CN1947464A - 发光显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光显示器，其具有多个像素，多个像素各具有在第1电极与第2电极之间形成包含至少发光层的发光组件(100)。在前述发光组件(100)与第1或第2基板的显示器观察方的表面之间形成绝缘层(30)，在该绝缘层(30)的至少1个以上像素区域中形成有凹凸，而构成光程长度调整部(32)。通过将该光程长度调整部(32)设置在1个像素区域内，而增加从发光组件(100)射出至外部的光的干扰条件，以实现干扰的平均化。

Description

发光显示器
技术领域
[0001]本发明涉及一种发光显示器，特别涉及在各像素具有发光组件的发光显示器。
背景技术
[0002]近年来，薄型并且可实现小型化的平面显示器(FPD，flatpanel display)受到注目，在该FPD中代表性的液晶显示装置被采用在各种机器。并且现在采用自发光型的电致发光(以下称EL，electroluminescence)组件的发光装置(显示器或光源)，特别是通过所采用的有机化合物材料以多样的发光色可进行高亮度发光的有机EL显示器，其研究开发广泛开展。
[0003]该有机EL显示装置，与像液晶显示装置那样以在其前面配置为光源阀(light valve)的液晶面板控制来自背光的光穿透率的方式不同，因为如上所述为自发光型，所以明亮并且从原理来说视角特性佳，可以进行高品质的显示。
[0004]另外，有机EL组件等发光组件能以高色纯度使R(红)、G(绿)、B(蓝)等任意波长光发光，并且能以非常薄的层实现组件，因此从显示器的薄型化等观点来看具有很大的优点。
[0005]然而，该发光组件具备多个功能薄膜的层迭构造，因对应各层的功能采用不同的材料，因此折射率在各层相异，并且容易在层的界面发生反射。因此，存在有从发光层直接射出的光，及通过在途中反射后射出而直接射出的光及相位偏离的光，在观察方的面会产生干扰，并且容易产生亮度参差不齐、白平衡(white balance)的偏离。另外，由于该干扰，视角的色依存性会变大，也就是说颜色会因观察方向而异，而使显示器的显示质量降低。
发明内容
[0006]本发明能够在发光显示器中，减低前述颜色参差不齐或亮度参差不齐等缺陷。
[0007]本发明所涉及的发光显示器具有多个像素，各像素具有在第1电极与第2电极之间形成包含至少发光层的发光组件，在第1基板上方形成有前述发光组件，使来自前述发光组件的光射出至外部。在前述发光组件与显示器观察方的表面之间形成绝缘层，在该绝缘层的1个以上的像素区域中形成有凹凸，而构成用以调整从前述发光层至显示器观察方的表面的光程长度的光程长度调整部，前述凹凸部的凹部或凸部的直径为约10μm，从前述发光层至显示器观察方的表面的光程长度的光程长度通过前述光程长度调整部在1个像素区域内形成多个，并在1个像素区域内设定多个干扰发生条件。
[0008]本发明的其它实施例具有多个像素，将来自前述发光组件的光射出至外部的发光显示器，各像素具有：在第1电极与第2电极之间形成包含至少发光层的前述发光组件；及形成在前述发光组件与第1基板的层间，并且包含用以在每像素控制前述发光组件的1个以上的开关组件(switching element)的电路组件(circuit element)；在前述电路组件与连接在所对应的前述开关组件的前述发光组件的层间形成有绝缘层，在该绝缘层的1个以上的像素区域中，仅在该像素区域的发光区域内选择性形成有凹凸，而构成用以调整从前述发光层至显示器观察方的表面的光程长度的光程长度调整部，通过前述光程长度调整部，将从前述发光层至显示器观察方的表面的光程长度的光程长度在1个像素区域内形成多个，并在1个像素区域内设定多个干扰发生条件。
[0009]如此，在绝缘层形成凹凸以构成光程长度调整部，将从发光层至显示器观察方的表面的光程长度的光程长度在1个像素区域内形成有多种。在1个像素区域内从发光层至基板的组件表面的光程长度的光程长度相同时，由于依该光程长度及所采用的发光材料而决定的特定发光波长，该像素区域的干扰发生条件为一种类，有产生较强干扰的可能性。因此，会因膜厚的参差不齐等容易产生颜色参差不齐或亮度参差不齐。然而，在像素内设置光程长度相互不同的部分，而使干扰的发生条件增加并合成这些条件的结果，可使干扰的发生程度在1个像素内平均化，而能抑制颜色参差不齐或亮度参差不齐，并且因在视角上使干扰平均化，故亦可抑制颜色变化。
[0010]本发明的其它实施例在前述发光显示器中，在多个像素的至少一部分，分别在前述发光组件与第1基板的层间或前述发光组件与第2基板之间，及前述多个像素内的至少一部分像素，形成用以获得对应的颜色的波长调整层，前述发光层在前述多个像素的任一者使同一波长的光发光，来自该发光组件的光由前述波长调整层调整为预定波长，而从前述第1基板或前述第2基板射出至外部。
[0011]本发明的其它实施例在前述发光显示器中，前述发光层系在前述多个像素中，使所对应的颜色的光发光，并从该发光组件射出，在1个像素区域内从前述第1基板或前述第2基板射出至外部的光中，通过前述光程长度调整部的光的光程长度与未通过该光程长度调整部的光的光程长度不同。
[0012]本发明的其它实施例中，形成在前述绝缘层的凹部或凸部沿着1个像素区域的短边方向并列形成2个以上，凹凸的高低差大于0μm，而在3.0μm以下。
[0013]本发明的其它实施例中，前述凹凸的高低差，系在前述多个像素的全像素区域中相等，由此，可同时在同一条件下对全像素施以光程长度调整部形成处理，而可实现制造程序的效率化。
[0014]另外，在本发明的其它实施例中，前述凹凸的高低差亦可在前述多个像素的各像素区域中，依所对应的颜色变化。由此，可进行对应各颜色也就是说发光波长的高精密度的调整，并更加提升显示质量。
[0015]依据本发明，通过将多个干扰发生条件设定在1个像素内，可使干扰在每像素平均化，并且非常容易并且确实地减低因膜厚参差不齐所造成的颜色参差不齐，或因视角造成的颜色变化。
附图说明
[0016]图1是本发明实施例所涉及的具备光程长度调整部的有机EL显示器的概略剖面构造图。
图2是本发明实施例所涉及的有源矩阵型的有机EL显示器的概略剖面构造图。
图3是本发明实施例所涉及的平面化绝缘层的光程长度调整部的配置一例的像素概略平面图。
图4是本发明实施例所涉及的色差与视角的关系相对于光程长度调整部的高低差的依存性的图。
图5是本发明实施例所涉及的色差与视角的关系相对于光程长度调整部的高低差的其它依存性的图。
图6(a)及(b)是本发明实施例所涉及的平面化绝缘层的光程长度调整部的概略剖面形成的例图。
图7(a)及(b)是本发明实施例所涉及的平面化绝缘层的光程长度调整部的功能的说明图。
图8(a)至(f)是本发明实施例所涉及的白色发光有机EL显示器的光学特性的说明图。
图9(a)至(f)是本发明实施例所涉及的区分涂布方式的有机EL显示器的光学特性的说明图。
图10是本发明实施例所涉及的光程长度调整部的其它例图。
图11是本发明实施例所涉及的上部发光型有机EL显示器的概略剖面构造图。
图12是本发明实施例所涉及的上部发光型有机EL显示器的其它概略剖面构造图。
图13是与本发明实施例所涉及的有机EL显示器的光程长度调整部的图1不同例的概略剖面图。
图14是本发明实施例所涉及的有机EL显示器的光程长度调整部的另外一其它构成例的概略剖面图。
图15是本发明实施例所涉及的有机EL显示器的光程长度调整部的另外一其它构成例的概略剖面图。
具体实施方式
[0017]以下，参照附图说明用以实施本发明的最佳形态(以下称
实施例)。
[0018]图1是本发明实施例所涉及的发光显示器的概略剖面构造图。图2是作为该发光显示器及作为在各像素控制发光组件的开关组件，而具备薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵型(active matrix type)的显示器的等效电路的一例。以下，发光显示器系以采用有机EL组件作为发光组件的有机EL显示装置为例进行说明。
[0019]有源矩阵型有机EL显示装置中，在玻璃等透明基板10上，以矩阵状形成多个像素，各像素如图2所示，设有：有机EL组件100；用以控制在该有机EL组件100的发光的第1薄膜晶体管(以下称TFT1)；第2薄膜晶体管(以下称TFT2)；用以保持对应一定期间显示内容的数据的保持电容Csc。
[0020]在各像素的水平扫描方向，形成有：沿着该水平扫描方向延伸，并且依序输出选择信号的多条栅极线(选择线)GL；及用以将保持电容Csc的一方电极在预定电位的多条电容线SL。在垂直扫描方向形成有：沿着该垂直扫描方向而延伸并且输入有数据信号的多条数据线；连接在共通的电源Pvdd并且将电力(电流)供给至各像素的多条电源线PL。
[0021]另外，在各TFT的有源层采用激光退火的低温多晶硅层时，如图2所示，在同一基板上，在排列有多个像素的显示部周边，可配置由采用以与像素部的TFT相同制造过程所形成的低温多晶硅层的TFT所构成的水平驱动器(H驱动器)及垂直驱动器(V驱动器)。
[0022]TFT1的栅极连接在栅极线GL，第1导电区域(例如在图2的例中为源极)连接在数据线DL，而TFT2的栅极系连接在该TFT1的第2导电区域(在本例中为漏极)及保持电容Csc的另一方电极。并且在TFT2的第1导电区域(在此为源极)连接有电源线PL，第2导电区域(在此为漏极)连接在有机EL组件100的阳极。在向对应的栅极线GL输出选择信号而使TFT1导通(ON)时，将对应于输出于对应的数据线DL的数据信号的电压经由TFT1施加在TFT2的栅极，并且将对应于保持电容Csc的电荷予以充电，由此将TFT2的栅极电压维持预定期间。TFT2对应于施加在该栅极的电压，使来自电源线PL的电流流通，将该电流供给至有机EL组件100，有机EL组件100即以对应供给电流的亮度发光。
[0023]有机EL组件100如图1所示，在第1电极200与第2电极240之间，形成有发光组件层120的层迭构造，该发光组件层120具备包含至少有机发光材料的发光层。该有机EL组件100形成在透明的玻璃基板10上。更详细而言，首先在各像素用以控制有机EL组件100而设置的前述TFT1、2或保持电容Csc等像素电路组件及配线等(内置驱动器时则包含驱动用的电路)，系形成在比有机EL组件100更前方处的玻璃基板10上。(以下略称为TFT层)。然后，覆盖该TFT层，形成使用例如丙烯酸类树脂、聚酰亚胺(Polyimide)的平面化绝缘层30，在平面化绝缘层30上，形成有机EL组件100的第1电极200。
[0024]另外，在有源矩阵型的显示器时，如图1所示，在每像素将该第1电极200作为单独图案，并且可将夹着发光组件层120而与第1电极200相对向而形成的第2电极240作为各像素共通的图案。
[0025]如上所述有机EL组件100依据从电源线PL经由TFT2所供给的电流而发光，但具体而言，利用下述的原理：将空穴(hole)从阳极(在此为第1电极)注入在发光组件层120，并将电子从阳极(在此为第2电极)注入在发光组件层120，在发光组件层120中，特别是发光层中，使所注入的空穴与电子再结合，以所得的再结合能量而使有机发光材料激发，而回到基底状态时产生发光。
[0026]第1电极200采用功率函数(work function)大并且容易注入空穴的导电性金属氧化物材料氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)，第2电极240系采用功率函数(work function)小并且容易注入电子的Al及其合金等。形成在有机EL组件100的下层的平面化绝缘层30及像素电路组件用等的绝缘层及玻璃基板10，采用可使以有机EL组件100的发光层126所得的光穿透的材料。
[0027]有机发光组件层120具备包含至少有机发光分子的发光层，依其材料亦有由单层或2层、3层或4层以上的多层层迭构造所构成的情形。在图1的例中，通过真空蒸镀法的连续成膜等，从具有阳极功能的第1电极200侧依序层迭空穴注入层122、空穴输送层124、发光层126、电子输送层128及电子注入层130。在此，具有阴极功能的第2电极240通过与有机发光组件层120同样的真空蒸镀法与该有机发光组件层120连续形成。
[0028]另外，在本实施例中，采用在各像素显示同一发光色(例如白色光)的有机EL组件100，并且在平面化绝缘层30与TFT层之间，在所对应的像素区域形成有波长调整层26，该波长调整层26用以获致从前述白色光获得例如全彩显示所需的R(红)、G(绿)、B(蓝)的光。用以从前述白色光获得例如全彩显示所需的R(红)、G(绿)、B(蓝)的波长的光的波长调整层26，可采用仅使射入光的波长域中特定的波长域的光穿透的所谓的彩色滤光片。发光色为例如蓝色等三原色中任一者时，为了获得三原色的剩下色的光，亦可由射入光(蓝色光)所激发，而采用使用用以产生其它波长(R、G)的光的发光材料等的色变换层等。为了提高色纯度，亦可在1个显示器采用彩色滤光片及色变换层。
[0029]由有机EL组件100的发光层126所获得，并且进入第1电极200方的光系穿透第1电极200、平面化绝缘层30及玻璃基板10而射出外部。由发光层126所获得的光中进入第2电极240方的光，如上所述在使用Al等金属材料的第2电极240的表面经反射一次后进入第1电极200方，然后，与前述同样地穿透第1电极200、平面化绝缘层30像素电路组件绝缘层及玻璃基板10而射出外部。
[0030]在本实施例中，在以上的有机EL显示装置中，于1个像素区域内变更从发光层126至基板10的组件表面方的光程长度。从显示器的观察方(基板10的观察方)所见的光源(即发光层126)的距离系在1个像素区域内不同或相等。为实现1个像素区域内不同的光程长度(变更光源位置)，在本实施例中，在组件100与基板10之间设置光程长度调整部32。具体而言，在前述有机EL组件100的下层，即尽可能使该有机EL组件100的形成面形成为平坦时所采用的平面化绝缘层30，将形成在本例中自平面局部凹陷的凹部34，作为光程长度调整部32。
[0031]有机EL组件100现在其总厚度为1μm以下非常薄，并且形成在第1及第2电极200、240之间发光组件层120的厚度例如仅250至300nm左右而已。因此，薄的发光组件层120产生问题时，第1电极200及第2电极240会短路。在有机EL组件100的下层形成像素电路组件等时，因这些像素电路组件的存在，有机EL组件100的形成表面的凹凸会变得更大，薄的发光组件层120在凹凸的段差部分会有产生被覆不良的可能性。为了防止因这些表面的凹凸所造成的短路，确实形成在尽可能使组件平坦的面(只要有平滑性即可)上，并且将表面平坦性(平滑性)佳的丙烯酸树脂所形成的平面化绝缘层(平滑化绝缘层)30形成在有机EL组件100下。另外，在本实施例中，在该平面化绝缘层30形成凹部34以作为光程长度调整部32。另外，即使表面并非完全平坦，只要有平滑性，亦可情况良好地形成发光组件层120，因此在设置在平面化绝缘层30的凹部34优选的以在其表面未具有锐利的角的方式形成。当然，由于在平面化绝缘层30形成凹部34，必然地会在凹部34的非形成区域相对于凹部形成凸部36。另外，在本实施例中，光程长度调整部32的凹部与凸部的概念在1个像素区域内将光程长度变更的区域即可，如上所述平面离散地形成凹部34、与其相反地以凹部34为基准面局部形成凸部36、或以平面为基准追加形成凸部36、或形成凹凸部的两方者皆具相同意义。
[0032]光程长度调整部32如图1所示，即使在R、G、B任一像素中，皆能以位在波长调整层26的形成区域上的方式形成。为确保可靠性，优选的在形成凹部34的区域亦全部去除平面化绝缘层30，并且预先将平面化绝缘层30的厚度设定为不露出波长调整层26的程度。特别是，作为波长调整层26使用的粗的彩色滤光片材料，该层的表面粗糙的情形较多，当该粗糙的彩色滤光片层的露出在凹部34的底部时，有可能会对形成在有机EL组件100的第1电极200的被覆性造成影响。因此，在形成凹凸的绝缘层30的下层设有前述波长调整层26的显示器中，优选的使凹部34不会贯通该绝缘层。
[0033]再者，如后述在有机EL组件100中，在第1电极200与第2电极240间夹着发光组件层120而相对向的区域是发光区域。并且光程长度调整部32的凹部34形成在该发光区域内。亦可形成在非发光区域内，但不会发挥相对于射出光的光程长度调整功能。在像素间区域，以将上层的发光组件层120的形成面保持为平坦等目的，形成第2平面化绝缘层140，当光程长度调整部32的凹凸存在于非发光区域即像素间区域时，第2平面化绝缘层140有无法完全填埋该凹凸的可能性。因此，在本实施例中，在非发光区域未形成光程长度调整部32，仅形成在发光区域。
[0034]另外，形成在该平面化绝缘层30上的有机EL组件100的各层，其厚度在至少1个像素区域中为同一厚度，但亦形成对应该平面化绝缘层30的凹部34凸部36的凹凸。
[0035]在此，凹部34的深度(凹凸高低差或凸部高度)系比0μm大并且在3.0μm以下，优选的在0.5μm以上并且在2.0μm左右以下的范围。凹部34在1个像素区域内形成在至少1个部位较有效果，但从提升均匀性的观点来看，形成多个较有效果。因此，必须要有沿着1个像素区域的短边方向并列形成2个以上的间距，例如从凹部34的中心附近至相邻的凹部34的中心附近的距离(设置间隔)约10μm左右的话，即可达成。不限定在10μm，因凹部34的直径或其倾斜角而不同，设定间隔5μm至20μm，更佳为8μm至15μm左右的距离亦可达成。图3系显示形成在1个像素区域内的凹部34的配置一例。在图3例中，R、G、B各像素的面积(图例中水平扫描方向的宽度不同)会依发光效率而不同，但即使在任一个像素区域中，短边方向(在此为水平扫描方向)形成至少2个凹部34，并且在该例中，长边方向(在此为垂直扫描方向)，任一像素皆以同一间距形成同一数的凹部34(最少3个)。
[0036]其次，说明光程长度调整部32与白色及色差的关系。图4及图5表示在白色显示器中，显示相对于视角的来自作为基准的白色光的色偏离(色差)、与形成平面化绝缘层作为光程长度调整部32凹凸的高低差的关系。另外，色温度为6500K。图4是采用U、V坐标(Δu’2+Δv’2)1/2作为色差，图5采用x、y坐标(Δx’2+Δy’2)1/2作为色差，图4及图5所示的um意指μm。在图4及图5中任一图中，平面化绝缘层30的凹凸高低差随着从0μm增大0.5μm、1μm、1.2μm、1.4μm，视角从0°(显示器的法线方向)增大时的色差变化会变小，因此，通过设置作为平面化绝缘层30的光程长度调整部的凹凸高低差，可以抑制因为干扰的平均化所造成的色偏离。另外，凹凸高低差优选的设定为在全部视角中色差(Δu’2+Δv’2)1/2比0.02小，凹凸高低差优选的设定为在全部视角中色差(Δx’2+Δy’2)1/2比0.035小。
[0037]图6是将光程长度调整部32形成在平面化绝缘层30时的例图。如图6(a)所示，在平面化绝缘层30的表面以预定间距形成的凹部34的间隙，形成有凸部36，但该凸部36的表面亦可形成为平坦。另外，如图6(b)所示，亦可以凹部34与凸部36非常平滑地连接的波状的剖面的方式形成。前述任一情形下，在表面构成凹凸的该凹凸的低高差(亦可以凹部的低高差、凸部的低高差或凹部与凸部的低高差来表达)d如上所述，形成为比0μm大并且在3.0μm以下的大小。
[0038]凹部34的形成间距在多个像素的任一像素区域相等，因而可提升对形成位置精密度的容许度。另外，在显示器采用其它具备光学构件功能的偏光薄膜，或遮光用矩阵(黑矩阵)等时，为了不会因此而产生干扰条纹，优选的设定凹部34的间距。形成间距在全像素相同，如图3所示，在R、G、B的各像素中，像素面积相异时，在R、G、B形成于1个像素区域内的凹部34的合计数(总数)不同。当然，干扰的条件具有波长依存性，因此也可不在全像素同一时设定形成间距，而在例如R、G、B中，设定为对应光的波长的最适当间距。另外，凹部34的各尺寸(直径、高低差的任一者或两者)，亦可为全像素相同，但与前述同样地相对于波长的依存性大时等，在R、G、B变更亦可。
[0039]将凹部34及凸部36形成在平面化绝缘层30时，考虑凸部36所要求的厚度而形成包含感旋光性材料的平面化绝缘层30，并可通过一般的微影处理方法，对作为凹部34的区域选择性曝光并予以蚀刻去除而形成。采用半曝光时，以1次的曝光处理，在1个处理面亦可形成具有阶段性高低差的凹部34。在该半曝光中，例如使用凹部形成区域开口的屏蔽，并且在使蚀刻去除量减少(变浅)的位置，采用称的为光栅(Grating)的1μm左右的间距的格子。也就是说，将单位面积内的开口区域由格子所变狭的开缝状的图案另外配置在前述屏蔽，或使用与前述屏蔽一体形成的半明暗阶度屏蔽(halftone mask)进行曝光。存在光栅的区域系在例如无光栅的完全开口区域中，照射在感光剂(在此为包含感旋光性材料的平面化绝缘层30)的曝光强度会变得更低，通过调整曝光量而可控制蚀刻深度。
[0040]其它凹部形成方法可采用回蚀刻(etch back)方法。也就是说，将形成凹部的区域开口的图案的光阻层形成在对象层(在此是平面化绝缘层30)上，通过干蚀刻蚀刻对象层(平面化绝缘层30)与该光阻层，光阻层开口的区域被深深地(特别是远离光阻存在区域般地深)蚀刻，因此可形成对应光阻层的图案的凹部34。
[0041]另外，如图6所示，为了在将凹部34的侧面形成为倾斜(特别是平滑的倾斜)形状，可采用非对焦处理(defocus)。该非对焦处理中，例如先将曝光屏蔽放置在焦点位置而将下层的平面化绝缘层30曝光，或将前述回蚀刻时的光阻层曝光后，再使曝光屏蔽的位置朝曝光光源方向的焦点模糊的位置侧移动并予以曝光，由此在焦点位置使曝光屏蔽曝光的区域周围，形成曝光量较少(因焦点模糊)但以同一曝光屏蔽进行曝光的区域。进行该曝光处理后进行蚀刻时，对应曝光量及曝光位置的深度与大小的凹部34最后会形成平面化绝缘层30，在凹部34的剖面，可形成越朝下层直径越小的平滑的倾斜。
[0042]凹部34的倾斜角度θ从干扰的平均化的观点来看可设定为90°，但为了良好地保持形成在平面化绝缘层30上方的非常薄的发光组件层120的被覆性并防止断线，优选的设定为45°以下，由于0°并无意义，故θ优选的在0＜θ≤45°的范围。采用同一条件时，即使形成深度与大小不同的凹部34，倾斜角θ亦可设定为一定。也就是说，从组件的可靠性维持的观点来看，可形成倾斜角θ较小(保持组件的被覆性)的所要求的深度与大小的凹部34。当然，变更屏蔽及蚀刻条件，并变更倾斜角θ亦可，但此时优选的设定为可维持组件的被覆性的角度。
[0043]图7是说明从发光层126(光源)射出的光的行进方向及本实施例的作用的概念图。图7(a)显示在1个像素区域内从发光层126至基板10的光程长度相等的位置上的光行进方向。由发光层126所获得并且朝基板10行进的光如上所述穿透透明的第1电极200、平面化绝缘层30、波长调整层26，到达TFT层。在此，为方便起见，将发光组件层120的所有层设为同一折射率nEL将在发光组件层的dEL的一半位置引起发光的距离，即发光层126至第1电极200的距离设为dEL/2时，到从发光层126射出的光的TFT层的光学长度(最短长度)L1可以下式表示：
Ld＝nEL×dEL/2+nITO×dITO+nPLN×dPLN+nc×dc
另外，在上式中，分别为：发光层ITO第1电极200的折射率nITO、其厚度dITO、平面化绝缘层30的折射率nPLN、其厚度dPLN、波长调整层26的折射率nc、厚度dc。
[0044]来自发光层126的光在全方向放射，因此从该发光层126朝第2电极240行进的光在第2电极240，再到发光层126，然后与直接进入基板10侧的光同样地进入到来TFT层。因此，在第2电极240反射而射出的光的发光层126至TFT层的射出的光的TFT层的光程长度(最短长度)Lr可以下式表示：
Lr＝nEL×3dEL/2+nITO×dITO+nPLN×dPLN+nc×dc
[0045]如此，组件构造上、原理上，无法避免光程长度不同的光从基板10射出，即使有某程度的差，也会产生因干扰造成的观察面侧的亮度不均、或颜色不均。
[0046]然而，如图7(b)所示，通过形成凹部34等，而在1个像素区域内变更平面化绝缘层30的厚度，因此前述光程长度Ld、Lr存在至少各2种类，也就是说Ld1、Ld2、Lr1、Lr2。在此，Ld1是从发光层126直接进入基板侧并且穿透平面化绝缘层30的凸部(在此为上面平坦部)36而到达TFT层的光的光程长度，Lr1是从发光层126在第2电极240反射并且同样穿透平面化绝缘层30的凸部36而到达TFT层的光的光程长度。Ld2是从发光层126直接进入基板侧并且穿透平面化绝缘层30的凹部34的最下部而到达TFT层的光的光程长度，Lr2是从发光层126在第2电极240反射并且穿透平面化绝缘层30的凹部34的最下部而到达TFT层的光的光程长度。
[0047]如此，通过变更平面化绝缘层30的厚度，而存在有经由Ld1的光程长度而射出的光与经由Lr1的光程长度而射出的光的干扰条件，亦存在有经由Ld2的光程长度而射出的光与经由Lr2的光程长度而射出的光的干扰条件。因此，在观察面发生的干扰会平均化，结果，在本实施例中，可减低亮度不均、或颜色不均。当然，平面化绝缘层30的凹部在以具有至少图7(b)及前述图1剖面所示的平滑剖面的方式形成时，平面化绝缘层30的厚度会从凸部(或上部平坦部)36的厚度到凹部34的最深部(底部)34的厚度为止连续变化，因此因其厚度的不同，存在有多数的光程长度，可使干扰更加平均化。
[0048]另外，即使位于从发光层126至基板10的组件侧面的光程内的各层折射率无差异，根据本实施例，因为存在平面化绝缘层30的凹部34，发光层126亦沿着该凹部凹陷。因此，从显示观察面即从基板10观察时，发光层126即光源的位置，在前述凹部的部分中配置在比凹部的部分更近基板处，由此观点，可使从1个像素区域内射出的光的干扰平均化。另外，如前所述，难以在1个像素区域内变更发光组件层120等厚度，故通过在平面化绝缘层30设置凹部34，在该1个像素区域内变更来自观察点的光源的位置时，在干扰的平均化的观点具有效果。
[0049]以下具体说明TFT层，在有机EL组件100的形成区域(发光区域)中，TFT层主要为例如SiN、SiO2等绝缘层。即使为光穿透性的材料，在彼此折射率不同的层的界面，特别是折射率差大的层彼此的界面，容易造成光的反射。例如在图7(a)中，例示来自发光层126的光在波长调整层26及TFT层的最上层(例如SiO2)的界面反射的例子。从发光层126直接进入基板侧而在TFT层反射，并且在第2电极240反射最后穿透基板10将光射出外部时，该光会至少3次穿透第1电极200与平面化绝缘层30(存在时为波长调整层26)。平面化绝缘层30在因TFT的形成而产生凹凸时，为了使有机EL组件100的形成面尽可能平坦，大多采用平面化绝缘层30，此时，形成为1μm至4μm的厚度。该平面化绝缘层30比其它层更厚，并且对光程长度LrTFT的影响亦大。
[0050]在此，由IZO等构成的第1电极200的折射率为例如2.0，具有光程长度调整部32并且由丙烯酸类树脂等构成的平面化绝缘层30的折射率为1.6至1.5，由有机材料构成的波长调整层26的折射率亦与平面化绝缘层30同样为1.6至1.5。
再者，波长调整层26的下层的层间绝缘层20的例如SiN层是1.9左右，SiO2层为1.5左右。光射入折射率不同的界面时，会引起反射。由此观点，观察前述层迭构造时，在本实施例中，在光程长度调整部32的上层(第1电极)以及下层(SiN层)均配置有与平面化绝缘层30的折射率差较大的层。如此，在折射率n的差Δn大(例如Δn≥0.2)位置设置光程长度调整部32，因此存在有在比光程长度调整部32更近发光层(上层)侧处反射的光a1、未反射的光a2，及在比光程长度调整部32更近基板10(下层)侧处反射的光b1及未反射的光b2的可能性会变得非常高。也就是说，如上所述，仅通过平面化绝缘层30一次的光、通过2次、3次或4次以上的光，通过光程长度调整部32在1像素内可变更光程长度。
[0051]发光组件层120的厚度对组件的发光特性影响非常大，优选的不要在发光的1个像素区域内变更同一色。另外，利用真空蒸着或喷墨等印刷所形成，因此难以局部地变更厚度。再者，发光组件层120中，在各像素共通形成的层优选的同时形成。不单从使制造工艺简单化的观点，由于有机EL组件的有机层会因水分、氧、杂质等而劣化，因此形成层迭构造的有机EL组件100时，以最小限度的制造工艺数并且在不破坏真空状态的情况下连续成膜而防止劣化的点非常重要。如此，为了维持有机EL组件100的发光的均匀性、信赖性，优选的不要在1个像素区域内变更发光组件层120的厚度。
[0052]再者，第1电极200的厚度经变更时，在1个像素区域内电阻会产生变化。特别是，第1电极200的材料使用ITO、IZO等透明导电性金属氧化材料时，这些材料与Al相比较电阻值较大，因而使注入有机EL组件100的电荷量成为均质，并且从防止发热等的观点而要求低电阻，优选的在穿透率降低的范围内尽可能形成较厚。由此观点，优选的不要使第1电极200局部性地变薄。
[0053]相对于此，如本实施例，即使局部性变更厚度，通过使对有机EL组件100的发光特性等影响较小的平面化绝缘层30的厚度在1个像素区域内变更，亦可有效率地调整从有机EL组件100射出至外部的光的光程长度。
[0054]参照前述图1说明TFT层时，形成有覆盖基板10的表面并且防止杂质从侵入TFT的缓冲层(从基板侧SiN层、SiO2层的层迭构造)12，在该缓冲层12上形成有作为TFT有源层并且由激光退火处理的低温多结晶化而得到非晶硅的多晶硅层14。在覆盖多晶硅层14的基板全面，形成有从例如多晶硅层14侧依序层迭SiN层、SiO2层的2层构造的栅极绝缘层16。
[0055]在栅极绝缘层16上，形成有作为栅极电极材料的Cr或Mo等高融点金属材料层。并且以夹着栅极绝缘层16而残存在多晶硅层14的沟道形成区域的方式图案化，而成为TFT的栅极电极18。另外，图2所示的栅极线GL、电容线SL亦同时使等高融点金属材料层图案化而形成。在包含栅极电极18并且覆盖基板全面的位置形成有层间绝缘膜20。
[0056]该层间绝缘层20具备从例如基板侧依序形成SiN层、SiO2层的层迭构造。在该层间绝缘层20上，形成有使用Al等低电阻材料的数据线DL(参照图2)、电源线PL，并且连接在形成于层间绝缘膜20与栅极绝缘层16的接触孔中分别对应的第1导电区域(参照图2)、TFT2的第1导电区域(在第1、2图中为源极区域14s)。
[0057]形成在基板上的这些层基本上构成TFT层，但TFT形成区域、保持电容区域及配线区域，通常配置在非发光区域或遮光区域(非发光区域相当于例如有机EL组件100的第1电极200与第2电极240的间夹着发光组件层120而未直接相对向的区域)。因此，在本实施例中着眼的发光区域的从发光层126至基板10的光程上，如图1所示，存在有第1电极200、平面化绝缘膜30(光程长度调整部32)、波长调整层26、层间绝缘层20、栅极绝缘层16及缓冲层12。
[0058]另外，有机EL组件的发光起因于有机发光分子，在具备R、G、B的彩色显示装置时，亦可在各像素将发光层126作为单独图案，使用R、G、B用不同的发光材料。此时，R、G、B的各像素中，至少为防止混色，作成以R、G、B分离的图案，而在单独的步骤成膜。
[0059]另一方面，发光层126亦可使用全像素同一的发光材料，并且采用与各像素同一的白色发光层。此时，例如发光层126作成相互补色关系的橘色发光层与蓝色发光层的层迭构造，借此可实现加色的白色发光。如此在全像素使用白色发光EL组件时，有机发光组件层120的所有层能以全像素共通形成，但为了更正确规定各像素的发光区域并达成提高对比的目的，在各像素作成单独的图案。为了将例如白色发光层126作成单独图案，使用在各像素区域形成有开口部的屏蔽而成膜(例如真空蒸着法)时，可在成膜的同时获得单独图案。其它空穴注入层122、空穴输送层124、电子输送层128、电子注入层130在此皆以全像素共通形成(使用屏蔽以所希望的大少在各像素作成单独图案亦可)，并且第2电极240亦以各像素共通形成。另外，在白色发光EL组件中，通过设置对应各像素的R、G、B任一色的波长调整层26(彩色滤光片)，可进行彩色显示，但除了R、G、B在不设置波长调整层26的情况下，设置直接射出白色光的像素而可提升显示亮度及减低消耗电力的R、G、B及W(白色)4色的全彩显示的显示器亦可。也就是说，通过在该R、G、B、W的各像素(至少任一色的像素)设置前述光程长度调整部32，可实现干扰的平均化。
[0060]有机发光组件层120具由输送空穴或电子的功能，但仅在高电阻并且夹着有机发光组件层120使第1电极200与第2电极240直接相对向的区域，将电荷注入有机发光组件层120，有机EL组件100的发光区域系第1电极200与第2电极240直接相对向的区域。然而，在本实施例中，为了维持非常薄的发光组件层120的被覆性并且防止与第2电极240的短路，第1电极200的端部区域由平面化绝缘层140所覆盖，该平面化绝缘层140的第1电极200上的开口区域(由第1电极200的平面化绝缘层140所未覆盖的区域，在本实施例中形成有机EL组件100的发光区域。
[0061]以上在本实施例中，以采用在各像素设置开关组件而单独控制有机EL组件的所谓有源矩阵型的有机EL显示装置为例加以说明，但在各像素未具有开关组件即所谓无源矩阵型(passive matrix)显示装置时，通过在排列形成多条状的第1电极200的下层形成平面化绝缘膜30，并形成凹部，而可获得相同的效果。也就是说，夹着发光组件层120形成在与第1电极200之间，并且形成在与第1电极200交叉的方向的以条状延伸的第2电极240，与该第1电极200相对向的区域系形成1个像素区域，而在该1个像素区域内于平面化绝缘膜30形成光程长度调整部的话，可实现1像素内的干扰的平均化。另外，在无源矩阵型时，亦可在形成组件的例如玻璃基板形成凹部以直接作为光程长度调整部，如采用以上方法，则无须追加用以使干扰平均化的层。
[0062]其次，说明由本实施例的光程长度调整部所得的光学特性。首先，说明在图1所示的各像素采用同一的有机EL组件100，使所得的白色发光(橘色的光与蓝色的光的加色而达成)穿透彩色滤光片(厚度1.5μm)而获得R、G、B的光的构成中，于平面化绝缘膜30形成光程长度调整用的面板。
[0063]图8(a)至(c)显示以该面板所得的R、G、B的光的波长光谱。在图中，以实线显示在各像素区域将10μm的间距并且深度1μm的凹部34在平面化绝缘膜30时的面板的R、G、B的光的波形。虚线为比较例，将平面化绝缘膜30的厚度设定为全部相同，并且在1个像素区域内未变更光程长度时的组件的波形。在比较例的波形中，R、G、B的光中任一者，皆在多个部位存在有强度高的波长。相对于此，如本实施例通过设定多个光程长度，波形会平滑并且峰值数亦减少，干扰会平均化而减低。另外，在多个波长中存在峰值，系因其微妙的峰值经偏离等产生颜色的参差不齐，但在本实施例可获得防止该颜色的参差不齐的效果。
[0064]图8(d)至(f)在将由同样组件所得的R、G、B光的角度依存性也就是说观察面的法线方向设为0度时，显示观察角度与亮度变化的关系。与图8(a)至(c)同样地，虚线显示使光程长度在1个像素区域内相同的比较例的面板特性，实线显示显示使光程长度在1个像素区域内变更时的本实施例的面板特性。
[0065]在红、绿光中，如图8(d)及(e)所示，在实施形态中可获得与比较例同等或同等以上的视角，随着观察角度从0增大，亮度会变化，但无论红、绿光强度变化皆抑制在30％以内。
[0066]蓝光中，其强度变化会较比较例更加改善角度依存性，比较例中最多抑制在50％左右，而在本实施例中最多抑制在40％。因此，R、G、B中，视角显示大致同等的强度变化，无论在那一个位置观察，皆可保持与从正面观察时大致相同的适当白平衡。因此，在本实施例中，可以改善对应射出光的色的角度依存性，无论在那一个角度观察皆可实现适当的彩色显示。
[0067]其次，区分涂布各R、G、B的色中不同的发光材料而构成面板时，也就是说形成各R、G、B的色中不同的有机EL组件100时(以下称区分涂布方式)，针对如本实施例使光程长度在1个像素区域内变更时的特性，将未变更的情形作为比较例，加以比较说明。
[0068]图9(a)至(c)是与图8(a)至(c)同样地显示R、G、B的光的波长光谱。另外，形成在平面化绝缘膜30的凹部34是在R、G、B的任一像素中，深度皆为1μm并且间隔为10μm。在区分涂布方式的面板中，或R、G、B的任一光中，本实施形态的面板(实线)亦与图8同样地，峰值数会减少并且可获得平滑的波形。由此可知，干扰平均化而减小。
[0069]图9(d)至(f)是与图8(d)至(f)同样地显示在R、G、B的各色的角度依存性。在将光程长度调整部形成在区分涂布方式的面板的本实施例面板中(实线)，在R、G光的任一者中，观察角度增加时的亮度变化被抑制在2％左右至8％左右的范围，并且在B光中被抑制在15％左右，对于亮度变化(特别是防止亮度降低)可获得显著的改善效果。另外，在各观察角度中，R、G、B的亮度大致相等，因此通过观察角度亦可防止白平衡偏离。
[0070]另外，由图9的结果可知，将凹部的深度设定为全像素共通时，因蓝色与其它的绿、红所得的特性不同，故采用仅蓝色不同的深度亦可。具体而言，在图9的例中，就蓝色而言比较例可获得亮度变化的角度依存性小的特性，因此在此情况下蓝色可不设置凹部，或使凹部的深度d形成较浅亦可。如采用前述半曝光时，亦可容易地变更蓝色区域的深度。当然，不限定蓝色，亦可依条件形成(或未形成)仅其它颜色的像素的光程长度调整部32，变更深度d或变更形成间距等。另外，例如像素的配列为Δ配列并且同一色的像素的配置或形状在每列不同时，就同一色的像素而言，为了使前述光程长度调整部32的间距大小等互相相同，优选的依各像素的形状进行调整。另一方面，即使为例如同一色的像素，亦可依各像素的显示器上的位置，相互变更前述光程长度调整部32的条件(大小、深度、间距等)。从某视点观察显示器时，在正面与周边区域中，因位置相异故视野角度不同，而会有前述亮度变化特性不同的情形。
[0071]另外，凹部34的形成间距非常小时，同样地容易引起散射等，并且不能忽视有机EL组件100的形成面的凹凸，发光组件层120等难以完全被覆该凹凸，亦有损及可靠性的可能性。由此观点来看，优选的在凹部34的侧面赋予倾斜。在此，图6所示的凹部34的高低差(深度)d、凹部34的侧面的倾斜角θ、半径(对应于大小、形成间距)s，优选的满足以下条件。也就是说，
0.1μm≤d≤3.0μm，0°＜θ≤45°，2s＝2d/tanθ
(通过离子植入的光程长度调整)
[0072]图10是显示光程长度调整部32的其它例。在此，在预定的绝缘层，采用在例如TFT层中的层间绝缘膜16等的SiN层(SiO2层亦可)，形成离子植入区域314，局部变更折射率而成为非植入区域316，借此调整光程长度。植入的离子只要折射率在非植入部有差异则并无特别限定，但可列举K、Fe、Cu等金属离子作为一例。并且植入对象系不限定在前述绝缘层，亦可为形成有组件的基板10.如上所述，与在平面化绝缘层30等形成物理性的凹凸时同样地，为了发挥变更光程长度的功能，将非植入区域316与植入区域314的折射率的差设为Δn，并且将植入深度设为d时，即可选择植入离子及深度d，以使其积Δnd成为例如Δnd1.6×1000nm＝1600nm左右。
(上部发光型)(top emission type)
[0073]在以上的说明中，说明从形成有机EL组件的基板(第1基板)方射出光的所谓底发光型(bottom emission type)的发光显示器的组件与第1基板的观察方表面之间的光程长度调整，但在从封着在第1基板的组件形成面方的第2基板方将光射出至外部的所谓上部发光型的发光显示器中，为了在1个像素区域内形成光程长度不同的区域，亦可设置光程长度调整部。图11及图12显示该上部发光型的发光显示器的光程长度调整的例子。图11中，第2基板300上，依所需形成有波长调整层(例如彩色滤光片)26，并覆盖该波长调整层26而形成平面化绝缘层330，在该平面化绝缘层330的组件对向面侧，形成凹部340、凸部360作为光程长度调整部320。在此构成中，发挥前述图1等所示的光程长度调整部32同等的功能。
[0074]并且在图12中，与前述图1等同样地，在形成于第1基板10侧的有机EL组件100下的平面化绝缘层30，形成光程长度调整部320，并且在第2基板300侧，依所需形成波长调整层26。此时的光程长度调整部320将对应其凹凸的凹凸形成在发光组件层，借此发挥变更从发光层至第2基板300的观察面侧的光程长度的功能。
[0075]在以上说明的1个像素区域内进行光程长度调整的构成，在将由发光层所得的光从图1所示的第1电极200侧射出至外部的底部发光型的EL显示器、及在将由发光层所得的光从前述图11或图12所示的第2电极(第2基板300)侧射出至外部的上部发光型的EL显示器的任一个中，皆适用在具备利用共振将由组件内所得的光放大的微空孔穴机构(micro cavity device)的显示器，同样地可获得效果。
微空孔机构将位在例如光射出侧的电极作为非半穿透电极(并非透明电极，亦可为透明电极材料层与反射材料层的层迭构造)，并且通过设计使半穿透电极、与该半穿透电极相对向绝缘层的反射电极的间的光学长度成为共振波长一致的方式而实现。
(其它具体例)
[0076]图13是在图1所示的各像素采用同一发光色的有机EL组件，并且如上所述依据对应于各像素的显示色变更光程长度调整部32的凹凸深度时的主要部分剖面构造的一例。在覆盖TFT(未图示)层的上的层间绝缘层20上，依据对应于各像素的显示色设置有R用、G用、B用的波长转换层(彩色滤光层)26。未形成该波长转换层26的像素采用白色有机EL组件时的白色(W)显示用像素。也就是说，在各像素设置R、G、B显示用之外，亦设置白(W)显示用，而以R、G、B、W4色构成1像素单位时，在W显示用像素中，将来自有机EL组件的白色光直接射出外部。
[0077]R、G、B用的各波长转换层26分别将白色光作为红色光、绿色光、蓝色光，并且所用的材料不同。因此，各波长转换层26的厚度在R、G、B如图13所示大多不相等。并且如上所述在W像素未设置波长转换层26。也就是说，此时覆盖这些波长转换层26而形成的平面化绝缘层30在不同颜色的像素区域中彼此厚度相异。因此，在各像素区域中，可形成在平面化绝缘层30的凹部34的深度在各色中皆不同。如图13所示，在凹部34的要求深度大的像素区域中，所形成的平面化绝缘层30较厚(波长转换层26较薄)时，即便使形成于基板整体的平面化绝缘层30的厚度对应于最深的凹部34设定为较厚，亦不会使露出波长转换层26露出，而可在各像素区域形成最适当的深度的凹部34。如图13所示，在白色显示用像素中，因射出光并非单一波长，因此通过将多个深度不同的凹部34形成在同一像素区域内，可使正确的白色光射出至外部。
[0078]图14是显示光程长度调整部32的其它构成例。在图14的例中，将凹凸形成在预定的第1绝缘层302后，以填埋其表面的凹凸的方式形成由具有与第1绝缘层302不同的折射率的材料所构成的第2绝缘层304，以达成第2绝缘层304的上面的平滑化。在第2绝缘层304上形成有机EL组件100时，如上所述，由提升组件的可靠性的观点来看，组件形成面，优选的为平坦者。如为图14的构成，第2绝缘层304的上面的组件形成面可维持平坦性。另外，因在第1绝缘层302形成凹凸，并且第2绝缘层304埋设该凹凸，故可使第1绝缘层302及第2绝缘层304的厚度，也就是说第1及第2绝缘层304的光学长度在1个像素区域内变更。更具体而言，第1绝缘层302可使用在例如层间绝缘层20亦采用的SiN、SiO2的层迭体，第2绝缘层304可使用平面化绝缘层30。如上所述，SiN的折射率为1.9左右，SiO2的折射率为1.5左右，平面化绝缘材料的折射率为1.6至1.5左右。因此，将例如第1绝缘层302形成由下往上的SiN/SiO2/SiN/SiO2/SiN多层构造，并使依序形成在各层的开口部越往上层越大，而可构成凹部341。由平面化绝缘材料所构成的第2绝缘层304埋设于如此所获得的凹部341，因而获得多种从第2绝缘层304的表面至第2绝缘层304的SiN层表面的距离(在图14例中为3种类)，可发挥光程长度调整部32的功能。
[0079]图15是以所谓区分涂布方式，在R、G、B像素区分涂布有机EL组件的至少发光材料的发光显示器面板的光程长度调整部32的其它构成例。另外，在与图1共通的构成赋予同一符号并省略其说明。区分涂布方式的情况下，与图1的情形不同，波长转换层26在R、G、B各像素并无特别需要。因此，在层间绝缘层20上形成有平面化绝缘层30。在图15例中，在该平面化绝缘层30形成有贯通该平面化绝缘层30的深度的凹部34。也就是说，在凹部的底部露出有下层的层间绝缘膜20的表面。另外，凹部34的倾斜角θ在任何情况下，为了维持上层有机EL组件的可靠性优选的尽可能形成较小(图15中因图面的关系而以较大的角度表示)，优选的为比45°小。此时，平面化绝缘层30为例如1μm左右的厚度时，可利用较小的倾斜角θ形成用以贯通平面化绝缘层30的凹部34。如上所述，以例如10μm左右的设置间隔，可获得深度1μm左右的凹部34。
[0080]如此，形成用以贯通平面化绝缘层30的凹部34，形成在平面化绝缘层30上的有机EL组件的第1电极(ITO)200在凹部34的底部与层间绝缘膜20接触。在此，优选的采用SiN作为层间绝缘膜20的最上层(例如从TFT侧SiN/SiO2/SiN的3层构造)。由此，在第1电极(ITO)200与层间绝缘膜20的界面，其折射率的差为0.1左右(ITO折射率：1.9；平面化绝缘层折射率为2.0)，相对于此，第1电极与平面化绝缘层30的界面的折射率差为0.4左右(ITO折射率：1.9；SiN折射率为1.5)。因此，无论该凹部34的有无，可积极地变更来自有机EL组件100的光的光程长度。因此，即使平面化绝缘层30为例如1μm以下的厚度时，亦可形成充分的光程长度的差。
[0081]另外，形成电源线PL或未图标的数据线DL等后，在图15中如虚线所示，亦可在覆盖电源线PL或未图标的数据线DL等的基板全面，在形成平面化绝缘层30前，形成SiN层以作为保护层(此时层间绝缘层亦可为3层构造)，在凹部34的底部露出保护层的部位、存在平面化绝缘层30的部位，同样地可获得大的折射率的差。因此，与前述同样地，可更积极地变更光程长度，亦可采用薄的平面化绝缘层30。另外，在图15的构成中，作为形成用以构成光程长度调整部32的凹部34的绝缘层，亦可采用更薄的层，因此不限定在采用平面化绝缘材料的构成，亦可采用例如使用与平面化绝缘材料同程度的折射率的SiO2等的绝缘层。
[0082]以上以使用有机EL组件作为发光组件的发光显示器为例加以说明，但发光组件即使为无机EL组件等其它薄膜发光组件，亦可获得效果。
(产业上的利用可能性)
[0083]可利用在于各像素具备发光组件的发光显示器。

Claims (20)

1.一种发光显示器，其具有：具备多个像素，各像素具有在第1电极与第2电极之间形成包含至少发光层的发光组件，
且在第1基板上方形成有前述发光组件，使来自前述发光组件的光射出至外部者，其特征为：
在前述发光组件与显示器观察方表面之间形成有绝缘层，
在该绝缘层的1个以上的像素区域中形成有凹凸，而构成用以调整从前述发光层至显示器观察方表面的光程长度的光程长度调整部，
前述凹凸部的凹部或凸部的直径为约10μm，
从前述发光层至显示器观察方表面的光程长度的光程长度通过前述光程长度调整部在1个像素区域内形成多个，并将多个干扰发生条件设定在1个像素区域内。
2.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，前述光程长度调整部仅设置在各像素区域内的发光区域。
3.根据权利要求1或2所述的发光显示器，其中，在前述各像素具备：形成在前述第1基板上方，且包含用以控制前述发光组件的1个以上的开关组件的电路组件。
4.根据权利要求1或2所述的发光显示器，其中，前述凹凸形成在前述发光层与前述第1基板之间所形成的平面化绝缘层中。
5.根据权利要求1或2所述的发光显示器，其中，在前述第1基板的前述发光组件形成面侧封着有第2基板，
前述凹凸形成在前述发光层与前述第2基板的间所形成的绝缘层中，
并使来自前述发光组件的光穿透前述第2基板而射出至外部。
6.一种发光显示器，其具有多个像素，将来自前述发光组件的光射出至外部者，其特征为：
各像素具有：在第1电极与第2电极之间形成包含至少发光层的前述发光组件；及形成在前述发光组件与第1基板的层间，且包含用以就每个像素控制前述发光组件的1个以上的开关组件的电路组件；
在前述电路组件与连接在所对应的前述开关组件的前述发光组件的层间形成有绝缘层，
在该绝缘层的1个以上的像素区域中，仅在该像素区域的发光区域内选择性形成有凹凸，而构成用以调整从前述发光层至显示器观察方的表面的光程长度的光程长度调整部，
通过前述光程长度调整部，将从前述发光层至显示器观察方的表面的光程长度的光程长度在1个像素区域内形成多个，并将多个干扰发生条件设定在1个像素区域内。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的发光显示器，其中，形成在前述绝缘层的凹部或凸部沿着1个像素区域的短边方向并列形成2个以上，前述凹凸的高低差比0μm大且在3.0μm以下。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的发光显示器，其中，依前述各像素所对应的显示色，构成前述凹凸的凹部或凸部的大小、或1个像素区域内的总数中至少一方具有与其它像素不同的至少1个像素。
9.根据权利要求1至8中任意一项所述的发光显示器，其中，对应各像素所对应的显示颜色，前述多个像素的各像素区域中前述凹凸的高低差具有与其它像素不同的至少1个像素。
10.根据权利要求1至9中任意一项所述的发光显示器，其中，构成前述凹凸部的凹部或凸部的1个像素区域内的相互设置间隔，在前述多个像素内且至少同一色的像素区域中相等。
11.根据权利要求1至10中任意一项所述的发光显示器，其中，构成前述凹凸部的凹部的1个像素区域内的相互设置间隔，因前述多个像素的前述显示器上的位置而不同。
12.根据权利要求1至11中任意一项所述的发光显示器，其中，形成有覆盖前述绝缘层且具备与该绝缘层不同的折射率的平面化层，通过该平面化层使因前述绝缘层的前述凹凸造成的表面凹凸平面化，且在平面化层上方形成有发光组件。
13.根据权利要求1至12中任意一项所述的发光显示器，其中，构成前述凹凸部的凹部的底部相对于基板平面方向的倾斜角比0°大且在45°以下。
14.根据权利要求1至13中任意一项所述的发光显示器，其中，前述发光层在前述多个像素中任一个使同一波长的光发光，
在前述发光组件与显示器观察侧表面之间，
在前述多个像素的像素内的至少一部分像素中，形成有用以所对应的颜色的波长调整层。
15.根据权利要求1至13中任意一项所述的发光显示器，其中，前述发光层在前述多个像素中使所对应的颜色的光发光，
从发光组件射出且在1个像素区域内从前述第1基板或第2基板射出至外部的光中，至少通过前述光程长度调整部的光的光程长度与未通过该光程长度调整部的光的光程长度不同。
16.根据权利要求1至15中任意一项所述的发光显示器，其中，形成有前述凹凸的前述绝缘层平面化绝缘层。
17.根据权利要求16所述的发光显示器，其中，在前述平面化绝缘层上层迭形成有前述发光组件。
18.根据权利要求1至17中任意一项所述的发光显示器，其中，构成前述光程长度调整部的绝缘层的凹凸的高低差，以相对于射出光的视角度变化的U，V坐标(Δu’2+Δv’2)1/2所标示的色差为满足0.02未满的值。
19.根据权利要求1至17任意一项所述的发光显示器，其中，构成前述光程长度调整部的绝缘层的凹凸的高低差，以相对于射出光的视角度变化的x，y坐标(Δx’2+Δy’2)1/2所标示的色差为满足0.035未满的值。
20.根据权利要求1至19中任意一项所述的发光显示器，其中，前述凹凸部的底部相对于基板平面方向的倾斜角在形成有前述凹凸的各像素一定。
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