CN113707831B - 显示基板及其制作方法、显示面板 - Google Patents

Abstract

公开一种显示基板及其制作方法、显示面板，涉及显示技术领域，用于避免显示面板出现的暗点不良的现象。该显示基板包括衬底和多个子像素。多个子像素位于衬底的一侧；一个子像素包括：像素驱动电路、应力释放层和反射电极。应力释放层位于像素驱动电路远离衬底的一侧，应力释放层远离衬底的一侧表面上具有凹陷结构。反射电极位于应力释放层远离衬底的一侧，且与像素驱动电路连接；反射电极包括反射金属层，反射金属层覆盖凹陷结构的至少部分。本公开提供的显示基板，可以应用于显示面板，能够提升显示面板的显示效果。

Description

显示基板及其制作方法、显示面板

技术领域

本公开涉及显示技术领域，例如涉及一种显示基板及其制作方法、显示面板。

背景技术

有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示面板板凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能，逐渐成为显示领域的主流之一。

发明内容

本公开的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示面板，用于避免显示面板出现的暗点不良的现象。

为了实现上述目的，本公开提供如下技术方案：

一方面，提供一种显示基板。所述显示基板包括：衬底和多个子像素。所述多个子像素位于所述衬底的一侧；一个子像素包括：像素驱动电路、应力释放层和反射电极。所述应力释放层位于所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧，所述应力释放层远离所述衬底的一侧表面上具有凹陷结构。所述反射电极位于所述应力释放层远离所述衬底的一侧，且与所述像素驱动电路连接；所述反射电极包括反射金属层，所述反射金属层覆盖所述凹陷结构的至少部分。

在一些实施例中，所述应力释放层包括：平坦层，所述凹陷结构位于所述平坦层远离所述衬底的一侧表面上。

在一些实施例中，所述凹陷结构的深度小于所述平坦层的厚度。

在一些实施例中，所述显示基板还包括：平坦层，所述平坦层位于所述像素驱动电路和所述应力释放层之间；所述应力释放层包括：缓冲金属层，所述凹陷结构位于所述缓冲金属层远离所述衬底的一侧表面上。

在一些实施例中，所述凹陷结构沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述缓冲金属层。

在一些实施例中，所述缓冲金属层的材料包括钼。

在一些实施例中，所述缓冲金属层的厚度小于或等于一百埃。

在一些实施例中，所述凹陷结构包括孔和槽中的至少一种。

在一些实施例中，所述凹陷结构被配置为按照以下至少一种方式设置：所述凹陷结构包括多个孔，所述多个孔均匀分布；或者，所述凹陷结构包括多个槽，所述多个槽中的至少部分槽沿第一方向延伸，且沿第二方向排列；或者，所述凹陷结构包括多个槽，所述多个槽中的至少部分槽沿所述第二方向延伸，且沿所述第一方向排列；或者，所述凹陷结构包括多个槽，所述多个槽中的至少部分槽为环形槽，所有环形槽呈扩散状分布；其中，所述第一方向与所述第二方向相交。

在一些实施例中，所述凹陷结构的深度小于或等于一百埃。

在一些实施例中，所述反射电极还包括：透明电极层，位于所述反射金属层远离所述衬底的一侧。

在一些实施例中，所述子像素还包括：有机发光层，位于所述反射电极远离所述衬底的一侧；和，透射电极，位于所述有机发光层远离所述衬底的一侧。其中，所述反射金属层被配置为反射所述有机发光层发射的一部分光线；所述透射电极被配置为透过所述反射电极反射的光线以及所述有机发光层发射的另一部分光线。

另一方面，提供一种显示基板的制作方法。所述制作方法包括：提供衬底；和，在所述衬底的一侧形成多个子像素。其中，形成子像素的步骤包括：在衬底上形成像素驱动电路；在所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧形成应力释放层，所述应力释放层远离所述衬底的一侧表面上具有凹陷结构；以及，在所述应力释放层远离所述衬底的一侧形成反射金属层，所述反射金属层覆盖所述凹陷结构的至少部分。

在一些实施例中，所述在所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧形成应力释放层，包括：在所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧形成平坦层；和，在所述平坦层远离所述衬底的一侧表面上形成所述凹陷结构。

在一些实施例中，所述形成子像素的步骤还包括：在所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧形成平坦层。所述在所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧形成应力释放层，包括：在所述平坦层远离所述衬底的一侧形成缓冲金属层；和，在所述缓冲金属层远离所述衬底的一侧表面上形成所述凹陷结构。

再一方面，提供一种显示面板。所述显示面板包括：如上述任一实施例所述的显示基板。

本公开提供的所述显示基板及其制作方法、显示面板具有如下有益效果：

本公开提供的所述显示基板，通过在所述像素驱动电路和所述反射金属层之间设置具有所述凹陷结构的所述应力释放层，并控制所述反射金属层覆盖所述凹陷结构的至少部分，能够使所述反射金属层中覆盖所述凹陷结构的部位出现高低起伏。在此基础上，当所述反射金属层随着温度的变化而达到承受内部压缩应力的极限，并通过原子扩散的方式释放压缩应力时，压缩应力能够借助所述反射金属层的高低起伏在各个方向上得到释放，这样能够避免所述反射金属层上出现小丘，从而避免了所述显示面板因所述有机发光层被形成的小丘刺穿而出现的暗点不良的现象，最终提升了显示效果。

本公开提供的所述显示基板的制作方法，用于制作上述任一实施例提供的显示基板。本公开提供的所述显示面板所能实现的有益效果，与上述技术方案提供的所述显示基板所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。

图1为根据一些实施例的一种显示装置的结构图；

图2为根据一些实施例的另一种显示装置的局部结构图；

图3为根据一些实施例的一种显示基板的俯视图；

图4为图3中A-A＇处的一种截面结构图；

图5为图3中A-A＇处的另一种截面结构图；

图6为图3中A-A＇处的再一种截面结构图；

图7A为根据一些实施例的一种应力释放层的俯视图；

图7B为根据一些实施例的另一种应力释放层的俯视图；

图7C为根据一些实施例的再一种应力释放层的俯视图；

图7D为根据一些实施例的又一种应力释放层的俯视图；

图7E为根据一些实施例的又一种应力释放层的俯视图；

图7F为根据一些实施例的又一种应力释放层的俯视图；

图8～图11为根据一些实施例的显示基板的制作方法的流程图；

图12～图19为根据一些实施例的显示基板的制作方法中各步骤对应的截面结构图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

以下，在描述一些实施例时，可能使用了“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。

“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。

本文中“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。

另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。

本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。

本公开一些实施例提供了一种显示装置1000。请参阅图1和图2，该显示装置1000包括显示面板100。

在一些示例中，请参阅图2，该显示装置1000还包括：位于显示面板100的一侧且依次层叠的偏光片200、光学胶300和保护盖板400。

示例性的，上述偏光片200的材料例如可以为聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，简称PVA)或聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，简称PMMA)。

示例性的，上述光学胶300的材料例如可以为聚氨酯胶、丙烯酸系胶或硅胶。

示例性的，上述保护盖板400的材料例如可以为玻璃。

需要说明的是，上述偏光片200、光学胶300和保护盖板400的材料也可以为其他材料，本公开对此不做限制。

在一些示例中，请继续参阅图2，该显示装置1000还包括：触控结构500，在这种情况下，该显示装置1000为触控显示装置。

需要说明的是，触控结构500的设置方式包括多种，例如包括但不限于以下示例。

示例性的，请继续参阅图2，该触控结构500位于显示面板100和偏光片200之间，此时，该触控结构500可以直接形成在显示面板100上。

需要说明的是，上述显示装置1000的类型包括多种，例如可以为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示装置、量子点发光二极管(Quantum DotLight Emitting Diodes，简称QLED)显示装置或发光二极管(Light Emitting-Diodes，简称LED)显示装置等。其中，该有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示装置例如可以包括有源矩阵有机发光二极体(Active Matrix/Organic LightEmitting Diode，简称AMOLED)显示装置。

上述显示装置1000的产品形式也包括多种，例如可以为显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论文字还是图像的任何装置。更明确地说，上述显示装置1000可设置在多种电子装置中或与多种电子装置关联，上述多种电子装置例如可以为(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如可以为里程表显示器)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如可以为车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如可以为对于一件珠宝的图像的显示器)等。

下面，结合图2对本公开一些实施例提供的显示面板100的结构进行示意性说明。

在一些示例中，请参阅图2，该显示面板100包括：显示基板1和封装基板2，该封装基板2被配置为封装显示基板1。其中，该封装基板2例如可以为薄膜封装层，或者可以为刚性基板。

上述显示面板100的类型可以有多种，例如可以为OLED显示面板、QLED显示面板或LED显示面板等。其中，OLED显示面板例如可以包括AMOLED显示面板。

本公开一些实施例提供了一种显示基板1，该显示基板1可以应用于上述显示装置1000或上述显示面板100中。当然，该显示基板1也可以应用于其他的装置或面板中，本公开对此不做限制。请参阅图3和图4，该显示基板1包括：衬底11。

需要说明的是，上述衬底11的类型包括多种，例如包括但不限于以下示例。

示例性的，上述衬底11可以为刚性衬底。其中，该刚性衬底例如可以为玻璃衬底或聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，简称PMMA)衬底等。

再示例性的，上述衬底11可以为柔性衬底。其中，该柔性衬底例如可以为聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate，简称PET)衬底、聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)衬底或聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate two formic acid glycolester，简称PEN)衬底等。

在一些示例中，请参阅图3，该显示基板1具有位于虚线框内的显示区A和位于虚线框外的周边区B。其中，该显示基板1中位于显示区A的部分能够进行图像显示。

需要说明的是，本公开对周边区B的设置位置不做限制。例如，周边区B可以位于显示区A的一侧、两侧或三侧等。又例如，周边区B也可以围绕显示区A一圈。

在一些实施例中，请参阅图3，该显示基板1还包括：位于衬底11的一侧的多个子像素P，多个子像素P包括至少一个第一颜色子像素、至少一个第二颜色子像素和至少一个第三颜色子像素，其中，第一颜色、第二颜色和第三颜色构成三基色(例如红、绿、蓝)。

需要说明的是，上述多个子像素P的设置方式包括多种。例如，多个子像素P可以均位于显示区A。

在一些示例中，请参阅图4，一个子像素P包括：像素驱动电路12以及与该像素驱动电路12连接的发光器件13。其中，像素驱动电路12被配置为提供驱动电压至与其电连接的发光器件13，以控制该发光器件13的发光状态。

需要说明的是，上述像素驱动电路12的结构包括多种，可以根据实际需要选择设置。例如，像素驱动电路12的结构可以包括“2T1C”、“6T1C”、“7T1C”、“6T2C”或“7T2C”等结构。此处，“T”表示为薄膜晶体管，位于“T”前面的数字表示为薄膜晶体管的数量；“C”表示为存储电容器，位于“C”前面的数字表示为存储电容器的数量。

此外，上述像素驱动电路12所包括的各个薄膜晶体管的类型包括多种。例如，上述像素驱动电路12所包括的各个薄膜晶体管可以为底栅结构的薄膜晶体管，或者也可以为顶栅结构的薄膜晶体管。

在一些示例中，像素驱动电路12所包括的多个薄膜晶体管中，包括一个驱动晶体管和至少一个开关晶体管。

此处，开关晶体管指的是，像素驱动电路12所包括的多个薄膜晶体管中，与栅线电连接的薄膜晶体管。

驱动晶体管指的是，像素驱动电路12所包括的多个薄膜晶体管中，同时与存储电容器、开关晶体管和发光器件13电连接的薄膜晶体管。

需要说明的是，驱动晶体管与发光器件13之间可以直接电连接，也可以间接电连接。

上述发光器件13的类型包括多种，例如可以为OLED器件、QLED器件或LED器件等。上述发光器件13的结构也包括多种，例如可以为顶发射型发光器件或底发射型发光器件等。

下面，以发光器件13为顶发射型发光器件为例，对显示基板1的结构进行示意性说明。

在一些示例中，请参阅图4，该发光器件13包括：位于像素驱动电路12远离衬底11的一侧，且依次远离衬底11的反射电极131、有机发光层132和透射电极133。

其中，反射电极131与像素驱动电路12连接；反射电极131被配置为反射有机发光层132发射的一部分光线；透射电极133被配置为透过反射电极131反射的光线以及有机发光层132发射的另一部分光线。

示例性的，反射电极131的反射率大于或等于百分之八十。

这样设计，能够保证反射电极131反射光线的效率，从而保证显示面板100的发光效果。

示例性的，透射电极133的透射率大于或等于百分之六十。

这样设计，能够保证透射电极133透射光线的效率，从而保证显示面板100的发光效果。

需要说明的是，多个子像素P的反射电极131共同构成了反射电极层，多个子像素P的透射电极133共同构成了透射电极层，多个子像素P的有机发光层132共同构成了发光功能层。

需要说明的是，上述反射电极层例如可以为块状结构；上述透射电极层例如可以为整面结构，并覆盖整个显示区A；此外，上述发光功能层例如可以为整面结构，或者也可以为块状结构。

上述反射电极131可以是阳极，也可以是阴极；对应的，透射电极133可以是阴极，也可以是阳极。

在一些示例中，反射电极131为阳极，反射电极层为阳极层；对应的，透射电极133为阴极，透射电极层为阴极层。在这种情况下，该发光器件13为正置的顶发射型发光器件。

示例性的，发光功能层包括发光层。

在此基础上，例如，发光功能层还可以包括设置在阳极层和发光层之间的空穴注入层和空穴传输层中的至少一种。

又例如，发光功能层还可以包括设置在发光层和阴极层之间的电子传输层和电子注入层中的至少一种。

在上述一些示例中，由于上述反射电极131不透光，上述透射电极133呈透明或半透明，从而使得有机发光层132发射的光线从发光器件13远离衬底11的一侧射出。

在一些示例中，请参阅图4，该反射电极131包括：依次远离衬底11的反射金属层1311和透明电极层1312。其中，反射金属层1311与像素驱动电路12连接；反射金属层1311被配置为反射有机发光层132发射的一部分光线。

需要说明的是，上述反射金属层1311和上述透明电极层1312的类型均包括多种，例如包括但不限于以下示例。

示例性的，上述反射金属层1311可以为热膨胀金属层，该热膨胀金属层例如可以为铝(Aluminum，简称Al)层。上述透明电极层1312例如可以为氧化铟锡(Indium tinoxide，简称ITO)层。

对此，本公开发明人经初步研究发现：在上述反射金属层1311为铝层的情况下，由于铝在高温受热时的膨胀系数较大，随着温度的增加，铝层容易发生弹性形变；在此基础上，若温度进一步增加至极限温度130℃，铝层则会达到承受内部压缩应力的极限，并通过原子扩散的方式释放压缩应力，从而在铝层的表面形成高度较高的小丘(即Hillock)，在这种情况下，有机发光层132容易被形成的小丘刺穿，导致显示面板100出现暗点不良的现象。

在一些实现方式中，选用钼(Molybdenum，简称Mo)层作为反射金属层1311以解决上述问题，但是钼的吸光系数高且反射率低，在这种情况下，为了保证显示面板100的亮度显示效果，则需要提高有机发光层132的发光强度，从而缩短了有机发光层132的寿命。

在另一些实现方式中，选用银(Argentum，简称Ag)-铝合金层作为反射金属层1311以解决上述问题，但成本较高。

基于此，本公开一些实施例提供了一种显示基板1。请参阅图5和图6，该显示基板1包括：衬底11以及位于衬底11的一侧的多个子像素P。

其中，一个子像素P包括：像素驱动电路12、应力释放层14和反射电极131。应力释放层14位于像素驱动电路12远离衬底11的一侧，且应力释放层14远离衬底11的一侧表面上具有凹陷结构140。反射电极131位于应力释放层14远离衬底11的一侧，且与像素驱动电路12连接；反射电极131包括反射金属层1311，反射金属层1311覆盖凹陷结构140的至少部分。

在上述一些实施例中，通过在像素驱动电路12和反射金属层1311之间设置具有凹陷结构140的应力释放层14，并控制反射金属层1311覆盖凹陷结构140的至少部分，能够使反射金属层1311中覆盖凹陷结构140的部位出现高低起伏。在此基础上，当反射金属层1311随着温度的变化而达到承受内部压缩应力的极限，并通过原子扩散的方式释放压缩应力时，压缩应力能够借助反射金属层1311的高低起伏在各个方向上得到释放，这样能够避免小丘的出现，从而避免了显示面板100因有机发光层132被形成的小丘刺穿而出现的暗点不良的现象，最终提升了显示面板100的显示效果。

在一些实施例中，请参阅图7A～图7F，该凹陷结构140包括孔1401和槽1402中的至少一种。

在上述一些实施例中，通过控制凹陷结构140的形状，能够降低凹陷结构140的制作难度。

在一些示例中，请参阅图7A～图7B，该凹陷结构包括多个孔1401，多个孔1401例如可以在应力释放层14的表面均匀分布。

这样设计，能够使反射金属层1311的高低起伏更加均匀，有利于反射金属层1311的压缩应力在各个方向上得到均匀释放，以进一步地避免小丘的出现，从而进一步地避免了显示面板100因有机发光层132被形成的小丘刺穿而出现的暗点不良的现象，最终进一步地提升了显示面板100的显示效果。

示例性的，上述孔1401的边缘在衬底1上的投影可以为椭圆形、如图7A所示的矩形或如图7B所示的圆形。

这样设计，能够使孔1401的形状更加规则，从而进一步促使反射金属层1311的压缩应力在各个方向上得到均匀释放。

在另一些示例中，请参阅图7C～图7F，该凹陷结构包括多个槽1402，多个槽1402例如可以在应力释放层14的表面均匀分布。

这样设计，能够使反射金属层1311的高低起伏更加均匀，有利于反射金属层1311的压缩应力在各个方向上得到均匀释放，以进一步地避免小丘的出现，从而进一步地避免了显示面板100因有机发光层132被形成的小丘刺穿而出现的暗点不良的现象，最终进一步地提升了显示面板100的显示效果。

需要说明的是，上述多个槽1402的设置方式包括多种，例如包括但不限于以下示例。

示例性的，请参阅图7C，多个槽1402沿第一方向X延伸，且沿第二方向Y依次排列。

这样设计，能够使槽1402的形状更加规则，从而进一步促使反射金属层1311的压缩应力在各个方向上得到均匀释放。

再示例性的，请参阅图7D，多个槽1402沿第二方向Y延伸，且沿第一方向X依次排列。

这样设计，能够使槽1402的形状更加规则，从而进一步促使反射金属层1311的压缩应力在各个方向上得到均匀释放。

又示例性的，请参阅图7E，多个槽1402中的一部分槽1402沿第一方向X延伸，且沿第二方向Y依次排列；多个槽1402中的另一部分槽1402沿第二方向Y延伸，且沿第一方向X依次排列。

这样设计，能够使槽1402的形状更加规则，从而进一步促使反射金属层1311的压缩应力在各个方向上得到均匀释放。

需要说明的是，上述第一方向X与第二方向Y相交，例如，请参阅图7C～图7E，第一方向X与第二方向Y垂直。

又示例性的，请参阅图7F，多个槽1402为环形槽，所有环形槽呈扩散状分布。

这样设计，能够使槽1402的形状更加规则，从而进一步促使反射金属层1311的压缩应力在各个方向上得到均匀释放。

在一些实施例中，请参阅图5和图6，凹陷结构140的深度小于或等于一百埃。

需要说明的是，上述凹陷结构140的深度例如可以是凹陷结构140在垂直于衬底11的方向Z上的尺寸。

在上述一些实施例中，通过控制凹陷结构140的深度，能够控制反射金属层1311中覆盖所述凹陷结构140的部位所出现的高低起伏的程度，从而保证位于反射金属层1311远离衬底11的一侧的有机发光层132的平坦性，这样不仅能够避免小丘的出现，还能够保证有机发光层132的发光效果，进一步地提升了显示面板100的显示效果。

在一些实施例中，请参阅图5和图6，一个子像素P还包括：平坦层141。该平坦层141位于像素驱动电路12和反射金属层1311之间。

在一些示例中，请继续参阅图5和图6，该平坦层141上具有过孔T1，反射金属层1311通过过孔T1与像素驱动电路12连接。

需要说明的是，上述平坦层141的材料包括多种，可以根据实际需要选择设置，例如包括但不限于以下示例。

示例性的，上述平坦层141的材料可以为绝缘材料，该绝缘材料例如可以为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等。这样设计，能够保证反射金属层1311与像素驱动电路12连接形成的电路不受到干扰。

此外，多个子像素P的平坦层141例如可以为整面结构。

在一些示例中，请参阅图5，应力释放层14为平坦层141，也即，凹陷结构140位于该平坦层141远离衬底11的一侧表面上。

在上述一些示例中，通过直接将凹陷结构140设置在平坦层141远离衬底11的一侧表面上，也即，直接将平坦层141作为应力释放层14，不仅能够避免小丘的出现，从而提升显示面板100的显示效果，还能够简化显示基板1的制作工艺以及节约显示基板1的制作材料。

示例性的，请继续参阅图5，该凹陷结构140的深度小于平坦层141的厚度。

需要说明的是，上述凹陷结构140的深度例如可以是凹陷结构140在垂直于衬底11的方向Z上的尺寸；同理，上述平坦层141的厚度例如可以是平坦层141在垂直于衬底11的方向Z上的尺寸。

容易理解的是，为了保证电路不受到干扰，反射金属层1311与像素驱动电路12之间例如可以通过平坦层141隔开，在这种情况下，反射金属层1311可以通过平坦层141的过孔T1与像素驱动电路12电连接。因此，在上述一些示例中，通过控制凹陷结构140的深度小于平坦层141的厚度，能够避免凹陷结构140沿垂直于衬底11的方向Z贯穿平坦层141，从而避免因在平坦层141上设置凹陷结构140而对电路造成的干扰。

在另一些示例中，请参阅图6，应力释放层14为位于平坦层141远离衬底11的一侧的缓冲金属层142，也即，凹陷结构140位于缓冲金属层142远离衬底11的一侧表面上。

在上述一些示例中，通过在平坦层141和反射金属层1311之间设置具有凹陷结构140的缓冲金属层142，并控制反射金属层1311覆盖凹陷结构140的至少部分，能够使反射金属层1311中覆盖凹陷结构140的部位出现高低起伏。在此基础上，当反射金属层1311随着温度的变化而达到承受内部压缩应力的极限，并通过原子扩散的方式释放压缩应力时，压缩应力能够借助反射金属层1311的高低起伏在各个方向上得到释放，这样能够避免小丘的出现，从而避免了显示面板100因有机发光层132被形成的小丘刺穿而出现的暗点不良的现象，最终提升了显示面板100的显示效果。

示例性的，请继续参阅图6，缓冲金属层142的厚度小于或等于一百埃。

需要说明的是，上述缓冲金属层142的厚度例如可以是缓冲金属层142在垂直于衬底11的方向Z上的尺寸。

容易理解的是，由于在平坦层141和反射金属层1311之间添加了缓冲金属层142，会使位于反射金属层1311上方的有机发光层132由于下方缓冲金属层142的存在而向远离衬底11的一侧凸起。因此，在上述一些示例中，通过控制缓冲金属层142的厚度，能够控制有机发光层132的凸起程度，以保证有机发光层132的平坦性，从而保证有机发光层132的发光效果，进一步地提升了显示面板100的显示效果。

示例性的，请继续参阅图6，该凹陷结构140沿垂直于衬底11的方向Z贯穿缓冲金属层142。

在上述一些示例中，通过控制凹陷结构140沿垂直于衬底11的方向Z贯穿缓冲金属层142，能够控制反射金属层1311中覆盖所述凹陷结构140的部位所出现的高低起伏的程度，以保证压缩应力能够借助反射金属层1311的高低起伏在各个方向上得到充分释放，从而进一步地避免小丘的出现，以提升显示面板100的显示效果。

需要说明的是，上述缓冲金属层142的类型包括多种，例如包括但不限于以下示例。

示例性的，缓冲金属层142的材料为铝。

再示例性的，缓冲金属层142的材料为钼。

在上述一些示例中，通过选用钼作为缓冲金属层142的材料，不仅能够提高缓冲金属层142和反射金属层1311之间的粘附性，而且也能够提高缓冲金属层142与平坦层141之间的粘附性，从而提高显示面板100的成品可靠性。

基于上述显示基板1的技术方案，本公开一些实施例提供一种显示基板1的制作方法。请参阅图8，该制作方法包括：S100～S200。

S100、如图12所示，提供衬底11。

S200、在衬底11的一侧形成多个子像素P。

其中，请参阅图9，形成子像素P的步骤包括：S10～S30。

S10、如图13所示，在衬底11上形成像素驱动电路12。

S20、如图14、图15、图17和图18所示，在像素驱动电路12远离衬底11的一侧形成应力释放层14，应力释放层14远离衬底11的一侧表面上具有凹陷结构140。

S30、如图16和图19所示，在应力释放层14远离衬底11的一侧形成反射金属层1311，反射金属层1311覆盖凹陷结构140的至少部分。

需要说明的是，上述反射金属层1311可以通过沉积工艺形成，该沉积工艺例如可以为磁控溅射工艺。

上述一些实施例中的显示基板1的制作方法，用于制作前述一些实施例提供的显示基板1，该显示基板1通过在像素驱动电路12和反射金属层1311之间设置具有凹陷结构140的应力释放层14，并控制反射金属层1311覆盖凹陷结构140的至少部分，能够使反射金属层1311中覆盖凹陷结构140的部位出现高低起伏，使得反射金属层1311的压缩应力能够借助反射金属层1311的高低起伏在各个方向上得到释放，这样能够避免小丘的出现，从而避免了显示面板100因有机发光层132被形成的小丘刺穿而出现的暗点不良的现象，最终提升了显示面板100的显示效果。

在一些示例中，请参阅图10，形成子像素P的步骤包括：S10～S30。其中S20包括：S21～S22。

S10、如图13所示，在衬底11上形成像素驱动电路12。

S21、如图14所示，在像素驱动电路12远离衬底11的一侧形成平坦层141。

S22、如图15所示，在平坦层141远离衬底11的一侧表面上形成凹陷结构140。

S30、如图16所示，在应力释放层14远离衬底11的一侧形成反射金属层1311，反射金属层1311覆盖凹陷结构140的至少部分。

需要说明的是，上述反射金属层1311可以通过沉积工艺形成，该沉积工艺例如可以为磁控溅射工艺。

上述一些示例中的显示基板1的制作方法，用于制作前述一些示例提供的显示基板1，制作得到的显示基板1与前述一些示例提供的显示基板1具有相同的有益效果，此处不再赘述。

在另一些示例中，请参阅图11，基于上述一些示例中的形成子像素P的步骤，将S22替换为S23～S24。

S10、如图13所示，在衬底11上形成像素驱动电路12。

S21、如图14所示，在像素驱动电路12远离衬底11的一侧形成平坦层141。

S23、如图17所示，在平坦层141远离衬底11的一侧形成缓冲金属层142。

需要说明的是，该缓冲金属层142可以通过沉积工艺形成，该沉积工艺例如可以为磁控溅射工艺。

S24、如图18所示，在缓冲金属层142远离衬底11的一侧表面上形成凹陷结构140。

S30、如图19所示，在应力释放层14远离衬底11的一侧形成反射金属层1311，反射金属层1311覆盖凹陷结构140的至少部分。

需要说明的是，上述反射金属层1311可以通过沉积工艺形成，该沉积工艺例如可以为磁控溅射工艺。

上述一些示例中的显示基板1的制作方法，用于制作前述一些示例提供的显示基板1，制作得到的显示基板1与前述一些示例提供的显示基板1具有相同的有益效果，此处不再赘述。

需要说明的是，上述凹陷结构140可以通过构图工艺形成，该构图工艺例如可以包括曝光、显影和刻蚀。

下面，本公开以在缓冲金属层142远离衬底11的一侧表面上形成凹陷结构140为例，对形成凹陷结构140的构图工艺进行示意性说明。

首先，在缓冲金属层142远离衬底11的一侧表面上涂覆光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，显影后，光刻胶分为完全保留部分和完全去除部分；其中，光刻胶完全去除部分所对应的区域即为待形成凹陷结构140的部分所对应的区域，光刻胶完全保留部分所对应的区域即为缓冲金属层142的剩余部分所对应的区域。

其次，采用刻蚀工艺去除光刻胶的完全去除部分，以及缓冲金属层142中位于光刻胶完全去除部分所对应的区域的部分，即可在缓冲金属层142上形成凹陷结构140。

最后，采用剥离工艺去除光刻胶的完全保留部分。

对此，需要说明的是，掩膜板例如可以包括透明部分和不透明部分。

在光刻胶为正性光刻胶的情况下，曝光后，光刻胶的完全保留部分所对应的区域即为掩膜板的不透明部分所对应的区域，光刻胶的完全去除部分所对应的区域即为掩膜板的透明部分所对应的区域。

在光刻胶为负性光刻胶的情况下，曝光后，光刻胶的完全保留部分所对应的区域即为掩膜板的透明部分所对应的区域，光刻胶的完全去除部分所对应的区域即为掩膜板的不透明部分所对应的区域。

综上所述，本公开一些实施例提供的显示基板1的制作方法，用于制作得到上述一些实施例提供的显示基板1，该显示基板1通过在像素驱动电路12和反射金属层1311之间设置具有凹陷结构140的应力释放层14，并控制反射金属层1311覆盖凹陷结构140的至少部分，能够使反射金属层1311中覆盖凹陷结构140的部位出现高低起伏。在此基础上，当反射金属层1311随着温度的变化而达到承受内部压缩应力的极限，并通过原子扩散的方式释放压缩应力时，压缩应力能够借助反射金属层1311的高低起伏在各个方向上得到释放，这样能够避免小丘的出现，从而避免了显示面板100因有机发光层132被形成的小丘刺穿而出现的暗点不良的现象，最终提升了显示面板100的显示效果。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底；和，

多个子像素，位于所述衬底的一侧；一个子像素包括：

像素驱动电路；

应力释放层，位于所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧；所述应力释放层远离所述衬底的一侧表面上具有凹陷结构；

反射电极，位于所述应力释放层远离所述衬底的一侧，且与所述像素驱动电路连接；所述反射电极包括反射金属层，所述反射金属层覆盖所述凹陷结构的至少部分；以及，

平坦层，所述平坦层位于所述像素驱动电路和所述应力释放层之间；其中，

所述应力释放层包括：缓冲金属层，所述缓冲金属层的材料包括钼，所述缓冲金属层的厚度小于或等于一百埃；

所述凹陷结构位于所述缓冲金属层远离所述衬底的一侧表面上，且所述凹陷结构沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述缓冲金属层。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凹陷结构包括孔和槽中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述凹陷结构被配置为按照以下至少一种方式设置：

所述凹陷结构包括多个孔，所述多个孔均匀分布；或者，

所述凹陷结构包括多个槽，所述多个槽中的至少部分槽沿第一方向延伸，且沿第二方向排列；或者，

所述凹陷结构包括多个槽，所述多个槽中的至少部分槽沿所述第二方向延伸，且沿所述第一方向排列；或者，

所述凹陷结构包括多个槽，所述多个槽中的至少部分槽为环形槽，所有环形槽呈扩散状分布；

其中，所述第一方向与所述第二方向相交。

4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述凹陷结构的深度小于或等于一百埃。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述反射电极还包括：

透明电极层，位于所述反射金属层远离所述衬底的一侧。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述子像素还包括：

有机发光层，位于所述反射电极远离所述衬底的一侧；和，

透射电极，位于所述有机发光层远离所述衬底的一侧；

其中，所述反射金属层被配置为反射所述有机发光层发射的一部分光线；所述透射电极被配置为透过所述反射电极反射的光线以及所述有机发光层发射的另一部分光线。

7.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；和，

在所述衬底的一侧形成多个子像素，形成子像素的步骤包括：

在衬底上形成像素驱动电路；

在所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧形成应力释放层，所述应力释放层远离所述衬底的一侧表面上具有凹陷结构；以及，

在所述应力释放层远离所述衬底的一侧形成反射金属层，所述反射金属层覆盖所述凹陷结构的至少部分；

所述形成子像素的步骤还包括：

在所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧形成平坦层；其中，

所述在所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧形成应力释放层，包括：

在所述平坦层远离所述衬底的一侧形成缓冲金属层，所述缓冲金属层的材料包括钼，所述缓冲金属层的厚度小于或等于一百埃；和，

在所述缓冲金属层远离所述衬底的一侧表面上形成所述凹陷结构，所述凹陷结构沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述缓冲金属层。

8.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1~6中任一项所述的显示基板。