机EL层33的劣化引起的显示不良。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，在金属层18pb中，第一金属层Ma和第三金属层Mc的周端部比第二金属层Mb的周端部更加呈檐状突出，因此通过由第一金属层Ma、第二金属层Mb及第三金属层Mc形成的倒锥形结构的锚定效果，能够抑制密封膜45的膜剥离。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，金属层18pb在上部狭缝Sx具有U字形的横截面，因此在非显示区域N中，弯曲应力等应力难以传递，能够抑制由应力产生的裂纹向显示区域D的行进。
《第三实施方式》
图12示出了本发明所涉及的显示装置的第三实施方式。此处，图12是将本实施方式的有机EL显示装置50c的非显示区域N中的倒锥形凸部Cc放大后的剖视图。
在上述第二实施方式中，例示了在第三无机绝缘层15b及第四无机绝缘层17b上设置有上部狭缝Sx的有机EL显示装置50b，但在本实施方式中，例示在第二无机绝缘层13b、第三无机绝缘层15b及第四无机绝缘层17b上设置有上部狭缝Sy的有机EL显示装置50c。
与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50c具备显示区域D和设置在显示区域D的周围的边框区域F。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50c包括树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层30、设置在TFT层30上的有机EL元件层40、以及以覆盖有机EL元件层40的方式设置的密封膜45。此外，在有机EL显示装置50c中，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，在显示区域D内的非显示区域N中形成的贯通孔H中设置有电子部件60。
另外，如图12所示，有机EL显示装置50c在非显示区域N中包括多个倒锥形凸部Cc，该多个倒锥形凸部Cc分别同心状且环状地以包围贯通孔H的方式设置。
如图12所示，各倒锥形凸部Cc具备：由树脂基板层10的第二树脂基板层8构成的树脂部8a、在树脂部8a上依次设置的第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13b、第三无机绝缘层15b和第四无机绝缘层17b、以及设置于第四无机绝缘层17b上的金属层18pc。此外，在本实施方式中，例示了在各倒锥形凸部Cc中在第四无机绝缘层17b上设置有金属层18pc的构成，但金属层18pc也可以设置于多个倒锥形凸部Cc的至少一个。另外，如图12所示，在各倒锥形凸部Cc上，有机EL层33和第二电极34与显示区域D的构成分离而依次层叠。
第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13b、第三无机绝缘层15b以及第四无机绝缘层17b分别由与底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17相同的材料形成于同一层。在此，如图12所示，在各倒锥形凸部Cc中，第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13b、第三无机绝缘层15b以及第四无机绝缘层17b设置为从树脂部8a向贯通孔H侧以及显示区域D侧呈檐状突出。此外，在本实施方式中虽例示了第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13b、第三无机绝缘层15b以及第四无机绝缘层17b从树脂部8a向贯通孔H侧以及显示区域D侧这双方呈檐状突出的构成，但第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13b、第三无机绝缘层15b以及第四无机绝缘层17b也可以从树脂部8a向贯通孔H侧以及显示区域D侧中的一侧呈檐状突出。根据这些构成，由于在非显示区域N中，各倒锥形凸部Cc具有倒锥形结构，所以共用的有机EL层33和第二电极34通过由檐状的倒锥形结构产生的台阶，在显示区域D侧和贯通孔H侧分离而形成。另外，如图12所示，在第二无机绝缘层13b、第三无机绝缘层15b及第四无机绝缘层17b的宽度方向的中间部分，形成有贯通第二无机绝缘层13b、第三无机绝缘层15b及第四无机绝缘层17b的上部狭缝Sy。
金属层18pc由与源极线18f等第三布线层相同的材料形成于同一层，如图12所示，以覆盖上部狭缝Sy的两侧面和底面的方式设置，具有U字状的横截面。另外，与构成上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的金属层18pa和构成上述第二实施方式的有机EL显示装置50b的金属层18pb同样地，金属层18pc具备依次层叠在第四无机绝缘层17b上的第一金属层Ma、第二金属层Mb和第三金属层Mc。此外，在本实施方式中，例示了由与第三布线层相同的材料形成于同一层的金属层18pc，但该金属层也可以由与第四布线层相同的材料形成于同一层。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50c在非显示区域N中具备外侧基板狭缝Sb，该外侧基板狭缝Sb同心状且环状地以在第二树脂基板层8的TFT层30侧的表面包围多个基板狭缝Sa的方式设置。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50c在非显示区域N中具备内侧阻挡壁Wc，该内侧阻挡壁Wc在多个基板狭缝Sa与外侧基板狭缝Sb之间设置为环状。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50c在边框区域F中具备：第一外侧阻挡壁Wa，其以包围显示区域D的方式设置；和第二外侧阻挡壁Wb，其设置在第一外侧阻挡壁Wa的周围。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50c在边框区域F中具备：呈框状设置在沟槽G的内侧的第一边框布线18h；和设置在沟槽G的外侧的第二边框布线18i。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50c在边框区域F中具备多个周边光电间隔物32b，该多个周边光电间隔物32b在沟槽G的两个缘部以向上方突出的方式设置。
与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，上述的有机EL显示装置50c具有可挠性，并且构成为在每个子像素P中，通过第一TFT9a、第二TFT9b和第三TFT9c使有机EL层33的有机发光层3适当地发光来进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置50c能够通过如下方式制造：在上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法的TFT层形成工序中，在形成源极线18f等的第三布线层之前，局部地去除非显示区域N中的栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的层叠膜，形成成为第二无机绝缘层13b、第三无机绝缘层15b及第四无机绝缘层17b的部分。
如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，在各倒锥形凸部Cc中，在第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13b、第三无机绝缘层15b以及第四无机绝缘层17b的层叠体上设置有金属层18pc。在此，由于金属层18pc具有延展性，因此与构成第一无机密封膜41和第二无机密封膜43的无机绝缘膜相比，能够吸收来自外部的冲击。由此，能够抑制第一无机密封膜41和第二无机密封膜43中的裂纹的产生及行进，因此能够在贯通孔H的周边，抑制第一无机密封膜41和第二无机密封膜43中的裂纹的产生及向显示区域D的行进。而且，通过抑制第一无机密封膜41和第二无机密封膜43中的裂纹向显示区域D的行进，能够抑制水分等向有机EL层33的流入，因此能够抑制由有机EL层33的劣化引起的显示不良。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，在金属层18pc中，第一金属层Ma和第三金属层Mc的周端部比第二金属层Mb的周端部更加呈檐状突出，因此通过由第一金属层Ma、第二金属层Mb及第三金属层Mc形成的倒锥形结构的锚定效果，能够抑制密封膜45的膜剥离。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，金属层18pc在上部狭缝Sy中具有U字状的横截面，因此在非显示区域N中，弯曲应力等应力难以传递，能够抑制由应力产生的裂纹向显示区域D的行进。此外，在有机EL显示装置50c中，上部狭缝Sy也形成于第二无机绝缘层13b，因此相比于仅形成于第三无机绝缘层15b以及第四无机绝缘层17b的上述第二实施方式的有机EL显示装置50b，上部狭缝Sx具有更深的U字状的横截面，能够进一步抑制由应力产生的裂纹向显示区域D的行进。
《第四实施方式》
图13示出了本发明所涉及的显示装置的第四实施方式。此处，图13是将本实施方式的有机EL显示装置50d的非显示区域N中的倒锥形凸起Cd放大后的剖视图。
在上述第二及第三实施方式中，例示了由具有U字形截面构造的金属层18pb及18pc单独设置的有机EL显示装置50b及50c，但在本实施方式中，例示由具有U形截面构造的金属层18pd和栅极金属层14i设为两层的有机EL显示装置50d。
与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50d具备显示区域D和设置在显示区域D的周围的边框区域F。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50d包括树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层30、设置在TFT层30上的有机EL元件层40、以及以覆盖有机EL元件层40的方式设置的密封膜45。此外，在有机EL显示装置50d中，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，在显示区域D内的非显示区域N中形成的贯通孔H中设置有电子部件60。
另外，如图13所示，有机EL显示装置50d在非显示区域N中包括多个倒锥形凸部Cd，该多个倒锥形凸部Cd分别同心状且环状地以包围贯通孔H的方式设置。
如图13所示，各倒锥形凸部Cd具备：由树脂基板层10的第二树脂基板层8构成的树脂部8a、在树脂部8a上依次设置的第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13b、栅极金属层14i、第三无机绝缘层15b和第四无机绝缘层17b、以及设置在第四无机绝缘层17b上的金属层18pd。此外，在本实施方式中，例示了在各倒锥形凸部Cd中，在第四无机绝缘层17b上设置有金属层18pd，在第二无机绝缘层13b与第三无机绝缘层15b之间设置有栅极金属层14i的构成，但金属层18pd和栅极金属层14i也可以设置于多个倒锥形凸部Cd的至少一个。另外，如图13所示，在各倒锥形凸部Cd上，有机EL层33和第二电极34与显示区域D的构成分离而依次层叠。
第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13b、第三无机绝缘层15b以及第四无机绝缘层17b分别由与底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17相同的材料形成于同一层。在此，如图13所示，在各倒锥形凸部Cd中，第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13b、栅极金属层14i、第三无机绝缘层15b以及第四无机绝缘层17b设置为从树脂部8a向贯通孔H侧以及显示区域D侧呈檐状突出。此外，在本实施方式中虽例示了第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13b、栅极金属层14i、第三无机绝缘层15b以及第四无机绝缘层17b从树脂部8a向贯通孔H侧以及显示区域D侧这双方呈檐状突出的构成，但第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13b、栅极金属层14i、第三无机绝缘层15b以及第四无机绝缘层17b也可以从树脂部8a向贯通孔H侧以及显示区域D侧中的一侧呈檐状突出。根据这些构成，由于在非显示区域N中，各倒锥形凸部Cd具有倒锥形结构，所以共用的有机EL层33和第二电极34通过由檐状的倒锥形结构产生的台阶，在显示区域D侧和贯通孔H侧分离而形成。另外，如图13所示，在第二无机绝缘层13b的宽度方向的中间部分，形成有贯通第二无机绝缘层13b的下部狭缝Sz。另外，如图13所示，在第三无机绝缘层15b及第四无机绝缘层17b的宽度方向的中间部分，形成有贯通第三无机绝缘层15b及第四无机绝缘层17b的上部狭缝Sx。
另外，栅极金属层14i由与栅极线14g等第一布线层相同的材料形成于同一层，如图13所示，以覆盖下部狭缝Sz的两侧面和底面的方式设置，具有U字状的横截面。
金属层18pd由与源极线18f等第三布线层相同的材料形成于同一层，如图13所示，以覆盖上部狭缝Sx的两侧面和底面的方式设置，具有U字状的横截面。另外，与构成上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的金属层18pa和构成上述第二实施方式的有机EL显示装置50b的金属层18pb同样地，金属层18pd具备依次层叠在第四无机绝缘层17b上的第一金属层Ma、第二金属层Mb和第三金属层Mc。此外，在本实施方式中，例示了由与第三布线层相同的材料形成于同一层的金属层18pd，但该金属层也可以由与第四布线层相同的材料形成于同一层。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50d在非显示区域N中具备外侧基板狭缝Sb，该外侧基板狭缝Sb同心状且环状地以在第二树脂基板层8的TFT层30侧的表面包围多个基板狭缝Sa的方式设置。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50d在非显示区域N中具备内侧阻挡壁Wc，该内侧阻挡壁Wc在多个基板狭缝Sa与外侧基板狭缝Sb之间设置为环状。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50d在边框区域F中具备：第一外侧阻挡壁Wa，其以包围显示区域D的方式设置；和第二外侧阻挡壁Wb，其设置在第一外侧阻挡壁Wa的周围。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50d在边框区域F中具备：呈框状设置在沟槽G的内侧的第一边框布线18h；和设置在沟槽G的外侧的第二边框布线18i。
另外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50d在边框区域F中具备多个周边光电间隔物32b，该多个周边光电间隔物32b在沟槽G的两个缘部以向上方突出的方式设置。
与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，上述的有机EL显示装置50d具有可挠性，并且构成为在每个子像素P中，通过第一TFT9a、第二TFT9b和第三TFT9c使有机EL层33的有机发光层3适当地发光来进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置50d能够通过如下方式制造：在上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法的TFT层形成工序中，在形成了栅极绝缘膜13之后，局部地去除非显示区域N的栅极绝缘膜13以形成成为第二无机绝缘层13b的部分，在形成栅极线14g等的第一布线层时，在非显示区域N形成栅极金属层14i，在形成源极线18f等的第三布线层之前，局部地去除非显示区域N中的第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的层叠膜，形成成为第三无机绝缘层15b及第四无机绝缘层17b的部分。
如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50d，在各倒锥形凸部Cd中，在第一无机绝缘层11a、第二无机绝缘层13b、第三无机绝缘层15b及第四无机绝缘层17b的层叠体上设置有金属层18pd。在此，由于金属层18pd具有延展性，因此与构成第一无机密封膜41和第二无机密封膜43的无机绝缘膜相比，能够吸收来自外部的冲击。由此，能够抑制第一无机密封膜41和第二无机密封膜43中的裂纹的产生及行进，因此能够在贯通孔H的周边，抑制第一无机密封膜41和第二无机密封膜43中的裂纹的产生及向显示区域D的行进。而且，通过抑制第一无机密封膜41和第二无机密封膜43中的裂纹向显示区域D的行进，能够抑制水分等向有机EL层33的流入，因此能够抑制由有机EL层33的劣化引起的显示不良。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50d，在金属层18pd中，第一金属层Ma和第三金属层Mc的周端部比第二金属层Mb的周端部更加呈檐状突出，因此通过由第一金属层Ma、第二金属层Mb及第三金属层Mc形成的倒锥形结构的锚定效果，能够抑制密封膜45的膜剥离。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50d，金属层18pd不仅在上部狭缝Sx具有U字形的横截面，而且栅极金属层14i在下部狭缝Sz也具有U字形的横截面，因此，在非显示区域N中，弯曲应力等应力更加难以传递，能够进一步抑制由应力产生的裂纹向显示区域D的行进。
《其他实施方式》
在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层及电子注入层的五层层叠构造的有机EL层，但有机EL层例如也可以为空穴注入层兼空穴传输层、有机发光层及电子传输层兼电子注入层的三层层叠构造。
另外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极设为阳极、第二电极设为阴极的有机EL显示装置，但本发明还能够适用于使有机EL层的层叠结构反转，且将第一电极设为阴极，将第二电极设为阳极的有机EL显示装置。
另外，在上述各实施方式中，例示了将与第一电极连接的TFT的电极设为漏极电极的有机EL显示装置，但本发明还能够适用于将与第一电极连接的TFT的电极称为源极电极的有机EL显示装置。
另外，在上述各实施方式中，作为显示装置，列举了有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明可适用于具有多个由电流驱动的发光元件的显示装置，例如，具有QLED的显示装置，该QLED是使用了量子点含有层的发光元件。
产业上的实用性
如以上说明那样，本发明可用于柔性的EL显示装置。
附图标记说明
Ca,Cb,Cc,Cd 倒锥形凸部
D 显示区域
H 贯通孔
Ma 第一金属层
Mb 第二金属层
Mc 第三金属层
N 非显示区域
P 子像素
Sa 基板狭缝
Sb 外侧基板狭缝
Sx,Sy 上部狭缝
Sz 下部狭缝
Wc 阻挡壁
8a 树脂部
10 树脂基板层
11 底涂膜(无机绝缘膜)
11a 第一无机绝缘层
13 栅极绝缘膜(无机绝缘膜)
13a 第二无机绝缘层
14a,14b 栅极电极(栅极布线层)
14e 发光控制线(栅极布线层)
14g 栅极线(栅极布线层)
14c 下部导电层(栅极布线层)
14h,14i 栅极金属层
15 第一层间绝缘膜(无机绝缘膜)
15a,15b 第三无机绝缘层
17 第二层间绝缘膜(无机绝缘膜)
17a,17b 第四无机绝缘层
18a,18c 源极电极(金属布线层)
18b,18d 漏极电极(金属布线层)
18f 源极线(金属布线层)
18h 第一边框布线(金属布线层)
18i 第二边框布线(金属布线层)
18pa,18pb,18pc,18pd 金属层
30 TFT层(薄膜晶体管层)
31a 第一电极
33 有机EL层(发光功能层、有机电致发光层)
34 第二电极
40 有机EL元件层(发光元件层)
41 第一无机密封膜
42 有机密封膜
43 第二无机密封膜
45 密封膜
50a,50b,50c,50d 有机EL显示装置
60 电子部件

Claims (15)

1.一种显示装置，其包括：
树脂基板层；
薄膜晶体管层，其设置在所述树脂基板层上，且依次层叠有无机绝缘膜以及金属布线层；
发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层上，且与构成显示区域的多个子像素对应地依次层叠有多个第一电极、共用的发光功能层、共用的第二电极；以及
第一无机密封膜，其以覆盖所述发光元件层的方式设置，
在所述显示区域的内部设有岛状的非显示区域，
在所述非显示区域设有沿所述树脂基板层的厚度方向贯通的贯通孔，
所述显示装置的特征在于，
在所述非显示区域中设有多个倒锥形凸部，所述多个倒锥形凸部以包围所述贯通孔的方式设置，
所述各倒锥形凸部具有：树脂部，其由所述树脂基板层形成；无机绝缘层，其设置在该树脂部上，且由与所述无机绝缘膜相同的材料形成于同一层，
所述各倒锥形凸部的所述树脂部通过多个基板狭缝分离，所述多个基板狭缝分别以在所述树脂基板层的所述薄膜晶体管层侧的表面包围所述贯通孔的方式形成，
在所述各倒锥形凸部中，所述无机绝缘层设置为从所述树脂部向所述贯通孔侧以及所述显示区域侧中的至少一方呈檐状突出，
所述第一无机密封膜在配置有所述多个倒锥形凸部以及所述多个基板狭缝的区域中，以覆盖所述多个倒锥形凸部以及所述多个基板狭缝的方式设置，
在所述多个倒锥形凸部中的至少一个中，在所述无机绝缘层上设置有金属层，所述金属层由与所述金属布线层相同的材料形成于同一层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在所述无机绝缘层的宽度方向的中间部分形成有贯通该无机绝缘层的上部狭缝，
所述金属层以覆盖所述上部狭缝的两侧面以及底面的方式设置。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述金属层在所述上部狭缝中具有U字状的横截面。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
在所述树脂基板层上，作为所述无机绝缘膜，依次设置有底涂膜、栅极绝缘膜、第一层间绝缘膜以及第二层间绝缘膜，
在所述树脂部中，作为所述无机绝缘层，依次设置有：第一无机绝缘层，其由与所述底涂膜相同的材料形成于同一层；第二无机绝缘层，其由与所述栅极绝缘膜相同的材料形成于同一层；第三无机绝缘层，其由与所述第一层间绝缘膜相同的材料形成于同一层；以及第四无机绝缘层，其由与所述第二层间绝缘膜相同的材料形成于同一层，
所述上部狭缝形成于所述第三无机绝缘层以及所述第四无机绝缘层。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述薄膜晶体管层具有栅极布线层，所述栅极布线层设置于所述栅极绝缘膜与所述第一层间绝缘膜之间，
所述各倒锥形凸部具有栅极金属层，所述栅极金属层设置于所述第二无机绝缘层与所述第三无机绝缘层之间，且由与所述栅极布线层相同的材料形成于同一层。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述上部狭缝形成于所述第二无机绝缘层、所述第三无机绝缘层以及所述第四无机绝缘层。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
在所述第二无机绝缘层的宽度方向的中间部分形成有贯通该第二无机绝缘层的下部狭缝，
所述栅极金属层以覆盖所述下部狭缝的两侧面以及底面的方式设置。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述栅极金属层在所述下部狭缝具有U字状的横截面。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述金属层具备依次层叠在所述无机绝缘层上的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，
所述第一金属层以及所述第三金属层的周端部比所述第二金属层的周端部更加呈檐状突出。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述第一金属层以及所述第三金属层由钛系的金属膜形成，
所述第二金属层由铝系的金属膜形成。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述第一无机密封膜上层叠有有机密封膜，
在所述树脂基板层的所述薄膜晶体管层侧的表面设有外侧基板狭缝，所述外侧基板狭缝以包围所述多个基板狭缝的方式设置，
所述无机绝缘膜通过所述外侧基板狭缝分离，且以向该外侧基板狭缝的内侧呈檐状突出的方式设置，
在所述外侧基板狭缝中隔着所述第一无机密封膜填充有所述有机密封膜。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
在所述多个基板狭缝与所述外侧基板狭缝之间设有阻挡壁，所述阻挡壁以隔着所述第一无机密封膜与所述有机密封膜的周端部接触的方式设置。
13.根据权利要求11或12所述的显示装置，其特征在于，
在所述有机密封膜上层叠有第二无机密封膜，
在配置有所述多个倒锥形凸部以及所述多个基板狭缝的区域中，在所述第一无机密封膜上层叠有所述第二无机密封膜，
所述第一无机密封膜以及所述第二无机密封膜的层叠膜以覆盖所述多个倒锥形凸部以及所述多个基板狭缝的方式设置。
14.根据权利要求1至13中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述贯通孔中设置有电子部件。
15.根据权利要求1至14中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述发光功能层是有机电致发光层。
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