CN106207015B - 一种阻断oled发光器件共通层横向串扰的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阻断OLED发光器件共通层横向串扰的方法，通过一外部光源对位于共通层上的相邻两子像素间的共通层材料进行照射，使共通层材料中的用于传导电流的内部价键断裂，阻断相邻两子像素间电流的横向传输。本发明通过外部光源照射方式，将位于相邻子像素间的共通层材料进行照射，通过光线照射将共通层材料内部的价键断裂，将电流传输的基团破坏掉，从而实现相邻子像素间无法通过共通层进行横向电流传输，解决了相邻子像素微亮现象。

Description

一种阻断OLED发光器件共通层横向串扰的方法
技术领域
本发明涉及OLED技术领域，具体地讲，涉及一种阻断OLED发光器件共通层横向串扰的方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示技术与传统的LCD显示方式不同，OLED显示方式不需背光灯，而是采用非常薄的发光层和玻璃基板制作得到，发光层包括有机发光层、电子注入层和空穴注入层，电子注入层和空穴注入层分别设置在有机发光层的上侧和下侧，当有电流通过发光层时，这些发光层就会发光。由于OLED显示方式不需背光灯，因此OLED显示装置可以做得更轻、更薄，可视角度更大，并且能够显著节省电能，所以，OLED显示技术越来越多普及。
如图1所示，OLED显示装置中发光层1包括R发光层11、G发光层12和B发光层13，在其下方的空穴注入层(HIL)通常采用共通层2(HIL-Common)串接起来，在使用过程中共通层会导致横向串扰不良，即屏体在R、G、B单色画面下，其他颜色的子像素微亮，但黑画面能够很好的关闭；原因是因为空穴注入层HIL导电性太强，电流横向传输至相邻子像素，导致相邻子像素微亮。现有技术所采用的方法是更换导电性较差的HIL材料或采用HTL(空穴输送层)代替HIL作为微腔调整层，然而，上述这两种解决方案都会增加OLED器件的驱动电压，降低器件效率。
发明内容
因此，本发明为了避免电流在共通层中出现横向传输，解决相邻子像素微亮现象，本发明提供了一种阻断OLED发光器件共通层横向串扰的方法。
一种阻断OLED发光器件共通层横向串扰的方法，通过一外部光源对位于共通层上的相邻两子像素间的共通层材料进行照射，使共通层材料中的用于传导电流的内部价键断裂，阻断相邻两子像素间电流的横向传输。
所述的内部价键为共通层材料中的共价键。
所述的外部光源为UV光源设备或激光设备。
外部光源与共通层之间设置一光掩膜层，光掩膜层上设有多个呈间隔设置的像素保护区，各像素保护区与共通层上所设置的各子像素间一一对应，外部光源所发出的光线由两相邻像素保护区之间照射到共通层上。
优选地，所述的外部光源对位于共通层上的相邻两子像素间的共通层材料进行照射，其具体方法是：在基板上的电极层上制作连通各电极层的共通层；外部光源通过光掩膜层对共通层上位于相邻子像素间的材料进行光线照射，将共通层材料中的用于传导电流的内部价键断裂。
或优选地，所述的外部光源对位于共通层上的相邻两子像素间的共通层材料进行照射，其具体方法是：在共通层上制作OLED发光层；外部光源通过光掩膜层对共通层上相邻子像素间的材料进行光线照射，将共通层材料中的用于传导电流的内部价键断裂。
或优选地，所述的外部光源对位于共通层上的相邻两子像素间的共通层材料进行照射，其具体方法是：制作OLED发光器件并完成封装；外部光源通过光掩膜层对OLED发光器件中的位于相邻子像素间的共通层材料进行光线照射，将共通层材料中的用于传导电流的内部价键断裂。
所述激光设备的功率2-4W。
本发明技术方案，具有如下优点：
A.本发明通过外部光源照射方式，将位于相邻子像素间的共通层材料进行照射，通过光线照射将共通层材料内部的价键断裂，将电流传输的基团破坏掉，从而实现相邻子像素间无法通过共通层进行横向电流传输，解决了相邻子像素微亮现象。
B.本发明可首先制作一个光掩膜层，在光掩膜层上设置与共通层上的子像素相对应的像素保护区，外部光源在对光掩膜层进行照射时，像素保护区可以保护各个子像素，而光线通过相邻像素保护区之间的区域照射至共通层材料上，将共通层材料中的用于电流传输的价键打断，很好地阻断了电流在不同子像素间的串扰，避免相邻子像素的干扰。
C.本发明可在OLED发光器件制备过程中使用此方法进行电流横向传输的阻断，可使用在共通层制作完成后、或整个OLED发光器件蒸镀完成后，也可以在整个OLED发光器件封装完成后，在这个三个不同阶段均可利用一块保护发光区的光掩膜层进行UV或激光照射，使相邻子像素间的共通层HIL材料被照射后材料内部价键断裂，基团被破坏，从而电流无法横向传输。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是共通层导致的横向串扰不良机理分析示意图；
图2是本发明所提供第一种阻断共通层横向串扰的结构示意图；
图3是本发明所提供第二种阻断共通层横向串扰的结构示意图；
图4是本发明所提供第三种阻断共通层横向串扰的结构示意图；
图5是本发明所提供的光掩膜层俯视图。
附图标记说明：
1-发光层，11-R发光层，12-G发光层，13-B发光层；2-共通层；3-光掩膜层，31-像素保护区；4-外部光源。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图2所示，本发明所提供的一种阻断OLED发光器件共通层横向串扰的方法，其具体方法是：通过一外部光源4对位于共通层2上的相邻两子像素间的共通层2材料进行照射，使共通层2材料中的用于传导电流的内部价键断裂，这里的内部价键指的是共通层材料中的共价键，比如CC等，阻断相邻两子像素间电流的横向传输，这里的子像素为R发光层11、G发光层12和B发光层13。本发明通过外部光源4照射方式，将位于相邻子像素间的共通层4材料进行照射，通过光线照射将共通层4材料内部的价键断裂，将电流传输的基团破坏掉，从而实现相邻子像素间无法通过共通层4进行横向电流传输，解决了相邻子像素微亮现象。
本发明所述的外部光源4为UV光源设备或激光设备。这里不对UV光源的波长进行限定，理论上UV光源的波长越短能量越高，因此，本发明只需UV光线的能量能够打断内部价键即可，因此这里不对UV光源设备的功率进行限定。
本发明中所采用的激光设备功率范围2～10W，例如激光功率5W条件下，温度可达到500℃，经照射即可将共通层材料中的共价键破坏掉，阻断电流的横向传输，解决相邻子像素微亮的问题。
本发明中在对各子像素间的共通层照射时，在外部光源与共通层之间设置一光掩膜层，如图2和图5所示，在光掩膜层3上设有多个呈间隔设置的像素保护区31，各像素保护区31与共通层4上所设置的各子像素间一一对应，外部光源4所发出的光线由两相邻像素保护区31之间照射到共通层2上。
在制备OLED发光器件时，可在如下时机对共通层进行阻断电流横向串扰处理。
实施例1
如图2所示，具体步骤如下所述：
(1)按常规流程在基板上完成各个电极层的制作；
(2)在各个电极层的上端面上制作共通层，完成共通层的制备；
(3)采用图5所示的光掩膜层，采用UV光源设备或激光设备对光掩膜层进行照射，光线由光掩膜层中的各像素保护区之间的白色区域透过，直接照射至共通层材料上，使共通层有机材料受光线照射后曝光，被照射后的共通层材料内部价键断裂，基团被破坏；
(4)然后再在未被照射的区域进行发光层的制备，最后再将对发光层进行封装，即完成整个OLED发光器件的制备，从而实现相邻子像素间无法通过共通层进行横向电流传输，解决了相邻子像素微亮现象。
实施例2
如图3所示，具体步骤如下所述：
(1)按常规流程在基板上完成各个电极层的制作；
(2)在各个电极层的上端面上制作共通层；
(3)在共通层上分别制作R发光层、G发光层和B发光层；
(4)采用图5所示的光掩膜层，利用UV光源设备或激光设备对光掩膜层进行照射，光线由光掩膜层中的各像素保护区之间的白色区域透过，直接照射至位于R发光层与G发光层之间、G发光层与B发光层之间及R发光层与B发光层之间的共通层材料上，使共通层的有机材料受光线照射后曝光，被照射后的共通层材料内部价键断裂，基团被破坏，金属材料不会受到影响；
(5)最后再对上下基板进行封装，即完成整个OLED发光器件的制备，从而实现相邻子像素间无法通过共通层进行横向电流传输，解决了相邻子像素微亮现象。
实施例3
如图4所示，具体步骤如下所述：
(1)按常规流程在基板上完成各个电极层的制作；
(2)在各个电极层的上端面上制作共通层；
(3)在共通层上分别制作R发光层、G发光层和B发光层；
(4)在发光层上设置基板，并对上下基板进行封装，制得OLED发光器件；
(5)采用图5所示的光掩膜层，利用UV光源设备或激光设备对光掩膜层进行照射，光线由光掩膜层中的各像素保护区之间的白色区域透过，直接照射至位于R发光层与G发光层之间、G发光层与B发光层之间及R发光层与B发光层之间的共通层材料上，使共通层的有机材料受光线照射后曝光，被照射后的共通层材料内部价键断裂，基团被破坏，金属材料不会受到影响，同时实现相邻子像素间无法通过共通层进行横向电流传输，解决了相邻子像素微亮现象。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (8)

1.一种阻断OLED发光器件共通层横向串扰的方法，其特征在于，通过一外部光源对位于共通层上的相邻两子像素间的共通层材料进行照射，使共通层材料中的用于传导电流的内部价键断裂，阻断相邻两子像素间电流的横向传输。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的内部价键为共通层材料中的共价键。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的外部光源为UV光源设备或激光设备。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，外部光源与共通层之间设置一光掩膜层，光掩膜层上设有多个呈间隔设置的像素保护区，各像素保护区与共通层上所设置的各子像素间一一对应，外部光源所发出的光线由两相邻像素保护区之间照射到共通层上。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的外部光源对位于共通层上的相邻两子像素间的共通层材料进行照射，其具体方法是：在基板上的电极层上制作连通各电极层的共通层；外部光源通过光掩膜层对共通层上位于相邻子像素间的材料进行光线照射，将共通层材料中的用于传导电流的内部价键断裂。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的外部光源对位于共通层上的相邻两子像素间的共通层材料进行照射，其具体方法是：在共通层上制作OLED发光层；外部光源通过光掩膜层对共通层上相邻子像素间的材料进行光线照射，将共通层材料中的用于传导电流的内部价键断裂。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的外部光源对位于共通层上的相邻两子像素间的共通层材料进行照射，其具体方法是：制作OLED发光器件并完成封装；外部光源通过光掩膜层对OLED发光器件中的位于相邻子像素间的共通层材料进行光线照射，将共通层材料中的用于传导电流的内部价键断裂。
8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光设备的功率2～10W。
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Assignee: Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd.|Bazhou Yungu Electronic Technology Co., Ltd.|Kunshan Institute of technology new flat panel display technology center Co., Ltd

Assignor: Kunshan Guo Xian Photoelectric Co., Ltd.

Contract record no.: X2019990000157

Denomination of invention: Method for blocking transverse crosstalk of common layer of OLED light-emitting device

Granted publication date: 20180525

License type: Common License

Record date: 20191031

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20191211

Address after: 510130 No.2 Xiangshan Avenue, Yongning Street, Zengcheng District, Guangzhou City, Guangdong Province (within the core area of Zengcheng economic and Technological Development Zone)

Patentee after: Guangzhou Guoxian Technology Co., Ltd

Address before: 215300, No. 1, Longteng Road, Kunshan Development Zone, Jiangsu, Suzhou, 4

Patentee before: Kunshan Guo Xian Photoelectric Co., Ltd.