JP2009244370A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents
表示装置及び表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009244370A JP2009244370A JP2008088331A JP2008088331A JP2009244370A JP 2009244370 A JP2009244370 A JP 2009244370A JP 2008088331 A JP2008088331 A JP 2008088331A JP 2008088331 A JP2008088331 A JP 2008088331A JP 2009244370 A JP2009244370 A JP 2009244370A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display device
- light
- insulating film
- transistor
- switching element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 142
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 6
- CAARBUDWSNYEKG-UHFFFAOYSA-N chromium(3+) cobalt(2+) iron(2+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cr+3].[Co+2].[Fe+2] CAARBUDWSNYEKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 35
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 21
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 85
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 32
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 3
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N prehnitene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 235000015067 sauces Nutrition 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】画素30は、有機EL素子21を駆動させるための第1選択トランジスタと、第2選択トランジスタTr12と、発光駆動トランジスタTr13とを備える。これらのトランジスタの上に形成される層間絶縁膜35の上面の、スイッチング動作に寄与するトランジスタに対向する領域に遮光膜33を形成する。これにより、スイッチング動作を行うトランジスタには有機EL素子から発せられる光、外光等が入射しにくく、発光駆動トランジスタTr13にはこれらの光が入射する。この光の入射により、有機EL素子21の発光量に影響するトランジスタTr13の経年駆動による閾値電圧の変化を抑制する。
【選択図】図4
Description
基板上に形成された発光素子と、
前記基板上に形成され、前記発光素子に流れる電流を制御する駆動素子と、
前記駆動素子をスイッチングするスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に選択的に形成された遮光膜と、
を備えることを特徴とする。
基板上に、発光素子に流れる電流を制御する駆動素子と、前記駆動素子をスイッチングするスイッチング素子とを形成する工程と、
前記駆動素子及び前記スイッチング素子上に絶縁膜を形成する工程と、
前記スイッチング素子に対向する位置に選択的に遮光膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする。
基板上に形成された発光素子と、
基板上に形成され、前記発光素子に流れる電流を制御する駆動素子と、
前記駆動素子をスイッチングするスイッチング素子と、
前記駆動素子及び前記スイッチング素子を覆い、前記スイッチング素子と対向する領域に選択的に凹部が形成された絶縁膜と、
備えることを特徴とする。
前記隔壁を覆うように形成され、反射性を備える導電材料から形成された対向電極をさらに備えてもよい。
基板上に、発光素子に流れる電流を制御する駆動素子と、前記駆動素子をスイッチングするスイッチング素子とを形成する工程と、
前記駆動素子及び前記スイッチング素子上に絶縁膜を形成する工程と、
前記スイッチング素子に対応する前記絶縁膜上に選択的に凹部を形成する工程と、
を備えることを特徴とする。
前記凹部に対応する領域の感光性樹脂に入射される光の量と、前記凹部以外の領域の感光性樹脂に入射される光の量と、は互いに異なるようにしてもよい。
本発明の第1実施形態にかかる表示装置及び表示装置の製造方法について図を用いて説明する。
キャパシタCsは、キャパシタ電極Cs1と、画素電極34と、キャパシタ電極Cs1と画素電極34との間に介在する絶縁膜32によって構成される。
次に、上述のように構成されているi行目の画素30の動作及び表示装置10の動作について、図19のタイミングチャートを用いて説明する。図19において、TSEの期間が選択期間であり、TNSEの期間が非選択期間であり、TSCの期間が一走査期間である。なお、TSC=TSE+TNSEとなっている。
以上の工程により、図6(b)に示すように表示装置10が製造される。
このため、これらのスイッチング動作を行うトランジスタについては、光の入射を抑制する方が好ましい。また、これらのトランジスタはサイズも発光駆動トランジスタTr13と比較してサイズが小さく、経年駆動による閾値電圧の変化の影響がTr13と比較して小さいため問題はない。
本発明の第2実施形態に係る表示装置及び表示装置の製造方法を図を用いて説明する。本実施形態の表示装置が上述した第1実施形態と異なるのは、本実施形態では有機EL素子に遮光膜が形成されておらず隔壁の上面に凹部が形成されている点にある。第1実施形態と共通する部分については同一の引用番号を付し詳細な説明を省略する。
以上の工程により、図13(b)に示すように表示装置10が製造される。
本発明の第3の実施形態にかかる表示装置を図を用いて説明する。
本実施形態の表示装置が上述した第1実施形態と異なるのは、第1実施形態では画素駆動回路が3つのトランジスタを備える場合を例に説明したが、本実施形態では画素の画素回路DS2は2つのトランジスタを備える点にある。第1実施形態と共通する特徴については同一の引用番号を付し、詳細な説明を省略する。
本実施形態が上述した各実施形態と異なるのは、本実施形態では上述した第3実施形態と同様に画素を駆動する回路が1つの選択トランジスタと1つの発光駆動トランジスタとの2つのトランジスタを備える点と、層間絶縁膜上に遮光膜が形成されておらず隔壁の上面に凹部が形成されている点にある。上述した実施形態と共通する部分については同一の引用番号を付し詳細な説明を省略する。
例えば、上述した各実施形態では電圧階調信号によって画素を駆動する構成を例に挙げて説明したが、これに限られず電流量を調節することによって有機EL素子の発光量を制御する書き込み信号であってもよい。電流書き込み信号でも、閾値電圧の上昇を抑えることが出来れば、閾値電圧のずれを抑制し、正常に動作させることが可能になる点、有機EL素子に流す電流量を減少させることができる点から有用である。
Claims (17)
- 基板上に形成された発光素子と、
前記基板上に形成され、前記発光素子に流れる電流を制御する駆動素子と、
前記駆動素子をスイッチングするスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に選択的に形成された遮光膜と、
を備えることを特徴とする表示装置。 - 前記駆動素子及び前記スイッチング素子は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記遮光膜は、前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の表示装置。
- 前記遮光膜は、前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成された隔壁上に形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の表示装置。
- 前記隔壁を覆うように形成され、反射性を備える導電材料から形成された対向電極をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
- 前記遮光膜は、酸化クロム(III)、コバルト−鉄−クロム酸化物、アモルファスシリコンの少なくともいずれかから形成されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の表示装置。
- 基板上に、発光素子に流れる電流を制御する駆動素子と、前記駆動素子をスイッチングするスイッチング素子とを形成する工程と、
前記駆動素子及び前記スイッチング素子上に絶縁膜を形成する工程と、
前記スイッチング素子に対応する位置に選択的に遮光膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記駆動素子及び前記スイッチング素子は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項7に記載の表示装置の製造方法。
- 前記遮光膜は、前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項8に記載の表示装置の製造方法。
- 前記遮光膜は、前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成された隔壁上に形成されることを特徴とする請求項9に記載の表示装置の製造方法。
- 前記隔壁を覆うように形成され、反射性を備える導電材料から形成された対向電極をさらに備えることを特徴とする請求項10に記載の表示装置の製造方法。
- 前記遮光膜は、酸化クロム(III)、コバルト−鉄−クロム酸化物、アモルファスシリコンの少なくともいずれかから形成されることを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
- 基板上に形成された発光素子と、
基板上に形成され、前記発光素子に流れる電流を制御する駆動素子と、
前記駆動素子をスイッチングするスイッチング素子と、
前記駆動素子及び前記スイッチング素子を覆い、前記スイッチング素子と対向する領域に選択的に凹部が形成された絶縁膜と、
備えることを特徴とする表示装置。 - 前記絶縁膜は保護絶縁膜と隔壁とを有し、
前記隔壁を覆うように形成され、反射性を備える導電材料から形成された対向電極をさらに備えることを特徴とする請求項13に記載の表示装置。 - 基板上に、発光素子に流れる電流を制御する駆動素子と、前記駆動素子をスイッチングするスイッチング素子とを形成する工程と、
前記駆動素子及び前記スイッチング素子上に絶縁膜を形成する工程と、
前記スイッチング素子に対向する前記絶縁膜上に選択的に凹部を形成する工程と、
を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記絶縁膜は保護絶縁膜と隔壁とを有し、前記隔壁は感光性材料から形成されることを特徴とする請求項15に記載の表示装置の製造方法。
- 前記隔壁は、前記感光性材料を露光、現像することによって形成され、
前記凹部に対応する領域の感光性樹脂に入射される光の量と、前記凹部以外の領域の感光性樹脂に入射される光の量と、は互いに異なることを特徴とする請求項16に記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008088331A JP2009244370A (ja) | 2008-03-28 | 2008-03-28 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
US12/411,568 US7982394B2 (en) | 2008-03-28 | 2009-03-26 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008088331A JP2009244370A (ja) | 2008-03-28 | 2008-03-28 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010086374A Division JP4983953B2 (ja) | 2010-04-02 | 2010-04-02 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2010086375A Division JP2010161084A (ja) | 2010-04-02 | 2010-04-02 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009244370A true JP2009244370A (ja) | 2009-10-22 |
Family
ID=41116053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008088331A Pending JP2009244370A (ja) | 2008-03-28 | 2008-03-28 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7982394B2 (ja) |
JP (1) | JP2009244370A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010014942A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Canon Inc | 発光表示装置 |
JP2010161084A (ja) * | 2010-04-02 | 2010-07-22 | Casio Computer Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5304761B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2013-10-02 | カシオ計算機株式会社 | 発光装置及び電子機器 |
KR102000207B1 (ko) * | 2012-08-07 | 2019-07-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 트랜지스터 및 유기 발광 표시 장치 |
KR102120075B1 (ko) * | 2013-12-30 | 2020-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
KR102201827B1 (ko) * | 2014-09-16 | 2021-01-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 그 제조방법 |
KR20180013577A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명표시장치와 그의 제조방법 |
US11355538B2 (en) * | 2017-08-15 | 2022-06-07 | Bidirectional Display, Inc. | Image sensor panel and method for fabricating the same |
CN109962084B (zh) | 2017-12-14 | 2020-08-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示基板、显示装置及制作方法 |
JP7326137B2 (ja) * | 2019-12-03 | 2023-08-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN111933677B (zh) * | 2020-08-19 | 2023-05-12 | 云谷(固安)科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及其装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000172199A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2004134356A (ja) * | 2002-05-24 | 2004-04-30 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2004362938A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
JP2005099317A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Sharp Corp | 表示装置 |
JP2006140145A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
JP2007101713A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
JP2007109868A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2007114726A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2007227275A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Hitachi Displays Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2009238456A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Casio Comput Co Ltd | エレクトロルミネッセンスパネル |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001109404A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
JP2001195012A (ja) | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
-
2008
- 2008-03-28 JP JP2008088331A patent/JP2009244370A/ja active Pending
-
2009
- 2009-03-26 US US12/411,568 patent/US7982394B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000172199A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2004134356A (ja) * | 2002-05-24 | 2004-04-30 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2004362938A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
JP2005099317A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Sharp Corp | 表示装置 |
JP2006140145A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
JP2007114726A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2007101713A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
JP2007109868A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2007227275A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Hitachi Displays Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2009238456A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Casio Comput Co Ltd | エレクトロルミネッセンスパネル |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010014942A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Canon Inc | 発光表示装置 |
US8592815B2 (en) | 2008-07-03 | 2013-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting display apparatus |
JP2010161084A (ja) * | 2010-04-02 | 2010-07-22 | Casio Computer Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7982394B2 (en) | 2011-07-19 |
US20090243482A1 (en) | 2009-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009244370A (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
JP4883143B2 (ja) | 発光装置 | |
KR102457583B1 (ko) | 표시 장치 및 그것의 제조 방법 | |
US8842058B2 (en) | Organic light emitting display | |
KR101215744B1 (ko) | 화소 회로 기판, 표시 장치, 전자 기기, 및 화소 회로 기판의 제조 방법 | |
KR102414078B1 (ko) | 표시 장치 | |
JP4998710B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
JP5126185B2 (ja) | 塗布装置 | |
JP2009134905A (ja) | 表示パネル及びその製造方法 | |
JP4811292B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
US20140001445A1 (en) | Organic light emitting diode display | |
KR102617314B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 | |
JP2010161084A (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
KR101782165B1 (ko) | 유기전계 발광표시장치 및 그 제조 방법 | |
KR102284991B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 | |
JP4983953B2 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
JP2010225780A (ja) | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
KR101115974B1 (ko) | 트랜지스터, 표시장치, 전자기기 및 트랜지스터의 제조방법 | |
JP5365605B2 (ja) | 発光装置の駆動方法 | |
JP4192879B2 (ja) | ディスプレイパネル | |
JP4888527B2 (ja) | 発光装置及び画像形成装置 | |
JP2011198830A (ja) | 発光装置 | |
JP2008210540A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP2011198828A (ja) | 発光装置 | |
JP2011198829A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090914 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100402 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100723 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100825 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20101008 |