JP2010161084A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 駆動素子の経年駆動による閾値電圧の変化を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 画素30は、有機EL素子21を駆動させるための第1選択トランジスタと、第2選択トランジスタTr12と、発光駆動トランジスタTr13とを備える。これらのトランジスタの上に形成される層間絶縁膜35の上面の、スイッチング動作に寄与するトランジスタに対向する領域に遮光膜33を形成する。これにより、スイッチング動作を行うトランジスタには有機EL素子から発せられる光、外光等が入射しにくく、発光駆動トランジスタTr13にはこれらの光が入射する。この光の入射により、有機EL素子21の発光量に影響するトランジスタTr13の経年駆動による閾値電圧の変化を抑制する。
【選択図】 図4
【解決手段】 画素30は、有機EL素子21を駆動させるための第1選択トランジスタと、第2選択トランジスタTr12と、発光駆動トランジスタTr13とを備える。これらのトランジスタの上に形成される層間絶縁膜35の上面の、スイッチング動作に寄与するトランジスタに対向する領域に遮光膜33を形成する。これにより、スイッチング動作を行うトランジスタには有機EL素子から発せられる光、外光等が入射しにくく、発光駆動トランジスタTr13にはこれらの光が入射する。この光の入射により、有機EL素子21の発光量に影響するトランジスタTr13の経年駆動による閾値電圧の変化を抑制する。
【選択図】 図4
Description
本発明は、有機EL(electroluminescence)素子を用いた表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
近年、液晶表示装置(LCD)に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」と略記する)等の自発光素子を2次元配列した発光素子型の表示パネルを備えた表示装置の本格的な実用化、普及に向けた研究開発が盛んに行われている。
有機EL素子は、アノード電極と、カソード電極と、これらの電極間に形成された電子注入層、発光層、正孔注入層、等を備える。有機EL素子では、発光層において正孔注入層から供給された正孔と電子注入層から供給された電子とが再結合することによって発生するエネルギーによって発光する。また、このような有機EL素子は、特許文献1に開示されているように、表示装置として用いられており、例えばTFT(Thin Film Transistor)等によって駆動されている。
ところで、TFTでは、特にアモルファスシリコンTFTでは、駆動時間の経過とともにゲートの閾値電圧Vthがプラス電位側にシフトする現象が確認されている。有機EL素子の発光量は有機EL素子に流れる電流量によって定まるため、発光量を駆動素子に印加する電圧によって制御している場合は、閾値電圧の変化は特に発光量の制御のずれが生ずるという問題がある。
このため、経年変化による駆動素子の閾値電圧の変化を抑制することが可能な表示装置とその製造方法が求められている。
本発明は上述した実情に鑑みてなされたものであって、駆動素子の経年駆動による閾値電圧の変化を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の第1の観点に係る表示装置は、
基板上に形成され、前記発光素子に流れる電流を制御する駆動素子と、
前記駆動素子をスイッチングするスイッチング素子と、
前記基板上に形成され、第一電極と、前記第一電極と対向し、前記駆動素子及び前記スイッチング素子上にまで設けられた光反射性導電層を含む第二電極と、前記第一電極と前記第二電極の間に形成された発光層と、を備えた発光素子と、
前記スイッチング素子上のみにおいて、前記スイッチング素子と前記第二電極との間に形成された遮光膜と、
を備えることを特徴とする。
基板上に形成され、前記発光素子に流れる電流を制御する駆動素子と、
前記駆動素子をスイッチングするスイッチング素子と、
前記基板上に形成され、第一電極と、前記第一電極と対向し、前記駆動素子及び前記スイッチング素子上にまで設けられた光反射性導電層を含む第二電極と、前記第一電極と前記第二電極の間に形成された発光層と、を備えた発光素子と、
前記スイッチング素子上のみにおいて、前記スイッチング素子と前記第二電極との間に形成された遮光膜と、
を備えることを特徴とする。
前記駆動素子及び前記スイッチング素子は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタであってもよい。
前記遮光膜は、前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成されていてもよい。
前記遮光膜は、前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成された隔壁上に形成されていてもよい。
前記第二電極は、前記隔壁を覆うように形成されていてもよい。
前記遮光膜は、酸化クロム(III)、コバルト−鉄−クロム酸化物、アモルファスシリコンの少なくともいずれかから形成されていてもよい。
前記遮光膜は、前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成されていてもよい。
前記遮光膜は、前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成された隔壁上に形成されていてもよい。
前記第二電極は、前記隔壁を覆うように形成されていてもよい。
前記遮光膜は、酸化クロム(III)、コバルト−鉄−クロム酸化物、アモルファスシリコンの少なくともいずれかから形成されていてもよい。
上記目的を達成するため、本発明の第2の観点に係る表示装置の製造方法は、
第一電極と、光反射性導電層を含む第二電極と、前記第一電極と前記第二電極の間に形成された発光層と、を備える発光素子を有する表示装置の製造方法において、
基板上に、前記発光素子に流れる電流を制御する駆動素子と、前記駆動素子をスイッチングするスイッチング素子と、を形成する工程と、
前記駆動素子及び前記スイッチング素子上に絶縁膜を形成する工程と、
前記スイッチング素子に対応する位置のみにおいて、遮光膜を形成する工程と、
前記スイッチング素子との間に前記遮光膜が介在するように、前記第二電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とする。
第一電極と、光反射性導電層を含む第二電極と、前記第一電極と前記第二電極の間に形成された発光層と、を備える発光素子を有する表示装置の製造方法において、
基板上に、前記発光素子に流れる電流を制御する駆動素子と、前記駆動素子をスイッチングするスイッチング素子と、を形成する工程と、
前記駆動素子及び前記スイッチング素子上に絶縁膜を形成する工程と、
前記スイッチング素子に対応する位置のみにおいて、遮光膜を形成する工程と、
前記スイッチング素子との間に前記遮光膜が介在するように、前記第二電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とする。
前記駆動素子及び前記スイッチング素子は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタであってもよい。
前記遮光膜は、前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成されていてもよい。
前記遮光膜は、前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成された隔壁上に形成されていてもよい。
前記第二電極は、前記隔壁を覆うように形成されていてもよい。
前記遮光膜は、酸化クロム(III)、コバルト−鉄−クロム酸化物、アモルファスシリコンの少なくともいずれかから形成されていてもよい。
前記遮光膜は、前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成されていてもよい。
前記遮光膜は、前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成された隔壁上に形成されていてもよい。
前記第二電極は、前記隔壁を覆うように形成されていてもよい。
前記遮光膜は、酸化クロム(III)、コバルト−鉄−クロム酸化物、アモルファスシリコンの少なくともいずれかから形成されていてもよい。
本発明によれば、駆動素子の経年駆動による閾値電圧の変化を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。
本発明の各実施形態に係る表示装置及び表示装置の製造方法について図を用いて説明する。本実施形態では、ボトムエミッション型の有機EL(electroluminescence)素子を用いたアクティブ駆動方式の表示装置を中心に挙げて説明する。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態にかかる表示装置及び表示装置の製造方法について図を用いて説明する。
本発明の第1実施形態にかかる表示装置及び表示装置の製造方法について図を用いて説明する。
図1は本発明の実施形態にかかる表示装置の構成例を示す図である。また、図2は画素の駆動回路の等価回路図である。図3は、画素30の平面図であり、図4は図3に示すIV−IV線断面図である。
表示装置10では、画素基板31上にそれぞれ赤(R)、緑(G)、青(B)の3色に発する3つの画素30を一組として、この組が行方向(図1の左右方向)に繰り返し複数配列されるとともに、列方向(図1の上下方向)に同一色の画素が複数配列されている。RGBの各色を発する画素がマトリクス状に配列される。また、各画素30はRGBそれぞれの光を発する有機EL素子21と、有機EL素子をアクティブ動作させる画素回路DSとを備える。
画素回路DSは、第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12、発光駆動トランジスタTr13、キャパシタCs、有機EL素子21と、を備える。第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12、発光駆動トランジスタTr13は、それぞれアモルファスシリコンを有する半導体層を備える逆スタガ型のnチャネル型TFT(Thin Film Transistor)である。
それぞれ所定行に配列された複数の画素回路DSに接続された複数のアノードラインLaと、例えば接地電位等の電圧Vssが印加され、全ての画素に対して単一の電極層により形成されたカソードである対向電極40と、それぞれ所定列に配列された複数の画素回路に接続されたデータラインLdと、それぞれ所定行に配列された複数の画素回路のトランジスタTr11を選択する複数の走査ラインLsと、が形成されている。
図2及び図3に示すように、第1選択トランジスタTr11のゲート電極11gは走査ラインLsに接続されており、第1選択トランジスタTr11のドレイン電極11dはアノードラインLaに接続されている。コンタクト部44においてキャパシタ電極Cs1及び発光駆動トランジスタTr13のゲート電極13gが互いに接続されている。また、第1選択トランジスタTr11のソース電極11sは、コンタクト部43を介してキャパシタ電極Cs1と接続され、更にキャパシタ電極Cs1を介して発光駆動トランジスタTr13のゲート電極13gと接続される。なお、コンタクト部41〜43は、異なる層に形成された電極、配線等を上下に導通させるものであり、例えば絶縁膜32に厚さ方向に開口された開口部であり、この開口部で、第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12、発光駆動トランジスタTr13のゲート電極を形成するゲート導電層をパターニングしてなる下部接続部と、第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12、発光駆動トランジスタTr13のソース−ドレイン電極を形成するソース−ドレイン導電層をパターニングしてなる上部接続部とが接続されている。
また、第2選択トランジスタTr12のドレイン電極12dは、画素電極34を介して発光駆動トランジスタTr13のソース電極13sに接続されており、ソース電極12sは、コンタクト部41を介してデータラインLdに接続される。また、第2選択トランジスタTr12のゲート電極12gは、コンタクト部42を介して走査ラインLsと接続される。
発光駆動トランジスタTr13のドレイン電極13dはアノードラインLaに接続されており、発光駆動トランジスタTr13のゲート電極13gは、キャパシタ電極Cs1を介して第1選択トランジスタTr11のソース電極11sに接続されている。また、発光駆動トランジスタTr13のソース電極13sは、画素電極34に接続されている。
キャパシタCsは、キャパシタ電極Cs1と、画素電極34と、キャパシタ電極Cs1と画素電極34との間に介在する絶縁膜32によって構成される。
キャパシタCsは、キャパシタ電極Cs1と、画素電極34と、キャパシタ電極Cs1と画素電極34との間に介在する絶縁膜32によって構成される。
選択期間中の各画素30の書き込み動作では、走査ドライバ(図示せず)によって、各走査ラインLsに走査信号が順次出力され、各走査線ラインが順次選択される。選択する走査ラインLsにはオンレベル(ハイレベル)のVon電圧(接地電位より十分高い)が供給され、選択しない走査ラインLsにはローレベルのVoff電圧(接地電位より低い)が供給される。これにより、選択された走査ラインLsに接続された第1選択トランジスタTr11と、第2選択トランジスタTr12と、がオン状態となる。
選択期間中、電源ドライバ(図示せず)は、コントローラ(図示せず)から出力される制御信号に応じて各アノードライン(電源ライン)Laに順次電圧を出力する。各選択トランジスタを選択している選択期間はローレベルの第一電源電圧、例えばカソード電位Vssと同電位もしくはより低い電圧を印加する。また、選択期間後の非選択期間(発光期間)には電源ドライバは第一電源電圧より高電位のハイレベルの第二電源電圧をアノードラインLaに印加する。
選択期間には、データドライバ(図示せず)によって、有機EL素子21の発光の階調に対応する階調信号がデータラインLdに供給される。この階調信号にしたがって設定された、発光駆動トランジスタTr13のゲート電極13gとソース電極13sとの間の書込み電圧は、キャパシタCsによって保持され、非選択期間において、書込み電圧の電圧値に応じた階調電流が有機EL素子21に流れ、所望の階調に発光する。
この際、本実施形態のように有機EL素子21の発光の階調を設定する階調信号が、電圧値によって制御する電圧階調信号の場合、駆動ドライバであるTr13のゲート電極13g及びソース電極13s間の電圧は、電圧階調信号の電圧によって設定される。つまり、駆動ドライバであるTr13のゲート閾値電圧が経時劣化によって高電位側に変化してしまうと、データドライバがある電圧をデータラインLdに印加した際に駆動ドライバであるTr13のドレイン電極13d−ソース電極13sを流れる電流が減少する方向に変化し、有機EL素子21を所望の階調で発光させることが困難となる。従って、発光駆動トランジスタTr13の閾値電圧は初期値と大きく異ならないことが望ましい。
次に、有機EL素子21は、画素電極34と、正孔注入層36と、インターレイヤ37と、発光層38と、対向電極40と、を備える。正孔注入層36と、インターレイヤ37と、発光層38とが、電子や正孔がキャリアとなって輸送されるキャリア輸送層となる。キャリア輸送層は、列方向に配列された層間絶縁膜35及び隔壁39の間に配置されている。層間絶縁膜35は、例えば、窒化シリコン又は酸化シリコン等のように、有機EL素子21の発する光に対して透明な部材で形成されている。
第1選択トランジスタTr11の半導体層、第2選択トランジスタTr12の半導体層121のそれぞれに、発光層38等からの光が入射されること防止するための遮光膜33が、それぞれ第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12の上方に設けられている。また発光駆動トランジスタTr13には、遮光膜が設けられていないため、発光駆動トランジスタTr13の半導体層131には、発光層38等からの光が入射されやすい構造になっている。
各画素の画素基板31上には、ゲート導電層をパターニングしてなる第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12、発光駆動トランジスタTr13のゲート電極11g,12g,13gが形成されている。更に、各画素の画素基板31上には、キャパシタCsの一方の電極Cs1が形成され、各画素に隣接した画素基板31上には、ゲート導電層をパターニングしてなり、列方向に沿って延びるデータラインLdが形成されており、更にこれらを覆うように、ゲート絶縁膜やキャパシタの誘電体として機能する絶縁膜32が形成される。
有機EL素子21が画素基板31側から表示光を出射するボトムエミッション型である場合、キャパシタ電極Cs1及び画素電極34はITO等の透明電極となり、コンタクト部44において発光駆動トランジスタTr13のゲート電極13gがキャパシタ電極Cs1と重なるように形成されている。また有機EL素子21が対向電極40側から表示光を出射するトップエミッション型である場合、対向電極40はITO等の透明電極となるが、キャパシタ電極Cs1は透明である必要がないので、キャパシタ電極Cs1はゲート導電層をパターニングすることによって発光駆動トランジスタTr13のゲート電極13gと一括して且つ一体的に形成することができる。ゲート導電層は、フォトリソグラフィによって一括してパターニングすることができるので、トップエミッション型であれば、これらの部材の製造工程を簡略化することができる。
絶縁膜32は、絶縁性材料、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等から形成され、データラインLdと、ゲート電極12g,13gと、キャパシタ電極Cs1と、を覆うように画素基板31上に形成される。
第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12、発光駆動トランジスタTr13は、それぞれnチャネル型の薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)である。それぞれのトランジスタは図4に示すように画素基板31上に形成される。図4に示すように、第2選択トランジスタTr12は、半導体層121と、保護絶縁膜122と、ドレイン電極12dと、ソース電極12sと、オーミックコンタクト層124,125と、ゲート電極12gと、を備える。また、発光駆動トランジスタTr13は、半導体層131と、保護絶縁膜132と、ドレイン電極13dと、ソース電極13sと、オーミックコンタクト層134,135と、ゲート電極13gと、を備える。なお、図示は省略しているが、第1選択トランジスタTr11も第2選択トランジスタTr12と同様の構成となっている。図3及び図4に示すように、層間絶縁膜35上の第1選択トランジスタTr11と、第2選択トランジスタTr12とに対向する領域には、不透明の遮光膜33が形成されている。保護絶縁膜122,132及び第1選択トランジスタTr11の保護絶縁膜は、例えば、窒化シリコン又は酸化シリコン等のように、有機EL素子21の発する光に対して透明な部材で形成されている。
各トランジスタTr11,Tr12,Tr13において、ゲート電極は、例えば、例えば、Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al積層膜、AlTi合金膜又はAlNdTi合金膜、MoNb合金膜等からなる不透明なゲート導電層から形成される。ゲート導電層によって形成された第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12、発光駆動トランジスタTr13のゲート電極11g,12g,13gは、有機EL素子21の発する光に対して不透明であるので、第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12、発光駆動トランジスタTr13の下側から各半導体層に向かって進入してくる光を遮光することができる。また、ドレイン電極、ソース電極はそれぞれ例えばアルミニウム−チタン(AlTi)/Cr、AlNdTi/CrまたはCr等のソース−ドレイン導電層から形成されている。ソース−ドレイン導電層によって形成された、第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12、発光駆動トランジスタTr13のソース電極11s,12s,13s及びドレイン電極11d,12d,13dは、有機EL素子21の発する光に対して不透明であるので、これらの上方から進入する光を直下に入射することを防止できるが、ソース電極11s及びドレイン電極11d間、ソース電極12s及びドレイン電極12d間、及びソース電極13s及びドレイン電極13d間には、それぞれ透明な保護絶縁膜や層間絶縁膜35が形成されているだけなので、上方から第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12、発光駆動トランジスタTr13の半導体層の半導体層のチャネルが形成される領域に入射されてしまう構造になっている。また、ドレイン電極及びソース電極と半導体層との間にはそれぞれ低抵抗性接触のため、オーミックコンタクト層が形成される。
画素電極(アノード電極)34は、透光性を備える導電材料、例えばITO(Indium Tin Oxide)、ZnO等から構成される。各画素電極34は隣接する他の画素30の画素電極34と層間絶縁膜35によって絶縁されている。
層間絶縁膜35は、画素電極34間に形成され、隣接する画素電極34間を絶縁する。また、層間絶縁膜35はトランジスタTr11,Tr12,Tr13、走査ラインLs、アノードラインLa等を覆うように形成される。層間絶縁膜35及び絶縁膜42には平面形状が略方形の開口部35aが形成されており、この開口部35aによって画素30の発光領域が画される。更に隔壁39には列方向(図7の上下方向)に延びる溝状の開口部39bが複数の画素30にわたって形成されている。遮光膜33は層間絶縁膜35と隔壁39との間に形成されている。
遮光膜33は、層間絶縁膜35上に形成されており、有機EL素子21から発せられる光や、表示装置10の外部から入射される外光が、第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12のそれぞれの半導体層のチャネルが形成される領域に入ることを抑制する。このため、遮光膜33は所定の遮光性能を有する材料から形成され、例えば酸化クロム(III)、コバルト−鉄−クロム酸化物、アモルファスシリコン等の少なくともいずれかから形成される。
なお、本実施形態では図3に示すように、遮光膜33はスイッチング動作を行う第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12上のみに形成され、駆動トランジスタTr13上には遮光膜は形成されていない。特にアモルファスシリコンを用いたTFTでは、詳細に後述するように駆動時間の増加に伴いゲート閾値電圧がプラス側にシフトする作用が生じる。しかし、光を照射した状況でアモルファスシリコンTFTを連続駆動させると、閾値電圧はマイナス側にシフトする作用が生じる。この現象を利用し、閾値電圧の変化による影響を大きく受ける発光駆動トランジスタTr13には光が入り込むようにし、経年駆動による閾値電圧のプラス方向へのシフト分を、光によってマイナス方向へシフト分で相殺させることにより、閾値電圧を初期状態に近い状態を維持することができる。また、スイッチング動作を行うトランジスタTr11、Tr12では光の照射によってリーク電流が発生し、これにより発光の制御が不安定化するため、光は入らない方が好ましい。更にトランジスタの大きさが、Tr13と比較して小さいため経年駆動による閾値電圧の変化の影響が、Tr13と比較して小さい。このため、本実施形態ではスイッチング動作を行うTr11,Tr12のみに遮光膜を形成している。
隔壁39は、絶縁材料、例えばポリイミド等の感光性樹脂を硬化してなり、遮光膜33及び層間絶縁膜35上に形成される。隔壁39は、図3に示すようにストライプ状に形成されており、開口部39bを備える。隔壁39は、製造工程中、画素電極34上に形成されるR(赤)の画素30の発光層38となる材料を含有液、G(緑)の画素30の発光層38となる材料を含有液、B(青)の画素30の発光層38となる材料を含有液が、行方向に隣接する互いに異なる色を発する画素30に流出しないように仕切っており、発光層38の混色を防止する。なお、隔壁39の平面形状は、これに限られず格子状であってもよい。
正孔注入層36は、画素電極34上に形成され、発光層38に正孔を供給する機能を有する。正孔注入層36は正孔(ホール)注入、輸送が可能な有機高分子系の材料から構成される。また、有機高分子系のホール注入・輸送材料を含む有機化合物含有液としては、例えば導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)とドーパントであるポリスチレンスルホン酸(PSS)を水系溶媒に分散させた分散液であるPEDOT/PSS水溶液を用いる。
インターレイヤ37は正孔注入層36上に形成される。インターレイヤ37は、正孔注入層36の正孔注入性を抑制して発光層38内において電子と正孔とを再結合させやすくする機能を有し、発光層38の発光効率を高めるために設けられている。
発光層38は、インターレイヤ37上に形成されている。発光層38は、アノード電極とカソード電極との間に電圧を印加することにより光を発生する機能を有する。発光層38は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む赤(R)、緑(G)、青(B)色の発光材料から構成される。また、これらの発光材料は、適宜水系溶媒あるいはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解(又は分散)した溶液(分散液)をノズルコート法やインクジェット法等により塗布し、溶媒を揮発させることによって形成する。
また、対向電極(カソード電極)40は、ボトムエミッション型の場合、発光層38側に設けられ、導電材料、例えばLi,Mg,Ca,Ba等の仕事関数の低い材料からなる層と、Al等の光反射性導電層を有する積層構造であり、トップエミッション型の場合、発光層38側に設けられ、10nm程度の膜厚の極薄い例えばLi,Mg,Ca,Ba等の仕事関数の低い材料からなる光透過性低仕事関数層と、100nm〜200nm程度の膜厚のITO等の光反射性導電層を有する透明積層構造である。本実施形態では、対向電極40は複数の画素30に跨って形成される単一の電極層から構成され、例えば接地電位である共通電圧Vssが印加されている。
図18(a)、図18(b)は、画素30の駆動を示す等価回路図である。
次に、上述のように構成されているi行目の画素30の動作及び表示装置10の動作について、図19のタイミングチャートを用いて説明する。図19において、TSEの期間が選択期間であり、TNSEの期間が非選択期間であり、TSCの期間が一走査期間である。なお、TSC=TSE+TNSEとなっている。
次に、上述のように構成されているi行目の画素30の動作及び表示装置10の動作について、図19のタイミングチャートを用いて説明する。図19において、TSEの期間が選択期間であり、TNSEの期間が非選択期間であり、TSCの期間が一走査期間である。なお、TSC=TSE+TNSEとなっている。
制御回路から出力される制御信号群に従って走査ドライバは、1行目の走査ラインLsからm行目の走査ラインLs(mは2以上の自然数)へと順次ハイレベル(オンレベルON)のパルスを出力する。また、制御回路から出力される制御信号群に従って電源ドライバは、1行目のアノードラインLaからm行目のアノードラインLaへと順次ローレベルLのパルスを出力する。
ここで、図19に示すように、各行では、走査ラインLsのオンレベルONのパルスが出力されるタイミングは、アノードラインLaのローレベルLのパルスが出力タイミングに同期しており、走査ラインLsのオンレベルONのパルスとアノードラインLaのローレベルLのパルスの時間的長さはほぼ同じである。走査ラインLsのオンレベルONのパルス及びアノードラインLaのローレベルLのパルスが出力されている期間が、その行の選択期間TSEである。また、各行の選択期間TSE中にデータドライバが、制御回路から出力される制御信号群に従って全列のデータラインLdにシンク電流(つまり、データドライバに向かった電流)を発生する。ここで、データドライバは、制御回路が受けた画像データに従った電流値で各列のj列目のデータラインLdにシンク電流を流す。
各画素30の電流の流れ及び電圧の印加について詳細に説明する。i行目の選択期間TSEの開始時刻t1では、走査ドライバからi行目の走査ラインLsにハイレベル(オンレベルON)のパルスが出力されだして、時刻t1〜時刻t2の選択期間TSEの間i行目の走査ラインLsには第1選択トランジスタTr11及び第2選択トランジスタTr12がオン状態となるようなレベルの走査信号電圧がi行目の走査ラインLsに印加される。更に、i行目の選択期間TSEの開始時刻t1では、電源ドライバからi行目のアノードラインLaにローレベルLのパルス信号が出力されだして、選択期間TSEの間アノードラインLaには基準電位Vssと等電位或いはそれより低い電源信号電圧が印加される。更に、選択期間TSEに、データドライバは、制御回路が受けた画像データに従って、所定電流値のシンク電流を流す。
このため、選択期間TSEでは、第1選択トランジスタTr11はオンして、ドレインからソースに電流が流れ、発光駆動トランジスタTr13のゲート及びコンデンサ13の一端に電圧が印加されて、発光駆動トランジスタTr13がオンする。更に、選択期間TSEでは、第2選択トランジスタTr12がオンして、電圧値が電源信号電圧V以下で且つ基準電圧Vss以下のデータドライバによる電流制御のためのシンク電流が各列のデータラインLdに流れるので、発光駆動トランジスタTr13のソース電極13sの電位がドレイン電極13dの電位より低くなる。
発光駆動トランジスタTr13のゲート電極13gの電位はドレイン電極13dの電位と等しいので、発光駆動トランジスタTr13のゲート−ソース間に電位差が生じ、データラインLdには、それぞれデータドライバで指定された電圧に従った電流値(つまり、画像データに従った電流値)のシンク電流Iが矢印Kに示す方向に流れる。なお、選択期間TSEでは、アノードラインLaの電源信号電圧が基準電圧H以下であるため、有機EL素子21のアノードの電位はカソードの電位より低くなり、有機EL素子21には逆バイアス電圧が印加されていることになる。そのため、有機EL素子21にはアノードラインLaからの電流が流れない。
このとき各画素30のコンデンサ13の両端は、データドライバにより制御された階調信号に基づいて発光駆動トランジスタTr13のドレイン13d−ソース電極13sを流れる電流の電流値に従った電圧になる。すなわち、各画素30のコンデンサ13には、各画素30の発光駆動トランジスタTr13にそれぞれ階調信号にしたがった電流Iを流れさせるような各発光駆動トランジスタTr13のゲート−ソース間の電位差を生じさせる電荷がチャージされる。
ここで、発光駆動トランジスタTr13からj列目のデータラインLdまでの配線等の任意の点での電位は、第2選択トランジスタTr12〜発光駆動トランジスタTr13の経時的に変化する内部抵抗等により異なる。しかしながら、データドライバの階調信号が階調に応じた電流値の電流信号の場合、第2選択トランジスタTr12〜発光駆動トランジスタTr13の抵抗が高抵抗化することで発光駆動トランジスタTr13のゲート−ソース間の電位が変化しても矢印Kに示す方向に流れる電流の所定の階調の電流値は変わることがない。
選択期間TSEの終了時刻t2には、走査ドライバからi行目の走査ラインLsに出力されるパルスがオンレベルONからオフレベルOFFに切り替わり、電源ドライバからアノードラインLaに出力されるローレベルLからハイレベルHに切り替わる。従い、この終了時刻t1から次の選択期間TSEの開始時刻t1までの非選択期間TNSE中では、i行目の走査ラインLsに第1選択トランジスタTr11のゲート及び第2選択トランジスタTr12のゲートにオフレベルOFF(ローレベル)の走査信号電圧VXiが印加されるとともに、アノードラインLaに印加される電源信号電圧は基準電位Vss及び選択期間TSEに出力された電位ローレベルLより十分高いハイレベルの電源電圧Hである。
このため、図18(b)に示すように、非選択期間TNSEでは、非選択状態の行の第2選択トランジスタTr12がオフ状態になり、第2選択トランジスタTr12に電流が流れない。更に、非選択期間TNSEでは、第1選択トランジスタTr11がオフ状態になり、コンデンサ13は、その一端及び他端によりチャージされた電荷を保持し続けて、発光駆動トランジスタTr13はオン状態を維持し続ける。つまり、非選択期間TNSEとこの非選択期間TNSEの前の選択期間TSEとでは、発光駆動トランジスタTr13のゲート−ソース間電圧値VGSが等しい。そのため、非選択期間TNSEでも、発光駆動トランジスタTr13は画像データに従った電流値の電流を流し続けて、非選択期間TNSEの電流値はこの非選択期間TNSEの前の選択期間TSEの電流値に等しい。非選択期間TNSEの間、発光駆動トランジスタTr13を流れる電流は有機EL素子21に流れて、有機EL素子21が流れる電流の電流値にしたがった輝度で発光する。このように階調信号に従った輝度階調で有機EL素子21は発光する。
i行目の走査ラインLsの選択期間TSEが終了すると、引き続き(i+1)行目の走査ラインLsの選択期間TSEが開始され、i行目の走査ラインLsと同様に走査ドライバ、電源ドライバ、データドライバ及び制御回路が動作する。このように、全走査ラインLsの選択期間が順次終了した後、再び走査ラインLsの選択期間TSEが開始する。このように一走査期間TSC中に各画素が発光する発光期間TEMは実質的に非選択期間TNSEに相当する。
次に、本実施形態にかかるボトムエミッション型の表示装置の製造方法について図5〜図7を用いて説明する。なお、第1選択トランジスタTr11は、第2選択トランジスタTr12と実質的に同一構造であり、第2選択トランジスタTr12と同一工程により形成されるので以下においてその説明を省略する。
まず、ガラス基板等からなる画素基板31を用意する。画素基板31上に、スパッタ法、真空蒸着法等によりITO等の透明導電膜を堆積後、フォトリソグラフィによってキャパシタ電極Cs1をパターン形成する。次にこの画素基板31上に、スパッタ法、真空蒸着法等により例えば、Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al積層膜、AlTi合金膜又はAlNdTi合金膜、MoNb合金膜等からなるゲート導電膜を形成し、これを図5(a)に示すようにトランジスタTr12及びTr13のゲート電極12g,13g、及びデータラインLdの形状にパターニングする。このとき、発光駆動トランジスタTr13のゲート電極13g及び第1選択トランジスタTr11のソース電極11sはそれぞれコンタクト部44,43において、キャパシタ電極Cs1の一部と重なるように形成されるが、キャパシタ電極Cs1となるITO等の透明金属酸化物はAlとの接触抵抗が高いので、ゲート導電膜は、ITO等の透明金属酸化物との接触抵抗の比較的低いMo膜やMoNb合金膜が好ましい。なお、トップエミッション型の場合、キャパシタ電極Cs1は、ゲート導電膜をパターニングすることによって発光駆動トランジスタTr13のゲート電極13g及び第1選択トランジスタTr11のソース電極11sと一体的に形成されるので、上述した材料の制約がない。
続いて、図5(b)に示すようにCVD(Chemical Vapor Deposition)法等によりゲート電極12g,13g、キャパシタ電極Cs1、及びデータラインLd上に絶縁膜32を形成する。
次に絶縁膜32上に、CVD法等によりトランジスタTr12及びTr13の半導体層121,131を形成する。更にトランジスタTr12及びTr13の半導体層121,131の上面に保護絶縁膜122,132、アモルファスシリコンにn型不純物が含まれたオーミックコンタクト層124,125,134,135を図5(b)に示すように形成する。
次に、スパッタ法、真空蒸着法等により絶縁膜32上に、ITO等の透明導電膜、或いは光反射性導電膜及びITO等の透明導電膜を被膜後、フォトリソグラフィによってパターニングして画素電極34を形成する。続いて、絶縁膜32に貫通孔であるコンタクト部41〜43を形成してから、ソース−ドレイン導電膜をスパッタ法、真空蒸着法等により被膜して、フォトリソグラフィによってパターニングして図3、図5(b)に示すようにドレイン電極12d、13d及びソース電極12s,13s、走査ラインLs、アノードラインLaを形成する。このとき、発光駆動トランジスタTr13のソース電極13s及び第2選択トランジスタTr12のドレイン電極12dはそれぞれ画素電極34の一部と重なるように形成される。なお、コンタクト部41〜43とともに、各走査ラインLsの接続端子部及び各データラインLdの接続端子部をそれぞれ露出するコンタクトホールを絶縁膜32に形成してもよい。また、画素電極34となる導電膜を、これらコンタクトホール及びコンタクト部41〜43を形成後に堆積してから、フォトリソグラフィによってパターニングすれば、画素電極34が形成されるとともに、コンタクトホール及びコンタクト部41〜43において、ゲート導電膜とソース−ドレイン導電膜との間に画素電極34となる導電膜を介在する三層構造の接続部を形成することができる。
続いて、図5(c)に示すようにトランジスタTr12,Tr13等を覆うようにシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜35をCVD法等により形成する。スパッタ法、真空蒸着法等により、層間絶縁膜35上の第1選択トランジスタTr11を覆う領域及び第2選択トランジスタTr12を覆う領域を含む画素基板31全体に遮光性の膜を堆積し、フォトリソグラフィによってパターニングしてこれらの領域に選択的に遮光膜33を形成する。また、発光駆動トランジスタTr13を覆う領域には遮光膜33が形成されていない。そして、層間絶縁膜35にフォトリソグラフィにより開口部35aを形成する。
次に、感光性ポリイミドを層間絶縁膜35及び遮光膜33を覆うように塗布し、隔壁39の形状に対応するマスクを介して露光、現像することによってパターニングし、図6(a)に示すように隔壁39を形成する。なお、遮光膜33が導電性の場合、第1選択トランジスタTr11や第2選択トランジスタTr12との間の容量結合やバックゲート効果が発生するため、層間絶縁膜35の直上ではなく、隔壁39直上に形成されることが好ましい。
続いて、正孔注入材料を含む有機化合物含有液を、連続して流すノズルプリンティング装置あるいは個々に独立した複数の液滴として吐出するインクジェット装置によって開口部35aで囲まれた画素電極34上に選択的に塗布する。続いて、画素基板31を大気雰囲気下で加熱し有機化合物含有液の溶媒を揮発させて、正孔注入層36を形成する。有機化合物含有液は加熱雰囲気で塗布されてもよい。
続いて、ノズルプリンティング装置またはインクジェット装置を用いてインターレイヤ37となる材料を含有する有機化合物含有液を正孔注入層36上に塗布する。窒素雰囲気中の加熱乾燥、或いは真空中での加熱乾燥を行い、残留溶媒の除去を行ってインターレイヤ37を形成する。有機化合物含有液は加熱雰囲気で塗布されてもよい。
次に、発光ポリマー材料(R,G,B)を含有する有機化合物含有液を、同様にノズルプリンティング装置またはインクジェット装置により塗布して窒素雰囲気中で加熱して残留溶媒の除去を行い、発光層38を形成する。有機化合物含有液は加熱雰囲気で塗布されてもよい。
発光層38まで形成した画素基板31に真空蒸着やスパッタリングで、Li,Mg,Ca,Ba等の仕事関数の低い材料からなる層と、Al等の光反射性導電層からなる2層構造の対向電極40を形成する。トップエミッション型の場合、対向電極40は、10nm程度の膜厚の極薄い例えばLi,Mg,Ca,Ba等の仕事関数の低い材料からなる光透過性低仕事関数層と、その上に形成された100nm〜200nm程度の膜厚のITO等の光反射性導電層を有する透明積層構造となる。
次に、複数の画素30が形成された表示領域の外側において、画素基板31上に紫外線硬化樹脂、又は熱硬化樹脂からなる封止樹脂を塗布し、画素基板31と封止基板とを貼り合わせる。次に紫外線もしくは熱によって封止樹脂を硬化させて画素基板31と封止基板とを接合する。
以上の工程により、図6(b)に示すように表示装置10が製造される。
以上の工程により、図6(b)に示すように表示装置10が製造される。
本実施形態では、スイッチング動作を行う第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12上に遮光膜33を形成し、駆動動作を行う駆動トランジスタTr13には遮光膜を形成しないことにより、図7に示すように、駆動トランジスタTr13にのみ、有機EL素子21から発せられた光、外光が入射し、第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12にはこれらの光が入射しにくくすることが可能である。
図8は、初期状態のアモルファスシリコンTFTにおいて、光が入射されない環境下でドレイン−ソース間に10Vの電圧を印加したときのゲート電圧Vgに対するドレイン−ソース間電流Idと、光が入射されず70℃、50時間、ドレイン−ソース間に5Vの電圧をduty100%で印加してドレイン−ソース間電流Idを2.5μA流し続けた連続駆動後のアモルファスシリコンTFTにおいて、光が入射されない環境下でドレイン−ソース間に10Vの電圧を印加したときのゲート電圧Vgに対するドレイン−ソース間電流Idと、を示したグラフである。初期状態のアモルファスシリコンTFTに比べて連続駆動後のアモルファスシリコンTFTでは、ゲート閾値電圧がプラス方向にシフトしている。つまり光を照射しない環境下で電流を流し続けたアモルファスシリコンTFTゲート閾値電圧がプラス方向にシフトすることを意味する。
次に、アモルファスシリコンを用いたnチャネルトランジスタを光を照射した状態で連続駆動させた場合の閾値電圧の変化を図9に示す。図9は、初期状態のアモルファスシリコンTFTにおいて、光が入射されない環境下でドレイン−ソース間に10Vの電圧を印加したときのゲート電圧Vgに対するドレイン−ソース間電流Idと、2500lxの光が入射された環境下で、70℃、72時間、ドレイン−ソース間電圧を0Vとし、duty比1/240で±15Vのゲート電圧を印加し続けた連続駆動後のアモルファスシリコンTFTにおいて、光が入射されない環境下でドレイン−ソース間に10Vの電圧を印加したときのゲート電圧Vgに対するドレイン−ソース間電流Idと、を示したグラフである。初期状態のアモルファスシリコンTFTに比べて連続駆動後のアモルファスシリコンTFTでは、ゲート閾値電圧がマイナス方向にシフトしている。つまりゲートにゲート電圧Vgを印加した状態で光を連続照射すると、アモルファスシリコンTFTゲート閾値電圧がマイナス方向にシフトすることを意味する。
本実施形態の発光駆動トランジスタTr13は、有機EL素子21の発光を制御するトランジスタであり、このトランジスタの閾値電圧の変化は、表示装置の発光量に特に大きく影響する。また、特に電圧階調信号で有機EL素子の発光量が制御されている場合、この影響が大きい。本実施形態では、図8及び図9に示す現象を利用し、閾値電圧の変化による影響を大きく受ける発光駆動トランジスタTr13には光が入り込むようにし、経年駆動による閾値電圧のプラス方向へのシフト分を、光の入射によってマイナス方向へシフトさせ、相殺させることにより、閾値電圧を初期状態に近い或いは同等の状態を維持することができる。このように本実施形態では、閾値電圧の変化を抑制することによりができれば、経年駆動による、発光量制御の変化を抑制することもできる。
一方、スイッチングを行う第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12は、光が照射されると、オフ時のリーク電流が上昇する問題がある。例えば第1選択トランジスタTr1が十分オフしないと、キャパシタCsに電荷が蓄積されてキャパシタCsの電圧が高くなり、発光駆動トランジスタTr13を流れる電流が初期状態での電流と異なってしまい、有機EL素子21の発光輝度が変調してしまう恐れがある。特に、黒表示(無発光)の階調信号を供給したにもかかわらず、発光駆動トランジスタTr13のゲート電極13gが上昇してしまい、有機EL素子21が発光してしまう恐れがあり、コントラスト比を小さくしてしまう。
また、非選択期間TNSE中に第2選択トランジスタTr12が十分オフされないと、非選択期間TNSE中に有機EL素子21に流れるべき電流の一部が第2選択トランジスタTr12を介してデータラインLdに流れ、当該有機EL素子21が正常な輝度で発光しないばかりか、そのときに選択期間TSEであった当該データラインLdに接続された画素30のキャパシタCsに蓄積される電荷が所望の値にならなくなってしまう。
このため、これらのスイッチング動作を行うトランジスタについては、光の入射を抑制する方が好ましい。また、これらのトランジスタはサイズも発光駆動トランジスタTr13と比較してサイズが小さく、経年駆動による閾値電圧の変化の影響がTr13と比較して小さいため問題はない。
このため、これらのスイッチング動作を行うトランジスタについては、光の入射を抑制する方が好ましい。また、これらのトランジスタはサイズも発光駆動トランジスタTr13と比較してサイズが小さく、経年駆動による閾値電圧の変化の影響がTr13と比較して小さいため問題はない。
このように本実施形態の表示装置及び表示装置の製造方法によれば、スイッチング動作を行うトランジスタ上にのみ遮光膜を形成し、発光駆動トランジスタ上には光が入り込むようにすることにより、駆動素子の経年駆動による閾値電圧の変化を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態に係る表示装置及び表示装置の製造方法を図を用いて説明する。本実施形態の表示装置が上述した第1実施形態と異なるのは、本実施形態では有機EL素子に遮光膜が形成されておらず隔壁の上面に凹部が形成されている点にある。第1実施形態と共通する部分については同一の引用番号を付し詳細な説明を省略する。
本発明の第2実施形態に係る表示装置及び表示装置の製造方法を図を用いて説明する。本実施形態の表示装置が上述した第1実施形態と異なるのは、本実施形態では有機EL素子に遮光膜が形成されておらず隔壁の上面に凹部が形成されている点にある。第1実施形態と共通する部分については同一の引用番号を付し詳細な説明を省略する。
また、図10に本実施形態の表示装置の断面図を示す。図10は第1実施形態の図3のIV−IV線断面図に相当する。
本実施形態の表示装置10は、第1実施形態と同様に画素基板31上に赤(R)、緑(G)、青(B)の3色の画素50を一組として、この組が行方向(図1の左右方向)に繰り返し複数配列されるとともに、列方向(図1の上下方向)に同一色の画素が複数配列されている。各画素50はRGBそれぞれの光を発する有機EL素子22と、有機EL素子をアクティブ動作させる画素回路DSとを備える。
画素回路DSは、第1実施形態と同様に第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12、発光駆動トランジスタTr13、キャパシタCs、有機EL素子22と、を備える。
有機EL素子22は、第1実施形態と同様に画素電極34と、隔壁51と、層間絶縁膜35と、正孔注入層36と、インターレイヤ37と、発光層38と、対向電極40と、を備える。
本実施形態で、隔壁51は、絶縁材料、例えば感光性ポリイミド等から形成される。隔壁51は、第1実施形態と同様にストライプ状に形成され、開口部51bを備える。更に隔壁51は、第1選択トランジスタTr11と、第2選択トランジスタTr12と対向する領域において、凹部51aが形成され、発光駆動トランジスタTr13と対向する領域において、凹部51aが形成されていない。凹部51aは、その断面形状が例えば略三角形状であり、上方から平面視した形状が例えば方形のように、四角錐形状の空洞となるようにえぐられている。また、隔壁51の上面には仕事関数の低いLi,Mg,Ba,Ca等からなる金属層と、アルミニウム等からなる反射性の高い金属層との2層からなる対向電極40が形成される。凹部51aを形成することにより、これにより、図11に模式的に示すように有機EL素子から発せられる光や外光は、凹部51aの面で乱反射して拡散するため、凹部51aが形成された直下の領域に入射される光の量を抑制することが可能である。入射された光が反射しやすいように凹部51aの傾斜角が45度±15度であることが好ましい。なお、凹部51aの形状は、四角錐に限らず、円錐でもよい。
次に、本実施形態の表示装置10の製造方法を図12及び図13を用いて説明する。
まず、上述した第1実施形態の表示装置10の製造方法と同様に画素基板31上に、トランジスタTr11〜Tr13、画素電極34、層間絶縁膜35等を形成する。
次に、図12(a)に示すように、例えば感光性材料、例えばポジ型の感光性ポリイミド等の未硬化の樹脂81を画素基板31上に塗布する。続いて、図12(b)に示すようにマスク80を介して、露光を行う。この際、有機EL素子22の形成領域に対応した開口部80aを有するマスク80に更に、凹部51aを形成する領域に対応して形成された網目状のスリット80bが形成されている。このようにマスクにスリット80bを設け、更にスリット80bの開口幅を適宜調節することにより、ポリイミドが露光する量を調節することができ、凹部51aの深さを適宜調節することが可能である。なお、ネガ型の感光性材料を用いた場合は、マスクの開口部、スリットはネガ型の場合とは反転する。この後、現像、焼成を行い図13(a)に示すように隔壁51を形成する。
次に、隔壁51上に、第1実施形態と同様に正孔注入層36、インターレイヤ37、発光層38、及び対向電極40を形成する。続いて、紫外線硬化樹脂、又は熱硬化樹脂からなる封止樹脂を塗布し、画素基板31と封止基板とを貼り合わせる。次に紫外線もしくは熱によって封止樹脂を硬化させて画素基板31と封止基板とを接合する。
以上の工程により、図13(b)に示すように表示装置10が製造される。
以上の工程により、図13(b)に示すように表示装置10が製造される。
このように本実施形態では、隔壁51の上面に凹部51aを形成することによって、発光駆動トランジスタTr13には有機EL素子22から発せられる光、外光等が入射し、スイッチング動作を行う第1選択トランジスタTr11、第2選択トランジスタTr12には入射しにくくすることができる。これにより、閾値電圧の変化による影響を大きく受ける発光駆動トランジスタTr13には光が入り込むようにし、経年駆動による閾値電圧のプラス方向へのシフトを、光によってマイナス方向へシフトさせ、相殺させることにより、閾値電圧を初期状態に近い状態を維持することができる。
特に本実施形態では、隔壁51を形成する際に、感光性材料を用い、マスクにスリット等を設けることによって凹部51aを同時に形成する。このため、トランジスタTr11,Tr12に入射する光を抑制する凹部51aを、特に工程を増加させることなく形成することができ、製造コストを増加させない。
このように本実施形態の表示装置及び表示装置の製造方法によれば、駆動素子の経年駆動による閾値電圧の変化を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。
(第3実施形態)
本発明の第3の実施形態にかかる表示装置を図を用いて説明する。
本実施形態の表示装置が上述した第1実施形態と異なるのは、第1実施形態では画素駆動回路が3つのトランジスタを備える場合を例に説明したが、本実施形態では画素の画素回路DS2は2つのトランジスタを備える点にある。第1実施形態と共通する特徴については同一の引用番号を付し、詳細な説明を省略する。
本発明の第3の実施形態にかかる表示装置を図を用いて説明する。
本実施形態の表示装置が上述した第1実施形態と異なるのは、第1実施形態では画素駆動回路が3つのトランジスタを備える場合を例に説明したが、本実施形態では画素の画素回路DS2は2つのトランジスタを備える点にある。第1実施形態と共通する特徴については同一の引用番号を付し、詳細な説明を省略する。
本実施形態の画素回路DS2を図14に示す。また、本実施形態の画素60の平面図を図15に示し、図15に示すXVI−XVI線断面図を図16に示す。なお、図16では遮光膜33の位置を明確とするため、選択トランジスタTr21のゲート電極21gが形成された領域の断面図を示している。このため、図16では、選択トランジスタTr21の半導体層211とゲート電極21gのみが図示されているが、選択トランジスタTr21、発光駆動トランジスタTr22の構造は上述した第1実施形態と同様である。
図14に示すように、本実施形態の画素回路DS2は、選択トランジスタTr21と発光駆動トランジスタTr22とキャパシタCsと有機EL素子23とを備える。トランジスタTr21のゲート端子は走査ラインLsに、ドレイン端子がデータラインLdに、ソース端子が接点N11にそれぞれ接続される。また、トランジスタTr22のゲート端子は接点N11に接続されており、ドレイン端子はアノードラインLaに、ソース端子は接点N12にそれぞれ接続されている。キャパシタCsは、トランジスタTr12のゲート端子及びソース端子に接続されている。なお、キャパシタCsは、トランジスタTr12のゲート−ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくはこれらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。また、有機EL素子23は、アノード端子(アノード電極)が接点N12に接続され、カソード端子(カソード電極)がカソードライン(共通電圧ライン)に接続されている。
また、有機EL素子23は、画素電極34と、遮光膜33と、層間絶縁膜35と、正孔注入層36と、インターレイヤ37と、発光層38と、隔壁39と、対向電極40と、を備える。
本実施形態では、画素回路DS2に示すように選択トランジスタTr21がスイッチング動作を行う。このため、図15及び図16に示すように、選択トランジスタTr21上に遮光膜33を形成し、駆動トランジスタTr22上には遮光膜33を形成しない。これにより、実施形態1と同様にスイッチング動作を行うトランジスタTr21上にのみ遮光膜33を形成し、発光駆動トランジスタTr21上には光が入り込むようにすることにより、駆動素子の経年駆動による閾値電圧の変化を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。
(第4実施形態)
本実施形態が上述した各実施形態と異なるのは、本実施形態では上述した第3実施形態と同様に画素を駆動する回路が1つの選択トランジスタと1つの発光駆動トランジスタとの2つのトランジスタを備える点と、層間絶縁膜上に遮光膜が形成されておらず隔壁の上面に凹部が形成されている点にある。上述した実施形態と共通する部分については同一の引用番号を付し詳細な説明を省略する。
本実施形態が上述した各実施形態と異なるのは、本実施形態では上述した第3実施形態と同様に画素を駆動する回路が1つの選択トランジスタと1つの発光駆動トランジスタとの2つのトランジスタを備える点と、層間絶縁膜上に遮光膜が形成されておらず隔壁の上面に凹部が形成されている点にある。上述した実施形態と共通する部分については同一の引用番号を付し詳細な説明を省略する。
本実施形態の画素70を図17に示す。なお、本実施形態の画素70と第3実施形態の画素60とは遮光膜又は凹部が形成されている点を除き、平面形状がほぼ同じであり、図17は上述した第3実施形態の図15のXVI−XVI線断面図に相当する。図17でも凹部の位置を明確とするため、選択トランジスタTr21のゲート電極21gが形成された領域の断面図を示している。このため、図17では、選択トランジスタTr21の半導体層211とゲート電極21gのみが図示されているが、選択トランジスタTr21、発光駆動トランジスタTr22の構造は上述した第1実施形態と同様である。
上述した第3実施形態と同様に有機EL素子24と、画素の画素回路DS2を備える。また、有機EL素子24は、画素電極34と、層間絶縁膜35と、正孔注入層36と、インターレイヤ37と、発光層38と、隔壁51と、対向電極40と、を備える。
本実施形態の有機EL素子24では、図17に示すように、隔壁52の上面の選択トランジスタTr21と対向する領域に凹部52aが形成される。この凹部52aによって、第2実施形態の図11に示すように、有機EL素子24から発せられた光、外光は凹部51aによって反射し、凹部51aの直下に形成された選択トランジスタTr21にこれらの光が入射することを抑制することができる。一方、発光駆動トランジスタTr22の上には凹部51aが形成されていないため、これらの光が入射する。これにより、上述したように閾値電圧の変化を抑制することが可能となる。
本発明は上述した実施形態に限られず様々な変形及び応用が可能である。
例えば、上述した各実施形態では電圧階調信号によって画素を駆動する構成を例に挙げて説明したが、これに限られず電流量を調節することによって有機EL素子の発光量を制御する書き込み信号であってもよい。電流書き込み信号でも、閾値電圧の上昇を抑えることが出来れば、閾値電圧のずれを抑制し、正常に動作させることが可能になる点、有機EL素子に流す電流量を減少させることができる点から有用である。
例えば、上述した各実施形態では電圧階調信号によって画素を駆動する構成を例に挙げて説明したが、これに限られず電流量を調節することによって有機EL素子の発光量を制御する書き込み信号であってもよい。電流書き込み信号でも、閾値電圧の上昇を抑えることが出来れば、閾値電圧のずれを抑制し、正常に動作させることが可能になる点、有機EL素子に流す電流量を減少させることができる点から有用である。
また、上述した実施形態ではボトムエミッション型の有機EL素子を例に挙げて説明したが、これに限られずトップエミッション型の有機EL素子に用いることも可能である。
また、上述した各実施形態では、例えば図3に示すようにスイッチング動作を行うトランジスタと対向し、これらのトランジスタとほぼ同じ面積を備える領域に遮光膜又は凹部を形成する例を挙げて説明したが、これに限られない。良好に発光駆動トランジスタに光が入射し、スイッチング動作を行うトランジスタへの光の入射を抑制することができればスイッチング動作を行うトランジスタの面積より大きく形成されても、小さく形成されてもよい。また、遮光膜の平面形状も方形に限られず、円形であっても、多角形であってもよく、任意に形成することが可能である。
10・・・表示装置、30,50,60,70・・・画素、21,22,23,24・・・有機EL素子、31・・・画素基板、32・・・絶縁膜、33・・・遮光膜、34・・・画素電極、35・・・層間絶縁膜、36・・・正孔注入層、37・・・インターレイヤ、38・・・発光層、39,51・・・隔壁、40・・・対向電極、51a・・・凹部、Cs・・・キャパシタ、La・・・アノードライン、Lc・・・接続配線、Ld・・・データライン、Ls・・・走査ライン、Tr11・・・第1選択トランジスタ、Tr12・・・第2選択トランジスタ、Tr13・・・発光駆動トランジスタ
Claims (12)
- 基板上に形成され、前記発光素子に流れる電流を制御する駆動素子と、
前記駆動素子をスイッチングするスイッチング素子と、
前記基板上に形成され、第一電極と、前記第一電極と対向し、前記駆動素子及び前記スイッチング素子上にまで設けられた光反射性導電層を含む第二電極と、前記第一電極と前記第二電極の間に形成された発光層と、を備えた発光素子と、
前記スイッチング素子上のみにおいて、前記スイッチング素子と前記第二電極との間に形成された遮光膜と、
を備えることを特徴とする表示装置。 - 前記駆動素子及び前記スイッチング素子は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記遮光膜は、前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の表示装置。
- 前記遮光膜は、前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成された隔壁上に形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の表示装置。
- 前記第二電極は、前記隔壁を覆うように形成されることを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
- 前記遮光膜は、酸化クロム(III)、コバルト−鉄−クロム酸化物、アモルファスシリコンの少なくともいずれかから形成されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の表示装置。
- 第一電極と、光反射性導電層を含む第二電極と、前記第一電極と前記第二電極の間に形成された発光層と、を備える発光素子を有する表示装置の製造方法において、
基板上に、前記発光素子に流れる電流を制御する駆動素子と、前記駆動素子をスイッチングするスイッチング素子と、を形成する工程と、
前記駆動素子及び前記スイッチング素子上に絶縁膜を形成する工程と、
前記スイッチング素子に対応する位置のみにおいて、遮光膜を形成する工程と、
前記スイッチング素子との間に前記遮光膜が介在するように、前記第二電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記駆動素子及び前記スイッチング素子は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項7に記載の表示装置の製造方法。
- 前記遮光膜は、前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項7又は8に記載の表示装置の製造方法。
- 前記遮光膜は、前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成された隔壁上に形成されることを特徴とする請求項7又は8に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第二電極は、前記隔壁を覆うように形成されることを特徴とする請求項10に記載の表示装置の製造方法。
- 前記遮光膜は、酸化クロム(III)、コバルト−鉄−クロム酸化物、アモルファスシリコンの少なくともいずれかから形成されることを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101800885B1 (ko) | 2010-11-05 | 2017-12-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
CN111584578A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-08-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种双面显示面板及其制备方法 |
CN114746928A (zh) * | 2019-12-03 | 2022-07-12 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
WO2024065591A1 (zh) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000172199A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2002353465A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-12-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 低誘電率絶縁膜を使用する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP2004134356A (ja) * | 2002-05-24 | 2004-04-30 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
WO2004093500A1 (ja) * | 2003-04-15 | 2004-10-28 | Fujitsu Limited | 有機el表示装置 |
JP2004362938A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
JP2005099317A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Sharp Corp | 表示装置 |
WO2005107327A1 (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 発光ディスプレイ |
JP2006140145A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
JP2006285128A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示装置及びそれを備えた電子機器 |
JP2007101713A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
JP2007109868A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2007114726A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2007227275A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Hitachi Displays Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2008053700A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
JP2009238456A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Casio Comput Co Ltd | エレクトロルミネッセンスパネル |
JP2009244370A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-04-02 JP JP2010086375A patent/JP2010161084A/ja active Pending
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000172199A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2002353465A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-12-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 低誘電率絶縁膜を使用する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP2004134356A (ja) * | 2002-05-24 | 2004-04-30 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
WO2004093500A1 (ja) * | 2003-04-15 | 2004-10-28 | Fujitsu Limited | 有機el表示装置 |
JP2004362938A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
JP2005099317A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Sharp Corp | 表示装置 |
WO2005107327A1 (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 発光ディスプレイ |
JP2006140145A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
JP2006285128A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示装置及びそれを備えた電子機器 |
JP2007114726A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2007101713A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
JP2007109868A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2007227275A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Hitachi Displays Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2008053700A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
JP2009238456A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Casio Comput Co Ltd | エレクトロルミネッセンスパネル |
JP2009244370A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101800885B1 (ko) | 2010-11-05 | 2017-12-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
CN114746928A (zh) * | 2019-12-03 | 2022-07-12 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
CN114746928B (zh) * | 2019-12-03 | 2023-12-15 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
CN111584578A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-08-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种双面显示面板及其制备方法 |
WO2024065591A1 (zh) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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