CN116982100A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示装置具有显示面板(50a)，该显示面板(50a)具备基底基板层(10)、薄膜晶体管层(30a)、发光元件层(35)以及密封膜(40)，在显示面板(50a)的显示区域(D)的基底基板层(10)侧设置有摄像部(60)，构成显示区域(D)的多个子像素被分为通常子像素的组和稀疏子像素的组，所述通常子像素的组以与摄像部(60)不重叠的方式设置，所述稀疏子像素的组以与摄像部(60)重叠的方式设置，在无机绝缘膜(20a)中，在与稀疏子像素的组重叠的摄像区域(Dc)，以贯通无机绝缘膜(20a)的方式设置有开口部(Maa)。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及显示装置。

背景技术

近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用有机电致发光(electroluminescence，以下也称为EL)元件的自发光型的有机EL显示装置受到关注。在该有机EL显示装置中，提出了在进行图像显示的显示区域的内部例如具备摄像机等摄像部的结构。

例如，在专利文献1中，公开了在显示区域内的摄像用的光透射区域的周围以避开光透射区域的方式设置向显示区域延伸的扫描信号线以及数据信号线的显示装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2019/198163号文本(图4)

发明内容

本发明所要解决的技术问题

然而，在显示区域的内部具备摄像部的有机EL显示装置中，在该摄像部中，构成显示区域的子像素被稀疏化以增加透射率，因此，存在被稀疏化的像素或与其邻接的子像素容易产生点亮不良的倾向。

本发明是鉴于上述点而完成的，其目的在于，在被稀疏化的子像素和与其邻接的子像素中，抑制点亮不良的产生。

用于解决技术问题的技术方案

为了达成上述目的，本发明所的显示装置具有显示面板，所述显示面板具备：基底基板层；薄膜晶体管层，其设置在所述基底基板层上，并依次叠层有第一配线层、第一平坦化膜、无机绝缘膜、第二配线层和第二平坦化膜；发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层上，与构成显示区域的多个子像素对应，并依次层叠有多个第一电极、多个发光功能层以及共用的第二电极；以及密封膜，其设置在所述发光元件层上，在所述显示面板的所述显示区域的所述基底基板层侧设置有摄像部，所述显示装置的特征在于，所述多个子像素被划分为通常子像素的组和稀疏子像素的组，所述通常子像素的组设置成与所述摄像部不重叠，所述稀疏子像素的组设置成与所述摄像部重叠，且且与该通常子像素的组相比被稀疏化，在所述无机绝缘膜中，在与所述稀疏子像素的组重叠的摄像区域，以贯通该无机绝缘膜的方式设置有开口部。

有益效果

根据本发明，在被稀疏化的子像素和与其邻接的子像素中，能够抑制点亮不良的发生。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。

图2是构成本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的有机EL显示面板的显示区域的俯视图。

图3是沿着图1中的III-III线的有机EL显示面板的显示区域的剖视图。

图4是构成本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的有机EL显示面板的薄膜晶体管层的等效电路图。

图5是构成本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的有机EL显示面板的有机EL层的剖视图。

图6是沿着图1中的VI-VI线的有机EL显示面板的边框区域的剖视图。

图7是沿着图1中的VII-VII线的有机EL显示面板的边框区域的剖视图。

图8是沿着图1中的VIII-VIII线的有机EL显示面板的边框区域的剖视图。

图9是构成本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的有机EL显示面板的摄像区域及其周围的俯视图。

图10是沿着图9中的X-X线的有机EL显示面板的摄像区域及其周围的剖视图。

图11是构成本发明的第二实施方式的有机EL显示装置的有机EL显示面板的摄像区域及其周围的俯视图。

图12是构成本发明的第三实施方式的有机EL显示装置的有机EL显示面板的摄像区域及其周围的俯视图。

图13是沿着图12中的XIII-XIII线的有机EL显示面板的摄像区域及其周围的剖视图。

具体实施方式

以下，基于附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，本发明并不限定于以下的各实施方式。

《第一实施方式》

图1～图10表示本发明的显示装置的第一实施方式。另外，在以下的各实施方式中，作为具备发光元件层的显示装置，例示具备有机EL元件层的有机EL显示装置。在此，图1是表示本实施方式的有机EL显示装置70的概略构成的俯视图。此外，图2是构成有机EL显示装置70的有机EL显示面板50a的显示区域D的俯视图。此外，图3是沿着图1中的III-III线的有机EL显示面板50a的显示区域D的剖视图。此外，图4是构成有机EL显示面板50a的薄膜晶体管层30a的等效电路图。此外，图5是构成有机EL显示面板50a的有机EL层33的剖视图。此外，图6、图7及图8是沿着图1中的VI-VI线、VII-VII线及VIII-VIII线的有机EL显示面板50a的边框区域F的剖视图。此外，图9是有机EL显示面板50a的摄像区域Dc及其周围的俯视图。此外，图10是沿着图9中的X-X线的有机EL显示面板50a的摄像区域Dc及其周围的剖视图。

如图1所示，有机EL显示装置70例如具备：显示区域D，其设置为矩形状用于进行图像显示；摄像区域Dc，其以矩形状设置在显示区域D的内部用于进行图像显示及摄像；以及边框区域F，其在显示区域D的周围设置为矩形框状。在此，有机EL显示装置70具备后述的有机EL显示面板50a、设置于有机EL显示面板50a的显示区域D的摄像区域Dc的后述的树脂基板层10侧(背面侧)的摄像部60(参照图1)。另外，在本实施方式中，例示了矩形状的显示区域D，但该矩形状还包括例如边为圆弧状的形状、角部为圆弧状的形状、边的一部分有切口的形状等大致矩形状。此外，在本实施方式中，例示了矩形状的摄像区域Dc，但摄像区域Dc也可以是圆、椭圆或多边形等其他形状。此外，在本实施方式中，例示了在显示区域D的内部设置一个摄像区域Dc的构成，但摄像区域Dc也可以在显示区域D的内部设置多个。另外，摄像部60例如是CMOS(complementary metal oxide semiconductor)相机或CCD(chargecoupled device)相机等。此外，如图1所示，摄像区域Dc在俯视时设于显示区域D的沿着图中左边的部分的中间部。

如图2所示，在显示区域D，多个子像素P呈矩阵状排列。此外，在显示区域D中，如图2所示，例如，具有用于进行红色显示的红色发光区域Lr的子像素P、具有用于进行绿色显示的绿色发光区域Lg的子像素P、以及用于进行蓝色显示的蓝色发光区域Lb的子像素P以相互相邻的方式设置。另外，在显示区域D中，例如，由具有红色发光区域Er、绿色发光区域Eg和蓝色发光区域Eb的相邻的三个子像素P构成一个像素。在此，如图9所示，多个子像素P被划分为以不与摄像部60重叠的方式设置的通常子像素Pa的组、和以与摄像部60重叠的方式设置在摄像区域Dc上且比通常子像素Pa的组更稀疏化的稀疏子像素Pb的组。另外，子像素P(通常子像素Pa和稀疏子像素Pb)的大小例如为50μm×30μm左右，此外，摄像区域Dc的大小例如为3mm×3mm左右。

在边框区域F的图1中的右端部设置成端子部T在一个方向(图中的纵向)上延伸。此外，在边框区域F中，如图1所示，在显示区域D及端子部T之间，以图中的纵向作为折弯的轴，例如能够折弯成180°(U字状)的折弯部B以沿一个方向(图中的纵向)延伸的方式设置。此外，在端子部T上沿着端子部T的延伸方向排列有多个端子。此外，在边框区域F中，在后述的第一平坦化膜19a和第二平坦化膜22a中，如图1和图6所示，以贯通第一平坦化膜19a和第二平坦化膜22a的方式设置有俯视时呈大致C状的沟槽G。在此，如图1所示，沟槽G在俯视下以端子部T侧开口的方式设置为大致C字状。

如图3所示，有机EL显示面板50a具备：作为基底基板层设置的树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的薄膜晶体管(thin film transistor，以下也称为TFT)层30a、作为发光元件层设置在TFT层30a上的有机EL元件层35、设置在有机EL元件层35上的密封膜40。

树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等有机树脂材料构成。

如图3所示，TFT层30a具备设置于树脂基板层10上的底涂层膜11、设置于底涂层膜11上的多个第一TFT 9a、多个第二TFT 9b(参照图4)、多个第三TFT 9c及多个电容器9d。此外，如图3所示，TFT层30a具备依次设置在各第一TFT 9a、各第二TFT 9b、各第三TFT 9c以及各电容器9d上的第一平坦化膜19a、无机绝缘膜20a以及第二平坦化膜22a。

在TFT层30a中，如图3所示，在底涂层膜11上依次层叠半导体层12a及12b、栅极绝缘膜13、栅极14a及14b以及下部导电层14c(第三配线层)、第一层间绝缘膜15、上部导电层16a(第四配线层)、第二层间绝缘膜17、源极18a及18c、漏极18b及18d(第一配线层)、第一平坦化膜19a、无机绝缘膜20a、电源线21a及中继电极21b(第二配线层)、第二平坦化膜22a。

在TFT层30a中，在显示区域D，如图2及图4所示，以在图中的横向相互平行地延伸的方式设置多条栅极线14d作为第三配线层。此外，在TFT层30a中，在显示区域D中，如图2及图4所示，以在图中的横向上相互平行地延伸的方式设置有多条发光控制线14e作为第三配线层。另外，栅极线14d及发光控制线14e与栅极14a及14b以及下部导电层14c由相同的材料形成在同一层。此外，如图2所示那样，各发光控制线14e设置为与各栅极线14d相邻。此外，在TFT层30a中，在显示区域D中，如图2及图4所示，以沿图中的纵向相互平行地延伸的方式设置有多条源极线18f作为第一配线层。另外，源极线18f与源极18a和18c以及漏极18b和18d由相同的材料形成在同一层。此外，在TFT层30a中，在显示区域D，如图1所示，电源线21a呈格子状作为第四配线层设置。此外，在TFT层30a中，如图4所示，在各子像素P中，分别设置有第一TFT 9a、第二TFT 9b、第三TFT 9c以及电容器9d。在此，在摄像区域Dc中，如图9所示，栅极线14d及发光控制线14e被设置为每6条中剔除5条而被稀疏化至1/6，源极线18f被设置为每4条中剔除3条而被稀疏化至1/4。此外，在图9的俯视图中，省略了发光控制线14e。

底涂层膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17及无机绝缘膜20a例如由氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等单层膜或层叠膜构成。

如图4所示，第一TFT 9a在各子像素P中与对应的栅极线14d、源极线18f及第二TFT9b电连接。此外，如图3所示，第一TFT 9a具备在底涂层膜11上依次设置的半导体层12a、栅极绝缘膜13、栅极14a、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17、以及源极18a和漏极18b。在此，如图3所示，半导体层12a设置在底涂层膜11上，如后所述，具有沟道区域、源极区域及漏极区域。此外，半导体层12a和后述的半导体层12b例如由低温多晶硅膜、In-Ga-Zn-O系的氧化物半导体膜等形成。此外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12a的方式设置。此外，如图3所示，栅极14a以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图3所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖栅极14a的方式依次设置。此外，如图3所示，源极18a和漏极18b以在第二层间绝缘膜17上相互分离的方式作为端子电极设置。此外，如图3所示，源极18a和漏极18b经由形成于栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔，分别与半导体层12a的源极区域和漏极区域电连接。

如图4所示，第二TFT 9b在各子像素P中与对应的第一TFT 9a、电源线21a及第三TFT 9c电连接。另外，第二TFT 9b具有与第一TFT 9a及后述的第三TFT 9c实质上相同的构造。

如图4所示，第三TFT 9c在各子像素P中与对应的第二TFT 9b、电源线21a及发光控制线14e电连接。此外，如图3所示，第三TFT 9c具备在底涂层膜11上依次设置的半导体层12b、栅极绝缘膜13、栅极14b、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17、以及源极18c和漏极18d。在此，如图3所示，半导体层12b设置在底涂层膜11上，与半导体层12a同样地，具有沟道区域、源极区域及漏极区域。此外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12b的方式设置。此外，如图3所示，栅极14b以与半导体层12b的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图3所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖栅极14b的方式依次设置。此外，如图3所示，源极18c和漏极18d以在第二层间绝缘膜17上相互分离的方式作为端子电极设置。此外，如图3所示，源极18c和漏极18d经由形成于栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔，分别与半导体层12b的源极区域和漏极区域电连接。此外，如图3所示，漏极18d经由形成于第一平坦化膜19a及无机绝缘膜20a的接触孔与中继电极21b电连接。

另外，在本实施方式中，例示了顶栅型的第一TFT 9a、第二TFT 9b以及第三TFT9c，但第一TFT 9a、第二TFT 9b以及第三TFT 9c也可以是底栅型。

如图4所示，电容器9d在各子像素P中与对应的第一TFT 9a及电源线21a电连接。这里，如图3所示，电容器9d具备：作为第一配线层设置的下部导电层14c、以覆盖下部导电层14c的方式设置的第一层间绝缘膜15、在第一层间绝缘膜15上以与下部导电层14c重叠的方式作为第二配线层设置的上部导电层16a。另外，上部导电层16a经由形成于第二层间绝缘膜17、第一平坦化膜19a及无机绝缘膜20a的接触孔(未图示)与电源线21a电连接。

第一平坦化膜19a、第二平坦化膜22a以及后述的边缘罩32a例如由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、酚醛清漆树脂等有机树脂材料构成。

无机绝缘膜20a为了抑制在通过干蚀刻对电源线21a等第二配线层进行图案化时第一平坦化膜19a的表面被蚀刻而污染干蚀刻装置的腔室内而设置。而且，如图9及图10所示，在无机绝缘膜20a中，在与稀疏子像素Pb的组重叠的摄像区域Dc中，以贯通无机绝缘膜20a的方式以点状设置有第一开口部Maa及第二开口部Mab。在此，如图9所示，第一开口部Maa沿着通常子像素Pa的组与稀疏子像素Pb的组的边界设置。另外，第一开口部Maa和最靠近该第一开口部Maa的通常子像素Pa的接触孔H在俯视时的中心间距离N(参照图10)例如为15μm以上且50μm以下，因此能够容易地从第一开口部Maa放出第一平坦化膜19a中的水分。此外，如图9所示，第二开口部Mab设置于稀疏子像素Pb的各周围。另外，第二开口部Mab和与该第二开口部Mab对应的中心的稀疏子像素Pb的接触孔在俯视时的中心间距离为15μm以上且50μm以下，因此能够容易地从第二开口部Mab放出第一平坦化膜19a中的水分。

如图3和图10所示，中继电极21b在无机绝缘膜20a上作为第二配线层而设置，与电源线21a由相同的材料形成在同一层。

如图3所示，有机EL元件层35具备：以依次层叠在TFT层30a上的方式设置的多个第一电极31a、边缘罩32a、多个有机EL层33以及第二电极34。

如图3所示，多个第一电极31a以对应于多个子像素P的方式，呈矩阵状设置在第二平坦化膜22a上。在此，如图3所示，第一电极31a经由形成于第一平坦化膜19a及无机绝缘膜20a的接触孔H(参照图10)、形成于中继电极21b及第二平坦化膜22a的接触孔与各第三TFT9c的漏极18d电连接。此外，第一电极31a具有向有机EL层33注入空穴(hole)的功能。此外，为了提高向有机EL层33注入空穴的效率，更优选用功函数大的材料形成第一电极31a。在此，作为构成第一电极31a的材料，例如可列举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等金属材料。此外，构成第一电极31a的材料例如也可以是砹(At)/氧化砹(AtO₂)等的合金。而且，构成第一电极31a的材料例如也可以是氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。此外，第一电极31a也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。另外，作为功函数大的化合物材料，例如可列举铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。

如图3所示，边缘罩32a以对多个子像素P共用的方式覆盖各第一电极31a的周端部的方式设置成格子状。

如图3所示，多个有机EL层33配置在多个第一电极31a上，以对应于多个子像素P的方式设置成矩阵状作为发光功能层。在此，如图5所示，各有机EL层33具备在第一电极31a上依次设置的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4以及电子注入层5。

空穴注入层1也称为阳极缓冲层，具有使第一电极31a与有机EL层33的能级接近、改善从第一电极31a向有机EL层33的空穴注入效率的功能，并作为多个子像素P共用的共用的发光功能层设置。在此，作为构成空穴注入层1的材料，可列举出例如三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物等。

空穴输送层2具有提高从第一电极31a向有机EL层33的空穴的输送效率的功能，作为多个子像素P共用的共用的发光功能层设置。在此，作为构成空穴输送层2的材料，例如可列举出卟啉衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙烯基胺衍生物、聚乙烯基咔唑、聚对亚苯基亚乙烯基(poly-p-phenylene vinylene)、聚硅烷(polysilane)、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉(pyrazoline)衍生物、吡唑啉酮(pyrazolone)衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、氢化非晶硅、无定形氢化碳化硅、硫化锌或者硒化锌等。

发光层3是作为各子像素P的单独的发光功能层而设置的、在第一电极31a和第二电极34施加电压时从第一电极31a和第二电极34分别注入空穴和电子并且空穴和电子再结合的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，作为构成发光层3的材料，例如，可列举出：金属羟基喹啉酮(オキシノイド，oxinoid)化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯基亚乙基衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并噁唑衍生物、噁二唑衍生物、噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑(benzthiazole)衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯基胺衍生物、双苯乙烯基苯(Bis(Styryl)Benzene)衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、若丹明衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪酮(phenoxazone)、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对亚苯基亚乙烯基、或聚硅烷(polysilanes)等。

电子输送层4具有使电子高效率地移动至发光层3的功能，作为多个子像素P共用的共用的发光功能层设置。在此，作为构成电子传输层4的材料，例如，作为有机化合物，可列举出：恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉酮(オキシノイド，8-羟基喹啉金属络合物)化合物(metal oxinoidcompound)等。

电子注入层5具有使第二电极34与有机EL层33的能量水平接近、提高从第二电极34向有机EL层33注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低构成有机EL元件层35的各有机EL元件的驱动电压。另外，电子注入层5也被称为阴极缓冲层，作为多个子像素P共用的共用的发光功能层设置。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如可列举氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF₂)、氟化钙(CaF₂)、氟化锶(SrF₂)、氟化钡(BaF)这样的无机碱化合物、氧化铝(Al₂O₃)、氧化锶(SrO)等。

如图3所示，第二电极34以多个子像素P共用的方式，并以覆盖各有机EL层33和边缘罩32a的方式设置。此外，第二电极34具有向有机EL层33注入电子的功能。此外，为了提高向有机EL层33注入电子的效率，第二电极34更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极34的材料，例如可列举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。此外，第二电极34例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO₂)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金形成。此外，第二电极34也可以由例如氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。此外，第二电极34也可以将由上述材料构成的层层叠多层而形成。另外，作为功函数小的材料，例如可列举镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。

如图3、图6、图7和图10所示，密封膜40具备以覆盖第二电极34的方式设置并依次层叠在第二电极34上的第一无机密封膜36、有机密封膜37和第二无机密封膜38，具有保护有机EL元件层35的各有机EL层33不受水分、氧气影响的功能。在此，第一无机密封膜36和第二无机密封膜38例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等无机绝缘膜构成。此外，有机密封膜37例如由丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等的有机树脂材料构成。

此外，如图1所示，有机EL显示面板50a在边框区域F中，具备在沟槽G的外侧以包围显示区域D的方式设置为矩形状的框状的第一外侧阻挡壁Wa和在第一外侧阻挡壁Wa的周围以矩形状的框状设置的第二外侧阻挡壁Wb。

如图6及图7所示，第一外侧阻挡壁Wa具备：与第二平坦化膜22a由相同的材料形成在同一层的下层树脂层22b；与边缘罩32a由相同的材料形成在同一层的上层树脂层32b。另外，如图6及图7所示，第一外侧阻挡壁Wa以与密封膜40的有机密封膜37的外周端部重叠的方式设置，以抑制成为密封膜40的有机密封膜37的油墨的扩散的方式构成。

如图6及图7所示，第二外侧阻挡壁Wb具备：与第一平坦化膜19a由相同的材料形成在同一层的下层树脂层19b；与第二平坦化膜22a由相同的材料形成在同一层的中层树脂层22c；以及与边缘罩32a由相同的材料形成在同一层的上层树脂层32c。

此外，如图1所示，有机EL显示面板50a在边框区域F中具备第一边框配线18h，该第一边框配线18h以在沟槽G的开口的部分呈宽幅地带状地延伸、显示区域D侧在沟槽G的内侧以线状延伸、显示区域D的相反侧的两端部延伸到端子部T的方式作为第一配线层而设置。在此，第一边框配线18h构成为在边框区域F的显示区域D侧与电源线21a电连接，在端子部T输入有高电源电压(ELVDD)。此外，如图6及图7所示，第一边框配线18h及后述的第二边框配线18i具备：与源极18a及18c以及漏极18b及18d由相同的材料形成在同一层的、从树脂基板层10侧向有机EL元件层35侧依次层叠的第一金属层6、第二金属层7及第三金属层8。在此，第一金属层6及第三金属层8例如由厚度100nm～200nm左右的钛膜形成，第二金属层7例如由厚度100nm～1000nm左右的铝膜形成。另外，上述源极18a及18c、漏极18b及18d、源极线18f以及后述的引绕配线18j，与第一边框配线18h及第二边框配线18i同样地是第三配线层，因此，具备从树脂基板层10侧向有机EL元件层35侧依次层叠的第一金属层6、第二金属层7及第三金属层8(未图示)。

此外，如图1所示，有机EL显示面板50a在边框区域F具备第二边框配线18i，该第二边框配线18i在沟槽G的外侧大致呈C状地作为第一配线层而设置，两端部延伸到端子部T。在此，如图6所示，第二边框配线18i构成为经由形成于沟槽G的第一导电层31b与第二电极34电连接，在端子部T输入低电源电压(ELVSS)。另外，如图6所示，第一导电层31b与第一电极31a由相同的材料形成在同一层，在边框区域F中，以与第二边框配线18i以及第二电极34重叠，将第二边框配线18i以及第二电极34彼此电连接的方式设置。

此外，如图8所示，有机EL显示面板50a具备：填充树脂层25，其在边框区域F的弯折部B，以填充形成于底涂层膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的狭缝S的方式设置；多条引绕配线18j，其设于填充树脂层25及第二层间绝缘膜17上；以及覆盖树脂层19c，其以覆盖各引绕配线18j的方式设置。另外，如图8所示，狭缝S设为以贯通底涂层膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17而使树脂基板层10的表面露出的方式沿着弯折部B的延伸方向穿通的槽状。此外，填充树脂层25例如由聚酰亚胺树脂等有机树脂材料构成。此外，多条引绕配线18j以在与折弯部B的延伸方向正交的方向上相互平行地延伸的方式设置。在此，如图8所示，各引绕配线18j的两端部通过形成于第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔分别与第一栅极导电层14f及第二栅极导电层14g电连接。另外，如上所述，引绕配线18j作为第一配线层而设置，与源极18a和18c以及漏极18b和18d由相同的材料形成在同一层。此外，如图8所示，第一栅极导电层14f设置在栅极绝缘膜13和第一层间绝缘膜15之间，与在显示区域D延伸的信号配线(源极线18f、栅极线14d等)电连接。此外，如图8所示，第二栅极导电层14g设置在栅极绝缘膜13和第一层间绝缘膜15之间，例如与端子部T的端子电连接。此外，覆盖树脂层19c与第一平坦化膜19a由相同的材料形成于同一层。

在上述的有机EL显示装置70中，在各子像素P中，通过经由栅极线14d向第一TFT9a输入栅极信号，第一TFT 9a成为导通状态，通过经由源极线18f向第二TFT 9b的栅极14b及电容器9d写入与源极信号对应的规定的电压，经由发光控制线14e向第三TFT 9c输入发光控制信号时，第三TFT 9c成为导通状态，通过从第二TFT 9b的栅极电压对应的电流从电源线21a供给至有机EL层33，有机EL层33的发光层3发光，进行图像显示。另外，在有机EL显示装置70中，即使第一TFT 9a成为截止状态，第二TFT 9b的栅极电压也由电容器9d保持，因此，发光层3的发光被各子像素P维持，直到输入下一帧的栅极信号为止。此外，有机EL显示装置70构成为：通过设置于有机EL显示面板50a的背面侧的摄像部60，隔着有机EL显示面板50a拍摄有机EL显示面板50a的正面侧的图像。

接着，对本实施方式的有机EL显示装置70的制造方法进行说明。在此，本实施方式的有机EL显示装置70的制造方法包括TFT层形成工序、有机EL元件层形成工序和密封膜形成工序。

<TFT层形成工序>

首先，例如，在玻璃基板上涂布非感光性的聚酰亚胺树脂(厚度6μm左右)后，对该涂布膜进行预烘烤及后烘烤，由此形成树脂基板层10。

接着，例如通过等离子体CVD(chemical vapor deposition)法在形成有树脂基板层10的基板表面上依次成膜氧化硅膜(厚度500nm左右)和氮化硅膜(厚度100nm左右)，从而形成底涂层膜11。

然后，利用等离子CVD法，在形成有底涂层膜11的基板表面成膜例如非晶硅膜(厚度30nm～100nm左右)，通过激光退火等使该非晶硅膜结晶化而形成多晶硅膜的半导体膜后，对该半导体膜进行图案化，形成半导体层12a及12b等。

进而，在形成有半导体层12a等的基板表面上，通过例如等离子体CVD法，成膜氧化硅膜等无机绝缘膜(100nm左右)，以覆盖半导体层12a等的方式形成栅极绝缘膜13。

接着，在形成有栅极绝缘膜13的基板表面上，例如通过溅射法成膜钼膜(厚度100nm～400nm左右)后，将该钼膜图案化，形成栅极14a及14b等第三配线层。

然后，将栅极14a及14b作为掩模，掺杂杂质离子，由此将半导体层12a及12b的一部分导体化。

进而，例如通过等离子体CVD法在半导体层12a等的一部分被导体化的基板表面上成膜氮化硅膜(厚度50nm～200nm左右)，从而形成第一层间绝缘膜15。

接着，在形成有第一层间绝缘膜15的基板表面，例如通过溅射法成膜钼膜(厚度100nm～400nm左右)后，将该钼膜图案化，形成上部导电层16a等第四配线层。

然后，通过例如等离子体CVD法在形成有上述第四配线层的基板表面上依次成膜氧化硅膜(厚度100nm～500nm左右)和氮化硅膜(厚度100nm～300nm左右)，从而形成第二层间绝缘膜17。

进而，通过适当图案化栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17而形成接触孔。

接着，例如利用溅射法在形成有上述接触孔的基板表面上依次成膜钛膜(厚度50nm左右)、铝膜(厚度600nm左右)及钛膜(厚度50nm左右)后，对这些金属层叠膜进行图案化，形成源极18a及18c、漏极18b及18d等第一配线层。

然后，利用例如旋涂法或狭缝涂布法，在形成有上述第一配线层的基板表面涂布感光性的聚酰亚胺树脂(厚度2.5μm左右)后，通过对该涂布膜进行预烘烤、曝光、显影及后烘烤，从而形成第一平坦化膜19a。

进而，在形成有第一平坦化膜19a的基板表面上，例如通过等离子体CVD法依次成膜氮化硅膜(厚度100nm～500nm左右)后，通过图案化，形成设置有接触孔H的上部、第一开口部Maa以及第二开口部Mab的无机绝缘膜20a。

而且，在形成有无机绝缘膜20a的基板表面，例如通过溅射法依次成膜钛膜(厚度50nm左右)、铝膜(厚度600nm左右)及钛膜(厚度50nm左右)后，对这些金属层叠膜进行图案化，形成电源线21a及中继电极21b等的第二配线层。

最后，利用例如旋涂法或狭缝涂布法，在形成有上述第二配线层的基板表面涂布感光性的聚酰亚胺树脂(厚度2.5μm左右)后，通过对该涂布膜进行预烘烤、曝光、显影及后烘烤，形成第二平坦化膜22a。

如上所述，能够形成TFT层30a。

<有机EL元件层形成工序>

在上述TFT层形成工序中形成的TFT层30的第二平坦化膜22a上，采用公知的方法形成第一电极31a、边缘罩32a、有机EL层33(空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4、电子注入层5)、第二电极34，形成有机EL元件层35。

<密封膜形成工序>

首先，在上述有机EL元件层形成工序中形成的形成有有机EL元件层35的基板表面上，使用掩模，通过等离子体CVD法成膜例如氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等无机绝缘膜，从而形成第一无机密封膜36。

接着，例如通过喷墨法，在形成有第一无机密封膜36的基板表面上形成丙烯酸树脂等有机树脂材料，形成有机密封膜37。

然后，对于形成有机密封膜37的基板，使用掩模，通过等离子体CVD法成膜例如氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等无机绝缘膜，形成第二无机密封膜38，从而形成密封膜40。

如上所述，能够制造本实施方式的有机EL显示面板50a。

而且，在将制造的有机EL显示面板50a例如固定于框体的内部时，通过在有机EL显示面板50a的摄像区域Dc的背面侧设置摄像部60，能够制造有机EL显示装置70。

如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置70，在第一平坦化膜19a上的无机绝缘膜20a，在与稀疏子像素Pb的组重叠的摄像区域Dc中，以贯通无机绝缘膜20a的方式设置有第一开口部Maa以及第二开口部Mab。在此，第一开口部Maa沿着通常子像素Pa的组与稀疏子像素Pb的组的边界而设置，因此在与被稀疏化的子像素Pb邻接的子像素Pa中，能够从第一开口部Maa放出第一平坦化膜19a中的水分。由此，在与被稀疏化的子像素Pb邻接的子像素Pa中，能够抑制中继电极21b的氧化，中继电极21b及第一电极31a之间的电连接良好，能够抑制点亮不良。此外，第二开口部Mab设置于稀疏子像素Pb的各周围，因此在被稀疏化的子像素Pb中，能够从第二开口部Mab放出第一平坦化膜19a中的水分。由此，在被稀疏化的子像素Pb中，能够抑制中继电极21b的氧化，中继电极21b及第一电极31a之间的电连接良好，能够抑制点亮不良。因此，在被稀疏化的子像素Pb以及与其邻接的子像素Pa中，能够抑制点亮不良的产生。

此外，根据本实施方式的有机EL显示装置70，由于在第一平坦化膜19a上设置有无机绝缘膜20a，因此通过干蚀刻对电源线21a等第二配线层进行图案化时，第一平坦化膜19a的表面的蚀刻被抑制，能够抑制干蚀刻装置的腔室内的污染。

《第二实施方式》

图11表示本发明的显示装置的第二实施方式。在此，图11是构成本实施方式的有机EL显示装置的有机EL显示面板50b的摄像区域Dc及其周围的俯视图。另外，在以下的各实施方式中，对与图1～图10相同的部分标注相同的附图标记，省略其详细的说明。

在上述第一实施方式中，例示了具备在无机绝缘膜20a中呈点状设置有第一开口部Maa以及第二开口部Mab的有机EL显示面板50a的有机EL显示装置70，但在本实施方式中，例示具备在无机绝缘膜20a中呈带状设置有第一开口部Mba以及第二开口部Mbb的有机EL显示面板50b的有机EL显示装置。

本实施方式的有机EL显示装置与上述第一实施方式的有机EL显示装置70同样，包括：显示区域D，其设置为矩形状并进行图像显示；摄像区域Dc，其在显示区域D的内部呈矩形状设置的进行图像显示及摄像；以及边框区域F，其在显示区域D的周围呈矩形状框状设置。此外，本实施方式的有机EL显示装置具备后述的有机EL显示面板50b和设置于有机EL显示面板50b的摄像区域Dc的树脂基板层10侧(背面侧)的摄像部60。

在有机EL显示面板50b中，如图11所示，在无机绝缘膜20a，在与稀疏子像素Pb的组重叠的摄像区域Dc中，以贯通无机绝缘膜20a的方式呈带状设置有第一开口部Mba和第二开口部Mbb。在此，如图11所示，第一开口部Mba沿着通常子像素Pa的组与稀疏子像素Pb的组的边界设置为U字状。此外，如图11所示，第二开口部Mb在稀疏子像素Pb的各周围呈框状设置。另外，有机EL显示面板50b的除此之外的构成实质上与上述第一实施方式的有机EL显示面板50a相同。

具备有机EL显示面板50b的有机EL显示装置，与上述第一实施方式的有机EL显示装置70同样，具有可挠性，在各子像素P中，经由第一TFT 9a、第二TFT 9b及第三TFT 9c使有机EL层33的发光层3适当发光，从而进行图像显示。此外，具备有机EL显示面板50b的有机EL显示装置构成为，通过设置于有机EL显示面板50b的背面侧的摄像部60，隔着有机EL显示面板50b拍摄有机EL显示面板50b的正面侧的图像。

具备本实施方式的有机EL显示面板50b的有机EL显示装置，能够通过在上述第一实施方式的有机EL显示装置70的制造方法中变更无机绝缘膜20a的图案形状来制造。

如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置，在第一平坦化膜19a上的无机绝缘膜20a，在与稀疏子像素Pb的组重叠的摄像区域Dc中，以贯通无机绝缘膜20a的方式设置有第一开口部Mba和第二开口部Mbb。在此，第一开口部Mba沿着通常子像素Pa的组与稀疏子像素Pb的组的边界呈U字状设置，因此在与被稀疏化的子像素Pb邻接的子像素Pa中，能够从第一开口部Maa进一步放出第一平坦化膜19a中的水分。由此，在与被稀疏化的子像素Pb邻接的子像素Pa中，能够进一步抑制中继电极21b的氧化，中继电极21b及第一电极31a之间的电连接良好，能够进一步抑制点亮不良。此外，第二开口部Mbb在稀疏子像素Pb的各周围呈框状设置，因此在被稀疏化的子像素Pb中，能够从第二开口部Mbb进一步放出第一平坦化膜19a中的水分。由此，在被稀疏化的子像素Pb中，能够进一步抑制中继电极21b的氧化，中继电极21b及第一电极31a之间的电连接良好，能够进一步抑制点亮不良。因此，在被稀疏化的子像素Pb以及与其邻接的子像素Pa中，能够进一步抑制点亮不良的发生。

此外，根据本实施方式的有机EL显示装置，在第一平坦化膜19a上设置有无机绝缘膜20a，因此通过干蚀刻对电源线21a等第二配线层进行图案化时，第一平坦化膜19a的表面的蚀刻被抑制，能够抑制干蚀刻装置的腔室内的污染。

《第三实施方式》

图12和图13表示本发明的显示装置的第三实施方式。在此，图12是构成本实施方式的有机EL显示装置的有机EL显示面板50c的摄像区域Dc及其周围的俯视图。此外，图13是沿着图12中的XIII-XIII线的有机EL显示面板50c的摄像区域Dc及其周围的剖视图。

在上述第一和第二实施方式中，例示了具备在无机绝缘膜20a设有多个开口部的有机EL显示面板50a和50b的有机EL显示装置，但在本实施方式中，例示具备在无机绝缘膜20a设有单一的开口部Mc的有机EL显示面板50c的有机EL显示装置。

本实施方式的有机EL显示装置与上述第一实施方式的有机EL显示装置70同样，包括：显示区域D，其呈矩形状设置并进行图像显示；摄像区域Dc，其在显示区域D的内部呈矩形状设置的进行图像显示及摄像；边框区域F，其在显示区域D的周围呈矩形框状设置。此外，本实施方式的有机EL显示装置具备后述的有机EL显示面板50c、设置于有机EL显示面板50c的摄像区域Dc的树脂基板层10侧(背面侧)的摄像部60。

如图13所示，有机EL显示面板50c包括：树脂基板层10；设置在树脂基板层10上的TFT层30c；设置在TFT层30c上的有机EL元件层35；以及设置在有机EL元件层35上的密封膜40。

TFT基板30c与上述第一实施方式的TFT30a同样，如图13所示，具备设置于树脂基板层10上的底涂层膜11和设置于底涂层膜11上的多个第一TFT 9a、多个第二TFT 9b(参照图4)、多个第三TFT 9c及多个电容器9d。此外，TFT层30c与上述第一实施方式的TFT30a同样，如图13所示，包括依次设置在各第一TFT 9a、各第二TFT 9b、各第三TFT 9c以及各电容器9d上的第一平坦化膜19a、无机绝缘膜20a以及第二平坦化膜22a。此外，在TFT层30c中，与上述第一实施方式的TFT30a同样地，如图13所示，在底涂层膜11上依次层叠半导体层12a及12b、栅极绝缘膜13、栅极14a及14b以及下部导电层14c(第三配线层)、第一层间绝缘膜15、上部导电层16a(第四配线层)、第二层间绝缘膜17、源极18a及18c以及漏极18b及18d(第一配线层)、第一平坦化膜19a、无机绝缘膜20a、电源线21a及中继电极21b(第二配线层)、第二平坦化膜22a。此外，在TFT层30c中，与上述第一实施方式的TFT30a同样地，在显示区域D设置有多条栅极线14d、多条发光控制线14e、多条源极线18f及电源线21a。此外，在TFT层30c中，与上述第一实施方式的TFT30a同样地，在各子像素P中，分别设置有第一TFT 9a、第二TFT 9b、第三TFT 9c以及电容器9d。在此，在摄像区域Dc中，如图12所示，栅极线14d及发光控制线14e被设置为每6条中剔除5条而被稀疏化至1/6，源极线18f被设置为每4条中剔除3条而被稀疏化至1/4。另外，在图12的俯视图中，省略了发光控制线14e。

在TFT层30c(有机EL显示面板50c)中，在无机绝缘膜20a，如图12所示，在与稀疏子像素Pb的组重叠的摄像区域Dc中，以贯通无机绝缘膜20a的方式一体地设置有一个开口部Mc。在此，开口部Mc如图12所示那样，其外轮廓设置为矩形状，设置为在其内部的各稀疏子像素Pb的中继电极21b的下层存在岛状的无机绝缘膜20a。另外，TFT层30c(有机EL显示面板50c)的除此之外的构成实质上与上述第一实施方式的TFT层30a(有机EL显示面板50a)相同。

具备有机EL显示面板50c的有机EL显示装置，与上述第一实施方式的有机EL显示装置70同样，具有可挠性，构成为在各子像素P中，经由第一TFT 9a、第二TFT 9b及第三TFT9c使有机EL层33的发光层3适当发光，从而进行图像显示。此外，具备有机EL显示面板50c的有机EL显示装置构成为：通过设置于有机EL显示面板50c的背面侧的摄像部60，隔着有机EL显示面板50c拍摄有机EL显示面板50c的正面侧的图像。

具备本实施方式的有机EL显示面板50c的有机EL显示装置，能够通过在上述第一实施方式的有机EL显示装置70的制造方法中，在对无机绝缘膜20a进行图案化时，对第一开口部Maa以及第二开口部Mab以外的部分进行图案化，形成第二配线层之后，再次对无机绝缘膜20a进行图案化，形成开口部Mc来制造。

如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置，在第一平坦化膜19a上的无机绝缘膜20a，在与稀疏子像素Pb的群重叠的摄像区域Dc中，以贯通无机绝缘膜20a的方式设置有开口部Mc。在此，开口部Mc在摄像区域Dc的大致整个区域一体地设有一个，因此在被稀疏化的子像素Pb及与其邻接的子像素Pa中，能够从开口部Mc进一步放出第一平坦化膜19a中的水分。由此，在被稀疏化的子像素Pb以及与其邻接的子像素Pa中，能够进一步抑制中继电极21b的氧化，中继电极21b及第一电极31a之间的电连接良好，能够更进一步抑制点亮不良。

此外，根据本实施方式的有机EL显示装置，在第一平坦化膜19a上设置有无机绝缘膜20a，因此通过干蚀刻对电源线21a等第二配线层进行图案化时，第一平坦化膜19a的表面的蚀刻被抑制，能够抑制干蚀刻装置的腔室内的污染。

《其他实施方式》

在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及电子注入层的5层层叠结构的有机EL层，但有机EL层例如也可以是空穴注入层兼空穴输送层、发光层及电子输送层兼电子注入层的3层层叠结构。

此外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极作为阳极、将第二电极作为阴极的有机EL显示装置，但本发明也能适用于使有机EL层的层叠结构反转、将第一电极作为阴极、将第二电极作为阳极的有机EL显示装置。

此外，在上述各实施方式中，例示了将连接于第一电极的TFT的电极作为漏极的有机EL显示装置，但本发明也能适用于将连接于第一电极的TFT的电极称为源极的有机EL显示装置。

此外，在上述各实施方式中，作为显示装置，列举了有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明能够适用于具备由电流驱动的多个发光元件的显示装置，例如，能够应用于具备使用了含量子点的层的发光元件即QLED(Quantum-dot light emiTFTing diode)的显示装置。

产业上的可利用性

如上所述，本发明对柔性显示装置是有用的。

附图标记说明

D：显示区域

Dc：摄像区域

H：接触孔

Maa、Mba：第一开口部

Mab、Mbb：第二开口

Mc：开口部

P：子像素

Pa：通常子像素

Pb：稀疏子像素

10：树脂基板层(基底基板层)

12a、12b：半导体层

13：栅极绝缘膜

14a、14b：栅极(第三配线层)

14c：下部导电层(第三配线层)

15：第一层间绝缘膜

16a：上部导电层(第四配线层)

17：第二层间绝缘膜

18a、18c：源极(第一配线层)

18b、18d：漏极(第一配线层、端子电极)

19a：第一平坦化膜

20a：无机绝缘膜

21a：电源线(第二配线层)

21b：中继电极(第二配线层)

22a：第二平坦化膜

30a、30c：TFT层(薄膜晶体管层)

31a：第一电极

33：有机EL层(有机电致发光层、发光功能层)

34：第二电极

35：有机EL元件层(发光元件层)

40：密封膜

50a、50b、50c：有机EL显示面板

60：摄像部

70：有机EL显示装置

Claims (12)

1.一种显示装置，其具有显示面板，所述显示面板具备：

基底基板层；

薄膜晶体管层，其设置在所述基底基板层上，并依次叠层有第一配线层、第一平坦化膜、无机绝缘膜、第二配线层和第二平坦化膜；

发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层上，与构成显示区域的多个子像素对应，并依次层叠有多个第一电极、多个发光功能层以及共用的第二电极；以及

密封膜，其设置在所述发光元件层上，

在所述显示面板的所述显示区域的所述基底基板层侧设置有摄像部，所述显示装置的特征在于，

所述多个子像素被划分为通常子像素的组和稀疏子像素的组，所述通常子像素的组设置成与所述摄像部不重叠，所述稀疏子像素的组设置成与所述摄像部重叠，且与该通常子像素的组相比被稀疏化，

在所述无机绝缘膜中，在与所述稀疏子像素的组重叠的摄像区域，以贯通该无机绝缘膜的方式设置有开口部。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

以点状设置有多个所述开口部。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述开口部包括：

多个第一开口部，沿着所述通常子像素的组与所述稀疏子像素的组的边界设置；以及

多个第二开口部，设置在所述稀疏子像素的各周围。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，

所述薄膜晶体管层具备：作为所述第一配线层设置的薄膜晶体管的端子电极；以及作为所述第二配线层设置的中继电极，

所述中继电极在所述各子像素中与对应的所述第一电极电连接。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，

在所述各通常子像素中，在所述第一平坦化膜及所述无机绝缘膜形成有接触孔，所述接触孔用于电连接所述端子电极和所述中继电极，

所述各第一开口部与最靠近该各第一开口部的所述通常子像素的所述接触孔在俯视时的中心间距离为50μm以下。

6.根据权利要求4或5所述的显示装置，其特征在于，

在所述各稀疏子像素中，在所述第一平坦化膜以及所述无机绝缘膜中形成有接触孔，所述接触孔用于将所述端子电极和所述中继电极电连接，

所述各第二开口部和与该各第二开口部对应的所述稀疏子像素的接触孔在俯视时的中心间距离为50μm以下。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述开口部设置成带状。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，

所述开口部包括：

第一开口部，其沿着所述通常子像素的组与所述稀疏子像素的组的交界呈U字状设置；以及

多个第二开口部，其在所述稀疏子像素的各周围呈框状设置。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

在所述摄像区域一体地设有一个所述开口部。

10.根据权利要求1～9中的任一项所述的显示装置，其特征在于，包括：

薄膜晶体管层在所述第一配线层的所述基底基板层侧，具备从该基底基板层侧向该第一配线层侧依次叠层的半导体层、栅极绝缘膜、第三配线层、第一层间绝缘膜、第四配线层和第二层间绝缘膜。

11.根据权利要求1～10中的任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述显示区域设置为矩形状，

所述摄像区域设置在沿着所述显示区域的一边的部分的中间部。

12.根据权利要求1～11中的任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述各发光功能层是有机电致发光层。