KR102390699B1 - 유기발광다이오드 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 하이브리드 구조 유기발광다이오드를 제공하며, 청색 공통 발광층이 계면 특성 향상층을 포함함으로써 솔루블층과 증착층 간 계면 특성 저하에 의한 발광 효율 및 수명 감소의 문제를 해결하는 효과를 갖는다.
또한, 정공 이동도가 전자 이동도보다 큰 물질로 이루어지는 양극성 버퍼층을 형성함으로써, 하이브리드 구조 유기발광다이오드에서의 정공과 전자 밸런스를 향상시킬 수 있다.

Description

유기발광다이오드{Organic light emitting diode}
본 발명은 유기발광다이오드에 관한 것으로, 특히 하이브리드(hybrid) 구조 유기발광다이오드에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 종래의 음극선관 표시장치(CRT)에 비해 박형, 경량화된 액정표시장치(liquid crystal display (LCD) device), 플라즈마 표시장치(plasma display panel (PDP)) 또는 유기발광다이오드(organic light emitting diode (OLED)) 표시장치를 포함하는 평판표시장치가 활발하게 연구 및 제품화되고 있다.
위와 같은 평판표시장비 중에서, 유기발광다이오드 표시장치는 자발광소자인 유기발광다이오드를 필수적 구성 요소로 포함하며, 비발광소자인 액정표시장비에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다.
그리고, 액정표시장비에 비해 소비전력 측면에서도 유리하며, 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠른 장점을 가지고 있다.
특히, 제조공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정표시장비 보다 많이 절감할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 종래 유기발광다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 유기발광다이오드(D)는, 적색, 녹색 및 청색 화소영역(Rp, Gp, Bp) 각각에 형성되는 양극(10, anode)과, 정공 주입층(20, hole injection layer)과, 정공 수송층(30, hole transporting layer)과, 적색 유기발광패턴(42), 녹색 유기발광패턴(44) 및 청색 유기발광패턴(46)을 포함하는 발광물질층(40, emitting material layer)과, 전자 수송층(50, electron transporting layer)과, 전자 주입층(60, electron injection layer) 및 음극(70, cathode)을 포함하여 구성된다.
이와 같은 구조의 유기발광다이오드(D)에서, 정공 주입층(20)과, 정공 수송층(30)과, 적색 유기발광패턴(42), 녹색 유기발광패턴(44) 및 청색 유기발광패턴(46)을 포함하는 발광물질층(40)과, 전자 수송층(50)과, 전자 주입층(60)은 진공 열 증착법(vacuum thermal deposition)에 의해 형성된다.
종래 진공 열 증착법을 도시한 도 2를 참조하면, 진공열증착장비(1)는 소스(80)가 증착장비의 하부에 위치하고 상기 소스(80) 상부에 제 1 거리만큼 이격되어 기판(90)이 위치하게 된다. 소스(80)와 기판(90)은 그 위치가 고정된 상태에서, 소스(80)가 가열되면 소스 물질이 기판(90)에 증착되도록 한다.
이때, 기판(90)의 일부 영역에만 증착이 이루어지도록 하기 위하여 다수의 개구부(OP)를 갖는 쉐도우 마스크(M)가 이용될 수 있다.
그러나, 이와 같은 증착 공정은 표시장치의 제조 비용을 증가시키고 대면적 표시장치의 제조에는 한계가 있다.
본 발명에서는, 증착 공정에 의한 유기발광다이오드의 제조 비용 증가 및 대면적 표시장치의 제조에 대한 한계를 극복하고자 한다.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은, 적색, 녹색 및 청색 화소영역이 정의된 기판 상부에, 상기 적색, 녹색 및 청색 화소영역 별로 위치하는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 정공 주입층과, 상기 정공 주입층 상에 위치하는 정공 수송층과, 상기 적색 및 녹색 화소영역 각각에 대응하여 상기 정공 수송층 상에 위치하는 적색 발광층 및 녹색 발광층과, 상기 적색 발광층 및 녹색 발광층과, 상기 청색 화소영역의 상기 정공 수송층 상에 위치하고 계면 특성 향상층과 청색 발광층을 포함하는 청색 공통 발광층과, 상기 청색 공통 발광층 상에 순차 적층되는 전자 수송층 및 제 2 전극을 포함하고, 상기 계면 특성 향상층은 (3-(anthracen-9-yl)phenyl)(4-(anthracen-9-yl)phenyl)diphenylsilane인 실란 화합물을 포함하는 유기발광다이오드를 제공한다.
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본 발명의 유기발광다이오드에서, 상기 청색 발광층은, 전자 타입의 제 1 호스트를 포함하는 제 1 청색 발광층과 정공 타입의 제 2 호스트를 포함하는 제 2 청색 발광층을 포함하고, 상기 제 1 호스트의 전자 이동도는 상기 제 2 호스트의 정공 이동도보다 클 수 있다.
본 발명의 유기발광다이오드에서, 상기 계면 특성 향상층은 상기 청색 발광층보다 두꺼울 수 있다.
본 발명의 유기발광다이오드에서, 상기 적색 발광층 및 녹색 발광층과 상기 청색 공통 발광층 사이 및 상기 청색 화소영역의 상기 정공 수송층과 상기 청색 공통 발광층 사이에 위치하며 양극성 특성을 갖는 물질로 이루어지는 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 유기발광다이오드에서, 상기 버퍼층은 정공 이동도가 전자 이동도보다 클 수 있다.
본 발명의 유기발광다이오드에서, 상기 정공 주입층과, 상기 정공 수송층과, 상기 적색 발광층 및 상기 녹색 발광층은 용액 공정에 의해 형성되고, 상기 청색 공통 발광층과 상기 전자 수송층은 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.
본 발명에서는, 정공 주입층, 정공수송층 및 적색, 녹색 발광물질층을 용액 공정으로 형성하고, 청색 발광물질층, 전자 수송층을 증착 공정으로 형성하는 하이브리드(hybrid) 구조 유기발광다이오드를 제공한다.
따라서, 유기발광다이오드의 제조 비용이 절감되고 대면적 표시장치를 제공할 수 있다.
또한, 하이브리드 구조 유기발광다이오드에서, 청색 공통 발광층이 솔루블층과 증착층 간 계면 특허(morphology)을 개선할 수 있는 계면 특성 개선층을 포함함으로써, 계면 특성 저하에 의한 발광 효율 저하를 방지할 수 있다.
또한, 청색 공통 발광층을 전자 특성 호스트와 정공 특성 호스트의 이종 호스트로 형성함으로써, 청색 화소영역에서의 초기 수명 라이징(rising) 문제를 해결할 수 있다.
또한, 정공 이동도가 우수한 양극성(bipolar) 버퍼층을 적색, 녹색 발광층 및 청색 화소영역의 정공 수송층과 청색 공통 발광층 사이에 개재함으로써, 정공과 전자 밸런스가 향상되고 청색 화소에서의 발광 효율을 증가시킬 수 있다.
도 1은 종래 유기발광다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 2는 종래 유기발광다이오드의 제조에 이용되는 증착 장비를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 하나의 화소영역을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기발광다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기발광다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 9a 내지 도 9d는 유기발광다이오드의 구동 특성을 보여주는 그래프이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대해 자세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 하나의 화소영역을 도시한 도면이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 유기발광다이오드 표시장치에는, 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트배선(GL), 데이터배선(DL) 및 파워배선(PL)이 형성되고, 화소영역(P)에는, 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터(Cst), 유기발광다이오드(D)가 형성된다.
스위칭 박막트랜지스터(Ts)는 게이트배선(GL) 및 데이터배선(DL)에 연결되고, 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 박막트랜지스터(Ts)와 파워배선(PL) 사이에 연결되고, 유기발광다이오드(D)는 구동 박막트랜지스터(Td)에 연결된다.
이러한 유기발광다이오드 표시장치의 영상표시 동작을 살펴보면, 게이트배선(GL)에 인가된 게이트신호에 따라 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 턴-온(turn-on) 되면, 데이터배선(DL)에 인가된 데이터신호가 스위칭 박막트랜지스터(Ts)를 통해 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)의 일 전극에 인가된다.
구동 박막트랜지스터(Td)는 게이트전극에 인가된 데이터신호에 따라 턴-온 되며, 그 결과 데이터신호에 비례하는 전류가 파워배선(PL)으로부터 구동 박막트랜지스터(Td)를 통하여 유기발광다이오드(D)로 흐르게 되고, 유기발광다이오드(D)는 구동 박막트랜지스터(Td)를 통하여 흐르는 전류에 비례하는 휘도로 발광한다.
이때, 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 비례하는 전압으로 충전되어, 일 프레임(frame) 동안 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극의 전압이 일정하게 유지되도록 한다.
따라서, 유기전계발광 표시장치는 게이트신호 및 데이터신호에 의하여 원하는 영상을 표시할 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 기판(150) 상에는, 구동 박막트랜지스터(Td)와, 상기 구동 박막트랜지스터(Td)에 연결되는 유기발광다이오드(D)가 위치한다.
상기 기판(150)은 유리 기판이나 폴리이미드와 같은 폴리머로 이루어질 수 있다.
도시하지 않았으나, 상기 기판(150) 상에는 산화 실리콘 또는 질화 실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어지는 버퍼층이 형성될 수 있다.
상기 구동 박막트랜지스터(Td)는 상기 스위칭 박막트랜지스터에 연결되며, 반도체층(152)과, 게이트 전극(160)과, 소스 전극(170)과 드레인 전극(172)을 포함한다.
상기 반도체층(152)은 상기 플렉서블 기판(110) 상에 형성되며, 산화물 반도체 물질로 이루어지거나 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다.
상기 반도체층(152)은 산화물 반도체 물질로 이루어질 경우 상기 반도체층(152) 하부에는 차광패턴(도시하지 않음) 이 형성될 수 있으며, 차광패턴은 상기 반도체층(152)으로 빛이 입사되는 것을 방지하여 상기 반도체층(152)이 빛에 의해 열화되는 것을 방지한다. 이와 달리, 상기 반도체층(152)은 다결정 실리콘으로 이루어질 수도 있으며, 이 경우 상기 반도체층(152)의 양 가장자리에 불순물이 도핑되어 있을 수 있다.
상기 반도체층(152) 상부에는 절연물질로 이루어진 게이트 절연막(154)이 상기 플렉서블 기판(110) 전면에 형성된다. 상기 게이트 절연막(154)은 산화 실리콘 또는 질화 실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.
상기 게이트 절연막(154) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 게이트 전극(160)이 상기 반도체층(152)의 중앙에 대응하여 형성된다. 상기 게이트 전극(160)은 스위칭 박막트랜지스터에 연결된다.
상기 게이트 절연막(154)이 상기 플렉서블 기판(110) 전면에 형성되어 있으나, 상기 게이트 절연막(154)은 상기 게이트전극(160)과 동일한 모양으로 패터닝될 수도 있다.
상기 게이트전극(160) 상부에는 절연물질로 이루어진 층간 절연막(162)이 상기 기판(150) 전면에 형성된다. 상기 층간 절연막(162)은 산화 실리콘이나 질화 실리콘과 같은 무기 절연물질로 형성되거나, 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 포토 아크릴(photo-acryl)과 같은 유기 절연물질로 형성될 수 있다.
상기 층간 절연막(162)은 상기 반도체층(152)의 양측을 노출하는 제 1 및 제 2 콘택홀(164, 166)을 갖는다. 상기 제 1 및 제 2 콘택홀(164, 166)은 상기 게이트 전극(160)의 양측에 상기 게이트 전극(160)과 이격되어 위치한다.
여기서, 상기 제 1 및 제 2 콘택홀(164, 166)은 상기 게이트 절연막(154) 내에도 형성된다. 이와 달리, 상기 게이트 절연막(154)이 상기 게이트 전극(160)과 동일한 모양으로 패터닝될 경우, 상기 제 1 및 제 2 콘택홀(164, 166)은 상기 층간 절연막(162) 내에만 형성될 수도 있다.
상기 층간 절연막(162) 상에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어지는 소스 전극(170)과 드레인 전극(172)이 형성된다.
상기 드레인 전극(172)과 상기 소스 전극(170)은 상기 게이트 전극(160)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 상기 제 1 및 제 2 콘택홀(164, 166)을 통해 상기 반도체층(152)의 양측과 접촉한다. 상기 소스 전극(170)은 상기 파워 배선(미도시)에 연결된다.
상기 반도체층(152)과, 상기 게이트전극(160), 상기 소스 전극(170), 상기 드레인전극(172)은 상기 구동 박막트랜지스터(Td)를 이루며, 상기 구동 박막트랜지스터(Td)는 상기 반도체층(152)의 상부에 상기 게이트 전극(160), 상기 소스 전극(170) 및 상기 드레인 전극(172)이 위치하는 코플라나(coplanar) 구조를 가진다.
이와 달리, 구동 박막트랜지스터(Td)는 반도체층의 하부에 게이트 전극이 위치하고 반도체층의 상부에 소스 전극과 드레인 전극이 위치하는 역 스태거드(inverted staggered) 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 반도체층은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 상기 구동 박막트랜지스터(Td)와 실질적으로 동일한 구조를 가질 수 있다.
상기 구동 박막트랜지스터(Td)의 상기 드레인 전극(172)을 노출하는 드레인 콘택홀(176)을 갖는 보호층(174)이 상기 구동 박막트랜지스터(Td)를 덮으며 형성된다.
상기 보호층(174) 상에는 상기 드레인 콘택홀(176)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(Td)의 상기 드레인 전극(172)에 연결되는 제 1 전극(110)이 각 화소 영역 별로 분리되어 형성된다.
상기 제 1 전극(110)은 애노드(anode)일 수 있으며, 일함수 값이 비교적 큰 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(110)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치가 상부 발광 방식(top-emission type)인 경우, 상기 제 1 전극(110) 하부에는 반사전극 또는 반사층이 더욱 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사전극 또는 상기 반사층은 알루미늄-팔라듐-구리(aluminum-paladium-copper: APC) 합금으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 보호층(174) 상에는 상기 제 1 전극(110)의 가장자리를 덮는 뱅크층(115)이 형성된다. 상기 뱅크층(115)은 상기 화소영역에 대응하여 상기 제 1 전극(110)의 중심을 노출시킨다.
상기 제 1 전극(110) 상에는 유기 발광층(130)이 형성된다. 상기 유기 발광층(130)의 구체적 구조에 대하여는 후술한다.
상기 유기 발광층(130)이 형성된 상기 기판(150) 상부로 제 2 전극(140)이 형성된다. 상기 제 2 전극(140)은 표시영역 전면을 덮으며 일함수 값이 비교적 작은 도전성 물질로 이루어져 캐소드(cathode)로 이용될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 전극(140)은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 알루미늄-마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 제 1 전극(110), 상기 유기발광층(130) 및 상기 제 2 전극(140)는 유기발광다이오드(D)를 이룬다.
본 발명에서는, 유기발광층(130)의 일부는 용액 공정에 의해 형성되고 나머지는 증착 고정에 의해 형성되어 하이브리드 구조를 갖게 된다.
-제 1 실시예-
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광다이오드(D1)는 제 1 전극(110)과, 적색, 녹색, 청색 화소영역(Rp, Gp, Bp) 모두에 순차 적층되는 정공 주입층(111) 및 정공 수송층(112)과, 상기 적색 화소영역(Rp)에 형성되는 적색 발광층(122), 상기 녹색 화소영역(Gp)에 형성되는 녹색 발광층(124) 및 상기 적색, 녹색, 청색 화소영역(Rp, Gp, Bp) 모두에 형성되는 청색 공통 발광층(126)을 포함하는 발광 물질층(120)과, 상기 청색 공통 발광층(126) 상에 형성되는 전자 수송층(128) 및 상기 전자 수송층(128) 상에 형성되는 제 2 전극(140)을 포함한다.
도시하지 않았으나, 상기 정공 수송층(128)과 상기 제 2 전극(140) 사이에는 정공 주입층이 형성될 수 있다.
여기서, 상기 정공 주입층(111), 상기 정공 수송층(112), 상기 발광 물질층(120), 상기 전자 수송층(128)은 유기 발광층(130)을 이루며, 상기 유기 발광층(130) 중 상기 정공 주입층(111)과, 상기 정공 수송층(112)과, 상기 적색 발광층(122) 및 상기 녹색 발광층(124)은 용액 공정(solution process)에 의해 형성되고 상기 청색 공통 발광층(126) 및 상기 전자 수송층(128)은 증착 공정(deposition process)에 의해 형성된다.
보다 구체적으로 유기발광다이오드(D1)의 제조 방법을 설명한다.
먼저, 기판(도 4의 150) 상부에 ITO와 같은 투명 도전성 물질을 증착하고 각 화소영역 별로 패터닝하여 적색, 녹색 및 청색 화소영역(Rp, Gp, Bp)에 상기 제 1 전극(110)을 형성한다.
다음, 상기 제 1 전극(110) 상에 정공 주입 물질을 코팅하여 상기 적색, 녹색 및 청색 화소영역(Rp, Gp, Bp)에 정공 주입층(111)을 형성한다.
다음, 상기 정공주입층(111) 상에 정공 수송 물질을 코팅하여 적색, 녹색 및 청색 화소영역(Rp, Gp, Bp)에 정공 수송층(112)을 형성하고, 소성 공정을 진행하여 상기 정공 수송층(112)이 가교 결합(cross-linking)되도록 한다.
다음, 적색 발광 물질을 코팅하여 상기 적색 화소영역(Rp)에 적색 발광층(122)을 형성하고, 녹색 발광 물질을 코팅하여 상기 녹색 화소영역(Gp)에 녹색 발광층(124)을 형성한다.
다음, 청색 발광 물질, 전자 수송 물질 및 알루미늄과 같은 금속 물질을 순차 증착하여 상기 적색, 녹색 및 청색 화소영역(Rp, Gp, Bp) 모두에 대응하여 청색 공통 발광층(126)과 전자 수송층(128) 및 제 2 전극(140)을 형성한다.
이와 같이, 하이브리드 구조 유기발광다이오드(D1)에서는, 상기 유기 발광층(130) 중 상기 정공 주입층(111)과, 상기 정공 수송층(112)과, 상기 적색 발광층(122) 및 상기 녹색 발광층(124)이 용액 공정에 의해 형성되기 때문에, 유기발광다이오드(D1)의 제조 비용이 절감되고 대면적 표시장치를 제공할 수 있다.
한편, 용액 공정으로 원하는 발광효율을 갖는 청색 발광물질이 개발되지 않았기 때문에, 청색 공통 발광층(126)은 증착 공정에 의해 형성하는 하이브리드 구조 유기발광다이오드(D1)가 제공된다.
전술한 하이브리드 구조 유기발광다이오드(D1)에서, 적색 발광층(122) 및 상기 녹색 발광층(124)은 용액 공정에 의해 형성되고 청색 공통 발광층(126)은 증착 공정에 의해 형성되기 때문에, 이들 사이 계면 특성(morphology)이 저하된다.
즉, 솔루블층과 증착층 간 계면 특성이 저하되고 이에 의해 발광 효율 감소 및 수명 단축의 문제가 발생한다.
-제 2 실시예-
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광다이오드(D2)는 제 1 전극(210)과, 적색, 녹색, 청색 화소영역(Rp, Gp, Bp) 모두에 순차 적층되는 정공 주입층(211) 및 정공 수송층(212)과, 상기 적색 화소영역(Rp)에 형성되는 적색 발광층(222), 상기 녹색 화소영역(Gp)에 형성되는 녹색 발광층(224) 및 상기 적색, 녹색, 청색 화소영역(Rp, Gp, Bp) 모두에 형성되며 계면 특성 개선층(morphology enhancing layer, 227)과 청색 발광층(228)을 포함하는 청색 공통 발광층(226)을 포함하는 발광 물질층(220)과, 상기 청색 공통 발광층(226) 상에 형성되는 전자 수송층(230) 및 상기 전자 수송층(230) 상에 형성되는 제 2 전극(250)을 포함한다.
여기서, 상기 정공 주입층(211), 상기 정공 수송층(212), 상기 발광 물질층(220), 상기 전자 수송층(230)은 유기 발광층(240)을 이루며, 상기 유기 발광층(240) 중 상기 정공 주입층(211)과, 상기 정공 수송층(212)과, 상기 적색 발광층(222) 및 상기 녹색 발광층(224)은 용액 공정(solution process)에 의해 형성되고 상기 청색 공통 발광층(226) 및 상기 전자 수송층(230)은 증착 공정(deposition process)에 의해 형성된다.
상기 정공 수송층(212)은 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Gp)에 형성되는 제 1 정공 수송 패턴(미도시)과 청색 화소영역(Bp)에 형성되는 제 2 정공 수송 패턴(미도시)을 포함할 수 있다. 이때, 제 2 정공 수송 패턴은 제 1 정공 수송 패턴보다 큰 정공 이동도를 가질 수 있다.
제 1 실시예에 따른 유기발광다이오드(D1)와 달리, 제 2 실시예에 따른 유기발광다이오드(D2)에서 청색 공통 발광층(226)은 이중층 구조를 갖는다.
전술한 바와 같이, 하이브리드 구조 유기발광다이오드에서는 용액 공정에 의해 형성되는 솔루블층과 증착 공정에 의해 형성되는 증착층 간 계면 특성이 좋지 않다.
이를 해결하기 위해, 상기 청색 공통 발광층(226)은 계면 특성 향상층(227)을 포함하며, 상기 계면 특성 향상층(227)은 상기 청색 발광층(228)보다 큰 두께를 갖는다. 상기 계면 특성 향상층(227)의 두께가 상기 청색 발광층(228)보다 작으면 계면 특성 향상의 효과를 갖지 못한다.
상기 계면 특성 향상층(227)은 (3-(anthracen-9-yl)phenyl)(4-(anthracen-9-yl)phenyl)diphenylsilane인 실란 화합물을 매트릭스 호스트로 포함한다.
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또한, 상기 계면 특성 향상층(227)은 청색 도펀트를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 청색 도펀트는 Iridium(III) bis[(4,6-difluorophenyl)-pyridinato-N,C2’]picolinate (FIrpic)일 수 있다.
상기 계면 특성 향상층(227)의 매트릭스 호스트는 청색 발광층(228)의 호스트보다 패킹 밀도(packing density)가 크며, 이에 따라 솔루블층과의 계면 특성이 향상된다.
상기 청색 발광층(228)은 상기 계면 특성 향상층(227) 상에 형성되며 호스트와 청색 도펀트를 포함한다.
상기 호스트는 우수한 정공 이동도를 가져, 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Gp)에서 정공과 전자의 결합이 적색 발광층(222) 및 녹색 발광층(224)에서 일어나도록 한다.
즉, 하이브리드 구조 유기발광다이오드(D2)에서는, 청색 공통 발광층(226)이 적색, 녹색 및 청색 화소영역(Rp, Gp, Bp) 전체에 걸쳐 형성되기 때문에, 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Gp)에서는 적색 및 녹색 발광층(222, 224) 각각과 전자 수송층(230) 사이에 청색 공통 발광층(226)이 존재한다. 따라서, 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Gp)에서 정공과 전자의 결합이 적색 및 녹색 발광층(222, 224)에서 일어나도록 하기 위해서는 전자가 정공보다 더 빠르게 이동하여야 한다. 따라서, 청색 발광층(228)은 전자 이동도가 우수한 호스트를 포함한다.
청색 발광층(228)의 호스트는 이미다졸(imidazole) 유도체, 피리딘(pyridine) 유도체 또는 피리미딘(pyrimidine) 유도체가 이용될 수 있다. 예를 들어, 청색 발광층(228)의 호스트는, (1,2-diphenyl-1H-benzo imidazole)일 수 있다.
또한, 상기 청색 발광층(228)의 도펀트는 Iridium(III) bis[(4,6-difluorophenyl)-pyridinato-N,C2’]picolinate (FIrpic)일 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광다이오드(D2)에서는, 청색 공통 발광층(226)이 팩킹 밀도가 높은 매트릭스 호스트를 포함하는 계면 특성 발광층(227)을 포함함으로써, 솔루블층과 증착층 간 계면 특성이 향상된다.
따라서, 하이브리드 구조 유기발광다이오드(D2)의 발광 효율 및 수명 단축의 문제를 줄일 수 있다.
전술한 제 2 실시예의 하이브리드 구조 유기발광다이오드(D2)에서는, 청색 발광층(228)이 전자 이동도가 우수한 호스트를 포함하기 때문에 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Gp)에서의 발광이 적색 및 녹색 발광층(222, 224)에서 일어난다.
그러나, 청색 화소영역(Bp)에서는, 청색 공통 발광층(226)이 정공 수송층(212)과 접하기 때문에, 청색 화소영역(Bp)에서는 전자와 정공의 밸런스가 저하되어 초기 수명 라이징 문제가 발생한다.
-제 3 실시예-
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기발광다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기발광다이오드(D3)는 제 1 전극(310)과, 적색, 녹색, 청색 화소영역(Rp, Gp, Bp) 모두에 순차 적층되는 정공 주입층(311) 및 정공 수송층(312)과, 상기 적색 화소영역(Rp)에 형성되는 적색 발광층(322), 상기 녹색 화소영역(Gp)에 형성되는 녹색 발광층(324) 및 상기 적색, 녹색, 청색 화소영역(Rp, Gp, Bp) 모두에 형성되며 계면 특성 개선층(morphology enhancing layer, 327)과 제 1 청색 발광층(328) 및 제 2 청색 발광층(329)을 포함하는 청색 공통 발광층(326)을 포함하는 발광 물질층(320)과, 상기 청색 공통 발광층(326) 상에 형성되는 전자 수송층(330) 및 상기 전자 수송층(330) 상에 형성되는 제 2 전극(350)을 포함한다.
여기서, 상기 정공 주입층(311), 상기 정공 수송층(312), 상기 발광 물질층(320), 상기 전자 수송층(330)은 유기 발광층(340)을 이루며, 상기 유기 발광층(340) 중 상기 정공 주입층(311)과, 상기 정공 수송층(312)과, 상기 적색 발광층(322) 및 상기 녹색 발광층(324)은 용액 공정(solution process)에 의해 형성되고 상기 청색 공통 발광층(326) 및 상기 전자 수송층(330)은 증착 공정(deposition process)에 의해 형성된다.
상기 정공 수송층(312)은 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Gp)에 형성되는 제 1 정공 수송 패턴(미도시)과 청색 화소영역(Bp)에 형성되는 제 2 정공 수송 패턴(미도시)을 포함할 수 있다. 이때, 제 2 정공 수송 패턴은 제 1 정공 수송 패턴보다 큰 정공 이동도를 가질 수 있다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기발광다이오드(D3)에서 청색 공통 발광층(326)은 삼중층 구조를 갖는다.
전술한 바와 같이, 하이브리드 구조 유기발광다이오드에서는 용액 공정에 의해 형성되는 솔루블층과 증착 공정에 의해 형성되는 증착층 간 계면 특성이 좋지 않다.
이를 해결하기 위해, 상기 청색 공통 발광층(326)은 계면 특성 향상층(327)을 포함하며, 상기 계면 특성 향상층(327)은 (3-(anthracen-9-yl)phenyl)(4-(anthracen-9-yl)phenyl)diphenylsilane인 실란 화합물을 매트릭스 호스트로 포함한다.
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또한, 상기 계면 특성 향상층(327)은 청색 도펀트를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 청색 도펀트는 Iridium(III) bis[(4,6-difluorophenyl)-pyridinato-N,C2’]picolinate (FIrpic)일 수 있다.
상기 계면 특성 향상층(327)의 매트릭스 호스트는 제 1 및 제 2 청색 발광층(328, 329)의 호스트보다 패킹 밀도(packing density)가 크며, 이에 따라 솔루블층과의 계면 특성이 향상된다.
상기 제 1 및 제 2 청색 발광층(328, 329)은 상기 계면 특성 향상층(327) 상에 순차 적층되며 각각 제 1 호스트와 청색 도펀트 및 제 2 호스트와 청색 도펀트를 포함한다.
상기 제 1 청색 발광층(328)의 제 1 호스트는 우수한 정공 이동도를 가져, 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Gp)에서 정공과 전자의 결합이 적색 발광층(322) 및 녹색 발광층(324)에서 일어나도록 한다.
또한, 제 2 청색 발광층(329)의 제 2 호스트는 우수한 정공 이동도를 가져, 청색 화소영역(Bp)에서의 정공과 전자의 밸런스를 향상시킨다. 따라서, 제 2 실시예의 유기발광다이오드(D2)에서 발생되는 청색 화소영역(Bp)에서의 초기 수명 라이징 문제를 개선할 수 있다.
이때, 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Bp)에서 전자의 이동이 비교적 느리면, 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Bp)에서 청색 공통 발광층(326)의 발광 피크가 나올 수 있기 때문에, 제 1 청색 발광층(327)의 제 1 호스트의 전자 이동도가 제 2 청색 발광층(329)의 제 2 호스트의 정공 이동도보다 큰 것을 특징으로 한다.
제 1 청색 발광층(328)의 제 1 호스트로는 이미다졸(imidazole) 유도체, 피리딘(pyridine) 유도체 또는 피리미딘(pyrimidine) 유도체가 이용될 수 있다. 예를 들어, 제 1 청색 발광층(328)의 제 1 호스트 (1,2-diphenyl-1H-benzo imidazole)일 수 있다.
또한, 제 2 청색 발광층(329)의 제 2 호스트로는 카바졸(carbazole)유도체, 안트라센(anthracene) 유도체, 파이렌(pyrene) 유도체가 이용될 수 있다. 예를 들어, 제 2 청색 발광층(329)의 제 2 호스트는 2,7-di(9H-carbazol-9-yl)-9-phenyl-9H-carbazole일 수 있다.
또한, 상기 제 1 및 제 2 청색 발광층(328, 329)의 도펀트는 Iridium(III) bis[(4,6-difluorophenyl)-pyridinato-N,C2’]picolinate (FIrpic)일 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기발광다이오드(D3)에서는, 청색 공통 발광층(326)이 팩킹 밀도가 높은 매트릭스 호스트를 포함하는 계면 특성 발광층(327)을 포함함으로써, 솔루블층과 증착층 간 계면 특성이 향상된다.
또한, 청색 공통 발광층(326)이 우수한 전자 이동도를 갖는 제 1 호스트를 포함하는 제 1 청색 발광층(328)과 우수한 정공 이동도를 갖는 제 2 호스트를 포함하는 제 2 청색 발광층(329)을 포함함으로써, 청색 화소영역(Bp)에서의 초기 수명 라이징 문제를 해결할 수 있다.
-제 4 실시예-
도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기발광다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 8에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기발광다이오드(D2)는 제 1 전극(410)과, 적색, 녹색, 청색 화소영역(Rp, Gp, Bp) 모두에 순차 적층되는 정공 주입층(411) 및 정공 수송층(412)과, 상기 적색 화소영역(Rp)에 형성되는 적색 발광층(422), 상기 녹색 화소영역(Gp)에 형성되는 녹색 발광층(424) 및 상기 적색, 녹색, 청색 화소영역(Rp, Gp, Bp) 모두에 형성되며 계면 특성 개선층(morphology enhancing layer, 427)과 청색 발광층(428)을 포함하는 청색 공통 발광층(426)을 포함하는 발광 물질층(420)과, 상기 적색 및 녹색 발광층(422, 424) 및 상기 청색 화소영역(Bp)의 정공 수송층(412)과 상기 청색 공통 발광층(426) 사이에 개재되는 버퍼층(460)과, 상기 청색 공통 발광층(426) 상에 형성되는 전자 수송층(430) 및 상기 전자 수송층(430) 상에 형성되는 제 2 전극(450)을 포함한다.
여기서, 상기 정공 주입층(411), 상기 정공 수송층(412), 상기 발광 물질층(420), 상기 버퍼층(460), 상기 전자 수송층(430)은 유기 발광층(440)을 이루며, 상기 유기 발광층(440) 중 상기 정공 주입층(411)과, 상기 정공 수송층(412)과, 상기 적색 발광층(422) 및 상기 녹색 발광층(424)은 용액 공정(solution process)에 의해 형성되고, 상기 버퍼층(460), 상기 청색 공통 발광층(426) 및 상기 전자 수송층(430)은 증착 공정(deposition process)에 의해 형성된다.
상기 정공 수송층(412)은 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Gp)에 형성되는 제 1 정공 수송 패턴(미도시)과 청색 화소영역(Bp)에 형성되는 제 2 정공 수송 패턴(미도시)을 포함할 수 있다. 이때, 제 2 정공 수송 패턴은 제 1 정공 수송 패턴보다 큰 정공 이동도를 가질 수 있다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기발광다이오드(D4)에서 청색 공통 발광층(426)은 이중층 구조를 갖는다. 즉, 청색 공통 발광층(426)은 솔루블층과 증착층 간 계면 특성 향상을 위해 형성되는 계면 특성 향상층(427)과, 청색 발광층(428)을 포함한다.
상기 계면 특성 향상층(427)은 (3-(anthracen-9-yl)phenyl)(4-(anthracen-9-yl)phenyl)diphenylsilane인 실란 화합물을 매트릭스 호스트로 포함한다.
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또한, 상기 계면 특성 향상층(427)은 청색 도펀트를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 청색 도펀트는 Iridium(III) bis[(4,6-difluorophenyl)-pyridinato-N,C2’]picolinate (FIrpic)일 수 있다.
상기 계면 특성 향상층(427)의 매트릭스 호스트는 청색 발광층(428)의 호스트보다 패킹 밀도(packing density)가 크며, 이에 따라 솔루블층과의 계면 특성이 향상된다.
상기 청색 발광층(428)은 상기 계면 특성 향상층(427) 상에 형성되며 호스트와 청색 도펀트를 포함한다.
상기 호스트는 우수한 정공 이동도를 가져, 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Gp)에서 정공과 전자의 결합이 적색 발광층(422) 및 녹색 발광층(424)에서 일어나도록 한다.
즉, 하이브리드 구조 유기발광다이오드(D4)에서는, 청색 공통 발광층(426)이 적색, 녹색 및 청색 화소영역(Rp, Gp, Bp) 전체에 걸쳐 형성되기 때문에, 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Gp)에서는 적색 및 녹색 발광층(422, 424) 각각과 전자 수송층(430) 사이에 청색 공통 발광층(426)이 존재한다. 따라서, 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Gp)에서 정공과 전자의 결합이 적색 및 녹색 발광층(422, 424)에서 일어나도록 하기 위해서는 전자가 정공보다 더 빠르게 이동하여야 한다. 따라서, 청색 발광층(428)은 전자 이동도가 우수한 호스트를 포함한다.
청색 발광층(428)의 호스트는 이미다졸(imidazole) 유도체, 피리딘(pyridine) 유도체 또는 피리미딘(pyrimidine) 유도체가 이용될 수 있다. 예를 들어, 청색 발광층(228)의 호스트는, (1,2-diphenyl-1H-benzo imidazole)일 수 있다.
또한, 상기 청색 발광층(428)의 도펀트는 Iridium(III) bis[(4,6-difluorophenyl)-pyridinato-N,C2’]picolinate (FIrpic)일 수 있다.
이와 달리, 상기 청색 공통 발광층(426)의 청색 발광층(428)은, 도 7에서와 같이 계면 특성 향상층과, 제 1 및 제 2 청색 발광층의 삼중층 구조를 가질 수 있다.
상기 버퍼층(460)은 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Gp)에서는 적색 및 녹색 발광층(422, 424)과 청색 공통 발광층(426) 사이에 위치하며, 청색 화소영역(Bp)에서는 정공 수송층(412)과 청색 공통 발광층(426) 사이에 위치한다.
상기 버퍼층(460)은 양극성(bipolar) 특성을 가지며, 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Gp)에서는 전자를 적색 및 녹색 발광층(422, 424)으로 제공하고 청색 화소영역(Bp)에서는 정공을 청색 공통 발광층(426)으로 제공한다.
유기발광다이오드에서, 청색 발광 물질의 효율 및 수명이 적색 및 녹색 발광 물질보다 낮다. 따라서, 청색 발광 물질의 효율 및 수명이 유기발광다이오드의 효율 및 수명을 좌우하게 된다.
하이브리드 구조 유기발광다이오드(D4)에서는, 청색 공통 발광층(426)이 적색, 녹색 및 청색 화소영역(Rp, Gp, Bp) 전체에 걸쳐 형성되기 때문에, 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Gp)에서는 적색 및 녹색 발광층(422, 424) 각각과 전자 수송층(430) 사이에 청색 공통 발광층(426)이 존재한다. 따라서, 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Gp)에서 정공과 전자의 결합이 적색 및 녹색 발광층(422, 424)에서 일어나도록 하기 위해서는 전자가 정공보다 더 빠르게 이동하여야 한다. 그러나, 청색 화소영역(Bp)에서는 전자의 이동이 정공보다 빠르기 때문에 청색 화소영역(Bp)에서의 발광이 청색 공통 발광층(426)에서 일어나지 않아 청색 화소영역(Bp)의 발광 효율 및 수명이 저하된다.
본 발명에서는, 정공 이동도가 전자 이동도보다 큰 물질로 이루어지는 버퍼층(460)이 적색 및 녹색 발광층(422, 424)과 청색 공통 발광층(426) 사이 및 청색 화소영역(Bp)의 정공 수송층(412)과 청색 공통 발광층(426) 사이에 위치함으로써, 청색 화소영역(Bp)에서 청색 공통 발광층(426)으로의 정공 이동도를 증가시켜 청색 화소영역(Bp)의 발광 효율 및 수명이 증가하는 효과를 갖는다.
상기 버퍼층(460)은 양극성(bipolar)을 가지며 정공 이동도(μh)가 전자 이동도(μe)보다 큰 물질로 이루어진다. (μh=5.0*10-5~5.0*10-3, μe=1.0*10-9~1.0*10-5) 또한, 버퍼층(460)의 물질은 5.3~6.3eV의 HOMO 값과 2.2~3.2eV의 LUMO 값을 갖는다.
예를 들어, 상기 버퍼층(460)은 N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenyl-(1,1’-biphenyl)-4,4’-diamine (NPB)로 이루어질 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기발광다이오드(D4)에서는, 청색 공통 발광층(426)이 팩킹 밀도가 높은 매트릭스 호스트를 포함하는 계면 특성 발광층(427)을 포함함으로써, 솔루블층과 증착층 간 계면 특성이 향상된다.
또한, 적색 및 녹색 화소영역(Rp, Gp)에서는 적색 및 녹색 발광층(422, 424)과 청색 공통 발광층(426) 사이에 위치하고 청색 화소영역(Bp)에서는 정공 수송층(412)과 청색 공통 발광층(426) 사이에 위치하며 양극성(bipolar)을 가지고 정공 이동도(μh)가 전자 이동도(μe)보다 큰 물질로 이루어지는 버퍼층(460)을 형성함으로써, 청색 화소영역(Bp)의 발광 효율 및 수명을 향상시킬 수 있다.
[실험예]
유리기판 상에 ITO를 증착하고 세정한 후 건조하였다. 4,4'-bis[N-[4-{N,N-bis(3-methylphenyl)amino}phenyl]-N-phenylamino]biphenyl (DNTPD)를 코팅하여 정공 주입층(40nm)을 형성하고, N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenyl-(1,1’-biphenyl)-4,4’-diamine (NPB)를 코팅하여 정공 수송층(30nm)을 형성하였다. 이후, 70 조건에서 약 30분간 소성(curing)하였다. 다음, NPB를 증착하여 버퍼층을 형성하고, (3-(anthracen-9-yl)phenyl)(4-(anthracen-9-yl)phenyl)diphenylsilane (FIrpic 3% 도핑), (1,2-diphenyl-1H-benzo imidazole) (FIrpic 3% 도핑), 2,7-di(9H-carbazol-9-yl)-9-phenyl-9H-carbazole (FIrpic 3% 도핑)을 순차 증착하여 청색 공통 발광층을 형성하였다. 다음, 1,2,4-triazole과 LiF를 순차 증착하여 정공수송층과 정공주입층을 형성하였다.
[비교예]
유리기판 상에 ITO를 증착하고 세정한 후 건조하였다. 4,4'-bis[N-[4-{N,N-bis(3-methylphenyl)amino}phenyl]-N-phenylamino]biphenyl (DNTPD)를 코팅하여 정공 주입층(40nm)을 형성하고, N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenyl-(1,1’-biphenyl)-4,4’-diamine (NPB)를 코팅하여 정공 수송층(30nm)을 형성하였다. 이후, 70 조건에서 약 30분간 소성(curing)하였다. 다음, NPB를 증착하여 버퍼층을 형성하고, TCTA(N,N’-dicarbazolyl-3,5-benzene,4,4’,4’’-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)와 TmPyPb (1,3,5-tri(m-pyrid-3-yl-phenyl)benzene (FIrpic 3% 도핑)을 증착하여 청색 공통 발광층을 형성하였다. 다음, 1,2,4-triazole과 LiF를 순차 증착하여 정공수송층과 정공주입층을 형성하였다.
실험예와 비교예 소자의 특성 그래프를 도 9a 내지 도 9d에 도시하였고, 표1에 나타내었다.
전압
[V]		 EQE
[%]		 Cd/A CIE (x, y) T [hr] Rising
(%)
실험예 3.9 3.8 2.9 (0.146, 0.075) 37.9 102
비교예 4.5 2.8 1.9 (0.146, 0.070) 34.3 106
도 9a 내지 도 9d와 표1에서 보여지는 바와 같이, 매트릭스 호스트로 이루어지는 계면 특성 향상층이 형성된 실험예의 소자에서, 발광 효율과 수명(T, 95% 휘도)이 증가함으로 알 수 있다.
또한, 도 9d에서 보여지는 바와 같이 초기 휘도 라이징 문제가 개선된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110, 210, 310, 410: 제 1 전극
111, 211, 311, 411: 정공 주입층
112, 212, 312, 412: 정공 수송층
120, 220, 320, 420: 발광 물질층
122, 222, 322, 422: 적색 발광층
124, 224, 324, 424: 녹색 발광층
126, 226, 326, 426: 청색 공통 발광층
227, 327, 427: 계면 특성 향상층
228, 328, 329, 428: 청색 발광층
128, 230, 330, 430: 전자 수송층
130, 240, 340, 440: 유기 발광층
140, 250, 350, 450: 제 2 전극
460: 버퍼층 D1, D2, D3, D4: 유기발광다이오드

Claims (7)

  1. 적색, 녹색 및 청색 화소영역이 정의된 기판 상부에, 상기 적색, 녹색 및 청색 화소영역 별로 위치하는 제 1 전극과;
    상기 제 1 전극 상에 위치하는 정공 주입층과;
    상기 정공 주입층 상에 위치하는 정공 수송층과;
    상기 적색 및 녹색 화소영역 각각에 대응하여 상기 정공 수송층 상에 위치하는 적색 발광층 및 녹색 발광층과;
    상기 적색 발광층 및 녹색 발광층과, 상기 청색 화소영역의 상기 정공 수송층 상에 위치하고 계면 특성 향상층과 청색 발광층을 포함하는 청색 공통 발광층과;
    상기 청색 공통 발광층 상에 순차 적층되는 전자 수송층 및 제 2 전극을 포함하고,
    상기 계면 특성 향상층은 (3-(anthracen-9-yl)phenyl)(4-(anthracen-9-yl)phenyl)diphenylsilane인 실란 화합물을 포함하는 유기발광다이오드.

  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 청색 발광층은, 전자 타입의 제 1 호스트를 포함하는 제 1 청색 발광층과 정공 타입의 제 2 호스트를 포함하는 제 2 청색 발광층을 포함하고, 상기 제 1 호스트의 전자 이동도는 상기 제 2 호스트의 정공 이동도보다 큰 유기발광다이오드.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 계면 특성 향상층은 상기 청색 발광층보다 두꺼운 유기발광다이오드.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 적색 발광층 및 녹색 발광층과 상기 청색 공통 발광층 사이 및 상기 청색 화소영역의 상기 정공 수송층과 상기 청색 공통 발광층 사이에 위치하며 양극성 특성을 갖는 물질로 이루어지는 버퍼층을 더 포함하는 유기발광다이오드.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 정공 이동도가 전자 이동도보다 큰 유기발광다이오드.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 정공 주입층과, 상기 정공 수송층과, 상기 적색 발광층 및 상기 녹색 발광층은 용액 공정에 의해 형성되고, 상기 청색 공통 발광층과 상기 전자 수송층은 증착 공정에 의해 형성되는 유기발광다이오드.
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