CN102881833B - 有机发光二极管 - Google Patents

Abstract

一种有机发光二极管，包括：第一电极；在所述第一电极上的第一空穴传输层；在所述第一空穴传输层上的第一发光材料层，所述第一发光材料层包括掺杂了第一掺杂剂的第一基质，其中所述第一掺杂剂的最低未占有分子轨道的能级比所述第一基质的最低未占有分子轨道的能级高；在所述第一发光材料层上的第一电子传输层；以及在所述第一电子传输层上的第二电极，其中所述第一空穴传输层和所述第一电子传输层中的每一层的能级都比所述第一发光材料层的三重态激子的能级高。

Description

有机发光二极管

相关申请的交叉引用

本申请要求于2011年7月11日提交的韩国专利申请第10-2011-0068489号的权益，在此引入该申请的公开的全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及有机发光二极管(OLED)，具体地说，涉及提高了发光效率和寿命的有机发光二极管。

背景技术

尽管阴极射线管(CRT)曾广泛用作显示装置，但近来已研究和使用各种平板显示器(FPD)，例如等离子显示板(PDP)、液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置。在各种FPD中，因为OLED显示装置是自发光式的，所以OLED显示装置不包括非自发光式的LCD所需要的背光部件。因此，OLED显示装置具有轻的重量和薄的外形。此外，与LCD装置相比，OLED显示装置在视角、对比度和耗电量方面具有优势。OLED显示装置还具有低直流驱动电压(DC)和快响应速度的特点。还有，由于OLED显示装置的内部部件为固态的，因此OLED显示装置耐外部冲击，并且具有使用温度范围广的特点。尤其是，由于制造工艺简单，OLED显示装置的产品成本比LCD装置的产品成本低。

OLED显示装置是包括利用有机发光现象发光的有机发光二极管的自发光式显示装置。图1是表示根据相关技术的有机发光二极管的能带图。在图1中，有机发光二极管10包括阳极21、阴极25、空穴传输层(HTL)33、电子传输层(ETL)35和发光材料层(EML)40。此外，为了提高发光效率，在阳极21和HTL 33之间形成空穴注入层(HIL)37，在阴极25和ETL 35之间形成电子注入层(EIL)39。

当把高电平电压和低电平电压分别施加到有机发光二极管10的阳极21和阴极25上时，阳极21的空穴和阴极25的电子就被传输到EML 40，从而形成激子。当激子从激发态跃迁至基态时就产生光，则EML 40发出光。

激子可具有单重态和三重态，并且单重态和三重态的存在概率的比例大约是1∶3。由于当激子从单重态跃迁至基态时OLED才会发出光，因此OLED具有这样的缺点，即OLED的内部量子效率理论上不高于大约25％。于是，期望能够利用三重态的较高内部量子效率(例如至少是大约75％)的OLED。

发明内容

本发明涉及提高了发光效率和寿命的有机发光二极管。

本发明的其它的特点和优点将在下面的描述中阐述，这些特点和优点的一些将从下面的描述中显而易见的得出，或者可通过对本发明的实施而获悉。本发明的目的和另一些优点能够通过在本发明的文字描述和权利要求以及附图中特别指出的结构来了解和获得。

为了实现这些和另一些优点，并且根据与本发明的一个方面一致的目的，如在此具体表达的和概括描述的那样，一种有机发光二极管可包括：第一电极；在所述第一电极上的第一空穴传输层；在所述第一空穴传输层上的第一发光材料层，所述第一发光材料层包括掺杂了第一掺杂剂的第一基质，其中所述第一掺杂剂的最低未占有分子轨道的能级比所述第一基质的最低未占有分子轨道的能级高；在所述第一发光材料层上的第一电子传输层；在所述第一电子传输层上的第二电极，其中所述第一空穴传输层和所述第一电子传输层中的每一层的能级都比所述第一发光材料层的三重态激子的能级高。

应该理解的是，之前的概括的描述和之后的具体的描述是示例性和解释性的，并且意图提供对请求保护的本发明的进一步解释。

附图说明

附图说明了本发明的实施方式并且和说明书一起解释本发明的原理，为了提供对本发明的进一步理解而被包括的附图与本说明书合并并且构成本说明书的一部分，在所述附图中：

图1是表示根据相关技术的有机发光二极管的能带图；

图2是表示根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管显示装置的横截面图；

图3是表示根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管的横截面图；

图4是表示根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管的能带图；

图5A和图5B是分别表示根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管的发光效率和寿命的曲线图；

图6是表示根据本发明的第二实施方式的有机发光二极管的能带图；

图7是表示根据本发明的第三实施方式的有机发光二极管的能带图。

具体实施方式

现在将详细描述优选的实施方式，所述优选的实施方式的示例在附图中说明。尽可能地，在全部附图中将使用相同的标号来指代相同的或者相似的部分。要注意的是，如果对已知技术的具体的描述被认为会导致对本发明的误解，则将省略对已知技术的具体的描述。

图2是表示根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管显示装置的横截面图，图3是表示根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管的横截面图。

在图2中，有机发光二极管(OLED)显示装置100包括在像素区P中的驱动薄膜晶体管(TFT)DTr和有机发光二极管(OLED)E。半导体层103形成在第一基板101上的像素区P中。所述半导体层103可包括(i)在所述半导体层103的中央的有源区103b以及(ii)在所述有源区103b两侧的源极区103a和漏极区103c。所述有源区103b可包括本征硅，所述源极区103a和所述漏极区103c可包括掺有杂质的硅。此外，栅极绝缘层105形成在所述半导体层103上。

栅极107以及栅线(未示出)形成在栅极绝缘层105上。栅极107对应于半导体层103的有源区103b，并且与所述栅线相连接。层间绝缘层109a在所述栅极107和所述栅线上形成。所述层间绝缘层109a和所述栅极绝缘层105具有分别暴露所述源极区103a和所述漏极区103c的第一半导体接触孔111a和第二半导体接触孔111b。

源极113和漏极115形成在所述层间绝缘层109a上。所述源极113和所述漏极115彼此分开。所述源极113通过所述第一半导体接触孔111a与所述源极区103a相连接，所述漏极115通过所述第二半导体接触孔111b与所述漏极区103c相连接。钝化层109b形成在所述源极113和所述漏极115上。所述钝化层109b具有暴露所述漏极115的漏极接触孔117。

具有所述源极区103a和所述漏极区103c的所述半导体层103、所述栅极绝缘层105、所述栅极107、所述源极113和所述漏极115构成了驱动TFT DTr。

尽管未示出，与所述栅线相交以限定像素区P的数据线形成在所述层间绝缘层109a上。此外，切换TFT形成在像素区P中，所述切换TFT具有与所述驱动TFT DTr的结构相同的结构并且与所述驱动TFT DTr相连接。尽管所述驱动TFT DTr和所述切换TFT在图2中具有半导体层103由多晶硅形成的顶栅结构，但所述驱动TFTDTr和所述切换TFT可具有所述半导体层由非晶硅形成的底栅结构。

构成所述有机发光二极管(OLED)E的第一电极211、有机发光层213和第二电极215顺序地形成在所述钝化层109b上。所述第一电极211通过在所述钝化层109b中的所述漏极接触孔117与所述驱动TFT DTr的所述漏极115相连接。此处，所述第一电极211可由具有相对高的功函数的材料形成，以用作阳极，这种材料是例如氧化铟锡(ITO)，所述第二电极215可由具有相对低的功函数的材料形成，以用作阴极，这种材料是例如单层的铝(Al)、钙(Ca)或镁(Mg)，或者是双层的氟化锂(LiF)/铝(Al)。此外，来自所述有机发光层213的光经由所述第二电极215发出，以便能够以上发光模式驱动OLED显示装置100。

所述有机发光层213可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光材料层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。由于来自所述有机发光层213的光必须通过所述第二电极215，因此所述第二电极215可具有双层结构，所述双层结构包括在下层的一薄层的具有相对低功函数的金属材料和在上层的一厚层的具有相对高功函数的透明导电材料。

在所述OLED显示装置100中，当把对应于图像信号的电压施加到所述第一电极211和所述第二电极215上时，从所述第一电极211注入的空穴和从所述第二电极215注入的电子就被传输到所述有机发光层213，从而形成激子。此外，当激子由激发态向基态跃迁时，就产生光，并且所述光作为可见光经由所述第二电极215发出，如此，所述OLED显示装置100就能够显示图像。所述第一电极211形成在每一个像素区P中，并且在两个相邻第一电极211之间形成堤层119。

因为提高了OLED E的有机发光层213的发光效率，所以与相关技术的OLED显示装置相比，OLED显示装置100的发光效率显著提高(例如提高了大约20％以上)，并且OLED显示装置100的寿命也显著提高(例如提高了大约50％以上)。

在图3中，OLED E包括作为阳极的第一电极211、第一叠层229a、电荷产生层(CGL)227、第二叠层229b和作为阴极的第二电极215。CGL 227可由具有相对低的光损耗和电损耗性质的材料形成，这种材料包括例如金属材料、氧化物材料、有机材料和多层的这些材料。

所述第一叠层229a包括在所述第一电极211和所述CGL 227之间的第一HIL 222、第一HTL 221a、第一EML 223a和第一ETL 224a；所述第二叠层229b包括在所述CGL 227和所述第二电极215之间的第二HTL 221b、激子阻挡层EBL 228、第二EML 223b、第二ETL 224b、和EIL 225。

所述第一EML 223a可包括掺杂了蓝荧光掺杂剂的单一蓝基质，所述第二EML 223b可包括掺杂了红磷光掺杂剂和绿磷光掺杂剂的单一基质。结果是所述OLED E可发出由所述第一EML 223a和所述第二EML 223b的红光、绿光、蓝光混合而成的白光。或者，所述第二EML 223b可包括掺杂了黄掺杂剂的单一基质，所述OLED E可发出由所述第一EML 223a和所述第二EML 223b的蓝光和黄光混合而成的白光。于是，当驱动所述OLED显示装置100时，通过混合来自所述第一EML 223a和所述第二EML 223b的光能够发出白光。

所述第二HTL 221b和所述第二ETL 224b中的每一层都形成为具有比所述第二EML 223b的三重态激子的能级高的能级。例如，所述第二HTL 221b和所述第二ETL 224b中的每一层的能级可比所述第二EML 223b的三重态激子的能级高大约0.001eV到大约0.5eV。由于所述第二HTL 221b和所述第二ETL 224b中的每一层的能级都比所述第二EML 223b的三重态激子的能级高，因此防止了所述第二EML 223b的三重态激子向所述第二HTL 221b和所述第二ETL 224b中的一层迁移。结果防止了发光效率的降低。

此外，所述第一HTL 221a和所述第一ETL 224a中的每一层都形成为具有比所述第一EML 223a的三重态激子的能级高的能级。例如，所述第一HTL 221a和所述第一ETL 224a中的每一层的能级可比所述第一EML 223a的三重态激子的能级高大约0.001eV到大约0.5eV。由于所述第一HTL 221a和所述第一ETL224a中的每一层的能级都比所述第一EML 223a的三重态激子的能级高，因此防止了所述第一EML 223a的三重态激子向所述第一HTL 221a和所述第一ETL224a中的一层迁移。结果防止了发光效率的降低。

在所述OLED显示装置100中，所述第一HTL 221a和所述第一ETL 224a中的每一层的能级(即高三重态能级)都比所述第一EML 223a的三重态激子的能级高，并且所述第二HTL 221b和所述第二ETL 224b中的每一层的能级都比所述第二EML 223b的三重态激子的能级高。于是，防止了所述第一EML 223a和所述第二EML 223b的三重态激子向相对它们的上层和下层迁移，并且有效地利用了所述第一EML 223a和所述第二EML 223b的三重态激子来发光。

在某些实施方式中，由于所述第一EML 223a包括荧光材料，并且所述第一HTL 221a和所述第一ETL 224a中的每一层都形成为具有高三重态能级，因此，在所述第一EML 223a中产生的三重态激子由于三重态激子之间的相互作用而跃迁到单重态。相似地，由于所述第二EML 223b包括磷光材料，并且所述第二HTL 221b和所述第二ETL 224b中的每一层都形成为具有高三重态能级，因此，在所述第二EML 223b中产生的三重态激子由于三重态激子之间的相互作用而跃迁到单重态。当空穴和电子在所述第一EML 223a和所述第二EML 223b中相遇而形成激子时，单重态激子和三重态激子的存在概率的比例可以是大约1∶3。虽然单重态激子跃迁至基态发出光(荧光或者磷光)，但三重态激子跃迁至基态发出热而不是发出光。

在OLED显示装置100中，由于第一HTL 221a、第二HTL 221b、第一ETL224a、第二ETL 224b中的每一层都具有高三重态能级，因此三重态激子被限制在所述第一EML 223a和所述第二EML 223b中，并且一部分三重态激子由于三重态激子的碰撞(三重态-三重态湮灭(TTA))而跃迁至单重态，从而发出光(延迟的荧光或者延迟的磷光)。由于这部分跃迁至单重态的三重态激子参与了发光，因此提高了内部量子效率和发光效率。特别是，由于三重态激子的寿命比单重态激子的寿命长，因此，因三重态激子的碰撞和跃迁获得了延迟的荧光和延迟的磷光。进一步，由于延迟的荧光和延迟的磷光，提高了OLED显示装置100的发光效率。例如，与相关技术的OLED显示装置相比，OLED显示装置100的发光效率可提高大约20％以上，并且OLED显示装置100的寿命可提高大约50％以上。

参照图4，所述第一EML 223a的荧光掺杂剂250的最低未占有分子轨道(LUMO)具有比所述第一EML 223a的基质240的LUMO的能级高的能级。在所述第一EML 223a中，由于掺杂剂250的LUMO的能级比基质240的LUMO的能级高，因此防止了空穴和电子在所述掺杂剂250中被俘获。

当掺杂剂的LUMO的能级和最高占有分子轨道(HOMO)的能级位于基质的LUMO的能级和HOMO的能级之间时，空穴和电子很有可能直接注入所述第一EML223a的掺杂剂中。于是降低了注入基质中的空穴和电子的量，降低了发光效率。此外，可能使掺杂剂变劣。

为了避免OLED显示装置的上述缺点，这样形成所述第一EML 223a，即所述掺杂剂250的LUMO的能级比所述基质240的LUMO的能级高，由此提高了发光效率。

图4是表示根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管的能带图。为了表示的方便，在图4中表示了图3中示出的第一叠层，但是省略了图3中示出的第二叠层。

在图4中，第一EML 223a包括掺杂了荧光掺杂剂250的单一基质240。空穴从第一HTL 221a注入第一EML 223a中，电子从第一ETL 224a注入第一EML 223a中。当空穴和电子形成为激子后，一旦激子从激发态跃迁至基态，则对应于激发态和基态之间的能量差的光就作为可见光发出。

由于所述第一EML 223a的所述掺杂剂250的LUMO的能级比所述第一EML223a的所述基质240的LUMO的能级高，因此来自所述第一HTL 221a的全部或者大部分空穴和来自所述第一ETL 224a的全部或者大部分电子能够注入所述基质240中。于是，来自所述第一HTL 221a的全部或者大部分空穴和来自所述第一ETL 224a的全部或者大部分电子能够在所述基质240中没有损失地形成激子，提高了所述第一EML 223a的发光效率。换句话说，由于注入所述基质240中的空穴和电子的量增加了，单重态激子的产生率就提高了，并且发生三重态-三重态湮灭的三重态激子的量也增加了。此外，由于空穴和电子没有注入所述掺杂剂250中，因此防止了使所述掺杂剂250变劣。例如，所述掺杂剂250的LUMO的能级可比所述基质240的LUMO的能级高大约0.001eV到大约0.5eV，或者高大约0.01eV到大约0.5eV。

图5A和5B是分别表示根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管的发光效率和寿命的曲线图。

在图5A中，根据本发明的第一实施方式的OLED的发光效率比相关技术的OLED的发光效率高，在本发明的第一实施方式的OLED中，掺杂剂的LUMO的能级比基质的LUMO的能级高，而在相关技术的OLED中，掺杂剂的LUMO的能级和HOMO的能级中的每一个都在基质的LUMO的能级和HOMO的能级之间。在图5B中，根据本发明的第一实施方式的OLED的寿命显示为比相关技术的OLED的寿命长两倍。因此，与相关技术的OLED相比，根据本发明的第一实施方式的OLED的发光效率和寿命得到了提高。

图6是表示根据本发明的第二实施方式的有机发光二极管的能带图。

在图6中，EML 323a包括掺杂了第一荧光掺杂剂350a和第二荧光掺杂剂350b的单一基质340。空穴从HTL 321a注入所述EML 323a中，电子从ETL 324a注入所述EML 323a中。当空穴和电子形成激子后，一旦激子从激发态跃迁至基态，则对应于激发态和基态之间的能量差的光就作为可见光发出。

所述第一掺杂剂350a形成为具有比所述基质340的LUMO的能级高的LUMO的能级，所述第二掺杂剂350b形成为具有比所述基质340的HOMO的能级低的HOMO的能级。此外，所述EML 323a的邻近所述ETL 324a的边缘部分掺杂了所述第一掺杂剂350a，所述EML 323a的邻近HTL 321a的另一边缘部分掺杂了所述第二掺杂剂350b。标号311和315表示第一电极和第二电极。

结果是，来自所述HTL 321a的全部或者大部分空穴和来自所述ETL 324a的全部或者大部分电子能够注入所述基质340中。于是，来自所述HTL 321a的全部或者大部分空穴和来自所述ETL 324a的全部或者大部分电子可在基质340中没有损失地形成激子，提高了所述EML 323a的发光效率。此外，由于空穴没有注入所述第一掺杂剂350a中，并且电子没有注入所述第二掺杂剂350b中，因此防止了使所述第一掺杂剂350a和所述第二掺杂剂350b变劣。举例来说，所述第一掺杂剂350a和所述第二掺杂剂350b的带隙差可小于大约0.1eV。还有，所述第一掺杂剂350a的LUMO的能级可比所述基质340的LUMO的能级高大约0.001eV到大约0.5eV(或者高大约0.01eV到大约0.5eV)，所述第二掺杂剂350b的HOMO的能级可比所述基质340的HOMO的能级低大约0.001eV到大约0.5eV(或者低大约0.01eV到大约0.5eV)。

图7是表示根据本发明的第三实施方式的有机发光二极管的能带图。

在图7中，EML 423a包括分别掺杂了第一荧光掺杂剂450a和第二荧光掺杂剂450b的第一基质440a和第二基质440b。空穴从HTL 421a注入所述EML423a中，电子从ETL 424a注入所述EML 423a中。当空穴和电子形成激子后，一旦激子从激发态跃迁至基态，则对应于激发态和基态之间的能量差的光就作为可见光发出。

所述第一基质440a和所述第二基质440b具有彼此不同的能级。此外，所述第一掺杂剂450a形成为具有比所述第一基质440a的LUMO的能级高的LUMO的能级，所述第二掺杂剂450b形成为具有比所述第二基质440b的HOMO的能级低的HOMO的能级。此外，所述EML 423a的邻近所述ETL 424a的一边缘部分包括所述第一基质440a，并掺杂了所述第一掺杂剂450a，而所述EML 423a的邻近所述HTL 421a的另一边缘部分包括所述第二基质440b，并掺杂了所述第二掺杂剂450b。标号411和415分别表示第一电极和第二电极。

结果是，来自所述HTL 421a的全部或者大部分空穴和来自所述ETL 424a的全部或者大部分电子能够分别注入所述第二基质440b中和所述第一基质440a中。于是，来自所述HTL 421a的全部或者大部分空穴和来自所述ETL 424a的全部或者大部分电子可在所述第一基质440a和所述第二基质440b中没有损失地形成激子，提高了所述EML 423a的发光效率。此外，由于电子没有注入所述第一掺杂剂450a中，并且空穴没有注入所述第二掺杂剂450b中，因此防止了使所述第一掺杂剂450a和所述第二掺杂剂450b变劣。举例来说，所述第一掺杂剂450a和所述第二掺杂剂450b的带隙差可小于大约0.1eV。还有，所述第一掺杂剂450a的LUMO的能级可比所述第一基质440a的LUMO的能级高大约0.001eV到大约0.5eV(或者高大约0.01eV到大约0.5eV)，所述第二掺杂剂450b的HOMO的能级可比所述第二基质440b的HOMO的能级低大约0.001eV到大约0.5eV(或者低大约0.01eV到大约0.5eV)。

第二实施方式第三实施方式的EML可应用于第一实施方式的第二EML223b。

结果是，在OLED显示装置中，可这样形成EML，即掺杂剂的LUMO的能级比基质的LUMO的能级高。或者，可这样形成EML，即第一掺杂剂的LUMO的能级比基质的LUMO的能级高，第二掺杂剂的HOMO的能级比基质的HOMO的能级低。此处，EML的邻近ETL的一边缘部分掺杂了第一掺杂剂，EML的邻近HTL的另一边缘部分掺杂了第二掺杂剂。或者，可这样形成EML，即第一掺杂剂的LUMO的能级比第一基质的LUMO的能级高，第二掺杂剂的HOMO的能级比第二基质的HOMO的能级低。此处，EML的邻近ETL的一边缘部分包括第一基质，并掺杂了第一掺杂剂，EML的邻近HTL的另一边缘部分包括第二基质，并掺杂了第二掺杂剂。

因此，能够防止空穴和电子在掺杂剂中被俘获的现象。此外，提高了OLED显示装置的发光效率。

对于本领域的普通技术人员显而易见的是，在不偏离本发明的精神或者范围的情况下，能够对本发明的有机发光二极管作出各种改进和变化。因此，本发明意在涵盖落入所附权利要求和其等同物的范围之内的对本发明的各种改进和变化。

Claims (17)

1.一种有机发光二极管，包括：

第一电极；

在所述第一电极上的第一空穴传输层；

在所述第一空穴传输层上的第一发光材料层，所述第一发光材料层包括掺杂了第一掺杂剂的第一基质，其中所述第一掺杂剂的最低未占有分子轨道的能级比所述第一基质的最低未占有分子轨道的能级高；

在所述第一发光材料层上的第一电子传输层；以及

在所述第一电子传输层上的第二电极，

其中所述第一空穴传输层和所述第一电子传输层两层中的任何一层的能级都比所述第一发光材料层的三重态激子的能级高，

其中第一发光材料层包括邻近第一电子传输层的第一侧部和邻近空穴传输层的第二侧部，和

其中在第一侧部中的第一掺杂剂的量大于在第二侧部中的第一掺杂剂的量。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一掺杂剂包括荧光掺杂剂。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其中所述荧光掺杂剂包括蓝荧光掺杂剂。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，还包括：

在所述第一电子传输层上的电荷产生层；

在所述电荷产生层上的第二空穴传输层；

在所述第二空穴传输层上的第二发光材料层；以及

在所述第二发光材料层上的第二电子传输层，

其中所述第二空穴传输层和所述第二电子传输层两层中的任何一层的能级都比所述第二发光材料层的三重态激子的能级高。

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其中所述第二发光材料层包括红掺杂剂和绿掺杂剂。

6.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其中所述第二发光材料层包括黄掺杂剂。

7.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其中

所述第一空穴传输层和所述第一电子传输层两层中的任何一层的能级都比所述第一发光材料层的三重态激子的能级高0.001eV到0.5eV，以及

所述第二空穴传输层和所述第二电子传输层两层中的任何一层的能级都比所述第二发光材料层的三重态激子的能级高0.001eV到0.5eV。

8.根据权利要求4所述的有机发光二极管，还包括在所述第二空穴传输层和所述第二发光材料层之间的激子阻挡层。

9.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一掺杂剂的最低未占有分子轨道的能级比所述第一基质的最低未占有分子轨道的能级高0.001eV到0.5eV。

10.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中

所述第一发光材料层还包括第二掺杂剂，并且

所述第二掺杂剂的最高占有分子轨道的能级比所述第一基质的最高占有分子轨道的能级低。

11.根据权利要求10所述的有机发光二极管，其中

所述第一侧部掺杂了所述第二掺杂剂。

12.根据权利要求11所述的有机发光二极管，其中

所述第二侧部掺杂了所述第二掺杂剂，并且在第二侧部中的第二掺杂剂的量大于在第一侧部中的第二掺杂剂的量。

13.根据权利要求10所述的有机发光二极管，其中

所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂之间的能带的间隙小于0.1eV。

14.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中

所述第一发光材料层还包括掺杂了第二掺杂剂的第二基质，并且

所述第二掺杂剂的最高占有分子轨道的能级比所述第二基质的最高占有分子轨道的能级低。

15.根据权利要求14所述的有机发光二极管，其中

所述第一基质和第二基质分别布置在所述第一侧部和第二侧部中。

16.根据权利要求15所述的有机发光二极管，其中

所述第二侧部掺杂了所述第二掺杂剂并且在第二侧部中的第二掺杂剂的量大于在第一侧部中的第二掺杂剂的量。

17.根据权利要求14所述的有机发光二极管，其中

所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂之间的能带的间隙小于0.1eV。