CN107799551A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示装置,本发明以有效除去水分为目的。显示装置具有含有发光层(44)的发光元件层(40)、位于发光元件层(40)之上的透光性的上电极(42)、位于发光元件层(40)之下且具有透光性及透湿性的下电极(34)、位于下电极(34)之下的光反射层(58)、以及位于下电极(34)和光反射层(58)之间且具有吸湿性的吸湿层(60)。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
在有机场致发光显示装置的开发过程中,发明人等对测试用装置进行评价,结果发现,在显示区域的2mm×2mm的发光区域,端部会变暗。进一步调查的结果可知,水分引起的发光元件的劣化成为原因的可能性很高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-201354号公报
目前,探讨了在下部电极之下设置吸湿材料来捕获水分的对策(专利文献1)。但是,由于通过吸湿材料无法完全遮断水分,所以难以避免发光元件的劣化。因发光元件的劣化而产生的部分的亮度差被识别为显示不均,因此,寻求其对策。
发明内容
本发明以有效除去水分为目的。
根据本发明的显示装置,其特征在于,具有:发光元件层,其含有发光层;透光性的上电极,其位于所述发光元件层之上;下电极,其位于所述发光元件层之下,具有透光性及透湿性;光反射层,其位于所述下电极之下;以及吸湿层,其位于所述下电极和所述光反射层之间,具有吸湿性。
根据本发明,由于在具有透湿性的下电极之下配置吸湿层,所以能够有效除去水分。特别是,通过由具有通过水分的吸收而使光透射率提高的性质的材料形成吸湿层,从而能够补偿源自水分的元件特性的劣化。
附图说明
图1是本发明第一实施方式的显示装置的立体图。
图2是将图1所示的显示装置的II-II线截面省略一部分而示出的放大图。
图3是发光元件层的放大图。
图4是本发明第二实施方式的显示装置的剖视图。
图5是本发明第三实施方式的显示装置的剖视图。
图6是本发明第四实施方式的显示装置的剖视图。
附图标记说明
10第一基板、12集成电路芯片、14底涂层、16半导体层、18源电极、20漏电极、22栅极绝缘膜、24栅电极、26层间绝缘膜、28薄膜晶体管、30钝化膜、32平坦化层、34下电极、34a周缘部、34b中央部、36接触孔、38绝缘层、40发光元件层、42上电极、44发光层、46空穴注入层、48空穴输入层、50电子阻挡层、52电子注入层、54电子输送层、56空穴阻挡层、58光反射层、60吸湿层、62封固层、64无机绝缘层、66有机绝缘层、68粘接层、70第二基板、234下电极、234a周缘部、234b中央部、238绝缘层、260吸湿层、272透光性导电层、334下电极、334a周缘部、334b中央部、338绝缘层、358光反射层、360吸湿层、434下电极、458光反射层、460吸湿层、DA显示区域、DAC中央区域、DAP周缘区域。
具体实施方式
以下,参照附图说明本发明的实施方式。但是,本发明在不脱离其宗旨的范围内能够利用各种各样的方式实施,而不是限定在以下所示例的实施方式的记载内容来解释。
附图中为了更明确说明,与实际的方式相比,有时示意性示出各部分的宽度、厚度、形状等,但终究是一例,不限定本发明。在本说明书和各附图中,对于具备与关于已出现的附图进行了说明的功能相同的功能的要素,标注同一附图标记,有时省略重复的说明。
而且,在本发明的详细说明中,在规定某一结构物和其它结构物的位置关系时,“在上”“在下”不仅是指位于某结构物的正上方或正下方的情况,只要没有特别说明,则也包含在其间进一步介设其它结构物的情况。
[第一实施方式]
图1是本发明第一实施方式的显示装置的立体图。作为显示装置,以有机场致发光显示装置为例进行说明。显示装置例如将由红、绿及蓝构成的多色的单位像素(子像素)组合,形成全彩色的像素,并显示全彩色的图像。显示装置具有第一基板10。第一基板10具有矩阵状地配置有多个像素的显示区域DA。在第一基板10上搭载用于驱动用于显示图像的元件的集成电路芯片12,为了与外部进行电连接,也可以连接未图示的柔性印刷基板。
图2是将图1所示的显示装置的II-II线截面省略一部分而示出的放大图。第一基板10由树脂或玻璃构成,也可以是聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯等具有挠性的膜。在第一基板10上形成有相对于其自身所含有的杂质成为屏障的底涂层14。底涂层14由氧化硅膜或氮化硅膜构等构成,也可以是它们的叠层构造。在底涂层14之上形成有半导体层16。在半导体层16上电连接源电极18及漏电极20,覆盖半导体层16形成有栅极绝缘膜22。在栅极绝缘膜22之上形成有栅电极24,覆盖栅电极24形成有层间绝缘膜26。源电极18及漏电极20贯穿栅极绝缘膜22及层间绝缘膜26。由半导体层16、源电极18、漏电极20及栅电极24构成薄膜晶体管28。以覆盖薄膜晶体管28的方式设置有钝化膜30。
在钝化膜30之上设置有平坦化层32。在平坦化层32之上设置有以与多个单位像素(子像素)分别对应的方式构成的多个下电极34(像素电极、例如阳极)。下电极34例如由ITO(Indium Tin Oxide:氧化铟锡)或IZO(Indium Zinc Oxide:氧化铟锌)构成,具有透光性。另外,下电极34成为具有透湿性的程度的薄度(例如10nm以下)。平坦化层32以至少设置有下电极34的面成为平坦的方式形成。作为平坦化层32,多使用感光性聚丙烯树脂等有机材料。下电极34通过从平坦化层32及钝化膜30贯穿的接触孔36与半导体层16上的源电极18及漏电极20的一方电连接。
在平坦化层32及下电极34之上形成有绝缘层38。绝缘层38载置于下电极34的周缘部34a,以避开与下电极34的中央部34b的重叠的方式形成。利用绝缘层38形成包围下电极34的一部分的隔堤。
在下电极34上设置有发光元件层40。在发光元件层40之上设置有上电极42(共通电极,例如阴极)。上电极42例如由ITO(Indium Tin Oxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)构成,具有透光性。上电极42载置于成为隔堤的绝缘层38之上。发光元件层40由下电极34及上电极42夹持,通过流经两者间的电流控制亮度而发光。
图3是发光元件层的放大图。发光元件层40包含发光层44。发光元件层40包含在下电极34之上沿向发光层44的方向(上方)依次叠层的空穴注入层46、空穴输入层48及电子阻挡层50。发光元件层40包含在上电极42之下沿向发光层44的方向(下方)依次叠层的、电子注入层52(例如Ca)、电子输送层54及空穴阻挡层56。
发光元件层40以遍及多个像素的方式形成于覆盖显示区域DA(参照图1)的整个面。即,发光元件层40在绝缘层38上连续。该情况下,发光元件层40通过溶剂分散进行的涂敷而形成。在以遍及多个像素的方式形成发光层44的情况下,成为如下的结构:在所有子像素中,以白色发光,通过未图示的彩色滤光片取出所希望的颜色波长部分。此外,发光层44也可以针对每一个下电极34分别(分离)设置。在该情况下,与各像素对应地,发光层44以蓝、红或绿发光。与各像素对应的颜色不限于此,例如也可以是黄或白等。个别化后的发光层44例如通过蒸镀而形成。
在下电极34的下方设置有例如由金属构成的光反射层58。通过发光层44产生的光由光反射层58反射。在下电极34和光反射层58之间介设具有吸湿性的吸湿层60。吸湿层60例如由含有Ca的材料构成,具有通过水分的吸收而使光透射率提高的性质。吸湿层60以在从下电极34的中央部34b至周缘部34a的区域连续地重叠的方式设置。
根据本实施方式,由于在具有透湿性的下电极34之下配置吸湿层60,所以能够有效除去水分。特别是,通过由具有通过水分的吸收而使光透射率提高的性质的材料形成吸湿层60,能够补偿源自水分的元件特性的劣化。具体而言,以通过化学式表示为Ca+2H2O→Ca(OH)2+H2↑的方式使Ca和水进行反应时,生成氢氧化钙。氢氧化钙与Ca相比,光透射率高。因此,即使因水分的影响而使发光效率降低,由于在该部位,光透射率高,从而也能够补偿元件特性的劣化,缓和显示不均。只要将Ca作为电子注入层52的材料使用,就能够抑制成本的上升。此外,除Ca以外,也可以使用Mg、Sr或Ba等。
发光元件层40通过由叠层于上电极42的封固层62覆盖而封固,遮断水分。封固层62也可以是含有由SiN等构成的至少一层的无机绝缘层64的叠层构造。例如,封固层62也可以是在一对无机绝缘层64之间夹持由树脂等构成的至少一层的有机绝缘层66的构造。封固层62覆盖显示区域DA(参照图1)。在封固层62上,经由粘接层68贴附有第二基板70。第二基板70由树脂或玻璃构成,是聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯等具有挠性的膜。
[第二实施方式]
图4是本发明第二实施方式的显示装置的剖视图。在本实施方式中,吸湿层260与下电极234的周缘部234a重叠,但以避开与下电极234的中央部234b重叠的方式来设置。另外,吸湿层260以从与绝缘层238的重叠区域向中央部234b的方向溢出的方式来设置。在吸湿层260避开重叠的中央部234b之下设置有例如由ITO(Indium Tin Oxide)或IZO(IndiumZinc Oxide)构成的透光性导电层272。根据本实施方式,位于下电极234的中央部234b的正下方的是透光性导电层272,因此能够确保高的光透射率。
[第三实施方式]
图5是本发明第三实施方式的显示装置的剖视图。本实施方式中,吸湿层360与下电极334的周缘部334a重叠,但以避开与下电极334的中央部334b重叠的方式来设置。另外,吸湿层360以从与绝缘层338的重叠区域向中央部334b的方向溢出的方式来设置。而且,下电极334在光反射层358及吸湿层360的表面上连续地叠层。根据本实施方式,在下电极334的中央部334b的正下也没有透光性导电层这一点上与第二实施方式不同。
[第四实施方式]
图6是本发明第四实施方式的显示装置的剖视图。在显示区域DA上排列有多个下电极434。在显示区域DA,在其周缘区域DAP,在下电极434的下方设置有吸湿层460。另一方面,在显示区域DA,在其中央区域DAC,在下电极434之下未设置有吸湿层460。此外,光反射层458在显示区域DA的中央区域DAC及周缘区域DAP这两个区域设置于下电极434的下方。根据本实施方式,在显示区域DA的中央区域DAC,由于没有吸湿层460,从而确保很高的光透射率,在易受水分的影响的周缘区域DAP,通过吸湿层460来补偿源自水分的元件特性的劣化。
此外,显示装置不限于有机场致发光显示装置,也可以是各像素具备量子点发光元件(QLED:Quantum‐Dot Light Emitting Diode)这样的发光元件的显示装置。
本发明不限于上述实施方式,能够进行各种变形。例如,实施方式中说明的结构能够通过实质上相同的结构、实现同一作用效果的结构、或能够实现同一目的的结构来替换。
Claims (8)
1.一种显示装置,其特征在于,具有:
发光元件层,其含有发光层;
透光性的上电极,其位于所述发光元件层之上;
下电极,其位于所述发光元件层之下,具有透光性以及透湿性;
光反射层,其位于所述下电极之下;以及
吸湿层,其位于所述下电极与所述光反射层之间,具有吸湿性。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述吸湿层具有通过水分的吸收而使光透射率提高的性质。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
所述吸湿层由含有钙的材料构成。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的显示装置,其特征在于,
还具有避开与所述下电极的中央部重叠而载置于所述下电极的周缘部的绝缘层,
所述吸湿层以在从所述中央部至所述周缘部的区域内连续重叠的方式设置。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的显示装置,其特征在于,
还具有避开与所述下电极的中央部重叠而载置于所述下电极的周缘部的绝缘层,
所述吸湿层以避开与所述下电极的所述中央部重叠并与所述周缘部重叠的方式设置。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,
所述吸湿层以从与所述绝缘层的重叠区域向所述中央部的方向溢出的方式设置。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,
在所述吸湿层避开重叠的所述中央部之下还具有透光性导电层。
8.根据权利要求1~3中任一项所述的显示装置,其特征在于,
所述下电极包含排列于显示区域的多个下电极,
所述吸湿层避开位于所述显示区域的中央区域的所述下电极的下方,而设置于位于所述显示区域的周缘区域的所述下电极的下方。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020042236A1 (zh) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、电子装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101197390A (zh) * | 2006-12-06 | 2008-06-11 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示设备 |
US20150352521A1 (en) * | 2013-11-21 | 2015-12-10 | Lg Chem, Ltd. | GETTERING AGENT, ABSORPTIVE FILM COMPRISING THE SAME AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE (As Amended) |
US20160111474A1 (en) * | 2012-10-23 | 2016-04-21 | Japan Display Inc. | Electroluminescence display device |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009205928A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 微小共振器色変換el素子およびそれを用いた有機elディスプレイ |
US9806294B2 (en) * | 2013-03-28 | 2017-10-31 | Konica Minolta, Inc. | Surface light emitting element |
KR102110418B1 (ko) * | 2013-07-12 | 2020-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101197390A (zh) * | 2006-12-06 | 2008-06-11 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示设备 |
US20160111474A1 (en) * | 2012-10-23 | 2016-04-21 | Japan Display Inc. | Electroluminescence display device |
US20150352521A1 (en) * | 2013-11-21 | 2015-12-10 | Lg Chem, Ltd. | GETTERING AGENT, ABSORPTIVE FILM COMPRISING THE SAME AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE (As Amended) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020042236A1 (zh) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、电子装置 |
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