KR101980759B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 시야각에 따른 색순도를 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 형성되며, 반사 전극인 제1 전극과; 상기 제1 전극과 마주보며, 반투과 전극인 제2 전극과; 상기 제1 및 제2 전극 사이에 형성되며, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층을 구비하며, 상기 적색, 녹색 및 청색 발광층 각각의 전계 발광 피크의 최대치와 각 발광층에 포함된 호스트의 광발광피크의 최대치는 하기 수학식 1 내지 3을 만족하는 것을 특징으로 한다.
<수학식 1>
Figure 112012105535983-pat00034
(여기서, RED EL λ max는 상기 적색 발광층의 전계 발광 피크의 최대치이며, RHPL λ max는 상기 적색 발광층에 포함된 적색 호스트의 광 발광 피크의 최대치이다.)
<수학식 2>
Figure 112012105535983-pat00035
(수학식 2에서, GREENEL λ max는 상기 녹색 발광층의 전계 발광 피크의 최대치이며, GHPL λ max는 상기 녹색 발광층에 포함된 녹색 호스트의 광 발광 피크의 최대치이다.)
<수학식 3>
Figure 112012105535983-pat00036
(수학식 3에서, Blue EL λ max는 상기 청색 발광층의 전계 발광 피크의 최대치이며, BHPL λ max는 상기 청색 발광층에 포함된 청색 호스트의 광 발광 피크의 최대치이다.)

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY}
본 발명은 시야각에 따른 색순도를 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시장치 중 하나인 유기 발광 표시 장치는 자발광소자로서 다른 평판 표시 장치에 비해 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층을 사이에 두고 서로 마주보는 애노드 전극과 캐소드 전극을 구비하며, 애노드 전극으로부터 주입된 정공과, 캐소드 전극으로부터 주입된 전자가 유기 발광층 내에서 재결합하여 정공-전자쌍인 여기자를 형성하고, 다시 여기자가 바닥 상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다.
유기 발광층에서 발생된 빛을 효과적으로 추출하여 광효율을 향상시키기 위한 방법으로 마이크로 캐비티(microcavity)가 이용되고 있다. 전면 발광 구조에서, 미세 공진은 빛이 설정된 간격(광로 길이, optical path length)만큼 떨어져 있는 반사전극(예를 들면, 애노드 전극)과 반투과전극(예를 들면, 캐소드 전극)에 의하여 반복적으로 반사되고, 이러한 빛들 사이에 강한 간섭 효과가 일어남으로써 특정 파장의 빛이 증폭되고 이외 파장의 빛이 상쇄되는 원리를 이용하는 것이다.
그러나, 마이크로 캐비티 구조의 경우, 정면에서의 광경로와 측면에서의 광경로가 달라져 공명을 일으킬 수 있는 광의 파장이 변화된다. 이에 따라, 정면일 때보다 시야각의 각도가 큰 측면일 때, 광경로가 상대적으로 길어져 공명되어 나오는 빛이 단파장으로 쉬프트된다. 즉, 도 1a에 도시된 바와 같이 시야각 60도에서 적색 발광셀의 전계 발광 피크의 최대치는 시야각 0도일 때보다 단파장 영역쪽으로 약 75~85로 쉬프트하게 되며, 시야각 60도에서 녹색 발광셀의 전계 발광 피크의 최대치는 시야각 0도일 때보다 단파장 영역쪽으로 약 36~50nm로 쉬프트하게 되며, 시야각 60도에서 청색 발광셀의 전계 발광 피크의 최대치는 시야각 0도일 때보다 단파장 영역쪽으로 약 10~14nm로 쉬프트하게 된다. 이는, 발광층 내부에서 불균일한 도핑 영역이 생성되어 있으면, 도핑되지 않은 호스트에 의해 발광이 발생되기 때문이다. 이에 따라, 종래 유기 발광 표시 장치는 시야각에 따른 컬러쉬프트 현상이 발생되어 색 순도의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 시야각에 따른 색순도를 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 형성되며, 반사 전극인 제1 전극과; 상기 제1 전극과 마주보며, 반투과 전극인 제2 전극과; 상기 제1 및 제2 전극 사이에 형성되며, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층을 구비하며, 상기 적색, 녹색 및 청색 발광층 각각의 전계 발광 피크의 최대치와 각 발광층에 포함된 호스트의 광발광피크의 최대치는 하기 수학식 1 내지 3을 만족하는 것을 특징으로 한다.
<수학식 1>
Figure 112012105535983-pat00001
(여기서, RED EL λ max는 상기 적색 발광층의 전계 발광 피크의 최대치이며, RHPL λ max는 상기 적색 발광층에 포함된 적색 호스트의 광 발광 피크의 최대치이다.)
<수학식 2>
Figure 112012105535983-pat00002
(수학식 2에서, GREENEL λ max는 상기 녹색 발광층의 전계 발광 피크의 최대치이며, GHPL λ max는 상기 녹색 발광층에 포함된 녹색 호스트의 광 발광 피크의 최대치이다.)
<수학식 3>
Figure 112012105535983-pat00003
(수학식 3에서, Blue EL λ max는 상기 청색 발광층의 전계 발광 피크의 최대치이며, BHPL λ max는 상기 청색 발광층에 포함된 청색 호스트의 광 발광 피크의 최대치이다.)
상기 제2 전극은 430nm의 파장대에서 30~60%의 투과율을, 550nm의 파장대에서 20~50%의 투과율을, 650nm의 파장대에서 15~40%의 투과율을 가지며, 상기 제2 전극의 면저항은 1Ω/□ 내지 15Ω/□이며, 상기 제2 전극의 일함수는 3.7~4.7eV인 것을 특징으로 한다.
상기 적색 호스트의 광 발광 피크의 최대치는 450~485nm이며, 상기 녹색 호스트의 광발광피크의 최대치는 450~530nm이며, 상기 청색 호스트의 광발광피크의 최대치는 400~435nm인 것을 특징으로 한다.
상기 적색 호스트는 하기 화학식 1과 같은 BAlq3계열,화학식 2의 재질 또는 화학식 3의 BeBq2와 같은 Be complex계열로 형성되는 것을 특징으로 한다.
<화학식 1>
Figure 112012105535983-pat00004
<화학식 2>
Figure 112012105535983-pat00005
<화학식 3>
Figure 112012105535983-pat00006
상기 녹색 호스트는 화학식 4와 같은 재질, 화학식 5와 같은 BCP계열, 화학식 6과 같은 CBP계열, CDBP계열, 또는 화학식 7과 같은 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
<화학식 4>
Figure 112012105535983-pat00007
<화학식 5>
Figure 112012105535983-pat00008
<화학식 6>
Figure 112012105535983-pat00009
<화학식 7>
Figure 112012105535983-pat00010
상기 청색 호스트는 화학식 8과 같은 재질 또는 안트라센 유도체로 형성되는 것을 특징으로 한다.
<화학식 8>
Figure 112012105535983-pat00011
상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제2 전극 상에 유기층과 무기층이 수회 교번적으로 형성되는 전면 실링층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 제2 전극은 단층 또는 복층으로 이루어지며, 상기 제2 전극의 총 두께는 100~400Å으로 형성되며, 상기 제2 전극의 상기 각 층은 금속, 무기물, 금속 혼합층 또는 금속과 무기물의 혼합으로 형성되거나 또는 그들의 혼합으로 형성되며, 상기 각 층이 금속과 무기물의 혼합층일 때, 그 비율은 10:1~1:10으로 형성되며, 상기 각 층이 금속과 금속의 혼합층일 때, 그 비율은 10:1~1:10으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 금속은 Ag, Mg, Yb, Li 또는 Ca로 형성되며, 무기물은 LiO2, CaO, LiF 또는 MgF2로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 적색 발광층의 전계 발광 피크의 최대치(RED EL λ max)와 적색 발광층에 포함된 적색 호스트의 광 발광 피크의 최대치(RHPL λmax)의 차이는 120nm이상으로 형성되며,녹색 발광층의 전계 발광 피크의 최대치(GREEN EL λ max)와 녹색 발광층에 포함된 녹색 호스트의 광 발광 피크의 최대치(GHPL λmax)의 차이는 20nm이상으로 형성되며, 청색 발광층의 전계 발광 피크의 최대치(BLUE EL λ max)와 녹색 발광층에 포함된 청색 호스트의 광 발광 피크의 최대치(BHPL λmax)의 차이는 120nm이상으로 형성된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 시야각에 따른 색순도 저하를 방지하고, 호스트 발광을 억제할 수 있어 시야각에 따른 색 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1a는 종래 유기 발광 표시 장치의 적색 발광셀의 시야각에 따른 발광 스펙트럼을 나타내며, 도 1b는 종래 유기 발광 표시 장치의 녹색 발광셀의 시야각에 따른 발광 스펙트럼을 나타내며, 도 1c는 종래 유기 발광 표시 장치의 청색 발광셀의 시야각에 따른 발광 스펙트럼을 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 제2 전극이 500Å두께의 투과전극인 경우, 비교예와 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 적색 발광층의 적색 호스트의 광발광 피크의 최대치에 따른 발광 스펙트럼을 나타내는 도면들이다.
도 4는 도 3a 내지 도 3c에 도시된 비교예들과 실시 예 각각의 발광 스펙트럼에서 450~575nm파장 영역을 확대한 도면이다.
도 5a 내지 도 5d는 제2 전극이 반투과전극인 경우, 비교예와 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 시야각에 따른 발광 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2에 도시된 유기 발광 표시 장치는 기판(101) 상에 형성되는 적색, 녹색 및 청색 발광셀을 구비한다.
적색, 녹색 발광셀 및 청색 발광셀 각각은 기판(101) 상에 순차적으로 형성되는 제1 전극(102), 정공 주입층(112), 제1 정공 수송층(114), 발광층(110), 전자 수송층(116), 제2 전극(104) 및 전면실링층(120)을 구비한다. 또한, 적색 및 녹색 발광셀은 제1 정공 수송층(114)과 발광층(110) 사이에 형성되는 제2 정공 수송층(118)을 더 구비한다.
제1 및 제2 전극(102,104) 중 어느 하나는 반투과 전극으로 형성되고 제1 및 제2 전극(102,104) 중 나머지 하나는 반사 전극으로 형성된다. 제1 전극(102)이 반투과 전극이고, 제2 전극(104)이 반사 전극인 경우, 하부로 광을 출사하는 배면 발광 구조이다. 제2 전극(104)이 반투과 전극이고, 제1 전극(102)이 반사 전극인 경우, 상부로 광을 출사하는 전면 발광 구조이다. 본 발명에서는 제1 전극(102)이 애노드로서 반사 전극으로 형성되고, 제2 전극(104)이 캐소드로서 반투과 전극으로 형성되는 것을 예로 들어 설명하기로 한다.
제1 전극(102)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)으로 이루어진 금속층과, ITO(Indium Tin Oxide; 이하,ITO), IZO(Indum Zinc Oxide; 이하,IZO) 등으로 이루어진 투명층을 포함하는 복층 구조로 형성되어 반사 전극의 역할을 한다.
제2 전극(104)은 단층 또는 복층으로 이루어지며, 제2 전극(104)을 이루는 각 층은 금속, 무기물, 금속 혼합층 또는 금속과 무기물의 혼합으로 형성되거나 또는 그들의 혼합으로 형성된다. 이 때, 각 층이 금속과 무기물의 혼합층일 때, 그 비율은 10:1~1:10으로 형성되며, 각 층이 금속과 금속의 혼합층일 때, 그 비율은 10:1~1:10으로 형성된다. 제2 전극(104)을 이루는 금속은 Ag, Mg, Yb, Li 또는 Ca로 형성되며, 무기물은 Li2O, CaO, LiF 또는 MgF2로 형성되며, 전자 이동을 도와 발광층(110)으로 전자들이 많이 공급할 수 있도록 한다.
이러한 제2 전극(104)은 100~400Å의 두께를 가지며, 면저항이 15Ω이하이며, 제2 전극(104)의 일함수는 제1 전극(102)의 일함수보다 낮은 3.7~4.7eV로 형성된다.
또한, 제2 전극(104)의 빛의 투과율은 430nm의 파장대에서 30~60%이며, 550nm의 파장대에서 20~50%이며, 650nm의 파장대에서 15~40%이므로 제2 전극(104)은 반투과 전극의 역할을 한다.
정공 주입층(112)은 제1 전극(102)으로부터의 정공을 제1 및 제2 정공 수송층(114,118)에 공급한다. 제1 및 제2 정공 수송층(114,118)은 정공 주입층(112)으로부터의 정공을 각 발광셀의 발광층(110)에 공급한다. 제2 정공 수송층(118)은 청색 발광셀에 형성되지 않고, 녹색 발광셀보다 적색 발광셀에서 두꺼운 두께로 형성된다. 이러한 각 발광셀마다 제2 정공 수송층(118)의 두께를 조절하여 출사광을 보강간섭함으로써 각 발광셀에서의 수직 방향 효율을 최적화할 수 있다. 전자 수송층(116)은 제2 전극(104)으로부터의 전자를 각 발광셀의 발광층(110)에 공급한다.
적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광층(110) 각각에서는 제1 및 제2 정공 수송층(114,118)을 통해 공급된 정공과 전자 수송층(116)을 통해 공급된 전자들이 재결합되므로 광이 생성된다. 이 때, 적색(R) 발광층(110)의 두께는 가장 두껍고, 청색(B) 발광층(110)의 두께는 가장 얇고, 녹색(G) 발광층(110)의 두께는 적색(R) 발광층(110)과 청색(B) 발광층(110) 두께의 사이의 두께를 가지도록 형성된다. 이러한 각 발광셀마다 발광층(110)의 두께를 조절하여 출사광을 보강간섭함으로써 각 발광셀에서의 수직 방향 효율을 최적화할 수 있다.
전면 실링층(120)은 외부로부터 유입되는 수분이나 산소의 침투를 차단함으로써 신뢰성을 향상시키는 역할을 한다. 이를 위해, 전면 실링층(120)은 유기층과 무기층이 수회 교번적으로 형성된 구조이다. 무기층은 외부의 수분이나 산소의 침투를 1차적으로 차단하도록 알루미늄 옥사이드(AlxOx), 산화실리콘(SiOx), SiNx, SiON 및 LiF 중 적어도 어느 하나로 형성된다. 유기층은 외부의 수분이나 산소의 침투를 2차적으로 차단한다. 또한, 유기층은 유기 발광표시장치의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충역할을 하며, 평탄화 성능을 강화한다. 이러한 유기층은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 또는 폴리에틸렌 등의 폴리머 재질로 형성된다.
이와 같은 본 발명에서는 수학식 1 내지 3과 같은 조건을 만족하도록 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광층(110)을 형성한다.
Figure 112012105535983-pat00012
Figure 112012105535983-pat00013
Figure 112012105535983-pat00014
수학식 1과 같이 적색(R) 발광층(110)의 전계 발광 피크의 최대치(RED EL λmax)와 적색 발광층에 포함된 적색 호스트의 광 발광 피크의 최대치(RHPL λ max)의 차이는 120nm이상으로 형성되며, 수학식 2와 같이 녹색(G) 발광층(110)의 전계 발광 피크의 최대치(GREEN EL λ max)와 녹색 발광층에 포함된 녹색 호스트의 광 발광 피크의 최대치(GHPL λ max)의 차이는 20nm이상으로 형성되며, 수학식 3과 같이 청색(B) 발광층(110)의 전계 발광 피크의 최대치(BLUE EL λ max)와 녹색 발광층에 포함된 청색 호스트의 광 발광 피크의 최대치(BHPL λ max)의 차이는 120nm이상으로 형성된다. 수학식 1 내지 3에서는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광층(110)이 하나의 호스트를 포함하는 경우를 예로 들어 설명한 것이며, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광층(110)이 2개 이상의 호스트를 포함하는 경우, 2개 이상의 호스트 중 하나의 호스트가 수학식 1 내지 3의 조건을 만족하도록 형성된다. 또한, 수학식 1 내지 3에서 전계 발광 피크는 유기 전계 발광 소자를 형성한 후, 그 유기 전계 발광 소자에 전압을 인가하였을 때 출사되는 광의 최대치를 나타내며, 광 발광 피크는 각 발광층이 가지고 있는 고유의 색을 표시할 수 있는 광의 최대치를 나타낸다.
이와 같은 수학식 1에서, 적색 호스트는 450~485nm의 광 발광 피크의 최대치(RHPLmax)를 가지며, 화학식 1과 같은 BAlq3계열, 화학식 2와 같은 재질, 화학식 3의 BeBq2와 같은 Be complex계열로 형성된다.
Figure 112012105535983-pat00015
Figure 112012105535983-pat00016
Figure 112012105535983-pat00017
수학식 2에서, 녹색(G) 발광층(110)의 녹색 호스트는 약 450~530nm의 광 발광 피크의 최대치(RHPLmax)를 가지며, 화학식 4와 같은 재질, 화학식 5와 같은 BCP계열, 화학식 6과 같은 CBP계열, CDBP계열, 또는 화학식 7과 같은 재질로 형성된다.
Figure 112019003756780-pat00049
Figure 112012105535983-pat00019
Figure 112012105535983-pat00020
Figure 112012105535983-pat00021
수학식 3의 청색(B) 발광층(110)의 청색 호스트는 약 400~435nm의 광 발광 피크의 최대치(RHPLmax)를 가지며, 화학식 8과 같은 재질 또는 안트라센 유도체로 형성된다.
Figure 112019003756780-pat00050
도 3a 내지 도 3c는 제2 전극이 500Å두께의 투과전극인 경우, 비교예와 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 적색 발광층의 적색 호스트의 광발광 피크의 최대치에 따른 발광 스펙트럼을 나타내는 도면들이다. 여기서, 제2 전극을 500Å두께로 형성한 이유는 제2 전극이 반투과 전극일 때의 시야각 60도에서와 동일한 파장대인 525nm부근에서 최대 발광 커브(out-coupling curve)를 가지기 때문에 525nm부근에서 해당 색의 호스트가 발광하는 것을 확인할 수 있다.
도 3a에 도시된 비교예1의 경우, 적색 발광층에 포함된 적색 호스트가 490nm의 광발광피크의 최대치를 가지는 카바졸 유도체로 형성되고, 도 3b에 도시된 비교예 2의 경우, 적색 발광층에 포함된 적색 호스트가 510nm의 광발광피크의 최대치를 가지는 카바졸 유도체로 형성되는 경우, 적색 호스트의 광 발광 피크와 적색(R) 발광셀의 최대 발광 피크(OC-curve)와의 중첩면적이 넓게 형성된다. 중첩면적이 넓은만큼 두 피크 간의 증폭량이 증가해 발광세기가 증가하므로 시야각에 따른 색 변화가 가장 커진다.
반면에, 도 3c에 도시된 실시예의 경우, 적색 호스트가 468nm의 광발광피크의 최대치를 가지는 Be complex유도체로 형성되는 경우, 적색 호스트의 광 발광 피크와 적색(R) 발광셀의 최대 발광 피크(OC-curve)와의 중첩면적이 작게 형성된다. 중첩면적이 작은 만큼 두 피크 간의 증폭량도 감소해 시야각에 따른 색 변화가 가장 작아진다.
또한, 적색 호스트가 510nm의 광발광피크의 최대치를 가지는 카바졸 유도체와 적색 도펀트로 이루어진 발광층인 비교예1의 경우, 500~550nm의 파장대에서 도 4에 도시된 바와 같이 숄더 피크(shoulder peak)가 발생하게 되어 색순도가 저하된다. 반면에, 468nm의 광발광피크의 최대치를 가지는 Be complex계열로 형성된 적색 호스트와 적색 도펀트로 이루어진 발광층인 실시 예의 경우, 500~550nm의 파장대에서 숄더 피크(shoulder peak)가 발생되지 않으므로 색순도 신뢰성이 향상된다.
도 5a 내지 도 5d는 제2 전극이 반투과전극인 경우, 비교예와 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 시야각에 따른 발광 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
도 5a에 도시된 비교예의 경우, 적색 발광층에 포함된 적색 호스트가 510nm의 광발광피크의 최대치를 가지는 카바졸 유도체로 형성되면, 적색(R) 발광층의 전계 발광 피크의 최대치(RED EL λ max)가 620nm이므로 적색(R) 발광층의 전계 발광 피크의 최대치(RED EL λ max)와 적색 발광층에 포함된 적색 호스트의 광 발광 피크의 최대치(RHPL λ max)의 차이는 110nm로 형성된다. 이 경우, 시야각 O도에서의 적색(R) 발광층의 전계 발광 피크와 적색 호스트의 광 발광 피크의 중첩 면적이 상대적으로 넓으며, 시야각 60도에서의 적색(R) 발광층의 전계 발광 피크와 적색 호스트의 광 발광 피크의 중첩 면적이 상대적으로 넓다. 적색(R) 발광층의 전계 발광 피크와 적색 호스트의 광 발광 피크의 중첩 면적이 넓은 만큼 적색(R) 발광층의 전계 발광 피크와 적색 호스트의 광 발광 피크의 증폭량도 증가하게 되어 색 변화가 일어나게 된다. 이에 따라, 도 5b에 도시된 바와 같이 시야각 0도와 시야각 60도에서의 색감차이가 발생된다.
반면에, 도 5c에 도시된 실시 예의 경우, 적색 발광층에 포함된 적색 호스트가 468nm의 광발광피크의 최대치를 가지는 Be complex계열로 형성되면, 적색(R) 발광층(110)의 전계 발광 피크의 최대치(RED EL λ max)가 620nm이므로 적색(R) 발광층(110)의 전계 발광 피크의 최대치(RED EL λ max)와 적색 발광층에 포함된 적색 호스트의 광 발광 피크의 최대치(RHPL λ max)의 차이는 120nm이상인 152nm로 형성된다. 이 경우, 시야각 O도에서의 적색(R) 발광층(110)의 전계 발광 피크와 적색 호스트의 광 발광 피크의 중첩 면적이 비교예보다 작으며, 시야각 60도에서의 적색(R) 발광층(110)의 전계 발광 피크와 적색 호스트의 광 발광 피크의 중첩 면적이 비교예보다 작다. 적색(R) 발광층(110)의 전계 발광 피크와 적색 호스트의 광 발광 피크의 중첩 면적이 작은 만큼 적색(R) 발광층(110)의 전계 발광 피크와 적색 호스트의 광 발광 피크의 증폭량이 상대적으로 적어 색 변화가 거의 일어나지 않게 된다. 이에 따라, 도 5d에 도시된 바와 같이 시야각 0도와 시야각 60도에서의 색감 차이가 적어 시야각에 따른 색감순도를 안정적으로 유지하여 색순도 신뢰성이 향상된다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
102 : 제1 전극 104 : 제2 전극
110 : 발광층 112 : 정공 주입층
114, 118 : 정공수송층 116 : 전자 수송층

Claims (9)

  1. 적색, 녹색 및 청색 발광셀 영역이 마련되는 기판과;
    기판 상에 형성되며, 반사 전극인 제1 전극과;
    상기 제1 전극과 마주보며, 반투과 전극인 제2 전극과;
    상기 제1 및 제2 전극 사이에 배치되며 상기 적색 발광셀 영역에 배치되는 적색 발광층과;
    상기 제1 및 제2 전극 사이에 배치되며 상기 녹색 발광셀 영역에 배치되는 녹색 발광층과;
    상기 제1 및 제2 전극 사이에 배치되며 상기 청색 발광셀 영역에 배치되는 청색 발광층을 구비하며,
    상기 적색 발광층에 포함된 적색 호스트의 광 발광 피크의 최대치는 450~485nm이며, 상기 녹색 발광층에 포함된 녹색 호스트의 광발광피크의 최대치는 450~530nm이며, 상기 청색 발광층에 포함된 청색 호스트의 광발광피크의 최대치는 400~435nm이며,
    상기 적색 호스트는 상기 녹색 호스트와 다른 재질로 이루어지며,
    상기 적색, 녹색 및 청색 발광층 각각의 전계 발광 피크의 최대치와 각 발광층에 포함된 호스트의 광발광피크의 최대치는 하기 수학식 1 내지 3을 만족하는 유기 발광 표시 장치.
    <수학식 1>
    Figure 112019003756780-pat00023
    (여기서, RED ELλmax는 상기 적색 발광층의 전계 발광 피크의 최대치이며, RHPLλmax는 상기 적색 호스트의 광 발광 피크의 최대치이다.)
    <수학식 2>
    Figure 112019003756780-pat00024
    (수학식 2에서, GREENELλmax는 상기 녹색 발광층의 전계 발광 피크의 최대치이며, GHPLλmax는 상기 녹색 호스트의 광 발광 피크의 최대치이다.)
    <수학식 3>
    Figure 112019003756780-pat00025
    (수학식 3에서, Blue ELλmax는 상기 청색 발광층의 전계 발광 피크의 최대치이며, BHPLλmax는 상기 청색 호스트의 광 발광 피크의 최대치이다.)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 전극은 430nm의 파장대에서 30~60%의 투과율을, 550nm의 파장대에서 20~50%의 투과율을, 650nm의 파장대에서 15~40%의 투과율을 가지며,
    상기 제2 전극의 면저항은 1Ω/□ 내지 15Ω/□이며, 상기 제2 전극의 일함수는 3.7~4.7eV인 유기 발광 표시 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 적색 호스트는 하기 화학식 1과 같은 BAlq3계열,화학식 2의 재질 또는 화학식 3의 BeBq2와 같은 Be complex계열로 형성되는 유기 발광 표시 장치.
    <화학식 1>
    Figure 112019003756780-pat00026

    <화학식 2>
    Figure 112019003756780-pat00027

    <화학식 3>
    Figure 112019003756780-pat00028
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 녹색 호스트는 화학식 4와 같은 재질, 화학식 5와 같은 BCP계열, 화학식 6과 같은 CBP계열, CDBP계열, 또는 화학식 7과 같은 재질로 형성되는 유기 발광 표시 장치.
    <화학식 4>
    Figure 112019003756780-pat00051

    <화학식 5>
    Figure 112019003756780-pat00030

    <화학식 6>
    Figure 112019003756780-pat00031

    <화학식 7>
    Figure 112019003756780-pat00032
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 청색 호스트는 화학식 8과 같은 재질 또는 안트라센 유도체로 형성되는 유기 발광 표시 장치.
    <화학식 8>
    Figure 112019003756780-pat00052
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 전극 상에 유기층과 무기층이 수회 교번적으로 형성되는 전면 실링층을 추가로 구비하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 전극은 단층 또는 복층으로 이루어지며, 상기 제2 전극의 총 두께는 100~400Å으로 형성되며,
    상기 제2 전극의 상기 각 층은 금속, 무기물, 금속 혼합층 또는 금속과 무기물의 혼합으로 형성되거나 또는 그들의 혼합으로 형성되며,
    상기 각 층이 금속과 무기물의 혼합층일 때, 그 비율은 10:1~1:10으로 형성되며,
    상기 각 층이 금속과 금속의 혼합층일 때, 그 비율은 10:1~1:10으로 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 금속은 Ag, Mg, Yb, Li 또는 Ca로 형성되며, 무기물은 LiO2, CaO, LiF 또는 MgF2로 형성되는 유기 발광 표시 장치.
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