KR20020031070A - 자기발광 표시패널 및 그 제조방법 - Google Patents

자기발광 표시패널 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 있어서, 유기 EL표시장치는 발광층(34)이 애노드전극(30) 및 캐소드전극(36) 사이에 끼인 유기 EL소자(PX)와, 이 유기 EL소자(PX)를 화소로서 배선하는 화소스위치(SW')를 갖추고 있다. 특히, 화소스위치(SW')는 층간절연막(23)상에 애노드전극(30)과 더불어 배치되어 발광층(34)으로부터 횡방향으로 방출되는 광을 반사하는 소스 및 드레인전극(27, 28)을 포함한다.

Description

자기발광 표시패널 및 그 제조방법 {SELF LIGHT EMITTING DISPLAY PANEL AND METH OD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 복수의 자기발광소자를 이용하여 화상을 표시하는 자기발광 표시패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
근래에는 유기 EL(electro luminecence) 표시장치 등의 자기발광 표시패널이 경량(輕量), 박형(薄型), 고휘도(高輝度)라는 특징을 갖기 때문에, 노트형 퍼스널컴퓨터나 휴대용 정보기기 등의 모니터 디스플레이로서 주목되고 있다. 전형적인 유기 EL표시장치는 매트릭스모양으로 배열되는 복수의 유기 EL소자를 각각 화소로서 화상을 표시하도록 구성된다. 이 유기 EL표시장치에서는 복수의 주사선이 이들 유기 EL소자의 행(行)을 따라 배치되고, 복수의 신호선이 이들 유기 EL소자의 열(列)을 따라 배치되며, 복수의 화소스위치가 이들 주사선 및 신호선의 교차위치 근방에 배치된다. 각 화소스위치는 대응 주사선을 매개로 구동되었을 때에 대응 신호선의 신호전압을 대응 유기 EL소자에 인가한다.
도 5는 이 유기 EL표시장치의 화소주변구조를 나타낸다. 유기 EL소자는 적적(赤), 녹(綠) 또는 청(靑)의 형광성 유기화합물을 포함하는 박막인 발광층(1)을 캐소드전극(2) 및 애노드전극(3) 사이에 끼인 구조를 갖추고, 발광층(1)에 전자 및 정공을 주입하고 이것들을 재결합시킴으로써 여기자(勵起子)를 생성시키며, 이 여기자의 실활(失活)시에 생기는 광방출에 의해 발광한다. 여기에서, 버퍼층(4)은 여기자를 효율적으로 생성시키기 위해 발광층(1) 및 애노드전극(3) 사이에 배치된다. 애노드전극(3)은 ITO(Indium Tin Oxide) 등으로 구성되는 투명전극이고, 캐소드전극은 알루미늄 등의 금속으로 구성되는 반사전극이다. 이 구성에 의해, 유기 EL소자는 10V 이하의 인가전압으로 100~100000cd/㎡ 정도의 휘도를 얻을 수 있다.
화소스위치는, 예컨대 박막 트랜지스터로 구성된다. 이 박막 트랜지스터는 유리판(5)상에 형성되는 반도체박막(6), 반도체박막(6)을 덮는 게이트 절연막(7), 게이트 절연막(7)을 매개로 반도체박막(6)상에 배치되는 게이트전극(8) 및 게이트전극(8) 양측에서 반도체박막(6)내에 형성되는 소스 및 드레인에 각각 접속되는 소스 및 드레인전극(10, 11)을 포함한다. 반도체박막(6)은, 예컨대 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘이다. 게이트전극(8) 및 반도체박막(6)은 소스 및 드레인을 노출하는 콘택트홀(contact hole)을 갖춘 층간절연막(9)으로 덮여진다. 소스전극 (10) 및 드레인전극(11)은 콘택트홀로 반도체박막의 소스 및 드레인에 접촉하여 층간절연막(9)상에 형성되고, 소스전극(10)을 노출하는 콘택트홀을 갖춘 층간절연막 (12)에 의해 덮여진다.
그런데, 형광성 유기화합물의 박막은 수분을 흡수하여 사용할 수 없게 되기 쉽고, 포토리소그래피(photolithography) 등의 패터닝(patterning)에 대해 내성이 없다. 이 때문에, 유기 EL소자의 형성공정에서는 애노드전극(3)이 층간절연막(12)의 콘택트홀을 매개로 소스전극(10)에 접촉하여 층간절연막(12)상에 형성된다. 애노드전극(3) 및 층간절연막(12)은 보호막(13)으로 전체적으로 덮여지고, 이 보호막 (13)은 절연막(14)으로 전체적으로 덮여진다. 보호막(13) 및 절연막(14)은 애노드전극(3)을 부분적으로 노출하는 개구를 형성하도록 패터닝된다. 버퍼층(4)은 이 개구로 애노드전극(3)의 노출부를 덮도록 버퍼재를 도포함으로써 형성되고, 발광층 (1)은 형광성 유기화합물을 버퍼층(4)상에 도포함으로써 형성되며, 캐소드전극(2)은 금속증착에 의해 발광층(1)상에 형성된다.
그러나, 유기 EL소자가 상술한 공정으로 형성된 경우, 발광층(1)으로부터의 방출광을 유리판(5)의 외부로 조사하기 때문에, 층간절연막(9) 및 층간절연막(12)을 통과할 필요가 있고, 이에 따라 광투과율이 저하한다.
본 발명의 목적은 복잡한 제조공정을 필요로 하지 않고 양호한 발광특성을 얻을 수 있는 자기발광 표시패널 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
도 1은 본 발명의 1실시예에 따른 유기 EL표시장치의 화소주변의 구조를 나타낸 평면도이고,
도 2는 도 1에 나타낸 II-II선에 따른 단면도,
도 3은 도 1에 나타낸 화소주변구조의 제1변형례를 나타낸 단면도,
도 4는 도 1에 나타낸 화소주변구조의 제2변형례를 나타낸 단면도,
도 5는 종래의 유기 EL표시장치의 화소주변구조를 나타낸 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 -- 발광층, 2 -- 캐소드전극,
3 -- 애노드전극, 4 -- 버퍼층,
5 -- 유리판, 6 -- 반도체박막,
7 -- 게이트 절연막, 8 -- 게이트전극,
9 -- 층간절연막, 10 -- 소스전극,
11 -- 드레인전극, 12 -- 층간절연막,
13 -- 보호막, 14 -- 절연막,
20 -- 유리판(광투과성 절연기판), 21 -- 밑바탕 층,
21A -- 실리콘 질화막, 21B -- 실리콘 산화막,
23 -- 층간절연막, 24 -- 반도체박막,
25 -- 게이트 절연막, 26 -- 게이트전극,
27 -- 소스전극, 28 -- 드레인전극,
29 -- 보호절연막, 30 -- 애노드전극,
31 -- 친수성(親水性) 절연막, 32 -- 발수성(撥水性) 절연막,
33 -- 버퍼층, 34 -- 발광층,
35 -- 전자수송층, 36 -- 캐소드전극,
37 -- 패시베이션(passivation)층, 38 -- 지지판,
PX -- 유기 EL소자, Y -- 주사선,
X -- 신호선, SW' -- 화소스위치,
SW -- 구동소자, VDD -- 전원공급라인,
OP -- 개구.
본 발명의 제1관점에 의하면, 자기발광층이 제1전극 및 제2전극 사이에 끼인 자기발광소자와, 자기발광소자를 화소로서 배선하는 화소배선을 갖추고, 제1전극은 광투과성을 가지며, 화소배선은 광투과성 절연 기재(基材)상에 제1전극과 동일평면상에 배치되어 발광층으로부터 횡방향으로 방출되는 광을 반사하는 배선금속부를 포함하는 유기 EL표시패널이 제공된다.
본 발명의 제2관점에 의하면, 발광층이 투명전극 및 반사전극 사이에 끼인 자기발광소자와, 자기발광소자를 화소로서 배선하는 화소배선, 화소배선 및 투명전극을 덮는 층간절연막 및 이 층간절연막을 덮는 발수성(撥水性) 절연막을 포함하는 절연체를 갖추고, 발광층은 투명전극을 부분적으로 노출하여 이 노출면을 향해 테이퍼(taper)형상으로 되도록 절연체에 형성되는 개구내에만 배치되는 자기발광 표시패널이 제공된다.
본 발명의 제3관점에 의하면, 발광층이 투명전극 및 반사전극 사이에 끼인 자기발광소자의 매트릭스 어레이를 갖추고, 광이 투명전극을 매개로 외부로 취출(取出)되는 자기발광 표시패널의 제조방법에 있어서, 투명절연기판상에 섬모양으로 반도체층을 형성하는 공정과, 반도체층에 게이트 절연막을 매개로 게이트전극을 형성하는 공정, 게이트 절연막 및 게이트전극상에 층간절연막을 성막하는 공정, 층간절연막상에 선택적으로 투명전극을 형성하는 공정 및, 층간절연막 및 게이트 절연막을 관통하여 반도체층에 도달하는 금속전극을 형성하는 공정을 포함하는 자기발광 표시패널의 제조방법이 제공된다.
제1관점의 자기발광 표시패널에서는, 배선금속부가 광투과성 절연기재상에 제1전극과 동일 평면상에 배치되어 발광층으로부터 횡방향으로 방출되는 광을 반사한다. 이것은 광투과성 절연기재의 외부로 방출되는 광의 강도를 높이는 결과가 된다. 또, 광투과성 절연기재는 배선금속부 및 제1전극에 대해 공통의 밑바탕으로 되기 때문에, 2개의 광투과성 절연기재를 독립한 프로세스로 형성할 필요가 없는데다가 이들 광투과성 절연기재의 겹침에 의한 광투과율의 저하를 방지할 수 있다.
제2관점의 자기발광 표시패널에서는, 발수성 절연막이 층간절연막을 덮기 때문에, 이 층간절연막보다도 투명전극의 노출면으로부터 떨어진 개구의 내벽을 발수성으로 할 수 있다. 따라서, 발광층 재료로서 일정량의 액상 형광성 유기화합물을 잉크젯방식으로 개구내에 주입한 경우에 형광성 유기화합물이 발수성인 개구의 내벽에 부착하지 않고 빨리 흘러 떨어지기 때문에, 균일하면서 충분한 두께의 발광층을 개구에 의해 노출된 투명전극상에 형성할 수 있다.
제3관점의 자기발광 표시패널의 제조방법에서는, 투명전극 형성후에 반도체층에 접촉하는 금속전극을 수용하는 개구와 금속전극이 이 순서로 형성된다. 따라서, 투명전극의 형성시에 반도체층 표면이 손상을 받는 것을 방지할 수 있다. 또, 투명전극 가공시에 이용되는 에천트(echant)에 의한 금속전극의 원하지 않는 가공을 억제할 수 있다.
(발명의 실시형태)
이하, 본 발명의 1실시예에 따른 자기발광 표시패널로서 유기 EL표시장치에 대해 도면을 참조하여 설명한다.
도 1 및 도 2는 이 유기 EL표시장치의 화소주변구조를 나타낸다. 이 유기EL표시장치는 매트릭스모양으로 배열되는 복수의 유기 EL소자(PX)를 각각 화소로서 화상을 표시하도록 구성된다. 이 유기 EL표시장치에서는 복수의 주사선(Y)이 이들 유기 EL소자(PX)의 행을 따라 배치되고, 복수의 신호선(X)이 이들 유기 EL소자의 열을 따라 배치되며, 복수의 화소스위치(SW')가 이들 주사선 및 신호선의 교차위치근방에 배치된다. 각 화소스위치는 대응 주사선을 매개로 구동되었을 때에 구동소자(SW)를 매개로 대응 신호선의 신호전압을 대응 유기 EL소자에 인가한다. 이 구동소자(SW) 및 유기 EL소자는 한쌍의 전원 사이에 직렬로 배치된다.
유기 EL소자(PX)와 구동소자(SW) 및 화소스위치(SW')는 광투과성 절연기판으로서 이용되는 유리판(20)과 일체적으로 구성된다. 유리판(20)은 실리콘의 확산을 저지하는 배리어(barrier)로 되는 밑바탕 층(21)으로 덮여진다. 이 밑바탕 층(21)은 유리판(20)을 덮는 실리콘 질화막(21A)과 이 실리콘 질화막(21A)을 덮는 실리콘 산화막(21B)의 적층체이다.
화소스위치(SW') 및 구동소자(SW)는, 예컨대 박막 트랜지스터로 구성된다. 이 박막 트랜지스터는 밑바탕 층(21)상에 형성되는 반도체박막(24), 반도체박막 (24)을 덮는 산화실리콘의 게이트 절연막(25), 이 게이트 절연막(25)을 매개로 반도체박막(24)상에 배치되는 게이트전극(26) 및 반도체박막(24)내에 소정 농도의 불순물을 포함하여 형성되는 소스 및 드레인에 각각 접속되는 소스 및 드레인전극(27, 28)을 포함한다. 반도체박막(24)은 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘이고, 게이트전극(26)은 MoW이며, 소스 및 드레인전극(27, 28)은 Mo/Al/Mo와 같은 금속의 3층구조이다. 게이트전극(26) 및 반도체박막(24)은 소스 및 드레인을 노출하는 콘택트홀을 갖춘 산화실리콘의 층간절연막(23)으로 덮여진다. 소스전극(27) 및 드레인전극(28)은 콘택트홀에서 반도체박막(24)의 소스 및 드레인에 접촉하여 층간절연막(23)상에 형성된다. 화소스위치(SW')의 게이트전극(26)은 주사선의 일부를 구성하고, 드레인전극(28)은 신호선의 일부를 구성한다. 또, 구동소자(SW)의 게이트전극은 화소스위치(SW')의 소스전극에 접속하고, 구동소자(SW)의 드레인전극은 전원공급라인(VDD)의 일부를 구성하며, 소스전극은 유기 EL소자(PX)에 접속한다.
유기 EL소자(PX)는 적, 녹 또는 청의 형광성 유기화합물을 포함하는 박막인 발광층(34)을 캐소드전극(36) 및 애노드전극(30) 사이에 끼운 구조를 갖고, 발광층 (34)에 전자 및 정공을 주입하여 이들을 재결합시킴으로써 여기자를 생성시키며, 이 여기자의 실활시에 생기는 광방출에 의해 발광한다. 여기에서, 여기자를 효율적으로 생성시키기 위해, 버퍼층(33)이 발광층(34) 및 애노드전극(30) 사이에 배치되고, 전자수송층(35)이 발광층(34) 및 캐소드전극(36) 사이에 배치된다. 여기에서는, 자기발광층으로서 발광층(34), 버퍼층(33), 전자수송층(35)의 적층구조를 이용하는 경우에 대해 설명했지만, 기능적으로 복합된 2층 또는 단층으로 구성해도 좋다. 애노드전극(30)은, 예컨대 ITO로 구성되는 투명전극이고, 캐소드전극(36)은 Ba(바륨)/Ag(은)와 같은 금속의 2층구조로 구성되는 반사전극이다. 여기에서는, 예컨대 애노드전극(30)을 투명전극으로 하고, 이 투명전극을 매개로 광을 외부로취출하지만, 이 투명전극을 캐소드전극(36), 반사전극을 애노드전극(30)으로 구성해도 좋다.
유기 EL소자(PX)의 형성공정에서는 애노드전극(30)이 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인전극(27, 28)과 마찬가지로 층간절연막(23)을 밑바탕으로 하여 형성된다. 덧붙여서, 소스 및 드레인전극(27, 28)은 애노드전극(30)의 형성후에 형성되고, 이에 따라 소스전극(27)이 애노드전극(30)에 접촉한다. 이 상태에서, 질화실리콘의 보호절연막(29)이 애노드전극(30), 소스 및 드레인전극(27, 28) 및 층간절연막(23)을 전체적으로 덮어 형성되고, 애노드전극(30)을 부분적으로 노출하도록 패터닝된다.
이와 같이, 애노드전극(30)을 형성한 후에 콘택트홀을 형성하기 때문에, 반도체박막(24)의 표면이 애노드전극(30)의 형성시에 손상을 받는 것을 방지할 수 있다. 또, 애노드전극(30)의 형성후에 소스 및 드레인전극(27, 28), 신호선(X)을 형성하기 때문에, ITO 가공시의 에천트에 의한 Mo/Al/Mo의 원하지 않는 가공을 방지할 수 있다.
이어서, 산화실리콘의 친수성(親水性) 절연막(31)이 보호절연막(29) 및 애노드전극(30)의 노출부를 전체적으로 덮어 형성되고, 다시 애노드전극(30)을 부분적으로 노출하도록 패터닝된다. 이어서, 표면처리한 아크릴수지와 같은 발수성 유기절연막(32)이 친수성 절연막(31) 및 애노드전극(30)의 노출부를 전체적으로 덮어 형성되고, 다시 애노드전극(30)을 부분적으로 노출하도록 패터닝된다. 이들 패터닝은 애노드전극(30)을 부분적으로 노출하여 이 노출면을 향해 테이퍼형상으로 되는 개구(OP)를 보호절연막(29)과 친수성 절연막(31) 및 발수성 유기절연막(32)의 절연체에 형성하는 결과로 된다.
개구(OP)의 형성후, 일정량의 수용성 고분자용액이 잉크젯방식으로 개구(OP)내에 주입되고, 이에 따라 버퍼층(33)을 형성한다. 이 후, 일정량의 형광성 유기화합물을 포함하는 고분자용액이 잉크젯방식으로 개구(OP)내에 주입되고, 이에 따라 발광층(34)을 형성하다. 이 후, 일정량의 고분자용액이 잉크젯방식으로 개구 (OP)내에 주입되고, 이에 따라 전자수송층(35)을 형성한다. 발수성 절연막(32) 및 전자수송층(35)은 금속증착에 의해 형성되는 캐소드전극(36)으로 덮여지고, 이 캐소드전극(36)은 SiN, AlN 등의 패시베이션(passivation)층(37)으로 덮여진다. 또한, 전자수송층(35)은 생략가능하다.
이렇게 하여 얻어진 구조물은 그 외주단부 부근에 도포되는 밀봉재에 의해 유리판, 금속판과 같은 지지판(38)에 질소분위기내에서 접착되고, 이에 따라 질소가 패시베이션층(37)과 지지판(38) 사이에 밀봉된다.
상술한 실시예에서는 소스 및 드레인전극(27, 28), 신호선(X)이 층간절연막 (23)상에 애노드전극(30)과 더불어 동일평면상에 배치되고, 발광층(34)으로부터 횡방향으로 방출되는 광을 반사한다. 이것은 광투과성 절연기판(20)의 외부로 방출되는 광의 강도를 높이는 결과로 된다. 또, 층간절연막(23)은 소스 및 드레인전극 (27, 28) 및 애노드전극(30)에 대해 공통의 밑바탕으로 되기 때문에, 2개의 층간절연막을 독립한 프로세스로 형성할 필요가 없는데다가, 이들 층간절연막의 겹침에 의한 광투과율의 저하를 방지할 수 있다.
또, 발수성 절연막(32)이 보호절연막(29) 및 친수성 절연막(31)의 적층체를 덮기 때문에, 이 적층체보다도 애노드전극(30)의 노출면으로부터 떨어진 개구(OP)의 내벽을 발수성으로 할 수 있다. 따라서, 발광층(34)의 재료로서 일정량의 액상형광성 유기화합물을 잉크젯방식으로 개구(OP)내에 주입한 경우에, 형광성 유기화합물이 발수성인 개구(OP)의 내벽에 부착하지 않고 빨리 흘러 떨어지기 때문에, 발광층(34)의 두께제어가 용이하게 된다. 즉, 균일하면서 충분한 두께의 발광층(34)을 개구(OP) 아래쪽에 형성할 수 있다. 이것은 버퍼층(33) 및 전자수송층(35)의 형성에 대해서도 마찬가지이다.
또, 보호절연막(29) 및 친수성 절연막(31)의 적층체는 개구(OP)의 내벽을 구성하는 면에 있어서 친수성 절연막(31)에 의한 친수성을 갖기 때문에, 발수성 절연막(32)으로 끌린 액상 형광성 유기화합물을 발수성 절연막(32)보다도 애노드전극 (30)의 노출면에 가까운 측으로 확실히 흡인할 수 있다.
또, 보호절연막(29) 및 친수성 절연막(31)의 적층체는 보호절연막(29)을 친수성 절연막(31)으로 전체적으로 덮음으로써 형성되기 때문에, 개구(OP)의 내벽을 구성하는 면을 용이하게 친수성으로 할 수 있다.
상술한 실시예에서는 애노드전극(30)을 층간절연막(23)상에 소스, 드레인전극(27, 28), 신호선(X)과 동일 평면상에 형성하는 경우에 대해 설명했지만, 주사선 (Y)과 동일 평면상에 애노드전극(30)을 배치해도 좋다. 예컨대, 도 3에 나타낸 바와 같이 게이트전극(26)이 애노드전극(30)과 더불어 게이트 절연막(25)상에 배치되고, 발광층(34)으로부터 횡방향으로 방출되는 광을 반사한다. 이것은 도 2에 나타낸 구조와 마찬가지로 광투과성 절연기판(20)의 외부로 방출되는 광의 강도를 높이는 결과로 된다. 또, 게이트 절연막(25)은 게이트전극(26) 및 에노드전극(30)에 대해 공통의 밑바탕으로 되기 때문에, 2개의 절연막을 독립한 프로세스로 형성할 필요가 없는데다가, 이들 절연막의 겹침에 의한 광투과율의 저하를 방지할 수 있다.
또, 도 4에 나타낸 바와 같이 친수성 절연막(31)으로 소스 및 드레인전극 (27, 28)과 애노드전극(30)을 덮고, 보호절연막(29)으로 이 친수성 절연막(31)의 상면만을 덮도록 하여 보호절연막(29) 및 친수성 절연막(31)의 적층체를 구성하도록 해도, 개구(OP)의 내벽을 구성하는 면을 용이하게 친수성으로 할 수 있다.
또, 애노드전극(30)과는 다른 재료인 광반사성 배선전극에 의해 콘택트부에서의 단끊김, 콘택트 저항의 증대를 억제할 수 있어 TFT와의 확실한 전기적 접속이 가능하게 된다.
또, 상술한 실시예에 있어서는, 자기발광층 재료에 고분자재료를 사용하는 경우에 대해 설명했지만, 이에 한정되지 않고 저분자재료에 의해 구성해도 좋다.
또, 상술한 실시예에 있어서는, 자기발광소자로서 유기 EL소자를 이용하여 설명했지만, 이에 한정되지 않고 본 발명은 대향전극간에 자기발광층을 갖춘 자기발광 표시패널 전반에 적용하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명은 여러 가지의 특정한 실시예와 관련하여 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 발명의 요지를 이탈하지 않는 범위내에서 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있음은 물론이다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 복잡한 제조공정을 필요로 하지 않고 양호한 발광특성을 얻을 수 있는 자기발광 표시패널 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.

Claims (8)

  1. 자기발광층이 제1전극 및 제2전극 사이에 끼인 자기발광소자와, 상기 자기발광소자를 화소로서 배선하는 화소배선을 갖추고,
    상기 제1전극은 광투과성을 가지며,
    상기 화소배선은 광투과성 절연기재상에 상기 제1전극과 동일평면상에 배치되어 상기 발광층으로부터 횡방향으로 방출되는 광을 반사하는 배선금속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기발광 표시패널.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화소배선 및 상기 제1전극을 덮는 층간절연막 및 이 층간절연막을 덮는 발수성 절연막을 포함하는 절연체를 더 갖추고,
    상기 발광층은 상기 제1전극을 부분적으로 노출하여 이 노출면을 향해 테이퍼형상으로 되도록 상기 절연체에 형성되는 개구내에만 배치되는 것을 특징으로 하는 자기발광 표시패널.
  3. 제2항에 있어서, 상기 층간절연막은 상기 개구의 내벽을 구성하는 면에 있어서 친수성인 것을 특징으로 하는 자기발광 표시패널.
  4. 제2항에 있어서, 상기 층간절연막은 보호절연막 및 친수성 절연막의 적층체인 것을 특징으로 하는 자기발광 표시패널.
  5. 발광층이 투명전극 및 반사전극 사이에 끼인 자기발광소자와, 상기 자기발광소자를 화소로서 배선하는 화소배선, 상기 화소배선 및 상기 투명전극을 덮는 층간절연막 및 이 층간절연막을 덮는 발수성 절연막을 포함하는 절연체를 갖추고,
    상기 발광층은 상기 투명전극을 부분적으로 노출하여 이 노출면을 향해 테이퍼형상으로 되도록 상기 절연체에 형성되는 개구내에만 배치되는 것을 특징으로 하는 자기발광 표시패널.
  6. 제5항에 있어서, 상기 층간절연막은 상기 개구의 내벽을 구성하는 면에 있어서 친수성인 것을 특징으로 하는 자기발광 표시패널.
  7. 제5항에 있어서, 상기 층간절연막은 보호절연막 및 친수성 절연막의 적층체인 것을 특징으로 하는 자기발광 표시패널.
  8. 발광층이 투명전극 및 반사전극 사이에 끼인 자기발광소자를 매트릭스모양으로 배치하고, 상기 투명전극을 매개로 광을 외부로 취출하는 자기발광 표시패널의 제조방법에 있어서,
    투명절연기판상에 섬모양으로 반도체층을 형성하는 공정과,
    상기 반도체층에 게이트 절연막을 매개로 게이트전극을 형성하는 공정,
    상기 게이트 절연막 및 게이트전극상에 층간절연막을 성막하는 공정,
    상기 층간절연막상에 선택적으로 상기 투명전극을 형성하는 공정 및,
    상기 층간절연막 및 상기 게이트 절연막을 관통하여 상기 반도체층에 이르는 금속전극을 형성하는 공정을 갖춘 것을 특징으로 하는 자기발광 표시패널의 제조방법.
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