JPWO2021124449A5 - - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 75
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 22
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 6
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
Claims (12)
- ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、第1表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第1電極、共通のエッジカバー、複数の機能層及び共通の第2電極が順に積層された発光素子層と、
上記発光素子層上に設けられた封止膜とを備え、
上記第1表示領域の内部に該第1表示領域に囲まれるように第2表示領域が設けられ、
上記第2表示領域における上記ベース基板の上記薄膜トランジスタ層と反対側に撮像部が設けられた表示装置であって、
上記第2表示領域には、上記第1表示領域との境界に遮光部が設けられ、
上記遮光部は、上記エッジカバーに設けられ、
上記エッジカバーは、上記第2表示領域において、黒色に着色された黒色着色部を含んでいることを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載された表示装置において、
上記エッジカバーは、上記第2表示領域において、上記黒色着色部の上記ベース基板側に該黒色着色部と重なるように設けられた透明層を含んでいることを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載された表示装置において、
上記黒色着色部の厚さは、上記第1表示領域における上記エッジカバーの厚さよりも大きくなっていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1~3の何れか1つに記載された表示装置において、
上記黒色着色部には、カーボンブラックが含有されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項4に記載された表示装置において、
上記黒色着色部の光学濃度は、0.1~1.5であることを特徴とする表示装置。 - ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、第1表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第1電極、共通のエッジカバー、複数の機能層及び共通の第2電極が順に積層された発光素子層と、
上記発光素子層上に設けられた封止膜とを備え、
上記第1表示領域の内部に該第1表示領域に囲まれるように第2表示領域が設けられ、
上記第2表示領域における上記ベース基板の上記薄膜トランジスタ層と反対側に撮像部が設けられた表示装置であって、
上記第2表示領域には、上記第1表示領域との境界に遮光部が設けられ、
上記遮光部は、上記薄膜トランジスタ層を構成する導電層により構成され、
上記薄膜トランジスタ層は、上記ベース基板側から順に設けられた第1配線層、第1層間絶縁膜、第2配線層、第2層間絶縁膜及び第3配線層を備え、
上記導電層は、上記第1配線層として設けられ、
上記薄膜トランジスタ層は、上記第3配線層として設けられた電源線を備え、
上記電源線は、上記各サブ画素において、対応する上記第1電極に薄膜トランジスタを介して電気的に接続され、
上記導電層は、上記電源線に電気的に接続され、
上記薄膜トランジスタ層は、上記第1配線層として設けられたゲート線を備え、
上記ゲート線は、上記第2表示領域の中央部を迂回するように設けられ、
上記導電層は、上記第2表示領域において、上記ゲート線と重なるように設けられていることを特徴とする表示装置。 - ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、第1表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第1電極、共通のエッジカバー、複数の機能層及び共通の第2電極が順に積層された発光素子層と、
上記発光素子層上に設けられた封止膜とを備え、
上記第1表示領域の内部に該第1表示領域に囲まれるように第2表示領域が設けられ、
上記第2表示領域における上記ベース基板の上記薄膜トランジスタ層と反対側に撮像部が設けられた表示装置であって、
上記第2表示領域には、上記第1表示領域との境界に遮光部が設けられ、
上記遮光部は、上記薄膜トランジスタ層を構成する導電層により構成され、
上記薄膜トランジスタ層は、上記ベース基板側から順に設けられた第1配線層、第1層間絶縁膜、第2配線層、第2層間絶縁膜及び第3配線層を備え、
上記導電層は、上記第2配線層として設けられ、
上記薄膜トランジスタ層は、上記第3配線層として設けられた電源線を備え、
上記電源線は、上記各サブ画素において、対応する上記第1電極に薄膜トランジスタを介して電気的に接続され、
上記導電層は、上記電源線に電気的に接続され、
上記薄膜トランジスタ層は、上記第1配線層として設けられたゲート線を備え、
上記ゲート線は、上記第2表示領域の中央部を迂回するように設けられ、
上記導電層は、上記第2表示領域において、上記ゲート線と重なるように設けられていることを特徴とする表示装置。 - ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、第1表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第1電極、共通のエッジカバー、複数の機能層及び共通の第2電極が順に積層された発光素子層と、
上記発光素子層上に設けられた封止膜とを備え、
上記第1表示領域の内部に該第1表示領域に囲まれるように第2表示領域が設けられ、
上記第2表示領域における上記ベース基板の上記薄膜トランジスタ層と反対側に撮像部が設けられた表示装置であって、
上記第2表示領域には、上記第1表示領域との境界に遮光部が設けられ、
上記遮光部は、上記薄膜トランジスタ層を構成する導電層により構成され、
上記薄膜トランジスタ層は、上記ベース基板側から順に設けられた第1配線層、第1層間絶縁膜、第2配線層、第2層間絶縁膜及び第3配線層を備え、
上記導電層は、上記第3配線層として設けられ、
上記薄膜トランジスタ層は、上記第3配線層として設けられた電源線を備え、
上記電源線は、上記各サブ画素において、対応する上記第1電極に薄膜トランジスタを介して電気的に接続され、
上記導電層は、上記電源線に電気的に接続され、
上記薄膜トランジスタ層は、上記第1配線層として設けられたゲート線を備え、
上記ゲート線は、上記第2表示領域の中央部を迂回するように設けられ、
上記導電層は、上記第2表示領域において、上記ゲート線と重なるように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項6~8の何れか1つに記載された表示装置において、
上記ゲート線は、上記第2表示領域において、上記導電層の内側にも設けられていることを特徴とする表示装置。 - ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、第1表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第1電極、共通のエッジカバー、複数の機能層及び共通の第2電極が順に積層された発光素子層と、
上記発光素子層上に設けられた封止膜とを備え、
上記第1表示領域の内部に該第1表示領域に囲まれるように第2表示領域が設けられ、
上記第2表示領域における上記ベース基板の上記薄膜トランジスタ層と反対側に撮像部が設けられた表示装置であって、
上記第2表示領域には、上記第1表示領域との境界に遮光部が設けられ、
上記遮光部は、上記第2表示領域の中央部を囲むように一続きに設けられていることを特徴とする表示装置。 - ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、第1表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第1電極、共通のエッジカバー、複数の機能層及び共通の第2電極が順に積層された発光素子層と、
上記発光素子層上に設けられた封止膜とを備え、
上記第1表示領域の内部に該第1表示領域に囲まれるように第2表示領域が設けられ、
上記第2表示領域における上記ベース基板の上記薄膜トランジスタ層と反対側に撮像部が設けられた表示装置であって、
上記第2表示領域には、上記第1表示領域との境界に遮光部が設けられ、
上記第2表示領域の画素密度は、上記第1表示領域の画素密度よりも低く、
上記遮光部は、上記第2表示領域に配置する全ての画素を囲むように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1~11の何れか1つに記載された表示装置において、
上記各機能層は、有機エレクトロルミネッセンス層であることを特徴とする表示装置。
Applications Claiming Priority (1)
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- 2019-12-17 JP JP2021565207A patent/JP7352652B2/ja active Active
- 2019-12-17 US US17/781,517 patent/US20230006010A1/en active Pending
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