CN104538423B - Oled显示器件及其制造方法 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
本发明提供一种OLED显示器件及其制造方法。该OLED显示器件包括：基板(100)；设于基板(100)上的多个相互间隔且呈阵列式排布的第一电极(200)；设于基板(100)上且位于每相邻两个第一电极(200)之间的像素阻隔层(300)；每一像素阻隔层(300)的中部具有一凹槽(310)，该凹槽(310)贯穿所述像素阻隔层(300)；设于所述第一电极(200)与像素阻隔层(300)上的OLED有机材料层(400)；所述OLED有机材料层(400)在所述凹槽(310)处断开；及设于所述OLED有机材料层(400)上的第二电极(500)；所述第二电极(500)同样在所述凹槽(310)处断开。该OLED显示器件能够抑制因泄露电流而产生的泄露发射光，减少短路缺陷，提高OLED显示器件的可靠性，改善OLED显示器件的显示质量。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示器件及其制造方法。
背景技术
近年来，液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)器和有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode，OLED)显示器等平板显示器已经逐步取代CRT显示器，成为显示器市场中的主流产品。其中，OLED显示器具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示器。
OLED显示器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED显示器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
近年来，随着显示器的分辨率变高，像素的分辨率(ppi)增加，而像素之间的间隔逐渐减小。另外，近来随着用于OLED显示器件的发光材料的效率提高，能够通过低电流和低电压实现高亮度，从而能够降低功耗。然而，也因为用于OLED显示器件的发光材料的高效率，在通过少量电流的情况下即可发光，所以由从一个像素泄漏到另一个相邻像素的极少量的电流就可能导致上述高效率的发光材料发光，造成不应发光的相邻像素常常会发光。因泄漏电流而发射的光被称为泄漏发射光。如果产生了泄漏发射光，就会产生颜色混合并改变颜色坐标。此外，当由于泄漏电流而导致的泄漏发光在低亮度区中产生时，黑色亮度会增加。
针对上述问题，可以采用降低发光材料的效率或者降低显示装置的分辨率的方法来抑制泄漏发射光。然而，由于用户对于低功率/高分辨率的产品的需求不断增加，因而，必须在不降低发光材料的效率或者不降低显示装置的分辨率的情况下解决泄漏发射光的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示器件，能够在不降低发光材料的效率或者不降低显示装置的分辨率的情况下抑制因泄露电流而产生的泄露发射光，减少短路缺陷，提高OLED显示器件的可靠性，改善OLED显示器件的显示质量。
本发明的目的还在于提供一种OLED显示器件的制造方法，该制造方法不会造成第一辅助发光层的破坏，减少界面问题，能够在不降低发光材料的效率或者不降低显示装置的分辨率的情况下解决泄漏发射光的问题，减少短路缺陷，提高OLED显示器件的可靠性，改善OLED显示器件的显示质量。
为实现上述目的，本发明提供一种OLED显示器件，包括：
基板；
设于所述基板上的多个相互间隔且呈阵列式排布的第一电极；
设于所述基板上且位于每相邻两个第一电极之间的像素阻隔层；所述像素阻隔层高出所述第一电极，并覆盖所述第一电极的部分上表面；每一像素阻隔层的中部具有一凹槽，该凹槽贯穿所述像素阻隔层；每相邻两个像素阻隔层限定出的区域为一个像素区域；
设于所述第一电极与像素阻隔层上的OLED有机材料层；所述OLED有机材料层在所述凹槽处断开；
及设于所述OLED有机材料层上的第二电极；所述第二电极同样在所述凹槽处断开。
所述像素阻隔层的材料为绝缘材料。
所述OLED有机材料层包括：第一辅助发光层、第二辅助发光层、及设于第一、第二辅助发光层之间的发光层。
所述凹槽内具有：设于所述基板上的第一辅助发光层、设于所述第一辅助发光层上的第二辅助发光层、设于所述第二辅助发光层上的第二电极；所述凹槽的深度足够容纳位于其内的第一辅助发光层、第二辅助发光层、及第二电极，从而位于所述凹槽内最上层的第二电极仍低于该凹槽的上表面。
所述发光层包括依次循环排列的红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层。
所述第一电极为阳极或阴极，相应的，所述第二电极为阴极或阳极。
所述第一辅助发光层包括空穴注入层与空穴传输层、或电子注入层与电子传输层，相应的，所述第二辅助发光层包括电子注入层与电子传输层、或空穴注入层与空穴传输层。
本发明还提供一种OLED显示器件的制造方法，包括以下步骤：
步骤1、提供一基板，在所述基板上形成第一电极层，对所述第一电极层进行图案化处理，形成多个相互间隔且呈阵列式排布的第一电极；
步骤2、在所述基板上于每相邻两个第一电极之间形成一个像素阻隔层，对每一像素阻隔层进行图案化处理，在其中部形成贯穿所述像素阻隔层的凹槽；
所述像素阻隔层高出所述第一电极，并覆盖所述第一电极的部分上表面；每相邻两个像素阻隔层限定出的区域为一个像素区域；
步骤3、在所述第一电极与像素阻隔层上依次形成第一辅助发光层、发光层、及第二辅助发光层，所述第一、第二辅助发光层及夹设于二者之间的发光层构成OLED有机材料层；同时在所述凹槽内依次形成设于所述基板上的第一辅助发光层、设于所述第一辅助发光层上的第二辅助发光层；
位于所述第一电极与像素阻隔层上的第一、第二辅助发光层与位于所述凹槽内的第一、第二辅助发光层在所述凹槽处自然断开；
步骤4、在所述第二辅助发光层上形成第二电极，所述第二电极同样在所述凹槽处自然断开；
所述凹槽的深度足够容纳位于其内的第一辅助发光层、第二辅助发光层、及第二电极，从而位于所述凹槽内最上层的第二电极仍低于该凹槽的上表面。
所述像素阻隔层的材料为绝缘材料。
所述发光层包括依次循环排列的红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层；
所述第一电极为阳极或阴极，相应的，所述第二电极为阴极或阳极；
所述第一辅助发光层包括空穴注入层与空穴传输层、或电子注入层与电子传输层，相应的，所述第二辅助发光层包括电子注入层与电子传输层、或空穴注入层与空穴传输层。
本发明的有益效果：本发明提供的一种OLED显示器件，通过在像素阻隔层的中部设置一贯穿的凹槽，使OLED有机材料层在所述凹槽处断开，能够在不降低发光材料的效率或者不降低显示装置的分辨率的情况下抑制因泄露电流而产生的泄露发射光，减少短路缺陷，提高OLED显示器件的可靠性，改善OLED显示器件的显示质量；本发明提供的一种OLED显示器件的制造方法，通过对每一像素阻隔层进行图案化处理，在其中部形成贯穿所述像素阻隔层的凹槽，并在形成像素阻隔层后依次连续形成OLED有机材料层中的第一辅助发光层、发光层、与第二辅助发光层，最后在第二辅助发光层上形成第二电极，一方面不会造成第一辅助发光层的破坏，减少界面问题，另一方面能够在不降低发光材料的效率或者不降低显示装置的分辨率的情况下解决泄漏发射光的问题，减少短路缺陷，提高OLED显示器件的可靠性，改善OLED显示器件的显示质量。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的OLED显示器件的剖面结构示意图；
图2为本发明的OLED显示器件的制造方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明首先提供一种OLED显示器件，包括：
基板100；
设于所述基板100上的多个相互间隔且呈阵列式排布的第一电极200；
设于所述基板100上且位于每相邻两个第一电极200之间的像素阻隔层300；所述像素阻隔层300高出所述第一电极200，并覆盖所述第一电极200的部分上表面；每一像素阻隔层300的中部具有一凹槽310，该凹槽310贯穿所述像素阻隔层300；每相邻两个像素阻隔层300限定出的区域为一个像素区域；
设于所述第一电极200与像素阻隔层300上的OLED有机材料层400；该OLED有机材料层400在所述凹槽310处断开；
及设于所述OLED有机材料层400上的第二电极500；所述第二电极500同样在所述凹槽310处断开。
具体的，所述基板100优选为玻璃基板。
所述像素阻隔层300的材料为绝缘材料，本领域已知的任何适当的绝缘材料均可以用于该像素阻隔层300。
所述OLED有机材料层400包括：第一辅助发光层401、第二辅助发光层403、及设于第一、第二辅助发光层401、403之间的发光层402。所述发光层402进一步包括依次循环排列的红色发光层402R、绿色发光层402G、与蓝色发光层402B。
所述凹槽310内进一步具有：设于所述基板100上的第一辅助发光层401、设于所述第一辅助发光层401上的第二辅助发光层403、设于所述第二辅助发光层403上的第二电极500。所述凹槽310的深度足够容纳位于其内的第一辅助发光层401、第二辅助发光层403、及第二电极500，从而位于所述凹槽310内最上层的第二电极500仍低于该凹槽310的上表面。
所述第一电极200可为阳极，相应的，所述第二电极500为阴极，所述第一辅助发光层401包括空穴注入层与空穴传输层，所述第二辅助发光层403包括电子注入层与电子传输层；或所述第一电极200为阴极，相应的，所述第二电极500为阳极，所述第一辅助发光层401包括电子注入层与电子传输层，所述第二辅助发光层403包括空穴注入层与空穴传输层。
值得一提的是，位于所述凹槽310内的第一辅助发光层401、第二辅助发光层403、及第二电极500与位于所述第一电极200与像素阻隔层300上的第一辅助发光层401、第二辅助发光层403、及第二电极500是断开、不相连的，且所述凹槽310的深度足够使位于其内的最上层的第二电极500仍低于该凹槽310的上表面，使得第一辅助发光层401由于所述凹槽310的深度差，不再整面连续，而是在所述凹槽310处自然断开，即相邻的两个像素区域之间的漏电路径被所述凹槽310断开，两个相邻的第一电极200之间产生的泄漏电流无法通过第一辅助发光层401传导，从而能够在不降低发光材料的效率或者不降低显示装置的分辨率的情况下抑制因泄露电流而产生的泄露发射光，减少短路缺陷，提高OLED显示器件的可靠性，改善OLED显示器件的显示质量。
请参阅图2，并结合图1，本发明还提供一种OLED显示器件的制造方法，包括以下步骤：
步骤1、提供一基板100，在所述基板100上形成第一电极层，对所述第一电极层进行图案化处理，形成多个相互间隔且呈阵列式排布的第一电极200。
具体的，所述基板100优选为玻璃基板，所述第一电极200可为阳极或阴极。
步骤2、在所述基板100上于每相邻两个第一电极200之间形成一个像素阻隔层300，对每一像素阻隔层300进行图案化处理，在其中部形成贯穿所述像素阻隔层300的凹槽310。
具体的，所述像素阻隔层300的材料为绝缘材料。
所述像素阻隔层300高出所述第一电极200，并覆盖所述第一电极200的部分上表面。所述像素阻隔层300的作用是将各个第一电极200分隔开，且每相邻两个像素阻隔层300限定出的区域为一个像素区域。
步骤3、在所述第一电极200与像素阻隔层300上依次形成第一辅助发光层401、发光层402、及第二辅助发光层403。所述第一、第二辅助发光层401、403及夹设于二者之间的发光层402构成OLED有机材料层400。同时在所述凹槽310内依次形成设于所述基板100上的第一辅助发光层401、设于所述第一辅助发光层401上的第二辅助发光层403。
位于所述第一电极200与像素阻隔层300上的第一、第二辅助发光层401、403与位于所述凹槽310内的第一、第二辅助发光层401、403在所述凹槽310处自然断开。
具体的，在所述第一电极200为阳极的情况下，所述第一辅助发光层401包括空穴注入层与空穴传输层，所述第二辅助发光层403包括电子注入层与电子传输层；在所述第一电极200为阴极的情况下，所述第一辅助发光层401包括电子注入层与电子传输层，所述第二辅助发光层403包括空穴注入层与空穴传输层。
所述发光层402包括依次循环排列的红色发光层402R、绿色发光层402G、与蓝色发光层402B。
步骤4、在所述第二辅助发光层403上形成第二电极500，所述第二电极500同样在所述凹槽310处自然断开。
进一步的，所述凹槽310的深度足够容纳位于其内的第一辅助发光层401、第二辅助发光层403、及第二电极500，从而位于所述凹槽310内最上层的第二电极500仍低于该凹槽310的上表面。
在所述第一电极200为阳极的情况下，所述第二电极500为阴极；在所述第一电极200为阴极的情况下，所述第二电极500为阳极。
上述OLED显示器件的制造方法，对每一像素阻隔层300进行图案化处理，在其中部形成贯穿所述像素阻隔层300的凹槽310，并在形成像素阻隔层300后依次连续形成OLED有机材料层400中的第一辅助发光层401、发光层402、与第二辅助发光层403，最后在第二辅助发光层403上形成第二电极500。一方面所述第一辅助发光层401由于凹槽310的深度差，不再整面连续，而是在所述凹槽310处自然断开，即相邻的两个像素区域之间的漏电路径被所述凹槽310断开，两个相邻的第一电极200之间产生的泄漏电流无法通过第一辅助发光层401传导，从而能够在不降低发光材料的效率或者不降低显示装置的分辨率的情况下抑制因泄露电流而产生的泄露发射光，减少短路缺陷，提高OLED显示器件的可靠性，改善OLED显示器件的显示质量；另一方面，所述第一辅助发光层401在像素阻隔层300后形成，不会造成该第一辅助发光层401的破坏，且所述第一辅助发光层401、发光层402、第二辅助发光层403、与第二电极500连续形成，可减少界面问题。
综上所述，本发明的OLED显示器件，通过在像素阻隔层的中部设置一贯穿的凹槽，使OLED有机材料层在所述凹槽处断开，能够在不降低发光材料的效率或者不降低显示装置的分辨率的情况下抑制因泄露电流而产生的泄露发射光，减少短路缺陷，提高OLED显示器件的可靠性，改善OLED显示器件的显示质量；本发明的OLED显示器件的制造方法，通过对每一像素阻隔层进行图案化处理，在其中部形成贯穿所述像素阻隔层的凹槽，并在形成像素阻隔层后依次连续形成OLED有机材料层中的第一辅助发光层、发光层、与第二辅助发光层，最后在第二辅助发光层上形成第二电极，一方面不会造成第一辅助发光层的破坏，减少界面问题，另一方面能够在不降低发光材料的效率或者不降低显示装置的分辨率的情况下解决泄漏发射光的问题，减少短路缺陷，提高OLED显示器件的可靠性，改善OLED显示器件的显示质量。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种OLED显示器件，其特征在于，包括：
基板(100)；
设于所述基板(100)上的多个相互间隔且呈阵列式排布的第一电极(200)；
设于所述基板(100)上且位于每相邻两个第一电极(200)之间的像素阻隔层(300)；所述像素阻隔层(300)高出所述第一电极(200)，并覆盖所述第一电极(200)的部分上表面；每一像素阻隔层(300)的中部具有一凹槽(310)，该凹槽(310)贯穿所述像素阻隔层(300)；每相邻两个像素阻隔层(300)限定出的区域为一个像素区域；
设于所述第一电极(200)与像素阻隔层(300)上的OLED有机材料层(400)；所述OLED有机材料层(400)在所述凹槽(310)处断开；
及设于所述OLED有机材料层(400)上的第二电极(500)；所述第二电极(500)同样在所述凹槽(310)处断开。
2.如权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述像素阻隔层(300)的材料为绝缘材料。
3.如权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述OLED有机材料层(400)包括：第一辅助发光层(401)、第二辅助发光层(403)、及设于第一、第二辅助发光层(401、403)之间的发光层(402)。
4.如权利要求3所述的OLED显示器件，其特征在于，所述凹槽(310)内具有：设于所述基板(100)上的第一辅助发光层(401)、设于所述第一辅助发光层(401)上的第二辅助发光层(403)、设于所述第二辅助发光层(403)上的第二电极(500)；所述凹槽(310)的深度足够容纳位于其内的第一辅助发光层(401)、第二辅助发光层(403)、及第二电极(500)，从而位于所述凹槽(310)内最上层的第二电极(500)仍低于该凹槽(310)的上表面。
5.如权利要求3所述的OLED显示器件，其特征在于，所述发光层(402)包括依次循环排列的红色发光层(402R)、绿色发光层(402G)、蓝色发光层(402B)。
6.如权利要求3所述的OLED显示器件，其特征在于，所述第一电极(200)为阳极或阴极，相应的，所述第二电极(500)为阴极或阳极。
7.如权利要求6所述的OLED显示器件，其特征在于，所述第一辅助发光层(401)包括空穴注入层与空穴传输层、或电子注入层与电子传输层，相应的，所述第二辅助发光层(403)包括电子注入层与电子传输层、或空穴注入层与空穴传输层。
8.一种OLED显示器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供一基板(100)，在所述基板(100)上形成第一电极层，对所述第一电极层进行图案化处理，形成多个相互间隔且呈阵列式排布的第一电极(200)；
步骤2、在所述基板(100)上于每相邻两个第一电极(200)之间形成一个像素阻隔层(300)，对每一像素阻隔层(300)进行图案化处理，在其中部形成贯穿所述像素阻隔层(300)的凹槽(310)；
所述像素阻隔层(300)高出所述第一电极(200)，并覆盖所述第一电极(200)的部分上表面；每相邻两个像素阻隔层(300)限定出的区域为一个像素区域；
步骤3、在所述第一电极(200)与像素阻隔层(300)上依次形成第一辅助发光层(401)、发光层(402)、及第二辅助发光层(403)，所述第一、第二辅助发光层(401、403)及夹设于二者之间的发光层(402)构成OLED有机材料层(400)；同时在所述凹槽(310)内依次形成设于所述基板(100)上的第一辅助发光层(401)、设于所述第一辅助发光层(401)上的第二辅助发光层(403)；
位于所述第一电极(200)与像素阻隔层(300)上的第一、第二辅助发光层(401、403)与位于所述凹槽(310)内的第一、第二辅助发光层(401、403)在所述凹槽(310)处自然断开；
步骤4、在所述第二辅助发光层(403)上形成第二电极(500)，所述第二电极(500)同样在所述凹槽(310)处自然断开；
所述凹槽(310)的深度足够容纳位于其内的第一辅助发光层(401)、第二辅助发光层(403)、及第二电极(500)，从而位于所述凹槽(310)内最上层的第二电极(500)仍低于该凹槽(310)的上表面。
9.如权利要求8所述的OLED显示器件的制造方法，其特征在于，所述像素阻隔层(300)的材料为绝缘材料。
10.如权利要求8所述的OLED显示器件的制造方法，其特征在于，所述发光层(402)包括依次循环排列的红色发光层(402R)、绿色发光层(402G)、蓝色发光层(402B)；
所述第一电极(200)为阳极或阴极，相应的，所述第二电极(500)为阴极或阳极；
所述第一辅助发光层(401)包括空穴注入层与空穴传输层、或电子注入层与电子传输层，相应的，所述第二辅助发光层(403)包括电子注入层与电子传输层、或空穴注入层与空穴传输层。
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