CN117280398A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

在芯片安装部(M)上设置有排成一列的多个芯片用端子(20c、20d)、以及与多个芯片用端子(20c、20d)对应地相互并行延伸且分别与多个芯片用端子(20c、20d)电连接的多个端子布线(18tc、18td)，在每个端子布线(18tc、18td)上，以与对应于芯片用端子(20c、20d)的端子布线(18tc、18td)或其延长线重叠的方式设置有多个芯片支承体(Sa)。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及一种显示装置。

背景技术

近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机电致发光(ElectroLuminescence，以下，称为“EL”)元件的自发光型的有机EL显示装置备受关注。在该有机EL显示装置中，提出了在具有可弯曲性的树脂基板上形成有机EL元件等的柔性的有机EL显示装置。

例如，在专利文献1中公开了一种LSI芯片安装柔性布线板，其在作为搭载LSI(large scale integration)芯片的区域而形成的绝缘膜的开口内，设置有用于保持搭载LSI芯片时的LSI用端子和LSI芯片的最小间隔的间隔保持单元。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3914478号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

然而，在上述专利文献1所公开的LSI芯片安装柔性布线板中，虽然能够通过间隔保持单元来抑制柔性布线板的挠曲，但是由于间隔保持单元被配置成横跨并排配置的多个端子，因而构成各向异性导电膜的导电性粒子会凝聚于间隔保持单元与LSI芯片的凸点之间，凝聚的导电性粒子有可能连结。这样一来，相邻的端子间有可能因连结的导电性粒子而短路，因此存在改善的余地。

本发明是鉴于这一点而完成的，其目的在于抑制芯片安装部中的端子间的短路。

用于解决技术问题的技术方案

为了达成上述目的，本发明涉及的显示装置包括：柔性基板层；薄膜晶体管层，设置在所述柔性基板层上；以及发光元件层，设置在所述薄膜晶体管层上，与构成显示区域的多个子像素对应地排列有多个发光元件，在所述显示区域的周围设置有边框区域，端子部以沿一方向延伸的方式设置于所述边框区域的端部，在所述显示区域以及所述端子部之间设置有芯片安装部，在所述芯片安装部设有排成一列的多个芯片用端子，以及与该多个芯片用端子对应地相互并行地延伸并与该多个芯片用端子电连接的多个端子布线，在所述芯片安装部中，对所述多个芯片用端子的至少一个，以与对应于该芯片用端子的所述端子布线或该端子布线的延长线重叠的方式在每个该端子布线上设置芯片支承体。

有益效果

根据本发明，能够抑制芯片安装部中端子间的短路。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。

图2是构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的有机EL显示面板的俯视图。

图3是构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的有机EL显示面板的剖视图。

图4是本发明第一实施方式涉及的有机EL显示装置的有机EL显示面板的薄膜晶体管层的等效电路图。

图5是示出构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的有机EL显示面板的有机EL层的剖视图。

图6是本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的有机EL显示面板的边框区域中的芯片安装部及其周边部的俯视图。

图7是本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的有机EL显示面板的边框区域中的芯片安装部的俯视图。

图8是沿着图7中的VIII-VIII线的有机EL显示装置的剖视图。

图9是构成本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的有机EL显示面板的边框区域的芯片安装部及其周围的俯视图，是相当于图6的图。

图10是将构成本发明第二实施方式的有机EL显示装置的有机EL显示面板的边框区域的芯片安装部放大的俯视图，是相当于图7的图。

图11是沿着图10中的XI-XI线的有机EL显示装置的剖视图。

图12是将构成本发明的第三实施方式涉及的有机EL显示装置的有机EL显示面板的边框区域的芯片安装部放大的俯视图，是相当于图7的图。

图13是示出本发明的第三实施方式涉及的有机EL显示装置的变形例的俯视图，是相当于图12的图。

具体实施方式

以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。另外，本发明并不限定于以下的各实施方式。

《第一实施方式》

图1～图8示出了本发明涉及的显示装置的第一实施方式。另外，作为包括发光元件的显示装置，在以下各实施方式中，示例了包括有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是示出本实施方式的有机EL显示装置70a的俯视图。此外，图2和图3是构成有机EL显示装置70a的有机EL显示面板的显示区域D的俯视图和剖视图。另外，图4是构成有机EL显示面板50a的薄膜晶体管层30的等效电路图。此外，图5是构成有机EL显示面板50a的有机EL层33的剖视图。另外，图6是有机EL显示面板50a的边框区域F中的芯片安装部M及其周围的俯视图。此外，图7是有机EL显示面板50a的边框区域F中的芯片安装部M的剖视图。此外，图8是沿着图7中的VIII-VIII线的有机EL显示装置70a的剖视图。

如图1所示，有机EL显示装置70a具备有机EL显示面板50a、安装在有机EL显示面板50a的后述的芯片安装部M上的集成电路芯片60以及安装在有机EL显示面板50a的后述的端子部T上的柔性印刷电路板55。

如图1所示，有机EL显示面板50a包括例如设置为矩形状并进行图像显示的显示区域D、设置在显示区域D周围并设置为框状的边框区域F。另外，在本实施方式中，例示了矩形的显示区域D，但该矩形还包括例如边为圆弧状的形状、角部为圆弧状的形状、边的一部分有切口的形状等大致矩形。

如图2所示，在显示区域D中，多个子像素P呈矩阵状排列。此外，如图2所示，在显示区域D中设置为具有用于进行红色的显示的红色发光区域Lr的子像素P、具有用于进行绿色的显示的绿色发光区域Lg的子像素P以及具有用于进行蓝色的显示的蓝色发光区域Lb的子像素P彼此相邻。此外，在显示区域D中，由具有红色发光区域Lr、绿色发光区域Lg及蓝色发光区域Lb的相邻的三个子像素P构成一个像素。

在边框区域F的图1中的下端部处，端子部T设置成在一个方向(图中的横向)上延伸。此外，边框区域F中，如图1所示，在显示区域D和端子区域T之间，芯片安装部M设置为在一个方向(图中的横向)上延伸。此外，如图1所示，芯片安装部M以长边沿着端子部T的延伸方向延伸的方式在俯视时设置为长方形。

如图3所示，有机EL显示装置50a包括:柔性基板层10；设置在柔性基板层10上的薄膜晶体管(thin film transistor，以下也称为“TFT”)层30；设置在TFT层30上作为发光元件层的有机EL元件层40；以覆盖有机EL元件层40的方式设置的密封膜40；以及设置在密封膜40上的触摸面板层45。

柔性基板层10由例如聚酰亚胺树脂等构成，具有柔性。此外，在本实施方式中，虽然例示出聚酰亚胺树脂等树脂制的柔性基板层10，但柔性基板层10也可以是金属膜、金属薄板等金属制。

如图3所示，TFT层30包括：设置在柔性基板层10上的底涂膜11；设置在底涂膜11上的多个第一TFT9a、多个第二TFT9b(参照图4)、多个第三TFT9c和多个电容器9d；以及依次设置在各第一TFT9a、各第二TFT9b、各第三TFT9c以及各电容器9d上的第一平坦化膜19a和第二平坦化膜21a。

在TFT层30中，如图3所示，在柔性基板层10上依次层叠有底涂膜11、后述的半导体层12a等半导体图案层、栅极绝缘膜13、后述的栅极线14g等第一布线层、第一层间绝缘膜15、后述的上层导电层16c等第二布线层、第二层间绝缘膜17、后述的源极线18f等第三布线层、第一平坦化膜19a、电源线20a等第四布线层以及第二平坦化膜21a。此外，底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17，例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。

如图2以及图4所示，在TFT层30中，以在附图中的横向上彼此平行地延伸的方式设置有多条栅极线14g作为第一布线层。另外，如图2以及图4所示，在TFT层30中，以在附图中的横向上彼此平行地延伸的方式设置有多条发光控制线14e作为第一布线层。另外，如图2所示，各发光控制线14e设置为与各栅极线14d相邻。另外，如图2以及图4所示，在TFT层30中，以在附图中的纵向上彼此平行地延伸的方式设置有多条源极线18f作为第三布线层。另外，如图3所示，在TFT层30中，在第一平坦化膜19a与第二平坦化膜21a之间，电源线20a作为第四布线层呈格子状设置。另外，如图4所示，在TFT层30中，在各子像素P中分别设置有第一TFT9a、第二TFT9b、第三TFT9c和电容器9d。

如图4所示，在每个子像素P中，第一TFT9a与对应的栅极线14d、源极线18f、第二TFT9b电连接。如图3所示，第一TFT9a包括依次设置在底涂膜11上的半导体层12a、栅极绝缘膜13、栅电极14a、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及源电极18a和漏电极18b。在此，如图3所示，半导体层12a以岛状设置在底涂膜11上，如后述，并具有沟道区域、源极区域和漏极区域。此外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12a的方式设置。此外，如图3所示，栅电极14a以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图3所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖栅电极14a的方式依次设置。此外，如图3所示，源电极18a和漏电极18b以彼此分离的方式设置在第二层间绝缘膜17上。此外，如图3所示，源电极18a和漏电极18b经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜中的各接触孔分别连接到半导体层12a的源极区域和漏极区域。

如图4所示，第二TFT9b在各子像素P中与对应的第一TFT9a、电源线20a及第三TFT9c电连接。此外，第二TFT9b具有与第一TFT9a及后述的第三TFT9c实质上相同的构造。

如图4所示，第三TFT9c在各子像素P中与对应的第二TFT9b、后述的有机EL层35触的第一电极31a以及发光控制线14e电连接。另外，如图3所示，第三TFT9c包括依次设置在底涂膜11上的半导体层12b、栅极绝缘膜13、栅电极14b、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及源电极18c和漏电极18d。在此，如图3所示，半导体层12b以岛状设置在底涂膜11上，与半导体层12a同样地，具有沟道区域、源极区域和漏极区域。另外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12b的方式设置。另外，如图3所示，栅电极14b以与半导体层12b的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图3所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖栅电极14b的方式依次设置。另外，如图3所示，源电极18a和漏电极18d以彼此分离的方式设置在第二层间绝缘膜17上。此外，如图3所示，源电极18c和漏电极18d经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜中的各接触孔分别连接到半导体层12b的源极区域以及漏极区域。

此外，在本实施方式中，例示了顶栅型的第一TFT9a、第二TFT9b及第三TFT9c，但第一TFT9a、第二TFT9b及第三TFT9c也可以为底栅型的TFT。

如图4所示，电容器9d在各子像素P中与对应的第一TFT9a及电源线20a电连接。在此，如图3所示，电容器9d具备作为第一布线层设置的下层导电层14c、以覆盖下层导电层14c的方式设置的第一层间绝缘膜15、在第一层间绝缘膜15上以与下层导电层14c重叠的方式作为第二布线层设置的上层导电层16c。此外，上层导电层16c经由形成于第二层间绝缘膜17以及第一平坦化膜19a的接触孔(未图示)与电源线20a电连接。

第一平坦化膜19a和第二平坦化膜21a在显示区域D具有平坦的表面，例如，由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等有机树脂材料、或聚硅氧烷系的SOG(spin on glass)材料等构成。在此，如图3所示，在第一平坦化膜19a和第二平坦化膜21a之间，除了上述的电源线20a，还设置有中继电极20b作为第四布线层。

有机EL元件层40具备与多个子像素P对应地依次设置的多个第一电极31a、共用的边缘罩32a、多个有机EL层33以及共用的第二电极34。在此，在各子像素P中，第一电极31a、有机EL层33以及第二电极34构成了有机EL元件35(参照图4)，在有机EL元件层40中，多个有机EL元件35配置成矩阵状。

如图3所示，多个第一电极31a以与多个子像素P相对应的方式呈矩阵状设置在第二平坦化膜21a上。在此，如图3所示，在各子像素P中，第一电极31a经由形成在第一平坦化膜19a中的接触孔、中继电极20b及形成在第二平坦化膜21a中的接触孔，与各第三TFT9c的漏极18d电连接。此外，第一电极31a还具有将空穴(正孔)注入到有机EL层33中的功能。另外，为了提高对有机EL层33的空穴注入效率，第一电极31a更优选由功函数大的材料形成。此处，作为构成第一电极31a的材料，例如，例举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等金属材料。此外，构成第一电极31a的材料也可以是例如砹(At)/氧化砹(AtO₂)等的合金。进一步地，构成第一电极31a的材料例如也可以为氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。另外，第一电极31a也可以层叠多个由上述材料构成的层来形成。此外，作为功函数大的化合物材料，例如可举出铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。

如图3所示，边缘罩32a以覆盖各第一电极31a的周缘部的方式设置成格子状。在此，边缘罩32a例如由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等有机树脂材料、或聚硅氧烷系的SOG材料等构成。

如图3所示，多个有机EL层33配置在各第一电极31a上，并且以与多个子像素对应的方式设置成矩阵状。在此，如图5所示，各有机EL层33包括依次设置在第一电极31a上的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4及电子注入层5。

空穴注入层1还被称为阳极缓冲层，其使第一电极31a和有机EL层33的能级接近，具有改善从第一电极31a向有机EL层33的空穴注入效率的功能。在此，作为构成空穴注入层1的材料，例如可举出三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物等。

空穴传输层2具有提高空穴从第一电极31a向有机EL层33的传输效率的功能。在此，作为构成空穴传输层2的材料，例如可举出卟啉衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚-p-苯乙炔、聚硅烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、胺取代的查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。

发光层3是在对第一电极31a及第二电极34施加电压时，从第一电极31a及第二电极34分别注入空穴及电子，并且空穴和电子复合的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，作为构成发光层3的材料，例如可列举金属羟基喹啉化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并噁唑衍生物、噁二唑衍生物、噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯撑乙烯、聚硅烷等。

电子传输层4具有使电子高效率地迁移至发光层3的功能。此处，构成电子传输层4的材料例如可列举作为有机化合物的恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉化合物等。

电子注入层5接近第二电极34和有机EL层33的能级，具有提高从第二电极34向有机EL层33注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低有机EL元件的驱动电压。此外，电子注入层5还被称为阴极缓冲层。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如可举出氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF₂)、氟化钙(CaF₂)、氟化锶(SrF₂)、氟化钡(BaF₂)那样的无机碱化合物，以及氧化铝(Al₂O₃)、氧化锶(SrO)等。

第二电极34被设置成在多个有机EL层33上在多个子像素P中共用，即，如图3所示，覆盖各有机EL层33和边缘罩32a。另外，第二电极34具有向各有机EL层33注入电子的功能。此外，为了提高对有机EL层33的电子注入效率，第二电极34更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极34的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。此外，第二电极34例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO₂)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金形成。此外，第二电极34例如也可以由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。另外，第二电极34例如也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。此外，作为功函数小的材料，例如可举出镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。

如图3所示，密封膜40包括：以覆盖第二电极34的方式设置，且依次设置在第二电极34上的第一无机密封膜41、有机密封膜42以及第二无机密封膜43，并具有保护有机EL元件35的有机EL层33免受水分、氧影响的功能。此处，第一无机密封膜41和第二无机密封膜43例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜构成。另外，有机密封膜42例如由丙烯酸树脂、环氧树脂、硅酮树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等有机树脂材料构成。另外，在有机EL显示面板50a的边框区域F中，以包围显示区域D的方式设置为框状的用于抑制成为有机密封膜42的油墨扩散的第一阻挡壁，以包围该第一阻挡壁的方式设置为框状的第二阻挡壁。

另外，如图6所示，有机EL显示面板50a在边框区域F的芯片安装部M具备:芯片下电路部C，其以沿图中的横向延伸的方式设置为长方形；多个输出侧端子布线18tc以及多个输出侧端子布线18td，其以相互平行地延伸的方式设置于芯片下电路部C的显示区域D侧(图中的上侧)；以及多个输入侧端子布线18te，其以相互平行地延伸的方式设置于芯片下电路部C的端子部T侧(图中的下侧)。在此，如图6以及图7所示，多个输出侧端子布线18tc以及多个输出侧端子布线18td沿着芯片安装部M的延伸方向(图中的横向)交替地设置。另外，输出侧端子布线18tc、输出侧端子布线18td以及输入侧端子布线18te作为第三布线层设置。

另外，如图6所示，有机EL显示面板50a在边框区域F的芯片安装部M中具备：多个第一输出端子20c，其在芯片下电路部C的显示区域D侧以作为芯片用端子排成一列的方式设置在显示区域D侧(图中的上侧)；多个第二输出端子20d，在芯片下电路部C的显示区域D侧以作为芯片用端子排成一列的方式设置在端子部T侧(图中的下侧)；以及多个输入端子20e，在芯片下电路部C的端子部T侧(图中的下侧)以作为芯片用端子排成一列的方式设置。在此，如图6以及图7所示，多个第一输出端子20c以及多个第二输出端子20d沿着芯片安装部M的延伸方向(图中的横向)交错状地交替设置。此外，第一输出端子20c、第二输出端子20d以及输入端子20e作为第四布线层设置。另外，如图8所示，多个第一输出端子20c在多个输出侧端子布线18tc上分别层叠设置，分别与多个输出侧端子布线18tc电连接。另外，多个第二输出端子20d分别层叠设置在多个输出侧端子布线18td上，分别与多个输出侧端子布线18td电连接。另外，多个输入端子20e在多个输入侧端子布线18te上分别层叠设置，分别与多个输入侧端子布线18te电连接。

另外，如图6所示，有机EL显示面板50a在边框区域F的芯片安装部M种具备芯片支承体Sa，其对于多个第一输出端子20c、多个第二输出端子20d以及多个输入端子20e的各芯片用端子，以与对应于该芯片用端子的输出侧端子布线18tc、输出侧端子布线18td以及输入侧端子布线18te或其端子布线的延长线E重叠的方式，按每个端子布线呈岛状设置。在此，如图8所示，芯片支承体Sa具备:利用与第一平坦化膜19a相同的材料形成在同一层上的下层树脂层19b；以及设置在下层树脂层19b上，利用与第二平坦化膜21a相同的材料形成在同一层上的上层树脂层21b。另外，如图6以及图7所示，芯片支承体Sa相对于各第一输出端子20c设置在第一输出端子20c的显示区域D侧(图中的上侧)，并且相对于各第二输出端子20d设置在第二输出端子20d的端子部T侧(图中的下侧)。此外，如图6所示，对于每一输入端子20e，夹着输入端子20e设置一对芯片支承体Sa。此外，在本实施方式中，例示了对于各芯片用端子设置有芯片支承体Sa的芯片支承体的配置例，但芯片支承体Sa也可以对多个芯片用端子的至少一个设置。

如图8所示，在集成电路芯片60的背面设置有多个凸块61。在此，如图7所示，在有机EL显示面板50a的边框区域F的芯片安装部M设置的多个第一输出端子20c、多个第二输出端子20d以及多个输入端子20e的多个芯片用端子设置为与多个凸块61对应。此外，如图7及图8所示，多个芯片用端子(第一输出端子20c、第二输出端子20d、输入端子20e)与多个凸块61之间经由各向异性导电膜65，具体地经由各向异性导电膜65中的导电性粒子64分别电连接。在此，如图8所示，各向异性导电膜65例如具备由热固化性树脂构成的树脂材料63和分散在树脂材料63中的导电性粒子64。

柔性印刷布线基板(FPC:flexible printed circuits)55通过各向异性导电膜65安装在端子部T上。

在上述的有机EL显示装置70a中，在各子像素P中，通过经由栅极线14g向第一TFT9a输入栅极信号，第一TFT9a成为导通状态，第二TFT9b的栅电极14g及电容器9d经由源极线18f被写入与源极信号对应的规定的电压，并在经由发光控制线14e向第三TFT9c输入发光控制信号时，第三TFT9c成为导通状态，与第二TFT9b的栅极电压对应的电流由电源线20a供给到有机EL层33，由此，有机EL层33的发光层3发光，并进行图像显示。另外，在有机EL显示装置70a中，即使第一TFT9a成为关闭状态，由于第二TFT9b的栅极电压由电容器9d保持，因此，发光层3的发光也被各像素P维持，直到输入下一帧的栅极信号。

接着，说明本实施方式的有机EL显示装置70a的制造方法。此外，本实施方式的有机EL显示装置70a的制造方法具备TFT层形成工序、有机EL元件层形成工序以及密封膜形成工序。

～有机EL显示面板制作工序～

<TFT层形成工序>

首先，例如，在玻璃基板上涂布了非感光性的聚酰亚胺树脂(厚度10μm左右)后，通过对该涂布膜进行预烘烤及后烘烤，从而形成柔性基板层6。

之后，通过例如等离子体CVD法在形成有柔性基板层10的基板表面上依次形成氧化硅膜(厚度500nm左右)和氮化硅膜(厚度100nm左右)，从而形成底涂膜11。

接着，通过等离子体CVD法，在形成有底涂膜11的基板表面上将例如非晶硅膜(厚度为50nm左右)成膜，通过激光退火等使非晶硅膜结晶化从而形成多晶硅膜的半导体膜后，对该半导体膜进行图案化形成半导体层12a等的半导体图案层。

之后，通过例如等离子体CVD法，在形成有半导体图案层的基板表面上将氧化硅膜等无机绝缘膜(100nm左右)成膜，以形成覆盖半导体层12a的栅极绝缘膜13。

进而，在形成有栅极绝缘膜13的基板表面上，例如通过溅射法形成钼膜(厚度250nm左右)后，对该钼膜进行图案化，形成栅极线14g等第一布线层。

接着，通过将上述第一布线层作为掩模，掺杂杂质离子，由此在半导体层12a中形成本征区域和导体区域。

然后，通过利用例如等离子体CVD法，在具有本征区域和导体区域的半导体层12a等的基板表面上将氧化硅膜等无机绝缘膜(厚度100nm左右)成膜，从而形成第一层间绝缘膜15。

接着，例如利用溅射法在形成有第一层间绝缘膜15的基板表面将钼膜(厚度250nm左右)成膜后，将该钼膜图案化，形成上层导电层16c等第二布线层。

进而，通过例如等离子体CVD法在形成有上述第二布线层的基板表面上依次成膜氧化硅膜(厚度300nm左右)和氮化硅膜(厚度200nm左右)，从而形成第二层间绝缘膜17。

然后，通过对栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17进行图案化，从而形成接触孔。

然后，在形成有上述接触孔的基板表面上，例如通过溅射法依次成膜钛膜(厚度50nm左右)、铝膜(厚度600nm左右)及钛膜(厚度50nm左右)后，将这些金属层叠膜图案化，形成源极线18f等的第三布线层。

进一步，利用例如旋涂法或狭缝涂布法，在形成有第三布线层的基板表面上涂布了感光性聚酰亚胺树脂(厚度2.5μm左右)后，通过对该涂布膜进行预烘烤、曝光、显影及后烘烤，从而形成第一平坦化膜19a、下层树脂层19b。

然后，利用例如溅射法，在形成有第一平坦化膜19a的基板表面上依次将钛膜(厚度50nm左右)、铝膜(厚度600nm左右)及钛膜(厚度50nm左右)等成膜后，对这些金属层叠膜进行图案化，以形成电源线20a等的第四布线层。

最后，利用例如旋涂法或狭缝涂布法，在形成有第四布线层的基板表面上涂布了聚酰亚胺类的感光性树脂膜(厚度2.5μm左右)后，通过对该涂布膜进行预烘烤、曝光、显影及后烘烤，从而形成第二平坦化膜21a、上层树脂层21b。

如上所述，能够制造TFT层30。

<有机EL元件形成工序>

通过使用已知的方法，在上述TFT层形成工序中所形成的TFT层30的第二平坦化膜21a上形成第一电极31、边缘罩32、有机EL层33(空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4、电子注入层5)和第二电极34来形成有机EL元件40。

<密封膜形成工序>

首先，在上述有机EL元件层形成工序中形成的形成有有机EL元件层40的基板表面上，使用掩模，通过等离子体CVD法使例如氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜成膜，从而形成第一无机密封膜41。

接着，例如利用喷墨法在形成有第一无机密封膜41的基板表面上成膜丙烯酸树脂等有机树脂材料，以形成有机密封膜42。

之后，使用掩模，例如利用等离子体CVD法在形成有有机密封膜42的基板表面上成膜氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜，并通过形成第二无机密封膜43来形成密封膜45。

进一步，在形成有密封膜45的基板表面上贴附了表面侧的保护片(未图示)之后，通过从柔性基板层10的玻璃基板侧照射激光，从而使玻璃基板从柔性基板层10的下表面剥离，进一步地，在剥离了玻璃基板的柔性基板层10的下表面贴附里面侧的保护片(未图示)。

如上所述，能够制作有机EL显示面板50a。

-安装工序-

首先，通过对在上述有机EL显示面板制作工序中制作的有机EL显示面板50a的表面侧的保护片例如照射激光，局部地去除保护片，使芯片安装部M和端子部T露出。

接着，将各向异性导电膜65临时固定于芯片安装部M和端子部T。

而且，在将集成电路芯片60及柔性印刷布线基板55分别与芯片安装部M及端子部T对位后，通过压接工具分别按压集成电路芯片60及柔性印刷布线基板55，将集成电路芯片60及柔性印刷布线基板55分别安装于芯片安装部M及端子部T。

如上所述，能够制造本实施方式的有机EL显示装置70a。

如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置70a，在边框区域F的芯片安装部M中，对于多个第一输出端子20c、多个第二输出端子20d以及多个输入端子20e的各芯片用端子，以与对应于该芯片用端子的输出侧端子布线18tc、输出侧端子布线18td以及输入侧端子布线18te或其端子布线的延长线E重叠的方式，按每个端子布线呈岛状设置芯片支承体Sa。由此，导电性粒子64不易在与芯片支承体Sa并排配置的凸块61之间凝聚，因此，能够抑制由于导电性粒子64的连结而导致相邻的端子间的短路，能够抑制芯片安装部M的端子间的短路。

另外，根据本实施方式的有机EL显示装置70a，在边框区域F的芯片安装部M中，在多个第一输出端子20c、多个第二输出端子20d以及多个输入端子20e的各芯片用端子的附近设置有芯片支承体Sa，因此能够抑制安装工序中集成电路芯片60的各凸块61附近的有机EL显示面板50a的挠曲。由此，能够抑制在有机EL显示面板50a的底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17中产生裂纹，并且能够抑制设置在第二层间绝缘膜17上的输出侧端子布线18tc、输出侧端子布线18td及输入侧端子布线18te的断线。

《第二实施方式》

图9至图11示出了本发明所涉及的显示装置的第二实施方式。在此，图9是构成本实施方式的有机EL显示装置70b的有机电致发光显示面板50b的边框区域F的芯片安装部M及其周围的俯视图，是相当于图6的图。另外，图10是将构成本实施方式的有机EL显示装置70b的有机EL显示面板50b的边框区域F的芯片安装部M放大的俯视图，是相当于图7的图。另外，图11是沿着图10中的XI-XI线的有机EL显示装置70b的剖视图。此外，在以下的各实施方式中，对与图1至图8相同的部分标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。

在上述第一实施方式中，例示了具备两层结构的芯片支承体Sa的有机EL显示装置70a，但在本实施方式中，例示了具备三层结构的芯片支承体Sb的有机EL显示装置70b。

有机EL显示装置70b与上述第一实施方式的有机EL显示装置70a同样，具备有机EL显示面板50b、安装在有机EL显示面板50b的芯片安装部M上的集成电路芯片60，以及安装在有机EL显示面板50b的端子部T上的柔性印刷电路板55。

与上述第一实施方式的有机EL显示面板50a同样地，例如有机EL显示面板50b设置为矩形状并进行图像显示的显示区域D、设置在显示区域D的周围并设置为框状的边框区域F。

另外，与上述第一实施方式的有机EL显示面板50a同样地，有机EL显示面板50b包括柔性基板层10、设置在柔性基板层10上的TFT层30、设置在TFT层30上的有机EL元件层40、以覆盖有机EL元件层40的方式设置的密封膜45。

另外，如图9所示，有机EL显示面板50b在边框区域F的芯片安装部M具备:芯片下电路部C，其以沿图中的横向延伸的方式设置为长方形；多个输出侧端子布线18tc以及多个输出侧端子布线18td，其以相互平行地延伸的方式设置于芯片下电路部C的显示区域D侧(图中的上侧)；以及多个输入侧端子布线18te，其以相互平行地延伸的方式设置于芯片下电路部C的端子部T侧(图中的下侧)。

另外，如图9所示，有机EL显示面板50b在边框区域F的芯片安装部M中具备：多个第一输出端子20f，其在芯片下电路部C的显示区域D侧以作为芯片用端子排成一列的方式设置在显示区域D侧(图中的上侧)；多个第二输出端子20g，在芯片下电路部C的显示区域D侧以作为芯片用端子排成一列的方式设置在端子部T侧(图中的下侧)；以及多个输入端子20h，在芯片下电路部C的端子部T侧(图中的下侧)以作为芯片用端子排成一列的方式设置。在此，如图9以及图10所示，多个第一输出端子20f以及多个第二输出端子20g沿着芯片安装部M的延伸方向(图中的横向)交错状地交替设置。此外，第一输出端子、第二输出端子20g以及输入端子20h作为第四布线层设置。另外，如图11所示，多个第一输出端子在多个输出侧端子布线18tc上分别层叠设置，分别与多个输出侧端子布线18tc电连接。另外，多个第二输出端子20g分别层叠设置在多个输出侧端子布线18td上，分别与多个输出侧端子布线18td电连接。另外，多个输入端子20h在多个输入侧端子布线18te上分别层叠设置，分别与多个输入侧端子布线18te电连接。

另外，如图9所示，有机EL显示面板50b在边框区域F的芯片安装部M种具备芯片支承体Sb，其对于多个第一输出端子20f、多个第二输出端子20g以及多个输入端子20h的各芯片用端子，以与对应于该芯片用端子的输出侧端子布线18tc、输出侧端子布线18td以及输入侧端子布线18te重叠的方式，按每个端子布线呈岛状设置。在此，如图11所示，芯片支承体Sb具备:利用与第一平坦化膜19a相同的材料形成在同一层上的下层树脂层19b；以及设置在下层树脂层19b上的金属层20fe；以及设置在金属层20fe之上，利用与第二平坦化膜21a相同的材料形成在同一层上的上层树脂层21b。此外，金属层20fe是第一输出端子20f延长的部分。另外，如图9以及图10所示，芯片支承体Sa相对于各第一输出端子20f设置在第一输出端子20f的显示区域D侧(图中的上侧)，并且相对于各第二输出端子20g设置在第二输出端子20g的端子部T侧(图中的下侧)。另外，如图9所示，芯片支承体Sb相对于各输入端子20h在输入端子20h的显示区域D侧(图中的上侧)及端子部T侧(图中的下侧)设置有一对。此外，在本实施方式中，例示了对于各芯片用端子设置有芯片支承体Sb的芯片支承体的配置例，但芯片支承体Sb也可以对多个芯片用端子的至少一个设置。

如图11所示，在集成电路芯片60的背面设置有多个凸块61。在此，如图10所示，在有机EL显示面板50b的边框区域F的芯片安装部M设置的多个第一输出端子20f、多个第二输出端子20g以及多个输入端子20h的多个芯片用端子设置为与多个凸块61对应。此外，如图10及图11所示，多个芯片用端子(第一输出端子20f、第二输出端子20g、输入端子20h)与多个凸块61之间经由各向异性导电膜65，具体地经由各向异性导电膜65中的导电性粒子64分别电连接。

上述的有机EL显示装置70b构成为，具有与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a相同的可挠性，并且在每个子像素中，通过第一TFT9a和第二TFT9b使有机EL层33的发光层3适当地发光来进行图像显示。

本实施方式的有机EL显示装置70b可以通过如下方式制造：在上述第一实施方式的有机EL显示装置70a的制造方法中，改变在第四布线层的图案形状。

如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置70b，在边框区域F的芯片安装部M中，对于多个第一输出端子20f、多个第二输出端子20g以及多个输入端子20h的各芯片用端子，以与对应于该芯片用端子的输出侧端子布线18tc、输出侧端子布线18td以及输入侧端子布线18te重叠的方式，按每个端子布线呈岛状设置芯片支承体Sb。由此，导电性粒子64不易在与芯片支承体Sb并排配置的凸块61之间凝聚，因此，能够抑制由于导电性粒子64的连结而导致相邻的端子间的短路，能够抑制芯片安装部M的端子间的短路。

另外，根据本实施方式的有机EL显示装置70b，芯片支承体Sb的高度增大第一输出端子20f、第二输出端子20g以及输入端子20h的厚度的量，因此能够提高各向异性导电膜65中的导电性粒子64的分散效果。由此，导电性粒子64更不易在与芯片支承体Sa并排配置的凸块61之间凝聚，因此，更能够抑制由于导电性粒子64的连结而导致相邻的端子间的短路，更能够抑制芯片安装部M的端子间的短路。

另外，根据本实施方式的有机EL显示装置70b，在边框区域F的芯片安装部M中，在多个第一输出端子20f、多个第二输出端子20g以及多个输入端子20h的各芯片用端子的附近设置有芯片支承体Sb，因此能够抑制安装工序中集成电路芯片60的各凸块61附近的有机EL显示面板50b的挠曲。由此，能够抑制在有机EL显示面板50b的底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17中产生裂纹，并且能够抑制设置在第二层间绝缘膜17上的输出侧端子布线18tc、输出侧端子布线18td及输入侧端子布线18te的断线。

另外，根据本实施方式的有机EL显示装置70b，芯片支承体Sb的高度增大第一输出端子20f、第二输出端子20g以及输入端子20h的厚度的量，因此能够进一步抑制安装工序中的集成电路芯片60的各凸块61附近的有机EL显示面板50b的挠曲。由此，更能够抑制在有机EL显示面板50a的底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17中产生裂纹，并且更能够抑制设置在第二层间绝缘膜17上的输出侧端子布线18tc、输出侧端子布线18td及输入侧端子布线18te的断线。

《第三实施方式》

图12以及图13示出了本发明涉及的显示装置的第三实施方式。在此，图12是将构成本实施方式的有机EL显示装置的有机EL显示面板50c的边框区域F的芯片安装部M放大的俯视图，是相当于图7的图。另外，图13是有机EL显示面板50c的变形例即有机EL显示面板50d的剖视图，是与图12相当的图。

在上述第一实施方式中，例示了有机EL显示装置70a，其具备在俯视观察时设有两级结构的第一输出端子20c以及第二输出端子20d的有机EL显示面板50a，但在本实施方式中，例示具备在俯视观察时设有三级结构的第一输出端子20c、第二输出端子20d以及第三输出端子20i的有机EL显示面板50c的有机EL显示装置。此外，在本实施方式中，例示了有机EL显示装置，其具备在俯视观察时设有3段结构的第一输出端子20c、第二输出端子20d及第三输出端子20i的有机EL显示面板50c，但也可以是具备在俯视观察下设有4段以上结构的输出端子的有机EL显示面板的有机EL显示装置。

本实施方式的有机EL显示装置与上述第一实施方式的有机EL显示装置70a同样，具备有机EL显示面板50c、安装在有机EL显示面板50c的芯片安装部M上的集成电路芯片60，以及安装在有机EL显示面板50c的端子部T上的柔性印刷电路板55。

与上述第一实施方式的有机EL显示面板50a同样地，例如有机EL显示面板50c设置为矩形状并进行图像显示的显示区域D、设置在显示区域D的周围并设置为框状的边框区域F。

另外，与上述第一实施方式的有机EL显示面板50a同样地，有机EL显示面板50c包括柔性基板层10、设置在柔性基板层10上的TFT层30、设置在TFT层30上的有机EL元件层40、以覆盖有机EL元件层40的方式设置的密封膜45。

另外，有机EL显示面板50c在边框区域F的芯片安装部M中具备:芯片下电路部C；以在芯片下电路部C的显示区域D侧相互并行延伸的方式分别设置多个输出侧端子布线18tc、多个输出侧端子布线18td以及多个输出侧端子布线18ti(参照图12)；以及以在芯片下电路部C的端子部T侧相互平行(并行)延伸的方式设置的多个输入侧端子布线18te(参照图6)。在此，如图12所示，各输出侧端子布线18ti设置为与各输出侧端子布线18tc以及各输出侧端子布线18td相邻。另外，输出侧端子布线18ti、输出侧端子布线18tc以及输出侧端子布线18td作为第三布线层设置。

另外，有机EL显示面板50c在边框区域F的芯片安装部M中，包括:多个第一输出端子20c，在芯片下电路部C的显示区域D侧，以沿着芯片下电路部C的显示区域D侧的长边排成一列的方式设置在显示区域D侧作为芯片用端子；多个第二输出端子20d，在芯片下电路部C的显示区域D侧，以沿着芯片下电路部C的显示区域D侧的长边排成一列的方式设置在端子部T侧作为芯片用端子；多个第三输出端子20i(参照图12)，在芯片下电路部C的显示区域D侧，以沿着芯片下电路部C的显示区域D侧的长边排成一列的方式设置在多个第一输出端子20c及多个第二输出端子20d之间；以及多个输入端子20e，在芯片下电路部C的端子部T侧，以沿芯片下电极部C的端子部T侧的长边排成一列的方式设置作为芯片用端子。在此，如图12所示，多个第一输出端子20c、多个第三输出端子20i及多个第二输出端子20d按照第一输出端子20c、第三输出端子20i及第二输出端子20d的顺序重复配置。此外，第三输出端子20i与第一输出端子20c以及第二输出端子20d等同样地，作为第四布线层设置。另外，多个第三输出端子20i分别层叠设置在多个输出侧端子布线18ti上，分别与多个输出侧端子布线18ti电连接。并且，多个第三输出端子20i与多个第一输出端子20c及多个第二输出端子20d同样地，被设置为与集成电路芯片60的背面的多个凸块61对应，经由各向异性导电膜65与多个凸块61电连接。

另外，如图12所示，有机EL显示面板50c在边框区域F的芯片安装部M种具备芯片支承体Sa，其对于多个第一输出端子20c、多个第二输出端子20d以及多个输入端子20e的各芯片用端子，以与对应于该芯片用端子的输出侧端子布线18tc、输出侧端子布线18td以及输入侧端子布线18te或其端子布线的延长线E重叠的方式，按每个端子布线呈岛状设置。此外，芯片支承体Sa如图12所示那样未设置于多个第三输出端子20i的各芯片用端子。另外，如图12所示，芯片支承体Sa相对于各第一输出端子20c设置在第一输出端子20c的显示区域D侧(图中的上侧)，并且相对于各第二输出端子20d设置在第二输出端子20d的端子部T侧(图中的下侧)。此外，对于每一输入端子20e，夹着输入端子20e设置一对芯片支承体Sa(参照图6)。

另外，在第三输出端子20i与第一输出端子20c及第二输出端子20d的间隔相对窄的本实施方式中，例示了不在多个第三输出端子20i设置芯片支承体的有机EL显示面板50c，但也可以是如图13所示的有机EL显示面板50d。具体而言，在有机EL显示面板50d中，如图13所示，第三输出端子20i与第一输出端子20c及第二输出端子20d的间隔被设计成相对较宽(例如45μm左右)，在第三输出端子20i与第一输出端子20c及第二输出端子20d之间，多个芯片支承体Sc设置为岛状。在此，如图13所示，配置于第三输出端子20i的图中的上侧以及下侧的芯片支承体Sc相对于第三输出端子20i设置，以与对应于第三输出端子20i的输出侧端子布线18ti重叠的方式对每个端子布线设置。另外，如图13所示，在第一输出端子20c的图中配置于下侧的芯片支承体Sc对第一输出端子20c设置，并以与第一输出端子20c对应的输出侧端子布线18tc重叠的方式对每个端子布线设置。另外，如图3所示，第二输出端子20d的图中的配置在上侧的芯片支承体Sc相对于第二输出端子20d设置，以与对应于第二输出端子20d的输出侧端子布线18td重叠的方式针对每个端子布线设置。

与上述第一实施方式的芯片支承体Sa相同，芯片支承体Sc具备:利用与第一平坦化膜19a相同的材料形成在同一层上的下层树脂层19b；以及设置在下层树脂层19b上，利用与第二平坦化膜21a相同的材料形成在同一层上的上层树脂层21b。

具备上述有机EL显示面板50c的本实施方式的有机EL显示装置70a与上述第一实施方式的有机EL显示装置70a同样地具有可挠性，并且在每个子像素P中，通过第一TFT9a、第二TFT9b以及第三TFT9c使有机EL层33的发光层3适当地发光来进行图像显示。

此外，在本实施方式中，虽然例示了如上述第一实施方式那样将芯片支承体Sa与第一输出端子20c、第二输出端子20d以及输入端子20e分开设置的有机EL显示面板50c，但也可以如上述第二实施方式那样将芯片支承体Sa(Sb)与第一输出端子20c(20f)、第二输出端子20d(20g)以及输入端子20e(20h)设置为一体。

具备本实施方式的有机EL显示面板50c的有机EL显示装置，在上述第一实施方式的有机EL显示装置70a的制造方法中，能够通过变更第二布线层、第四布线层、下层树脂层19b以及上层树脂层21b的图案形状来制造。

如以上说明的那样，根据本实施方式的具备有机EL显示面板50c的有机EL显示装置，在边框区域F的芯片安装部M中，对于多个第一输出端子20c、多个第二输出端子20d以及多个输入端子20e的各芯片用端子，以与对应于该芯片用端子的输出侧端子布线18tc、输出侧端子布线18td以及输入侧端子布线18te或其端子布线的延长线E重叠的方式，按每个端子布线呈岛状设置芯片支承体Sa。由此，导电性粒子64不易在与芯片支承体Sa并排配置的凸块61之间凝聚，因此，能够抑制由于导电性粒子64的连结而导致相邻的端子间的短路，能够抑制芯片安装部M的端子间的短路。

另外，根据本实施方式的具备有机EL显示面板50c的有机EL显示装置，在边框区域F的芯片安装部M中，在多个第一输出端子20c、多个第二输出端子20d以及多个输入端子20e的各芯片用端子的附近设置有芯片支承体Sa，因此能够抑制安装工序中集成电路芯片60的各凸块61附近的有机EL显示面板50c的挠曲。由此，能够抑制在有机EL显示面板50c的底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17中产生裂纹，并且能够抑制设置在第二层间绝缘膜17上的输出侧端子布线18tc、输出侧端子布线18td、输出侧端子布线18ti及输入侧端子布线18te的断线。

[其他实施方式]

在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层的五层层叠构造的有机EL层，但有机EL层例如也可以为空穴注入层兼空穴传输层、发光层及电子传输层兼电子注入层的三层层叠构造。

另外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极设为阳极、第二电极设为阴极的有机EL显示装置，但本发明还能够适用于使有机EL层的层叠结构反转，且将第一电极设为阴极，将第二电极设为阳极的有机EL显示装置。

另外，在上述各实施方式中，例示了将与第一电极连接的TFT的电极设为漏极电极的有机EL显示装置，但本发明还能够适用于将与第一电极连接的TFT的电极称为源电极的有机EL显示装置。

另外，在上述各实施方式中，作为显示装置，列举了有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明可适用于具有多个由电流驱动的发光元件的显示装置，例如，具有QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode，量子点发光二极管)的显示装置，该QLED是使用了量子点含有层的发光元件。

产业上的实用性

如以上说明，本发明可用于柔性的显示装置。

附图标记说明

D 显示区域

E 延长线

F 边框区域

M 芯片安装部

P 子像素

Sa、Sb、Sc芯片支承体

T 端子部

10 柔性基板层

18tc、18td、18ti输出侧端子布线

18te输入侧端子布线

19a 第一平坦化膜

19b 下层树脂层

20a电源线(布线层)

20b中继电极(布线层)

20c、20f第一输出端子(芯片用端子)

20d、20g第二输出端子(芯片用端子)

20e、20h输入端子(芯片端子)

20fe金属层

20i第三输出端子(芯片用端子)

21a 第二平坦化膜

21b 上层树脂层

30TFT层(薄膜晶体管层)

35有机EL元件(有机电致发光元件、发光元件)

40有机EL元件层(发光元件层)

41 第一无机密封膜

42 有机密封膜

43 第二无机密封膜

45 密封膜

50a、50b有机EL显示面板

55 柔性印刷电路板

60 集成电路芯片

61 凸块

64 导电性粒子

65 各向异性导电膜

70a、70b有机EL显示装置

Claims (15)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

柔性基板层；

薄膜晶体管层，设置在所述柔性基板层上；以及

发光元件层，设置在所述薄膜晶体管层上，与构成显示区域的多个子像素对应地排列有多个发光元件，

在所述显示区域的周围设置有边框区域，

端子部以沿一方向延伸的方式设置于所述边框区域的端部，

在所述显示区域以及所述端子部之间设置有芯片安装部，

在所述芯片安装部设有排成一列的多个芯片用端子，以及与该多个芯片用端子对应地相互并行地延伸并与该多个芯片用端子电连接的多个端子布线，

在所述芯片安装部中，对所述多个芯片用端子的至少一个，以与对应于该芯片用端子的所述端子布线或该端子布线的延长线重叠的方式在每个该端子布线上设置芯片支承体。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述薄膜晶体管层包括在所述柔性基板层上依次层叠的第一平坦化膜、布线层和第二平坦化膜，

所述芯片支承体包括:下层树脂层，由与所述第一平坦化膜相同的材料形成在同一层上；以及上层树脂层，设置在该下层树脂层上，由与所述第二平坦化膜相同的材料形成在同一层上。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述芯片支承体包括在所述下层树脂层和所述上层树脂层之间由与所述布线层相同的材料形成在同一层上的金属层。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述金属层是延长所述芯片用端子形成的。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述芯片安装部设置为在俯视时为长方形，使得长边沿着所述端子部的延伸方向延伸，

在所述芯片安装部中，在所述显示区域侧设置有多个输出端子以及在所述端子部侧设置有多个输入端子作为所述多个芯片用端子，

对于所述多个输入端子的至少一个，夹着该输入端子设置有一对所述芯片支承体。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于:

在所述芯片安装部中，以交错状交替设置有在所述显示区域侧的第一输出端子以及在所述端子部侧的多个第二输出端子作为所述多个输出端子，

所述芯片支承体相对于所述多个第一输出端子中的至少一个设置在该第一输出端子的所述显示区域侧，并且相对于所述多个第二输出端子中的至少一个设置在该第二输出端子的所述端子部侧。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的显示装置，其特征在于，所述芯片支承体对于所述各芯片用端子设置。

8.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，

在所述芯片安装部中，设有多个第一输出端子、多个第二输出端子以及多个第三输出端子作为所述多个输出端子，该多个第一输出端子在所述显示区域侧排成一列，该多个第二输出端子在所述端子部侧排成一列，该多个第三输出端子在所述多个第一输出端子和所述多个第二输出端子之间排成一列，

所述多个第一输出端子、所述多个第三输出端子和所述多个第二输出端子沿着所述芯片安装部的长边按照所述第一输出端子、该第三输出端子和该第二输出端子的顺序重复配置。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，

对于所述多个第一输出端子中的至少一个，所述芯片支承体设置在该第一输出端子的所述显示区域侧；对于所述多个第二输出端子中的至少一个，所述芯片支承体设置在该第二输出端子的所述端子部侧。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，

对于所述多个第一输出端子中的至少一个，所述芯片支承体设置在该第一输出端子的所述端子部侧；对于所述多个第二输出端子中的至少一个，所述芯片支承体设置在该第二输出端子的所述显示区域侧；对于所述多个第三输出端子中的至少一个，所述芯片支承体设置在该第三输出端子的所述显示区域侧和所述端子部侧。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的显示装置，其特征在于，在所述芯片安装部上，集成电路芯片经由各向异性导电膜被安装。

12.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，包括:

在所述集成电路芯片的背面上，以与所述多个芯片用端子对应的方式设置有多个凸块，

在所述各向异性导电膜中含有导电性粒子，

所述多个凸块与所述多个芯片用端子分别经由所述导电性粒子电连接。

13.根据权利要求1至12中的任一项所述的显示装置，其特征在于，在所述端子部中安装有柔性印刷布线基板。

14.根据权利要求1至13中的任一项所述的显示装置，其特征在于，还包括密封膜，所述密封膜以覆盖所述发光元件层的方式设置，且由第一无机密封膜、有机密封膜以及第二无机密封膜依次层叠而成。

15.根据权利要求1至14中的任一项所述的显示装置，其特征在于，各所述发光元件是有机电致发光元件。