KR20210146475A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
표시 장치는 상부에 화상이 표시되는 화소 영역 및 외광을 투과하는 투과 영역이 정의되는 기판, 기판 상의 화소 영역에 배치되는 제1 전극, 제1 전극 상의 화소 영역에 배치되고 발광층 및 적어도 하나의 공통층을 포함하는 중간층, 중간층 상의 화소 영역에 배치되는 제2 전극, 중간층 상의 제2 전극과 투과 영역 사이에 배치되고 플루오린 화합물을 포함하는 표면 제어층, 그리고 제2 전극과 표면 제어층 상의 화소 영역과 투과 영역에 배치되는 봉지층을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 투과 영역을 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 전기적 신호를 변환하여 영상을 표시함에 따라, 사용자에게 시각적인 정보를 제공할 수 있다. 상기 표시 장치는 상기 표시 장치에 입사되는 외광을 투과하는 투과 영역을 포함할 수 있다. 상기 투과 영역을 통해 상기 표시 장치의 배면에 배치되는 카메라 모듈, 센서 모듈 등과 같은 기능성 모듈이 상기 표시 장치의 전면에 위치하는 사물, 사용자 등을 감지하거나 인식할 수 있다.
상기 표시 장치는 화상을 형성하는 광을 방출하는 발광 소자들 및 상기 발광 소자들을 덮는 봉지층을 포함할 수 있다. 상기 봉지층은 외부로부터 상기 표시 장치에 유입되는 불순물로부터 상기 발광 소자들을 보호할 수 있다. 상기 봉지층이 손상되는 경우에 외부로부터 상기 발광 소자들로 불순물이 유입되어 상기 발광 소자들이 손상될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 봉지층이 손상되지 않는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 목적은 봉지층의 손상을 방지하기 위한 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치는 상부에 화상이 표시되는 화소 영역 및 외광을 투과하는 투과 영역이 정의되는 기판, 상기 기판 상의 상기 화소 영역에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상의 상기 화소 영역에 배치되고 발광층 및 적어도 하나의 공통층을 포함하는 중간층, 상기 중간층 상의 상기 화소 영역에 배치되는 제2 전극, 상기 중간층 상의 상기 제2 전극과 상기 투과 영역 사이에 배치되고 플루오린 화합물을 포함하는 표면 제어층, 그리고 상기 제2 전극과 상기 표면 제어층 상의 상기 화소 영역과 상기 투과 영역에 배치되는 봉지층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 표면 제어층에 중첩하지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 표면 제어층의 가장자리에만 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 표면 제어층과 상기 봉지층 사이에 배치되고 상기 제2 전극과 같은 물질을 포함하는 응집 입자들을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표면 제어층은 단면상 상기 기판에 대해 평행할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표면 제어층은 단면상 상기 기판에 대해 경사질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표면 제어층은 평면상 상기 투과 영역을 둘러쌀 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 플루오린 화합물은 디플루오로메틸렌기(difluoromethylene group), 트리플루오로메틸기(trifluorometyl group), 및 플루오로실란(fluorosilane) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 전극은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 인듐(In), 및 이터븀(Yb) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표면 제어층의 표면 에너지는 약 0 mJ/m2 보다 크고 약 30 mJ/m2 보다 작거나 같을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제2 전극과 상기 봉지층 사이의 상기 화소 영역에 배치되는 캡핑층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 공통층, 상기 표면 제어층, 및 상기 캡핑층은 각각 상기 투과 영역에 중첩하는 제1 개구, 제2 개구, 및 제3 개구를 가지고, 상기 제1 개구, 상기 제2 개구, 및 상기 제3 개구에 의해 투과창이 정의될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 봉지층은 제1 무기 봉지층, 상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 유기 봉지층, 그리고 상기 유기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 발광층은 상기 제1 전극에 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 공통층은 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 배치되는 제1 공통층 및 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 배치되는 제2 공통층을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판 상의 화상이 표시되는 화소 영역에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상의 상기 화소 영역 및 외광을 투과하는 투과 영역에 발광층 및 적어도 하나의 공통층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계, 상기 중간층 상의 상기 투과 영역에 표면 제어층을 형성하는 단계, 상기 중간층 상의 상기 화소 영역에 상기 표면 제어층에 인접하는 제2 전극을 형성하는 단계, 상기 투과 영역에 중첩하는 상기 중간층 및 상기 표면 제어층의 부분들을 제거하여 투과창을 형성하는 단계, 그리고 상기 표면 제어층 및 상기 제2 전극 상의 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역에 봉지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 중간층 및 상기 표면 제어층의 상기 부분들은 레이저를 조사하여 제거될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 레이저는 평면상 상기 표면 제어층 내부에 조사될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 중간층 및 상기 표면 제어층의 상기 부분들을 제거하는 단계 전에 상기 표면 제어층 및 상기 제2 전극 상에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 투과 영역에 중첩하는 상기 캡핑층의 부분은 상기 중간층 및 상기 표면 제어층의 상기 부분들을 제거하는 단계에서 함께 제거될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표면 제어층은 기상 증착, 습식 코팅, 또는 스크린 프린팅으로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치가 제2 전극과 투과 영역 사이에 배치되고 플루오린 화합물을 포함하는 표면 제어층을 포함함에 따라, 제2 전극의 단부의 버(burr)에 의해 봉지층이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 투과 영역에 중첩하는 중간층 및 표면 제어층의 부분들을 제거하여 투과창을 형성함에 따라, 제2 전극의 단부에 버(burr)가 생성되거나 제2 전극으로부터 비산이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 제조 과정에서 봉지층이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 제1 영역을 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1의 제2 영역을 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 2의 I-I' 선을 따라 자른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 4의 표면 제어층 및 제2 전극을 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 9, 도 10, 도 11, 도 12, 도 13, 도 14, 및 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
도 2는 도 1의 제1 영역을 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1의 제2 영역을 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 2의 I-I' 선을 따라 자른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 4의 표면 제어층 및 제2 전극을 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 9, 도 10, 도 11, 도 12, 도 13, 도 14, 및 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)을 포함할 수 있다. 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2) 각각은 화상을 표시하기 위한 표시 영역일 수 있다. 제1 영역(A1)은 외광을 투과하는 투과 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역(A1)이 상기 투과 영역을 포함함에 따라, 제1 영역(A1)의 투과율은 제2 영역(A2)의 투과율보다 높을 수 있다. 다시 말해, 제2 영역(A2)의 투과율은 제1 영역(A1)의 투과율보다 낮을 수 있다. 제1 영역(A1)은 화상을 표시하면서도 제1 영역(A1)에 입사되는 외광을 투과할 수 있다.
제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)은 서로 인접하게 위치할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다. 예를 들면, 제1 영역(A1)은 평면상 표시 장치(100)의 가장자리로부터 이격되어 표시 장치(100) 내에 배치되고, 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)의 전부를 둘러쌀 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 영역(A1)은 원형의 평면 형상을 가질 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 다른 실시예에 있어서, 제1 영역(A1)은 다양한 다각형의 평면 형상들을 가질 수도 있다.
표시 장치(100)의 배면에는 기능성 모듈(300)이 배치될 수 있다. 기능성 모듈(300)은 평면상 제1 영역(A1) 내에 배치될 수 있다. 기능성 모듈(300)은 제1 영역(A1)을 통과하는 외광을 수신할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 기능성 모듈(300)은 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 사물의 화상을 촬영(또는 인식)하기 위한 카메라 모듈, 사용자의 얼굴을 감지하기 위한 얼굴 인식 센서 모듈, 사용자의 눈동자를 감지하기 위한 동공 인식 센서 모듈, 표시 장치의 움직임을 판단하기 위한 가속도 센서 모듈 및 지자기 센서 모듈, 표시 장치의 전면의 근접 여부를 감지하기 위한 근접 센서 모듈 및 적외선 센서 모듈, 외부의 밝기의 정도를 측정하기 위한 조도 센서 모듈 등을 포함할 수 있다.
도 2는 도 1의 제1 영역(A1)을 나타내는 평면도이다. 도 3은 도 1의 제2 영역(A2)을 나타내는 평면도이다.
도 1, 도 2, 및 도 3을 참조하면, 제1 영역(A1)은 제1 화소 영역(PA1), 투과 영역(TA), 및 제1 주변 영역(SA1)을 포함하고, 제2 영역(A2)은 제2 화소 영역(PA2) 및 제2 주변 영역(SA2)을 포함할 수 있다. 제1 화소 영역(PA1) 및 제2 화소 영역(PA2) 각각은 화소들이 배치되어 화소들 각각으로부터 생성되는 광이 방출되는 영역일 수 있다.
제1 화소 영역(PA1)은 서로 다른 색의 광을 방출하는 복수의 제1 서브 화소 영역들(SRA1, SGA1, SBA1)을 포함하고, 제2 화소 영역(PA2)은 서로 다른 색의 광을 방출하는 복수의 제2 서브 화소 영역들(SRA2, SGA2, SBA2)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 서브 화소 영역들(SRA1, SGA1, SBA1)은 적색 광을 방출하는 제1 적색 화소 영역(SRA1), 녹색 광을 방출하는 제1 녹색 화소 영역(SGA1), 및 청색 광을 방출하는 제1 청색 화소 영역(SBA1)을 포함하고, 제2 서브 화소 영역들(SRA2, SGA2, SBA2)은 적색 광을 방출하는 제2 적색 화소 영역(SRA2), 녹색 광을 방출하는 제2 녹색 화소 영역(SGA2), 및 청색 광을 방출하는 제2 청색 화소 영역(SBA2)을 포함할 수 있다.
투과 영역(TA)은 표시 장치(100)에 입사하는 외광을 투과하는 영역일 수 있다. 제1 영역(A1)이 외광을 투과하는 투과 영역(TA)을 포함함에 따라, 제1 영역(A1)에 대응되는 표시 장치(100)의 배면에 배치되는 기능성 모듈(300)이 투과 영역(TA)을 통해 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 사물 또는 사용자를 감지하거나 인식할 수 있다. 제1 주변 영역(SA1)은 제1 화소 영역(PA1) 및 투과 영역(TA)을 둘러쌀 수 있다. 제2 주변 영역(SA2)은 제2 화소 영역(PA2)을 둘러쌀 수 있다. 제1 주변 영역(SA1) 및 제2 주변 영역(SA2) 각각은 광이 방출되지 않고, 외광이 투과되지 않는 영역일 수 있다.
제1 영역(A1)이 투과 영역(TA)을 포함함에 따라, 단위 면적 당 제1 서브 화소 영역들(SRA1, SGA1, SBA1)의 개수는 단위 면적 당 제2 서브 화소 영역들(SRA2, SGA2, SBA2)의 개수보다 작을 수 있다. 다시 말해, 제1 영역(A1)의 해상도는 제2 영역(A2)의 해상도보다 작을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 서브 화소 영역들(SRA1, SGA1, SBA1)의 배열 구조는 제2 서브 화소 영역들(SRA2, SGA2, SBA2)의 배열 구조와 상이할 수 있다. 예를 들면, 제1 서브 화소 영역들(SRA1, SGA1, SBA1)은 스트라이프(stripe) 방식으로 배열되고, 제2 서브 화소 영역들(SRA2, SGA2, SBA2)은 펜타일(PenTile) 방식으로 배열될 수 있다. 이 경우, 제1 화소 영역(PA1)은 하나의 제1 적색 화소 영역(SRA1), 하나의 제1 녹색 화소 영역(SGA1), 및 하나의 제1 청색 화소 영역(SBA1)을 포함하고, 제2 화소 영역(PA2)은 하나의 제2 적색 화소 영역(SRA2), 두 개의 제2 녹색 화소 영역들(SGA2), 및 하나의 제2 청색 화소 영역(SBA2)을 포함할 수 있다.
투과 영역(TA)은 다양한 평면 형상들을 가질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 투과 영역(TA)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 평면상 8각형 형상을 가질 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 다른 실시예에 있어서, 투과 영역(TA)은 평면상 16각형 형상, 원형 형상 등을 가질 수도 있다.
도 4는 도 2의 I-I' 선을 따라 자른 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 5는 도 4의 표면 제어층 및 제2 전극을 나타내는 평면도이다.
제2 영역(A2)의 제2 화소 영역(PA2) 및 제2 주변 영역(SA2)의 단면 구조는 제1 영역(A1)의 제1 화소 영역(PA1) 및 제1 주변 영역(SA1)의 단면 구조와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라, 이하에서는 제1 영역(A1)을 중심으로 설명한다.
도 2, 도 3, 도 4, 및 도 5를 참조하면, 표시 장치(100)는 기판(110), 복수의 도전층들(120, 140, 161, 162), 복수의 무기 절연층들(130, 150), 평탄화층(170), 제1 전극(180), 화소 정의막(190), 중간층(200), 표면 제어층(210), 제2 전극(220), 캡핑층(230), 및 봉지층(240)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 투명한 절연성 기판일 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 유리, 석영, 플라스틱 등으로 형성될 수 있다.
기판(110) 상에는 서로 다른 층들에 위치하는 도전층들(120, 140, 161, 162)이 배치될 수 있다. 도전층들(120, 140, 161, 162)은 활성층(120), 게이트 전극(140), 소스 전극(161), 및 드레인 전극(162)을 포함할 수 있다. 도전층들(120, 140, 161, 162)은 제1 화소 영역(PA1), 제1 주변 영역(SA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제2 주변 영역(SA2)에 배치될 수 있다.
기판(110) 상에는 서로 다른 층들에 위치하여 도전층들(120, 140, 161, 162)을 서로 절연시키는 무기 절연층들(130, 150)이 배치될 수 있다. 무기 절연층들(130, 150)은 게이트 절연층(130) 및 층간 절연층(150)을 포함할 수 있다.
기판(110) 상에는 활성층(120)이 배치될 수 있다. 활성층(120)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 산화물 반도체 등으로 형성될 수 있다. 활성층(120)은 소스 영역, 드레인 영역, 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 배치되는 채널 영역을 포함할 수 있다. 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑되고, 상기 채널 영역에는 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역에 도핑된 불순물과 상이한 타입의 불순물이 도핑될 수 있다.
활성층(120) 상에는 게이트 절연층(130)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(130)은 활성층(120)을 덮으며 기판(110) 상에 형성될 수 있다. 게이트 절연층(130)은 활성층(120)으로부터 게이트 전극(140)을 절연시킬 수 있다. 게이트 절연층(130)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 게이트 절연층(130)은 제1 화소 영역(PA1), 투과 영역(TA), 제1 주변 영역(SA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제2 주변 영역(SA2)에 배치될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 게이트 절연층(130)은 제1 화소 영역(PA1), 제1 주변 영역(SA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제2 주변 영역(SA2)에 배치되고, 투과 영역(TA)에 배치되지 않을 수도 있다.
게이트 절연층(130) 상에는 게이트 전극(140)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(140)은 활성층(120)의 상기 채널 영역에 중첩할 수 있다. 게이트 전극(140)은 금속, 금속의 합금 등과 같은 도전 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(140)은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(140) 상에는 층간 절연층(150)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(150)은 게이트 전극(140)을 덮으며 게이트 절연층(130) 상에 형성될 수 있다. 층간 절연층(150)은 게이트 전극(140)으로부터 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)을 절연시킬 수 있다. 층간 절연층(150)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 층간 절연층(150)은 제1 화소 영역(PA1), 제1 주변 영역(SA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제2 주변 영역(SA2)에 배치되고, 투과 영역(TA)에 배치되지 않을 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 층간 절연층(150)은 제1 화소 영역(PA1), 투과 영역(TA), 제1 주변 영역(SA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제2 주변 영역(SA2)에 배치될 수도 있다.
층간 절연층(150) 상에는 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)이 배치될 수 있다. 소스 전극(161)은 활성층(120)의 상기 소스 영역에 연결되고, 드레인 전극(162)은 활성층(120)의 상기 드레인 영역에 연결될 수 있다. 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)은 금속, 금속의 합금 등과 같은 도전 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 등으로 형성될 수 있다. 활성층(120), 게이트 전극(140), 소스 전극(161), 및 드레인 전극(162)은 트랜지스터(TR)를 형성할 수 있다. 트랜지스터(TR)는 제1 화소 영역(PA1) 및 제2 화소 영역(PA2)에 배치될 수 있다.
소스 전극(161) 및 드레인 전극(162) 상에는 평탄화층(170)이 배치될 수 있다. 평탄화층(170)은 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)을 덮으며 층간 절연층(150) 상에 형성될 수 있다. 평탄화층(170)은 트랜지스터(TR)를 보호하고, 트랜지스터(TR)의 상부에 평탄한 면을 제공할 수 있다. 평탄화층(170)은 폴리이미드(PI) 등과 같은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 평탄화층(170)은 제1 화소 영역(PA1), 제1 주변 영역(SA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제2 주변 영역(SA2)에 배치되고, 투과 영역(TA)에 배치되지 않을 수 있다.
평탄화층(170) 상에는 제1 전극(180)이 배치될 수 있다. 제1 전극(180)은 소스 전극(161) 또는 드레인 전극(162)에 연결될 수 있다. 제1 전극(180)은 제1 화소 영역(PA1) 및 제2 화소 영역(PA2)에 배치될 수 있다. 제1 전극(180)은 금속, 투명 도전성 산화물 등과 같은 도전 물질로 형성될 수 있다.
제1 전극(180) 상에는 화소 정의막(190)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(190)은 제1 전극(180)의 중심부를 노출하는 화소 개구를 포함하여 제1 화소 영역(PA1) 및 제2 화소 영역(PA2)을 정의할 수 있다. 또한, 화소 정의막(190)은 제1 전극(180)의 가장자리로부터 제2 전극(220)을 이격시켜, 제1 전극(180)의 가장자리와 제2 전극(220) 사이에 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 화소 정의막(190)은 폴리이미드(PI) 등과 같은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 화소 정의막(190)은 제1 주변 영역(SA1) 및 제2 주변 영역(SA2)에 배치되고, 제1 화소 영역(PA1), 투과 영역(TA), 및 제2 화소 영역(PA2)에 배치되지 않을 수 있다.
제1 전극(180)과 화소 정의막(190) 상에는 중간층(200)이 배치될 수 있다. 중간층(200)은 발광층(202) 및 적어도 하나의 공통층을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 중간층(200)은 제1 공통층(201), 발광층(202), 및 제2 공통층(203)을 포함할 수 있다.
제1 공통층(201)은 제1 전극(180)과 화소 정의막(190) 상에 배치될 수 있다. 제1 공통층(201)은 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 공통층(201)은 정공 주입층(hole injection layer) 및/또는 정공 수송층(hole transport layer)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 공통층(201)은 정공 주입층과 정공 수송층 이외의 다른 기능층들을 더 포함할 수 있다. 제1 공통층(201)은 제1 화소 영역(PA1), 제1 주변 영역(SA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제2 주변 영역(SA2)에 배치되고, 투과 영역(TA)에 배치되지 않을 수 있다.
발광층(202)은 제1 공통층(201) 상에 배치될 수 있다. 발광층(202)은 제1 전극(180)에 중첩할 수 있다. 제1 발광층(202)은 제1 화소 영역(PA1) 및 제2 화소 영역(PA2)에 배치되고, 투과 영역(TA), 제1 주변 영역(SA1), 및 제2 주변 영역(SA2)에 배치되지 않을 수 있다. 발광층(202)은 유기 발광 물질 및 양자점 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 유기 발광 물질은 저분자 유기 화합물 또는 고분자 유기 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 저분자 유기 화합물은 구리 프탈로사이아닌(copper phthalocyanine), 다이페닐벤지딘(N,N'-diphenylbenzidine), 트리 하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum) 등을 포함할 수 있고, 고분자 유기 화합물은 폴리에틸렌다이옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxythiophene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리페닐렌비닐렌(poly-phenylenevinylene), 폴리플루오렌(polyfluorene) 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물, 및 이들의 조합을 포함하는 코어를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 양자점은 코어 및 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 쉘은 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층의 역할 및 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 충전층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다.
제2 공통층(203)은 제1 공통층(201)과 발광층(202) 상에 배치될 수 있다. 제2 공통층(203)은 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제2 공통층(203)은 전자 수송층(electron transport layer) 및/또는 전자 주입층(electron injection layer)을 포함할 수 있다. 또한, 제2 공통층(203)은 전자 수송층과 전자 주입층 이외의 다른 기능층들을 더 포함할 수 있다. 제2 공통층(203)은 제1 화소 영역(PA1), 제1 주변 영역(SA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제2 주변 영역(SA2)에 배치되고, 투과 영역(TA)에 배치되지 않을 수 있다.
중간층(200) 상에는 제2 전극(220)이 배치될 수 있다. 제2 전극(220)은 중간층(200)을 사이에 두고 제1 전극(180)에 대향할 수 있다. 제2 전극(220)은 제1 화소 영역(PA1), 제1 주변 영역(SA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제2 주변 영역(SA2)에 배치되고, 투과 영역(TA)에 배치되지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 전극(220)은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 인듐(In), 및 이터븀(Yb) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 전극(180), 중간층(180), 및 제2 전극(120)은 발광 소자(EL)를 형성할 수 있다. 발광 소자(EL)는 제1 화소 영역(PA1) 및 제2 화소 영역(PA2)에 배치될 수 있다.
중간층(200) 상의 제2 전극(220)과 투과 영역(TA) 사이에는 표면 제어층(210)이 배치될 수 있다. 표면 제어층(210)은 제1 주변 영역(SA1) 및 제2 주변 영역(SA2)에 배치되고, 제1 화소 영역(PA1), 투과 영역(TA), 및 제2 화소 영역(PA2)에 배치되지 않을 수 있다. 표면 제어층(210)이 제2 전극(220)과 투과 영역(TA) 사이에 배치됨에 따라, 제2 전극(220)의 측면(220S)은 투과 영역(TA)으로부터 이격될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 전극(220)은 표면 제어층(210)에 중첩하지 않을 수 있다. 이 경우, 제2 전극(220)의 측면(220S)은 표면 제어층(210)의 측면(210S)에 접촉할 수 있다. 제2 전극(220)이 표면 제어층(210)에 중첩하지 않음으로써, 제2 전극(220)의 측면(220S)은 투과 영역(TA)으로부터 이격될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 표면 제어층(210)은 단면상 기판(110)에 대해 평행할 수 있다. 다시 말해, 표면 제어층(210)은 단면상 기판(110)이 연장되는 방향과 실질적으로 같은 방향으로 연장될 수 있다.
표면 제어층(210)은 평면상 투과 영역(TA)을 둘러쌀 수 있다. 또한, 제2 전극(220)은 평면상 표면 제어층(210)을 둘러쌀 수 있다. 일 실시예에 있어서, 투과 영역(TA)이 평면상 8각형 형상을 가지는 경우에 표면 제어층(210)은 평면상 투과 영역(TA)을 둘러싸는 8각형 고리 형상을 가질 수 있다.
표면 제어층(210)은 플루오린(F) 화합물을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 플루오린 화합물은 디플루오로메틸렌기(difluoromethylene group), 트리플루오로메틸기(trifluorometyl group), 및 플루오로실란(fluorosilane) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 표면 제어층(210)의 표면 에너지(surface tension)는 상온에서 약 0 mJ/m2 보다 크고, 약 30 mJ/m2 보다 작거나 같을 수 있다. 표면 제어층(210)이 상기 범위의 표면 에너지를 가짐으로써, 제2 전극(220)과 표면 제어층(210) 사이의 접착력은 제2 전극(220)과 공통층(200) 사이의 접착력보다 작을 수 있다.
제2 전극(220)은 금속 셀프 패터닝(metal self patterning) 방법으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 공통층(200) 상에 표면 제어층(210)을 형성한 후에 공통층(200) 상에 제2 전극(220)을 형성하는 경우에, 제2 전극(220)과 표면 제어층(210) 사이의 상대적으로 작은 접착력에 의해 상부에 표면 제어층(210)이 형성되지 않은 공통층(200)의 부분 상에만 제2 전극(220)이 형성될 수 있다. 이 경우, 추가적인 패터닝 공정 없이 패터닝된 제2 전극(220)이 형성될 수 있다.
표면 제어층(210) 및 제2 전극(220) 상에는 캡핑층(230)이 배치될 수 있다. 캡핑층(230)은 발광 소자(EL)를 보호하고, 발광 소자(EL)로부터 발생되는 광이 효율적으로 방출될 수 있도록 도와주는 역할을 할 수 있다. 캡핑층(230)은 a-NPD, NPB, TPD, m-MTDARA, Alq3, CuPc 등의 유기 물질 및/또는 LiF, MgF2, CaF2 등의 무기 물질을 포함할 수 있다. 캡핑층(230)은 제1 화소 영역(PA1), 제1 주변 영역(SA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제2 주변 영역(SA2)에 배치되고, 투과 영역(TA)에 배치되지 않을 수 있다.
표시 장치(100)는 투과 영역(TA)에 중첩하는 투과창(TW)을 포함할 수 있다. 투과창(TW)은 투과 영역(TA)에 중첩하는 표시 장치(100)의 구성들의 개구들로 정의될 수 있다. 게이트 절연층(130), 층간 절연층(150), 유기 절연층(170), 화소 정의막(190), 공통층(200), 표면 제어층(210), 및 캡핑층(230) 중 적어도 하나는 투과 영역(TA)에 중첩하는 개구를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 공통층(200), 표면 제어층(210), 및 캡핑층(230)은 각각 투과 영역(TA)에 중첩하는 제1 개구(OP1), 제2 개구(OP2), 및 제3 개구(OP3)를 가질 수 있다. 이 경우, 공통층(200)의 제1 개구(OP1), 표면 제어층(210)의 제2 개구(OP2), 및 캡핑층(230)의 제3 개구(OP3)는 투과창(TW)을 형성할 수 있다.
투과 영역(TA) 내에 층들이 적층되는 경우에 인접한 층들 사이의 계면에서 반사되는 외광의 반사율이 증가할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)가 투과 영역(TA)에 중첩하는 투과창(TW)을 포함함에 따라, 투과 영역(TA) 내에서 인접한 층들 사이의 계면의 수가 감소할 수 있다. 이에 따라, 인접한 층들 사이의 계면에 의한 외광의 반사율이 감소할 수 있다.
캡핑층(230) 상에는 봉지층(240)이 배치될 수 있다. 봉지층(240)은 적어도 하나의 무기 봉지층 및 적어도 하나의 유기 봉지층을 포함할 수 있다.
제1 화소 영역(PA1), 제1 주변 영역(SA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제2 주변 영역(SA2)에 중첩하는 봉지층(240)의 부분은 발광 소자(EL) 상에 배치되어 외부로부터의 불순물이 발광 소자(EL)로 유입되는 것을 차단하고, 외부 충격으로부터 발광 소자(EL)를 보호할 수 있다. 또한, 투과 영역(TA)에 중첩하는 봉지층(240)의 부분은 투과창(TW)을 채울 수 있다. 봉지층(240)은 제1 화소 영역(PA1), 투과 영역(TA), 제1 주변 영역(SA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제2 주변 영역(SA2)에 걸쳐 평탄한 상면을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 봉지층(240)은 캡핑층(230)을 덮으며 투과창(TW)을 따라 형성되는 제1 무기 봉지층(241), 제1 무기 봉지층(241) 상에 배치되는 유기 봉지층(242), 및 유기 봉지층(242) 상에 배치되는 제2 무기 봉지층(243)을 포함할 수 있다. 제1 무기 봉지층(241) 및 제2 무기 봉지층(243)은 발광 소자(EL)에 산소, 수분 등과 같은 불순물이 침투하는 것을 감소시키거나 실질적으로 차단할 수 있다. 유기 봉지층(242)은 봉지층(240)의 밀봉 특성을 향상시키고, 제1 무기 봉지층(241)과 제2 무기 봉지층(243)의 내부 스트레스를 완화하며, 제1 무기 봉지층(241)과 제2 무기 봉지층(243)의 결함을 보완하고, 제2 무기 봉지층(243)에 평탄한 상면을 제공할 수 있다.
이하, 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 6을 참조하여 설명하는 표시 장치(101)는 제2 전극의 단면 형상을 제외하고는 도 4를 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성들에 대한 설명은 생략한다.
도 6을 참조하면, 일 실시예에 있어서, 제2 전극(220)은 표면 제어층(210)의 가장자리에만 중첩할 수 있다. 다시 말해, 제2 전극(220)은 표면 제어층(210)의 중심부에는 중첩하지 않을 수 있다. 이 경우, 제2 전극(220)의 측부의 하면(220L)은 표면 제어층(210)의 측부의 상면(210U)에 접촉할 수 있다. 제2 전극(220)이 표면 제어층(210)의 가장자리에만 중첩함으로써, 제2 전극(220)의 측면은 투과 영역(TA)으로부터 이격될 수 있다.
이하, 도 7을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 7을 참조하여 설명하는 표시 장치(102)는 응집 입자들을 더 포함하는 것을 제외하고는 도 4를 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성들에 대한 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(102)는 표면 제어층(210)과 캡핑층(230) 사이에 배치되는 응집 입자들(225)을 더 포함할 수 있다. 응집 입자들(225)은 제2 전극(220)과 실질적으로 같은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 응집 입자들(225)은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 인듐(In), 및 이터븀(Yb) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 금속 셀프 패터닝 방법으로 제2 전극(220)이 형성되는 경우에, 제2 전극(220)을 형성하는 물질이 응집되어 표면 제어층(210) 상에 응집 입자들(225)로 잔존할 수 있다.
이하, 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명한다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 8을 참조하여 설명하는 표시 장치(103)는 표면 제어층의 단면 형상을 제외하고는 도 4를 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성들에 대한 설명은 생략한다.
도 8을 참조하면, 일 실시예에 있어서, 표면 제어층(210)은 단면상 기판(110)에 대해 경사질 수 있다. 다시 말해, 표면 제어층(210)은 단면상 기판(110)이 연장되는 방향과 다른 방향으로 연장될 수 있다. 예를 들면, 표면 제어층(210)은 공통층(200)의 경사진 측부 상에 배치되고, 단면상 표면 제어층(210)이 연장되는 방향은 단면상 기판(110)이 연장되는 방향과 예각을 이룰 수 있다.
이하, 도 9 내지 도 15를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명한다.
도 9, 도 10, 도 11, 도 12, 도 13, 도 14, 및 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상부에 제1 전극(180) 및 중간층(200)이 형성된 기판(110) 상에 표면 제어층(210)을 형성할 수 있다.
먼저, 기판(110) 상에 활성층(120), 게이트 절연층(130), 게이트 전극(140), 층간 절연층(150), 소스 및 드레인 전극들(161, 162), 평탄화층(170), 제1 전극(180), 및 화소 정의막(190)을 순차적으로 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 게이트 절연층(130)은 화소 영역(PA), 투과 영역(TA), 및 주변 영역(SA)에 형성되고, 활성층(120), 게이트 전극(140), 층간 절연층(150), 소스 및 드레인 전극들(161, 162), 평탄화층(170), 및 제1 전극(180)은 화소 영역(PA) 및 주변 영역(SA)에 형성되며, 화소 정의막(190)은 주변 영역(SA)에 형성될 수 있다.
그 다음, 제1 전극(180) 및 화소 정의막(190) 상에 중간층(200)을 형성할 수 있다. 제1 공통층(201), 발광층(202), 및 제2 공통층(203)을 순차적으로 형성하여 중간층(200)을 형성할 수 있다. 제1 공통층(201) 및 제2 공통층(203)은 화소 영역(PA), 투과 영역(TA), 및 주변 영역(SA)에 형성되고, 발광층(202)은 화소 영역(PA)에 형성될 수 있다.
그 다음, 중간층(210) 상의 투과 영역(TA)에 표면 제어층(210)을 형성할 수 있다. 표면 제어층(210)은 투과 영역(TA)에 인접하는 주변 영역(SA)에도 형성될 수 있다. 이에 따라, 평면상 표면 제어층(210)이 형성되는 면적은 투과 영역(TA)의 면적보다 클 수 있다. 예를 들면, 평면상 표면 제어층(210)의 내부에 투과 영역(TA)이 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 표면 제어층(210)은 화학 기상 증착(CVD), 물리 기상 증착(PVD) 등과 같은 기상 증착(vapor deposition), 습식(wet) 코팅, 또는 스크린 프린팅(screen printing)으로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 표면 제어층(210)은 게이트 절연층(130) 상에 배치되는 중간층(200)의 평탄면 상에 형성될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 다른 실시예에 있어서, 표면 제어층(210)은 평탄화층(170) 및 화소 정의막(190) 상에 배치되는 중간층(200)의 경사면 상에도 형성될 수 있다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 중간층(200) 상에 표면 제어층(210)에 인접하는 제2 전극(220)을 형성할 수 있다.
제2 전극(220)은 상부에 표면 제어층(210)이 형성되지 않은 중간층(200)의 부분 상에 형성될 수 있다. 다시 말해, 제2 전극(220)은 화소 영역(PA) 및 화소 영역(PA)에 인접하는 주변 영역(SA)에 형성될 수 있다. 제2 전극(220)은 금속 셀프 패터닝 방법으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 제2 전극(220)과 표면 제어층(210) 사이의 상대적으로 작은 접착력에 의해 상부에 표면 제어층(210)이 형성되지 않은 공통층(200)의 부분 상에만 제2 전극(220)이 형성될 수 있다. 이 경우, 추가적인 패터닝 공정 없이 패터닝된 제2 전극(220)이 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 전극(220)은 표면 제어층(210)에 중첩하지 않도록 공통층(200) 상에 형성될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 다른 실시예에 있어서, 제2 전극(220)은 표면 제어층(210)의 가장자리에만 중첩하도록 공통층(200) 상에 형성될 수도 있다. 또한, 금속 셀프 패터닝 방법으로 제2 전극(220)을 형성하는 과정에서 제2 전극(220)을 형성하는 물질이 응집되어 표면 제어층(210) 상에 응집 입자들로 잔존할 수도 있다.
도 13을 참조하면, 표면 제어층(210) 및 제2 전극(220) 상에 캡핑층(230)을 형성할 수 있다. 캡핑층(230)은 화소 영역(PA), 투과 영역(TA), 및 주변 영역(SA)에 형성될 수 있다.
도 14를 참조하면, 투과 영역(TA)에 중첩하는 중간층(200), 표면 제어층(210), 및 캡핑층(230)의 부분들을 제거하여 투과창(TW)을 형성할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 투과 영역(TA)에 중첩하는 중간층(200), 표면 제어층(210), 및 캡핑층(230)의 상기 부분들은 레이저(LASER)를 조사하여 제거될 수 있다. 투과 영역(TA)에 중첩하는 중간층(200), 표면 제어층(210), 및 캡핑층(230)의 상기 부분들에는 각각 제1 개구(OP1), 제2 개구(OP2), 및 제3 개구(OP3)가 형성되고, 제1 개구(OP1), 제2 개구(OP2), 및 제3 개구(OP3)에 의해 투과창(TW)이 정의될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 레이저(LASER)는 평면상 표면 제어층(210) 내부에 조사될 수 있다. 이에 따라, 도 5에 도시된 바와 같이, 평면상 표면 제어층(210)의 내부에 투과창(TW)이 형성될 수 있다. 이 경우, 레이저(LASER)는 제2 전극(220)에 조사되지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 캡핑층(230)의 상부로부터 레이저(LASER)를 조사하여 투과창(TW)을 형성할 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 다른 실시예에 있어서, 기판(110)의 하부로부터 레이저(LASER)를 조사하여 투과창(TW)을 형성할 수도 있다.
도 15를 참조하면, 캡핑층(230) 상에 봉지층(240)을 형성할 수 있다. 표시 영역(PA), 투과 영역(TA), 및 주변 영역(SA)에 제1 무기 봉지층(241), 유기 봉지층(242), 및 제2 무기 봉지층(243)을 순차적으로 형성하여 봉지층(240)을 형성할 수 있다.
투과 영역(TA)에 표면 제어층(210)이 형성되지 않고, 제2 전극(220)이 화소 영역(PA), 투과 영역(TA), 및 주변 영역(SA)에 형성되어 레이저가 제2 전극(220)에 조사되는 경우에, 상기 레이저에 의해 제2 전극(220)의 단부에 버(burr)가 생성되고, 제2 전극(220)을 제거하는 과정에서 비산이 발생할 수 있다. 이 경우, 캡핑층(230) 상에 봉지층(240)을 형성하는 과정에서 제2 전극(220)의 버(burr)에 의해 봉지층(240)의 제1 무기 봉지층(241)이 손상될 수 있고, 상기 비산이 오염원으로 작용할 수 있다. 그러나 본 발명의 실시예들에 있어서, 투과 영역(TA)에 표면 제어층(210)이 형성되고, 레이저(LASER)가 평면상 표면 제어층(210) 내부에 조사됨에 따라, 제2 전극(220)의 단부에 버(burr)가 생성되거나 제2 전극(220)으로부터 비산이 발생하지 않고, 이에 따라, 봉지층(240)의 제1 무기 봉지층(241)이 손상되지 않을 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어 등에 포함되는 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
110: 기판
180: 제1 전극
200: 중간층 201: 제1 공통층
202: 발광층 203: 제2 공통층
210: 표면 제어층 220: 제2 전극
225: 응집 입자들 230: 캡핑층
240: 봉지층 241: 제1 무기 봉지층
242: 유기 봉지층 243: 제2 무기 봉지층
TW: 투과창
200: 중간층 201: 제1 공통층
202: 발광층 203: 제2 공통층
210: 표면 제어층 220: 제2 전극
225: 응집 입자들 230: 캡핑층
240: 봉지층 241: 제1 무기 봉지층
242: 유기 봉지층 243: 제2 무기 봉지층
TW: 투과창
Claims (20)
- 상부에 화상이 표시되는 화소 영역 및 외광을 투과하는 투과 영역이 정의되는 기판;
상기 기판 상의 상기 화소 영역에 배치되는 제1 전극;
상기 제1 전극 상의 상기 화소 영역에 배치되고, 발광층 및 적어도 하나의 공통층을 포함하는 중간층;
상기 중간층 상의 상기 화소 영역에 배치되는 제2 전극;
상기 중간층 상의 상기 제2 전극과 상기 투과 영역 사이에 배치되고, 플루오린 화합물을 포함하는 표면 제어층; 및
상기 제2 전극과 상기 표면 제어층 상의 상기 화소 영역과 상기 투과 영역에 배치되는 봉지층을 포함하는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 표면 제어층에 중첩하지 않는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 표면 제어층의 가장자리에만 중첩하는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표면 제어층과 상기 봉지층 사이에 배치되고, 상기 제2 전극과 같은 물질을 포함하는 응집 입자들을 더 포함하는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표면 제어층은 단면상 상기 기판에 대해 평행한, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표면 제어층은 단면상 상기 기판에 대해 경사진, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표면 제어층은 평면상 상기 투과 영역을 둘러싸는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 플루오린 화합물은 디플루오로메틸렌기(difluoromethylene group), 트리플루오로메틸기(trifluorometyl group), 및 플루오로실란(fluorosilane) 중 적어도 하나를 포함하는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 전극은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 인듐(In), 및 이터븀(Yb) 중 적어도 하나를 포함하는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표면 제어층의 표면 에너지는 0 mJ/m2 보다 크고 30 mJ/m2 보다 작거나 같은, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 전극과 상기 봉지층 사이의 상기 화소 영역에 배치되는 캡핑층을 더 포함하는, 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 공통층, 상기 표면 제어층, 및 상기 캡핑층은 각각 상기 투과 영역에 중첩하는 제1 개구, 제2 개구, 및 제3 개구를 가지고,
상기 제1 개구, 상기 제2 개구, 및 상기 제3 개구에 의해 투과창이 정의되는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 봉지층은,
제1 무기 봉지층;
상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 유기 봉지층; 및
상기 유기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층을 포함하는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 발광층은 상기 제1 전극에 중첩하는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 공통층은,
상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 배치되는 제1 공통층; 및
상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 배치되는 제2 공통층을 포함하는, 표시 장치. - 기판 상의 화상이 표시되는 화소 영역에 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상의 상기 화소 영역 및 외광을 투과하는 투과 영역에 발광층 및 적어도 하나의 공통층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계;
상기 중간층 상의 상기 투과 영역에 표면 제어층을 형성하는 단계;
상기 중간층 상의 상기 화소 영역에 상기 표면 제어층에 인접하는 제2 전극을 형성하는 단계;
상기 투과 영역에 중첩하는 상기 중간층 및 상기 표면 제어층의 부분들을 제거하여 투과창을 형성하는 단계; 및
상기 표면 제어층 및 상기 제2 전극 상의 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역에 봉지층을 형성하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 중간층 및 상기 표면 제어층의 상기 부분들은 레이저를 조사하여 제거되는, 표시 장치의 제조 방법. - 제17 항에 있어서,
상기 레이저는 평면상 상기 표면 제어층 내부에 조사되는, 표시 장치의 제조 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 중간층 및 상기 표면 제어층의 상기 부분들을 제거하는 단계 전에 상기 표면 제어층 및 상기 제2 전극 상에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 투과 영역에 중첩하는 상기 캡핑층의 부분은 상기 중간층 및 상기 표면 제어층의 상기 부분들을 제거하는 단계에서 함께 제거되는, 표시 장치의 제조 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 표면 제어층은 기상 증착, 습식 코팅, 또는 스크린 프린팅으로 형성되는, 표시 장치의 제조 방법.
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