CN108258140B - 有机发光装置 - Google Patents

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Abstract

示例性实施方式可提供一种有机发光二极管，包括：具有凹部或凸部的第一电极；设置在所述第一电极上的有机发光层；和设置在所述有机发光层上的第二电极。此外，示例性实施方式可提供一种包括所述有机发光二极管的有机发光装置。

Description

有机发光装置
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2016年12月29日提交的韩国专利申请第10-2016-0182068号的优先权，为了所有目的通过参考将该专利申请结合在此，如同在此完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种发光的有机发光二极管和有机发光装置。
背景技术
有机发光装置优点在于通过使用自发光的有机发光二极管(OLED)，响应速度较高，发光效率较高，亮度较高并且视角较宽。
从有机发光装置的有机发光层发射的光穿过有机发光装置的各元件而从有机发光装置发出。然而，从有机发光层发射的一些光被约束在有机发光装置内部，而没有从有机发光装置发出。因此，有机发光装置的光提取效率成为问题。为了提高有机发光装置的光提取效率，已采用给有机发光装置的基板的外部贴附微透镜阵列(MLA)的方法。
发明内容
在该背景下，本发明的目的是提供一种提高向外发光的效率并降低功耗的有机发光二极管和有机发光装置。
示例性实施方式可提供一种有机发光二极管，包括：具有凹部或凸部的第一电极；设置在所述第一电极上的有机发光层；和设置在所述有机发光层上的第二电极。此外，示例性实施方式可提供一种包括所述有机发光二极管的有机发光装置。所述凹部或所述凸部可分别包括凹底部或凸顶部、以及一个或多个倾斜侧表面。在一些实施方式中，与所述一个或多个倾斜侧表面相邻的有机发光层的第一厚度比与所述凹底部或所述凸顶部相邻的有机发光层的第二厚度薄。
根据如上所述的示例性实施方式，可提供一种能够提高外部发光效率并且能够降低功耗的有机发光二极管和有机发光装置。
附图说明
本发明上述和其他的目的、特征和优点将从下面结合附图的详细描述更加显而易见，其中：
图1是根据一个示例性实施方式的有机发光二极管的剖面图；
图2是根据一个示例性实施方式的有机发光装置的剖面图；
图3A是图2中的区域“X”的放大剖面图；
图3B图解了图2的第一电极的平面图以及图2的区域“X”的放大剖面图，其对应于第一电极的平面结构；
图4是图解其中端面被部分切除的图2的第三绝缘层和第一电极的部分透视图；
图5是图2中的区域“X”的一部分的放大剖面图，其图解了从有机发光层发射的光的光路；
图6是图解从根据比较例的有机发光装置发射的光的光路的示图；
图7是在有机发光装置中形成第一电极之前，根据另一示例性实施方式的包括薄膜晶体管的有机发光装置的剖面图；
图8A和8B是根据又一示例性实施方式的有机发光装置的放大剖面图；
图9是根据又一示例性实施方式的有机发光装置的剖面图；
图10是图9中的区域“Y”的放大剖面图；
图11是图解其中端面被部分切除的图9的第三绝缘层、反射板和第一电极的部分透视图；
图12是简要图解在根据示例性实施方式的有机发光装置是有机发光二极管显示装置的情形中，有机发光显示装置的示图；
图13是简要图解在根据示例性实施方式的有机发光装置是照明装置的情形中，照明装置的示图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本发明的一些实施方式。在通过参考标记表示附图的要素时，尽管显示在不同的附图中，但相同的要素将由相同的参考标记表示。此外，在本发明随后的描述中，当在此结合的已知功能和构造的详细描述反而会使本发明的主题不清楚时，将省略其详细描述。
此外，当描述本发明的组件时在此可能使用诸如第一、第二、A、B、(a)、(b)或类似术语之类的术语。这些术语的每一个不是用于限定相应组件的本质、顺序或次序，而是仅用于将相应组件与其他组件区分开。在描述一特定结构元件“连接至”、“耦接至”或“接触”另一结构元件的情形中，应当解释为其他结构元件可“连接至”、“耦接至”或“接触”这些结构元件并且可解释为该特定结构元件可直接连接至或直接接触该另一结构元件。
图1是根据一个示例性实施方式的有机发光二极管的剖面图。
参照图1，有机发光二极管10包括：具有凹部或凸部的第一电极41、设置在第一电极41上的有机发光层42、以及设置在有机发光层42上的第二电极43。
之后将参照图3A、3B和10详细描述有机发光二极管10的结构和形状。
图2是根据一个示例性实施方式的有机发光装置的剖面图。图3A是图2中的区域“X”的放大剖面图。图3B图解了图2的第一电极的平面图以及图2的区域“X”的放大剖面图，其对应于第一电极的平面结构。
参照图2，根据一示例性实施方式的有机发光装置100可以是包括有机发光二极管或包括两个电极和位于所述两个电极之间的有机层的有机电元件在内的任何发光装置。
有机发光装置100可以是显示图像的有机发光显示装置、照明装置和光源之一。例如，当有机发光装置100是有机发光二极管显示装置时，其可以是底部发光显示装置、顶部发光显示装置、双侧发光显示装置、柔性显示装置和透明显示装置至少之一，但不限于此。
当有机发光装置100是照明装置时，其可以是室内或室外照明装置、车辆照明装置或类似物，或者可与另一机械部件结合以应用于上述照明装置。例如，车辆照明装置可以是前灯、远光灯、尾灯、刹车灯、后灯、停车灯、雾灯、转向信号灯和辅助灯至少之一，但不限于此。
当有机发光装置100是光源时，其例如可有效应用于：液晶显示器(LCD)的背光、各种照明传感器、打印机或复印机的的光源；车辆仪表的光源；信号灯、标志灯或面发光体的光源；装饰；各种灯或类似物。
下文中，将假设有机发光装置100是有机发光二极管显示装置来给出描述。然而，不限于此，有机发光装置100可以是照明装置或光源。
参照图2和3A，有机发光装置100被图解为包括基板110、薄膜晶体管120、滤色器150、第三绝缘层160和有机发光二极管140，但不限于此。例如，根据一示例性实施方式的有机发光装置100可以是包括位于基板110上的有机发光二极管140的有机发光装置，并且可以是包括位于基板110上的第三绝缘层160和位于第三绝缘层160上的有机发光二极管140的有机发光装置。
如图2和3A中所示，第三绝缘层160可设置在有机发光二极管140的第一电极141下方，并且第三绝缘层160可以是平坦的绝缘层。
图2和3A中所示的有机发光装置100是底部发光型有机发光装置。然而，根据一示例性实施方式的有机发光装置100可以是顶部发光型有机发光装置。
薄膜晶体管120设置在基板110上，薄膜晶体管120包括栅极电极121、有源层122、源极电极123和漏极电极124。
更具体地说，栅极电极121设置在基板110上，用于将栅极电极121和有源层122绝缘的第一绝缘层131形成在栅极电极121和基板110上，并且有源层122设置在第一绝缘层131上。此外，蚀刻阻止部132设置在有源层122上，并且源极电极123和漏极电极124设置在有源层122和蚀刻阻止部132上。源极电极123和漏极电极124以与有源层122接触的方式与有源层122电连接并且设置在蚀刻阻止部132的部分区域上。在一些实施方式中，可不设置蚀刻阻止部132。
在本申请中，在有机发光装置100中可包括的各种薄膜晶体管之中，为了便于描述而仅图解了驱动薄膜晶体管。此外，在本申请中，将假设薄膜晶体管120具有其中相对于有源层122来说栅极电极121位于源极电极123和漏极电极124的相对侧上的底栅结构或反向交错结构而给出描述。然而，在其他实施方式中，也可使用具有共面结构或顶栅结构的薄膜晶体管120，在具有共面结构或顶栅结构的薄膜晶体管120中，相对于有源层122来说栅极电极121位于与源极电极123和漏极电极124相同一侧。
第二绝缘层133设置在薄膜晶体管120上，并且滤色器150设置在第二绝缘层133上。
尽管图2图解了第二绝缘层133将薄膜晶体管120的顶部平化，但第二绝缘层133可设置为依循位于其下方的元件的表面形状，而不是将薄膜晶体管120的顶部平化。
滤色器150配置成转换从有机发光层142发射的光的颜色，滤色器150例如可以是红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器之一。
滤色器150在第二绝缘层133上设置在对应于发光区域的位置处。在此，发光区域是指有机发光层142通过第一电极141和第二电极143发光的区域。此外，“滤色器150设置在对应于发光区域的位置处”的表述是指滤色器150设置成防止由于从相邻发光区域发射的光的相互混合而发生模糊和重影现象。
例如，滤色器150可布置成叠加在发光区域上。更具体地说，滤色器150可具有小于发光区域的尺寸。然而，除发光区域的尺寸和位置以外，滤色器150的设置位置和尺寸还可由各种因素，诸如滤色器150与第一电极141之间的距离、滤色器150与第三绝缘层160之间的距离、以及发光区域与非发光区域之间的距离确定。
第三绝缘层160设置在滤色器150和第二绝缘层133上。尽管图2图解了在有机发光装置100中包括第二绝缘层133，但在其他实施方式中，第三绝缘层160可直接设置在薄膜晶体管120上而不使用第二绝缘层133。尽管图2图解了滤色器150设置在第二绝缘层133上，但不限于此，滤色器150可设置在第三绝缘层160与基板110之间的任何位置处。
堤层136以及包括第一电极141、有机发光层142和第二电极143的有机发光二极管140设置在第三绝缘层160上。此时，尽管未示出，但可在第三绝缘层160与第一电极141之间增加具有与第一电极141的折射率相似折射率的隔离层(未示出)，以阻挡第三绝缘层160的出气(outgassing)分散到有机发光二极管140。
具体地说，第一电极141设置在第三绝缘层160上，以给有机发光层142提供电子或空穴。第一电极141可以是正向有机发光二极管(OLED)中的正极、像素电极或阳极，或者可以是反向OLED中的负极、像素电极或阴极。
第一电极141可通过形成在第三绝缘层160和第二绝缘层133中的接触孔连接至薄膜晶体管120的源极电极123。在此，在假设薄膜晶体管120是N型薄膜晶体管的情况下描述了第一电极141连接至源极电极123。然而，当薄膜晶体管120是P型薄膜晶体管时，第一电极141可连接至漏极电极124。第一电极141可与有机发光层142直接接触，或者可在导电材料插入到第一电极141与有机发光层142之间的情况下与有机发光层142接触，使得第一电极141能够电连接至有机发光层142。
第一电极141可以是单层，但可以是包括两层或更多层的多层。
参照图3A，第一电极141包括凹部141a以及连接相邻凹部141a的第一连接部141b。第一电极141在未设置凹部141a的部分中，即在第一连接部141b中充当平坦层。
参照图3A，尽管图解了设置多个凹部141a，但不限于此，例如可设置单个凹部141a。
图4是在剖面中部分图解图2的第三绝缘层和第一电极的部分透视图。
参照图3B和4，凹部141a具有倾斜以向下变窄的形状。凹部141a可具有一致的锥形形状。例如，凹部141a的剖面形状可以是梯形形状，但不限于此。
凹部141a的倾斜表面141aa的倾角θ是指由凹部141a的倾斜表面141aa和第一电极141的底表面形成的角度，倾角θ可以是锐角。
图3B图解了凹部141a的倾斜表面141aa在剖面中是线性的，图4图解了凹部141a的倾斜表面141aa是平面的。然而，尽管凹部141a的倾斜表面141aa在剖面中可包括非线性表面或弯曲表面，但凹部141a的倾斜表面141aa一般可以是线性的或平面的。
凹部141a的倾斜表面141aa的倾角θ可以是15到70度。当凹部141a的倾斜表面141aa的倾角θ具有小于15度的小角度时，光提取效率可能较弱。当倾斜表面141aa的倾角θ具有超过70度的大角度时，从有效发光区域开始传播的光的传播角度可以是42度或更大。因而，光可再次被约束在有机发光二极管140内部，发光效率不会增加。
参照图3A和3B，尽管图解了在凹部141a的底部141ab中的分离距离G(间隙)大于0的情形中，存在有间距，但如之后将参照图8A描述的，凹部141a的底部141ab中的分离距离G(间隙)，即两个相邻倾斜表面141aa之间的间距可以是零(即，两个相邻的倾斜表面141aa可在没有间隙G的情况下彼此相邻)。
如图3B和4中所示，凹部141a在平面中可整体上具有圆形形状。然而，不限于此，凹部141a可具有各种形状，诸如半球形、半椭球形、正方形和六边形。
通过诸如光刻、湿蚀刻和干蚀刻之类的工艺形成第一电极141的凹部141a的形状。在该情形中，当调整此时执行的热处理工艺时可调整第一电极141的凹部141a的表面形态。
在材料方面，第一电极141可包括非晶金属氧化物。例如，非晶金属氧化物可包括选自由下述材料构成的组中的任意一种：氧化铟锌(IZO)、氧化锌锡(ZTO)、SnO2(氧化锡)、ZnO(氧化锌)、In2O3(氧化铟)、氧化镓铟锡(GITO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌铟锡(ZITO)、氧化铟镓(IGO)、Ga2O3(氧化镓)、氧化铝锌(AZO)和氧化镓锌(GZO)。
当第一电极141包括非晶金属氧化物时，可适于通过诸如光刻、湿蚀刻和干蚀刻之类的工艺将第一电极141的凹部141a形成三维上一致的锥形形状。在材料-工艺关系方面，如果错误地选择第一电极141的材料，则第一电极141的凹部141a可形成三维上颠倒的锥形形状。
堤层136设置在第三绝缘层160和第一电极141上，堤层136包括暴露第一电极141的开口136a。堤层136用于分离相邻像素(或子像素)区域并且可设置在相邻像素(或子像素)区域之间。第一电极141的凹部141a和第一连接部141b设置成叠加在堤层136的开口136a上。
有机发光层142设置在第一电极141上，并且第二电极143设置在有机发光层142上，以给有机发光层142提供电子或空穴。有机发光层142可设置成其中多个有机发光层层叠以便发射白色光的串联(tandem)白色结构。有机发光层142可包括发射蓝色光的第一有机发光层、以及第二有机发光层，第二有机发光层设置在第一有机发光层上并且发射具有当与蓝色混合时变为白色的颜色的光。第二有机发光层可以是例如发射黄绿色光的有机发光层。同时，有机发光层142可仅包括发射蓝色光、红色光和绿色光之一的有机发光层。在该情形中，可不包括滤色器150。第二电极143可以是正向有机发光二极管(OLED)中的负极、公共电极或阴极，或者可以是反向OLED中的正极、公共电极或阳极。
有机发光层142和第二电极143设置成依循第一电极141的顶表面的表面形态的形状。因此，有机发光层142和第二电极143具有第一电极141的凹部141a中的凹形表面形态。因而，可使用第一电极141的凹部141a实现有机发光二极管140的形状。
在与第一电极141垂直的方向上，有机发光层142的厚度在与每个凹部141a的倾斜表面141aa对应的区域中可相对较薄，其可比与凹部141a的底部141ab或第一电极141的第一连接部141b相邻的一部分有机发光层142的厚度薄。
例如，当通过气相沉积工艺形成有机发光层142时，沉积在与基板110垂直的方向上的有机发光层142的厚度T1、T2和T4彼此相同。然而，由于气相沉积工艺的特性，在与有机发光层142的倾斜表面垂直的方向上，实际在第一电极141与第二电极143之间驱动电流的有机发光层142的厚度T3变得相对较薄。在凹部141a的底部141ab和第一连接部141b中，在第一电极141与第二电极143之间驱动电流的有机发光层142的厚度T1和T2相对较厚。
随着凹部141a的倾斜表面141aa的倾角θ增加，在与每个凹部141a的倾斜表面141aa对应的区域中，与第一电极141垂直的有机发光层142的厚度T3减小。根据下面的等式1确定基于凹部141a的倾斜表面141aa的倾角θ的、在与每个凹部141a的倾斜表面141aa对应的区域中与第一电极141垂直的有机发光层142的厚度T3。
等式1
T3＝T1＊Cosθ＝T2＊CoSθ＝T4＊cosθ
如上所述，在与每个凹部141a的倾斜表面141aa对应的区域中的有机发光层142的厚度可比与凹部141a的底部141ab或第一电极141的第一连接部141b相邻的一部分有机发光层142的厚度相对较薄。
在与每个凹部141a的倾斜表面141aa对应的区域中的有机发光层142的厚度相对较薄可最终导致电场局部集中的有效发光区域。当驱动有机发光二极管140时，电场局部集中在有效发光区域中，并且形成主电流通路，以产生主光发射。
在一个实施方式中，T3是T1减小15％-50％的值、T2减小15％-50％的值、或T4减小15％-50％的值。当T3是T1(或T2或T4)减小小于15％的值时，发光量没有显著提高。另一方面，当T3是T1(或T2或T4)减小超过50％的值时，发光量可显著提高，但有机发光层142较薄，使得有机发光装置100的寿命劣化。因此，有机发光层142被制成为具有比T1或T2或T4薄适度量(即，T1或T2或T4减小15％-50％)的T3厚度，以同时实现有机发光装置的光发射和寿命的提高。
鉴于有机发光层142的发光量取决于与第一电极141垂直的有机发光层142的厚度(T1、T2、T3等)，在凹部141a的底部141ab与第一电极141的第一连接部141b之间的倾斜表面141aa中的有机发光层142的单位面积发光量可大于凹部141a的底部141ab或第一连接部141b中的有机发光层142的单位面积发光量。
图5是图2中的区域“X”的一部分的放大剖面图，其图解了从有机发光层发射的光的光路。
参照图5，从有机发光层142发射的光通过第一电极141和有机发光层142中的全反射而被约束，并且通过被第二电极143再反射而提取到外部，由于第一电极141的凹形结构，第二电极143定位成对应于倾斜表面141aa，使得能够提高向外发光的效率。
图6是图解从根据比较例的有机发光装置发射的光的光路的示图。
参照图6，根据比较例的有机发光装置100c包括位于基板110上的第一绝缘层131、第二绝缘层133和第三绝缘层160。与图3A中所示的根据示例性实施方式的有机发光装置100不同，根据比较例的有机发光装置100c在第三绝缘层160上包括有机发光二极管140c，有机发光二极管140c包括平坦的第一电极141c、有机发光层142c和第二电极143c。
从有机发光层142c发射的光的大约80％被约束在有机发光装置100c内部，只有20％的光被提取到外部。因此，存在有机发光装置100c的光学效率非常低的问题。
图7是在有机发光装置中形成第一电极之前，根据另一示例性实施方式的包括薄膜晶体管的有机发光装置的剖面图。
参照图7，在根据另一示例性实施方式的包括薄膜晶体管的有机发光装置300的制造工艺中，在基板310上形成薄膜晶体管320，薄膜晶体管320包括栅极电极321、有源层322、源极电极323和漏极电极324。可在栅极电极321与有源层322之间设置栅极绝缘层331。
之后，与图2中的描述类似，在薄膜晶体管320上形成第二绝缘层(未示出)、滤色器350和第三绝缘层360。
当形成第三绝缘层360时，如图7中所示，可仅将与薄膜晶体管320对应的第二区域构图，从而减小第三绝缘层360中的第一电极接触孔368的厚度，而与滤色器350对应的第一区域可不被构图。因而，能够简化第三绝缘层360的构图工艺。
图8A和8B是根据又一示例性实施方式的有机发光装置的放大剖面图。
参照图8A和8B，根据又一示例性实施方式的有机发光装置400在第三绝缘层460上包括第一电极441、有机发光层442和第二电极443，第一电极441包括凹部441a和连接相邻凹部441a的第一连接层441b，有机发光层442和第二电极443布置成依循第一电极441的顶表面的表面形态的形状。
如上所述，通过诸如光刻、湿蚀刻和干蚀刻之类的工艺形成第一电极441的凹部441a的形状。在该情形中，当调整此时执行的热处理工艺时可调整第一电极441的凹部441a的表面形态。
参照图8A，每个凹部441a的底部441ab中的分离距离G(间隙)可以是0，当分离距离G(间隙)是0时，可增加有效发光区域，使得发光效率增加。
可在第一电极441中的凹部441a的构图工艺过程中通过调整热处理和蚀刻时间将凹部441a的底部441ab中的分离距离G(间隙)形成为零(0)。
参照图8B，当每个凹部441a的底部441ab中的分离距离G(间隙)大于0且存在间距时，第一电极441可在凹部441a的底部441ab中包括延伸到倾斜表面441aa外部的水平延伸部447。
图9是根据又一示例性实施方式的有机发光装置的剖面图。
参照图9，尽管根据又一示例性实施方式的有机发光装置500被描述为其中滤色器550位于与基板510相对的一侧的顶部发光型有机发光装置，但有机发光装置500可以是其中滤色器550位于基板510一侧上的底部发光型有机发光装置。因为与底部发光型有机发光装置相比开口率增加，所以顶部发光型有机发光装置500具有在寿命和亮度方面有利的优点。
根据又一示例性实施方式的有机发光装置500与图2和3A的底部发光型有机发光装置100不同之处在于，有机发光装置500包括位于第一电极541下方的反射板544，包括位于第二电极543与滤色器550之间的粘结剂层570，并且第一电极541包括凸部541c，其他元件与底部发光型有机发光装置100基本相同。因而，将省略重复的描述。图9中未示出的有机发光装置500的元件可与根据上述示例性实施方式的底部发光型有机发光装置100的元件相似。
例如由导电材料制成的反射板544可设置在第一电极541下方。反射板544可反射从有机发光层542发射的光，以提高顶部发光效率。当第一电极541自身充当反射板时，可在第一电极541下方不单独设置反射板544。
反射板544和第一电极541可通过形成在第三绝缘层560中的接触孔连接至薄膜晶体管520的源极电极523。在此，在假设薄膜晶体管520是N型薄膜晶体管的情况下描述了第一电极541连接至源极电极523。然而，当薄膜晶体管520是P型薄膜晶体管时，反射板544和第一电极541可连接至漏极电极524。第一电极541可与有机发光层542直接接触，或者可在导电材料插入到第一电极541与有机发光层542之间的情况下与有机发光层542接触，使得第一电极541能够电连接至有机发光层542。
图10是图9中的区域“Y”的放大剖面图。
参照图10，第一电极541包括凸部541c以及连接相邻凸部541c的第二连接部541d。第一电极541在未设置凸部541c的部分中充当平坦层。
参照图10，尽管图解了设置多个凸部541c，但不限于此，例如可设置单个凸部541c。
图11是在剖面中部分图解图9的第三绝缘层、反射板和第一电极的部分透视图。
凸部541c具有向上变窄倾斜的正锥形形状。例如，凸部541c的剖面形状可以是梯形形状，但不限于此。凸部541c可具有截锥形形状，但可以是多面体，例如被部分切除的六面体或四面体。
凸部541c的倾斜表面541ca的倾角θ是指由凸部541c的倾斜表面541ca和第一电极541的底表面形成的角度，倾角θ可以是锐角。
凸部541c的倾斜表面541ca的倾角θ可以是15到70度。当凸部541c的倾斜表面541ca的倾角θ具有小于15度的小角度时，光提取效率可能较弱。当倾斜表面541ca的倾角θ是超过70度的大角度时，从有效发光区域开始传播的光的传播角度可以是42度或更大。因而，光可再次被约束在有机发光二极管540内部，发光效率不会增加。
尽管图解了在第二连接部541d中的分离距离G(间隙)大于0的情形中存在有间距，但分离距离G(间隙)可以是零。
在材料方面，如上所述，第一电极541可包括非晶金属氧化物。
有机发光层542和第二电极543设置成依循第一电极541的顶表面的表面形态的形状。因此，有机发光层542和第二电极543具有第一电极541的凸部541c中的凸形表面形态。因而，可使用第一电极541的凸部541c实现有机发光二极管540的形状。
参照图10，与第一电极541垂直的有机发光层542的厚度在与每个凸部541c的倾斜表面541ca对应的区域中可相对较薄，其可比凸部541c的顶部541cb或第一电极541的第二连接部541d中的有机发光层542的厚度薄。
例如，当通过气相沉积工艺形成有机发光层542时，沉积在与基板510垂直的方向上的有机发光层542的厚度T1、T2和T4彼此相同。然而，由于气相沉积工艺的特性，在与有机发光层542的倾斜表面垂直的方向上，实际在第一电极541与第二电极543之间驱动电流的有机发光层542的厚度T3变得相对较薄。在凸部541c的顶部541cb和第二连接部541d中，在第一电极541与第二电极543之间驱动电流的有机发光层542的厚度T1和T2相对较厚。
随着凸部541c的倾斜表面541ca的倾角θ增加，在与倾斜表面541ca对应的区域中与第一电极541垂直的有机发光层542的厚度T3减小。根据上述等式1确定基于凸部541c的倾斜表面541ca的倾角θ的、在与倾斜表面541ca对应的区域中与第一电极541垂直的有机发光层542的厚度T3。
如上所述，在与每个凸部541c的倾斜表面541ca对应的区域中的有机发光层542的厚度可比与凸部541c的顶部541cb或第二连接部541d相邻的一部分有机发光层542的厚度相对较薄。
在与每个凸部541c的倾斜表面541ca对应的区域中的有机发光层542的厚度相对较薄可最终导致电场局部集中的有效发光区域。当驱动有机发光二极管540时，电场局部集中在有效发光区域中，并且形成主电流通路，以产生主光发射。
在一个实施方式中，T3是T1减小15％-50％的值、T2减小15％-50％的值、或T4减小15％-50％的值。当T3是T1(或T2或T4)减小小于15％的值时，发光量没有显著提高。另一方面，当T3是T1(或T2或T4)减小超过50％的值时，发光量可显著提高，但有机发光层542较薄，使得有机发光装置500的寿命劣化。因此，有机发光层542被制成为具有比T1或T2或T4薄适度量(即，T1或T2或T4减小15％-50％)的T3厚度，以同时实现有机发光装置的光发射和寿命的提高。
鉴于有机发光层542的发光量取决于与第一电极541垂直的有机发光层542的厚度(T1、T2、T3等)，在凸部541c与第一电极541的第二连接部541d之间的倾斜表面541ca中的有机发光层542的单位面积发光量可大于凸部541c的顶部541cb或第二连接部541d中的有机发光层542的单位面积发光量。
图12是简要图解在根据示例性实施方式的有机发光装置是有机发光二极管显示装置的情形中，有机发光显示装置的示图。
参照图12，根据示例性实施方式的有机发光二极管显示装置600包括：有机发光显示面板610，在有机发光显示面板610中设置有多条数据线DL和多条栅极线GL并且以矩阵方式设置有多个子像素SP；数据驱动器620，数据驱动器620配置成通过给多条数据线提供数据电压来驱动多条数据线；栅极驱动器630，栅极驱动器630配置成通过给多条栅极线按顺序提供扫描信号来按顺序驱动多条栅极线；和控制器640，控制器640配置成控制数据驱动器620和栅极驱动器630。
图13是简要图解在根据示例性实施方式的有机发光装置是照明装置的情形中，照明装置的示图。
参照图13，根据示例性实施方式的照明装置700包括照明单元710、控制照明单元710的控制器740等。与有机发光显示装置600一样，照明装置700可单独包括驱动器，但不限于此。
在有机发光装置是照明装置700的情形中，如上所述，其可以是室内或室外照明装置、车辆照明装置或类似物，或者可与另一机械部件结合以应用于上述照明装置。
作为照明装置700，图13图解了根据示例性实施方式的有机发光装置。然而，不限于此，有机发光装置例如可以是光源。
根据上述示例性实施方式，有机发光二极管和有机发光装置通过给第一电极应用凹部结构或凸部结构能够提高外部光提取效率。
根据上述示例性实施方式，有机发光二极管和有机发光装置能够提高向外发光的效率并降低功耗。
根据上述示例性实施方式，可增加有机发光二极管和有机发光装置的寿命。
上面的描述和附图仅是为了举例说明的目的提供本发明的技术构思的示例。本发明所属领域的普通技术人员将理解到，在不背离本发明的实质特征的情况下，形式上的各种修改和变化，诸如构造的组合、分离、替换和变化是可能的。因此，本发明中公开的实施方式旨在举例说明本发明的技术构思的范围，本发明的范围不被实施方式限制。应当基于所附权利要求以下述方式解释本发明的范围，即，与权利要求等同的范围内包括的所有技术构思都属于本发明。

Claims (18)

1.一种有机发光装置，包括：
具有多个子像素的基板；
在所述基板上方的一个或多个绝缘层；
在所述多个子像素的每一个子像素中在所述一个或多个绝缘层上的具有多个凹部或多个凸部的第一电极；
设置在所述第一电极上的有机发光层；和
设置在所述有机发光层上的第二电极，
其中所述一个或多个绝缘层具有平坦的顶表面，所述凹部或凸部直接接触所述平坦的顶表面，以及
其中所述第一电极包括连接部，所述连接部连接在所述多个子像素的每一个子像素中的所述多个凹部中相邻的两个凹部或所述多个凸部中相邻的两个凸部并且围绕在所述多个子像素的每一个子像素中的所述多个凹部或所述多个凸部。
2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中：
所述凹部或所述凸部分别包括凹底部或凸顶部、以及一个或多个倾斜侧表面，并且
与所述一个或多个倾斜侧表面相邻的有机发光层的第一厚度比与所述凹底部或所述凸顶部相邻的有机发光层的第二厚度薄。
3.根据权利要求2所述的有机发光装置，其中所述第一厚度比所述第二厚度薄所述第二厚度的15％-50％。
4.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一电极的所述凹部或所述凸部的倾斜侧表面与所述第一电极的底表面形成锐角。
5.根据权利要求4所述的有机发光装置，其中所述锐角范围从15度到70度。
6.根据权利要求4所述的有机发光装置，其中所述有机发光层具有在所述第一电极的所述倾斜侧表面上最薄的厚度。
7.根据权利要求6所述的有机发光装置，其中所述第一电极的所述倾斜侧表面上的有机发光层的第一厚度比所述第一电极的所述凹部或所述凸部各自的底表面或顶表面上的有机发光层的第二厚度薄所述第二厚度的15％-50％。
8.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述有机发光层和所述第二电极布置成依循所述第一电极的顶表面的形状。
9.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一电极包括非晶金属氧化物。
10.根据权利要求9所述的有机发光装置，其中所述非晶金属氧化物包括选自由下述材料构成的组中的任意一种：氧化铟锌(IZO)、氧化锌锡(ZTO)、SnO2(氧化锡)、ZnO(氧化锌)、In2O3(氧化铟)、氧化镓铟锡(GITO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌铟锡(ZITO)、氧化铟镓(IGO)、Ga2O3(氧化镓)、氧化铝锌(AZO)和氧化镓锌(GZO)。
11.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述连接部是平坦的。
12.根据权利要求1所述的有机发光装置，进一步包括：
位于所述基板上的薄膜晶体管；
其中所述一个或多个绝缘层设置在所述薄膜晶体管上，以及
所述第一电极通过所述一个或多个绝缘层电连接至所述薄膜晶体管。
13.根据权利要求12所述的有机发光装置，进一步包括滤色器，所述滤色器设置在所述一个或多个绝缘层中以与所述有机发光层的至少一部分重叠。
14.根据权利要求12所述的有机发光装置，其中所述凹部的凹底部与所述一个或多个绝缘层接触。
15.根据权利要求12所述的有机发光装置，其中所述凹部的凹底部设置在所述一个或多个绝缘层上方且在所述凹部的凹底部与所述一个或多个绝缘层之间具有间隙。
16.根据权利要求12所述的有机发光装置，其中所述凹部的凹底部是平坦的。
17.根据权利要求12所述的有机发光装置，其中所述凹部的凹底部是尖头的，以与所述一个或多个绝缘层的表面形成角度。
18.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述凹部或所述凸部具有三维的锥形形状并且具有下述之一的剖面：圆形、半球形、半椭球形、正方形和六边形。
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