CN111668380B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，该显示基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板之上的多个间隔设置的第一电极，所述第一电极上设置有像素膜层，相邻所述第一电极之间形成间隔区，所述间隔区上形成有隔离槽，所述隔离槽将相邻所述第一电极上的像素膜层电性隔断；以解决显示基板串扰的问题。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

现有的微型有机发光显示装置，如硅基微型有机发光显示(Organic Light-Emitting Display，简称：OLED)装置，以单晶硅芯片为基底，像素尺寸为传统显示器件的1/10，精细度远远高于传统器件，可用于形成微型显示器。硅基OLED微显示器具有广阔的市场应用空间，特别适合应用于头盔显示器、立体显示镜以及眼镜式显示器等。如与移动通讯网络、卫星定位等系统联在一起则可在任何地方、任何时间获得精确的图像信息，这在国防、航空、航天乃至单兵作战等军事应用上具有非常重要的军事价值。微型OLED微显示器能够为便携式计算机、无线互联网浏览器、便携式DVD、游戏平台及可戴式计算机等移动信息产品提供高画质的视频显示。可以说，微型硅基OLED微显示无论是对于民用消费领域还是工业应用乃至军事用途都提供了一个极佳的近眼应用(如头盔显示)解决途径，有望在军事以及消费类电子领域掀起近眼显示的新浪潮。

微型硅基OLED显示装置，其像素尺寸特别小，像素密度(Pixels Per Inch，简称：PPI)高，相邻像素之间的间隔小，间隔距离往往小于1微米，从而会导致相邻像素之间横向电流串扰的问题，引起显示装置串色。比如，当一个像素有显示信号时，部分显示电流被传输到了与其相邻的像素处，使得相邻的像素不能显示预定的像素灰阶，这使得微型硅基OLED显示装置的显示效果大受影响。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决显示基板串扰的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板之上的多个间隔设置的第一电极，所述第一电极上设置有像素膜层，相邻所述第一电极之间形成间隔区，所述间隔区上形成有隔离槽，所述隔离槽将相邻所述第一电极上的像素膜层电性隔断。

在一种示例性实施方式中，所述第一电极靠近所述间隔区的一侧设置有隔离柱，相邻所述第一电极上的隔离柱之间形成所述隔离槽。

在一种示例性实施方式中，所述隔离柱具有靠近所述隔离槽一侧的第一侧壁，所述第一侧壁与所述第一电极之间的夹角不小于80度。

在一种示例性实施方式中，所述隔离柱具有远离所述隔离槽一侧的第二侧壁，所述第二侧壁与所述第一电极之间的夹角小于60度。

在一种示例性实施方式中，所述隔离柱远离所述衬底基板一侧的表面到所述第一电极远离所述衬底基板一侧的表面的高度为200～2000埃米。

在一种示例性实施方式中，所述衬底基板包括多个间隔设置的子像素区以及位于相邻所述子像素区之间的非显示区，所述隔离柱位于所述非显示区之上。

在一种示例性实施方式中，所述像素膜层包括设置于所述第一电极之上的电荷生成层，所述电荷生成层远离所述衬底基板一侧的表面不高于所述隔离柱远离所述衬底基板一侧的表面。

在一种示例性实施方式中，所述像素膜层还包括设置于所述电荷生成层之上的发光层以及设置于所述发光层之上的第二电极，所述发光层远离所述衬底基板一侧的表面高于所述隔离柱远离所述衬底基板一侧的表面。

在一种示例性实施方式中，所述第一电极与所述衬底基板之间设置有覆盖所述衬底基板的绝缘层，所述像素膜层的厚度等于所述绝缘层的厚度与所述第一电极的厚度之和。

在一种示例性实施方式中，所述第一电极与所述衬底基板之间设置有覆盖所述衬底基板的绝缘层，相邻所述第一电极之间的所述绝缘层向内凹陷，形成所述隔离槽。

在一种示例性实施方式中，所述隔离槽具有侧壁和底壁，所述侧壁与所述底壁之间的夹角不小于80度。

在一种示例性实施方式中，所述隔离槽的深度不大于2000埃米。

在一种示例性实施方式中，所述第一电极靠近所述间隔区的一侧设置有隔离柱，相邻所述第一电极上的隔离柱之间形成第一凹槽，所述第一电极与所述衬底基板之间设置有覆盖所述衬底基板的绝缘层，相邻所述第一电极之间的所述绝缘层向内凹陷形成第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽组合形成所述隔离槽。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述任一所述的显示基板。

本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：

在衬底基板之上形成多个间隔设置的第一电极，使相邻所述第一电极之间形成间隔区；

在所述间隔区上形成隔离槽；

在所述第一电极上形成像素膜层，相邻所述第一电极上的像素膜层通过所述隔离槽电性隔断。

在一种示例性实施方式中，显示基板的制备方法包括：

在衬底基板之上形成覆盖所述衬底基板的绝缘层；

在所述绝缘层之上形成多个间隔设置的第一电极，使相邻所述第一电极之间形成间隔区；

在所述第一电极靠近所述间隔区的一侧形成隔离柱，使相邻所述第一电极上的隔离柱之间形成第一凹槽；

在相邻所述第一电极之间的绝缘层中形成向内凹陷的第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽组合形成所述隔离槽。

在一种示例性实施方式中，显示基板的制备方法包括：

在衬底基板之上形成覆盖所述衬底基板的绝缘层；

在所述绝缘层之上形成多个间隔设置的第一电极，使相邻所述第一电极之间形成间隔区；

在相邻所述第一电极之间的绝缘层中形成向内凹陷的第二凹槽；

在所述第一电极靠近所述间隔区的一侧形成隔离柱，使相邻所述第一电极上的隔离柱之间形成第一凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽组合形成所述隔离槽。

本发明提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过在相邻第一电极之间的间隔区上形成隔离槽，使隔离槽与第一电极形成段差，从而在形成像素膜层过程中，隔离槽能够阻断相邻第一电极上像素膜层之间的横向电流，使相邻第一电极上像素膜层之间电性隔断，防止相邻第一电极上像素膜层串扰。

当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

图1为本发明实施例显示基板形成隔离槽后的示意图一；

图2为本发明实施例显示基板形成像素膜层后的示意图；

图3为本发明实施例显示基板中像素膜层的结构示意图；

图4为本发明实施例显示基板形成隔离槽后的示意图二；

图5为本发明实施例显示基板形成隔离槽后的示意图三。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

顶发射电致发光结构以其高开口率，产品亮度高广泛应用于移动端产品。对于硅基OLED显示产品来说，顶发射电致发光是其唯一的选择。由于当前掩膜版的限制，当前RGB结构产品很难突破1000ppi，白色有机电致发光器件(WOLED)+彩膜基板(CF)使得产品到达几千ppi成为可能。顶发射器件存在着较强的微腔效应，一般顶发射白光器件会优先考虑弱化微腔效应，以便红绿蓝三色可以均衡出光，这就对器件阴极有着较高的要求。在行业内目前已量产的镁(Mg):银(Ag)复合阴极，该阴极结构透过率只有50％左右，微腔效应比较明显，再加上彩膜基板对光的选择性，使得最终产品的亮度较低。

微腔效应公式如下：

微腔效应公式中，反射镜P1的反射率为R₁，一半反半透镜P2的反射率为R2，反射镜P1与一半反半透镜P2间光程为L，发光中心距P1的光程为Z，在发光中心发出时的光强为I₀。

微型硅基OLED显示装置中，对于白光单发光层(single)器件，为降低器件启动电压，除了提高阳极注入功函外，还需要注入性能较好的空穴注入层(HIL)材料。空穴注入层(HIL)材料具有较高的导电性。由于有机电致发光材料的阴极是共用的，在点亮时往往出现周边像素发亮的情况，对于BV3或real RGB等像素排布来说就会引起串色现象，导致产品色域降低。

对于多发光层(tandem)器件除了高导电的空穴注入层(HIL)外，又引入了电荷生成层(CGL)。对于像素密度(Pixels Per Inch，简称：PPI)较低的TV等产品来说，解决电荷生成层的串扰往往是通过降低电荷生成层的电性或增加像素膜层之间的间距来实现。由于硅基的产品像素膜层之间的间距限制，以及产品亮度是TV亮度的10倍甚至更高，电荷生成层的电学降低后，其产品工作电压和功耗将会提高，也加剧了互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称：CMOS)的跨压设计难度。

本发明实施例提供一种显示基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板之上的多个间隔设置的第一电极，所述第一电极上设置有像素膜层，相邻所述第一电极之间形成间隔区，所述间隔区上形成有隔离槽，所述隔离槽将相邻所述第一电极上的像素膜层电性隔断。

本发明实施例显示基板通过在相邻第一电极之间的间隔区上形成隔离槽，使隔离槽与第一电极形成段差，从而在形成像素膜层过程中，隔离槽能够阻断相邻第一电极上像素膜层之间的横向电流，即隔离槽能够阻断相邻第一电极上像素膜层中的空穴注入层和电荷生成层，使相邻第一电极上像素膜层之间电性隔断，防止相邻第一电极上像素膜层串扰。

下面通过具体实施例详细说明本发明实施例的技术方案。

图1为本发明实施例显示基板形成隔离槽后的示意图一。如图1所示，本发明实施例显示基板为有机发光二级管显示基板，包括衬底基板10以及形成于衬底基板10之上的多个间隔设置的第一电极11。第一电极11可以为阳极。相邻第一电极11之间互相断开，形成间隔区12。第一电极11靠近间隔区12的一侧设置有隔离柱13，相邻第一电极11上的隔离柱13之间形成隔离槽14，即相邻第一电极11上的隔离柱13在衬底基板10之上围成隔离槽14。每个第一电极11的相对两侧均设置有隔离柱13，每个第一电极11的两隔离柱13之间形成像素开口，该像素开口将第一电极11暴露，像素开口用于形成像素膜层(图中未示出)。本发明实施例中隔离柱13形成的隔离槽14与第一电极11形成段差，以确保阻断相邻第一电极11上像素膜层的横向电流，防止相邻第一电极上像素膜层串扰。

如图1所示，本发明显示基板可以为顶发射。本发明实施例中第一电极11包括设置于衬底基板10之上的接触电极111以及设置于接触电极111之上的反射电极112。相邻的接触电极111互相断开，相邻的反射电极112互相断开。在显示基板的发光方式为顶发射的情况下，第一电极11可以为透明电极或者半透明电极。

在一种示例性实施方式中，第一电极的类型以及材料不作限制。例如，第一电极可由具有高功函数的透明导电材料形成，其电极材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)和碳纳米管等。

在一种示例性实施方式中，第一电极之上设置有保护层(图中未示出)，用于保护第一电极。比如，保护层为PR保护层。

在一种示例性实施方式中，衬底基板10包括多个间隔设置的子像素区以及位于相邻子像素区之间的非显示区。像素开口与衬底基板10的子像素区相对应。第一电极11上的隔离柱13位于非显示区之上。从而减少了隔离柱13对子像素区的影响，避免隔离柱13遮挡子像素区。该设计工艺简单，高效，精准，提高了器件的整体发光效率，适用于超高微显示领域。

在一种示例性实施方式中，隔离柱13的材料可以采用无机材料。比如，隔离柱13的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。

如图1所示，隔离柱13具有靠近隔离槽14一侧的第一侧壁131，第一侧壁131与第一电极11之间的夹角a不小于80度，比如，第一侧壁131与第一电极11之间的夹角a为90度。第一侧壁131与第一电极11之间的夹角a不小于80度，以确保在形成像素膜层过程中，像素膜层在第一侧壁131处发生断裂，从而实现阻断相邻第一电极11上像素膜层的横向电流。

如图1所示，隔离柱13具有远离隔离槽14一侧的第二侧壁132，第二侧壁132与第一电极11之间的夹角b小于60度，比如，第二侧壁132与第一电极11之间的夹角b为45度。第二侧壁132与第一电极11之间的夹角b小于60度，以确保在形成像素膜层过程中，像素膜层中的第二电极(阴极)不会发生断裂。

在一种示例性实施方式中，隔离柱也可以为多种形状，比如，正梯形、倒梯形、矩形、正六边形等多边形，或者其他规则或不规则形状，本实施例在此不再赘述。

在一种示例性实施方式中，隔离柱远离衬底基板一侧的表面到第一电极远离衬底基板一侧的表面的高度为200～2000埃米，以确保隔离柱形成的隔离槽能够阻断相邻像素膜层的横向电流的同时，保证像素膜层中的第二电极(阴极)不会发生断裂。

图2为本发明实施例显示基板形成像素膜层后的示意图。如图2所示，第一电极11上设置有像素膜层15。像素膜层15位于像素开口上，与像素开口暴露的第一电极11连接。像素膜层15包括设置于第一电极11上的空穴注入层151。空穴注入层151远离衬底基板10一侧的表面不高于隔离柱13远离衬底基板10一侧的表面，从而确保空穴注入层151被隔离柱13之间形成的隔离槽断开。

如图2所示，像素膜层15还包括设置于空穴注入层151之上的电荷生成层152，电荷生成层152远离衬底基板10一侧的表面不高于隔离柱13远离衬底基板10一侧的表面。比如，电荷生成层152远离衬底基板10一侧的表面与隔离柱13远离衬底基板10一侧的表面平齐。从而确保电荷生成层152被隔离柱13之间形成的隔离槽14断开。

在一种示例性实施方式中，电荷生成层包括叠加设置的第一生成层以及第二生成层，第一生成层位于靠近衬底基板的一侧，第二生成层位于远离衬底基板的一侧，第二生成层远离衬底基板一侧的表面不高于隔离柱远离衬底基板一侧的表面。

如图2所示，像素膜层15还包括设置于电荷生成层152之上的第一发光层以及设置于第一发光层之上的第二电极154。第二电极154可以为阴极。第一发光层远离衬底基板10一侧的表面高于隔离柱13远离衬底基板10一侧的表面。从而确保位于第一发光层上方的第二电极154不会被隔离柱13之间形成的隔离槽隔断，确保第二电极154不会发生断裂。

如图1所示，第一电极11与衬底基板10之间设置有覆盖衬底基板10的绝缘层16，像素膜层的厚度等于绝缘层16的厚度与第一电极11的厚度之和，从而弱化微腔效应。

图3为本发明实施例显示基板中像素膜层的结构示意图。如图3所示，像素膜层15包括设置于衬底基板上的空穴注入层151、设置于空穴注入层151上的第一空穴传输层155、设置于第一空穴传输层155上的第二发光层156、设置于第二发光层156上的第一电子传输层157以及设置于第一电子传输层157上的电荷生成层152、设置于电荷生成层152上的第二空穴传输层158、设置于第二空穴传输层158上的第一发光层153、设置于第一发光层153上的第二电子传输层159以及设置于第二电子传输层159上的第二电极154。

在上述像素膜层结构中，电荷生成层152可以包括第一生成层和第二生成层。第一生成层可以为N型电荷生成层，第二生成层可以为P型电荷生成层。其中，N型电荷生成层包括金属材料(例如Li、Mg、Ca、Cs、Yb)。P型电荷生成层由金属氧化物(例如ITO、WO3、MoO3、V2O5、ReO3)，或者由空穴传输材料掺杂路易斯酸(例如FeCl3:NPB、F4-TCNQ:NPB)，或者由P型有机材料(例如HATCN)组成。N型电荷生成层可以改善电子的注入和迁移特性，从而降低驱动电压以及改善装置的效率和寿命。

在上述像素膜层结构中，第一空穴传输层155和第二空穴传输层158可以起到促进空穴的传输的作用。第一空穴传输层155和第二空穴传输层158的材料可以包括选自以下的任一者：例如NPD(N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺)(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺)、TPD(N,N'-双-(3-甲基苯基)-N,N'-双-(苯基)-联苯胺)、和MTDATA(4,4',4-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺)。然而，本实施例不限于此。

在上述像素膜层结构中，空穴注入层151可以促进空穴的注入。空穴注入层151可以由选自以下的至少一者制成：例如CuPc(铜酞菁)、PEDOT(聚(3,4)-乙烯二氧基噻吩)、PANI(聚苯胺)、NPD(N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺)及其组合。然而，本实施例不限于此。

在上述像素膜层结构中，第一电子传输层157和第二电子传输层159接收来自第二电极的电子，并且可以将供给的电子转移至发光层。第一电子传输层157和第二电子传输层159还用于促进电子的传输。第一电子传输层157和第二电子传输层159材料可以包括选自以下的至少一者：例如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、Liq(8-羟基喹啉锂)、PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑)、TAZ(3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、螺-PBD、BAlq(双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝)、SAlq、TPBi(2,2',2-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(2,2',2-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)))、二唑、三唑、菲咯啉、苯并唑和苯并噻唑。然而，本实施例不限于此。

在上述像素膜层结构中，第二电极154可由高导电性和低功函数的材料形成，比如，第二电极154材料可以包括镁铝合金(MgAl)、锂铝合金(LiAl)等合金或者镁、铝、锂、银等单金属。

下面通过本实施例显示基板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。其中，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光、显影等处理，本实施例中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。

显示基板的制备过程包括：

1)在衬底基板10之上形成绝缘层16，在绝缘层16之上沉积金属薄膜，通过构图工艺对金属薄膜进行构图，在衬底基板10上形成多个间隔设置的第一电极11。相邻第一电极11之间互相断开，且相邻第一电极11之间形成间隔区12。在第一电极11之上形成PR保护膜(图中未示出)，如图1所示。其中，金属薄膜可以采用具有高功函数的透明导电材料，金属薄膜材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)和碳纳米管等。

2)在第一电极11上涂覆覆盖整个衬底基板10的隔离材料层，通过刻蚀工艺，对隔离材料层进行干刻，形成隔离柱13，使相邻第一电极11上的隔离柱13之间形成隔离槽14，如图1所示。其中，隔离材料层的厚度为200～2000埃米，隔离材料层的材料可以采用无机材料。隔离槽14的宽度和深度可以根据像素膜层的厚度进行设定，只要保证隔离槽14能够阻断相邻像素膜层中的空穴注入层和电荷生成层的同时，不会使第二电极发生断裂即可。

3)通过掩膜工艺，在第一电极11上形成像素膜层15。其中，像素膜层15中的空穴注入层151和电荷生成层152被隔离槽14隔断。像素膜层15中的第二电极154没有发生断裂，如图2所示。

4)在像素膜层之上形成封装层，以对像素膜层进行封装。

5)在封装层之上形成低温彩膜结构层，实现显示效果。

图4为本发明实施例显示基板形成隔离槽后的示意图二。图4示意了本发明实施例显示基板一种示例性实施方式。如图4所示，本发明实施例显示基板与前述实施例显示基板的主体结构基本相同，所不同的是，第一电极11与衬底基板10之间设置有覆盖衬底基板10的绝缘层16，相邻第一电极11之间的绝缘层16向内凹陷，形成隔离槽14。

如图4所示，隔离槽14具有侧壁141和底壁142，侧壁141与底壁142之间的夹角c不小于80度。比如，侧壁141与底壁142之间的夹角c为90度。侧壁141与底壁142之间的夹角c不小于80度，以确保在形成像素膜层过程中，像素膜层在隔离槽14处发生断裂，从而实现阻断相邻第一电极11上像素膜层的横向电流。

在一种示例性实施方式中，隔离槽的深度不大于2000埃米，以确保隔离槽能够阻断相邻像素膜层的横向电流的同时，保证像素膜层中的第二电极(阴极)不会发生断裂。

图5为本发明实施例显示基板形成隔离槽后的示意图三。图5示意了本发明实施例显示基板一种示例性实施方式。如图5所示，本发明实施例显示基板与前述实施例显示基板的主体结构基本相同，所不同的是，第一电极11靠近间隔区12的一侧设置有隔离柱13，相邻第一电极11上的隔离柱13之间形成第一凹槽17。第一电极11与衬底基板10之间设置有覆盖衬底基板10的绝缘层16，相邻第一电极11之间的绝缘层16向内凹陷，形成第二凹槽18。第一凹槽17和第二凹槽18组合形成隔离槽14。

在一种示例性实施方式中，本发明实施例中的隔离柱13的形状和尺寸与图1所示的显示基板中的隔离柱的形状和尺寸相同。本实施例在此不再赘述。

在一种示例性实施方式中，本发明实施例中的第二凹槽18与图4所示的显示基板中的隔离槽的形状和尺寸相同。本实施例在此不再赘述。

本发明实施例在形成隔离槽14的过程中，先在第一电极11上形成隔离柱13，随后在绝缘层16上形成第二凹槽18。或者，先在绝缘层16上形成第二凹槽18，随后在第一电极11上形成隔离柱13。

本实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：

S1、在衬底基板之上形成多个间隔设置的第一电极，使相邻所述第一电极之间形成间隔区；

S2、在所述间隔区上形成隔离槽；

S3、在所述第一电极上形成像素膜层，相邻所述第一电极上的像素膜层通过所述隔离槽电性隔断。

在一种示例性实施方式中，步骤S2包括：

在所述第一电极靠近所述间隔区的一侧形成隔离柱，使相邻所述第一电极上的隔离柱之间形成所述隔离槽。

在一种示例性实施方式中，本实施例显示基板的制备方法，包括：

在衬底基板之上形成覆盖所述衬底基板的绝缘层；

在所述绝缘层之上形成多个间隔设置的第一电极，使相邻所述第一电极之间形成间隔区；

在相邻所述第一电极之间的绝缘层中形成向内凹陷的所述隔离槽。

在一种示例性实施方式中，本实施例显示基板的制备方法，包括：

在衬底基板之上形成覆盖所述衬底基板的绝缘层；

在所述绝缘层之上形成多个间隔设置的第一电极，使相邻所述第一电极之间形成间隔区；

在所述第一电极靠近所述间隔区的一侧形成隔离柱，使相邻所述第一电极上的隔离柱之间形成第一凹槽；

在相邻所述第一电极之间的绝缘层中形成向内凹陷的第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽组合形成所述隔离槽。

在一种示例性实施方式中，本实施例显示基板的制备方法，包括：

在衬底基板之上形成覆盖所述衬底基板的绝缘层；

在所述绝缘层之上形成多个间隔设置的第一电极，使相邻所述第一电极之间形成间隔区；

在相邻所述第一电极之间的绝缘层中形成向内凹陷的第二凹槽；

在所述第一电极靠近所述间隔区的一侧形成隔离柱，使相邻所述第一电极上的隔离柱之间形成第一凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽组合形成所述隔离槽。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述任一实施例的显示基板。显示装置可以是手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (13)

1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板之上的多个间隔设置的第一电极，所述第一电极上设置有像素膜层，相邻所述第一电极之间形成间隔区，所述第一电极靠近所述间隔区的一侧设置有隔离柱，相邻所述第一电极上的隔离柱之间形成隔离槽，所述像素膜层包括设置于所述第一电极之上的电荷生成层、设置于所述电荷生成层之上的发光层以及设置于所述发光层之上的第二电极，所述电荷生成层远离所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板表面之间的最小距离，小于所述隔离柱远离所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板表面之间的最大距离，所述隔离槽将相邻所述第一电极上的电荷生成层电性隔断，所述发光层远离所述衬底基板一侧的表面高于所述隔离柱远离所述衬底基板一侧的表面，相邻所述第一电极上的第二电极为一体结构；所述隔离柱在所述衬底的正投影位于所述第一电极在所述衬底的正投影中。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述隔离柱具有靠近所述隔离槽一侧的第一侧壁，所述第一侧壁与所述第一电极之间的夹角不小于80度。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述隔离柱具有远离所述隔离槽一侧的第二侧壁，所述第二侧壁与所述第一电极之间的夹角小于60度。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述隔离柱远离所述衬底基板一侧的表面到所述第一电极远离所述衬底基板一侧的表面的高度为200～2000埃米。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述衬底基板包括多个间隔设置的子像素区以及位于相邻所述子像素区之间的非显示区，所述隔离柱位于所述非显示区之上。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极与所述衬底基板之间设置有覆盖所述衬底基板的绝缘层，所述像素膜层的厚度等于所述绝缘层的厚度与所述第一电极的厚度之和。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极与所述衬底基板之间设置有覆盖所述衬底基板的绝缘层，相邻所述第一电极之间的所述绝缘层向内凹陷，形成第二凹槽。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第二凹槽具有侧壁和底壁，所述侧壁与所述底壁之间的夹角不小于80度。

9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第二凹槽的深度不大于2000埃米。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一所述的显示基板。

11.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板之上形成多个间隔设置的第一电极，使相邻所述第一电极之间形成间隔区；

在所述第一电极靠近所述间隔区的一侧形成隔离柱，使相邻所述第一电极上的隔离柱之间形成隔离槽；

在所述第一电极上形成像素膜层；

所述像素膜层包括设置于所述第一电极之上的电荷生成层、设置于所述电荷生成层之上的发光层以及设置于所述发光层之上的第二电极，所述电荷生成层远离所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板表面之间的最小距离，小于所述隔离柱远离所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板表面之间的最大距离，所述隔离槽将相邻所述第一电极上的电荷生成层电性隔断，所述发光层远离所述衬底基板一侧的表面高于所述隔离柱远离所述衬底基板一侧的表面，相邻所述第一电极上的第二电极为一体结构。

12.根据权利要求11所述的显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板之上形成覆盖所述衬底基板的绝缘层；

在所述绝缘层之上形成多个间隔设置的第一电极，使相邻所述第一电极之间形成间隔区；

在所述第一电极靠近所述间隔区的一侧形成隔离柱，使相邻所述第一电极上的隔离柱之间形成第一凹槽；

在相邻所述第一电极之间的绝缘层中形成向内凹陷的第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽组合形成所述隔离槽。

13.根据权利要求11所述的显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板之上形成覆盖所述衬底基板的绝缘层；

在所述绝缘层之上形成多个间隔设置的第一电极，使相邻所述第一电极之间形成间隔区；

在相邻所述第一电极之间的绝缘层中形成向内凹陷的第二凹槽；

在所述第一电极靠近所述间隔区的一侧形成隔离柱，使相邻所述第一电极上的隔离柱之间形成第一凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽组合形成所述隔离槽。

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