JP2017098020A - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017098020A JP2017098020A JP2015227559A JP2015227559A JP2017098020A JP 2017098020 A JP2017098020 A JP 2017098020A JP 2015227559 A JP2015227559 A JP 2015227559A JP 2015227559 A JP2015227559 A JP 2015227559A JP 2017098020 A JP2017098020 A JP 2017098020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- region
- display device
- organic
- inorganic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 238
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 137
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
【課題】有機層の上に載る自発光素子層の剥離を抑制しながら、有機層の曲げ耐性を向上させた表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、相互に積層する複数の層からなる基板１０と、回路層１６と、を有する。回路層１６は、複数の単位画素に対応する複数の画素電極４０及び自発光素子層４６が設けられた表示素子領域ＤＥＡと、表示素子領域ＤＥＡに至る配線６０及び端子６２を有して少なくとも部分的に屈曲する周辺領域ＰＡと、を含む。基板１０は、回路層１６の表示素子領域ＤＥＡに重なる第１領域Ａ１と、周辺領域ＰＡに重なって少なくとも部分的に屈曲する第２領域Ａ２と、を含む。複数の層は、少なくとも１層の無機層７８と、複数層の有機層７３と、を含む。第１領域Ａ１での複数層の有機層７３の層数は、第２領域Ａ２での複数層の有機層７３の層数よりも多い。
【選択図】図２
【解決手段】表示装置は、相互に積層する複数の層からなる基板１０と、回路層１６と、を有する。回路層１６は、複数の単位画素に対応する複数の画素電極４０及び自発光素子層４６が設けられた表示素子領域ＤＥＡと、表示素子領域ＤＥＡに至る配線６０及び端子６２を有して少なくとも部分的に屈曲する周辺領域ＰＡと、を含む。基板１０は、回路層１６の表示素子領域ＤＥＡに重なる第１領域Ａ１と、周辺領域ＰＡに重なって少なくとも部分的に屈曲する第２領域Ａ２と、を含む。複数の層は、少なくとも１層の無機層７８と、複数層の有機層７３と、を含む。第１領域Ａ１での複数層の有機層７３の層数は、第２領域Ａ２での複数層の有機層７３の層数よりも多い。
【選択図】図２
Description
本発明は、表示装置に関する。
表示装置として、近年、可撓性を有する表示装置が開発されている。例えば、可撓性を有する樹脂基板上に回路層及び有機エレクトロルミネッセンス層が形成された表示装置である（特許文献１）。可撓性を有する基板は、有機層をガラス基板の上に形成し、硬化させ、ガラス基板から剥離することで製造していた。
有機層は、ガラス基板から剥離するときにレーザ光を照射するので、膜厚が薄い場合はレーザ照射部における有機層の変形量が大きく、未照射部との境界に大きな応力が加わり、その上にある有機エレクトロルミネッセンス層が剥離してしまう。そこで、有機層は、ある程度の膜厚が必要である。しかし、有機層の膜厚に関しては、特に端子部の曲げ耐性に対して最も支配的なパラメータであり、膜厚が大きいほど曲げ耐性は低下する。
本発明は、有機層の上に載る自発光素子層の剥離を抑制しながら、有機層の曲げ耐性を向上させることを目的とする。
本発明に係る表示装置は、相互に積層する複数の層からなる基板と、画像を構成する複数の単位画素の回路を含むように前記基板に積層された回路層と、前記回路層を覆って封止する封止層と、を有し、前記回路層は、前記複数の単位画素に対応する複数の画素電極及び自発光素子層が設けられた表示素子領域と、前記表示素子領域に至る配線及び端子を有して少なくとも部分的に屈曲する周辺領域と、を含み、前記基板は、前記回路層の前記表示素子領域に重なる第１領域と、前記周辺領域に重なって少なくとも部分的に屈曲する第２領域と、を含み、前記複数の層は、少なくとも１層の無機層と、複数層の有機層と、を含み、前記複数層の有機層が前記第１領域で有する層数は、前記複数層の有機層が前記第２領域で有する層数よりも多いことを特徴とする。
本発明によれば、表示素子領域に重なる第１領域では有機層の層数が多いので、自発光素子層の剥離を抑制することができ、第２領域では有機層の層数が少ないので、基板の曲げ耐性を向上させることができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置を示す概略図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置は、基板１０及び対向基板１２を有する。対向基板１２の表示領域１３には、複数の単位画素１４がそれぞれ発光することにより画像が表示される。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置を示す概略図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置は、基板１０及び対向基板１２を有する。対向基板１２の表示領域１３には、複数の単位画素１４がそれぞれ発光することにより画像が表示される。
図２は、図１に示す表示装置のII−II線断面図である。図３は、図１に示す表示装置のIII−III線断面図である。基板１０には、回路層１６が設けられる。回路層１６は、画像を構成する複数の単位画素１４それぞれに対応して電流を制御するための回路を含む。回路層１６は、画像を表示するための素子が設けられた表示素子領域ＤＥＡを含む。
表示素子領域ＤＥＡでは、基板１０に半導体層１８が形成されている。半導体層１８の上にソース電極２０及びドレイン電極２２が設けられている。半導体層１８を覆ってゲート絶縁膜２４が形成され、ゲート絶縁膜２４の上にはゲート電極２６が形成されている。ゲート電極２６を覆って層間絶縁膜２８が形成されている。ソース電極２０及びドレイン電極２２は、ゲート絶縁膜２４及び層間絶縁膜２８を貫通している。半導体層１８、ソース電極２０、ドレイン電極２２及びゲート電極２６によって薄膜トランジスタ３０が構成される。薄膜トランジスタ３０を覆うようにパッシベーション層３２が設けられている。
パッシベーション層３２の上には導電層３４が形成されている。導電層３４の第１部分３４ａは、電源線であって、パッシベーション層３２を貫通するコンタクトホール３２ａを介して、ソース電極２０及びドレイン電極２２の一方に電気的に接続している。ソース電極２０及びドレイン電極２２の他方は、パッシベーション層３２を貫通するコンタクトホール３２ｂを介して、導電層３４の第２部分３４ｂに電気的に接続している。
導電層３４の上には、平坦化層３６が設けられている。平坦化層３６には、図１に示す表示領域１３を囲むように、分離溝３８ａ，３８ｂ，３８ｃが形成されて水分の侵入を防いでいる。
平坦化層３６の上には、図１に示す複数の単位画素１４に対応して複数の画素電極４０が設けられている。画素電極４０は、図示を省略するが光を反射する下層と光を透過する上層からなる。画素電極４０は、平坦化層３６を貫通するコンタクトホール３６ａを介して、導電層３４の第２部分３４ｂに電気的に接続している。画素電極４０の下には、絶縁膜４２を介して、容量電極４４が設けられ、画素電極４０と容量電極４４の間に容量が形成される。
パッシベーション層３２及び画素電極４０上に、絶縁層４４が形成されている。絶縁層４４は、画素電極４０の周縁部に載り、画素電極４０の一部（例えば中央部）を開口させるように形成されている。絶縁層４４によって、画素電極４０の一部を囲むバンクが形成される。
画素電極４０上に自発光素子層４６が設けられている。自発光素子層４６は、複数の画素電極４０に連続的に載り、絶縁層４４にも載るようになっている。変形例として、画素電極４０ごとに別々に（分離して）、自発光素子層４６を設けてもよい。自発光素子層４６は、少なくとも発光層を含み、さらに、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層及び正孔注入層のうち少なくとも一層を含んでもよい。
自発光素子層４６の上には、共通電極４８（例えば陰極）が設けられている。共通電極４８は、バンクとなる絶縁層４４の上方に載るように形成する。自発光素子層４６は、画素電極４０及び共通電極４８に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。
回路層１６は、封止層５０によって封止されて、水分から遮断されている。封止層５０は、窒化シリコンや酸化シリコンなどからなる無機膜及びアクリル樹脂などの有機膜の積層体である。封止層５０の上方には、シール材５２及び充填層５４を介して、対向基板１２が設けられている。対向基板１２には、複数色（例えば、青、赤及び緑）からなる着色層５６が設けられ、隣同士の異なる色の着色層５６の間には、ブラックマトリクス５８が金属や樹脂などで形成されて、カラーフィルタを構成している。対向基板１２は、タッチパネルであってもよいし、偏光板や位相差板を備えてもよい。
回路層１６は、表示素子領域ＤＥＡから延びる周辺領域ＰＡを含む。周辺領域ＰＡには、配線６０及び端子６２が設けられる。配線６０及び端子６２は、パッシベーション層３２の上に形成された導電層３４の一部を含む。配線６０は表示素子領域ＤＥＡに至るように設けられる。端子６２は、異方性導電膜６４を介して、集積回路チップ６６やフレキシブル基板６８に電気的に接続される。配線６０の上には、１層又は複数層からなる第１保護層７０及び第２保護層７２が積層されている。第１保護層７０は、平坦化層３６と同じ材料で同じプロセスで形成される。第２保護層７２は、バンクを形成するための絶縁層４４と同じ材料で同じプロセスで形成される。回路層１６の周辺領域ＰＡは、少なくとも部分的に屈曲し、これに対応して配線６０も屈曲する。一方、上述した表示素子領域ＤＥＡは、屈曲せずに平坦になっている。
回路層１６は、基板１０に積層されている。基板１０は、回路層１６の表示素子領域ＤＥＡに重なる第１領域Ａ１を含む。第１領域Ａ１は、表示素子領域ＤＥＡに対応して、屈曲せずに平坦になっている。基板１０は、回路層１６の周辺領域ＰＡに重なる第２領域Ａ２を含む。第２領域Ａ２は、シール材５２の外側にあって、少なくとも部分的に屈曲する。屈曲する第２領域Ａ２に重なって、回路層１６の周辺領域ＰＡで、配線６０が屈曲する。配線６０は、下にある基板１０と上にある第１保護層７０及び第２保護層７２の間に介在する。そのため、積層構造の厚み方向の中間に位置するので、屈曲による伸縮の変位が小さく、これにより配線６０の断線を防止することができる。
基板１０は、相互に積層する複数の層からなる。基板１０を構成する複数の層は、複数層の有機層７３を含む。複数層の有機層７３は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の全体にわたる少なくとも１層の全体有機層７４を含む。全体有機層７４は、基材としての自立性を有する厚み（例えば５〜１０μｍ）を有する。この厚みは、製造プロセスで図示しないガラス基板に形成して剥離するときに、剥離に耐えるのに必要な厚みである。
複数層の有機層７３は、少なくとも１層の部分有機層７６を含む。部分有機層７６は、全体有機層７４の両側のうち回路層１６の側にある。少なくとも１層の部分有機層７６は、屈曲する第２領域Ａ２を避けて、第１領域Ａ１で全体有機層７４に積層する。部分有機層７６は例えば５μｍ以上の厚みを有する。全体有機層７４及び部分有機層７６の合計厚みは、１０〜１５μｍ以上である。この厚みは、製造プロセスでガラス基板から剥離するときに照射するレーザ光の熱による膨らみを抑え、その上にある自発光素子層４６の剥離を防止するのに必要な厚みである。
基板１０を構成する複数の層は、少なくとも１層の無機層７８を含む。少なくとも１層の無機層７８の厚みも、基板１０の厚みに加算されて基材としての自立性を高める。少なくとも１層の無機層７８は、水分を遮断するバリア膜になるとともに、厚みを増すことで自発光素子層４６の剥離を防止することに寄与する。
少なくとも１層の無機層７８は、複数層の有機層７３（全体有機層７４及び部分有機層７６）と回路層１６の間に介在する第１無機層８０を含む。少なくとも１層の無機層７８は、少なくとも１層の全体有機層７４と少なくとも１層の部分有機層７６の間に介在する第２無機層８２を含む。部分有機層７６は、第１無機層８０及び第２無機層８２に挟まれている。
第１無機層８０及び第２無機層８２は、第１領域Ａ１の外側（シール材５２の外側）で、相互に接触して一体化して第２領域Ａ２に延び、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の全体にわたる第３無機層８４を構成する。第３無機層８４は、第２領域Ａ２では屈曲しているが、第１領域Ａ１では平坦になっている。
図２及び図３に示すように、第１無機層８０と第２無機層８２は、部分有機層７６の周囲で相互に接触して一体化して、部分有機層７６を封止している。これにより、第１無機層８０及び第２無機層８２が水分に対するバリア性を有しているので、部分有機層７６を水分から遮断することができる。
本実施形態によれば、複数層の有機層７３が第１領域Ａ１で有する層数（全体有機層７４及び部分有機層７６からなる２層）は、複数層の有機層７３が第２領域Ａ２で有する層数（全体有機層７４からなる１層）よりも多い。基板１０は、表示素子領域ＤＥＡに重なる第１領域Ａ１では有機層７３の層数が多いため厚みが大きくなっており、自発光素子層４６の剥離を抑制することができる。少なくとも部分的に屈曲する第２領域Ａ２では、基板１０は、有機層７３の層数が少ないため厚みが小さいので、基板１０の曲げ耐性を向上させることができる。
［第２の実施形態］
図４は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。本実施形態では、部分有機層２７６が、全体有機層２７４の両側のうち回路層２１６とは反対側にある点で、第１の実施形態と相違する。
図４は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。本実施形態では、部分有機層２７６が、全体有機層２７４の両側のうち回路層２１６とは反対側にある点で、第１の実施形態と相違する。
少なくとも１層の無機層２７８は、複数層の有機層２７３と回路層２１６の間に介在する第１無機層２８０を含む。第１無機層２８０は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の全体にわたる。少なくとも１層の無機層２７８は、少なくとも１層の全体有機層２７４と少なくとも１層の部分有機層２７６の間に介在する第２無機層２８２を含む。第２無機層２８２は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の全体にわたる。第２無機層２８２の一部（第１領域Ａ１にある部分）は、部分有機層２７６の両側のうち回路層２１６の側（又は全体有機層２７４の両側のうち回路層２１６とは反対側）に位置する。第２無機層２８２の少なくとも一部（第２領域Ａ２にある部分）は、複数層の有機層２７３の両側のうち回路層２１６とは反対側に位置する。第２無機層２８２と部分有機層２７６の下面が面一になっている。製造プロセスで、図示しないガラス基板の上に部分有機層２７６を形成し、この部分有機層２７６及びその周囲でガラス基板に載るように第２無機層２８２を形成することで、この形状になる。
本実施形態によれば、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の全体にわたる第２無機層２８２の両側のうち回路層２１６とは反対側に部分有機層２７６がある。したがって、部分有機層２７６を、第２無機層２８２によって、回路層２１６から隔離して水分の侵入を防止することができる。
［第３の実施形態］
図５は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。本実施形態は、複数層の部分有機層３７６ａ，３７６ｂが設けられている点で、第２の実施形態と相違する。
図５は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。本実施形態は、複数層の部分有機層３７６ａ，３７６ｂが設けられている点で、第２の実施形態と相違する。
複数層の有機層３７３と回路層３１６の間に、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の全体にわたる第１無機層３８０が介在する。全体有機層３７４と部分有機層３７６ａの間に第２無機層３８２が介在し、複数層の部分有機層３７６ａ，３７６ｂの間に第３無機層３８４が介在する。第２無機層３８２及び第３無機層３８４は、第１領域Ａ１の外側（シール材５２の外側）で、相互に接触して一体化して第２領域Ａ２に延び、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の全体にわたる第４無機層３８６を構成する。第４無機層３８６の少なくとも一部（第２領域Ａ２にある部分）は、複数層の有機層３７３の、回路層３１６とは反対側に位置する。第４無機層３８６は、第２領域Ａ２では屈曲しているが、第１領域Ａ１では平坦になっている。第４無機層３８６と部分有機層３７６ｂの下面が面一になっている。
第２無機層３８２と第３無機層３８４は、部分有機層３７６ａの周囲で相互に接触して一体化し、部分有機層３７６ａを封止している。これにより、第２無機層３８２及び第３無機層３８４が水分に対するバリア性を有しているので、部分有機層３７６ａを水分から遮断することができる。
［第４の実施形態］
図６は、本発明の第４の実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。本実施形態は、図４に示す第２無機層２８２を有しない点で、第２の実施形態と相違する。そして、全体有機層４７４と部分有機層４７６が接触して積層される。全体有機層４７４と部分有機層４７６の下面が面一になる。
図６は、本発明の第４の実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。本実施形態は、図４に示す第２無機層２８２を有しない点で、第２の実施形態と相違する。そして、全体有機層４７４と部分有機層４７６が接触して積層される。全体有機層４７４と部分有機層４７６の下面が面一になる。
［第５の実施形態］
図７は、本発明の第５の実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。本実施形態では、基板５１０は、第１有機層５７４と、第１有機層５７４上に形成された第１無機層５８２と、第１無機層５８２上に形成された第２有機層５７６と、第２有機層５７６上に形成された第２無機層５８０と、を含む。第１領域Ａ１には、第１有機層５７４、第１無機層５８２、第２有機層５７６及び第２無機層５８０が配置されている。第２領域Ａ２には、第１有機層５７４、第１無機層５８２及び第２無機層５８０が配置されている。
図７は、本発明の第５の実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。本実施形態では、基板５１０は、第１有機層５７４と、第１有機層５７４上に形成された第１無機層５８２と、第１無機層５８２上に形成された第２有機層５７６と、第２有機層５７６上に形成された第２無機層５８０と、を含む。第１領域Ａ１には、第１有機層５７４、第１無機層５８２、第２有機層５７６及び第２無機層５８０が配置されている。第２領域Ａ２には、第１有機層５７４、第１無機層５８２及び第２無機層５８０が配置されている。
第２領域Ａ２にて第１無機層５８２及び第２無機層５８０が接する。第１領域Ａ１の周囲で第１無機層５８２及び第２無機層５８０が接する。これにより、第２有機層５７６が回路層１６の側に有する第１面５７６ａと、第１面５７６ａとは反対側の第２面５７６ｂと、側面５７６ｃとが、無機材料にて取り囲まれる。その他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。
［第６の実施形態］
図８は、本発明の第６の実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。本実施形態では、有機層６７４が、第２領域Ａ２を避けて、第１領域Ａ１に設けられる。そして、有機層６７４の周囲で、有機層６７４の上下にある無機層６８０，６８２が接触し、有機層６７４を封止している。こうすることで、最も回路層１６に近い有機層６７４を水分から有効に遮断することができる。また、有機層６７４の下にある他の有機層６７６ａも、その上下にある無機層６８２，６８４によって封止されて、水分から遮断されている。なお、回路層１６から最も離れた有機層６７６ｂが第１領域Ａ１から第２領域Ａ２の全体にわたる点で、本実施形態は、図５に示す第３の実施形態と異なる。
図８は、本発明の第６の実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。本実施形態では、有機層６７４が、第２領域Ａ２を避けて、第１領域Ａ１に設けられる。そして、有機層６７４の周囲で、有機層６７４の上下にある無機層６８０，６８２が接触し、有機層６７４を封止している。こうすることで、最も回路層１６に近い有機層６７４を水分から有効に遮断することができる。また、有機層６７４の下にある他の有機層６７６ａも、その上下にある無機層６８２，６８４によって封止されて、水分から遮断されている。なお、回路層１６から最も離れた有機層６７６ｂが第１領域Ａ１から第２領域Ａ２の全体にわたる点で、本実施形態は、図５に示す第３の実施形態と異なる。
［第７の実施形態］
図９は、本発明の第７の実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。本実施形態では、有機層７７４が、第２領域Ａ２を避けて、第１領域Ａ１に設けられる。そして、有機層７７４の周囲で、有機層７７４の上下にある無機層７８０，７８２が接触し、有機層７７４を封止している。こうすることで、最も回路層１６に近い有機層７７４を水分から有効に遮断することができる。有機層７７４の下にある他の有機層７７６ａが、第１領域Ａ１から第２領域Ａ２の全体にわたる点で、本実施形態は、図５に示す第３の実施形態と異なる。無機層７８４の下にあって回路層１６から最も離れた有機層７７６ｂは、第２領域Ａ２を避けて、第１領域Ａ１に設けられている。
図９は、本発明の第７の実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。本実施形態では、有機層７７４が、第２領域Ａ２を避けて、第１領域Ａ１に設けられる。そして、有機層７７４の周囲で、有機層７７４の上下にある無機層７８０，７８２が接触し、有機層７７４を封止している。こうすることで、最も回路層１６に近い有機層７７４を水分から有効に遮断することができる。有機層７７４の下にある他の有機層７７６ａが、第１領域Ａ１から第２領域Ａ２の全体にわたる点で、本実施形態は、図５に示す第３の実施形態と異なる。無機層７８４の下にあって回路層１６から最も離れた有機層７７６ｂは、第２領域Ａ２を避けて、第１領域Ａ１に設けられている。
［第８の実施形態］
図１０は、本発明の第８の実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。本実施形態では、有機層８７４が、第２領域Ａ２を避けて、第１領域Ａ１に設けられる。そして、有機層８７４の周囲で、有機層８７４の上下にある無機層８８０，８８２が接触し、有機層８７４を封止している。こうすることで、最も回路層１６に近い有機層８７４を水分から有効に遮断することができる。なお、無機層８８２の下にあって有機層８７４よりも回路層１６から離れた有機層８７６ａ，８７６ｂが第１領域Ａ１から第２領域Ａ２の全体にわたる点で、本実施形態は、図５に示す第３の実施形態と異なる。
図１０は、本発明の第８の実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。本実施形態では、有機層８７４が、第２領域Ａ２を避けて、第１領域Ａ１に設けられる。そして、有機層８７４の周囲で、有機層８７４の上下にある無機層８８０，８８２が接触し、有機層８７４を封止している。こうすることで、最も回路層１６に近い有機層８７４を水分から有効に遮断することができる。なお、無機層８８２の下にあって有機層８７４よりも回路層１６から離れた有機層８７６ａ，８７６ｂが第１領域Ａ１から第２領域Ａ２の全体にわたる点で、本実施形態は、図５に示す第３の実施形態と異なる。
なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような自発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよい。
さらに、基板１０には、回路層１６とは反対側の領域に、ポリエチレン等にて構成された保護層（図示せず）をそれぞれ貼り付けてもよい。例えば図２の第１領域Ａ１にある基板１０の回路層１６とは反対側の領域に保護層を貼り付けてもよい。さらに第２領域Ａ２の曲げられてない領域であって、集積回路チップ６６およびフレキシブル基板６８とは反対側で、基板１０に他の保護層を貼り付けても良い。これらの保護層は第１保護層７０や第２保護層７２がある領域との重なりを避けるように配置される。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
ＤＥＡ 表示素子領域、ＰＡ 周辺領域、Ａ１ 第１領域、Ａ２ 第２領域、１０ 基板、１２ 対向基板、１３ 表示領域、１４ 単位画素、１６ 回路層、１８ 半導体層、２０ ソース電極、２２ ドレイン電極、２４ ゲート絶縁膜、２６ ゲート電極、２８ 層間絶縁膜、３０ 薄膜トランジスタ、３２ パッシベーション層、３２ａ コンタクトホール、３２ｂ コンタクトホール、３４ 導電層、３４ａ 第１部分、３４ｂ 第２部分、３６ 平坦化層、３６ａ コンタクトホール、３８ａ，３８ｂ，３８ｃ 分離溝、４０ 画素電極、４２ 絶縁膜、４４ 容量電極、４６ 自発光素子層、４８ 共通電極、５０ 封止層、５２ シール材、５４ 充填層、５６ 着色層、５８ ブラックマトリクス、６０ 配線、６２ 端子、６４ 異方性導電膜、６６ 集積回路チップ、６８ フレキシブル基板、７０ 第１保護層、７２ 第２保護層、７３ 有機層、７４ 全体有機層、７６ 部分有機層、７８ 無機層、８０ 第１無機層、８２ 第２無機層、８４ 第３無機層、２１６ 回路層、２７３ 有機層、２７４ 全体有機層、２７６ 部分有機層、２７８ 無機層、２８０ 第１無機層、２８２ 第２無機層、３１６ 回路層、３７３ 有機層、３７４ 全体有機層、３７６ａ，３７６ｂ 部分有機層、３８０ 第１無機層、３８２ 第２無機層、３８４ 第３無機層、３８６ 第４無機層、４７４ 全体有機層、４７６ 部分有機層。
Claims (10)
- 相互に積層する複数の層からなる基板と、
画像を構成する複数の単位画素の回路を含むように前記基板に積層された回路層と、
前記回路層を覆って封止する封止層と、
を有し、
前記回路層は、前記複数の単位画素に対応する複数の画素電極及び自発光素子層が設けられた表示素子領域と、前記表示素子領域に至る配線及び端子を有して少なくとも部分的に屈曲する周辺領域と、を含み、
前記基板は、前記回路層の前記表示素子領域に重なる第１領域と、前記周辺領域に重なって少なくとも部分的に屈曲する第２領域と、を含み、
前記複数の層は、少なくとも１層の無機層と、複数層の有機層と、を含み、
前記複数層の有機層が前記第１領域で有する層数は、前記複数層の有機層が前記第２領域で有する層数よりも多いことを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
前記複数層の有機層は、前記第１領域及び前記第２領域の全体にわたる少なくとも１層の全体有機層と、前記第２領域を避けて前記第１領域にある少なくとも１層の部分有機層と、を含むことを特徴とする表示装置。 - 請求項２に記載された表示装置において、
前記少なくとも１層の全体有機層と前記少なくとも１層の部分有機層が接触して積層されることを特徴とする表示装置。 - 請求項２に記載された表示装置において、
前記少なくとも１層の無機層は、前記少なくとも１層の全体有機層と前記少なくとも１層の部分有機層の間に介在する層を含むことを特徴とする表示装置。 - 請求項２から４のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記少なくとも１層の部分有機層は、複数層の部分有機層を含み、
前記少なくとも１層の無機層は、前記複数層の部分有機層の間に介在する層を含むことを特徴とする表示装置。 - 請求項１から５のいずれか１層に記載された表示装置において、
前記少なくとも１層の無機層は、前記複数層の有機層と前記回路層の間に介在する層を含むことを特徴とする表示装置。 - 請求項１から６のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記少なくとも１層の無機層は、前記第１領域及び前記第２領域の全体にわたる層を含むことを特徴とする表示装置。 - 請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記少なくとも１層の無機層は、前記複数層の有機層の、前記回路層とは反対側に少なくとも一部が位置する層を含むことを特徴とする表示装置。 - 基板と、
前記基板上に形成され、複数の単位画素のための画素回路を有する回路層と、
前記回路層を封止する封止層と、
を有し、
前記回路層は、前記複数の単位画素に対応する複数の画素電極及び自発光素子層が設けられた表示素子領域と、前記表示素子領域に至る配線及び端子を有して屈曲する周辺領域と、を含み、
前記基板は、前記回路層の前記表示素子領域に重なる第１領域と、前記周辺領域に重なって屈曲する第２領域と、を含み、
前記基板は、第１有機層と、前記第１有機層上に形成された第１無機層と、前記第１無機層上に形成された第２有機層と、前記第２有機層上に形成された第２無機層と、を含み、
前記第１領域には、前記第１有機層、前記第１無機層、前記第２有機層及び前記第２無機層が配置され、
前記第２領域には、前記第１有機層、前記第１無機層及び前記第２無機層が配置されることを特徴とする表示装置。 - 前記第２領域にて前記第１無機層及び前記第２無機層が接し、前記第１領域の周囲で前記第１無機層及び前記第２無機層が接することで、前記第２有機層の前記回路層側の第１面と、前記第１面とは反対側の面と、側面とが、無機材料にて取り囲まれることを特徴とする請求項９の表示装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015227559A JP6396879B2 (ja) | 2015-11-20 | 2015-11-20 | 表示装置 |
| US15/347,030 US10319799B2 (en) | 2015-11-20 | 2016-11-09 | Flexible display device including bent flexible substrate and bent circuit layer |
| TW105137562A TWI621272B (zh) | 2015-11-20 | 2016-11-17 | 顯示裝置 |
| CN201910119946.2A CN110048012B (zh) | 2015-11-20 | 2016-11-17 | 显示装置 |
| KR1020160153604A KR101849018B1 (ko) | 2015-11-20 | 2016-11-17 | 표시 장치 |
| CN201611010959.9A CN106992259B (zh) | 2015-11-20 | 2016-11-17 | 显示装置 |
| US16/374,048 US10734462B2 (en) | 2015-11-20 | 2019-04-03 | Flexible display device including bent flexible substrate and bent circuit layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015227559A JP6396879B2 (ja) | 2015-11-20 | 2015-11-20 | 表示装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017098020A true JP2017098020A (ja) | 2017-06-01 |
| JP2017098020A5 JP2017098020A5 (ja) | 2017-08-24 |
| JP6396879B2 JP6396879B2 (ja) | 2018-09-26 |
Family
ID=58721047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015227559A Active JP6396879B2 (ja) | 2015-11-20 | 2015-11-20 | 表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10319799B2 (ja) |
| JP (1) | JP6396879B2 (ja) |
| KR (1) | KR101849018B1 (ja) |
| CN (2) | CN110048012B (ja) |
| TW (1) | TWI621272B (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180137640A (ko) * | 2017-06-16 | 2018-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| WO2019012769A1 (ja) * | 2017-07-12 | 2019-01-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
| WO2019043761A1 (ja) * | 2017-08-28 | 2019-03-07 | シャープ株式会社 | 表示素子を備えた非可撓性基板及び可撓性表示装置の製造方法 |
| WO2019065351A1 (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-04 | 東レ株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜を具備する素子、硬化膜を具備する有機ｅｌ表示装置、硬化膜の製造方法、および有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| WO2019146115A1 (ja) * | 2018-01-29 | 2019-08-01 | シャープ株式会社 | 表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法 |
| WO2019186979A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| WO2019186712A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| WO2019215863A1 (ja) * | 2018-05-10 | 2019-11-14 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| WO2020066337A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 電気光学装置 |
| WO2020065962A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| US11849609B2 (en) | 2018-06-06 | 2023-12-19 | Japan Display Inc. | Display device |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6396879B2 (ja) * | 2015-11-20 | 2018-09-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102454824B1 (ko) * | 2016-03-25 | 2022-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
| KR20180033375A (ko) * | 2016-09-23 | 2018-04-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20180076006A (ko) | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| JP6827332B2 (ja) * | 2017-02-01 | 2021-02-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102409200B1 (ko) * | 2017-06-01 | 2022-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치전극을 포함하는 표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR102417112B1 (ko) | 2017-09-28 | 2022-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| JP6917873B2 (ja) * | 2017-11-24 | 2021-08-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102471758B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2022-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN108399863B (zh) * | 2018-03-22 | 2020-08-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示装置及其驱动方法 |
| KR102543688B1 (ko) * | 2018-04-02 | 2023-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
| CN108550617B (zh) * | 2018-06-22 | 2020-10-16 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| KR20200040057A (ko) * | 2018-10-08 | 2020-04-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| CN109509776A (zh) * | 2018-11-22 | 2019-03-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种oled显示器 |
| US11296156B2 (en) * | 2018-11-28 | 2022-04-05 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode device |
| KR20200102572A (ko) * | 2019-02-21 | 2020-09-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN109901319A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-18 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板和电子设备 |
| CN113614816B (zh) * | 2019-11-08 | 2023-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 |
| CN111785167B (zh) * | 2020-07-13 | 2022-02-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 屏幕组件和显示装置 |
| US11269379B2 (en) | 2020-07-29 | 2022-03-08 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display screen assembly and display device |
| KR20220080861A (ko) * | 2020-12-08 | 2022-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 모듈 및 표시 장치 |
| CN112908183B (zh) * | 2021-03-19 | 2022-04-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009037798A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | バリア層つき基板、表示素子および表示素子の製造方法 |
| JP2011118082A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| US20110260180A1 (en) * | 2010-04-22 | 2011-10-27 | Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd. | Image display device and the method for manufacturing the same |
| JP2012128006A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Sony Corp | 表示装置及び電子機器 |
| JP2013015835A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Samsung Display Co Ltd | 可撓性表示パネル及び該可撓性表示パネルを備える表示装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101015851B1 (ko) * | 2009-02-09 | 2011-02-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101936619B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2019-01-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR102047922B1 (ko) * | 2013-02-07 | 2019-11-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 기판, 플렉서블 기판의 제조 방법, 플렉서블 표시 장치, 및 플렉서블 표시 장치 제조 방법 |
| KR101796812B1 (ko) * | 2013-02-15 | 2017-11-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| US9287336B2 (en) * | 2013-02-26 | 2016-03-15 | Apple Inc. | Displays with shared flexible substrates |
| KR102076666B1 (ko) | 2013-04-11 | 2020-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시패널 |
| KR102281568B1 (ko) * | 2013-04-15 | 2021-07-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
| KR101994278B1 (ko) * | 2013-06-28 | 2019-09-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 타입 유기전계 발광소자 |
| US9741951B2 (en) | 2013-09-30 | 2017-08-22 | Lg Chem, Ltd. | Substrate for organic electronic device and method for manufacturing same |
| KR102076098B1 (ko) * | 2013-11-25 | 2020-02-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| KR102273443B1 (ko) * | 2013-12-05 | 2021-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
| US9515099B2 (en) * | 2014-07-31 | 2016-12-06 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device with wire having reinforced portion and manufacturing method for the same |
| JP6396879B2 (ja) * | 2015-11-20 | 2018-09-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
2015
- 2015-11-20 JP JP2015227559A patent/JP6396879B2/ja active Active
-
2016
- 2016-11-09 US US15/347,030 patent/US10319799B2/en active Active
- 2016-11-17 CN CN201910119946.2A patent/CN110048012B/zh active Active
- 2016-11-17 TW TW105137562A patent/TWI621272B/zh active
- 2016-11-17 KR KR1020160153604A patent/KR101849018B1/ko active IP Right Grant
- 2016-11-17 CN CN201611010959.9A patent/CN106992259B/zh active Active
-
2019
- 2019-04-03 US US16/374,048 patent/US10734462B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009037798A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | バリア層つき基板、表示素子および表示素子の製造方法 |
| JP2011118082A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| US20110260180A1 (en) * | 2010-04-22 | 2011-10-27 | Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd. | Image display device and the method for manufacturing the same |
| JP2011227369A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置及びその製造方法 |
| JP2012128006A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Sony Corp | 表示装置及び電子機器 |
| JP2013015835A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Samsung Display Co Ltd | 可撓性表示パネル及び該可撓性表示パネルを備える表示装置 |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180137640A (ko) * | 2017-06-16 | 2018-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| CN109148514A (zh) * | 2017-06-16 | 2019-01-04 | 三星显示有限公司 | 显示设备及制造该显示设备的方法 |
| KR102465376B1 (ko) * | 2017-06-16 | 2022-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| CN109148514B (zh) * | 2017-06-16 | 2023-08-01 | 三星显示有限公司 | 显示设备及制造该显示设备的方法 |
| WO2019012769A1 (ja) * | 2017-07-12 | 2019-01-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
| US11171198B2 (en) | 2017-07-12 | 2021-11-09 | Japan Display Inc. | Display device having flexibility |
| WO2019043761A1 (ja) * | 2017-08-28 | 2019-03-07 | シャープ株式会社 | 表示素子を備えた非可撓性基板及び可撓性表示装置の製造方法 |
| CN111133382B (zh) * | 2017-09-26 | 2023-10-31 | 东丽株式会社 | 感光性树脂组合物、固化膜、具备固化膜的元件与有机el显示装置、及其制造方法 |
| CN111133382A (zh) * | 2017-09-26 | 2020-05-08 | 东丽株式会社 | 感光性树脂组合物、固化膜、具备固化膜的元件、具备固化膜的有机el显示装置、固化膜的制造方法及有机el显示装置的制造方法 |
| WO2019065351A1 (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-04 | 東レ株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜を具備する素子、硬化膜を具備する有機ｅｌ表示装置、硬化膜の製造方法、および有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| WO2019146115A1 (ja) * | 2018-01-29 | 2019-08-01 | シャープ株式会社 | 表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法 |
| WO2019186712A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| WO2019186979A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| WO2019215863A1 (ja) * | 2018-05-10 | 2019-11-14 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| CN112056005A (zh) * | 2018-05-10 | 2020-12-08 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
| CN112056005B (zh) * | 2018-05-10 | 2024-04-30 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
| US11849609B2 (en) | 2018-06-06 | 2023-12-19 | Japan Display Inc. | Display device |
| WO2020066337A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 電気光学装置 |
| WO2020065962A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201727920A (zh) | 2017-08-01 |
| TWI621272B (zh) | 2018-04-11 |
| CN106992259A (zh) | 2017-07-28 |
| US10319799B2 (en) | 2019-06-11 |
| JP6396879B2 (ja) | 2018-09-26 |
| US10734462B2 (en) | 2020-08-04 |
| CN110048012A (zh) | 2019-07-23 |
| US20190229171A1 (en) | 2019-07-25 |
| CN110048012B (zh) | 2021-09-24 |
| US20170148859A1 (en) | 2017-05-25 |
| KR101849018B1 (ko) | 2018-04-13 |
| KR20170059413A (ko) | 2017-05-30 |
| CN106992259B (zh) | 2019-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6396879B2 (ja) | 表示装置 | |
| US10084151B2 (en) | Display device | |
| US9577213B2 (en) | Organic electroluminescence display device | |
| US9660007B2 (en) | Display device and method of manufacturing display device | |
| JP6727844B2 (ja) | 表示装置 | |
| WO2018146903A1 (ja) | タッチセンサ内蔵表示装置 | |
| JP6397654B2 (ja) | 有機ｅｌ発光装置 | |
| JP2015049972A5 (ja) | ||
| KR20160032798A (ko) | 디스플레이 장치 | |
| US10043999B2 (en) | Electroluminescence device, electronic device, and method for manufacturing electroluminescence device | |
| JP2017010854A (ja) | 表示装置 | |
| US10095054B2 (en) | Display device | |
| KR20160125883A (ko) | 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2018067430A (ja) | 表示装置 | |
| JP6282428B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 | |
| JP7109932B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP2015176766A (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
| JP2019200849A (ja) | 表示装置 | |
| JP2018106803A (ja) | 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170710 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170710 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180620 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180731 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180830 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6396879 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |