KR20210147161A - 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기 - Google Patents

표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기 Download PDF

Info

Publication number
KR20210147161A
KR20210147161A KR1020200063917A KR20200063917A KR20210147161A KR 20210147161 A KR20210147161 A KR 20210147161A KR 1020200063917 A KR1020200063917 A KR 1020200063917A KR 20200063917 A KR20200063917 A KR 20200063917A KR 20210147161 A KR20210147161 A KR 20210147161A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
surface energy
counter electrode
energy control
electronic device
Prior art date
Application number
KR1020200063917A
Other languages
English (en)
Inventor
문찬호
김재식
김재익
이연화
이준구
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020200063917A priority Critical patent/KR20210147161A/ko
Priority to US17/147,955 priority patent/US11545653B2/en
Priority to CN202110533559.0A priority patent/CN113745280A/zh
Publication of KR20210147161A publication Critical patent/KR20210147161A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H01L51/5012—
    • H01L27/3225—
    • H01L27/3244—
    • H01L51/5072—
    • H01L51/5092—
    • H01L51/5225—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H01L2251/5369—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 화소영역 및 상기 화소영역에 인접한 투과영역을 포함하는 표시 장치로서, 화소영역에 배치되며 트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 회로요소와, 화소영역에 배치되고 회로요소에 전기적으로 연결된 화소전극층과, 화소전극층 상에 배치된 발광층과, 발광층 상에 배치된 대향전극층, 및 발광층과 대향전극층 사이에 개재되고 과불소계 소재를 포함하며, 일 부분이 투과영역으로 연장된 표면에너지 제어층을 포함하는 표시 장치를 개시한다.

Description

표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기{display device and electric apparatus including the same}
본 발명의 실시예들은 표시 장치와 그 제조 방법, 그리고 표시 장치를 포함하는 전자 기기에 관한 것이다.
이미지를 표시하는 표시 장치로서, 발광다이오드 표시 장치(light emitting diode display device)는 액정 표시 장치와 달리 자체 발광 특성을 갖는다. 따라서, 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광다이오드 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타낼 수 있다.
전술한 발광다이오드 표시 장치는 다양한 용도 및 다양한 형상의 전자기기에 사용될 수 있으며, 이에 다라 그 형상이 다양하게 설계되고 있다.
본 발명의 실시예들은, 이미지를 구현하고 및/또는 표시 장치의 이면에 있는 외부 이미지를 투과할 수 있는 표시 장치 및 이를 이용한 전자 기기를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예는, 화소들이 배치되는 화소영역 및 상기 화소영역에 인접한 투과영역을 포함하는 표시 장치로서, 상기 화소영역에 배치되며 트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 회로요소; 상기 화소영역에 배치되고 상기 회로요소에 전기적으로 연결된 화소전극층; 상기 화소전극층 상의 발광층; 상기 발광층 상에 배치되고, 금속을 포함하는 대향전극층; 및 상기 발광층과 상기 대향전극층 사이에 개재되고, 과불소계 소재를 포함하며, 일 부분이 상기 투과영역으로 연장된 표면에너지 제어층;을 포함하는, 표시 장치를 개시한다.
상기 대향전극층은 상기 투과영역에 중첩하지 않을 수 있다.
상기 대향전극층은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
상기 표면에너지 제어층과 상기 대향전극 사이의 전자수송층을 더 포함하며, 상기 전자수송층은 상기 투과영역에 대응하는 개구를 포함할 수 있다.
상기 표면에너지 제어층과 상기 대향전극 사이에 개재되며, 금속을 포함하는 전자주입층을 더 포함할 수 있다.
상기 전자주입층은 상기 투과영역에 중첩하지 않을 수 있다.
상기 전자주입층은 알칼리 금속, 알칼리 토금속 또는 란탄넘족 금속을 포함할 수 있다.
상기 표면에너지 제어층의 두께는 상기 발광층의 두께 보다 작을 수 있다.
상기 표면에너지 제어층의 표면에너지는 약 20 mJ/m2 이거나 그보다 작을 수 있다.
본 발명의 일 실시예는, 화소들이 배치되는 화소영역 및 상기 화소영역에 인접한 투과영역을 포함하는 표시 장치를 포함하되, 상기 표시 장치는, 상기 화소영역에 배치되는 화소전극층; 상기 화소영역에서 상기 화소전극과 중첩하며, 금속을 포함하는 대향전극층; 상기 화소전극층과 상기 대향전극층 사이의 발광층; 상기 발광층과 상기 대향전극 사이에 배치되되, 일 부분이 상기 투과영역으로 연장된 표면에너지 제어층; 및 상기 표면에너지 제어층과 상기 대향전극층 사이에 개재되며, 유기물을 포함하는 제1서브기능층;을 포함하되 상기 제1서브기능층은 상기 투과영역에 대응하는 개구를 포함하는 전자 기기를 개시한다.
상기 표면에너지 제어층의 표면에너지는 약 20 mJ/m2 이거나 그보다 작을 수 있다.
상기 표면에너지 제어층은 과불소계 소재를 포함할 수 있다.
상기 대향전극층은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
상기 대향전극층은 상기 투과영역에 중첩하지 않을 수 있다.
상기 표면에너지 제어층과 상기 대향전극 사이에 개재되며, 금속을 포함하는 전자주입층을 더 포함할 수 있다.
상기 전자주입층은 알칼리 금속, 알칼리 토금속 또는 란탄넘족 금속을 포함할 수 있다.
상기 표면에너지 제어층의 두께는 상기 발광층의 두께 보다 작을 수 있다.
상기 전자 기기는 상기 투과영역과 대응하는 컴포넌트를 더 포함할 수 있다.
상기 컴포넌트는 센서 또는 카메라를 포함할 수 있다.
상기 전자 기기는, 헤드업 디스플레이 전자 기기, 모바일 폰, 차량용 디스플레이 전자 기기를 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 따르면 간단한 공정을 통해 투과영역에서의 투과도를 충분히 확보할 수 있는 장점이 있다. 이러한 효과는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도로서, 도 1의 I-I'선에 따른 단면에 해당한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 발광 다이오드에 연결된 회로요소를 개략적으로 나타낸 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정에 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정에 따른 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정에 따른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정에 따른 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정에 따른 단면도이다.
도 9는 도 8의 VIIIa 부분을 확대한 단면도이다.
도 10a 및 도 10b는 각각 도 8의 VIIIb 부분을 확대한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정에 따른 단면도이다.
도 12는 도 11의 XIa 부분을 확대한 단면도이다.
도 13a 및 도 13b는 각각 도 11의 XIb 부분을 확대한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 16a 및 도 16b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도로서, 도 1의 I-I'선에 따른 단면에 해당한다.
표시 장치(1)는 도 1에 도시된 바와 같이 표시영역(DA)과 표시영역(DA)에 인접한 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다.
표시영역(DA)은 화상을 표시할 수 있다. 표시영역(DA)은 복수의 화소들을 포함할 수 있으며, 각 화소는 발광요소(light emitting element), 예컨대 발광 다이오드(light emitting diode)를 포함할 수 있다. 각 발광 다이오드는 트랜지스터와 커패시터를 포함하는 회로요소(circuit element)에 전기적으로 연결되며, 회로요소(circuit element)는 표시영역(DA)에 위치할 수 있다.
비표시영역(NDA)은 화상을 표시하지 않는 영역으로, 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 표시영역(DA)에 배치된 회로요소 및/또는 발광 다이오드에 전기적 신호나 전원을 제공하기 위한 드라이버 등이 배치될 수 있으며, 전자소자나 인쇄회로기판 등이 전기적으로 연결될 수 있는 영역인 패드를 포함할 수 있다.
표시영역(DA)은 도 2에 도시된 바와 같이, 화소들이 배치된 화소영역(PA) 및 화소영역(PA)에 인접한 투과영역(TA)을 포함할 수 있다. 투과영역(TA)은 화소영역(PA)들 사이, 예컨대 화소들 사이에 배치될 수 있다.
표시 장치(1)는 화소영역(PA)에 배치된 화소들을 통해 화상(image)을 표시할 수 있다. 표시 장치(1)는 투과영역(TA)을 통해 외광을 투과할 수 있다. 외광은 표시 장치(1)에서 발생하는 빛, 예컨대 화소들에서 방출되는 빛과 구별된다. 예컨대, 외광은 표시 장치(1)의 외부에 존재하는 광, 예컨대 자연광 또는 표시 장치(1)와 다른 전자 요소(램프, 센서 등)에서 발생하는 광 등을 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 기판(100), 기판(100)의 전면(前面) 상의 표시층(DPL), 및 봉지층(200)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 글래스 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 글래스는 알칼리 프리 글래스(alkali free glass), 또는 소다라임 글래스(sodalime glass)와 같은 소재를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 기판(100)은 전술한 고분자 수지를 포함하는 적어도 하나의 베이스층, 및 적어도 하나의 베이스층 상에 위치하고 무기절연물을 포함하는 배리어층의 적층 구조를 가질 수 있다.
표시층(DPL)은 발광 다이오드들, 및 발광 다이오드들에 각각 연결된 회로요소들을 포함할 수 있다. 회로요소들은 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함할 수 있다. 발광 다이오드들 및 회로요소들은 화소영역(PA)에 배치되나, 투과영역(TA)에는 배치되지 않는다.
표시층(DPL)은 봉지층(200)으로 커버될 수 있는데, 봉지층(200)은 글래스를 포함하는 리지드 봉지층이거나, 복수의 박막을 포함하는 플렉서블 봉지층일 수 있다. 플렉서블 봉지층은 적어도 하나의 유기봉지층과 적어도 하나의 무기봉지층을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 유기봉지층은 유기절연물을 포함하고, 적어도 하나의 무기봉지층은 무기절연물을 포함할 수 있다.
도 2는 표시층(DPL)의 발광 다이오드들이 기판(100)에서 봉지층(200)을 향하는 방향을 따라 화상을 표시하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예로서 표시층(DPL)의 발광 다이오드들에서 방출되는 빛은 봉지층(200)에서 기판(100)을 향하는 방향을 따라 진행할 수 있다. 예컨대, 발광 다이오드들에서 방출된 빛은 기판(100)의 배면(背面, rear surface)을 향해 방출될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 발광 다이오드에 연결된 회로요소를 개략적으로 나타낸 회로도이다. 도 3은 발광 다이오드의 일 실시예로서, 유기 발광 다이오드(OLED)를 도시하고 있다.
도 3을 참조하면, 유기 발광 다이오드는 회로요소(PC)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 회로요소(PC)는 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
제2트랜지스터(T2)는 스위칭 트랜지스터로서, 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1 전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1트랜지스터(T1)는 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)의 대향전극층(예, 캐소드)는 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 3은 회로소자(DC)가 2개의 트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 다른 실시예에서 트랜지스터의 개수 및/또는 커패시터의 개수는 다양하게 변경될 수 있다.
도 4, 도 5, 도 6, 도 7, 도 8, 및 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정에 따른 단면도이고, 도 9는 도 8의 VIIIa 부분을 확대한 단면도이며 도 10a 및 도 10b는 각각 도 8의 VIIIb 부분을 확대한 단면도이고, 도 12는 도 11의 XIa 부분을 확대한 단면도이며, 도 13a 및 도 13b는 각각 도 11의 XIb 부분을 확대한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 기판(100) 상에 화소전극층(140)을 형성한다. 기판(100)은 앞서 언급한 바와 같이 글래스 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 화소전극층(140)을 형성하기 전에, 회로요소(PC)를 포함하여 다양한 층들이 먼저 형성될 수 있다. 도 4는 기판(100) 상에 박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하는 회로요소(PC)를 형성한 것을 도시하며, 회로요소(PC)는 투과영역(TA)이 아닌 화소영역(PA)에 위치한다.
버퍼층(111)은 기판(100)의 전면(前面) 상에 형성될 수 있다. 버퍼층(111)은 불순물이 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘나이트라이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다.
박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)는 버퍼층(111) 상에 형성될 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act), 반도체층(Act)의 채널영역과 중첩하는 게이트전극(GE), 및 반도체층(Act)의 소스영역 및 드레인영역에 각각 연결된 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다. 반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이에는 게이트절연층(112)이 개재되고, 게이트전극(GE)과 소스전극(SE), 또는 게이트전극(GE)과 드레인전극(DE) 사이에는 제1층간절연층(113) 및 제2층간절연층(115)이 배치될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 서로 중첩하는 제1축전판(Cst1)과 제2축전판(Cst2)을 포함할 수 있다. 제1축전판(Cst1)과 제2축전판(Cst2) 사이에 제1층간절연층(113)이 배치될 수 있다.
반도체층(Act)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 반도체층(Act)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 반도체층(Act)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크로뮴(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다.
게이트절연층(112)은 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘나이트라이드와 같은 무기절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층 구조일 수 있다.
게이트전극(GE) 및/또는 제1축전판(Cst1)은 몰리브데늄(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및/또는 티타늄(Ti)과 같은 저저항의 도전 물질을 포함할 수 있으며, 전술한 물질로 이루어진 단일 층 또는 다층 구조일 수 있다.
제1층간절연층(113)은 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘나이트라이드와 같은 무기절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층 구조일 수 있다.
제2축전판(Cst2)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층 구조일 수 있다.
제2층간절연층(115)은 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘나이트라이드와 같은 무기절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층 구조일 수 있다.
소스전극(SE) 또는 드레인전극(DE)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층 구조일 수 있다. 예컨대, 소스전극(SE) 또는 드레인전극(DE)은 티타늄층/알루미늄층/티타늄층의 3층 구조일 수 있다.
평탄화절연층(117)은 그 아래에 배치된 적어도 하나의 무기절연층, 예컨대 게이트절연층(112), 제1층간절연층(113), 및 제2층간절연층(115)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 평탄화절연층(117)은 아크릴, BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide) 또는 HMDSO(Hexamethyldis116xane) 등의 유기 절연물을 포함할 수 있다.
화소전극층(140)은 평탄화절연층(117) 상에 형성될 수 있다. 화소전극층(140)은 평탄화절연층(117)에 형성된 콘택홀을 통해 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
화소전극층(140)은 반사성 전극일 수 있다. 예컨대, 화소전극층(140)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 화소전극층(221)은 전술한 물질을 포함하는 반사막, 및 반사막의 위 또는/및 아래에 배치된 투명도전막을 포함할 수 있다. 투명도전막은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3 indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide) 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 화소전극층(221)은 ITO층/Ag층/ITO층의 3층 구조를 가질 수 있다.
화소전극층(140)은 전술한 물질들을 포함하는 막을 형성한 후 식각(예컨대, 습식 식각, 또는 건식 식각)을 이용하여 패터닝될 수 있다. 화소전극층(140)은 화소영역(PA)에 형성되나, 투과영역(TA)에는 형성되지 않는다.
도 5를 참조하면, 화소전극층(140) 상에 상부절연층(119)을 형성할 수 있다. 일 실시예로, 상부절연층(119)은 포토레지스트를 이용한 노광 및 현상 공정을 통해 형성될 수 있다.
상부절연층(119)은 화소전극층(140)의 에지를 커버하되, 화소전극층(140)의 상면을 노출하는 관통홀(119H)을 포함한다. 상부절연층(119)의 관통홀(119H)은 후술할 공정을 통해 형성되는 발광 다이오드의 발광영역을 정의할 수 있다.
상부절연층(119)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide) 또는 HMDSO(Hexamethyldis116xane) 등의 유기 절연물을 포함할 수 있다.
도 6을 참조하면, 화소전극층(140) 상에 발광층(160)을 형성할 수 있다. 발광층(160)은 화소전극층(140)에 중첩하는 제1마스크홀(MH1)을 포함하는 제1마스크(M1)를 이용한 증착법(예, 진공 증착법)을 통해 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 발광층(160)은 스핀 코팅법, 캐스트법, LB(Langmuir-Blodgett)법, 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
발광층(160)은 유기물, 예컨대 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 발광층(160)은 소정의 색상(적색, 녹색, 청색)의 빛을 방출하는 물질을 포함할 수 있으며, 형광물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 발광층(160)은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다.
발광층(160)을 형성하기 전에, 화소전극층(140) 상에는 제1기능층(150)이 형성될 수 있다. 제1기능층(150)은 표시영역(DA, 도 1)에 해당하는 사이즈의 마스크홀을 포함하는 오픈 마스크를 이용하여 표시영역에 형성될 수 있으며, 이와 관련하여, 도 6은 제1기능층(150)이 투과영역(TA) 및 화소영역(PA)에 위치하는 것을 도시한다.
제1기능층(150)은 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer) 및/또는 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제1기능층(150)은 정공 주입 장벽을 낮추고 정공 이동도가 큰 통상의 정공 주입 재료 및/또는 정공 수송 재료가 사용될 수 있으며, 정공 주입 재료 및/또는 정공 수송 재료는 유기물일 수 있다.
홀 수송층은 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물; DNTPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-mtolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate)) 등을 포함할 수 있다.
홀 주입층은 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorine)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine), TAPC(4,4'-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4- methylphenyl)benzenamine]) 등을 포함할 수 있다.
도 7을 참조하면, 발광층(160) 상에 표면에너지 조절층(170)을 형성할 수 있다. 표면에너지 조절층(170)은 표시영역(DA, 도 1)에 해당하는 사이즈의 마스크홀을 포함하는 오픈 마스크를 이용하여 표시영역에 형성될 수 있으며, 따라서 표면에너지 조절층(170)은 화소영역(PA) 및 투과영역(TA)에 존재할 수 있다.
일 실시예로, 표면에너지 조절층(170)은 발광층(160)의 바로 위에 형성될 수 있다. 화소영역(PA)에서 표면에너지 조절층(170)은 발광층(160)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 투과영역(TA)에서, 표면에너지 조절층(170)은 제1기능층(150)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
표면에너지 조절층(170)은 표면에너지가 약 20 mJ/m2 이거나 그 보다 작을 수 있다. 표면에너지 조절층(170)은 과불소계 소재를 포함할 수 있다. 예컨대, 표면에너지 조절층(170)은 탄소 원자에 불소 3개 원자가 결합된 -CF3 기능기를 가지는 소재를 포함하거나, -CF2- 기능기를 갖는 소재를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 표면에너지 조절층(170)이 탄소 원자에 불소 3개 원자가 결합된 -CF3 기능기를 가지는 경우, 표면 에너지는 약 6 mJ/m2 일 수 있고, CF2- 기능기를 가지는 경우 표면 에너지는 약 18 mJ/m2 일 수 있다.
표면에너지 조절층(170)은 발광층(160)과 후술할 대향전극층(190, 도 11) 사이에 존재하기에, 표면에너지 조절층(170)의 전자이동도는 약 1×10-7 cm2/V·s이거나 그 보다 크게 형성될 수 있다.
표면에너지 조절층(170)의 두께(t)는 발광층(160)의 두께(T) 보다 작을 수 있다. 예컨대, 표면에너지 조절층(170)의 두께(t)는 발광층(160)의 두께(T)의 약 0.1배 이거나 그 보다 작을 수 있다. 일 실시예로, 표면에너지 조절층(170)의 두께(t)는 약 100Å이고, 발광층(160)의 두께(T)는 약 1450Å일 수 있다.
이 후, 표면에너지 조절층(170) 상에 제1서브기능층(181)과 제2서브기능층(182)을 포함하는 제2기능층(180, 도 8)이 형성될 수 있으며, 제1서브기능층(181)은 제2서브기능층(182)이 형성되기 전에 표면에너지 조절층(170) 바로 위에 형성될 수 있다. .
표면에너지 조절층(170)은 후술할 공정에서 제2서브기능층(182) 및/또는 대향전극층(190, 도 11)의 형성을 방지하거나 억제하기 위한 것으로, 화소영역(PA)에 제1서브기능층(181)이 배치되지 않는 경우 화소영역(PA)에 대향전극층(190, 도 11)을 형성할 수 없기에 화소영역(PA)에는 발광 다이오드가 형성되지 않는다. 제1서브기능층(181)은 제2서브기능층(182) 및/또는 대향전극층(190, 도 11)의 성막을 위한 일종의 매개 층의 기능을 가질 수 있다.
제1서브기능층(181)은 투과영역(TA)에 중첩하는 제2마스크홀(MH2)을 포함하는 제2마스크(M2)를 이용하여 증착(예, 진공 증착)될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1서브기능층(181)은 스핀 코팅법, 캐스트법, LB(Langmuir-Blodgett)법, 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
제2마스크홀(MH2)에 의해 제1서브기능층(181)은 투과영역(TA)에 대응하는 개구(181OP)를 포함할 수 있으며, 표면에너지 조절층(170)의 일부, 예컨대 투과영역(TA)에 대응하는 표면에너지 조절층(170)의 일 부분은 개구(181OP)를 통해 노출될 수 있다.
제1서브기능층(181)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer)을 포함할 수 있으며, 전자 수송층은 유기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1서브기능층(181)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl- 1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate)), 및/또는 ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene)을 포함할 수 있다.
제1서브기능층(181)은 수명 개선의 기능을 가질 수 있다. 예컨대, 제1서브기능층(181)은 삼중항 에너지가 2.3eV 이상, 및/또는 EHOMO-ELUMO> 3.0eV을 만족할 수 있다. 본 발명의 비제한적인 일부 실시예에서, 제1서브기능층(181)은 전자 흡수성이 큰 전자 끌게기(electron withdrawing group, EWG)와 전자 공여성이 큰 전자주게기(electron donating group, EDG)를 갖는 양극(bipolar) 화합물을 포함할 수 있다.
도 8을 참조하면, 제1서브기능층(181) 상에 제2서브기능층(182)을 형성할 수 있다. 제2서브기능층(182)은 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다. 전자 주입층은 금속, 예컨대 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 란탄넘족 금속, 포함할 수 있다. 일부 실시예로서, 제2서브기능층(182)은 LiF, LiQ(Lithium quinolate), Li2O, BaO, NaCl, CsF, Yb, RbCl 이나 RbI와 같이 할로겐화 금속을 포함할 수 있다.
제2서브기능층(182)은 표시영역(DA, 도 1)에 해당하는 제3마스크홀(MH3)을 갖는 제3마스크(M3), 예컨대 오픈 마스크를 이용하여 형성(예, 증착)될 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이 제3마스크홀(MH3)은 투과영역(TA)과 화소영역(PA)에 중첩할 수 있다. 이 경우, 제2서브기능층(182)을 형성하는 물질은 제3마스크홀(MH3)을 지나 기판(100) 상으로 이동할 수 있다. 제3마스크홀(MH3)을 통과한 물질 중 화소영역(PA)으로 진행하는 물질은 제1서브기능층(181) 상에 증착되어 제2서브기능층(182)을 형성할 수 있다. 반면, 제3마스크홀(MH3)을 통과한 물질 중 투과영역(TA)으로 진행하는 물질은 제1서브기능층(181)의 개구(181OP)를 통해 노출된 표면에너지 조절층(170)과의 표면 에너지 차이에 의해 층(막)을 형성하지 않는다. 제2서브기능층(182)은 도 8에 도시된 바와 같이 투과영역(TA)에 중첩하지 않은 채, 화소영역(PA)에만 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 제2서브기능층(182)은 화소영역(PA)에서 소정의 두께를 가지고 형성될 수 있다. 층(막)이라고 함은 폭 및/또는 길이 방향을 따라 연속적으로 형성된 구조를 가지는 것으로, 제2서브기능층(182)은 도 9에 도시된 바와 같이 폭 방향(예, x방향)을 따라 연속적으로 형성될 수 있다. 따라서, 제2서브기능층(182)과 제2서브기능층(182)에 인접한 층 사이에는 폭 방향을 따라 연속적인 계면이 형성될 수 있다. 예컨대, 표시영역(DA)에서 제2서브기능층(182)과 제1서브기능층(181) 사이의 계면은 폭 방향을 따라 연속적으로 형성될 수 있다.
반면, 제2서브기능층(182, 도 8)을 이루는 물질은 표면에너지 조절층(170)에 의해 도 10a에 도시된 바와 같이 투과영역(TA)에 사실상 존재하지 않거나 도 10b에 도시된 바와 같이 투과영역(TA)에 국소적으로 소량 존재할 뿐, 투과영역(TA)에는 제2서브기능층(182, 도 8)에 해당하는 층(막)이 형성되지 않는다. 이상적으로 투과영역(TA)에는 제2서브기능층(182, 도 8)을 이루는 물질과 동일한 물질이 존재하지 않을 수 있으나, 제2서브기능층(182, 도 8)이 오픈 마스크를 통해 형성되기에, 도 9a 및 도 9b에 도시된 바와 같이 투과영역(TA)에 소량 또는 극미량의 응집체(182A)가 존재할 수 있다. 응집체(182A)들은 일종의 입자(응집 입자, aggregate particle)로서, 서로 다른 형상 및/또는 직경을 가질 수 있다. 응집체(182A)들은 제2서브기능층(182, 도 8)과 동일한 물질을 갖는다. 응집체(182A)는 폭 방향을 따라 불연속적으로 및/또는 무작위(random)로 배치되며, 따라서 투과영역(TA)에 해당하는 표면에너지 조절층(170)의 일부는 응집체(182A)들 사이를 통해 노출될 수 있다.
도 11을 참조하면, 제2기능층(180), 예컨대 제2서브기능층(182) 상에 대향전극층(190)을 형성한다.
대향전극층(190)은 투과성 전극, 예컨대 반투명 전극을 포함할 수 있다. 대향전극층(190)은 비교적 일함수가 낮은 금속을 포함할 수 있다. 예컨대, 대향전극층(190)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 박막일 수 있다. 일 실시예로, 대향전극층(146)은 은(Ag) 및 마그네슘(Mg)을 포함할 수 있다.
대향전극층(190)은 표시영역(DA, 도 1)에 해당하는 제3마스크홀(MH3)을 포함하는 제3마스크(M3), 예컨대 오픈 마스크를 이용하여 표시영역에 형성(예, 증착)될 수 있다. 도 11에 도시된 바와 같이, 대향전극층(190)을 형성하는 물질은 제3마스크홀(MH3)을 지나 기판(100) 상으로 이동할 수 있다. 제3마스크홀(MH3)을 통과한 물질 중 화소영역(PA)으로 진행하는 물질은 제1서브기능층(181) 및 제2서브기능층(182) 상에 증착되어 대향전극층(190)을 형성할 수 있다. 반면, 제3마스크홀(MH3)을 통과한 물질 중 투과영역(TA)으로 진행하는 물질은 제1서브기능층(181)의 개구(181OP)를 통해 노출된 표면에너지 조절층(170)에 의해 층(막)을 형성하지 않는다.
도 12를 참조하면, 대향전극층(190)은 표시영역(DA)에서 소정의 두께를 가지고 형성될 수 있다. 표시영역(DA)에서, 대향전극층(190)은 폭 방향(예, x방향)을 따라 연속적으로 형성되며, 따라서, 대향전극층(190) 및 대향전극층(190)에 인접한 층 사이에는 폭 방향을 따라 연속적인 계면이 형성될 수 있다. 예컨대, 표시영역(DA)에서 제2서브기능층(182)과 제2서브기능층(182) 사이의 계면은 폭 방향을 따라 연속적으로 형성될 수 있다.
반면, 대향전극층(190, 도 11)을 이루는 물질은 표면에너지 조절층(170)에 의해 도 13a에 도시된 바와 같이 투과영역(TA)에 사실상 존재하지 않거나 도 13b에 도시된 바와 같이 투과영역(TA)에 국소적으로 소량 존재할 뿐, 투과영역(TA)에는 대향전극층(190, 도 11)에 해당하는 층(막)이 형성되지 않는다.
이상적으로 투과영역(TA)에는 대향전극층(190, 도 11)을 이루는 물질과 동일한 물질이 존재하지 않을 수 있으나, 대향전극층(190, 도 11)이 오픈 마스크를 통해 형성되기에, 도 13a 및 도 13b에 도시된 바와 같이 투과영역(TA)에 소량 또는 극미량의 응집체(190A)가 존재할 수 있다. 응집체(190A)들은 일종의 입자로서, 서로 다른 형상 및/또는 직경을 가질 수 있다. 응집체(190A)들은 대향전극층(190, 도 11)과 동일한 물질을 갖는다. 응집체(190A)는 폭 방향을 따라 불연속적으로 및/또는 무작위(random)로 배치되며, 따라서 투과영역(TA)에 해당하는 표면에너지 조절층(170)의 일부는 응집체(190A)들 사이를 통해 노출될 수 있다.
다시 도 11을 참조하면, 화소영역(PA)에서 화소전극층(140), 제1기능층(150), 발광층(160), 표면에너지 조절층(170), 제2기능층(180), 및 대향전극층(190)의 적층 구조는 유기 발광 다이오드(OLED)를 형성할 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)에서 발생된 빛(또는 제1빛, L1)은 외부로 방출될 수 있다.
화소영역(PA)과 달리, 투과영역(TA)에는 회로요소(PC) 및 발광층이 위치하지 않는다. 예컨대, 유기 발광 다이오드(OLED) 중 표면 에너지 조절층(170)은 화소영역(PA) 및 투과영역(TA)에 존재하나, 빛을 방출 하기 위한 최소한의 적층 구조, 예컨대, 화소전극층(140), 발광층(160), 및 대향전극층(190)의 적층체가 투과영역(TA)에 존재하지 않는다. 일부 실시예로, 도 11에 도시된 바와 같이, 제1기능층(150) 및 표면 에너지 조절층(170)은 화소영역(PA) 및 투과영역(TA)에 존재하지만, 화소전극층(140), 발광층(160), 제2기능층(180), 및 대향전극층(190)은 투과영역(TA)에 존재하지 않는다.
유기 발광 다이오드(OLED)를 형성하는 물질 중 금속을 포함하는 층, 예컨대 제2서브기능층(182) 및 대향전극층(190)이 사실상 투과영역(TA)에 형성되지 않기에 전술한 바와 같은 비교적 간단한 공정을 통해 투과영역(TA)의 투과율을 크게 향상시킬 수 있다.
도 11은 화소영역(PA)에 배치된 유기 발광 다이오드(OLED)의 제1빛(L1) 및 투과영역(TA)을 통해 외부 광(또는, 제2빛, L2)이 기판(100)의 배면(100R)으로부터 전면(100F)을 향하는 방향(예, z 방향)으로 진행하는 것을 도시하나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 실시예로 제1 및 제2빛(L1, L2)은 기판(100)의 전면(100F)으로부터 배면(100R)을 향하는 방향(예, -z 방향)으로 진행할 수 있다.
도 4 내지 도 11을 참조하여 설명한 공정에 따르면, 화소영역(PA)에서 제1서브기능층(181) 상에 제2서브기능층(182) 및 대향전극층(190)이 형성된 구조를 개시하나, 다른 실시예에서 제2서브기능층(182)은 형성되지 않을 수 있다. 예컨대, 화소영역(PA)에서 대향전극층(190)은 제1서브기능층(181) 바로 위에 형성될 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 14의 표시 장치는 회로요소(PC) 및 유기 발광 다이오드(OLED)가 배치된 화소영역(PA), 및 투과영역(TA)을 포함할 수 있으며, 회로요소(PC) 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 층들의 특징 및 공정은 앞서 도 4 내지 도 13을 참조하여 설명한 바와 사실상 동일하다. 차이가 있다면, 도 14의 화소전극층(140)은 ITO와 같은 투명 도전층을 포함하는 투과성 전극이고, 대향전극층(190)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 반사성 전극일 수 있다.
화소영역(PA)에 배치된 유기 발광 다이오드(OLED)의 제1빛(L1)은 도 14에 도시된 바와 같이 기판(100)의 전면(100F)으로부터 배면(100R)을 향하는 방향(예, -z 방향)으로 진행할 수 있다. 도 14의 투과영역(TA)의 적층 구조는 앞서 설명한 바와 같으며, 외부의 광, 즉 제2빛(L2)은 투과영역(TA)을 지날 수 있다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 15를 참조하면, 전자 기기(2)는 헤드업 디스플레이와 같이 투명한 전자 표시 기기일 수 있다. 전자 기기(2)는 앞서 도 1 내지 도 14를 참조하여 설명한 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)을 포함하는 표시 장치를 포함할 수 있다. 전자 기기(2)의 표시영역(DA)은 투과영역(TA)과 화소영역(PA)이 반복적으로 배열된 구조를 포함할 수 있다.
사용자(USR)는 전자 기기(2)의 화소영역(PA)에 배치된 발광 다이오드들의 빛을 통해 구현된 화상을 인식할 수 있으며, 전자 기기(2)를 사이에 두고 사용자(USR)의 반대편에 위치한 외부 이미지, 예컨대 물체(OBJ)의 이미지를 인식할 수 있다.
도 16a 및 도 16b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 16a 및 도 16b를 참조하면, 전자 기기(3)는 앞서 도 1 내지 도 14를 참조하여 설명한 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)을 포함하는 표시 장치를 포함할 수 있다.
전자 기기(3)의 표시영역(DA)은 투과영역(TA)을 포함하되, 투과영역(TA)은 표시영역(DA)의 일 부분에만 존재할 수 있다. 예컨대, 표시영역(DA)은 화소들(이하, 제1화소(P1)들이라 함)이 배치된 제1표시영역(DA1). 및 화소들(이하, 제2화소(P2)들이라 함)과 투과영역(TA)이 배치된 제2표시영역(DA2)을 포함할 수 있다.
제2표시영역(DA2)은 도 16a에 도시된 바와 같이 제1표시영역(DA1)에 의해 전체적으로 둘러싸이거나, 도 16b에 도시된 바와 같이 제1표시영역(DA1)에 의해 부분적으로 둘러싸일 수 있다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 17을 참조하면, 전자 기기(3)는 표시 장치(1) 및 컴포넌트(CMP)를 포함할 수 있다. 표시 장치(1)는 기판(100) 및 기판(100) 상의 표시층(DPL)을 포함할 수 있으며, 표시층(DPL)은 봉지층으로 커버될 수 있다. 도 17은 봉지층이 제1무기봉지층(210), 유기봉지층(220), 및 제2무기봉지층(230)을 포함하는 박막봉지층(200A)을 포함하는 것을 도시한다.
제1 및 제2무기봉지층(210, 230)은 각각 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 무기 절연물은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는/및 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있다. 유기봉지층(220)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 예컨대, 유기봉지층(220)은 아크릴계 수지, 예컨대 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등을 포함할 수 있다.
기판(100)은 제1베이스층(101), 제1배리어층(102), 제2베이스층(103), 및 제2배리어층(104)을 포함할 수 있다.
제1베이스층(101) 및 제2베이스층(103)은 각각 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 등을 포함할 수 있다.
제1베이스층(101), 제1배리어층(102), 제2베이스층(103), 및 제2배리어층(104)을 포함할 수 있다.
제1베이스층(101) 및 제2베이스층(103)은 각각 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 등을 포함할 수 있다. 고분자 수지는 투명할 수 있다.
기판(100) 상에는 회로요소(PC)가 배치되며, 회로요소(PC)는 박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(Act), 게이트전극(GE), 소스전극(SE), 드레인전극(DE), 및 스토리지 커패시터(Cst)의 제1축전판(Cst1)과 제2축전판(Cst2)은 앞서 설명한 바와 같다. 일부 실시예에서, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하여 배치될 수 있다. 예컨대, 게이트전극(GE)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1축전판(Cst1)을 포함할 수 있다.
기판(100)과 회로요소(PC) 사이, 예컨대 기판(100)과 버퍼층(111) 사이에는 금속층(BML)이 배치될 수 있다. 금속층(BML)은 제2표시영역(DA2)에 위치하되, 컴포넌트(CMP)를 향하거나 컴포넌트(CMP)로부터 방출되는 빛에 의해 회로요소(PC)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
금속층(BML)은 투과영역(TA)에 해당하는 관통홀(BML-TH)을 포함할 수 있다. 금속층(BML)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)와 같이 도전성을 갖는 금속을 포함할 수 있다.
금속층(BML)은 연결라인(CL)에 전기적으로 연결될 수 있다. 연결라인(CL)은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE), 소스전극(SE), 또는 드레인전극(DE)과 전기적으로 연결되거나, 스토리지 커패시터(Cst)의 어느 하나의 축전판과 전기적으로 연결될 수 있다. 또는, 연결라인(CL)은 제1 전원전압(ELVDD, 도 3)을 공급하는 라인에 전기적으로 연결될 수 있다.
화소영역(PA)에서 유기 발광 다이오드(OLED)는 화소전극층(140), 제1기능층(150), 발광층(160), 표면에너지 조절층(170), 제2기능층(180) 및 대향전극층(190)을 포함할 수 있으며, 각 층의 특징은 앞서 도 11 등을 참조하여 설명한 바와 같다.
제1기능층(150) 및 표면에너지 조절층(170)은 투과영역(TA)으로 연장될 수 있으나, 제2기능층(180) 및 대향전극층(190)은 투과영역(TA)에 실질적으로 존재하지 않을 수 있음은 앞서 도 8 내지 도 13을 참조하여 설명한 바와 같다.
투과영역(TA)의 투과도를 향상시키기 위하여, 기판(100) 상에 배치된 절연층들, 예컨대, 게이트절연층(112), 제1층간절연층(113), 및 제2층간절연층(115), 평탄화절연층(117) 및/또는 상부절연층(119)은 투과영역(TA)에서 서로 중첩하는 홀(112H, 113H, 115H, 117H, 119H)을 포함할 수 있다. 일부 실시예로, 기판(100) 상의 버퍼층(111)도 투과영역(TA)에 대응하는 홀을 포함할 수 있다.
컴포넌트(CMP)는 빛을 이용하는 전자 요소를 포함할 수 있다. 전자 요소는 근접센서와 같이 거리를 측정하는 센서, 사용자의 신체의 일부(예, 지문, 홍채, 얼굴 등)을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 화상을 캡처하는 이미지 센서(예, 카메라)와 같은 전자 요소를 포함할 수 있다. 빛을 이용하는 전자 요소는 가시광, 적외선광, 자외선광 등 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다.
도 15 내지 도 17을 참조하여 설명한 전자 기기(2, 3)는 헤드업 디스플레이 전자 기기, 모바일 폰, 또는 차량용 디스플레이 전자 기기와 같은 다양한 종류의 전자 기기를 포함할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
140: 화소전극층
150: 제1기능층
160: 발광층
170: 표면에너지 조절층
180: 제2기능층
190: 대향전극층
1: 표시 장치
2, 3: 전자 기기

Claims (23)

  1. 화소영역 및 상기 화소영역에 인접한 투과영역을 포함하는 표시 장치로서,
    상기 화소영역에 배치되며 트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 회로요소;
    상기 화소영역에 배치되고 상기 회로요소에 전기적으로 연결된 화소전극층;
    상기 화소전극층 상에 위치한 발광층;
    상기 발광층 상에 위치한 대향전극층; 및
    상기 발광층과 상기 대향전극층 사이에 개재되고, 과불소계 소재를 포함하며, 일 부분이 상기 투과영역으로 연장된 표면에너지 제어층;
    을 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 대향전극층은 상기 투과영역에 중첩하지 않는, 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 표면에너지 제어층 상에 위치하고 금속원소를 포함하는 응집 입자를 포함하는, 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 대향전극층은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금을 포함하는, 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 표면에너지 제어층과 상기 대향전극 사이의 전자수송층을 더 포함하며,
    상기 전자수송층은 상기 투과영역에 대응하는 개구를 포함하는, 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 표면에너지 제어층과 상기 대향전극 사이에 개재되며, 금속을 포함하는 전자주입층을 더 포함하는, 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 전자주입층은 상기 투과영역에 중첩하지 않는, 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 전자주입층은 알칼리 금속, 알칼리 토금속 또는 란탄넘족 금속을 포함하는, 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 표면에너지 제어층의 두께는 상기 발광층의 두께 보다 작은, 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 표면에너지 제어층의 표면에너지는 약 20 mJ/m2 이거나 그보다 작은, 표시 장치.
  11. 화소들이 배치되는 화소영역 및 상기 화소영역에 인접한 투과영역을 포함하는 표시 장치를 포함하되,
    상기 표시 장치는,
    상기 화소영역에 배치되는 화소전극층;
    상기 화소영역에서 상기 화소전극과 중첩하며, 금속을 포함하는 대향전극층;
    상기 화소전극층과 상기 대향전극층 사이의 발광층;
    상기 발광층과 상기 대향전극 사이에 배치되되, 일 부분이 상기 투과영역으로 연장된 표면에너지 제어층; 및
    상기 표면에너지 제어층과 상기 대향전극층 사이에 개재되며, 유기물을 포함하는 제1서브기능층;을 포함하되,
    상기 제1서브기능층은 상기 투과영역에 대응하는 개구를 포함하는,
    전자 기기.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 표면에너지 제어층의 표면에너지는 약 20 mJ/m2 이거나 그보다 작은, 전자 기기.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 표면에너지 제어층은 과불소계 소재를 포함하는, 전자 기기.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 대향전극층은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금을 포함하는, 전자 기기.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 대향전극층은 상기 투과영역에 중첩하지 않는, 전자 기기.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 표면에너지 제어층과 상기 대향전극 사이에 개재되며, 금속을 포함하는 전자주입층을 더 포함하는, 전자 기기.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 표면에너지 제어층 상에 위치하고, 금속원소를 포함하는 응집 입자를 더 포함하는, 전자 기기.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 응집 입자의 상기 금속원소는 상기 대향전극층에 포함된 금속원소 또는 상기 전자주입층에 포함된 금속원소를 포함하는, 전자 기기.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 전자주입층은 알칼리 금속, 알칼리 토금속 또는 란탄넘족 금속을 포함하는, 전자 기기.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 표면에너지 제어층의 두께는 상기 발광층의 두께 보다 작은, 전자 기기.
  21. 제11항에 있어서,
    상기 전자 기기는 상기 투과영역과 대응하는 컴포넌트를 더 포함하는, 전자 기기.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 컴포넌트는 센서 또는 카메라를 포함하는, 전자 기기.
  23. 제11항에 있어서,
    상기 전자 기기는,
    헤드업 디스플레이 전자 기기, 모바일 폰, 차량용 디스플레이 전자 기기를 포함하는, 전자 기기.
KR1020200063917A 2020-05-27 2020-05-27 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기 KR20210147161A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200063917A KR20210147161A (ko) 2020-05-27 2020-05-27 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기
US17/147,955 US11545653B2 (en) 2020-05-27 2021-01-13 Display device and electronic apparatus including the same
CN202110533559.0A CN113745280A (zh) 2020-05-27 2021-05-17 显示装置及包括该显示装置的电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200063917A KR20210147161A (ko) 2020-05-27 2020-05-27 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210147161A true KR20210147161A (ko) 2021-12-07

Family

ID=78704928

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200063917A KR20210147161A (ko) 2020-05-27 2020-05-27 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11545653B2 (ko)
KR (1) KR20210147161A (ko)
CN (1) CN113745280A (ko)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101149427B1 (ko) 2010-05-27 2012-05-24 한국과학기술원 유기전자소자 제조방법
GB201500748D0 (en) 2015-01-16 2015-03-04 Cambridge Display Tech Ltd Method of forming a light-emitting device
KR20180022847A (ko) 2015-06-30 2018-03-06 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 비아를 포함하는 전자 디바이스 및 그러한 전자 디바이스를 형성하는 방법
KR102519420B1 (ko) 2016-05-16 2023-04-10 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법
KR102421769B1 (ko) 2017-11-13 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
US11545653B2 (en) 2023-01-03
US20210376300A1 (en) 2021-12-02
CN113745280A (zh) 2021-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10490618B2 (en) Light emitting device
KR100857726B1 (ko) 발광 장치 및 이를 제조하는 방법과, 전기 기구
JP4713010B2 (ja) 発光装置及びその作製方法
JP5564599B2 (ja) 発光素子および発光装置
KR102562897B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US7476908B2 (en) Light emitting device
JP4770519B2 (ja) 有機発光装置、有機発光装置の製造方法および電子機器
KR20110135734A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20180076857A (ko) 유기발광다이오드 표시장치
EP3736862A2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US7659543B2 (en) Organic light emitting display and method of fabricating the same
JP4731996B2 (ja) 発光素子及び表示装置
US20210257419A1 (en) Organic light-emitting display device
KR20110100984A (ko) 유기 발광 표시 장치
JP4731865B2 (ja) 発光装置
KR20210070667A (ko) 표시장치 및 그 제조방법
KR20210147161A (ko) 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기
CN114497145A (zh) 显示设备和制造其的方法
KR102113609B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP4519538B2 (ja) 発光装置および電子機器
JP2007250329A (ja) 自発光素子、自発光パネル、自発光素子の製造方法、および自発光パネルの製造方法
US10600987B2 (en) Electroluminescent display device
KR20180062205A (ko) 청색 유기 발광 다이오드 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
TW201507142A (zh) 有機電子設備用基板及有機電子設備之製造方法
KR20230132658A (ko) 표시장치용 어레이 기판 및 표시장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination