CN111584578A - 一种双面显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种双面显示面板及其制备方法,双面显示面板的显示区定义有发光区和围绕所述发光区的非发光区;双面显示面板包括基板,及位于基板上且对应非发光区设置的薄膜晶体管,以及位于基板上且对应发光区设置的第一发光单元和第二发光单元;第一发光单元和第二发光单元的其中之一为顶发光结构,另一个为底发光结构;其中,一个第一发光单元和一个第二发光单元对应连接至同一薄膜晶体管,第一发光单元和第二发光单元同步显示。本申请通过一张背板实现双面同步显示,能够减轻双面显示面板的整体厚度、简化工艺过程,进而节约制造成本。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种双面显示面板及其制备方法。
背景技术
OLED(organic light emitting diode,有机发光二极管)显示器具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、对比度高、宽视角、使用温度范围广,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示器。
然而目前,关于OLED双面显示背板技术报道较少,其中主要是两张array背板背靠背贴合后各自显示,这种设计需要两个独立的OLED面板,导致显示器的厚度较厚、结构和工艺较为复杂,制作成本较高,不符合消费者期望的轻薄与高性价比的要求。
发明内容
本申请提供了一种阵列基板及显示面板,用以解决现有技术中,由于采用两个独立的OLED背板进行贴合,来实现双面显示,导致双面显示面板的厚度较厚、结构和工艺复杂等技术问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
一种双面显示面板,所述双面显示面板的显示区定义有发光区和围绕所述发光区的非发光区;
所述双面显示面板包括基板,及位于所述基板上且对应所述非发光区设置的薄膜晶体管,以及位于所述基板上且对应所述发光区设置的第一发光单元和第二发光单元;
所述第一发光单元和所述第二发光单元的其中之一为顶发光结构,另一个为底发光结构;
其中,一个所述第一发光单元和一个所述第二发光单元对应连接至同一所述薄膜晶体管,所述第一发光单元和所述第二发光单元同步显示。
本申请的双面显示面板中,所述双面显示面板还包括:
电极层,设置于所述基板上方;
反射层,设置于所述电极层上方;
缓冲层,设置于所述反射层上方;
薄膜晶体管层,设置于所述缓冲层上方,所述薄膜晶体管层包括有源层、栅极绝缘层、栅极以及源/漏极;
发光器件层,设置于所述缓冲层上方,所述发光器件层位于所述发光区,所述发光器件层包括阳极、发光层以及阴极;
其中,所述有源层与所述阳极同层且间隔设置;所述栅极和所述源/漏极同层且间隔设置。
本申请的双面显示面板中,所述第一发光单元和所述第二发光单元共用一个所述阳极,所述第一发光单元和所述第二发光单元显示同一颜色。
本申请的双面显示面板中,所述电极层包括对应所述薄膜晶体管的有源层设置的第一电极、对应所述阳极设置的第二电极、以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的第三电极。
本申请的双面显示面板中,所述反射层包括对应所述非发光区设置的第一反射电极、对应所述发光区设置的第二反射电极、以及位于所述第一反射电极与所述第二反射电极之间的第三反射电极。
本申请的双面显示面板中,所述第一反射电极在所述基板上的正投影完全覆盖所述第一电极;
所述第二反射电极在所述基板上的正投影位于所述第二电极内,且所述第一发光单元在所述基板上的正投影位于所述第二反射电极内,或者所述第二发光单元在所述基板上的正投影位于所述第二反射电极内;
所述第三反射电极在所述基板上的正投影完全覆盖所述第三电极。
本申请的双面显示面板中,其特征在于,所述源极与所述第三反射电极电连接。
本申请的双面显示面板中,所述源极与所述阳极电连接,所述电极层为透明材料。
本申请的双面显示面板中,所述双面显示面板还包括存储电容,所述存储电容包括相对设置的所述第二电极和所述阳极。
本申请还提供一种双面显示面板的制备方法,所述双面显示面板包括对应显示区定义的发光区和围绕所述发光区的非发光区,所述发光区包括同层且间隔设置的第一发光单元和第二发光单元,所述制备方法包括:
步骤S10:提供一基板,在所述基板上形成电极层和反射层;
步骤S20:对所述电极层和反射层图案化处理,形成位于所述非发光区的第一电极、位于所述发光区的第二电极,以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的第三电极;同时形成位于所述第一电极上方的第一反射电极、位于所述第二电极上方的第二反射电极,以及位于所述第三电极上方的第三反射电极;
步骤S30:在所述反射层上依次形成缓冲层和金属层,对所述金属层图案化处理,形成位于所述非发光区且与所述第一电极对应的有源层,以及位于所述发光区且与所述第二电极对应的金属膜层;
步骤S40:在所述有源层和所述金属膜层上方形成栅极绝缘层,对所述栅极绝缘层图案化处理,形成位于所述有源层上方的过孔,以及将所述金属膜层部分暴露的开孔;
步骤S50:对所述有源层和所述金属膜层同时进行导体化处理,形成位于所述过孔位置的导体化有源层,以及位于所述开孔位置的阳极;
步骤S60:在所述栅极绝缘层上方依次形成栅极、源/漏极以及像素定义层;
步骤S70:在所述阳极上形成发光层和阴极。
有益效果:本申请通过将电极层与反射层利用一张光罩制成,节约制造成本;将位于发光区下方的电极层和导体化的铟镓锌氧化物作为存储电容的两极,能够减轻双面显示面板的整体厚度;反射层中第一反射电极起到遮光效果,第二反射电极起到反射效果,可以简化工艺过程;同时使一个第一发光单元和一个第二发光单元对应连接至同一薄膜晶体管,从而实现一张背板实现双面同步显示。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其他有益效果显而易见。
图1为本申请实施例所提供的双面显示面板的结构示意图;
图2为本申请实施例所提供的双面显示面板的制备方法的步骤流程图;
图3A~图3J为本申请实施例所提供的双面显示面板的制备过程中的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
现有技术中,双面显示面板,其中主要是两张array背板,背靠背贴合后,各自显示,这种设计需要两个独立的OLED面板,导致显示器的厚度较厚、结构和工艺较为复杂,制作成本较高,不符合消费者期望的轻薄与高性价比的要求。基于此,本申请提供了一种双面显示面板及其制备方法,能够解决上述缺陷。
本申请提供一种双面显示面板,所述双面显示面板的显示区定义有发光区和围绕所述发光区的非发光区。
在本申请中,所述双面显示面板包括基板,及位于所述基板上且对应所述非发光区设置的薄膜晶体管,以及位于所述基板上且对应所述发光区设置的第一发光单元和第二发光单元。
所述第一发光单元和所述第二发光单元的其中之一为顶发光结构,另一个为底发光结构,本申请对此不做限制。
其中,一个所述第一发光单元和一个所述第二发光单元对应连接至同一所述薄膜晶体管,所述第一发光单元和所述第二发光单元同步显示。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图1,本申请实施例所提供的双面显示面板的结构示意图。
在本实施例中,所述双面显示面板的显示区定义有发光区100和围绕所述发光区100的非发光区200。
在本实施例中,所述双面显示面板包括基板10、位于所述基板上方的电极层20、位于所述电极层20上方的反射层30、位于所述反射层30上方的缓冲层40、位于所述缓冲层40上方的薄膜晶体管层50、以及位于所述缓冲层40上方的发光器件层60。
其中,所述双面显示面板还包括位于所述基板10上且对应所述发光区100设置的第一发光单元300和第二发光单元400。
在本实施例中,所述第一发光单元300和所述第二发光单元400的其中之一为顶发光结构,另一个为底发光结构,
进一步的,所述第一发光单元300为顶发光结构,所述第二发光单元400为底发光结构。
需要注意的是,所述第一发光单元300为顶发光结构,所述第二发光单元400为底发光结构,只用于举例说明,本实施例对此不做限制。
在本实施例中,所述衬底10可以为玻璃基板,也可以为其他的透明材料。
在本实施例中,所述电极层20的材料为透明材料。
在本实施例中,所述反射层30的材料包括但不限于铜、铝以及金等反射型金属,本实施例对此不做限制。
在本实施例中,所述薄膜晶体管层50对应所述非发光区200设置,所述薄膜晶体管层50包括有源层51、栅极绝缘层52、栅极53以及源/漏极54。
所述有源层51的材料为铟镓锌氧化物。
所述栅极53和所述源/漏极54的材料包括但不限于铝、钼、钛、铜及其合金等金属。
在本实施例中,所述栅极53和所述源/漏极54同层且间隔设置。
在本实施例中,所述发光器件层60设置于所述发光区100,所述发光器件层60包括层叠设置的阳极61、发光层62以及阴极63。
其中,所述有源层51与所述阳极61同层且间隔设置。
在本实施例中,所述第一发光单元300和所述第二发光单元400共用一个所述阳极61,,所述第一发光单元300和所述第二发光单元400显示同一颜色。
在本实施例中,所述发光层62包括位于所述第一发光单元300中的第一发光层621,以及位于所述第二发光单元400中的第二发光层622。
所述第一发光层621与所述第二发光层622同层且间隔设置。
在本实施例中,所述电极层20包括对应所述薄膜晶体管层50的有源层51设置的第一电极21、对应所述阳极61设置的第二电极22、以及位于所述第一电极21与所述第二电极22之间的第三电极23。
所述第一电极21对应所述非发光区200设置;所述第二电极22对应所述发光区100设置;所述第三电极23对应所述非发光区200设置。
在本实施例中,所述反射层30包括对应所述非发光区200设置的第一反射电极31、对应所述发光区100设置的第二反射电极32、以及位于所述第一反射电极31与所述第二反射电极32之间的第三反射电极33。
在本实施例中,所述第一反射电极31在所述基板10上的正投影完全覆盖所述第一电极21。
所述第一反射电极31正对于所述薄膜晶体管层50的下方设置,用于遮挡底部光线,避免底部的光线照射到所述薄膜晶体管层50上,对所述薄膜晶体管层50照成影响。
在本实施例中,所述第二反射电极32正对于所述第一发光单元300的下方设置。
所述第二反射电极32在所述基板10上的正投影位于所述第二电极22内,且所述第一发光单元300在所述基板10上的正投影位于所述第二反射电极22内。
所述第二反射电极32正对于所述第一发光层621的下方设置,用于反射所述第一发光单元300中所述第一发光层621漏出的光线,提高发光效率。
在本实施例中,所述第三反射电极33在所述基板10上的正投影完全覆盖所述第三电极33。
所述第三反射电极33正对于所述源极的下方设置,用于遮挡底部光线,避免底部的光线照射到所述源极上,对所述源极照成影响。
在本实施例中,所述双面显示面板还包括存储电容80,所述存储电容80对应于所述第二发光单元400设置,所述存储电容80设置于所述发光层62与所述基板10之间,且设置于所述第二发光层621的正下方。
所述存储电容80包括相对设置的所述第二电极22和所述阳极61。
在本实施例中,所述缓冲层30上设置有第一过孔,所述栅极绝缘层52上设置有多个第二过孔。
其中,所述第一过孔与一个所述第二过孔相互连通,用以裸露出所述第三反射电极33的部分表面。
所述第二过孔用以裸露出所述有源层53的两端表面,以及用以裸露出所述阳极61的部分表面。
所述第一过孔和所述第二过孔通过同一道光罩工艺同时制成。
在本实施例中,所述源极通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第三反射电极33电连接;所述源极通过所述第二过孔与所述阳极61电连接。
所述源/漏极54通过所述第二过孔与所述有源层53电连接。
在本实施例中,一个所述第一发光单元300和一个所述第二发光单元300对应连接至同一所述薄膜晶体管,第一发光单元300和第二发光单元400同步显示。
在本实施例中,所述阳极61的上方设置有像素定义层70,所述像素定义层70上设置有多个开孔,用以裸露出所述阳极61的部分表面,所述第一发光层621以及所述第二发光层622位于所述开孔中,且与所述阳极61相接触。
请参阅图2,本申请实施例所提供的双面显示面板的制备方法的步骤流程图。
在本实施例中,所述双面显示面板包括对应显示区定义的发光区100和围绕所述发光区100的非发光区200,所述发光区100包括同层且间隔设置的第一发光单元300和第二发光单元400。
所述第一发光单元300和所述第二发光单元400的其中之一为顶发光结构,另一个为底发光结构,本实施例对此不做限制。
进一步的,在本实施例中,所述第一发光单元300为顶发光结构,所述第二发光单元400为底发光结构。
所述双面显示面板的制备方法包括:
步骤S10:提供一基板10,在所述基板10上形成电极层20和反射层30,如图3A所示。
所述衬底10可以为玻璃基板、也可以为其他的透明材料。
所述电极层20的材料为透明材料。
所述反射层30的材料包括但不限于铜、铝以及金等反射型金属,本实施例对此不做限制。
步骤S20:对所述电极层20和反射层30图案化处理,形成位于所述非发光区200的第一电极21、位于所述发光区100的第二电极22,以及位于所述第一电极21和所述第二电极22之间的第三电极23;同时形成位于所述第一电极21上方的第一反射电极31、位于所述第二电极22上方的第二反射电极32,以及位于所述第三电极23上方的第三反射电极33,如图3C所示。
如图3B所示,在所述S20之前,先在所述反射层30上涂布光刻胶90,利用第一半色调掩模版对所述电极层20和反射层30进行曝光、显影、刻蚀后,剥离所述光刻胶90,形成图案化的第一电极21、第二电极22、第三电极23、第一反射电极31、第二反射电极32以及第三反射电极33。
所述第一反射电极31在所述基板10上的正投影完全覆盖所述第一电极21;所述第二反射电极32正对于所述第一发单元300的下方设置;所述第三反射电极33在所述基板10上的正投影完全覆盖所述第三电极33。
步骤S30:在所述反射层30上依次形成缓冲层40和金属层,对所述金属层图案化处理,形成位于所述非发光区200且与所述第一电极21对应的有源层51,以及位于所述发光区100且与所述第二电极22对应的金属膜层110,如图3D所示。
所述金属层的材料为铟镓锌氧化物,也可为其他氧化材料。
步骤S40:在所述有源层51和所述金属膜层110上方形成栅极绝缘层52,对所述栅极绝缘层52图案化处理,形成位于所述有源层51上方的过孔,以及将所述金属膜层110部分暴露的开孔,如图3F所示。
如图3E所示,步骤S40包括:
步骤S41:在所述有源层51和所述金属膜层110上方涂布栅极绝缘层材料,利用第二半色调掩模版对所述栅极绝缘层材料进行图案化处理,形成栅极绝缘层52。
步骤S42:在所述栅极绝缘层52上涂布光刻胶90,对所述栅极绝缘层52和所述缓冲层40进行挖孔处理后,剥离所述光刻胶90,形成位于所述第三反射电极32上方和所述有源层51上方的过孔,以及将所述金属膜层110部分暴露的开孔。
步骤S50:对所述有源层51和所述金属膜层100同时进行导体化处理,形成暴露于所述过孔的导体化有源层511,以及暴露于所述开孔的阳极61,如图3G所示。
在本实施例中,所述有源层51与所述阳极61同层且间隔设置。
所述第一发光单元300和所述第二发光单元400共用一个所述阳极61。
在本实施例中所述第二电极22和所述阳极61形成存储电容80。
步骤S60:在所述栅极绝缘层52上方依次形成栅极53、源/漏极54以及像素定义层70,如图3H所示。
所述栅极53和所述源/漏极54的材料包括但不限于铝、钼、钛、铜及其合金等金属。
所述栅极53和所述源/漏极54同层且间隔设置。
在本实施例中,所述有源层51、所述栅极绝缘层52、所述栅极53和所述源/漏极54构成一个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管位于薄膜晶体管层50。
所述薄膜晶体管层50对应所述非发光区200设置。
在本实施例中,所述第一反射电极31正对于所述薄膜晶体管层50的下方设置,用于遮挡底部光线,避免底部的光线照射到所述薄膜晶体管层50上,对所述薄膜晶体管层50照成影响。
所述第三反射电极33正对于所述源极的下方设置,用于遮挡底部光线,避免底部的光线照射到所述源极上,对所述源极照成影响。
步骤S70:在所述阳极61上依次形成发光层62和阴极63。
在本实施例中,所述发光层62包括位于所述第一发光单元300中的第一发光层621,以及位于所述第二发光单元400中的第二发光层622,如图3J所示。
在本实施例中,所述第二反射电极32正对于所述第一发光层621的下方设置,用于反射所述第一发光单元300中所述第一发光层621漏出的光线,提高发光效率。
如图3I所示,在步骤S70之前,对所述像素定义层70进行图案化处理,形成位于所述阳极61上方的过孔。
所述第一发光层621和所述第二发光层622位于所述过孔中,且与所述阳极61相接触。
在本实施例中,所述第二反射电极32正对于所述第一发光层621的下方设置,用于反射所述第一发光单元300中所述第一发光层621漏出的光线,提高发光效率。
在本实施例中,所述存储电容80对应于所述第二发光单元400设置,所述存储电容80设置于所述发光层62与所述基板10之间,且设置于所述第二发光层621的正下方。
本实施例通过将电极层20与反射层30利用一张光罩制成,节约制造成本;将位于所述发光区300下方的所述第二电极22和所述阳极61作为存储电容80的两极,能够减轻双面显示面板的整体厚度;所述反射层30中的所述第一反射电极31起到遮光效果,所述第二反射电极32起到反射效果,可以简化工艺过程;同时使一个所述第一发光单元300和一个所述第二发光单元400对应连接至同一所述薄膜晶体管,从而使一张背板实现双面同步显示。
本申请提供一种双面显示面板及其制备方法,双面显示面板的显示区定义有发光区和围绕所述发光区的非发光区;所述双面显示面板包括基板,及位于所述基板上且对应所述非发光区设置的薄膜晶体管,以及位于所述基板上且对应所述发光区设置的第一发光单元和第二发光单元;所述第一发光单元和所述第二发光单元的其中之一为顶发光结构,另一个为底发光结构;其中,一个所述第一发光单元和一个所述第二发光单元对应连接至同一所述薄膜晶体管,所述第一发光单元和所述第二发光单元同步显示。
本申请通过一张背板实现双面同步显示,能够减轻双面显示面板的整体厚度、简化工艺过程,进而节约制造成本。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种双面显示面板及其制备方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种双面显示面板,其特征在于,所述双面显示面板的显示区定义有发光区和围绕所述发光区的非发光区;
所述双面显示面板包括基板,及位于所述基板上且对应所述非发光区设置的薄膜晶体管,以及位于所述基板上且对应所述发光区设置的第一发光单元和第二发光单元;
所述第一发光单元和所述第二发光单元的其中之一为顶发光结构,另一个为底发光结构;
其中,一个所述第一发光单元和一个所述第二发光单元对应连接至同一所述薄膜晶体管,所述第一发光单元和所述第二发光单元同步显示。
2.如权利要求1所述的双面显示面板,其特征在于,所述双面显示面板还包括:
电极层,设置于所述基板上方;
反射层,设置于所述电极层上方;
缓冲层,设置于所述反射层上方;
薄膜晶体管层,设置于所述缓冲层上方,所述薄膜晶体管层包括有源层、栅极绝缘层、栅极以及源/漏极;
发光器件层,设置于所述缓冲层上方,所述发光器件层位于所述发光区,所述发光器件层包括阳极、发光层以及阴极;
其中,所述有源层与所述阳极同层且间隔设置;所述栅极和所述源/漏极同层且间隔设置。
3.如权利要求2所述的双面显示面板,其特征在于,所述第一发光单元和所述第二发光单元共用一个所述阳极,所述第一发光单元和所述第二发光单元显示同一颜色。
4.如权利要求2所述的双面显示面板,其特征在于,所述电极层包括对应所述薄膜晶体管的有源层设置的第一电极、对应所述阳极设置的第二电极、以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的第三电极。
5.如权利要求4所述的双面显示面板,其特征在于,所述反射层包括对应所述非发光区设置的第一反射电极、对应所述发光区设置的第二反射电极、以及位于所述第一反射电极与所述第二反射电极之间的第三反射电极。
6.如权利要求5所述的双面显示面板,其特征在于,所述第一反射电极在所述基板上的正投影完全覆盖所述第一电极;
所述第二反射电极在所述基板上的正投影位于所述第二电极内,且所述第一发光单元在所述基板上的正投影位于所述第二反射电极内,或者所述第二发光单元在所述基板上的正投影位于所述第二反射电极内;
所述第三反射电极在所述基板上的正投影完全覆盖所述第三电极。
7.如权利要求6所述的双面显示面板,其特征在于,所述源极与所述第三反射电极电连接。
8.如权利要求7所述的双面显示面板,其特征在于,所述源极与所述阳极电连接,所述电极层为透明材料。
9.如权利要求4所述的双面显示面板,其特征在于,所述双面显示面板还包括存储电容,所述存储电容包括相对设置的所述第二电极和所述阳极。
10.一种双面显示面板的制备方法,其特征在于,所述双面显示面板包括对应显示区定义的发光区和围绕所述发光区的非发光区,所述制备方法包括:
步骤S10:提供一基板,在所述基板上形成电极层和反射层;
步骤S20:对所述电极层和反射层图案化处理,形成位于所述非发光区的第一电极、位于所述发光区的第二电极,以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的第三电极;同时形成位于所述第一电极上方的第一反射电极、位于所述第二电极上方的第二反射电极,以及位于所述第三电极上方的第三反射电极;
步骤S30:在所述反射层上依次形成缓冲层和金属层,对所述金属层图案化处理,形成位于所述非发光区且与所述第一电极对应的有源层,以及位于所述发光区且与所述第二电极对应的金属膜层;
步骤S40:在所述有源层和所述金属膜层上方形成栅极绝缘层,对所述栅极绝缘层图案化处理,形成位于所述有源层上方的过孔,以及将所述金属膜层部分暴露的开孔;
步骤S50:对所述有源层和所述金属膜层同时进行导体化处理,形成位于所述过孔位置的导体化有源层,以及位于所述开孔位置的阳极;
步骤S60:在所述栅极绝缘层上方依次形成栅极、源/漏极以及像素定义层;
步骤S70:在所述阳极上依次形成发光层和阴极。
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