KR100712123B1 - 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 화소부 주변에 제 1 금속층, 제 2 금속층 및 제 2 전극으로 이루어진 반사부를 형성함으로써, EL 발광 시 유기발광층의 누설광을 방지하고 방출되는 빛을 한 곳으로 집중시켜 광효율을 증가시키고, 디바이스의 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법을 제공한다.
유기전계발광표시소자, 반사부, 누설광, 광효율
Description
도 1은 종래 기술에 따른 누설광 반사를 위한 반사부를 포함하는 유기전계발광소자의 단면도이다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명에 따른 화소부 주변에 누설광 반사를 위한 반사부를 갖는 유기전계발광소자의 공정 단계별 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
300 : 기판 310 : 버퍼층
320 : 게이트 절연막 330 : 제 1 금속층
340 : 층간절연막 350 : 콘택홀
360 : 제 2 금속층 370 : 패시베이션막
380 : 비아홀 390 : 제 1 전극
400 : 화소정의막 410 : 유기막층
420 : 제 2 전극 A : 개구부
P : 광경로 중심
a : 화소부 b : 비화소부
본 발명은 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 화소부 주변에 제 1 금속층, 제 2 금속층 및 제 2 전극으로 이루어진 반사부를 형성함으로써, EL 발광 시 유기발광층의 누설광을 방지하고 방출되는 빛을 한 곳으로 집중시켜 광효율을 증가시키고, 디바이스의 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법을 제공한다.
일반적으로 유기전계발광소자는 정공주입 전극(애노드)와 전자주입 전극(캐소드) 사이에 형성된 유기발광층에 전하를 주입하면 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내는 자발광 표시소자로서, 유기전계발광소자의 구동 방식에는 단순 매트릭스 방식과 트랜지스터를 이용한 능동구동 방식이 있다.
종래의 배면 발광형 유기전계발광소자에서 금속의 캐소드 전극과 투명한 애노드 전극 및 상기 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 위치하는 유기발광층으로 이루어지는 유기 EL 소자와, 상기 애노드 전극과 전기적으로 연결되어 유기 EL 소자에 전류를 공급하는 트랜지스터 및 상기 유기발광층으로부터 사선으로 진행하는 누설광 경로상에서 누설광 반사를 위한 반사면을 구비하여 누설광을 사용자 방향으로 모아주는 반사부를 포함한 유기전계발광소자가 대한민국 공개특허 2003-0052621에 개재되어 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 누설광 반사를 위한 반사부를 포함하는 유기전계발 광소자의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 유기전계발광소자는 캐소드 전극(2)과 애노드 전극(4) 및 유기발광층(6)으로 구성되는 유기 EL 소자(8)와, 유기 EL 소자(8)에 전류를 공급하는 트랜지스터(여기서는 구동 TFT를 예로 하여 설명한다)와, 트랜지스터(10)가 형성되는 투명한 반도체 기판(12)과, 유기 EL 소자(8)에서 사선으로 진행하는 누설광을 한곳으로 모아 집중시키는 반사부(14)를 포함한다.
우선, 상기 기판(12) 상에 절연성 폴리머(Poly Si Layer)(24)가 패터닝되어 형성되어 있으며, 상기 절연성 폴리머(Poly Si Layer)(24) 상부의 기판 전면에 걸쳐 제 2 절연층(30)이 형성되어 있다. 상기 제 2 절연층(30) 상부에는 게이트 전극(22)이 패터닝되어 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극(22) 상부의 기판 전면에 걸쳐 제 3 절연층(28)이 형성되어 있다.
상기 제 3 절연층(28) 내로 식각을 통해 상기 절연성 폴리머(24)의 일부를 노출시키는 콘택홀(미도시)이 형성되어 있으며, 상기 콘택홀을 통해 금속 물질이 적층되어 소오스/드레인 전극(18, 20) 및 반사부(14)가 형성되어 있다. 특히 상기 반사부(14)는 유기전계발광소자 내부에서 소정의 단차를 갖는 제 1, 2 반사면(14a, 14b)으로 형성되어 있다. 상기 반사부(14)는 누설광에 대한 반사 효율이 높아지도록 상기 애노드 전극(4)과 반도체 기판(12) 사이 또는 상기 제 1 절연층(16)과 반도체 기판(12) 사이에 걸쳐 일정 높이로 형성되어 상기 제 1, 2 반사면(14a, 14b)이 유기전계발광소자 내부에서 충분한 높이를 확보하도록 한다. 또한, 상기 반사부(14)는 표면 반사도가 우수한 금속 물질로 이루어짐은 물론, 유기전계발광소자에 이미 사용되는 금속 물질, 바람직하게 구동 TFT(10)의 소오스/드레인 전극(18, 20)으로 사용되는 금속물질, 일례로 몰리 텅스텐으로 이루어질 수 있다.
상기 소오스/드레인 전극(18, 20) 및 반사부(14) 상부에는 패시베이션층(26)이 형성되어 있으며, 상기 패시베이션층(26)내의 비아홀(미도시)를 통해 투명 도전 물질로 이루어진 애노드 전극(4)이 패터닝되어 형성된다. 상기 애노드 전극(4) 상부에는 애노드 전극(4)일부를 노출시키는 제 1 절연층(16)이 형성되어 있다.
이어서, 상기 노출된 애노드 전극(4) 상부에는 유기발광층(6) 및 캐소드 전극(2)이 형성되어 있다.
상기 캐소드 전극(2)은 금속 물질, 일례로 알루미늄막으로 이루어져 유기 발광층(6)의 빛을 애노드 전극(4)을 향해 반사시키며, 애노드 전극(4)은 유기 발광층(6)의 빛이 투과할 수 있도록 투명한 도전 물질, 일례로 인듐 틴 옥사이드(ITO; Indium Tin Oxide)막으로 이루어진다. 그리고 유기발광층(6)은 캐소드 전극(2)과 애노드 전극(4) 사이에 위치하며, 전자와 정공의 균형을 좋게 하여 발광효율을 향상시킬 수 있도록 캐소드 전극(2)과 마주하는 일면에 전자 수송층(미도시)을, 애노드 전극(4)과 마주하는 일면에 정공 수송층(미도시)을 적층한 구조로 이루어진다.
상기한 구동 TFT(10)는 도시하지 않은 스위칭 TFT와 연결되어 유기 EL 소자(8) 구동에 필요한 전류를 공급하여 유기발광층(6)이 발광하도록 한다.
이 때, 유기발광층(6)에서 방출되는 빛 가운데 일부는 사선으로 진행하여 누설광이 되므로, 상기 반사부(14)가 누설광을 사용자 방향으로 반사시켜 광 이용 효율을 향상시킨다. 즉, 상기 반사부(14)는 유기발광층(6)으로부터 사선으로 진행하 는 누설광 경로상에 배치되고, 누설광 반사를 위한 적어도 하나 이상의 반사면을 구비하는데, 보다 구체적으로 상기 반사부(14)는 유기발광층(6)의 둘레를 따라 유기발광층(6)과 반도체 기판(12) 사이에 위치하면서 유기발광층(6)의 광경로 중심(A)과 마주하는 반사면(14a, 14b)을 갖는 금속층으로 이루어진다.
이와 같이 반사부(14)의 반사면(14a, 14b)이 누설광 경로에 위치함에 따라, 유기발광층(6)에서 방출된 빛 가운데 구동 TFT(10) 또는 인접 화소를 향해 사선으로 진행하는 누설광은 상기 제 1, 2 반사면(14a, 14b)에 의해 굴절되어 유기발광층(6)의 광경로 중심(A)을 향해 모아진다.
상기한 반사부(14) 구성에 의한 유기 EL 소자(8)은 유기발광층(6)에서 애노드 전극(4)을 통해 수직하방향으로 진행하는 빛(점선으로 도시)과 더불어, 반사면(14a, 14b)을 통해 굴절된 누설광(실선으로 도시)을 사용자에게 제공한다.
그러나, 유기발광층(6)에서 수평방향으로 취출되는 빛은 반사부가 형성되어 있지 않으므로 사용자에게 도달하지 못하고 외부로 빠져나간다. 따라서 수평방향의 누설광에 의해 유기전계발광소자의 광효율이 떨어지는 문제점을 안고 있다.
또한, 상기 반사부에 사용되는 몰리 텅스텐은 반사도가 낮은 금속으로서 낮은 반사율로 인해 광효율을 효과적으로 향상시키지 못 한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 화소부 주변에 제 1 금속층, 제 2 금속층 및 제 2 전극으로 이루어진 반사부를 형성함으로써, EL 발광 시 유기발광층의 누설광을 방지하고 방출 되는 빛을 한 곳으로 집중시켜 광효율을 증가시키고, 디바이스의 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법을 제공하는데 있다.
상술한 기술적 과제를 이루기 위해, 본 발명은 화소부와 비화소부를 구비하는 기판, 상기 기판 상에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 비화소 영역의 게이트 절연막 상에 형성되어 있는 제 1 금속층, 상기 제 1 금속층 상부의 기판 전면에 걸쳐 형성되어 있는 층간절연막, 상기 비화소 영역의 층간절연막 내의 콘택홀을 통해 형성되어 있는 제 2 금속층, 상기 제 2 금속층 상부의 기판 전면에 걸쳐 형성되어 있으며 비아홀을 갖는 패시베이션막, 상기 패시베션막 상부의 화소부에 형성되어 있는 제 1 전극, 상기 제 1 전극의 표면 일부를 노출시키는 개구부 및 패시베이션막의 비아홀을 노출시키도록 형성되어 있는 화소정의막, 상기 노출된 제 1 전극과 비아홀 내에 형성되어 있는 유기막층, 및 상기 유기막층 상부에 형성되어 있는 제 2 전극을 포함하며,
상기 제 1 금속층, 제 2 금속층 및 제 2 전극으로 이루어진 반사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 화소부와 비화소부를 구비하는 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 게이트 절연막을 형성하고, 상기 비화소 영역의 게이트 절연막 상에 제 1 금속층을 형성하고, 상기 제 1 금속층 상부의 기판 전면에 걸쳐 층간절연막을 형성하고, 상기 비화소 영역의 층간절연막 내의 콘택홀을 통해 제 2 금속층을 형성하고, 상기 제 2 금속층 상부의 기판 전면에 걸쳐 비아홀을 갖는 패시베이션막을 형 성하고, 상기 패시베션막 상부의 화소부에 제 1 전극을 형성하고, 상기 제 1 전극의 표면 일부를 노출시키는 개구부 및 패시베이션막의 비아홀을 노출시키도록 화소정의막을 형성하고, 상기 노출된 제 1 전극과 비아홀 내에 유기막층을 형성하고, 및 상기 유기막층 상부에 제 2 전극을 형성하는 것을 포함하며,
상기 제 1 금속층, 제 2 금속층 및 제 2 전극으로 이루어진 반사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법을 제공한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명에 따른 화소부 주변에 누설광 반사를 위한 반사부를 갖는 유기전계발광소자의 공정 단계별 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명에 따른 화소부 주변에 누설광 반사를 위한 반사부를 갖는 유기전계발광소자는 화소부(a)와 비화소부(b)을 구비하고 있는 기판(300)을 제공한다. 상기 기판(300)은 유리, 플라스틱 또는 석영 등과 같은 투명 기판이다. 상기 기판(300) 전면에 걸쳐 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 및 이들의 이중층으로 된 버퍼층(310)을 더욱 형성한다. 상기 버퍼층(310) 상부에는 게이트 절연막(320)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(320)은 박막트랜지스터의 반도체층(미도시)을 절연하기 위해 형성하며, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 또는 이들의 이중층으로 형성한다.
이어서, 비화소부(b)의 게이트 절연막(320) 상에 게이트 배선(미도시) 형성 시 게이트 배선 물질을 증착한 다음 패터닝하여 제 1 금속층(330)을 형성한다. 상 기 제 1 금속층(330)은 유기전계발광소자에 이미 사용되는 게이트 배선 물질과 동일한 물질로 형성하며, 표면 반사도가 우수한 금속 물질로 형성한다. 상기 제 1 금속층(330)은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 텅스텐몰리브덴(MoW), 텅스텐 실리사이드(WSi2), 몰리브데늄 실리사이드(MoSi2), 은(Ag) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종으로 형성한다.
바람직하게 상기 제 1 금속층(330)은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로 형성하며, 통상적으로 스퍼터링법을 수행하여 형성한다. 이로써, 상기 제 1 금속층(330)인 제 1 반사면(335a)이 형성된다.
도 2b를 참조하면, 상기 제 1 금속층(330) 상부에 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 또는 이들의 이중층으로 층간절연막(340)을 형성한 후 유기전계발광소자의 콘택홀(Contact hole)(미도시) 형성 시 상기 층간절연막(340) 내로 제 1 금속층(330)을 노출시키는 콘택홀(350)을 형성한다.
도 2c를 참조하면, 상기 콘택홀(350)을 통해 유기전계발광소자의 소오스/드레인 배선(미도시) 형성 시 제 2 금속층(360)을 적층 후 패터닝하여 형성한다. 상기 제 2 금속층(360)은 유기전계발광소자에 이미 사용되는 소오스/드레인 배선 물질과 동일한 물질로 형성하며, 표면 반사도가 우수한 금속 물질로 형성한다. 상기 제 2 금속층(360)은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 텅스텐몰리브덴(MoW), 텅스텐 실리사이드(WSi2), 몰리브데늄 실리사이드(MoSi2), 은(Ag) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종으로 형성된다.
바람직하게 상기 제 2 금속층(360)은 알루미늄(Al)이나 은(Ag)으로 형성하며, 통상적인 스퍼터링방법을 수행하여 형성한다. 이로써, 상기 제 2 금속층(360)인 제 2 반사면(335b)이 형성된다.
도 2d를 참조하면, 상기 제 2 금속층(360) 상부의 기판 전면에 걸쳐 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 또는 이들의 이중층으로 패시베이션막(370)을 형성한 후 유기전계발광소자의 비아홀(via hole)(미도시) 형성 시 상기 패시베이션막(370) 내로 제 2 금속층(360)을 노출시키는 비아홀(380)을 형성한다.
도 2e를 참조하면, 상기 화소부(a)에 유기전계발광소자의 제 1 전극(390)을 형성한다. 상기 제 1 전극(390)은 유기발광층의 빛이 투과할 수 있도록 투명한 도전 물질인 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 형성한다. 통상적으로 스퍼터링방법을 수행하여 형성한다.
도 2f를 참조하면, 상기 제 1 전극(390)을 포함한 기판 전면에 걸쳐 화소정의막(400)을 적층한 후 상기 제 1 전극(390)의 표면 일부를 노출시키는 개구부(A)와 비아홀(380) 상부의 패시베이션막(370)을 노출하도록 식각을 통해 화소정의막(400)을 형성한다. 상기 화소정의막(400)은 통상적으로 유기 물질인 BCB, 아크릴 수지 등으로 형성한다.
도 2g를 참조하면, 상기 노출된 제 1 전극(390) 상부 및 비아홀(380) 내에 최소한 유기발광층을 포함하는 유기막층(410)을 형성한다. 상기 유기막층(410)은 상기 유기발광층으로는 알루니 키노륨 복합체(Alq3), 안트라센(Anthracene), 시클로 펜타디엔(Cyclo pentadiene), ZnPBO, DPVBi, 폴리페닐렌 (PPP;polyphenylene), 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV;poly(p-phenylenevinylene)),폴리티오펜(PT;polythiophene) 및 그들의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 1종으로 형성한다. 상기 유기막층(410)은 상기 유기발광층 이외에도 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 1 이상의 층을 더욱 포함할 수 있다.
이어서, 상기 유기막층(410) 상부에 제 2 전극(420)을 형성한다. 상기 제 2 전극(420)은 Al, Ag, Mg, Ca 및 이들의 합금으로 이루어진 물질 중에서 선택되는 1종으로 형성한다. 바람직하게 표면 반사도가 우수한 금속 물질인 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로 형성하며, 통상적으로 스퍼터링방법을 수행하여 형성한다.
이로써, 상기 제 2 전극(420)인 제 3 반사면(335c)이 형성되며, 상기 제 1, 2, 3 반사면(335a, 335b, 335c)은 반사부(335)를 형성한다.
상기 유기전계발광소자의 구동 시 상기 유기발광층(410)에서 방출되는 빛의 일부(점선으로 도시)는 제 1 전극(390)을 통해 수직하방향으로 진행하여 광경로 중심(P)을 향해 외부로 취출되고, 인접 화소를 향해 사선으로 방출되는 누설광(실선으로 도시)은 상기 반사부(335)의 제 1, 2, 3 반사면(335a, 335b, 335c) 중 어느 하나를 통해 굴절되어 광경로 중심(P)을 향해 외부로 취출된다.
또한, 유기발광층(410)에서 인접 화소의 수평방향으로 방출되는 누설광(실선으로 도시)은 상기 반사부의 제 3 반사면(335c)을 통해 굴절되어 광경로 중심(P)을 향해 외부로 취출된다.
따라서, 상기 유기발광층(410)에서 수직하방향(점선으로 도시), 사선방향 및 수평방향(실선으로 도시)으로 취출되는 빛을 상기 제 1, 2, 3 반사면(335a, 335b, 335c)의 반사부(335)를 통한 반사를 통해 누설광 없이 사용자에게 제공할 수 있으므로 광효율을 향상시킬 수 있다.
보다 자세하게, 상기 반사부(335)는 유기발광층으로부터 사선 및 수평방향으로 진행하는 누설광 경로상에 배치되고, 누설광 반사를 위한 적어도 하나 이상의 반사면을 구비한다.
본 발명에 따른 상기 반사부(335)는 화소부(a) 주변을 따라 제 2 전극(420)과 기판(300) 사이에 위치하면서 유기발광층의 광경로 중심(P)과 마주하는 반사면(335a, 335b, 335c)을 갖는 다중막의 금속층으로 이루어지며, 상기 광경로를 중심(P)으로 대칭 구조를 갖는다.
상기 반사부(335)는 제 1 반사면(335a)의 제 1 금속층(330), 제 2 반사면(335b)의 제 2 금속층(360) 및 제 3 반사면(335c)의 제 2 전극(420)으로 형성되며, 이와 같이 반사부(335)의 반사면(335a, 335b, 335c)이 누설광 경로에 위치함에 따라, 유기발광층에서 방출된 빛 가운데 인접 화소를 향해 사선으로 진행하는 누설광(실선으로 도시)이나 수평방향으로 진행하는 누설광(실선으로 도시)은 상기 제 1, 2, 3 반사면(335a, 335b, 335c)에 의해 반사되어 유기발광층의 광경로 중심(P)을 향해 모아진다.
따라서, 상기 반사부(335) 구성에 의해 유기발광층(410)에서 제 1 전극(390)을 통해 수직하방향으로 진행하는 빛(점선으로 도시)과 더불어, 반사면(335a, 335b, 335c)을 통해 반사된 누설광(실선으로 도시)을 사용자에게 제공하므로, 유기전계발광소자의 광효율을 높여 화면 휘도를 향상시키는 효과를 갖고, 아울러 디바 이스의 수명을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바에 의하면 본 발명은 유기전계발광소자에서 화소부 주변에 제 1 금속층, 제 2 금속층 및 제 2 전극으로 구성된 반사부를 형성함으로써, EL 발광 시 유기발광층의 누설광을 방지하고 방출되는 빛을 한 곳으로 집중시켜 광효율을 증가시키고, 디바이스의 수명을 향상시킬 수 있다.
Claims (22)
- 화소부와 비화소부를 구비하는 기판;상기 기판 상에 형성되어 있는 게이트 절연막;상기 비화소 영역의 게이트 절연막 상에 형성되어 있는 제 1 금속층;상기 제 1 금속층 상부의 기판 전면에 걸쳐 형성되어 있는 층간절연막;상기 비화소 영역의 층간절연막 내의 콘택홀을 통해 형성되어 있는 제 2 금속층;상기 제 2 금속층 상부의 기판 전면에 걸쳐 형성되어 있으며 비아홀을 갖는 패시베이션막;상기 패시베션막 상부의 화소부에 형성되어 있는 제 1 전극;상기 제 1 전극의 표면 일부를 노출시키는 개구부 및 패시베이션막의 비아홀을 노출시키도록 형성되어 있는 화소정의막;상기 노출된 제 1 전극과 비아홀 내에 형성되어 있는 유기막층; 및상기 유기막층 상부에 형성되어 있는 제 2 금속층을 포함하며,상기 제 1 금속층, 제 2 금속층 및 제 2 전극으로 이루어진 반사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속층은 게이트 배선 물질과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특 징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 금속층은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 텅스텐몰리브덴(MoW), 텅스텐 실리사이드(WSi2), 몰리브데늄 실리사이드(MoSi2), 은(Ag) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 금속층은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 금속층은 소오스/드레인 배선 물질과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 2 금속층은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 텅스텐몰리브덴(MoW), 텅스텐 실리사이드(WSi2), 몰리브데늄 실리사이드(MoSi2), 은(Ag) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 2 금속층은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 Al, Ag, Mg, Ca 및 이들의 합금으로 이루어진 물질 중에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 2 전극은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 ITO 또는 IZO인 투명 도전 물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사부는 화소부 둘레를 따라 제 2 전극과 기판 사이에 유기발광층의 광경로 중심과 마주하는 반사면을 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 화소부와 비화소부를 구비하는 기판을 제공하고;상기 기판 상에 게이트 절연막을 형성하고;상기 비화소 영역의 게이트 절연막 상에 제 1 금속층을 형성하고;상기 제 1 금속층 상부의 기판 전면에 걸쳐 층간절연막을 형성하고;상기 비화소 영역의 층간절연막 내의 콘택홀을 통해 제 2 금속층을 형성하고;상기 제 2 금속층 상부의 기판 전면에 걸쳐 비아홀을 갖는 패시베이션막을 형성하고;상기 패시베션막 상부의 화소부에 제 1 전극을 형성하고;상기 제 1 전극의 표면 일부를 노출시키는 개구부 및 패시베이션막의 비아홀을 노출시키도록 화소정의막을 형성하고;상기 노출된 제 1 전극과 비아홀 내에 유기막층을 형성하고; 및상기 유기막층 상부에 제 2 전극을 형성하는 것을 포함하며,상기 제 1 금속층, 제 2 금속층 및 제 2 전극으로 이루어진 반사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 1 금속층은 게이트 배선 물질과 동일한 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 1 금속층은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 텅스텐몰리브덴(MoW), 텅스텐 실리사이드(WSi2), 몰리브데늄 실리사이드(MoSi2), 은(Ag) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택된 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 1 금속층은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 2 금속층은 소오스/드레인 배선 물질과 동일한 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 2 금속층은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 텅스텐몰리브덴(MoW), 텅스텐 실리사이드(WSi2), 몰리브데늄 실리사이드(MoSi2), 은(Ag) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택된 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 제 2 금속층은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 2 전극은 Al, Ag, Mg, Ca 및 이들의 합금으로 이루어진 물질 중에서 선택되는 1종으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 제 2 전극은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 1 전극은 ITO 또는 IZO인 투명 도전 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 반사부는 화소부 둘레를 따라 제 2 전극과 기판 사이에 유기발광층의 광경로 중심과 마주하는 반사면을 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.
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