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Description
本発明は、表示装置に関するものである。
近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence、以下、ＥＬとも称する）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置では、画像表示を行う表示領域の内部に、例えば、カメラや指紋センサー等の電子部品を設置するために、島状の非表示領域を設け、その非表示領域に厚さ方向に貫通する貫通孔を設ける構造が提案されている。
例えば、特許文献１には、ベース基板の前面及び背面を貫通するモジュールホールが表示領域に設けられた表示パネルと、モジュールホールに収容された電子モジュールとを備えた電子装置が開示されている。
ところで、カメラ等の撮像部を備えた有機ＥＬ表示装置では、表示パネルの背面側に撮像部を設置し、その撮像部により表示パネル越しに表示パネルの正面側の画像を撮影するような構造が提案されている。しかしながら、このような構造の有機ＥＬ表示装置では、表示領域で発光した表示光の漏れ光が撮像部の周囲から撮像部に入射してしまうので、撮像部で撮影した画像に光ノイズが多く含まれるおそれがある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、撮像部への表示光の漏れ光の入射を抑制することにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、第１表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第１電極、共通のエッジカバー、複数の機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層と、上記発光素子層上に設けられた封止膜とを備え、上記第１表示領域の内部に該第１表示領域に囲まれるように第２表示領域が設けられ、上記第２表示領域における上記ベース基板の上記薄膜トランジスタ層と反対側に撮像部が設けられた表示装置であって、上記第２表示領域には、上記第１表示領域との境界に遮光部が設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、第１表示領域の内部で撮像部が設けられた第２表示領域には、第１表示領域との境界に遮光部が設けられているので、撮像部への表示光の漏れ光の入射を抑制することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
《第１の実施形態》
図１～図８は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの第１表示領域Ｄａの平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する薄膜トランジスタ層２０の等価回路図である。また、図４及び図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａの第１表示領域Ｄａ及び第２表示領域Ｄｂの詳細構成をそれぞれ示す断面図である。また、図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３を示す断面図である。また、図７は、有機ＥＬ表示装置５０ａの第２表示領域Ｄｂ及びその周囲を模式的に示した平面図である。また、図８は、有機ＥＬ表示装置５０ａの変形例の有機ＥＬ表示装置５０ｂにおける第２表示領域Ｄｂの詳細構成を示す断面図である。
図１～図８は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの第１表示領域Ｄａの平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する薄膜トランジスタ層２０の等価回路図である。また、図４及び図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａの第１表示領域Ｄａ及び第２表示領域Ｄｂの詳細構成をそれぞれ示す断面図である。また、図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３を示す断面図である。また、図７は、有機ＥＬ表示装置５０ａの第２表示領域Ｄｂ及びその周囲を模式的に示した平面図である。また、図８は、有機ＥＬ表示装置５０ａの変形例の有機ＥＬ表示装置５０ｂにおける第２表示領域Ｄｂの詳細構成を示す断面図である。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う第１表示領域Ｄａと、第１表示領域Ｄａの内部に第１表示領域Ｄａに囲まれるように設けられた画像表示を行う第２表示領域Ｄｂと、第１表示領域Ｄａの周囲に枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。なお、本実施形態では、矩形状の第１表示領域Ｄａを例示したが、この矩形状には、例えば、辺が円弧状になった形状、角部が円弧状になった形状、辺の一部に切り欠きがある形状等の略矩形状も含まれている。また、本実施形態では、円形状の第２表示領域Ｄｂを例示したが、第２表示領域Ｄｂは、楕円や多角形等の他の形状であってもよい。また、本実施形態では、第１表示領域Ｄａの内部に第２表示領域Ｄｂが１つ設けられた構成を例示したが、第２表示領域Ｄｂは、第１表示領域Ｄａの内部に複数設けられていてもよい。
第１表示領域Ｄａ（及び第２表示領域Ｄｂ）には、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐｒ、Ｐｇ及びＰｂがマトリクス状に配列されている。また、第１表示領域Ｄａ（及び第２表示領域Ｄｂ）では、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐｒ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐｇ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐｂが互いに隣り合うように設けられている。なお、第１表示領域Ｄａ（及び第２表示領域Ｄｂ）では、図２に示すように、隣り合う３つのサブ画素Ｐｒ、Ｐｇ及びＰｂにより、１つの画素Ｐが構成されている。また、第２表示領域Ｄｂの背面側、すなわち、後述する樹脂基板層１０の後述する薄膜トランジスタ層２０と反対側には、図１及び図５に示すように、例えば、ＣＭＯＳ（complementary metal oxide semiconductor）カメラやＣＣＤ（charge coupled device）カメラ等の撮像部４０が設けられている。つまり、撮像部４０は、表示パネルとしての有機ＥＬ表示装置５０ａの表示面と反対側に設置されている。ここで、撮像部４０が設置された第２表示領域Ｄｂの画素密度は、図７に示すように、その周囲の第１表示領域Ｄａの画素密度よりも低くなっているので、第２表示領域Ｄｂでは、光透過率が高くなり、表示パネル越しに表示パネルの正面側（上記表示面側）の画像を撮影可能になっている。
額縁領域Ｆの図１中下端部には、端子部Ｔが一方向（図中のＸ方向）に延びるように設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、図１に示すように、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図中のＸ方向を折り曲げの軸として、例えば、１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが一方向（図中のＸ方向）に延びるように設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、後述する平坦化膜１９には、図１に示すように、平面視で略Ｃ状のトレンチＧが平坦化膜１９を貫通するように設けられている。ここで、トレンチＧは、図１に示すように、平面視で端子部Ｔ側が開口するように略Ｃ字状に設けられている。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図４及び図５に示すように、ベース基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられた薄膜トランジスタ（thin film transistor、以下、ＴＦＴとも称する）層２０と、ＴＦＴ層２０上に発光素子層として設けられた有機ＥＬ素子層３０と、有機ＥＬ素子層３０上に設けられた封止膜３５とを備えている。
樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
ＴＦＴ層２０は、図４及び図５に示すように、樹脂基板層１０上に順に設けられたベースコート膜１１、半導体層１２ａ及び１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、第１配線層（１４）、第１層間絶縁膜１５、第２配線層１６、第２層間絶縁膜１７、第３配線層（１８）、並びに平坦化膜１９を備えている。また、ＴＦＴ層２０は、図４及び図５に示すように、ベースコート膜１１と平坦化膜１９との間に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０では、図２及び図３に示すように、図中のＸ方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４ｄが第１配線層１４として設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図３に示すように、図中のＹ方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが第３配線層１８として設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図３に示すように、図中のＹ方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが第３配線層１８として設けられている。なお、各電源線１８ｇは、図２に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図３に示すように、各サブ画素Ｐｒ、Ｐｇ及びＰｂにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃが設けられている。
ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、各サブ画素Ｐｒ、Ｐｇ及びＰｂにおいて、対応するゲート線１４ｄ及びソース線１８ｆに電気的に接続されている。また、第１ＴＦＴ９ａは、図４及び図５に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ａ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ａ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを備えている。ここで、半導体層１２ａは、図４及び図５に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、例えば、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図４及び図５に示すように、半導体層１２ａを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ａは、図４及び図５に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図４及び図５に示すように、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図４及び図５に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図４及び図５に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。なお、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
第２ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、各サブ画素Ｐｒ、Ｐｇ及びＰｂにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。また、第１ＴＦＴ９ｂは、図４及び図５に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ｂ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄを備えている。ここで、半導体層１２ｂは、図４及び図５に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、例えば、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図４及び図５に示すように、半導体層１２ｂを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ｂは、図４及び図５に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図４及び図５に示すように、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図４及び図５に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図４及び図５に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。
なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
キャパシタ９ｃは、図３に示すように、各サブ画素Ｐｒ、Ｐｇ及びＰｂにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図４及び図５に示すように、第１配線層１４として設けられた下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように第２配線層１６として設けられた上部導電層１６ｃとを備えている。なお、上部導電層１６ｃは、図４及び図５に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して電源線１８ｇに電気的に接続されている。また、下部導電層１４ｃは、図３に示すように、第１ＴＦＴ９ａのドレイン電極１８ｂ及び第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂに電気的に接続されている。
平坦化膜１９は、第１表示領域Ｄａ及び第２表示領域Ｄｂにおいて平坦な表面を有し、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
有機ＥＬ素子層３０は、図４及び図５に示すように、複数のサブ画素Ｐｒ、Ｐｇ及びＰｂに対応して、平坦化膜１９上に順に積層するように設けられた複数の第１電極２１と、共通のエッジカバー２２ａと、複数の有機ＥＬ層２３と、共通の第２電極２４とを備えている。
第１電極２１は、図４及び図５に示すように、平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールを介して、各サブ画素Ｐｒ、Ｐｇ及びＰｂの第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに電気的に接続されている。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極２１を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１を構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
エッジカバー２２ａは、図４に示すように、各第１電極２１の周端部を覆い、第１表示領域Ｄａ全体に格子状に設けられている。ここで、エッジカバー２２ａを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等のポジ型の感光性樹脂が挙げられる。また、第２表示領域Ｄｂにおいては、図５に示すように、各第１電極２１の周端部を覆うようにエッジカバー２２ｂが設けられている。ここで、エッジカバー２２ｂは、図７に示すように、第１表示領域Ｄａの境界に設けられ、遮光部Ｓを構成している。また、エッジカバー２２ｂを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等のポジ型の感光性樹脂が挙げられる。さらに、エッジカバー２２ｂは、図５に示すように、例えば、カーボンブラックＣを含有し、黒色に着色された黒色着色部として設けられ、その光学濃度（ＯＤ値）が０．１～１．５になっている。また、エッジカバー２２ｂの厚さ（例えば、３μｍ程度）は、エッジカバー２２ａの厚さ（例えば、２μｍ程度）よりも大きくなっている。また、エッジカバー２２ｂは、第２表示領域Ｄｂの中央部を囲み、第２表示領域Ｄｂに配置する全ての画素Ｐを囲むように一続きに設けられている。なお、本実施形態では、一続きに設けられたエッジカバー２２ｂを例示したが、エッジカバー２２ｂは、途切れ途切れに断続的に設けられていてもよい。
また、本実施形態では、第２表示領域Ｄｂにおいて、１層構造のエッジカバー２２ｂが設けられた構成を例示したが、図８に示すように、エッジカバー２２ｃは、２層構造であってもよい。具体的に、変形例の有機ＥＬ表示装置５０ｂにおいて、エッジカバー２２ｃは、図８に示すように、遮光部Ｓとして設けられた黒色着色部２２ｃｂと、黒色着色部２２ｃｂの樹脂基板層１０側に黒色着色部２２ｃｂと重なるように設けられた透明層２２ｃａとを備えている。ここで、透明層２２ｃａは、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等のポジ型の感光性樹脂により、厚さ２μｍ程度に設けられている。また、黒色着色部２２ｃｂは、図８に示すように、例えば、カーボンブラックＣが含有されたポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等のポジ型の感光性樹脂により、厚さ１μｍ程度に設けられ、その光学濃度（ＯＤ値）が０．１～１．５になっている。
有機ＥＬ層２３は、機能層として設けられ、図６に示すように、第１電極２１上に順に積層された正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層２は、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
発光層３は、第１電極２１及び第２電極２４による電圧印加の際に、第１電極２１及び第２電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
電子注入層５は、第２電極２４と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４から有機ＥＬ層２３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
第２電極２４は、図４及び図５に示すように、各サブ画素Ｐｒ、Ｐｇ及びＰｂの有機ＥＬ層２３、並びにエッジカバー２２ａ及び２２ｂを覆うように設けられている。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
封止膜３５は、図４及び図５に示すように、有機ＥＬ素子層３０上に有機ＥＬ素子層３０を覆うように設けられている。ここで、封止膜３５は、図４及び図５に示すように、第２電極２４上に順に積層された第１無機封止膜３１、有機封止膜３２及び第２無機封止膜３３を備え、有機ＥＬ素子層３０の各有機ＥＬ層２３を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、第１無機封止膜３１及び第２無機封止膜３３は、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。また、有機封止膜３２、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの外側に枠状に設けられた第１堰き止め壁Ｗａと、第１堰き止め壁Ｗａの周囲に枠状に設けられた第２堰き止め壁Ｗｂとを備えている。
第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂは、例えば、平坦化膜１９と同一材料により同一層に形成された樹脂層と、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された樹脂層とを積層するように、複数の樹脂層を積層することにより構成されている。なお、第１堰き止め壁Ｗａは、封止膜３５の有機封止膜３２の周端部に重なるように設けられ、有機封止膜３２となるインクの拡がりを抑制するように構成されている。
また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの内側に第３配線層１８として枠状に設けられてトレンチＧの開口した部分の両端部が端子部Ｔに延びる第１額縁配線１８ｈを備えている。ここで、第１額縁配線１８ｈは、第１表示領域Ｄａの各電源線１８ｇに電気的に接続され、端子部Ｔで高電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が入力されるように構成されている。
また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの外側に第３配線層１８として略Ｃ状に設けられて両端部が端子部Ｔに延びる第２額縁配線１８ｉを備えている。ここで、第２額縁配線１８ｉは、トレンチＧに設けられた接続配線（不図示）を介して第２電極２４に電気的に接続され、端子部Ｔで低電源電圧（ＥＬＶＳＳ）が入力されるように構成されている。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐｒ、Ｐｇ及びＰｂにおいて、ゲート線１４ｄを介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにソース信号に対応する電圧を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に基づいて規定された電源線１８ｇからの電流が有機ＥＬ層２３に供給されることにより、有機ＥＬ層２３の発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、ＴＦＴ層形成工程、有機ＥＬ素子層形成工程及び封止膜形成工程を備える。
＜ＴＦＴ層形成工程＞
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ及び平坦化膜１９等を形成することにより、ＴＦＴ層２０を形成する。
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ及び平坦化膜１９等を形成することにより、ＴＦＴ層２０を形成する。
＜有機ＥＬ素子層形成工程＞
上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０の平坦化膜１９上に、周知の方法を用いて、第１電極２１、エッジカバー２２ａ及び２２ｂ、有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）、第２電極２４を形成して、有機ＥＬ素子層３０を形成する。
上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０の平坦化膜１９上に、周知の方法を用いて、第１電極２１、エッジカバー２２ａ及び２２ｂ、有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）、第２電極２４を形成して、有機ＥＬ素子層３０を形成する。
＜封止膜形成工程＞
まず、上記有機ＥＬ素子層形成工程で形成された有機ＥＬ素子層３０が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第１無機封止膜３１を形成する。
まず、上記有機ＥＬ素子層形成工程で形成された有機ＥＬ素子層３０が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第１無機封止膜３１を形成する。
続いて、第１無機封止膜３１が形成された基板表面に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を成膜して、有機封止膜３２を形成する。
その後、有機封止膜３２が形成された基板に対して、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第２無機封止膜３３を形成することにより、封止膜３５を形成する。
そして、封止膜３５が形成された基板表面に保護シート（不図示）を貼付した後に、樹脂基板層１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板を剥離させ、さらに、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の下面に保護シート（不図示）を貼付する。
以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａを、例えば、筐体の内部に固定する際に、第２表示領域Ｄｂの裏面側に撮像部４０が配置するように、撮像部４０を設置する。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、撮像部４０が設置された第２表示領域Ｄｂには、第１表示領域Ｄａとの境界に遮光部Ｓとしてエッジカバー２２ｂが設けられている。これにより、第１表示領域Ｄａで発光した表示光の漏れ光が黒色に着色されたエッジカバー２２ｂに吸収されるので、撮像部４０への表示光の入射を抑制することができ、撮像部４０で撮影した画像に光ノイズが含まれることを抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、ユーザー自身を撮影する、所謂、自撮り撮影を行う際に、表示画面上において、撮像部４０が設置された第２表示領域Ｄｂの位置を黒色に着色されたエッジカバー２２ｂにより認識することができ、目線の合った自撮り撮影を行うことができる。
《第２の実施形態》
図９及び図１０は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図９は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの第２表示領域Ｄｂ及びその周囲を模式的に示した平面図である。また、図１０は、有機ＥＬ表示装置５０ｃの変形例の有機ＥＬ表示装置５０ｄにおける第２表示領域Ｄｂ及びその周囲を模式的に示した平面図である。なお、以下の実施形態において、図１～図８と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図９及び図１０は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図９は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの第２表示領域Ｄｂ及びその周囲を模式的に示した平面図である。また、図１０は、有機ＥＬ表示装置５０ｃの変形例の有機ＥＬ表示装置５０ｄにおける第２表示領域Ｄｂ及びその周囲を模式的に示した平面図である。なお、以下の実施形態において、図１～図８と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
上記第１の実施形態では、遮光部Ｓとしてエッジカバー２２ｂが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、遮光部Ｓとして導電層Ｅが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示する。
有機ＥＬ表示装置５０ｃでは、有機ＥＬ表示装置５０ａに設けられたエッジカバー２２ｂの代わりに、図９に示すように、第２表示領域Ｄｂにおいて、第１表示領域Ｄａとの境界に導電層Ｅが遮光部Ｓとして設けられており、その他の構成が有機ＥＬ表示装置５０ａと実質的に同じでなっている。なお、第２表示領域Ｄｂに配置するエッジカバーは、有機ＥＬ表示装置５０ａの第１表示領域Ｄａのエッジカバー２２ａと同一材料により同一層に設けられている。
導電層Ｅは、ＴＦＴ層２０を構成する第１配線層１４、第２配線層１６又は第３配線層１８として設けられている。なお、図５では、エッジカバー２２ｂの下層に第２ＴＦＴ９ｂが配置されているが、第２表示領域Ｄｂでは、画素密度が相対的に低いので、エッジカバー２２ｂの下層に第１配線層１４、第２配線層１６又は第３配線層１８により構成された導電層Ｅを第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃと離間して配置することができる。また、導電層Ｅは、図９に示すように、第２表示領域Ｄｂの中央部を囲むように一続きに環状に設けられている。なお、本実施形態では、一続きに設けられた導電層Ｅを例示したが、導電層Ｅは、途切れ途切れに断続的に設けられていてもよい。また、導電層Ｅは、第２表示領域Ｄｂに配置する全ての画素Ｐを囲むように設けられている。また、導電層Ｅは、電源線１８ｇに電気的に接続されている。ここで、第２表示領域Ｄｂにおいて、ゲート線１４ｄａは、図９に示すように、第２表示領域Ｄｂの中央部を迂回するように設けられている。そして、導電層Ｅは、図９に示すように、第２表示領域Ｄｂにおいて、ゲート線１４ｄａと重なるように設けられている。なお、本実施形態では、導電層Ｅがゲート線１４ｄａと重なるように設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示したが、図１０に示すように、第２表示領域Ｄｂにおいて、ゲート線１４ｄｂが導電層Ｅの内側にも設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｄであってもよい。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、撮像部４０が設置された第２表示領域Ｄｂには、第１表示領域Ｄａとの境界に遮光部Ｓとして導電層Ｅが設けられている。これにより、第１表示領域Ｄａで発光した表示光の漏れ光が導電層Ｅに吸収されるので、撮像部４０への表示光の入射を抑制することができ、撮像部４０で撮影した画像に光ノイズが含まれることを抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、導電層Ｅが電源線１８ｇに電気的に接続されているので、電源線１８ｇの電気抵抗を低くすることができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、第２表示領域Ｄｂにおいて、導電層Ｅがゲート線１４ｄａと重なるように設けられているので、第２配線層１６として設けられて電源線１８ｇに電気的に接続された導電層Ｅとゲート線１４ｄａとの間に形成されるキャパシタ９ｃの容量を大きくすることができる。
《その他の実施形態》
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｃ カーボンブラック
Ｄａ 第１表示領域
Ｄｂ 第２表示領域
Ｅ 導電層
Ｐ 画素
Ｐｂ，Ｐｇ，Ｐｒ サブ画素
Ｓ 遮光部
９ａ 第１ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
９ｂ 第２ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
１０ 樹脂基板層（ベース基板）
１４ 第１配線層
１４ｄ ゲート線
１５ 第１層間絶縁膜
１６ 第２配線層
１７ 第２層間絶縁膜
１８ 第３配線層
１８ｇ 電源線
２０ ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
２１ 第１電極
２２ａ エッジカバー
２２ｂ エッジカバー（黒色着色部）
２２ｃ 透明層
２２ｃｂ 黒色着色部
２３ 有機ＥＬ層（有機エレクトロルミネッセンス層、機能層）
２４ 第２電極
３０ 有機ＥＬ素子層（有機エレクトロルミネッセンス素子層、発光素子層）
３５ 封止膜
４０ 撮像部
５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ 有機ＥＬ表示装置
Ｄａ 第１表示領域
Ｄｂ 第２表示領域
Ｅ 導電層
Ｐ 画素
Ｐｂ，Ｐｇ，Ｐｒ サブ画素
Ｓ 遮光部
９ａ 第１ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
９ｂ 第２ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
１０ 樹脂基板層（ベース基板）
１４ 第１配線層
１４ｄ ゲート線
１５ 第１層間絶縁膜
１６ 第２配線層
１７ 第２層間絶縁膜
１８ 第３配線層
１８ｇ 電源線
２０ ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
２１ 第１電極
２２ａ エッジカバー
２２ｂ エッジカバー（黒色着色部）
２２ｃ 透明層
２２ｃｂ 黒色着色部
２３ 有機ＥＬ層（有機エレクトロルミネッセンス層、機能層）
２４ 第２電極
３０ 有機ＥＬ素子層（有機エレクトロルミネッセンス素子層、発光素子層）
３５ 封止膜
４０ 撮像部
５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ 有機ＥＬ表示装置
Claims (12)
- ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、第１表示領域及び第２表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第１電極、共通のエッジカバー、複数の機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層と、
上記発光素子層上に設けられた封止膜とを備え、
上記第１表示領域の内部に該第１表示領域に囲まれるように上記第２表示領域が設けられ、
上記第２表示領域における上記ベース基板の上記薄膜トランジスタ層と反対側に撮像部が設けられた表示装置であって、
上記第２表示領域には、上記第１表示領域との境界に遮光部が設けられ、
上記遮光部は、上記エッジカバーに設けられ、
上記エッジカバーは、上記第２表示領域において、黒色に着色された黒色着色部を含み、
上記第２表示領域の画素密度は、上記第１表示領域の画素密度よりも低いことを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記エッジカバーは、上記第２表示領域において、上記黒色着色部の上記ベース基板側に該黒色着色部と重なるように設けられた透明層を含んでいることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記黒色着色部の厚さは、上記第１表示領域における上記エッジカバーの厚さよりも大きくなっていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～３の何れか１つに記載された表示装置において、
上記黒色着色部には、カーボンブラックが含有されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項４に記載された表示装置において、
上記黒色着色部の光学濃度は、０．１～１．５であることを特徴とする表示装置。 - ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、第１表示領域及び第２表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第１電極、共通のエッジカバー、複数の機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層と、
上記発光素子層上に設けられた封止膜とを備え、
上記第１表示領域の内部に該第１表示領域に囲まれるように上記第２表示領域が設けられ、
上記第２表示領域における上記ベース基板の上記薄膜トランジスタ層と反対側に撮像部が設けられた表示装置であって、
上記第２表示領域には、上記第１表示領域との境界に遮光部が設けられ、
上記遮光部は、上記薄膜トランジスタ層を構成する導電層により構成され、
上記薄膜トランジスタ層は、上記ベース基板側から順に設けられた第１配線層、第１層間絶縁膜、第２配線層、第２層間絶縁膜及び第３配線層を備え、
上記導電層は、上記第１配線層として設けられ、
上記薄膜トランジスタ層は、上記第３配線層として設けられた電源線を備え、
上記電源線は、上記各サブ画素において、対応する上記第１電極に薄膜トランジスタを介して電気的に接続され、
上記導電層は、上記電源線に電気的に接続され、
上記薄膜トランジスタ層は、上記第１配線層として設けられたゲート線を備え、
上記ゲート線は、上記第２表示領域の中央部を迂回するように設けられ、
上記導電層は、上記第２表示領域において、上記ゲート線と重なるように設けられ、
上記第２表示領域の画素密度は、上記第１表示領域の画素密度よりも低いことを特徴とする表示装置。 - ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、第１表示領域及び第２表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第１電極、共通のエッジカバー、複数の機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層と、
上記発光素子層上に設けられた封止膜とを備え、
上記第１表示領域の内部に該第１表示領域に囲まれるように上記第２表示領域が設けられ、
上記第２表示領域における上記ベース基板の上記薄膜トランジスタ層と反対側に撮像部が設けられた表示装置であって、
上記第２表示領域には、上記第１表示領域との境界に遮光部が設けられ、
上記遮光部は、上記薄膜トランジスタ層を構成する導電層により構成され、
上記薄膜トランジスタ層は、上記ベース基板側から順に設けられた第１配線層、第１層間絶縁膜、第２配線層、第２層間絶縁膜及び第３配線層を備え、
上記導電層は、上記第２配線層として設けられ、
上記薄膜トランジスタ層は、上記第３配線層として設けられた電源線を備え、
上記電源線は、上記各サブ画素において、対応する上記第１電極に薄膜トランジスタを介して電気的に接続され、
上記導電層は、上記電源線に電気的に接続され、
上記薄膜トランジスタ層は、上記第１配線層として設けられたゲート線を備え、
上記ゲート線は、上記第２表示領域の中央部を迂回するように設けられ、
上記導電層は、上記第２表示領域において、上記ゲート線と重なるように設けられ、
上記第２表示領域の画素密度は、上記第１表示領域の画素密度よりも低いことを特徴とする表示装置。 - ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、第１表示領域及び第２表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第１電極、共通のエッジカバー、複数の機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層と、
上記発光素子層上に設けられた封止膜とを備え、
上記第１表示領域の内部に該第１表示領域に囲まれるように上記第２表示領域が設けられ、
上記第２表示領域における上記ベース基板の上記薄膜トランジスタ層と反対側に撮像部が設けられた表示装置であって、
上記第２表示領域には、上記第１表示領域との境界に遮光部が設けられ、
上記遮光部は、上記薄膜トランジスタ層を構成する導電層により構成され、
上記薄膜トランジスタ層は、上記ベース基板側から順に設けられた第１配線層、第１層間絶縁膜、第２配線層、第２層間絶縁膜及び第３配線層を備え、
上記導電層は、上記第３配線層として設けられ、
上記薄膜トランジスタ層は、上記第３配線層として設けられた電源線を備え、
上記電源線は、上記各サブ画素において、対応する上記第１電極に薄膜トランジスタを介して電気的に接続され、
上記導電層は、上記電源線に電気的に接続され、
上記薄膜トランジスタ層は、上記第１配線層として設けられたゲート線を備え、
上記ゲート線は、上記第２表示領域の中央部を迂回するように設けられ、
上記導電層は、上記第２表示領域において、上記ゲート線と重なるように設けられ、
上記第２表示領域の画素密度は、上記第１表示領域の画素密度よりも低いことを特徴とする表示装置。 - 請求項６～８の何れか１つに記載された表示装置において、
上記ゲート線は、上記第２表示領域において、上記導電層の内側にも設けられていることを特徴とする表示装置。 - ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、第１表示領域及び第２表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第１電極、共通のエッジカバー、複数の機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層と、
上記発光素子層上に設けられた封止膜とを備え、
上記第１表示領域の内部に該第１表示領域に囲まれるように上記第２表示領域が設けられ、
上記第２表示領域における上記ベース基板の上記薄膜トランジスタ層と反対側に撮像部が設けられた表示装置であって、
上記第２表示領域には、上記第１表示領域との境界に遮光部が設けられ、
上記遮光部は、上記第２表示領域の中央部を囲むように一続きに設けられ、
上記第２表示領域の画素密度は、上記第１表示領域の画素密度よりも低いことを特徴とする表示装置。 - ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、第１表示領域及び第２表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第１電極、共通のエッジカバー、複数の機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層と、
上記発光素子層上に設けられた封止膜とを備え、
上記第１表示領域の内部に該第１表示領域に囲まれるように上記第２表示領域が設けられ、
上記第２表示領域における上記ベース基板の上記薄膜トランジスタ層と反対側に撮像部が設けられた表示装置であって、
上記第２表示領域には、上記第１表示領域との境界に遮光部が設けられ、
上記第２表示領域の画素密度は、上記第１表示領域の画素密度よりも低く、
上記遮光部は、上記第２表示領域に配置する全ての画素を囲むように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～１１の何れか１つに記載された表示装置において、
上記各機能層は、有機エレクトロルミネッセンス層であることを特徴とする表示装置。
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