CN104617124B - 有机发光二极管显示器 - Google Patents

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Abstract

有机发光二极管(OLED)显示器包括多个像素，像素包括发光部，所述发光部包括被配置为生成光的发光层，以及面向彼此的像素电极和相对电极。所述发光层位于所述像素电极与所述相对电极之间。每个像素还包括位于所述发光部的一侧且被配置为允许光穿过的光输出部。

Description

有机发光二极管显示器
技术领域
本发明的实施方式的各方面涉及有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
在显示设备中，有机发光二极管(OLED)显示器是自发光型显示器，即，它不需要单独的光源。因此，它具有比非自发光型显示器低的功耗，并且有机发光二极管(OLED)显示器的响应速度、视角和对比率优良。
有机发光二极管(OLED)显示器包括多个像素，例如红色像素、蓝色像素、绿色像素和白像素(白色像素)，并且可通过组合不同颜色的像素表现全颜色范围。每个像素包括发光元件和用于驱动发光元件的多个薄膜晶体管。
有机发光二极管(OLED)显示器的发光元件包括像素电极、公共电极和位于两个电极之间的发光层。像素电极和公共电极中的一个为阳极，像素电极和公共电极中的另一个为阴极。从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在发光层中彼此耦合(即，结合)以形成激子，并且激子在释放能量的同时发出光。公共电极被形成为遍及多个电极以传递公共电压。
OLED显示器可以是朝向底部发光的背面发光型、或朝向顶部发光的正面发光型。在正面发光型OLED显示器中，公共电极可包括透明的导电材料，并且在背面发光型OLED显示器中，公共电极可包括不透明的导电材料。
从OLED显示器进入的外部光可被OLED显示器的表面或被OLED显示器的各个内层反射，由此降低了图像的可见性和质量。例如，当外部光被反射时，黑色的可见性被降低，由此导致对比率的降低。因此，偏振器可被附接至OLED显示器遇到外部环境的界面的外围区域(或边界)以减少外部光的反射。
另外，因为OLED显示器具有多层结构，从发光层生成的光可被保持在(即，可留在)OLED显示器的内层而不向外发射。例如，当偏振器附接至OLED显示器的外侧时，在发光层中生成的光可被偏振器吸收或反射，从而可显著降低OLED显示器的光提取效率。
在背景技术部分公开的上面信息仅用于增强对本发明的背景的理解，因此，它可包含不形成在此国家为本领域技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的实施方式的各个方面涉及提高OLED显示器的光提取效率并且降低其功耗。
而且，根据本发明的实施方式的各个方面，减少或最小化像素中发出光的开口的尺寸并且提高OLED显示器的光提取效率，以更简单地实现或制造高分辨率OLED显示器，由此提高设计像素布局的自由度。
此外，根据本发明的实施方式的各个方面，可减少OLED显示器对外部光的反射度。
根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器包括多个像素，其中每个像素包括：发光部，包括被配置为生成光的发光层以及面向彼此的像素电极和相对电极，所述发光层位于所述像素电极与所述相对电极之间；以及光输出部，位于所述发光部的一侧并且被配置为允许光穿过。
所述像素还可包括反射部，所述反射部位于所述发光部的与所述光输出部相反的另一侧且面向所述光输出部，并且所述发光部位于所述反射部与所述光输出部之间。
所述反射部、所述像素电极和所述相对电极中的至少一个可被配置为朝向所述发光层反射光。
所述反射部、所述像素电极和所述相对电极中的至少一个可包括反射导电材料。
所述OLED显示器的像素还可包括直接位于所述反射部上或下的绝缘层。
所述绝缘层可具有小于或等于约1.4的折射率。
所述反射部可位于与所述像素电极相同的层并且可包括与所述像素电极相同的材料，所述反射部的厚度可大于所述像素电极的厚度。
所述反射部的顶面与所述像素电极的顶面之间的台阶差可为约0.1μm至约1μm。
所述绝缘层可位于所述反射部与所述相对电极之间。
所述反射部可位于与所述像素电极所在的层不同的层，并且所述绝缘层可位于所述像素电极与所述反射部之间。
所述反射部的厚度可为约0.1μm至约1μm。
所述反射部可与所述相对电极接触。
所述光输出部和所述反射部可包围所述发光部。
所述像素可具有沿对应像素的外围延伸的多个边缘侧，所述光输出部可对应于所述边缘侧中的至少一个并且所述反射部对应于剩余的边缘侧。
所述相对电极的一部分可位于所述光输出部中，所述相对电极位于所述光输出部中的部分可包括相对于所述相对电极的另一部分在所述发光部中延伸的方向倾斜的倾斜部。
所述OLED显示器的像素还可包括位于所述像素电极与所述相对电极之间的像素限定层。所述像素限定层可包括面向所述倾斜部的侧壁并且具有对应于所述像素电极的开口。
所述多个像素中的每个可分别包括所述发光部、所述光输出部和所述反射部，并且所述光输出部位于每个对应像素的相同侧。
所述多个像素分别包括所述发光部、所述光输出部和所述反射部，所述多个像素可包括至少两个像素并且所述至少两个像素中所述光输出部相对于所述发光部的位置可彼此不同。
所述多个像素可基本以矩阵形式被布置，并且沿第一方向被布置的所述像素中所述光输出部相对于所述发光部的位置可沿所述第一方向以每至少一个像素交替地改变。
沿与所述第一方向不同的第二方向布置的所述像素的所述光输出部相对于所述发光部的位置可沿所述第二方向以每至少一个像素交替地改变。
根据本发明的示例性实施方式的各个方面，可提高OLED显示器的光提取效率并且可减少其功耗。此外，通过减少或最小化每个像素中发出光的开口的尺寸并且提高OLED显示器的光提取效率，可更加简单地实现或制造高分辨率OLED显示器，由此可提高设计像素布局的自由度。另外，可减少OLED显示器的外部光的反射率。
附图说明
图1是示出了根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的光提取方法的OLED显示器的示意性截面视图；
图2和图3是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的截面视图；
图4至图14是顺序地示出了根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的制造方法的截面视图；
图15是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的截面视图；
图16是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的一个像素的示意性俯视平面图；
图17至图21是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的布局图；
图22至图25是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的一个像素的示意性俯视平面视图；
图26至图30是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的布局图；
图31是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的一个像素的示意性平面视图；
图32是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的一个像素的示意性平面视图；
图33至图36示出了依据根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的绝缘层的各种折射率的侧漏光的程度的仿真结果。
具体实施方式
下文参考附图更完整滴描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施方式。如本领域技术人员将认识到，所描述的实施方式可以各种不同的方式被修改而不背离本发明的精神或范围。
在附图中，为了清楚起见层、膜、面板、区域等的厚度可被放大。在整个说明书中相似的参考标号指定相似的元件。将理解当元件(例如层、膜、区域或衬底)被称为“位于”另一元件“之上”时，它可直接位于另一元件之上或也可能存在一个或多个中间元件。当元件被称为“直接位于”另一元件“之上”时，不存在中间元件。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个列出的相关项的任意或所有组合。例如“至少一个”的表达位于一列元件之前时修饰整列元件而不修饰列中的单独元件。
本说明书中使用的术语仅用于描述具体实施方式，但是不用于限制本发明。以单数形式使用的表达包括复数的表达，除非在上下文中具有明确不同的意义。在本说明书中，将理解，例如“包括(comprising)”、“包括(including)”或“具有(having)”等的术语用于指示在说明书中公开的特征、数字、步骤、动作、部件、部分或它们的组合的存在，并且不排除一个或多个其它特征、数字、步骤、动作、部件、部分或它们的组合可能存在或可被添加的可能性。为了方面描述可在本文中使用例如“位于…之上”、“位于…之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等的空间相对术语以描述附图中示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解，空间相对术语用于包括在使用或操作中的设备的除了附图中描绘的定向以外的不同定向。例如，如果附图中的设备翻转，则被描述成“位于”其它元件或特征“下方”、“之下”或“下面”的元件然后被定向为“位于”其它元件或特征“上方”或“之上”。因此，示例性术语“位于…下方”可包括上和下的定向。设备可以其它方式被定向(旋转90度或以其它定向)，并且在本文中使用的空间相对描述应该相应地被解释。而且，在描述本发明的实施方式时“可”的使用指“本发明的一个或多个实施方式”。
首先，将参考图1描述根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器。图1是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的光提取方法的示意性截面视图。
参考图1，根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器包括多个像素PX。每个像素PX可显示具有根据输入的图像信号的亮度的图像(例如，可被配置为显示图像)。
每个像素PX包括耦接至(例如，连接至)信号线的半导体元件和耦接至(例如，连接至)半导体的有机发光元件。半导体元件可包括至少一个电场效应晶体管(FET)。
有机发光元件例如为有机发光二极管，并且包括耦接至(例如，连接至)半导体元件的像素电极191、接收公共电压的相对电极270、以及设置在像素电极191与相对电极270之间的发光层370。像素电极191可充当阳极，并且相对电极270可充当阴极。可选地，像素电极191可充当阴极，并且相对电极270可充当阳极。
有机发光元件根据半导体元件的输出电流发出具有可变强度的光以显示图像。有机发光元件的发光层370可包括发出多个原色(例如红(R)、绿(G)和蓝(B)的三原色、四原色等)中的一个或多个颜色的光的有机材料，或者可包括发出白光(白色光)的有机材料。有机发光设备可根据颜色的空间之和来显示期望的图像。
参考图1，每个像素PX包括发光部L、光输出部O和反射部195。光输出部O与发光部L相邻。
发光部L包括包含像素电极191、相对电极270和设置在像素电极191与相对电极270之间的发光层370的有机发光元件。发光层370生成具有基准亮度(例如，具有预定亮度)的光。也就是说，每个像素PX的发光部L可生成具有基准亮度(例如，预定亮度)的光。
在发光部L中生成的光在像素电极191与相对电极270之间反射，然后移动至发光部L的一侧。对此，像素电极191和相对电极270可包括反射导电材料或涂覆至像素电极191或相对电极270内表面的反射材料。像素电极191和相对电极270面向彼此并且可在一个像素PX中形成光学波导。
光输出部O与发光部L分离(例如，相隔)并且与发光部L邻近(例如，相邻)。光输出部O被相邻地设置在发光部L的至少一侧。例如，光输出部O可被相邻地设置在发光部L的一侧。在发光部L中发出然后移动至其一侧的光从有机发光元件穿过光输出部O向外输出。根据图1的示例性实施方式的OLED显示器可以是背面发光型显示器，因此光沿相对于像素电极191的向下方向被输出(即，光沿从相对电极270向像素电极191的方向被输出)。
在光输出部O的至少一部分中，例如在光输出部O的外侧下方，未形成有像素电极191。也就是说，像素电极191可位于光输出部O的一部分中，或像素电极191可不位于光输出部O中。
光输出部O的宽度可小于或等于约4μm，但是不限于此。光输出部O的面积相对于一个像素PX的面积的比可小于或等于约10％，但是这也不是限制性的。
相对电极270可延伸至光输出部O，因此可形成倾斜部271。相对电极270的倾斜部271具有倾斜角(例如，预定的倾斜角)并且朝下倾斜(即，倾斜部271可朝向显示器的底部或朝向像素电极191延伸)。到达光输出部O的光可被倾斜部271向下反射然后被输出。
反射部195反射在发光部L的发光层370中生成的光。反射部195使从发光部L传输的光朝向光输出部O移动以控制待仅通过关于一个像素PX的至少一个光输出部O(例如通过相邻地设置在发光部L的一侧的光输出部O)被输出的光。反射部195可包括反射材料，例如反射金属材料。
光输出部O和反射部195面向彼此，并且发光部L位于两者之间(例如，光输出部O和反射部195位于发光部L的相反两侧)。也就是说，至少一个光输出部O被定位为与每个像素的发光部L的边缘相邻，并且反射部195可与发光部L的相反边缘相邻。也就是说，每个像素PX的发光部L可被光输出部O和反射部195包围(例如在两侧被光输出部O和反射部195包围)。
光通过由面向彼此的像素电极191和相对电极270形成的光学波导移动至发光部L的一侧，然后通过相邻地位于发光部L一侧(例如，仅一侧)的光输出部O向外输出。因此，可通过有限的或相对小的开口实现增加的(或最大的)光提取效率。因为在发光部L中生成的光通过光学波导移动至一个光输出部O然后输出，所以可提高光输出效率，与此同时，可降低OLED显示器的功耗。
内部光仅通过光输出部O被输出，因此显著减少了外部光的吸收和反射。用于减少外部光的反射的外部光反射层(例如，在比较或相关显示器中使用的偏振板)可能是不必要的或非期望的。如所期望的，朝向显示器外部移动的内部光不被偏振板等吸收，因此还可提高发光效率(即，输出在发光层370中生成的内部光的效率)。
当单个光输出部O被设置在每个像素PX中时，可减小或最小化像素PX的开口的尺寸，并且因为发光部L和光输出部O分离，所以可更容易地实现高分辨率OLED显示器并且可提高像素PX的像素设计布局的自由度。
然后，将参考图2和图3详细描述根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器。
图2和图3是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的截面视图。
参考图2和图3，根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器可包括绝缘衬底110。绝缘衬底110可包括例如玻璃或塑料(例如，聚酰亚胺树脂、丙烯基树脂、聚丙烯酸酯树脂、聚碳酸脂树脂、聚醚树脂、聚对苯二甲酸乙二酯树脂、磺酸树脂等)。绝缘衬底110可以是透明的。
多个信号线和耦接至(例如，连接至)多个信号线的半导体元件可被设置在绝缘衬底110上。半导体元件可以是例如薄膜晶体管，薄膜晶体管具有包括与信号线耦接(例如，连接)的栅电极、源电极和漏电极的三端结构。
至少一个绝缘层180被设置在半导体元件上。绝缘层180可包括无机材料(例如，氮化硅、氧化硅等)和有机材料中的至少一个。有机材料可以是例如丙烯酸聚合物、聚酰胺聚合物、硅氧烷聚合物、包括光敏丙烯基羧基的聚合物、酚醛型树脂、碱溶性树脂等。
多个像素电极191被设置在绝缘层180上。像素电极191可与薄膜晶体管的漏电极电耦接(例如，电连接)。在这种情况下，像素电极191可通过绝缘层180中的接触开口(例如，接触孔)与薄膜晶体管的漏电极电耦接(例如，电连接)。
像素电极191包括可反射光的反射材料。例如，像素电极191可包括如铝、银、钨、金、铬、钨、钼、钛、钯、铱等的金属中的至少一个、或它们的合金，并且可包括包含金属的单层或堆叠层结构。
像素电极191可利用溅射工序、真空沉积工序、化学气相沉积工序、脉冲激光沉积工序、印刷工序、原子层沉积工序等形成。
在每个像素PX中，像素电极191被形成为位于发光部L的全部或基本全部中，并且可延伸至发光部L的外部区域(即，像素电极191可延伸到发光部L外面)。
具有使每个像素PX的像素电极191暴露的多个开口的像素限定层(也被称为阻挡肋)360可被设置在像素电极191上。使像素电极191暴露的像素限定层360的开口可限定每个像素区域。像素限定层360可包括有机材料或无机材料。例如，像素限定层360可包括有机材料(例如，光刻胶、聚丙烯酸酯树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等)和无机材料(例如氧化硅或氮化硅)中的至少一个。
根据当前示例性实施方式的像素限定层360被设置在相邻的像素PX之间。像素限定层360可位于每个像素PX的光输出部O与发光部L之间的边界和光输出部O的至少一部分处。
包括绝缘材料的隔垫物380还可被设置在像素限定层360上。隔垫物380的宽度可小于设置在其下方的像素限定层360的宽度。然而，隔垫物380可被省略。
位于光输出部O中的像素限定层360和隔垫物380可包括位于光输出部O中的侧壁SW。侧壁SW相对于绝缘衬底110的表面倾斜，倾斜角A为约30度至约75度的锐角，但是这不是限制性的。侧壁SW可面向相对电极270的倾斜部271。
发光层370被设置在像素电极191、像素限定层360和隔垫物380上。发光层370可包括有机发光材料。
发光层370可由发出原色(例如，红色、绿色和蓝色)的光的有机材料制成，可具有层压有分别发出不同颜色的光的多个有机材料层的结构，或者可包括发出白光(例如，白色光)的有机材料。例如，红色有机发光层可被层压在(显示)红色的像素PX中、绿色有机发光层可被层压在(显示)绿色的像素PX中，并且蓝色有机发光层可被层压在(显示)蓝色的像素PX中。
空穴注入层和空穴传输层中的至少一个可被进一步地设置在发光层370与像素电极191之间以提高OLED显示器的发光效率。另外，电子传输层和电子注入层中的至少一个可被进一步设置在发光层370上。
发光层370的厚度可为约0.1μm至约1μm(例如，约0.15μm至约0.5μm)以增加有机发光元件的寿命和防止因驱动电压的增加引起的效率恶化，但是这些范围不是限制性的。此外，发光层370的厚度(例如，最佳厚度)可根据发光层370的颜色的波长而改变或变化。
如之前所描述的，反射部195位于发光层370相对于每个像素PX中的发光部L面向光输出部O的边缘。反射部195限定发光层370的侧边缘，并且与发光层370的界面形成反射表面，其中反射表面反射在相邻的发光层370中生成然后移动的光。
参考图2和图3，根据本发明的示例性实施方式的反射部195位于与像素电极191所在的相同层，并且可包括与像素电极191相同的材料。也就是说，反射部195可包括与像素电极191相似或相同的反射材料，并且可包括例如如铝、银、钨、金、铬、钨、钼、钛、钯、铱等的金属中的至少一个、或它们的合金，并且可包括包含金属的单层或堆叠层结构。在这种情况下，反射部195和像素电极191可通过相同的工序形成。反射部195和像素电极191可彼此耦接(例如，连接)或可彼此分离。
参考图2，反射部195的上表面相对于像素电极191的上表面之间的高度差，即像素电极191与反射部195之间的台阶差dG，可为约0.1μm至约1μm，但是这不是限制性的。像素电极191与反射部195之间的台阶差dG可具有大于或等于发光层370的厚度的高度以提高光提取效率(见例如图3)。
传输公共电压的相对电极270被设置在发光层370上。
类似于像素电极191，相对电极270包括反射光的反射材料。例如，相对电极270可包括如铝、银、钨、金、铬、钨、钼、钛、钯、铱等的金属中的至少一个、或它们的合金，并且可包括包含金属的单层或堆叠层结构。
相对电极270可形成于发光层370、像素限定层360和隔垫物380上以覆盖它们。在光输出部O中，沿像素限定层360和隔垫物380的侧壁SW形成的相对电极270可包括倾斜部271和从倾斜部271延伸(例如连接至倾斜部271)的弯曲部273。
倾斜部271相对于绝缘衬底110的表面倾斜，并且其倾斜角为约30度至约75度的锐角，但是这不是限制性的。
弯曲部273耦接(例如，连接)发光部L的相对电极270的一部分和倾斜部271。弯曲部273可包括至少一个折弯部或弯曲部(例如，平滑弯曲部)。
在像素电极191与相对电极270之间被反射且被移动至与反射部195相反的一侧的光在到达光输出部O时可被相对电极270的倾斜部271和弯曲部273反射。光然后可向外(即，向像素PX外)输出。
参考图2，绝缘层350被设置在反射部195与相对电极270之间。绝缘层350使反射部195与相对电极270绝缘。绝缘层350可形成于反射部195的一侧上，因此可被设置在反射部195与发光层370之间。
为了反射部195与发光层370之间的更有效的光反射，绝缘层350的折射率可低于发光层370的折射率。当发光层370与绝缘层350之间的折射率差增加时，总反射率可增加，由此降低了光损耗。例如，绝缘层350的折射率可小于或等于约1.4，在这种情况下，可有效地防止侧表面的漏光。这随后参考仿真结果进行进一步描述。
参考图3，根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器还可包括挡光构件220，挡光构件220包括与光输出部O对应的开口225。挡光构件220通过覆盖一个或多个区域来防止从覆盖这些区域的显示器的外面看到或可见除了光输出部O以外的一个或多个区域(即发光部L和其它部分)。挡光构件220可被设置在发光层370下方，例如，挡光构件220可被设置在绝缘衬底110与发光层370之间或者被设置在绝缘衬底110的外侧。图3示出了挡光构件220被设置在绝缘衬底110与绝缘层180之间的示例性实施方式。
因为在发光层370中生成的光因挡光构件220仅而通过光输出部O向外输出，所以可通过使用(利用或用)相对小的开口实现增加的(或最大的)光提取效率。另外，内部光仅通过光输出部O输出并且剩余区域被挡光构件220覆盖。因此，显著减少了外部光的吸收和反射，并且减少外部光反射的外部光反射层(例如，偏振器)不是必要的或期望的。
如所描述的，可提高OLED显示器的光输出效率，因此可降低功耗。
每个像素PX的像素电极191、发光层370和相对电极270形成有机发光元件，并且像素电极191和相对电极270中的一个充当阴极以及像素电极191和相对电极270中的另一个充当阳极。
根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器可以是朝向绝缘衬底110的背面(例如，底面)发出在发光层370中生成的光以显示图像的背面发光型显示器。
封装层可被进一步设置在相对电极270上以通过封装有机发光元件防止来自外侧的湿气和/或氧气的渗透。
下文参考图4至图14描述根据本发明的示例性实施方式的制造OLED显示器的方法。
图4至图14是顺序地示出了根据本发明的示例性实施方式的制造OLED显示器的方法的截面视图。
首先，参考图4，在绝缘衬底110上涂覆挡光材料，并且移除或蚀刻(例如，消除)与光输出部O对应的部分以形成包括与光输出部O对应的开口225的挡光构件220。
然后，参考图5，可通过在挡光构件220上涂覆无机绝缘材料形成绝缘层120。然而，绝缘层120的形成可被省略。继续，在绝缘层120上层压多个薄膜，然后蚀刻多个薄膜以形成半导体元件Q，例如薄膜晶体管。然后，通过在半导体元件Q上层压有机绝缘材料或无机绝缘材料形成绝缘层180，并且在其内形成使半导体元件Q的漏电极暴露的接触开口(例如，接触孔)。
接下来，参考图6，通过在绝缘层180上层压反射导电材料形成像素电极层190。反射导电材料可包括如铝、银、钨、金、铬、钨、钼、钛、钯、铱等的金属中的至少一个、或它们的合金。
参考图7，在像素电极层190上涂覆光刻胶并且将光刻胶图案化以形成包括薄的部分51和厚的部分52的光刻胶图案50。光刻胶图案50的所有或基本所有被设置在发光部L中，但是光刻胶图案50可部分地延伸到光输出部O中。
参考图8，通过使用(利用)光刻胶图案50作为蚀刻掩膜来蚀刻像素电极层190以形成像素电极图案190a。
然后，参考图9，蚀刻光刻胶图案50的上表面以移除(例如，消除)薄的部分51，并且形成光刻胶图案50a。光刻胶图案50a被设置在与光刻胶图案50的之前厚的部分52对应的位置，并且可具有比之前厚的部分52的厚度小的厚度。
接下来，参考图10，通过使用(利用)光刻胶图案50a作为蚀刻掩膜来蚀刻像素电极图案190a以形成像素电极191和反射部195。反射部195是之前像素电极图案190a中位于光刻胶图案50a下方的的部分，并且之前像素电极图案190a中剩余部分对应于像素电极191。在这种情况下，像素电极191的厚度可通过控制蚀刻率而被调整。
在本示例性实施方式中，被设置在相同层且包括相同材料的像素电极191和反射部195可由除了图6至图10所示的示例性实施方式以外的各种方法形成。
参考图11，在反射部195和像素电极191上层压无机绝缘材料或有机绝缘材料，然后图案化绝缘材料以在反射部195上形成绝缘层350。在这种情况下，绝缘层350可覆盖反射部195的侧表面。
参考图12，在像素电极191和绝缘层350上涂覆有机材料或无机材料，然后图案化有机材料或无机材料以形成发光部L和光输出部O的边界。在与光输出部O对应的区域中设置像素限定层360。
参考图13，还可在像素限定层360上形成隔垫物380。
参考图14，在由反射部195和像素限定层360包围的区域中形成发光层370。发光层370可延伸至像素限定层360的上表面和侧表面。继续，在发光层370上层压反射导电材料以形成相对电极270。反射导电材料可包括如铝、银、钨、金、铬、钨、钼、钛、钯、铱等的金属中的至少一个、或它们的合金。相对电极270包括由像素限定层360的台阶差形成的倾斜部271和弯曲部273。
下文中将参考图2、图3和图15描述根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器。
图15是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的截面视图。
参考图15，根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器与根据图2和图3所示的示例性实施方式的OLED显示器基本相同，除了像素电极191和反射部195以外。
反射部195可被设置在与像素电极191层不同的层处(或中)。例如，反射部195可被设置在像素电极191的下部或上部。图15示出了反射部195被设置在像素电极191的上部的示例性实施方式。
像素电极191可延伸至反射部195的下部，或者像素电极191可不被设置在反射部195的下部。当像素电极191被设置在反射部195的下部时，如图15所示，绝缘层350被设置在反射部195与像素电极191之间用于使它们绝缘。
当反射部195被设置在像素电极191的上部时，反射部195在与被设置在反射部195上部的相对电极270接触的同时可耦接至(例如连接至)像素电极191。
如之前描述的示例性实施方式，反射部195包括反射在发光部L的发光层370中生成的光的反射表面。反射部195使光被生成、反射然后从发光部L被传输以朝向光输出部O移动并且控制或引导光仅通过相对于一个像素PX的至少一个光输出部O输出。例如，光可通过被相邻地设置在发光部L一侧的光输出部O被输出。反射部195可包括与像素电极191的反射材料相同或不同的反射材料，例如反射金属材料。
反射部195限定发光部L的发光层370的侧边缘，并且反射部195与发光层370之间的界面形成反射在相邻的发光层370中生成和移动的光的反射表面。
反射部195的厚度可为约0.1μm至约1μm，但是这不是限制性的。
下文中将参考上面描述的附图和图16至图32描述根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的光输出部O、发光部L和反射部195的布局的各种实施例。
图16是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的一个像素的示意性俯视平面图，图17至图21是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的布局视图，图22至图25是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的一个像素的示意性俯视平面视图，图26至图30是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的布局视图，图31是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的一个像素的示意性俯视平面视图，以及图32是根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的一个像素的示意性俯视平面视图。
首先，参考图16，包括在一个像素PX中的发光部L的外围由光输出部O和反射部195包围。光输出部O可与发光部L邻近(相邻)，并且反射部195可位于光输出部O的剩余边缘处(与光输出部O的剩余边缘相邻)。当像素PX大体形成为四边形形状时，光输出部O可被形成为对应于四边形的至少一侧或一侧的一部分。图16示出了光输出部O被形成为对应于像素PX的一侧的示例性实施方式。在这种情况下，反射部195可被形成为对应于像素PX的其它侧。
参考图17至图21，根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器可包括基本以矩阵形式布置的多个像素PX。多个像素PX可分别具有相同的形状。沿每列布置的像素PX可表现(显示)相同的原色，并且沿行方向布置的像素可表现(显示)不同的原色。
参考图17，沿相同列和/或相同行布置的像素PX中的每个的光输出部O的位置可彼此等同(即，可位于每个对应像素PX中的相同位置)，并且沿不同列和/或不同行布置的像素PX中的每个的光输出部O的位置也可彼此等同。在这种情况下，光输出部O可均位于每个对应像素PX的右侧。
参考图18，本示例性实施方式基本类似于图17所示的示例性实施方式，除了光输出部O位于每个对应像素PX的左侧以外。
参考图19，沿相同行布置的像素PX的光输出部O的位置彼此等同(即，位于每个对应的像素PX中的相同位置)，但是沿不同行布置的像素PX的光输出部O的位置可彼此不同(即，可位于每个对应像素PX中的不同位置)。例如，沿相邻行布置的像素PX的光输出部O的位置可彼此相反。由此，沿一列布置的像素PX的光输出部O的位置可隔每行交替。然而，本实施方式不限于此，沿一列布置的像素PX的光输出部O的位置可隔两个或更多个行交替。
参考图20，沿相同列布置的像素PX的光输出部O的位置彼此等同(即，位于每个对应像素PX中的相同位置)，但是沿不同列布置的像素PX的光输出部O的位置可彼此不同(即，光输出部O可位于每个对应像素PX中的不同位置)。例如，沿相邻列布置的像素PX的光输出部O的位置可彼此相反。由此，沿一行布置的像素PX的光输出部O的位置可隔每列交替。然而，本实施方式不限于此，沿一行布置的像素PX的光输出部O的位置可隔两个或更多个列交替。
参考图21，沿行方向和列方向均彼此相邻的像素PX的光输出部O的位置可彼此不同。也就是说，沿一行布置的像素PX的光输出部O的位置隔每列交替，与此同时，沿一列布置的像素PX的光输出部O的位置可隔每行交替。然而，本实施方式不限于此，沿一行布置的像素PX的光输出部O的位置可隔两个或更多个列交替。而且，沿一列布置的像素PX的光输出部O的位置可隔两个或更多个行交替。
接下来，参考图22至图25，当根据本发明的示例性实施方式的像素PX被大体形成为四边形形状时，光输出部O可被形成为对应于四边形的至少两侧。
图22示出了光输出部O被形成为对应于像素PX的两个相邻两侧(例如像素PX的右侧和顶侧)的示例性实施方式。在这种情况下，反射部195可被形成为对应于像素PX的其它两侧(即，左侧和底侧)。
图23示出了光输出部O被形成为对应于像素PX的两个相邻侧(例如，左侧和顶侧)的示例性实施方式。在这种情况下，反射部195可被形成为对应于像素PX的其它两侧(即，右侧和底侧)。
图24示出了光输出部O被形成为对应于像素PX的右侧和底侧并且反射部195被形成为对应于像素PX的左侧和顶侧的示例性实施方式。
图25示出了光输出部O被形成为对应于像素PX的左侧和底侧并且反射部195被形成为对应于像素PX的右侧和顶侧的示例性实施方式。
如果有必要或需要，多个像素PX的光输出部O的位置可进行各种布置。
参考图26和图27，根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器可具有表现不同原色的像素PX，并且像素PX可具有彼此不同的尺寸。例如，红色R的像素PX(PX(R))和绿色G的像素PX(PX(G))具有基本相同的尺寸，并且蓝色B的像素PX(PX(B))可大于红色R的像素和绿色G的像素PX。蓝色B的像素PX的尺寸可为红色R的像素PX和绿色G的像素PX中的每个的尺寸的约两倍(即两倍大)。然而，本实施方式不限于此，绿色G或红色R的像素PX的尺寸可大于表现其它原色的像素PX的尺寸。
参考图26，所有像素PX的光输出部O的位置可一致(即，光输出部O的位置可在每个对应的像素PX上相同)。
参考图27，表现多个原色中的至少一个原色的像素PX的光输出部O的位置可不一致(例如，可变化)。图27示出了就尺寸而言为最大像素的蓝色B的像素PX(PX(B))的光输出部O位置不一致或变化的示例性实施方式。也就是说，蓝色B的像素PX的光输出部O的位置可沿行或列方向交替。
参考图28至图31，根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器可包括基本以矩阵形式布置且关于水平或竖直方向稍微倾斜的多个像素PX。在这种情况下，水平或竖直方向可以是向每个像素PX的薄膜晶体管供给信号的多个信号线延伸的方向。在本示例性实施方式中，向右上方向延伸(即，向附图的上右方向延伸)的第一方向DR1被称为行方向，向右下方向延伸(即，向附图的下右方向延伸)的第二方向DR2被称为列方向。
多个像素PX可基本具有相同的形状，例如，每个像素PX可被形成为菱形形状。
红色R的像素PX(PX(R))和绿色G的像素PX(PX(G))沿每行或每列被交替地布置，并且蓝色B的像素PX(PX(B))和绿色G的像素PX(PX(G))沿相邻的行或列被交替地布置。在这种情况下，红色R的像素PX和蓝色B的像素PX沿对角方向(即，沿关于第一方向DR1或第二方向DR2的对角方向)彼此相邻而非沿相邻的行或相邻的列彼此直接相邻。也就是说，红色R的像素PX和蓝色B的像素PX可在相邻的行或相邻的列中与绿色G的像素PX相邻。
根据本发明的示例性实施方式，光输出部O可形成于与每个像素PX的多个侧中的至少一侧对应的区域中。图28至图30示出了光输出部O被形成为对应于每个像素PX的两侧(例如，每个对应像素PX的四侧中的上右侧和下右侧、或上左侧和下左侧)的示例性实施方式。
参考图28，所有像素PX的光输出部O的位置可一致。
参考图29，表现至少一个原色的像素PX的光输出部O的位置可不同于表现剩余的原色的像素PX的光输出部O的位置。例如，如图29所示，红色R和蓝色B的像素PX的光输出部O的位置彼此等同或相同，并且绿色G的像素的光输出部O的位置可不同于表现其它原色的像素PX的光输出部O的位置。因此，沿竖直方向而非行或列方向布置的像素PX的光输出部O的位置可一致，并且沿对角方向直接相邻的像素PX的光输出部O的位置可彼此相反。
参考图30，沿竖直方向而非行或列方向布置的像素PX的光输出部O的位置可隔每个像素PX交替。
参考图31，本示例性实施方式基本类似于图28至图30所示的示例性实施方式，除了光输出部O可被形成为对应于每个像素PX的四侧中的一侧以外。在本示例性实施方式中，当不同像素PX的光输出部O的位置改变或变化时，与像素PX的一侧对应的光输出部的位置可例如在像素PX的其它侧中进行各种改变。
参考图32，红色R的像素PX和蓝色B的像素PX具有基本相同或相同的形状，并且绿色G的像素PX的形状可不同于其它原色的像素PX的形状。
红色R和蓝色B的像素PX可大于绿色G的像素PX并且可具有不同的形状。红色R的像素PX和蓝色B的像素PX可分别为规则的多边形，例如八边形，并且绿色G的像素PX可以是多边形，例如四边形。红色R的像素PX和蓝色B的像素PX沿行和列方向交替地布置，绿色G的像素PX可沿对角方向被设置在相邻的红色R和蓝色B的像素PX之间。由此，每个绿色G的像素PX可由四个红色R的像素PX和蓝色B的像素PX包围(也就是说，每个绿色G的像素PX可直接与两个红色R的像素PX和两个蓝色B的像素PX相邻)。
参考图32，红色的像素PX和蓝色B的像素PX的光输出部O可被形成为对应于像素PX的三个右侧，并且绿色G的像素PX的光输出部O可被形成为对应于像素PX的两个右侧。然而，光输出部O的位置不限于此。光输出部O所对应的侧边的位置和侧边的数量可进行各种改变，并且光输出部O的位置可关于所有像素PX进行规则或不规则地改变或变化。
现在将参考图33至图36以及上述的附图描述包括在根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的反射部中的绝缘层350的折射率。
图33至图36示出了依据根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器的绝缘层350的各种折射率的各种漏光程度的仿真结果。
如上所述，绝缘层350被设置在反射部195的上部或下部以使反射部195与相对电极270或像素电极191绝缘。绝缘层350的一部分可与发光层370接触，因此在发光层370中生成的一些光可能入射到绝缘层350。在这种情况下，绝缘层350的折射率可低于发光层370中的折射率以更有效地反射发光层370与绝缘层350之间的边界处的光。
参考图33至图36，当绝缘层350的折射率小于或等于约1.4时，侧面的漏光被维持在很低，并且当绝缘层350的折射率大于约1.4时，侧面的漏光逐渐增加。这里，漏光表示在侧面通过绝缘层350的漏光相对于朝向绝缘层350移动的光的量的比率。
因此，绝缘层350的折射率应该小于或等于约1.4以有效地阻止侧面处的大部分漏光。
尽管已经结合当前被认为是实际示例性实施方式的实施方式描述了本发明，但是将理解，本发明不限于公开的实施方式，而是相反地用于覆盖包括在所附权利要求及其等同的精神和范围内的各种修改和等同布置。
参考标号的描述
50：光刻胶图案
110：绝缘衬底
120、180、350：绝缘层
191：像素电极
195：反射部
220：挡光构件
270：相对电极
360：像素限定层
370：发光层
380：隔垫物
L：发光部
O：光输出部
SW：侧壁

Claims (19)

1.一种有机发光二极管(OLED)显示器，包括多个像素，其中所述多个像素中的一个像素包括：
发光部，包括被配置为生成光的发光层，以及面向彼此的像素电极和相对电极，所述发光层在第一方向上位于所述像素电极与所述相对电极之间；
光输出部，在与所述第一方向交叉的第二方向上位于所述发光部的一侧，并且被配置为允许光由所述光输出部向外部输出；以及
反射部，位于所述发光部的与所述光输出部相反的另一侧且面向所述光输出部，并且所述发光部位于所述反射部与所述光输出部之间，
其中在平面图中，所述反射部不与所述发光部和所述光输出部重叠。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述反射部、所述像素电极和所述相对电极中的至少一个被配置为朝向所述发光层反射光。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述反射部、所述像素电极和所述相对电极中的至少一个包括反射导电材料。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素还包括直接位于所述反射部上或下的绝缘层。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中所述绝缘层具有小于或等于1.4的折射率。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中所述反射部位于与所述像素电极相同的层并且包括与所述像素电极相同的材料，所述反射部的厚度大于所述像素电极的厚度。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中所述反射部的顶面与所述像素电极的顶面之间的台阶差为0.1μm至1μm。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述绝缘层位于所述反射部与所述相对电极之间。
9.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中所述反射部位于与所述像素电极所在的层不同的层，并且所述绝缘层位于所述像素电极与所述反射部之间。
10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中所述反射部的厚度为0.1μm至1μm。
11.如权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中所述反射部与所述相对电极接触。
12.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述光输出部和所述反射部包围所述发光部。
13.如权利要求12所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素具有沿对应像素的外围延伸的多个边缘侧，以及
所述光输出部对应于所述边缘侧中的至少一个，并且所述反射部对应于剩余的边缘侧。
14.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述相对电极的一部分位于所述光输出部中，以及
所述相对电极位于所述光输出部中的部分包括相对于所述相对电极的另一部分在所述发光部中延伸的方向倾斜的倾斜部。
15.如权利要求14所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素还包括位于所述像素电极与所述相对电极之间的像素限定层，以及
所述像素限定层包括面向所述倾斜部的侧壁并且具有对应于所述像素电极的开口。
16.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述多个像素中的每个分别包括所述发光部、所述光输出部和所述反射部，以及
所述光输出部位于每个对应像素的相同侧。
17.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述多个像素分别包括所述发光部、所述光输出部和所述反射部，以及
所述多个像素包括至少两个像素，并且所述至少两个像素中所述光输出部相对于所述发光部的位置彼此不同。
18.如权利要求17所述的有机发光二极管显示器，其中所述多个像素以矩阵形式被布置，以及
沿第三方向被布置的所述像素中所述光输出部相对于所述发光部的位置沿所述第三方向以每至少一个像素交替地改变。
19.如权利要求18所述的有机发光二极管显示器，其中沿与所述第三方向不同的第四方向布置的所述像素中所述光输出部相对于所述发光部的位置沿所述第四方向以每至少一个像素交替地改变。
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