CN113241421A - 显示基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 218
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 91
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 9
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 222
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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Abstract
本申请提供一种显示基板、显示面板及显示装置。所述显示基板包括显示区；所述显示基板包括衬底、位于所述衬底上的像素驱动电路、位于所述像素驱动电路背离所述衬底一侧的平坦化层、位于所述平坦化层背离所述衬底一侧的阻挡层及位于所述阻挡层背离所述衬底一侧的发光层。所述阻挡层用于阻挡水氧。所述发光层包括位于所述显示区的多个发光结构，所述发光结构包括第一电极、位于所述第一电极背离所述衬底一侧的有机发光材料层及位于所述有机发光材料层背离所述衬底一侧的第二电极；至少位于所述显示区的边缘区域的所述第一电极在所述衬底上的正投影的边缘落在所述阻挡层在所述衬底上的正投影内，且与所述阻挡层在所述衬底上的正投影的边缘不交叠。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板、显示面板及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)具有宽视角、响应快、对比度高等优点，已经被普遍应用在显示设备中。
现有的显示面板中，位于显示区的边缘区域的像素容易失效，导致显示区的边缘区域的显示效果较差，影响用户的使用体验。
发明内容
根据本申请实施例的第一方面，提供了一种显示基板。所述显示基板包括显示区；所述显示基板包括：
衬底；
位于所述衬底上的像素驱动电路；
位于所述像素驱动电路背离所述衬底一侧的平坦化层；
位于所述平坦化层背离所述衬底一侧的阻挡层，所述阻挡层用于阻挡水氧；
位于所述阻挡层背离所述衬底一侧的发光层，所述发光层包括位于所述显示区的多个发光结构，所述发光结构包括第一电极、位于所述第一电极背离所述衬底一侧的有机发光材料层及位于所述有机发光材料层背离所述衬底一侧的第二电极；至少位于所述显示区的边缘区域的所述第一电极在所述衬底上的正投影的边缘落在所述阻挡层在所述衬底上的正投影内，且与所述阻挡层在所述衬底上的正投影的边缘不交叠。
在一个实施例中，所述阻挡层包括无机层。
在一个实施例中，所述无机层的厚度范围为500埃～3000埃。
在一个实施例中，所述阻挡层包括多个阻挡部，所述阻挡部呈环形；至少位于所述显示区边缘区域的各所述第一电极在所述衬底上的正投影的边缘位于一个所述阻挡部在所述衬底上的正投影的内边缘与外边缘之间。
在一个实施例中，所述显示基板还包括位于所述阻挡层背离所述衬底一侧的像素限定层，所述像素限定层设有与所述发光结构一一对应的像素开口；所述像素限定层位于所述第一电极上，且所述像素开口暴露对应的第一电极的一部分；
所述阻挡层包括多个块状结构，各所述块状结构在所述衬底上的正投影落在一个所述像素开口的底部在所述衬底上的正投影内，且所述块状结构在所述衬底上的正投影的面积小于对应的所述像素开口的底部在所述衬底上的正投影的面积。
在一个实施例中，所述显示基板还包括位于所述阻挡层背离所述衬底一侧的像素限定层，所述像素限定层设有与所述发光结构一一对应的像素开口；所述像素限定层位于所述第一电极上，且所述像素开口暴露对应的第一电极的一部分；
所述平坦化层背离所述衬底的一侧设有凹陷，所述第一电极被所述像素开口暴露的部分包括位于所述凹陷底部的第一电极部及位于所述凹陷的侧表面的第二电极部。
在一个实施例中，所述阻挡层包括多个块状结构，各所述块状结构在所述衬底上的正投影落在一个所述第一电极部在所述衬底上的正投影内，且所述块状结构在所述衬底上的正投影的面积小于对应的所述第一电极部在所述衬底上的正投影的面积。
在一个实施例中，所述发光层包括至少三种不同发光颜色的所述发光结构，不同发光颜色的所述发光结构对应的块状结构的形状相同或不同；和/或，
所述阻挡层包括多个阻挡部，所述阻挡部呈环形；至少位于所述显示区边缘区域的各所述第一电极在所述衬底上的正投影的边缘位于一个所述阻挡部在所述衬底上的正投影的内边缘与外边缘之间；至少一个所述第一电极对应的所述块状结构位于其对应的所述阻挡部内且与所述阻挡部之间存在间隙，所述第一电极通过所述阻挡部与所述块状结构之间的间隙与所述像素驱动电路电连接。
根据本申请实施例的第二方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的显示基板。
根据本申请实施例的第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板、以及位于所述显示基板上的封装层和彩膜层。
本申请实施例所达到的主要技术效果是：
本申请实施例提供的显示基板、显示面板及显示装置，由于用于阻挡水氧的阻挡层位于平坦化层与第一电极之间，平坦化层中的水氧向该第一电极所在的发光结构的有机发光材料层入侵时，必须要先绕过阻挡层；由于位于显示区边缘区域的发光结构的第一电极在衬底上的正投影的边缘落在阻挡层在衬底上的正投影内，且与阻挡层在衬底上的正投影的边缘不交叠，则阻挡层可增大平坦化层中的水氧向位于边缘区域的发光结构的有机发光材料层入侵的路径，有助于减小平坦化层中的水氧向位于显示区的边缘区域的有机发光材料层入侵的量，从而有助于提升显示区边缘区域的发光结构的寿命，保证显示基板的显示效果，提升显示基板的可靠性。
附图说明
图1是本申请一示例性实施例提供的显示基板的局部剖视图；
图2是本申请另一示例性实施例提供的显示基板的局部剖视图；
图3是本申请一示例性实施例提供的显示基板的局部结构示意图；
图4是本申请另一示例性实施例提供的显示基板的局部结构示意图；
图5是本申请一示例性实施例提供的显示基板的制备方法的流程图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。
如背景技术中所述，位于显示区的边缘区域的像素容易失效，影响显示面板的显示效果。发明人经研究发现，产生这种问题的原因是：在制备显示面板的过程中，形成像素驱动电路后，在像素驱动电路上形成平坦化层，为了便于后续形成的阳极与像素驱动电路的连接，需要在平坦化层上打孔。在显示面板的制备过程中，平坦化层中位于开孔周围的水汽可通过开孔逸出。由于仅需要对平坦化层位于显示区的部分进行打孔，围绕显示区的边框区中的平坦化层不需要打孔，在显示面板的制备过程中，位于边框区的平坦化层中的水汽无法逸出。显示面板的使用时间较长，或者在高温条件下或者受到光照时，位于边框区的平坦化层中的水汽逸出后会入侵至位于显示区的边缘区域(显示区邻接边框区的区域)的子像素的有机发光材料，从而导致子像素失效。
为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种显示基板、显示面板及显示装置。下面结合附图，对本申请实施例中的显示基板、显示面板及显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。
本申请实施例提供了一种显示基板。所述显示基板包括显示区和围绕显示区的边框区。参见图1与图2，所述显示基板100包括衬底10、位于所述衬底上的像素驱动电路20、位于所述像素驱动电路20背离所述衬底10一侧的平坦化层54、位于所述平坦化层54背离所述衬底10一侧的阻挡层30、及位于所述阻挡层30背离所述衬底10一侧的发光层。
所述阻挡层30用于阻挡水氧。所述发光层包括位于所述显示区的多个发光结构40，所述发光结构40包括第一电极41、位于所述第一电极41背离所述衬底10一侧的有机发光材料层42、及位于所述有机发光材料层42背离所述衬底10一侧的第二电极43。边框区内未设置发光结构。至少位于所述显示区的边缘区域的所述第一电极41在所述衬底10上的正投影的边缘落在所述阻挡层30在所述衬底10上的正投影内，且与所述阻挡层30在所述衬底10上的正投影的边缘不交叠。显示区的边缘区域为显示区与边框区相邻的区域，显示区的边缘区域内设置有发光结构(也即子像素)，显示基板在显示时显示区的边缘区域内的发光结构发光。
其中，第一电极41在衬底10上的正投影的边缘落在所述阻挡层30在所述衬底10上的正投影内，且与所述阻挡层30在所述衬底10上的正投影的边缘不交叠，指的是，阻挡层30在衬底10的延伸方向上超出第一电极41的边缘。
其中，显示区的边缘区域指的是显示区邻接边框区的区域。该边缘区域的第一电极与边框区相邻。边缘区域的宽度可以是容纳一个第一电极的宽度，也可以是容纳两个或两个以上第一电极的宽度。
本申请实施例提供的显示基板，由于用于阻挡水氧的阻挡层30位于平坦化层54与第一电极41之间，平坦化层54中的水氧向该第一电极41所在的发光结构的有机发光材料层入侵时，必须要先绕过阻挡层30；由于位于显示区边缘区域的发光结构40的第一电极41在衬底上的正投影的边缘落在阻挡层30在衬底上的正投影内，且与阻挡层在衬底10上的正投影的边缘不交叠，则阻挡层30可增大平坦化层54中的水氧向位于边缘区域的发光结构40的有机发光材料层入侵的路径，有助于减小平坦化层54中的水氧向位于显示区的边缘区域的有机发光材料层入侵的量，从而有助于提升显示区边缘区域的发光结构的寿命，保证显示基板的显示效果，提升显示基板的可靠性。
在一个实施例中，显示基板中每一发光结构40中，第一电极41在衬底10上的正投影的边缘均落在阻挡层30在衬底10上的正投影内，且与所述阻挡层30在所述衬底10上的正投影的边缘不交叠。如此设置，平坦化层54中的水汽向每一发光结构40的有机发光材料层的入侵路径均增大，可使得显示区内每一发光结构40的寿命均得到提升。
在一个实施中，衬底10为刚性衬底，刚性衬底的材料可以是金属或石英等。
在一个实施例中，像素驱动电路20包括薄膜晶体管21及电容22。薄膜晶体管21包括有源层211、栅电极212、第三电极213及第四电极241。发光结构40的第一电极41通过贯穿平坦化层54的通孔与第四电极214电连接。第三电极213与第四电极214中的一个为源电极，另一个为漏电极。电容22包括第一极板221及位于第一极板221背离衬底10的一侧且与第一极板221相对设置的第二极板222。第一极板221与栅电极212可位于同一层，在一次构图工艺中形成。
在一个实施例中，显示基板100还包括栅极绝缘层51、电容绝缘层52及层间介质层53。栅极绝缘层51位于有源层211与栅电极212之间。电容绝缘层52位于第一极板221与第二极板222之间。层间介质层53位于第二极板222背离衬底10的一侧。第三电极213与第四电极214位于层间介质层53背离衬底10的一侧，且通过贯穿栅极绝缘层51、电容绝缘层52及层间介质层53的通孔与有源层211电连接。平坦化层54位于第三电极213与第四电极214背离衬底10的一侧，且覆盖第三电极213、第四电极214及露出的层间介质层53。
在一个实施例中，发光结构40的第一电极41为阳极，发光结构40的第二电极43为阴极。显示区的各个发光结构40的第二电极43可以是连成一片的面电极。
发光层可包括至少三种不同发光颜色的所述发光结构40。在一些实施例中，发光层可包括三种不同颜色的发光结构，分别为红色的发光结构、绿色的发光结构和蓝色的发光结构。
在一个实施例中，所述显示基板100还包括位于所述阻挡层30背离所述衬底10一侧的像素限定层55，所述像素限定层55设有与所述发光结构40一一对应的像素开口551。所述像素限定层55位于所述第一电极41上，且所述像素开口551暴露对应发光结构40的第一电极41的一部分。由靠近衬底10的一侧至背离衬底10的一侧，像素开口551的开口面积可逐渐增大。
在一个实施例中，参见图2，所述平坦化层54背离所述衬底10的一侧设有凹陷，所述第一电极41被所述像素开口551暴露的部分包括位于所述凹陷底部的第一电极部411及位于所述凹陷的侧表面的第二电极部412。有机发光材料层42的底部位于第一电极部411上；有机发光材料层42的侧部的一部分位于第二电极部412侧部，另一部分位于像素开口551的侧表面，相对于有机发光材料层42的侧部全部位于像素开口551的侧表面来说，有机发光材料层42的侧部与像素限定层55接触的面积减小，有助于有机发光材料层隔绝水氧；并且第一电极部411倾斜设置，有助于增大显示基板在大视角下的光线的出射量，从而提高显示基板大视角下的亮度，改善显示基板大视角下色偏的现象。
在一个实施例中，所述平坦化层背离像素驱动电路的一侧可设有多个凹陷，平坦化层的凹陷与第一电极41一一对应。第一电极41的部分位于对应的凹陷内。
在一个实施例中，所述阻挡层30包括无机层。无机层阻挡水氧的效果较好，阻挡层30包括无机层时，有助于减小平坦化层54中的水氧向位于边缘区域的发光结构40的有机发光材料层入侵的量。在一些实施例中，阻挡层30仅包括无机层。
进一步地，阻挡层30中的无机层的材料可以是氮化硅、氧化硅等。优选的，无机层的材料为氮化硅，如此可使得无机层的致密性更好，更有助于阻挡水氧。
在一个实施例中个，所述阻挡层30中的无机层的厚度范围为500埃～3000埃。如此设置，既可避免阻挡层30的厚度较小，导致工艺不容易实现，以及无机层阻挡水氧的效果较差，也可避免阻挡层30的厚度较大，导致显示基板的厚度增大。在一些实施例中，所述阻挡层30中的无机层的厚度为500埃、1000埃、1500埃、2000埃、2500埃、3000埃等。
在一个实施例中，参见图3及图4，所述阻挡层30包括多个阻挡部31，所述阻挡部31呈环形。至少位于所述显示区边缘区域的各所述第一电极41在所述衬底10上的正投影的边缘位于一个所述阻挡部31在所述衬底10上的正投影的内边缘与外边缘之间。如此设置，平坦化层中逸出的水氧从各个位置向有机发光材料层入侵时，均需要绕过阻挡部31的边缘，也即是平坦化层中逸出的水氧从各个位置向有机发光材料层入侵的路径均增大，更有助于阻挡水氧入侵，提升显示基板的可靠性。
在一个实施例中，像素限定层55的像素开口551的底部(也即是像素开口551靠近衬底10的一侧)在衬底10上的正投影的边缘位于对应的阻挡部31在衬底10上的正投影内边缘的内侧。也即是，像素限定层55的像素开口551在衬底10上的正投影与对应的阻挡部31在衬底10上的正投影不存在交叠。
在一个实施例中，所述阻挡部31与显示基板的各发光结构40一一对应。每一发光结构40的第一电极41在所述衬底10上的正投影位于对应的所述阻挡部31在所述衬底10上的正投影的内边缘与外边缘之间。如此，平坦化层逸出的水氧从各个位置向每一发光结构40入侵的路径均增大，更有助于提升显示基板的可靠性。
在一个实施例中，再次参见图1至图4，所述阻挡层30包括多个块状结构32，每一所述块状结构32在所述衬底10上的正投影落在一个所述像素开口551的底部在所述衬底10上的正投影内，且所述块状结构32在所述衬底10上的正投影的面积小于对应的所述像素开口551的底部在所述衬底10上的正投影的面积。其中块状结构32对应的像素开口551指的是，在衬底10上的正投影与块状结构32在衬底10上的正投影有重叠的像素开口551。
由于块状结构32位于第一电极41下方，且块状结构32在衬底10上的正投影落在对应的像素开口551的底部在衬底10上的正投影，且块状结构32的面积小于对应的像素开口551的底部的面积，则可使得发光结构在膜层的叠层方向上与块状结构32对应的区域凸起，发光结构40凸起的区域侧部发出的光线中，至少部分光线可从显示基板的侧面出射，如此可增大显示基板在大视角下的光线的出射量，从而提高显示基板大视角下的亮度，改善显示基板大视角下色偏的现象。并且，现有方案中，第一电极背离衬底的表面呈无规律的不平坦，显示基板在黑屏状态下时入射至显示基板的环境光被内部结构反射后，在经过显示基板上方的彩膜层的色阻时，会出现色分离的现象。本申请实施例中，通过设置块状结构32，可改变显示基板黑屏状态下入射至显示基板的环境光被内部结构反射后反射光线的轨迹，也有助于减弱显示基板黑屏状态下产生的色偏现象。
图3及图4所示的实施例中，块状结构32呈长条形。在其他实施例中，块状结构32可呈圆形、三角形或者其他形状。
在一些实施例中，如图3所示，一个第一电极41对应一个块状结构32。在一些实施例中，一个第一电极41对应两个或两个以上块状结构32。
在一个实施例中，再次参见图2，平坦化层54背离所述衬底10的一侧设有凹陷，所述第一电极41被所述像素开口551暴露的部分包括位于所述凹陷底部的第一电极部411及位于所述凹陷的侧表面的第二电极部412，所述块状结构32在所述衬底10上的正投影落在一个所述第一电极部411在所述衬底10上的正投影内，且所述块状结构32在所述衬底10上的正投影的面积小于对应的所述第一电极部411在所述衬底10上的正投影的面积。如此设置，可进一步增大显示基板在大视角下的光线的出射量，提高显示基板大视角下的亮度，改善显示基板大视角下色偏的现象。
在一个实施例中，每一所述像素开口551均与至少一个块状结构32对应。如此，更有助于提升显示基板大视角下的亮度，改善显示基板大视角下色偏的现象。
在一个实施例中，所述发光层的不同发光颜色的所述发光结构对应的块状结构的形状相同或不同。图3及图4所示的实施例中，不同发光颜色的所述发光结构对应的块状结构的形状均相同。在其他实施例中，发光层的不同发光颜色的所述发光结构对应的块状结构的形状可不同。
在一个实施例中，至少一个所述第一电极41对应的所述块状结构32位于其对应的所述阻挡部31内且与所述阻挡部31之间存在间隙，所述第一电极41通过所述阻挡部31与所述块状结构32之间的间隙与所述像素驱动电路20电连接。如此设置，阻挡层30的设置不影响第一电极41与像素驱动电路的电连接。
本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法。下面对显示基板的制备过程进行介绍。本申请实施例所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀或化学气相沉积中等工艺，刻蚀可以采用干刻或湿刻等工艺。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后可称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。参见图5，所述显示基板的制备方法包括如下步骤110至步骤
在步骤110中，提供衬底。
在步骤120中，形成位于所述衬底上的像素驱动电路。
在一个实施例中，参见图1及图2，像素驱动电路20包括薄膜晶体管21及电容22。薄膜晶体管21包括有源层211、栅电极212、第三电极213及第四电极241。发光结构40的第一电极41通过贯穿平坦化层54的通孔与第四电极214电连接。第三电极213与第四电极214中的一个为源电极，另一个为漏电极。电容22包括第一极板221及位于第一极板221背离衬底10的一侧且与第一极板221相对设置的第二极板222。第一极板221与栅电极212位于同一层。
在一个实施例中，显示基板100还包括栅极绝缘层51、电容绝缘层52及层间介质层53。
在一个实施例中，所述形成位于所述衬底上的像素驱动电路的步骤120包括如下过程：
首先，在衬底10上沉积有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成有源层211。
随后，依次沉积栅极绝缘层51和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成位于栅电极212和第一极板221。
随后，依次沉积电容绝缘层52和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成位于第二极板222。
随后，依次沉积层间介质层53，并对栅极绝缘层51、电容绝缘层52和层间介质层53进行刻蚀，形成穿透栅极绝缘层51、电容绝缘层52和层间介质层53的通孔，通孔位于有源层的侧部且暴露部分有源层的侧部。
随后，依次沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，形成第三电极213与第四电极214，第三电极213与第四电极214分别通过通孔与有源层211电连接。
在步骤130中，形成位于所述像素驱动电路背离所述衬底一侧的平坦化层。
在步骤140中，形成位于所述平坦化层背离所述衬底一侧的阻挡层，所述阻挡层用于阻挡水氧。
在一个实施例中，所述阻挡层30包括多个阻挡部31及块状结构32。
在一个实施例中，所述阻挡层30包括无机层。
进一步地，所述阻挡层为无机层。所述形成位于所述衬底上的像素驱动电路的步骤120包括如下过程：
在平坦化层背离衬底的一侧沉积无机层薄膜，通过构图工艺对无机层薄膜进行构图，形成阻挡层30。
在一个实施例中，所述阻挡层30包括多个阻挡部31，所述阻挡部31呈环形。至少位于所述显示区边缘区域的各所述第一电极41在所述衬底10上的正投影的边缘位于一个所述阻挡部31在所述衬底10上的正投影的内边缘与外边缘之间。
在步骤150中，形成位于所述阻挡层背离所述衬底一侧的发光层，所述发光层包括位于所述显示区的多个发光结构，所述发光结构包括第一电极、位于所述第一电极背离所述衬底一侧的有机发光材料层及位于所述有机发光材料层背离所述衬底一侧的第二电极。
其中，至少位于所述显示区的边缘区域的所述第一电极在所述衬底上的正投影的边缘落在所述阻挡层在所述衬底上的正投影内，且与所述阻挡层在所述衬底上的正投影的边缘不交叠。
在一个实施例中，所述阻挡层30包括多个块状结构32，每一所述块状结构32在所述衬底10上的正投影落在一个所述像素开口551的底部在所述衬底10上的正投影内，且所述块状结构32在所述衬底10上的正投影的面积小于对应的所述像素开口551的底部在所述衬底10上的正投影的面积。
由于显示基板的制备方法与显示基板属于同一发明构思，具体细节及带来的有益效果相同，在此不再进行赘述。
本申请实施例还提供了一种显示面板。参见图1及图2，所述显示面板200包括所述显示基板100及位于显示基板100上的封装层60和彩膜层70。所述封装层60和彩膜层70位于所述发光层背离所述衬底的一侧。
在一个实施例中，封装层60可以是薄膜封装层，包括交替叠加设置的无机层和有机层，且距离衬底最大的一层为无机层。例如，封装层60包括两层无机层机位于两层无机层之间的有机层。
在一个实施例中，彩膜层70包括间隔排布的色阻71及黑矩阵72，色阻71与像素开口551可一一对应，且色阻71在衬底上的正投影覆盖对应的像素开口551在衬底上的正投影。
所述封装层和彩膜层的膜层顺序不限于图1及图2所述，在一些实施例中，所述彩膜层可以位于封装层中。
所述显示面板还可包括位于所述显示基板背离衬底一侧的玻璃盖板。
本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述实施例所述的显示面板。
所述显示装置还可包括外壳，显示面板嵌设在外壳中。
所述显示装置还可包括多个传感器，例如包括指纹识别传感器、距离传感器等。
本申请实施例提供的显示装置例如可以为手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、车载设备等任何具有显示功能的设备。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (10)
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括显示区；所述显示基板包括：
衬底；
位于所述衬底上的像素驱动电路；
位于所述像素驱动电路背离所述衬底一侧的平坦化层；
位于所述平坦化层背离所述衬底一侧的阻挡层，所述阻挡层用于阻挡水氧；
位于所述阻挡层背离所述衬底一侧的发光层，所述发光层包括位于所述显示区的多个发光结构，所述发光结构包括第一电极、位于所述第一电极背离所述衬底一侧的有机发光材料层及位于所述有机发光材料层背离所述衬底一侧的第二电极；至少位于所述显示区的边缘区域的所述第一电极在所述衬底上的正投影的边缘落在所述阻挡层在所述衬底上的正投影内，且与所述阻挡层在所述衬底上的正投影的边缘不交叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡层包括无机层。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述无机层的厚度范围为500埃～3000埃。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡层包括多个阻挡部，所述阻挡部呈环形；至少位于所述显示区边缘区域的各所述第一电极在所述衬底上的正投影的边缘位于一个所述阻挡部在所述衬底上的正投影的内边缘与外边缘之间。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述阻挡层背离所述衬底一侧的像素限定层，所述像素限定层设有与所述发光结构一一对应的像素开口；所述像素限定层位于所述第一电极上，且所述像素开口暴露对应的第一电极的一部分；
所述阻挡层包括多个块状结构，各所述块状结构在所述衬底上的正投影落在一个所述像素开口的底部在所述衬底上的正投影内，且所述块状结构在所述衬底上的正投影的面积小于对应的所述像素开口的底部在所述衬底上的正投影的面积。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述阻挡层背离所述衬底一侧的像素限定层，所述像素限定层设有与所述发光结构一一对应的像素开口；所述像素限定层位于所述第一电极上，且所述像素开口暴露对应的第一电极的一部分；
所述平坦化层背离所述衬底的一侧设有凹陷，所述第一电极被所述像素开口暴露的部分包括位于所述凹陷底部的第一电极部及位于所述凹陷的侧表面的第二电极部。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡层包括多个块状结构，各所述块状结构在所述衬底上的正投影落在一个所述第一电极部在所述衬底上的正投影内，且所述块状结构在所述衬底上的正投影的面积小于对应的所述第一电极部在所述衬底上的正投影的面积。
8.根据权利要求5或7所述的显示基板，其特征在于，所述发光层包括至少三种不同发光颜色的所述发光结构，不同发光颜色的所述发光结构对应的块状结构的形状相同或不同；和/或，
所述阻挡层包括多个阻挡部，所述阻挡部呈环形；至少位于所述显示区边缘区域的各所述第一电极在所述衬底上的正投影的边缘位于一个所述阻挡部在所述衬底上的正投影的内边缘与外边缘之间；至少一个所述第一电极对应的所述块状结构位于其对应的所述阻挡部内且与所述阻挡部之间存在间隙，所述第一电极通过所述阻挡部与所述块状结构之间的间隙与所述像素驱动电路电连接。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1至8任一项所述的显示基板、以及位于所述显示基板上的封装层和彩膜层。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9所述的显示面板。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202110667736.4A CN113241421A (zh) | 2021-06-16 | 2021-06-16 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
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Publications (1)
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| CN113241421A true CN113241421A (zh) | 2021-08-10 |
Family
ID=77140108
Family Applications (1)
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| CN202110667736.4A Pending CN113241421A (zh) | 2021-06-16 | 2021-06-16 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN113241421A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113707822A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-11-26 | 成都京东方光电科技有限公司 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
| CN113707831A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-11-26 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板 |
| CN114122294A (zh) * | 2021-11-22 | 2022-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及显示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150144912A1 (en) * | 2013-11-26 | 2015-05-28 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
| CN108550711A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-09-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件及其制造方法、oled显示器 |
| CN109920816A (zh) * | 2017-12-12 | 2019-06-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN110518053A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-29 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN111180496A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-05-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN215644557U (zh) * | 2021-06-16 | 2022-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
-
2021
- 2021-06-16 CN CN202110667736.4A patent/CN113241421A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150144912A1 (en) * | 2013-11-26 | 2015-05-28 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
| CN109920816A (zh) * | 2017-12-12 | 2019-06-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN108550711A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-09-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件及其制造方法、oled显示器 |
| CN110518053A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-29 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN111180496A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-05-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN215644557U (zh) * | 2021-06-16 | 2022-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113707822A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-11-26 | 成都京东方光电科技有限公司 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
| CN113707831A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-11-26 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板 |
| CN113707831B (zh) * | 2021-08-30 | 2023-09-01 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板 |
| CN114122294A (zh) * | 2021-11-22 | 2022-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及显示装置 |
| CN114122294B (zh) * | 2021-11-22 | 2024-03-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及显示装置 |
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