CN1501753A - 有机电致发光显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及有机电致发光显示装置及其制造方法。R像素、G像素及B像素的发光层及电子传输层沿列方向形成带状。使用共同的掩膜在第1蒸镀室内连续形成R像素的红色发光层及电子传输层，使用共同的掩膜在第2蒸镀室内连续形成G像素的绿色发光层及电子传输层，使用共同的掩膜在第3蒸镀室内连续形成B像素的蓝色发光层及电子传输层。
Description
技术领域
本发明涉及具有多个有机电致发光器件的有机电致发光显示装置及其制造方法。
背景技术
有机电致发光显示装置(以下简称有机EL显示装置)作为一种有望取代目前正广泛普及的液晶显示装置的显示装置，正在加紧实用化的开发。特别是各像素都具有作为开关器件的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)的有源矩阵型有机EL显示装置，由于能够在各像素都保持显示数据，可以实现大图像化及高清晰化，因此被认为是下一代平面显示装置的主角。
有机EL显示装置中包含多个有机电致发光器件(以下简称有机EL器件)，各有机EL器件构成像素。在各有机EL器件中，电子及空穴分别从电子注入电极及空穴注入电极注入发光层，它们在发光层和空穴传输层的界面或者界面附近的发光层内部再结合。由此有机分子呈激励状态，在该有机分子从激励状态返回到基态时产生荧光。
在有机EL显示装置中，多个有机EL器件配置成矩阵。彩色有机EL显示装置由发出红色光的有机EL器件形成的像素(以下称为R像素)、发出绿色光的有机EL器件形成的像素(以下称为G像素)及发出蓝色光的像素(以下称为B像素)构成。
多个R像素、多个G像素及多个B像素沿相互垂直相交的一个方向及另一个方向排列。这里，一个方向称为行方向，另一个方向称为列方向。例如，多组R像素、G像素及B像素沿行方向周期性地排列，多个R像素、多个G像素及多个B像素分别沿列方向排列。
各有机EL器件具有层叠结构，即在空穴注入电极(阳极)和电子注入电极(阴极)间依次形成空穴传输层、发光层及电子传输层。R像素、G像素及B像素的发光层材料各不相同。
一般采用真空蒸镀法形成有机EL器件(例如，参照日本专利2001-93667号公报)。为了在各像素都形成有机EL器件，在基板上的空穴注入电极上设置具有对应各像素的开口部的掩膜，通过掩膜的开口部将从蒸镀源蒸发的有机材料对应于R像素、G像素及B像素选择性地蒸镀在基板上。
但是，采用具有对应各像素的开口部的掩膜蒸镀有机材料层时，有时会发生掩膜的位置偏离的现象。由于掩膜的位置偏离，所以发光层等有机材料层形成时也出现偏离，结果导致有效发光区域变窄，产品的原料利用率下降。
还有，由于在掩膜的开口部的端部的遮蔽，有机材料层的厚度会出现不均一。这种情况下，有机材料层的膜厚度虽然在中央部是基本均一的，但开口部的端部的厚度比中央部小。这样就得不到均一的发光特性，导致有效发光面积减少。
发明内容
本发明的目的是提供一种有机电致发光显示装置及其制造方法，它通过减小有机电致发光器件的位置调整精度的影响，可提高原料利用率，防止有效发光面积的减少，确保发光均一性。
本发明的有机电致发光显示装置具有构成不同颜色的多个像素的多个有机电致发光器件，各有机电致发光器件依次包含第1电极、发光层、第1载流子传输层和第2电极，构成相同颜色的像素的相邻的至少2个有机电致发光器件的发光层及第1载流子传输层分别连续形成。
本发明的有机电致发光显示装置中，由于分别连续形成了构成相同颜色的像素的相邻的至少2个有机电致发光器件的发光层及第1载流子传输层，因此在连接方向上可以减小发光层及第1载流子传输层的位置调整精度的影响。由此可以提高原料利用率，并且防止有效发光面积的减少。还有，在采用掩膜形成发光层及第1载流子传输层时，至少在连接方向上不会因掩膜的开口部的端部的遮蔽使发光层及第1载流子传输层的厚度不均一。因此能够确保均一的发光特性。
多个像素排列成矩阵，相同颜色的像素沿列方向排列，不同颜色的像素沿行方向周期性地排列，各列的至少2个有机电致发光器件的发光层及第1载流子传输层可分别形成带状。
这种情况下，在列方向可减小发光层及第1载流子传输层的位置调整精度的影响。由此可提高原料利用率，并且防止有效发光面积的减少。还有，在采用掩膜形成发光层及第1载流子传输层时，至少在列方向上不会因掩膜的开口部的端部的遮蔽使发光层及第1载流子传输层的厚度不均一。因此能够确保均一的发光特性。
有机电致发光显示装置在第1电极和发光层间还具备第2载流子传输层，构成各像素的有机电致发光器件的第1电极分别独立形成，构成至少2个像素的多个有机电致发光器件的第2载流子传输层可以共同形成。
这种情况下，位于各第1电极上的发光层的区域成为发光区域。由于至少2个有机电致发光器件的第2载流子传输层可以共同形成，所以在第2载流子传输层就可以不要求位置调整精度。因此，可确保均一的发光特性，并且提高原料利用率。
在行方向上设置分离相邻的像素间的区域，在行方向上相邻的有机电致发光器件的发光层间的边界及第1载流子传输层间的边界可以位于上述区域上。这里，分离像素间的区域指相邻的有机电致发光器件的发光区域间的非发光区域，相当于相邻的有机电致发光器件的第1电极间的区域。
这种情况下，即使有机电致发光器件的发光层及第1载流子传输层在行方向上有一些位置偏离，有效发光面积也不会减少。因此，可确保充分的有效发光面积，并且可确保均一的发光特性。
构成至少2种颜色的像素的有机电致发光器件的发光层及第1载流子传输层可以含有共同的有机材料。
这种情况下，构成至少2种颜色的像素的有机电致发光器件的发光层及第1载流子传输层形成时，各种颜色的像素都可以在同一个形成室内，连续形成发光层及第1载流子传输层而不需要转换有机材料源。这样可缩短制造时间及降低制造成本。
构成至少2种颜色的像素的有机电致发光器件的第1载流子传输层可以具有相互不同的厚度。这种情况下，各种颜色的像素都能够得到最佳的发光效率。
本发明的有机电致发光显示装置的制造方法是具备构成不同颜色的多个像素的多个有机电致发光器件的有机电致发光显示装置的制造方法，依次包括形成各有机电致发光器件的第1电极的工序，连续形成构成相同颜色的像素的相邻的至少2个有机电致发光器件的发光层的工序，连续形成构成相同颜色的像素的相邻的至少2个有机电致发光器件的第1载流子传输层的工序，以及形成各有机电致发光器件的第2电极的工序。
采用本发明的有机电致发光显示装置的制造方法，由于分别连续形成了构成相同颜色的像素的相邻的至少2个有机电致发光器件的发光层及第1载流子传输层，因此在连接方向上可以减小发光层及第1载流子传输层的位置调整精度的影响。由此提高原料利用率，并且防止有效发光面积的减少。还有，在采用掩膜形成发光层及第1载流子传输层时，至少在连接方向上不会因掩膜的开口部的端部的遮蔽使发光层及第1载流子传输层的厚度不均一。因此能够确保均一的发光特性。
多个像素排列成矩阵，相同颜色的像素沿列方向排列，不同颜色的像素沿行方向周期性地排列。连续形成发光层的工序包括使各列的至少2个有机电致发光器件的发光层分别形成带状的工序。连续形成第1载流子传输层的工序包括使各列的至少2个有机电致发光器件的第1载流子传输层分别形成带状的工序。
这种情况下，由于发光层及第1载流子传输层形成为带状，因此在列方向可减小发光层及第1载流子传输层的位置调整精度的影响。由此提高原料利用率，同时防止有效发光面积的减少。还有，由于形成了发光层及第1载流子传输层，所以至少在列方向上不会因掩膜的开口部的端部的遮蔽使发光层及第1载流子传输层的厚度不均一。因此能够确保均一的发光特性。再有，由于每个相同颜色的像素都可以采用共同的掩膜连续形成发光层及第1载流子传输层，因此可缩短制造时间及降低制造成本。
形成第1电极的工序包括分别独立地形成构成各像素的有机电致发光器件的第1电极的工序。还可包括在多个第1电极上共同形成构成至少2个像素的多个有机电致发光器件的第2载流子传输层的工序。
这种情况下，位于各第1电极上的发光层的区域成为发光区域。由于至少2个有机电致发光器件的第2载流子传输层可以共同形成，所以在第2载流子传输层就可以不要求位置调整精度。因此，可确保均一的发光特性，并且提高原料利用率。
有机电致发光显示装置具有分离在行方向上相邻的像素间的区域，连续形成发光层的工序可包括按在行方向上相邻的有机电致发光器件的发光层间的边界位于该区域上的要求来形成发光层的工序。连续形成第1载流子传输层的工序可包括按在行方向上相邻的有机电致发光器件的第1载流子传输层间的边界位于该区域上的要求来形成第1载流子传输层的工序。
这种情况下，即使有机电致发光器件的发光层及第1载流子传输层在行方向上有一些位置偏离，有效发光面积也不会减少。因此，可确保充分的有效发光面积，并且可确保均一的发光特性。连续形成发光层的工序及连续形成第1载流子传输层的工序可包括各种颜色的像素都在同一个形成室内连续形成发光层及第1载流子传输层的工序。由此可缩短制造时间及降低制造成本。
连续形成第1载流子传输层的工序可包括使构成至少2种颜色的像素的有机电致发光器件的第1载流子传输层形成互不相同的厚度的工序。这种情况下，各种颜色的像素都能够得到最佳的发光效率。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式之一的有机EL显示装置的像素的配置的模拟平面图。
图2是分别构成本实施方式的有机EL显示装置的1组R像素、G像素及B像素的有机EL器件的平面图。
图3是图2的有机EL器件的A-A线剖面图。
图4是在本实施方式的有机EL显示装置的有机EL器件的剖面结构与具有以往结构的有机EL器件的剖面结构的比较模拟图。
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式的有机电致发光显示装置(以下简称有机EL显示装置)。
图1是表示本发明的实施方式之一的有机EL显示装置的像素的配置的模拟平面图。有机EL显示装置由多个有机EL器件(以下称为有机EL器件)构成。
在图1的有机EL显示装置中，发出红色光的像素(以下称为R像素)Rpix、发出绿色光的像素(以下称为G像素)Gpix和发出蓝色光的像素(以下称为B像素)Bpix配置成矩阵。
R像素Rpix由发出红色光的有机EL器件构成，G像素Gpix由发出绿色光的有机EL器件构成，B像素Bpix由发出蓝色光的有机EL器件构成。
这里，互相垂直相交的一个方向及另一个方向分别称为行方向及列方向。多组的R像素Rpix、G像素Gpix及B像素Bpix沿行方向周期性地排列，多个R像素Rpix、G像素Gpix及B像素Bpix分别沿列方向排列。即，在列方向排列同一颜色的像素。
在行方向，R像素Rpix的间距是PI，G像素Gpix的间距同样是PI，B像素Bpix的间距也是PI。
在以下的说明中，将行方向的像素的尺寸称为像素的宽度，列方向的像素的尺寸称为像素的长度。如后所述，R像素Rpix、G像素Gpix及B像素Bpix在行方向上具有不同的宽度。
接着，说明本实施方式的有机EL显示装置的有机EL器件的发光层及电子传输层形成时所用的掩膜。如上所述，由于R像素Rpix、G像素Gpix及B像素Bpix在行方向上具有不同的宽度，因此分别准备了R像素Rpix用掩膜、G像素Gpix用掩膜及B像素Bpix用掩膜。
在制造以往的有机EL显示装置时，采用具有对应于各像素的离散的开口部的掩膜。对应于此，制造本实施方式的有机EL显示装置时，所用掩膜在列方向相邻的多个像素间具有共同的多个开口部。开口部的间距等于行方向的同种颜色的像素间的间距PI。
例如，在列方向上相邻的多个R像素Rpix共用开口部。同样，在列方向上相邻的多个G像素Gpix共用开口部，在列方向上相邻的多个B像素Bpix共用开口部。
开口部的宽度对应于1个像素宽度。在R像素Rpix用掩膜中，开口部的宽度对应于1个R像素Rpix的宽度。在G像素Gpix用掩膜中，开口部的宽度对应于1个G像素Gpix的宽度。在B像素Bpix用掩膜中，开口部的宽度对应于1个B像素Bpix的宽度。
还有，开口部的长度由共用的像素数决定。即，将相邻的2个像素的发光层及电子传输层共同化的情况下，开口部的长度设定为像素的长度×2。将相邻的n个(n为2以上的任意整数)像素的发光层及电子传输层共同化的情况下，开口部的长度设定为像素的长度×n。在本实施方式中，将列方向的所有像素数表示为k时，开口部的长度设定为像素的长度×k，使排列在列方向上的所有的像素的发光层及电子传输层共同化。
R像素Rpix用、G像素Gpix用及B像素Bpix用掩膜的厚度例如为50μm。
通过采用这种掩膜蒸镀有机材料，可以分别使R像素Rpix的发光层及电子传输层、G像素Gpix的发光层及电子传输层、B像素Bpix的发光层及电子传输层形成沿列方向延伸的带状。
图2是分别构成本实施方式的有机EL显示装置的1组R像素、G像素及B像素的有机EL器件的平面图。图3是图2的有机EL器件的A-A线剖面图。
在图2中，从左侧依次设置具有红色发光层的R像素Rpix、具有绿色发光层的G像素Gpix及具有绿色发光层的B像素Bpix。
在平面图中各像素的结构是相同的。1个像素形成于由沿行方向延伸的2个门信号线51和沿列方向延伸的2个漏信号线(数据线)52所包围的区域。各像素的区域内，在门信号线51和漏信号线52的交点附近形成作为开关器件的n阱型第1 TFT 130，在中央附近形成驱动有机EL器件的p阱型第2 TFT140。还有，在各像素的区域内，形成辅助电极70及由铟氧化锡(Indium TinOxide：ITO)构成的空穴注入电极12。在空穴注入电极12的区域有机EL器件形成为岛状。
第1 TFT 130的漏通过漏极13d与漏信号线52连接，第1 TFT 130的源通过源极13s与电极55连接。第1 TFT 130的栅电极11从门信号线51延伸。
辅助容量70由接受电源电压Vsc的SC线54和与有源层11(参照图4)一体的电极55构成。
第2 TFT 140的漏通过漏极43d与有机EL器件的空穴注入电极12连接，第2 TFT 140的源通过源极43s与沿列方向延伸的电源线53连接。第2 TFT 140的栅电极41与电极55连接。
综合考虑各有机EL器件的发光效率，分别设定R像素Rpix的宽度LR、G像素Gpix的宽度LG及B像素Bpix的宽度LB，以便使R像素Rpix、G像素Gpix及B像素Bpix的光通量相等。在本实施方式中，R像素Rpix的宽度LR为75.5μm、G像素Gpix的宽度LG为56.5μm、B像素Bpix的宽度LB为66μm。
如图3所示，在玻璃基板10上形成由多晶硅等构成的有源层11，该有源层11的一部分成为用于驱动有机EL器件的第2 TFT 140。在有源层11上通过栅氧化膜(无图示)形成双控制极结构的栅电极41，在有源层11上形成层间绝缘膜13及第1平坦层15以覆盖栅电极41。第1平坦层15的材料可以使用丙烯酸树脂。在第1平坦层15上各像素都形成了透明的空穴注入电极12，在第1平坦层15上形成绝缘性的第2平坦层18以覆盖空穴注入电极12。
第2 TFT 140形成于第2平坦层18的下方。这里，第2平坦层18不是形成于空穴注入电极12的整个面，而是形成于局部，以覆盖形成第2 TFT 140的区域，并且利用第2平坦层18的形状使空穴注入电极12或者后述的各有机材料层不断线。
在所有区域上形成空穴传输层16，以覆盖空穴注入电极12及第2平坦层18。
在R像素Rpix、G像素Gpix及B像素Bpix的空穴传输层16上分别形成沿列方向延伸的带状的红色发光层22、绿色发光层24及蓝色发光层26。
带状的红色发光层22、绿色发光层24及蓝色发光层26间的边界设置于第2平坦层18的表面和玻璃基板10平行的区域。
在R像素Rpix、G像素Gpix及B像素Bpix的红色发光层22、绿色发光层24及蓝色发光层26上分别形成沿列方向延伸的带状的电子传输层28。
在具有多个蒸镀室的多室型有机EL制造装置中，连续形成每种颜色的R像素Rpix、G像素Gpix及B像素Bpix的发光层22、24、26及电子传输层28。即，R像素Rpix的红色发光层22及电子传输层28在第1蒸镀室内采用共用的掩膜连续形成。还有，G像素Gpix的绿色发光层24及电子传输层28在第2蒸镀室内采用共用的掩膜连续形成，B像素Bpix的蓝色发光层26及电子传输层28在第3蒸镀室内采用共用的掩膜连续形成。因此，设置电子传输层28的边界时，重叠在红色发光层22、绿色发光层24及蓝色发光层26间的边界上。
这样，在不同的蒸镀室内分别形成各种颜色的发光层22、24、26及电子传输层28，可以防止在同一蒸镀室内形成3种发光层22、24、26及电子传输层28时所产生的掺杂而引起的交叉污染。
而且，在各电子传输层28上依次形成共同的氟化锂层30及电子注入电极32。
这种有机EL显示装置中，如果选择信号输出到门信号线51，则第1 TFT 130接通，这时根据在漏信号线52所施加的电压值(数据信号)对辅助容量70充电。第2 TFT 140的栅电极41接受与充电给辅助容量70的电荷对应的电压。由此，控制由电源线53输往有机EL器件的电流，有机EL器件以与输入电流对应的亮度发光。
空穴注入电极12的材料可以采用ITO、氧化锡(SnO2)、氧化铟(In2O3)等。
空穴传输层16的材料可采用具有下式(1)所示的分子结构的N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺(以下称为NPB)。
还有，空穴传输层16的材料可以采用具有下式(2)所示的分子结构的4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)。
再有，空穴传输层16的材料可以采用具有下式(3)所示的分子结构的N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(TPD)。
红色发光层22及绿色发光层24的主体材料可以采用具有下式(4)所示的分子结构的铝喹啉配位化合物(Alq3)、下式(5)所示的分子结构的双(苯并喹啉酸)铍配位化合物(BeBq2)等1个金属离子与多个配位体配位形成的螯合金属配位化合物。
一般用螯合金属配位化合物作为发光层的主体材料形成的有机EL器件，在短波长的颜色、即蓝色光上有需要研究的地方。因此，蓝色发光层26的主体材料采用具有下式(6)所示分子结构的叔丁基取代的二萘蒽(以下称为TBADN)等酮及其衍生物、二苯乙烯基苯及其衍生物等缩合多环芳族。
还有，以上述螯合金属配位化合物及缩合多环芳族为主体材料，通过掺杂具有下式(7)所示分子结构的红荧烯、具有下式(8)所示分子结构的2-(1，1-二甲基乙基)-6-(2-(2，3，6，7-四氢-1，1，7，7-四甲基-1II，5II-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基)-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈(DCJTB)、具有下式(9)所示分子结构的喹吖啶酮衍生物和上述的TBADN等掺杂剂，能够得到所希望的发光特性。
电子传输层28的材料可以采用Alq3、BeBq2等螯合金属配位化合物。
电子注入电极32的材料可以采用含微量铝、锂的铝合金，镁铟合金，镁银合金等。还有，可以在电子传输层28上形成由氟化锂层30及电子注入层32构成的2层结构的电极。
本实施方式的有机EL显示装置中，在各种颜色的像素的空穴传输层16上分别形成沿列方向延伸的带状的红色发光层22、绿色发光层24及蓝色发光层26，在红色发光层22、绿色发光层24及蓝色发光层26上分别形成沿列方向延伸的带状的电子传输层28。因此，至少在列方向上可以减小各发光层22、24、26及电子传输层28的位置调整精度的影响。还有，各种颜色都可以采用同一掩膜在同一蒸镀室内连续形成各发光层22、24、26及电子传输层28。
再有，由于带状的各种颜色的发光层22、24、26间的边界及带状的电子传输层28间的边界设置在不影响显示的区域，因此，即使各种颜色的发光层22、24、26及各电子传输层28的位置在行方向有一些偏离，也不会使实际的发光区域变窄。
图4是本实施方式的有机EL显示装置的有机EL器件的剖面结构与具有以往结构的有机EL器件的剖面结构的比较模拟图。在图4中，介绍了作为代表例的具有红色发光层22的有机EL器件，为了方便说明省略了图3所示结构的一部分。
图4(a)是本实施方式的有机EL器件的红色发光层22的边界形成于第2平坦层18上的结构。图4(b)是红色发光层22形成于和发光区域基本相同的区域的以往的结构。图4(c)是在以往的结构中，形成有机EL器件时由于掩膜的位置偏离使红色发光层22的位置偏离的实例。
如图4(a)所示，在本实施方式中，在比实际的发光区域大的区域形成红色发光层22及电子传输层28。通常，在不设置空穴注入电极12的第2平坦层18上的区域有机EL器件几乎不发光。由此，即使红色发光层22及电子传输层28的位置在行方向稍有偏离，也不会缩小实际的发光区域。因此，不会发生由于发光层22、24、26及电子传输层28的位置偏离使产品的原料利用率降低的问题。
与此相反，在以往的结构中，如图4(b)所示，由于在实际的发光区域形成红色发光层22及电子传输层28，因此如图4(c)所示，红色发光层22的位置在行方向只要稍稍偏离，就会使发光区域变窄。这种偏离是由掩膜的位置偏离引起的，因此在整个有机EL显示装置红色的亮度减小，并破坏有机EL显示装置所显示的图像的白色平衡。因此，该有机EL显示装置就只能成为次品，产品的原料利用率降低。
接着，说明R像素Rpix、G像素Gpix及B像素Bpix的电子传输层28的最佳膜厚度。
在有机EL器件中，含发光层的有机材料层、基底层(SiO2及SiN)及玻璃基板的全光程长满足下式时，可增强从发光层发出的光。
4π/λ(n1d1+n2d2+n3d3+…+nkdk)＝2mπ…(A1)
或者
4π/λ(n1d1+n2d2+n3d3+…+nkdk)＝(2m-1)π…(A2)
式中，m为整数、n1～nk为各层的折射率，d1～dk为各层的膜厚度。此外，λ为电致发光的最大波长，各颜色的发光波长在如下范围内。
发红色光的有机EL器件：λ＝600～640[nm]
发绿色光的有机EL器件：λ＝510～550[nm]
发蓝色光的有机EL器件：λ＝430～480[nm]
这里，根据上式(A1)或(A2)求得以下所示的有机EL显示装置的R像素Rpix、G像素Gpix及B像素Bpix的电子传输层28的最佳膜厚度。
在本例中，空穴注入电极12由ITO构成，空穴传输层16由膜厚度1900的NPB构成。还有，在空穴注入电极12和空穴传输层16间设置膜厚度100的CuPc(酞菁铜)构成的空穴注入层及采用等离子CVD法(等离子化学气相成长法)形成的膜厚度约10的CFx(氟化碳)薄膜。
R像素Rpix中，红色发光层22含有作为主体材料的具有下式(10)所示分子结构的三(8-羟基喹啉酸)铝(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium：以下称为Alq)，并掺杂了DCJTB 1.7％及红荧烯20％。红色发光层22的膜厚度为350。
G像素Gpix中，绿色发光层24含有作为主体材料的Alq，还掺杂了下式(11)所示的3，4-二氟-N，N’-二甲基-喹吖啶酮(以下称为CFDMQA)0.7％及TBADN20％。绿色发光层24的膜厚度为350。
B像素Bpix中，蓝色发光层26含有作为主体材料的TBADN，还掺杂了叔丁基取代的苝(以下称为TBP)1.5％。蓝色发光层26的膜厚度为400。
此外，电子传输层28由上述的Alq构成。氟化锂层30的膜厚度为10。电子注入电极32由Al构成，膜厚度为4000。
根据上式(A1)或(A2)，求得R像素Rpix的电子传输层28的最佳膜厚度为250，G像素Gpix的电子传输层28的最佳膜厚度为350，B像素Bpix的电子传输层28的最佳膜厚度为100。
这样通过将R像素Rpix、G像素Gpix、B像素Bpix的电子传输层28的膜厚度都设定为最佳，各种颜色都能够得到最佳的发光效率。
在本例中，由于R像素Rpix及G像素Gpix的发光层22、24及电子传输层28使用共同的主体材料Alq，因此在第1蒸镀室及第2蒸镀室不需要转换蒸镀源。
在本实施方式中，空穴注入电极12相当于第1电极，电子注入电极32相当于第2电极，电子传输层28相当于第1载流子传输层，空穴传输层16相当于第2载流子传输层。
本发明的有机EL器件的结构并不限定于上述结构，可以使用各种结构。例如可以在电子传输层28和电子注入电极32间设置电子注入层。
还有，发光层22、24、26的材料可以采用公知的各种高分子材料。在该种情况下，可以不设置空穴传输层16。
各种颜色的列方向上的所有像素的红色发光层22、绿色发光层24及蓝色发光层26可以不分别连续形成。各种颜色的列方向上的至少2个像素的红色发光层22、绿色发光层24及蓝色发光层26可以分别连续形成。例如，将各种颜色的列方向上的像素分成多个组，各组的多个像素的红色发光层22、绿色发光层24及蓝色发光层26可以分别连续形成。这种情况下，组间的边界设置在不影响显示的区域。
还有，各种颜色的列方向上的所有像素的电子传输层28可以不分别连续形成。各种颜色的列方向上的至少2个像素的电子传输层28可以分别连续形成。例如，将各种颜色的列方向上的像素分成多个组，各组的多个像素的电子传输层28可以分别连续形成。这种情况下，组间的边界也设置在不影响显示的区域。
行方向上的所有像素的空穴传输层16可以不分别连续形成，行方向上的至少2个像素的空穴传输层16可以分别连续形成。例如，将行方向上的像素分成多个组，各组的多个像素的空穴传输层16可以分别连续形成。这种情况下，组间的边界设置在不影响显示的区域。
Claims (12)
1、有机电致发光显示装置，其特征在于，具有构成不同颜色的多个像素的多个有机电致发光器件，各有机电致发光器件依次包含第1电极、发光层、第1载流子传输层和第2电极，构成相同颜色的像素的相邻的至少2个有机电致发光器件的上述发光层及上述第1载流子传输层分别连续形成。
2、如权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其特征还在于，上述多个像素排列成矩阵，相同颜色的像素沿列方向排列，不同颜色的像素沿行方向周期性地排列，各列的至少2个有机电致发光器件的上述发光层及上述第1载流子传输层分别形成带状。
3、如权利要求2所述的有机电致发光显示装置，其特征还在于，在上述第1电极和上述发光层间还具备第2载流子传输层，构成各像素的有机电致发光器件的上述第1电极分别独立形成，构成至少2个像素的多个有机电致发光器件的第2载流子传输层共同形成。
4、如权利要求2所述的有机电致发光显示装置，其特征还在于，在行方向上设置分离相邻的像素间的区域，在行方向上相邻的有机电致发光器件的上述发光层间的边界及上述第1载流子传输层间的边界位于上述区域上。
5、如权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其特征还在于，构成至少2种颜色的像素的有机电致发光器件的上述发光层及上述第1载流子传输层含有共同的有机材料。
6、如权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其特征还在于，构成至少2种颜色的像素的有机电致发光器件的上述第1载流子传输层具有相互不同的厚度。
7、有机电致发光显示装置的制造方法，其特征在于，它是具备构成不同颜色的多个像素的多个有机电致发光器件的有机电致发光显示装置的制造方法，其特征在于，依次包括形成各有机电致发光器件的第1电极的工序，连续形成构成相同颜色的像素的相邻的至少2个有机电致发光器件的发光层的工序，连续形成构成相同颜色的像素的相邻的至少2个有机电致发光器件的第1载流子传输层的工序，形成各有机电致发光器件的第2电极的工序。
8、如权利要求7所述的有机电致发光显示装置的制造方法，其特征还在于，上述多个像素排列成矩阵，相同颜色的像素沿列方向排列，不同颜色的像素沿行方向周期性地排列；上述连续形成发光层的工序包括使各列的至少2个有机电致发光器件的上述发光层分别形成带状的工序；上述连续形成第1载流子传输层的工序包括使各列的至少2个有机电致发光器件的上述第1载流子传输层分别形成带状的工序。
9、如权利要求8所述的有机电致发光显示装置的制造方法，其特征还在于，上述形成第1电极的工序包括分别独立地形成构成各像素的有机电致发光器件的上述第1电极的工序；还包括在多个第1电极上共同形成上述构成多个像素的多个有机电致发光器件的第2载流子传输层的工序。
10、如权利要求8所述的有机电致发光显示装置的制造方法，其特征还在于，上述有机电致发光显示装置具有分离在行方向上相邻的像素间的区域，上述连续形成发光层的工序包括按在行方向上相邻的有机电致发光器件的上述发光层间的边界位于上述区域上的要求来形成上述发光层的工序；上述连续形成第1载流子传输层的工序包括按在行方向上相邻的有机电致发光器件的上述第1载流子传输层间的边界位于上述区域上的要求来形成上述第1载流子传输层的工序。
11、如权利要求7所述的有机电致发光显示装置的制造方法，其特征还在于，上述连续形成发光层的工序及上述连续形成第1载流子传输层的工序包括各种颜色的像素都在同一个形成室内连续形成上述发光层及上述第1载流子传输层的工序。
12、如权利要求7所述的有机电致发光显示装置的制造方法，其特征还在于，上述连续形成第1载流子传输层的工序包括使构成至少2种颜色的像素的有机电致发光器件的上述第1载流子传输层形成互不相同的厚度的工序。
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