CN106992259A - 显示装置 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 242
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 131
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 206010016825 Flushing Diseases 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明的目的在于抑制设置于有机层之上的自发光元件层的剥离,同时提高有机层的耐弯曲性。显示装置包括由相互叠层的多个层构成的基板和电路层。电路层包括显示元件区域和周边区域,显示元件区域设置有与多个单位像素对应的多个像素电极和自发光元件层,周边区域具有到达显示元件区域的配线和端子,并且至少部分地弯曲。基板包括与电路层的显示元件区域重叠的第一区域、和与周边区域重叠且至少部分地弯曲的第二区域。多个层包括至少1层的无机层和多层的有机层。第一区域中的多层的有机层的层数比第二区域中的多层的有机层的层数多。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
作为显示装置,近年来开发了具有柔性的显示装置。例如有在具有柔性的树脂基板上形成有电路层和有机电致发光层的显示装置(专利文献1)。具有柔性的基板通过在玻璃基板之上形成有机层并使其固化、再将其从玻璃基板剥离而制造。
专利文献1:日本特开2011-227369号公报
发明内容
对于有机层来说,由于在从玻璃基板剥离时要照射激光,所以在膜厚较薄的情况下,激光照射部的有机层的变形量较大,照射部与未照射部的边界处被施加较大的应力,导致位于其上的有机电致发光层发生剥离。因此,有机层需要一定程度的膜厚。然而,有机层的膜厚尤其对于端子部的耐弯曲性是最为决定性的参数,膜厚越大则耐弯曲性越低。
本发明的目的在于抑制设置于有机层之上的自发光元件层的剥离,同时提高有机层的耐弯曲性。
本发明的显示装置的特征在于,包括:由相互叠层的多个层构成的基板;以包括构成图像的多个单位像素的电路的方式叠层于上述基板的电路层;和覆盖上述电路层并将其密封的密封层,上述电路层包括显示元件区域和周边区域,上述显示元件区域设置有与上述多个单位像素对应的多个像素电极和自发光元件层,上述周边区域具有到达上述显示元件区域的配线和端子,并且至少部分地弯曲,上述基板包括与上述电路层的上述显示元件区域重叠的第一区域、和与上述周边区域重叠且至少部分地弯曲的第二区域,上述多个层包括至少1层的无机层和多层的有机层,上述多层的有机层在上述第一区域所具有的层数比上述多层的有机层在上述第二区域所具有的层数多。
根据本发明,由于与显示元件区域重叠的第一区域中有机层的层数较多,所以能够抑制自发光元件层的剥离,而第二区域中有机层的层数较少,所以能够提高基板的耐弯曲性。
附图说明
图1是表示本发明第一实施方式的显示装置的示意图。
图2是图1所示的显示装置的II-II线截面图。
图3是图1所示的显示装置的III-III线截面图。
图4是表示本发明第二实施方式的显示装置的截面示意图。
图5是表示本发明第三实施方式的显示装置的截面示意图。
图6是表示本发明第四实施方式的显示装置的截面示意图。
图7是表示本发明第五实施方式的显示装置的截面示意图。
图8是表示本发明第六实施方式的显示装置的截面示意图。
图9是表示本发明第七实施方式的显示装置的截面示意图。
图10是表示本发明第八实施方式的显示装置的截面示意图。
附图标记
DEA显示元件区域,PA周边区域,A1第一区域,A2第二区域,10基板,12对置基板,13显示区域,14单位像素,16电路层,18半导体层,20源极电极,22漏极电极,24栅极绝缘膜,26栅极电极,28层间绝缘膜,30薄膜晶体管,32钝化层,32a接触孔,32b接触孔,34导电层,34a第一部分,34b第二部分,36平坦化层,36a接触孔,38a、38b、38c分离槽,40像素电极,42绝缘膜,44电容电极,46自发光元件层,48共用电极,50密封层,52密封部件,54填充层,56着色层,58黑矩阵,60配线,62端子,64各向异性导电膜,66集成电路芯片,68柔性基板,70第一保护层,72第二保护层,73有机层,74整体有机层,76部分有机层,78无机层80第一无机层,82第二无机层,84第三无机层,216电路层,273有机层,274整体有机层,276部分有机层,278无机层,280第一无机层,282第二无机层,316电路层,373有机层,374整体有机层,376a、376b部分有机层,380第一无机层,382第二无机层,384第三无机层,386第四无机层,474整体有机层,476部分有机层。
具体实施方式
下面参照附图对本发明的实施方式进行说明。
[第一实施方式]
图1是表示本发明第一实施方式的显示装置的示意图。作为显示装置,列举有机电致发光显示装置为例。显示装置具有基板10和对置基板12。在对置基板12的显示区域13,通过多个单位像素14分别发光来显示图像。
图2是图1所示的显示装置的II-II线截面图。图3是图1所示的显示装置的III-III线截面图。基板10上设置有电路层16。电路层16包括用于与构成图像的多个单位像素14分别对应地控制电流的电路。电路层16包括设置有用于显示图像的元件的显示元件区域DEA。
在显示元件区域DEA中,基板10上形成有半导体层18。半导体层18之上设置有源极电极20和漏极电极22。以覆盖半导体层18的方式形成有栅极绝缘膜24,在栅极绝缘膜24之上形成有栅极电极26。以覆盖栅极电极26的方式形成有层间绝缘膜28。源极电极20和漏极电极22贯穿栅极绝缘膜24和层间绝缘膜28。由半导体层18、源极电极20、漏极电极22和栅极电极26构成薄膜晶体管30。以覆盖薄膜晶体管30的方式设置有钝化层32。
钝化层32之上形成有导电层34。导电层34的第一部分34a为电源线,经由贯穿钝化层32的接触孔32a与源极电极20和漏极电极22中的一个电连接。源极电极20和漏极电极22的另一个经由贯穿钝化层32的接触孔32b与导电层34的第二部分34b电连接。
在导电层34之上设置有平坦化层36。在平坦化层36以包围图1所示的显示区域13的方式形成有分离槽38a、38b、38c,防止水分的侵入。
在平坦化层36之上,与图1所示的多个单位像素14对应地设置有多个像素电极40。像素电极40由省略图示的反射光的下层和透射光的上层构成。像素电极40经由贯穿平坦化层36的接触孔36a与导电层34的第二部分34b电连接。在像素电极40之下,隔着绝缘膜42设置有电容电极44,在像素电极40与电容电极44之间形成电容。
钝化层32和像素电极40之上形成有绝缘层44。绝缘层44设置在像素电极40的周缘部,以使像素电极40的一部分(例如中央部)开口的方式形成。通过绝缘层44形成将像素电极40的一部分包围的堰堤。
像素电极40上设置有自发光元件层46。自发光元件层46连续地设置在多个像素电极40上,也设置在绝缘层44上。作为变形例,也可以按每个像素电极40分别地(分离地)设置自发光元件层46。自发光元件层46至少包括发光层,也可以还包括电子传输层、空穴传输层、电子注入层和空穴注入层中的至少一层。
在自发光元件层46之上设置有共用电极48(例如阴极)。共用电极48以设置在作为堰堤的绝缘层44的上方的方式形成。自发光元件层46被夹在像素电极40与共用电极48之间,由两者间流通的电流来控制亮度而发光。
电路层16由密封层50密封,阻断水分的侵入。密封层50是由氮化硅或氧化硅等构成的无机膜和丙烯酸树脂等有机膜的叠层体。在密封层50的上方,隔着密封部件52和填充层54设置有对置基板12。对置基板12上设置有由多种颜色(例如蓝色、红色和绿色)构成的着色层56,在彼此相邻的不同颜色的着色层56之间,由金属或树脂等形成黑矩阵58,构成滤色片。对置基板12可以是触摸面板,也可以包括偏振片或相位差片。
电路层16包括从显示元件区域DEA延伸的周边区域PA。在周边区域PA设置有配线60和端子62。配线60和端子62包括形成在钝化层32之上的导电层34的一部分。配线60以到达显示元件区域DEA的方式设置。端子62经由各向异性导电膜64与集成电路芯片66和柔性基板68电连接。在配线60之上叠层有由1层或多层构成的第一保护层70和第二保护层72。第一保护层70由与平坦化层36同样的材料通过同样的工艺形成。第二保护层72由与用于形成堰堤的绝缘层44同样的材料通过同样的工艺形成。电路层16的周边区域PA至少部分地弯曲,与之对应地配线60也弯曲。而另一方面,上述的显示元件区域DEA则不弯曲而呈平坦状态。
电路层16被叠层在基板10上。基板10包括与电路层16的显示元件区域DEA重叠的第一区域A1。第一区域A1与显示元件区域DEA对应,不弯曲而呈平坦状态。基板10包括与电路层16的周边区域PA重叠的第二区域A2。第二区域A2位于密封部件52的外侧,至少部分地弯曲。与弯曲的第二区域A2重叠,在电路层16的周边区域PA,配线60弯曲。配线60介于位于下方的基板10与位于上方的第一保护层70和第二保护层72之间。因此,由于位于叠层结构的厚度方向的中间,所以因弯曲而引起的伸缩的移位较小,由此能够防止配线60的断线。
基板10由相互叠层的多个层构成。构成基板10的多个层包括多层的有机层73。多层的有机层73包括遍及整个第一区域A1和第二区域A2的至少1层的整体有机层74。整体有机层74的厚度为具有作为基材的自立性(free-standing)的厚度(例如5~10μm)。该厚度需要在制造工艺中在未图示的玻璃基板上形成并将其剥离时,能够耐受剥离的厚度。
多层的有机层73包括至少1层的部分有机层76。部分有机层76位于整体有机层74的两侧中的电路层16侧。至少1层的部分有机层76以避开弯曲的第二区域A2的方式,在第一区域A1叠层于整体有机层74。部分有机层76具有例如5μm以上的厚度。整体有机层74和部分有机层76的厚度共计为10~15μm以上。该厚度需要在制造工艺中抑制从玻璃基板剥离时照射的激光的热而引起的膨胀、并防止位于其上的自发光元件层46的剥离的厚度。
构成基板10的多个层包括至少1层的无机层78。至少1层的无机层78的厚度也与基板10的厚度加在一起,提高作为基材的自立性。至少1层的无机层78成为阻断水分的阻挡膜,并通过增大厚度而有助于防止自发光元件层46的剥离。
至少1层的无机层78包括介于多层的有机层73(整体有机层74和部分有机层76)与电路层16之间的第一无机层80。至少1层的无机层78包括介于至少1层的整体有机层74与至少1层的部分有机层76之间的第二无机层82。部分有机层76被第一无机层80和第二无机层82夹置。
第一无机层80和第二无机层82在第一区域A1的外侧(密封部件52的外侧)彼此接触并形成为一体,并延伸至第二区域A2,构成遍及整个第一区域A1和第二区域A2的第三无机层84。第三无机层84在第二区域A2弯曲,但在第一区域A1则呈平坦状态。
如图2和图3所示,第一无机层80和第二无机层82在部分有机层76的周围彼此接触并形成为一体,将部分有机层76密封。由此,由于第一无机层80和第二无机层82具有阻挡水分的特性,所以能够阻断水分侵入部分有机层76。
根据本实施方式,多层的有机层73在第一区域A1所具有的层数(由整体有机层74和部分有机层76构成的2层)比多层的有机层73在第二区域A2所具有的层数(由整体有机层74构成的1层)多。在基板10的与显示元件区域DEA重叠的第一区域A1,有机层73的层数较多,因此厚度增大,能够抑制自发光元件层46的剥离。而在至少部分地弯曲的第二区域A2,基板10由于有机层73的层数较少,因此厚度较小,所以能够提高基板10的耐弯曲性。
[第二实施方式]
图4是表示本发明第二实施方式的显示装置的截面示意图。本实施方式与第一实施方式的不同点在于,部分有机层276位于整体有机层274的两侧中的与电路层216相反的一侧。
至少1层的无机层278包括介于多层的有机层273与电路层216之间的第一无机层280。第一无机层280遍及整个第一区域A1和第二区域A2。至少1层的无机层278包括介于至少1层的整体有机层274与至少1层的部分有机层276之间的第二无机层282。第二无机层282遍及整个第一区域A1和第二区域A2。第二无机层282的一部分(位于第一区域A1的部分)位于部分有机层276的两侧中的电路层216侧(或整体有机层274的两侧中的与电路层216相反的一侧)。第二无机层282的至少一部分(位于第二区域A2的部分)位于多层的有机层273的两侧中的与电路层216相反的一侧。第二无机层282和部分有机层276的下表面成为齐平的面。在制造工艺中,在未图示的玻璃基板之上形成部分有机层276,以在该部分有机层276及其周围设置于玻璃基板上的方式形成第二无机层282,从而形成该形状。
根据本实施方式,在遍及整个第一区域A1和第二区域A2的第二无机层282的两侧中的与电路层216相反的一侧具有部分有机层276。因而,能够利用第二无机层282使部分有机层276相对于电路层216隔离,防止水分的侵入。
[第三实施方式]
图5是表示本发明第三实施方式的显示装置的截面示意图。本实施方式与第二实施方式的不同点在于设置有多层的部分有机层376a、376b。
在多层的有机层373与电路层316之间设置有遍及整个第一区域A1和第二区域A2的第一无机层380。在整体有机层374与部分有机层376a之间设置有第二无机层382,在多层的部分有机层376a、376b之间设置有第三无机层384。第二无机层382和第三无机层384在第一区域A1的外侧(密封部件52的外侧)相互接触并形成为一体,并延伸至第二区域A2,构成遍及整个第一区域A1和第二区域A2的第四无机层386。第四无机层386的至少一部分(位于第二区域A2的部分)位于多层的有机层373的与电路层316相反的一侧。第四无机层386在第二区域A2弯曲,但在第一区域A1呈平坦状态。第四无机层386和部分有机层376b的下表面形成为齐平的面。
第二无机层382和第三无机层384在部分有机层376a的周围相互接触形成为一体,将部分有机层376a密封。由此,由于第二无机层382和第三无机层384具有阻挡水分的特性,所以能够阻断水分侵入部分有机层376a。
[第四实施方式]
图6是表示本发明第四实施方式的显示装置的截面示意图。本实施方式与第二实施方式的不同点在于不具有图4所示的第二无机层282。于是,整体有机层474与部分有机层476接触并叠层。整体有机层474和部分有机层476的下表面形成为齐平的面。
[第五实施方式]
图7是表示本发明第五实施方式的显示装置的截面示意图。本实施方式中,基板510包括第一有机层574、形成在第一有机层574上的第一无机层582、形成在第一无机层582上的第二有机层576和形成在第二有机层576上的第二无机层580。第一区域A1配置有第一有机层574、第一无机层582、第二有机层576和第二无机层580。第二区域A2配置有第一有机层574、第一无机层582和第二无机层580。
在第二区域A2第一无机层582和第二无机层580接触。在第一区域A1的周围第一无机层582和第二无机层580接触。由此,第二有机层576的在电路层16侧所具有的第一面576a、与第一面576a相反的一侧的第二面576b、和侧面576c被无机材料包围。其它的内容与第一实施方式中说明的内容相当。
[第六实施方式]
图8是表示本发明第六实施方式的显示装置的截面示意图。本实施方式中,有机层674避开第二区域A2设置于第一区域A1。于是,在有机层674的周围,位于有机层674上下的无机层680、682接触,将有机层674密封。这样一来,能够有效地阻断水分侵入距电路层16最近的有机层674。另外,位于有机层674之下的其它的有机层676a也被位于其上下的无机层682、684密封,阻断水分侵入。另外,本实施方式与图5所示的第三实施方式的不同点还在于,距电路层16最远的有机层676b从第一区域A1遍及整个第二区域A2。
[第七实施方式]
图9是表示本发明第七实施方式的显示装置的截面示意图。本实施方式中,有机层774避开第二区域A2设置于第一区域A1。于是,在有机层774的周围,位于有机层774上下的无机层780、782接触,将有机层774密封。这样一来,能够有效地阻断水分侵入距电路层16最近的有机层774。本实施方式与图5所示的第三实施方式的不同点在于,位于有机层774之下的其它的有机层776a从第一区域A1遍及整个第二区域A2。位于无机层784之下的距电路层16最远的有机层776b避开第二区域A2设置于第一区域A1。
[第八实施方式]
图10是表示本发明第八实施方式的显示装置的截面示意图。本实施方式中,有机层874避开第二区域A2设置于第一区域A1。于是,在有机层874的周围,位于有机层874上下的无机层880、882接触,将有机层874密封。这样一来,能够有效地阻断水分侵入距电路层16最近的有机层874。其中,本实施方式与图5所示的第三实施方式的不同点在于,位于无机层882之下的距电路层16比有机层874远的有机层876a、876b从第一区域A1遍及整个第二区域A2。
另外,显示装置不限于有机电致发光显示装置,也可以是各像素具有像量子点发光元件(QLED:量子点发光二极管)这样的自发光元件的显示装置。
此外,在基板10上,也可以在与电路层16相反的一侧的区域分别粘贴由聚乙烯等构成的保护层(未图示)。例如可以在图2的位于第一区域A1的基板10的与电路层16相反的一侧的区域粘贴保护层。另外,也可以在第二区域A2的不弯曲的区域中的与集成电路芯片66和柔性基板68相反的一侧,在基板10上粘贴其它的保护层。这些保护层以避免与第一保护层70或第二保护层72所处的区域重叠的方式配置。
本发明不限于上述实施方式,能够进行各种变形。例如,实施方式中说明的结构能够由实质上相同的结构、实现相同作用效果的结构或达到相同目的的结构替换。
Claims (10)
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
由相互叠层的多个层构成的基板;
以包括构成图像的多个单位像素的电路的方式叠层于所述基板的电路层;和
覆盖所述电路层并将其密封的密封层,
所述电路层包括显示元件区域和周边区域,所述显示元件区域设置有与所述多个单位像素对应的多个像素电极和自发光元件层,所述周边区域具有到达所述显示元件区域的配线和端子,并且至少部分地弯曲,
所述基板包括与所述电路层的所述显示元件区域重叠的第一区域、和与所述周边区域重叠且至少部分地弯曲的第二区域,
所述多个层包括至少1层的无机层和多层的有机层,
所述多层的有机层在所述第一区域所具有的层数比所述多层的有机层在所述第二区域所具有的层数多。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述多层的有机层包括遍及整个所述第一区域和所述第二区域的至少1层的整体有机层、和避开所述第二区域位于所述第一区域的至少1层的部分有机层。
3.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于:
所述至少1层的整体有机层与所述至少1层的部分有机层接触并叠层。
4.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于:
所述至少1层的无机层包括介于所述至少1层的整体有机层与所述至少1层的部分有机层之间的层。
5.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于:
所述至少1层的部分有机层包括多层的部分有机层,
所述至少1层的无机层包括介于所述多层的部分有机层之间的层。
6.如权利要求1~5中任一项所述的显示装置,其特征在于:
所述至少1层的无机层包括介于所述多层的有机层与所述电路层之间的层。
7.如权利要求1~5中任一项所述的显示装置,其特征在于:
所述至少1层的无机层包括遍及整个所述第一区域和所述第二区域的层。
8.如权利要求1~5中任一项所述的显示装置,其特征在于:
所述至少1层的无机层包括至少一部分位于所述多层的有机层的与所述电路层相反的一侧的层。
9.一种显示装置,其特征在于,包括:
基板;
电路层,其形成在所述基板上,具有用于多个单位像素的像素电路;和
将所述电路层密封的密封层,
所述电路层包括显示元件区域和周边区域,所述显示元件区域设置有与所述多个单位像素对应的多个像素电极和自发光元件层,所述周边区域具有到达所述显示元件区域的配线和端子并且弯曲,
所述基板包括与所述电路层的所述显示元件区域重叠的第一区域、和与所述周边区域重叠并且弯曲的第二区域,
所述基板包括第一有机层、形成在所述第一有机层上的第一无机层、形成在所述第一无机层上的第二有机层和形成在所述第二有机层上的第二无机层,
所述第一区域配置有所述第一有机层、所述第一无机层、所述第二有机层和所述第二无机层,
所述第二区域配置有所述第一有机层、所述第一无机层和所述第二无机层。
10.如权利要求9所述的显示装置,其特征在于:
在所述第二区域所述第一无机层和所述第二无机层接触,在所述第一区域的周围所述第一无机层和所述第二无机层接触,由此所述第二有机层的所述电路层侧的第一面、与所述第一面相反的一侧的面和侧面被无机材料包围。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910119946.2A CN110048012B (zh) | 2015-11-20 | 2016-11-17 | 显示装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015-227559 | 2015-11-20 | ||
JP2015227559A JP6396879B2 (ja) | 2015-11-20 | 2015-11-20 | 表示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910119946.2A Division CN110048012B (zh) | 2015-11-20 | 2016-11-17 | 显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106992259A true CN106992259A (zh) | 2017-07-28 |
CN106992259B CN106992259B (zh) | 2019-03-19 |
Family
ID=58721047
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201611010959.9A Active CN106992259B (zh) | 2015-11-20 | 2016-11-17 | 显示装置 |
CN201910119946.2A Active CN110048012B (zh) | 2015-11-20 | 2016-11-17 | 显示装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910119946.2A Active CN110048012B (zh) | 2015-11-20 | 2016-11-17 | 显示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10319799B2 (zh) |
JP (1) | JP6396879B2 (zh) |
KR (1) | KR101849018B1 (zh) |
CN (2) | CN106992259B (zh) |
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- 2016-11-17 TW TW105137562A patent/TWI621272B/zh active
- 2016-11-17 CN CN201611010959.9A patent/CN106992259B/zh active Active
- 2016-11-17 CN CN201910119946.2A patent/CN110048012B/zh active Active
- 2016-11-17 KR KR1020160153604A patent/KR101849018B1/ko active IP Right Grant
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US11893930B2 (en) | 2019-11-08 | 2024-02-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, display panel, and display device |
CN114613257A (zh) * | 2020-12-08 | 2022-06-10 | 乐金显示有限公司 | 显示装置及显示设备 |
CN112908183A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-06-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN112908183B (zh) * | 2021-03-19 | 2022-04-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201727920A (zh) | 2017-08-01 |
CN110048012A (zh) | 2019-07-23 |
JP2017098020A (ja) | 2017-06-01 |
US20170148859A1 (en) | 2017-05-25 |
CN106992259B (zh) | 2019-03-19 |
US10734462B2 (en) | 2020-08-04 |
US10319799B2 (en) | 2019-06-11 |
TWI621272B (zh) | 2018-04-11 |
US20190229171A1 (en) | 2019-07-25 |
KR101849018B1 (ko) | 2018-04-13 |
JP6396879B2 (ja) | 2018-09-26 |
CN110048012B (zh) | 2021-09-24 |
KR20170059413A (ko) | 2017-05-30 |
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PB01 | Publication | ||
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